JPH0559599A - Device for regenerating rhodium sulfate plating liquid - Google Patents

Device for regenerating rhodium sulfate plating liquid

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JPH0559599A
JPH0559599A JP24465391A JP24465391A JPH0559599A JP H0559599 A JPH0559599 A JP H0559599A JP 24465391 A JP24465391 A JP 24465391A JP 24465391 A JP24465391 A JP 24465391A JP H0559599 A JPH0559599 A JP H0559599A
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JP
Japan
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rhodium
chamber
liquid
rhodium sulfate
solution
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JP24465391A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyoharu Yoda
清春 依田
Yoshihiro Ootaka
叔弘 大鷹
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To eliminate the need for a waste liquid disposition in the state of a high rhodium metal ion concn. and to regenerate a rhodium sulfate plating liquid which does not elute org. matter, etc., to induce contact faults and allows a plating treatment with high quality. CONSTITUTION:The rhodium sulfate liquid 5 and pure water 14 are respectively admitted into 1st and 2nd rooms 3, 4 in a vessel 1 separated by a diffusion dialysis membrane 2 and are disposed to face each other via the diffusion dialysis membrane 2 so that only the sulfuric acid component in an original liquid 5 is migrated from the 1st room 3 to the 2nd room 4 by a dialysis reaction and the rhodium metal ions of the original liquid is not migrated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、硫酸ロジウムメッキ液
再生装置に関し、特にリードスイッチにおける電解メッ
キ法によるロジウム接点の形成に用いて好適な硫酸ロジ
ウムメッキ液の再生装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rhodium sulfate plating solution regenerator, and more particularly to a rhodium sulfate plating solution regenerator suitable for forming a rhodium contact by an electrolytic plating method in a reed switch.

【0002】[0002]

【技術的背景】リードスイッチの接点を形成するに必要
なメッキ方法としては、湿式の電解メッキ法が一般的に
採用されている。また、リードスイッチの接点の使用目
的、すなわち開閉接点としての特性を必要とすることか
ら、接点のメッキ液として主にロジウムメッキ液が使わ
れている。このロジウムメッキ液は、硫酸を基本として
塩基である硫酸ロジウムと有機系物質で構成されてい
る。
TECHNICAL BACKGROUND A wet electrolytic plating method is generally adopted as a plating method necessary for forming a contact of a reed switch. Further, since the purpose of use of the contact of the reed switch, that is, the characteristic as an opening / closing contact is required, a rhodium plating solution is mainly used as the contact plating solution. This rhodium plating solution is composed of rhodium sulfate, which is a base based on sulfuric acid, and an organic substance.

【0003】[0003]

【従来の技術】ロジウム金属を析出する従来のロジウム
メッキ液の再生方法としては、原液である硫酸ロジウム
をたとえば1/3程度廃液とし、残液を純水等にて希釈
後、硫酸ロジウム補充液を注入することにより、硫酸ロ
ジウムメッキ液を再生する方法が一般的に用いられてい
た。
2. Description of the Related Art As a conventional method for regenerating a rhodium plating solution for depositing rhodium metal, a stock solution of rhodium sulfate is discarded, for example, about 1/3, and the remaining solution is diluted with pure water or the like, and then a rhodium sulfate replenishing solution. The method of regenerating the rhodium sulfate plating solution by injecting is generally used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の再生方法では、ロジウムメッキ液の再生処理を
施す都度に、原液を一定量、たとえば全量の1/3程度
を廃液として処分しなければならないため、廃液中には
ロジウム金属イオン濃度が使用に耐えるに充分な高濃
度、たとえば5g/l程度を維持している場合が多いこ
とから、原液のロジウム金属イオン濃度が高い状態、す
なわち高価な状態にて廃液処分しなければならないとい
う問題点があった。
However, in the above-mentioned conventional regenerating method, each time the regenerating treatment of the rhodium plating liquid is performed, a fixed amount of the stock liquid, for example, about 1/3 of the total amount must be disposed of as a waste liquid. Therefore, in the waste liquid, the rhodium metal ion concentration is often high enough to withstand use, for example, about 5 g / l, so that the stock solution has a high rhodium metal ion concentration, that is, an expensive state. There was a problem that the liquid waste had to be disposed of.

【0005】また、ロジウム金属の析出に伴い、メッキ
液中に存在する硫酸分が相対的に高濃度化し、硫酸濃度
が上昇することにより、メッキへの弊害としてロジウム
析出効率の低下を招き、そのために一定の析出膜厚を得
るには、高電流を流すこと及び長時間の処理が必要とな
って極めて処理効率が悪いとともに、下地メッキ及び素
材、たとえば鉄ニッケル合金材料を酸により侵食するこ
とによって金属系酸化物を生成し、これが素材より剥離
し、接点間に介在することにより接触抵抗値が大きくな
る等の接点障害を誘発するという問題点があった。
Further, with the deposition of rhodium metal, the concentration of sulfuric acid present in the plating solution becomes relatively high and the concentration of sulfuric acid rises, which causes a reduction in rhodium deposition efficiency as an adverse effect on plating. In order to obtain a constant deposited film thickness, it is necessary to apply a high current and long-time treatment, and the treatment efficiency is extremely poor, and the base plating and the material such as iron-nickel alloy material are eroded by acid. There is a problem in that a metal oxide is generated, which is separated from the material and intervenes between the contacts to induce contact failure such as an increase in contact resistance value.

【0006】さらには、従来の再生方法の場合、原液の
汲み出し、廃液処理作業、純水の注入作業、補充液の注
入作業及びメッキ装置の停止等、煩わしくかつ危険を伴
う長時間作業が必要であるという問題点があった。一
方、単に原液の硫酸濃度を低下させる方法としては、た
とえば硫酸と反応が容易な水酸化バリウムを添加する硫
酸バリウム生成法、あるいはイオン交換樹脂を通過させ
る方法があるが、いずれの方法によっても、再生液中へ
の微粒子の混入及びたとえば有機物の溶出があり、リー
ドスイッチの接点を形成するに充分な硫酸ロジウムメッ
キ液を得ることはできない。
Further, in the case of the conventional regenerating method, it is necessary to perform a troublesome and dangerous long-time work such as pumping out the stock solution, waste solution treatment work, deionized water injection work, replenishment liquid injection work, and stopping of the plating apparatus. There was a problem. On the other hand, as a method of simply lowering the sulfuric acid concentration of the stock solution, for example, there is a barium sulfate producing method of adding barium hydroxide, which easily reacts with sulfuric acid, or a method of passing an ion exchange resin. Due to the inclusion of fine particles in the regeneration liquid and the elution of organic substances, for example, it is not possible to obtain a rhodium sulfate plating liquid sufficient to form the contact of the reed switch.

【0007】本発明は、上記の各問題点を解消すべくな
されたものであって、ロジウム金属イオン濃度が高い状
態での廃液処分を不要にするとともに、接点障害を誘発
する有機物等の溶出がなくかつ高品質のメッキ処理を可
能とする硫酸ロジウムメッキ液の再生装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it eliminates the need to dispose of waste liquid in a state where the rhodium metal ion concentration is high, and elutes organic substances that cause contact failure. It is an object of the present invention to provide a reclaiming device for a rhodium sulfate plating solution that enables high-quality plating processing without any problems.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による硫酸ロジウムメッキ液再生装置は、内
部空間が拡散透析膜によって第1及び第2の部屋に分離
された容器と、第1の部屋に硫酸ロジウム液を流入させ
る第1の流入手段と、第1の部屋を経た再生液を流出さ
せる第1の流出手段と、第2の部屋に純水を流入させる
第2の流入手段と、第2の部屋を経た液体を流出させる
第2の流出手段とを具備し、前記再生液を硫酸ロジウム
メッキ液とする構成となっている。
In order to achieve the above object, a rhodium sulfate plating solution regenerator according to the present invention comprises a container whose internal space is divided into a first chamber and a second chamber by a diffusion dialysis membrane, and a first chamber. First inflow means for inflowing the rhodium sulfate solution into the first chamber, first outflow means for outflowing the regenerant liquid having passed through the first chamber, and second inflow means for inflowing pure water into the second chamber And a second outflow means for outflowing the liquid that has passed through the second chamber, and the regeneration liquid is a rhodium sulfate plating liquid.

【0009】[0009]

【作用】本発明による硫酸ロジウムメッキ液再生装置に
おいて、容器内をイオンの選択的透過性が大きい拡散透
析膜によって第1の部屋と第2の部屋とに分離すること
で、この拡散透析膜を介して硫酸ロジウム液と純水を対
峙させる。これにより、拡散透析膜を隔ててのSO4-
マイナスイオンの移動によって透析反応が生じ、原液中
の硫酸成分のみが第1の部屋から第2の部屋に移動する
一方、原液のロジウム金属イオンは移動しないで残留す
る。その結果、ロジウム金属イオン濃度を維持しつつ不
純物を溶出させることなく、硫酸濃度のみを低下させた
再生液を硫酸ロジウムメッキ液として得ることができる
ことになる。
In the rhodium sulfate plating solution regenerator according to the present invention, the diffusion dialysis membrane is separated by separating the inside of the container into the first chamber and the second chamber by the diffusion dialysis membrane having large selective permeability of ions. The rhodium sulphate solution and pure water are made to face each other. As a result, a dialysis reaction occurs due to the movement of SO 4 − negative ions across the diffusion dialysis membrane, and only the sulfuric acid component in the stock solution moves from the first chamber to the second room, while the rhodium metal ion of the stock solution is moved. Remains without moving. As a result, it is possible to obtain, as a rhodium sulfate plating solution, a regenerant solution in which only the sulfuric acid concentration is reduced without elution of impurities while maintaining the rhodium metal ion concentration.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図1は、本発明による硫酸ロジウムメッキ
液再生装置の一実施例を示す概念図である。図におい
て、密封された容器1の内部空間は、そのほぼ中央に配
置されたイオンの選択的透過性が大きい拡散透析膜2に
よって第1の部屋3と第2の部屋4に分離されている。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a conceptual diagram showing one embodiment of a rhodium sulfate plating solution regenerator according to the present invention. In the figure, the internal space of the sealed container 1 is divided into a first chamber 3 and a second chamber 4 by a diffusion dialysis membrane 2 having a large selective ion permeability in the center thereof.

【0011】再生を目的とする硫酸ロジウム液、すなわ
ち原液5はタンク6に充填されており、このタンク6か
ら流入管7を通してポンプ8及び調整弁9を介して第1
の部屋3に流入し、この部屋3内を矢印10の方向に流
れる。調整弁9によって原液5の流入速度(以下、流速
と略称する)が調整可能となっている。第1の部屋3を
経た再生液11は、流出管12を通して容器13に充填
され、硫酸ロジウムメッキ液として用いられる。
A rhodium sulfate liquid for the purpose of regeneration, that is, the stock solution 5 is filled in a tank 6, and from this tank 6 through an inflow pipe 7, a pump 8 and a regulating valve 9.
Flows into the room 3 and flows in the room 3 in the direction of the arrow 10. The inflow speed (hereinafter, abbreviated as flow speed) of the stock solution 5 can be adjusted by the adjusting valve 9. The regenerant liquid 11 that has passed through the first chamber 3 is filled into the container 13 through the outflow pipe 12 and used as a rhodium sulfate plating liquid.

【0012】一方、純水14は容器15に充填されてお
り、この容器15から流入管16を通してポンプ17及
び調整弁18を介して容器1の第2の部屋4に流入し、
この部屋4内を矢印19の方向に流れる。調整弁18に
よって純水14の流速が調整可能となっている。第2の
部屋4を経た液体20は、排出管21を通して容器22
に充填され、廃酸として処理される。
On the other hand, the pure water 14 is filled in the container 15, and flows from the container 15 into the second chamber 4 of the container 1 through the inflow pipe 16 and the pump 17 and the adjusting valve 18.
Flow in the room 4 in the direction of arrow 19. The flow rate of the pure water 14 can be adjusted by the adjusting valve 18. The liquid 20 that has passed through the second chamber 4 passes through the discharge pipe 21 and then the container 22.
And treated as waste acid.

【0013】次に、かかる構成の再生装置による硫酸ロ
ジウムメッキ液の再生処理について説明する。タンク6
から容器1の第1の部屋3に流入した原液5は、この部
屋3内を矢印10方向に流れる際に拡散透析膜2に充分
に接触する。これにより、拡散透析膜2を隔ててのSO
4-のマイナスイオンの移動によって透析反応が生じる。
このとき、原液5中の硫酸成分のみが第1の部屋3から
第2の部屋4に移動することになるが、原液5のロジウ
ム金属イオンは移動しないで残留する。その結果、ロジ
ウム金属イオン濃度を維持しつつ不純物を溶出させるこ
となく、硫酸濃度のみを低下させた再生液11を硫酸ロ
ジウムメッキ液として得ることができることになる。
Next, the regenerating process of the rhodium sulfate plating solution by the regenerating apparatus having such a structure will be described. Tank 6
The stock solution 5 that has flowed into the first chamber 3 of the container 1 from the above sufficiently contacts the diffusion dialysis membrane 2 when flowing in the chamber 3 in the direction of the arrow 10. As a result, the SO
The migration of 4- negative ions causes a dialysis reaction.
At this time, only the sulfuric acid component in the undiluted solution 5 moves from the first chamber 3 to the second chamber 4, but the rhodium metal ion in the undiluted solution 5 remains without moving. As a result, it is possible to obtain the regenerant liquid 11 in which only the sulfuric acid concentration is lowered as a rhodium sulfate plating liquid without eluting impurities while maintaining the rhodium metal ion concentration.

【0014】一方、容器15から容器1の第2の部屋4
に流入した純水14は、この部屋4を矢印19方向に流
れる際に、第1の部屋3から透析によって移動してきた
硫酸分を溶け込ませつつ排出管21を通して容器22に
導かれる。この硫酸分を含む液体20は廃酸として処理
される。なお、純水14の流入方向(矢印19方向)
は、原液5の流入方向(矢印10方向)に対して逆方向
となっているが、必ずしも逆方向である必要はない。但
し、逆方向の方が、透析反応を活発に行うことができる
ため好ましい。
On the other hand, from the container 15 to the second chamber 4 of the container 1
When the pure water 14 that has flowed into the chamber 4 flows in the direction of the arrow 19 in this chamber 4, the pure water 14 is introduced into the container 22 through the discharge pipe 21 while dissolving the sulfuric acid component that has moved from the first chamber 3 by dialysis. The liquid 20 containing the sulfuric acid content is treated as waste acid. The direction of inflow of pure water 14 (direction of arrow 19)
Is the opposite direction to the inflow direction of the undiluted solution 5 (the direction of arrow 10), but it does not necessarily have to be the opposite direction. However, the reverse direction is preferable because the dialysis reaction can be actively performed.

【0015】また、調整弁9,18で原液5及び純水1
4の各流速を調整することによって原液5及び純水14
の各流量を制御することにより、透析反応速度を制御す
ることができるため、硫酸ロジウムメッキ液の硫酸濃度
を連続的に維持することが可能となる。この拡散透析に
よる硫酸濃度の一覧を表1に示す。
Further, the stock solution 5 and pure water 1 are adjusted by the adjusting valves 9 and 18.
4 by adjusting each flow rate of 4
Since the dialysis reaction rate can be controlled by controlling the respective flow rates of, the sulfuric acid concentration of the rhodium sulfate plating solution can be continuously maintained. Table 1 shows a list of sulfuric acid concentrations obtained by the diffusion dialysis.

【表1】 [Table 1]

【0016】図2に、本発明による再生装置によって得
られた硫酸ロジウムメッキ液(再生液)11を用いて、
リードスイッチ用リード片の接点部を電解メッキする場
合の原理を示す。先ず、容器23に硫酸ロジウムメッキ
液11を充填し、容器23の底部に金属性電極24を配
置して陽極とする一方、被処理品であるリード片25を
治具26で保持して陰極とする。そして、両者24,2
5間に、直流安定化電源27によってたとえば電圧10
V程度、電流密度0.5A/dm2 程度の電力を供給す
れば、硫酸ロジウムメッキ液11に浸漬しているリード
片25の先端部にのみロジウム金属が析出する。
FIG. 2 shows a rhodium sulfate plating solution (regeneration solution) 11 obtained by the reproduction apparatus according to the present invention.
The principle of electrolytically plating the contact portion of the reed switch lead piece will be described. First, the container 23 is filled with the rhodium sulfate plating solution 11 and the metallic electrode 24 is arranged at the bottom of the container 23 to serve as an anode, while the lead piece 25, which is the object to be processed, is held by the jig 26 to serve as a cathode. To do. And both 24 and 2
For example, the voltage of 10
When electric power of about V and a current density of about 0.5 A / dm 2 is supplied, rhodium metal is deposited only on the tips of the lead pieces 25 dipped in the rhodium sulfate plating solution 11.

【0017】このようにしてメッキ処理されたリード片
25を用いて製作されたリードスイッチ31の構成を図
3に示す。図3において、リード片25の先端部には、
ロジウム金属による接点(以下、ロジウム接点と称す
る)28が形成されており、このロジウム接点28を有
するリード片25が一対たとえばガラス管32により封
止されている。このガラス管32の中空部33は、たと
えば窒素ガス、窒素と水素の混合ガス、六弗化イオウ等
の不活性ガスが密封されもしくは真空状態に保たれてい
る。
FIG. 3 shows the structure of a reed switch 31 manufactured by using the reed pieces 25 plated in this way. In FIG. 3, at the tip of the lead piece 25,
A contact (hereinafter, referred to as a rhodium contact) 28 made of rhodium metal is formed, and a pair of lead pieces 25 having the rhodium contact 28 are sealed by a pair of glass tubes 32, for example. The hollow portion 33 of the glass tube 32 is sealed with an inert gas such as nitrogen gas, a mixed gas of nitrogen and hydrogen, or sulfur hexafluoride, or kept in a vacuum state.

【0018】図4は、上記構成のリードスイッチ31に
低負荷を印加し、コイル駆動にて動作試験を行う場合の
原理図である。先ず、リードスイッチ31を駆動用コイ
ル34で励磁することにより、リードスイッチ31の接
点部(ロジウム接点)28を開閉する。そして、接点部
28が閉接点を形成したときの接触抵抗値を毎回測定す
る。試験時の負荷としては、たとえば5V,100μA
の電力を供給する。また、駆動用コイル34は、50H
z,20mAで駆動させる。
FIG. 4 is a principle diagram in the case where a low load is applied to the reed switch 31 having the above-mentioned structure and an operation test is performed by driving a coil. First, the reed switch 31 is excited by the driving coil 34 to open and close the contact portion (rhodium contact) 28 of the reed switch 31. Then, the contact resistance value when the contact portion 28 forms a closed contact is measured every time. The load during the test is, for example, 5 V, 100 μA
Supply power. In addition, the driving coil 34 is 50H
It is driven at z, 20 mA.

【0019】この動作試験を実施した試験結果を図5に
示す。図5において、縦軸は接触抵抗値を表し、横軸は
動作回数を表し、接触抵抗値推移データを示している。
この接触抵抗値推移データから明らかなように、この試
験結果によれば、リードスイッチ31にたとえば5V,
100μA程度の負荷を与えた場合、動作回数が1億回
に達しても接触抵抗値には変化が現れないことがわか
る。以上の結果から、本発明による再生装置によって得
られる硫酸ロジウムメッキ液を使用してロジウム接点を
形成したリードスイッチは、充分実用可能なものとな
る。
The test results of this operation test are shown in FIG. In FIG. 5, the vertical axis represents the contact resistance value, the horizontal axis represents the number of operations, and shows the contact resistance value transition data.
As is clear from the contact resistance value transition data, according to the test result, the reed switch 31 has, for example, 5V,
It is understood that when a load of about 100 μA is applied, the contact resistance value does not change even when the number of operations reaches 100 million times. From the above results, the reed switch having the rhodium contact formed by using the rhodium sulfate plating solution obtained by the reproducing apparatus according to the present invention becomes sufficiently practical.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、拡散透析膜によって分離された容器内の第1及び
第2の部屋に、硫酸ロジウム液及び純水をそれぞれ流入
させて拡散透析膜を介して対峙させる構成としたことに
より、透析反応によって原液中の硫酸成分のみが第1の
部屋から第2の部屋に移動し、原液のロジウム金属イオ
ンは移動しないで残留するため、再生液中への微粒子の
混入や有機物の溶出の懸念がある硫酸バリウム生成法や
イオン交換樹脂による方法を用いなくても、ロジウム金
属濃度を維持しつつ硫酸濃度のみを低下させた硫酸ロジ
ウムメッキ液を得ることができ、さらには原液のロジウ
ム金属イオン濃度が高い状態における廃液処分が不要に
なるため、原液全量の再生が可能になる。
As described above in detail, according to the present invention, the rhodium sulfate liquid and the pure water are respectively introduced into the first and second chambers in the container separated by the diffusion dialysis membrane for diffusion. Due to the configuration of facing each other through the dialysis membrane, only the sulfuric acid component in the stock solution moves from the first chamber to the second room by the dialysis reaction, and the rhodium metal ion in the stock solution remains without moving, so that the regeneration is performed. Even if you do not use barium sulfate generation method or ion exchange resin method that may cause contamination of fine particles or elution of organic substances in the solution, rhodium sulfate plating solution that reduces the sulfuric acid concentration while maintaining the rhodium metal concentration Moreover, since it is not necessary to dispose of the waste liquid when the rhodium metal ion concentration of the raw liquid is high, it is possible to regenerate the whole amount of the raw liquid.

【0021】また、硫酸ロジウムメッキ液の硫酸濃度が
上昇することにより、下地メッキ及び素材を腐食するこ
とが少なくなるため、高品質のメッキ処理が可能とな
る。さらには、原液と純水の流速を調整弁で調整可能な
構成としたので、硫酸濃度調整作業に伴う工程の中止が
不要となるとともに、原液と純水の流量を制御すること
によって硫酸ロジウムメッキ液の硫酸濃度を連続的に維
持することができることにもなる。
Further, the increase in the sulfuric acid concentration of the rhodium sulfate plating solution reduces the corrosion of the base plating and the raw material, so that high quality plating can be performed. Furthermore, because the flow rate of the stock solution and pure water can be adjusted with the adjusting valve, it is not necessary to stop the process associated with the sulfuric acid concentration adjustment work, and rhodium sulfate plating can be performed by controlling the flow rates of the stock solution and pure water. It also means that the sulfuric acid concentration of the liquid can be maintained continuously.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による硫酸ロジウムメッキ液再生装置の
一実施例を示す概念図である。
FIG. 1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a rhodium sulfate plating solution regenerator according to the present invention.

【図2】本発明による再生装置によって得られた硫酸ロ
ジウムメッキ液を用いて、リードスイッチ用リード片の
接点部を電解メッキする場合の原理図である。
FIG. 2 is a principle diagram in the case where a contact portion of a reed switch lead piece is electrolytically plated by using a rhodium sulfate plating solution obtained by a reproducing apparatus according to the present invention.

【図3】図2の原理に基づいてメッキ処理されたリード
片を用いて製作されたリードスイッチの構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a reed switch manufactured using a lead piece plated according to the principle of FIG.

【図4】リードスイッチに低負荷を印加し、コイル駆動
にて動作試験を行う場合の原理図である。
FIG. 4 is a principle diagram of a case where a low load is applied to a reed switch and an operation test is performed by driving a coil.

【図5】動作試験結果を示す接触抵抗値推移データ図で
ある。
FIG. 5 is a contact resistance value transition data diagram showing an operation test result.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 容器 2 拡散透析膜 3 第1の部屋 4 第2の部屋 5 原液(硫酸ロジウム液) 8,17 ポンプ 9,18 調整弁 11 再生液(硫酸ロ
ジウムメッキ液) 14 純水 20 廃酸 24 金属性電極 25 リード片 28 ロジウム接点 31 リードスイッチ 34 駆動用コイル
1 Container 2 Diffusion Dialysis Membrane 3 First Room 4 Second Room 5 Stock Solution (Rhodium Sulfate Solution) 8,17 Pump 9,18 Control Valve 11 Regeneration Solution (Rhodium Sulfate Plating Solution) 14 Pure Water 20 Waste Acid 24 Metallic Electrode 25 Reed piece 28 Rhodium contact point 31 Reed switch 34 Drive coil

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部空間が拡散透析膜によって第1及び
第2の部屋に分離された容器と、 前記第1の部屋に硫酸ロジウム液を流入させる第1の流
入手段と、 前記第1の部屋を経た再生液を流出させる第1の流出手
段と、 前記第2の部屋に純水を流入させる第2の流入手段と、 前記第2の部屋を経た液体を流出させる第2の流出手段
とを具備し、 前記再生液を硫酸ロジウムメッキ液とすることを特徴と
する硫酸ロジウムメッキ液再生装置。
1. A container whose internal space is divided into a first chamber and a second chamber by a diffusion dialysis membrane, a first inflow means for inflowing a rhodium sulfate solution into the first chamber, and the first chamber. A first outflow means for outflowing the regenerated liquid that has passed through, a second inflow means for inflowing pure water into the second chamber, and a second outflow means for outflowing the liquid that has passed through the second chamber. A rhodium sulphate plating solution regenerator, characterized in that the regenerant is a rhodium sulphate plating solution.
【請求項2】 前記第1及び第2の流入手段は、硫酸ロ
ジウム液及び純水の流入速度を調整可能な調整弁をそれ
ぞれ有することを特徴とする請求項1記載の硫酸ロジウ
ムメッキ液再生装置。
2. The regenerator for rhodium sulfate plating solution according to claim 1, wherein the first and second inflowing means respectively have adjusting valves capable of adjusting inflow rates of the rhodium sulfate solution and pure water. ..
JP24465391A 1991-08-29 1991-08-29 Device for regenerating rhodium sulfate plating liquid Pending JPH0559599A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1184487A1 (en) * 2000-08-29 2002-03-06 Enthone-OMI (Deutschland) GmbH Process for purifying an electrolyte
JP2006231439A (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Sony Corp Fine mechanical element and its manufacturing method, semiconductor device and communication equipment

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1184487A1 (en) * 2000-08-29 2002-03-06 Enthone-OMI (Deutschland) GmbH Process for purifying an electrolyte
US6841074B2 (en) 2000-08-29 2005-01-11 Enthone-Omi (Deutschland) Gmbh Method and apparatus of purifying an electrolyte
JP2006231439A (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Sony Corp Fine mechanical element and its manufacturing method, semiconductor device and communication equipment

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