JPH0544737B2 - - Google Patents

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JPH0544737B2
JPH0544737B2 JP59031722A JP3172284A JPH0544737B2 JP H0544737 B2 JPH0544737 B2 JP H0544737B2 JP 59031722 A JP59031722 A JP 59031722A JP 3172284 A JP3172284 A JP 3172284A JP H0544737 B2 JPH0544737 B2 JP H0544737B2
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JP
Japan
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spacer layer
refractive index
substrate
layer
thickness
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Masaki Ito
Katsuji Nakagawa
Sotaro Edokoro
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光学記録媒体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an optical recording medium on which information can be recorded and reproduced using laser light.

(従来技術) レーザ光線によつて情報を媒体に記録し、かつ
再生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が
高いことから大容量記録装置として優れた特徴を
有している。このような追記型光デイスクメモリ
の記録媒体としては、Te、Bi等の半金属薄膜及
び有機薄膜が使用されている。有機薄膜は、半金
属薄膜より優れた熱特性、即ち低い熱伝導率と小
さな熱容量を持つているので吸収エネルギー密度
当りの膜の温度上昇は大きく、高い記録感度が期
待できる。しかし、有機薄膜は、半導体レーザの
波長域(〜800nm)で半金属薄膜ほどには大き
な反射率を示さないので、半導体レーザを再生用
光源とする場合、再生信号及びサーボ信号の品質
に問題を生じる。
(Prior Art) A write-once optical disk memory that records and reproduces information on a medium using a laser beam has an excellent feature as a large-capacity recording device because of its high recording density. As a recording medium for such a write-once optical disk memory, semimetal thin films such as Te and Bi, and organic thin films are used. Organic thin films have thermal properties superior to semimetallic thin films, that is, low thermal conductivity and small heat capacity, so that the temperature rise of the film per absorbed energy density is large, and high recording sensitivity can be expected. However, organic thin films do not exhibit as large a reflectance as semimetallic thin films in the wavelength range of semiconductor lasers (~800 nm), so when using semiconductor lasers as light sources for reproduction, there may be problems with the quality of reproduction signals and servo signals. arise.

これを改善する方法として、有機薄膜と基板の
間にA1等の反射膜を設ける媒体構成が知られて
いる。この構成を採用し、有機薄膜の膜厚を調整
することにより、記録前後の反射率変化、即ち変
調量を半金属薄膜の場合と同程度に大きくするこ
とができる。しかし、この構成では、記録再生光
の入射方向が媒体の表面側に限られるという制約
がある。
As a method to improve this, a media configuration in which a reflective film such as A1 is provided between the organic thin film and the substrate is known. By adopting this configuration and adjusting the thickness of the organic thin film, the change in reflectance before and after recording, that is, the amount of modulation, can be made as large as in the case of a semimetallic thin film. However, this configuration has a limitation in that the direction of incidence of the recording and reproducing light is limited to the surface side of the medium.

(発明の目的) 本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良
し得る新規な媒体構成により、再生出力の大きな
光学記録媒体を提供することにある。
(Objective of the Invention) An object of the present invention is to provide an optical recording medium with a high reproduction output using a novel medium configuration capable of improving the drawbacks of the prior art described above.

(発明の構成) すなわち本発明は、レーザ光線の照射によつて
情報を記録しかつ読み取る光学記録媒体におい
て、前記レーザ光線に対して透明な基板上に、前
記レーザ光線に対して実質的に透明でかつ前記レ
ーザ光線の波長での屈折率が2.0以上である第1
のスペーサ層と、前記レーザ光線に対して実質的
に透明でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が
前記第1のスペーサ層より小さい第2のスペーサ
層と、前記レーザ光線を吸収する記録層の少なく
とも3層を積層したことを特徴とする。
(Structure of the Invention) That is, the present invention provides an optical recording medium in which information is recorded and read by irradiation with a laser beam. and has a refractive index of 2.0 or more at the wavelength of the laser beam.
a second spacer layer that is substantially transparent to the laser beam and has a smaller refractive index at the wavelength of the laser beam than the first spacer layer, and a recording layer that absorbs the laser beam. It is characterized by laminating at least three layers.

(構成の詳細な説明) 透明な基板上に記録層が形成されている媒体の
基板入射時の媒体反射率は、記録層と基板の光学
定数(複素屈折率)および記録層の厚さに依存す
る。透明な基板としては、通常ガラス又は各種合
成樹脂が使用される。これらの可視光から近赤外
光域での屈折率nはほぼ1.5であり、この範囲の
波長にはほとんど依存しない。したがつて、媒体
の反射率は、記録層の光学定数と厚さで決定され
る。記録層として有機色素膜あるいは有機色素を
分散させた樹脂膜を用いる場合、これらの膜の複
素屈折率(n−ik)は半導体レーザ波長域(〜
800nm)で高々2.5−i1.0である。
(Detailed explanation of the structure) For a medium in which a recording layer is formed on a transparent substrate, the medium reflectance when the substrate is incident on the substrate depends on the optical constants (complex refractive index) of the recording layer and the substrate and the thickness of the recording layer. do. Glass or various synthetic resins are usually used as the transparent substrate. The refractive index n in the range from visible light to near-infrared light is approximately 1.5, and is almost independent of wavelengths in this range. Therefore, the reflectance of the medium is determined by the optical constants and thickness of the recording layer. When using an organic dye film or a resin film in which an organic dye is dispersed as a recording layer, the complex refractive index (n-ik) of these films falls within the semiconductor laser wavelength range (~
800nm) at most 2.5−i1.0.

例えば、記録層の複素屈折率が2.3−i0.8であ
り、基板の屈折率が1.5の場合、波長830nmでの
基板入射の媒体反射率は第1図に示すように記録
層の厚さに依存する。これより、最大反射率は記
録層の厚さが約90nmの時に得られ、その値は18
%であることが判る。記録層に孔を形成して記録
を行なう媒体では再生の出力の大きさ(変調量)
は近似的に、孔が形成されていない時の媒体反射
率と孔が形成され記録層の厚さがゼロとなつた時
の反射率、即ち基板のみの反射率との差に比例す
ると考えることができる。第1図の例で、記録層
の厚さを90nmすると、孔が形成されていない時
の媒体反射率は18%であり、基板反射率は4%で
あるので、変調量は14%となる。
For example, if the complex refractive index of the recording layer is 2.3-i0.8 and the refractive index of the substrate is 1.5, the medium reflectance at a wavelength of 830 nm incident on the substrate will depend on the thickness of the recording layer, as shown in Figure 1. Dependent. From this, the maximum reflectance is obtained when the thickness of the recording layer is approximately 90 nm, and the value is 18
%. For media in which recording is performed by forming holes in the recording layer, the size of the reproduction output (amount of modulation)
is approximately proportional to the difference between the reflectance of the medium when no holes are formed and the reflectance when holes are formed and the thickness of the recording layer is zero, that is, the reflectance of only the substrate. I can do it. In the example shown in Figure 1, if the thickness of the recording layer is 90 nm, the medium reflectance when no holes are formed is 18%, and the substrate reflectance is 4%, so the modulation amount is 14%. .

このような変調量が小さいという問題は、第2
図に示す本発明の一つの媒体構成例により解決さ
れる。即ち、基板10と記録層20の間に第1の
スペーサ層30と第2のスペーサ層40を設ける
ことにより、媒体の変調量を高めることができ
る。但し、第1のスペーサ層30と第2のスペー
サ層40の材料及びその厚さは下記する条件を満
すように選択されなければならない。まず、基板
10上に第1のスペーサ層30のみが形成されて
いる第3図に示すような構成を考える。基板10
を通して入射した光100は、基板10と第1の
スペーサ層30との界面及び第1のスペーサ層3
0と空気との界面でその一部は反射されて反射光
200となる。反射光200の大きさ(反射率)
は、第1のスペーサ層30の屈折率と厚さに依存
する。本発明で使用される第1のスペーサ層30
の材料及び厚さは、この反射光200を大きくす
るように選ばれる。即ち、第1のスペーサ層30
の屈折率は基板10の屈折率よりも大きければ大
きいほどよい。したがつて、第1のスペーサ層3
0の屈折率は2.0以上が望ましく、その厚さは反
射光200の大きさを極大とする厚さが最も望ま
しい。次に、基板10上に第1のスペーサ層30
を上記のように反射光200を大きくするように
して設け、その上に第2のスペーサ層40が形成
されている第4図に示すような構成を考える。基
板10を通して入射した光100は、基板10と
第1のスペーサ層30との界面、第1のスペーサ
層30と第2のスペーサ層40との界面、及び第
2のスペーサ層40と空気との界面でその一部は
反射されて反射光300となる。反射光300の
大きさ(反射率)は、第2のスペーサ層40の屈
折率と厚さに依存する。本発明で使用される第2
のスペーサ層40の材料及び厚さは、この反射光
300を小さくするように選ばれる。即ち、第2
のスペーサ層40の屈折率は第1のスペーサ層3
0の屈折率よりも小さいことが必要である。第2
のスペーサ層40の厚さは、反射光300の大き
さを極小とする厚さが最も望ましい。
The problem of such a small amount of modulation is the second problem.
The problem is solved by one example of the media configuration of the present invention shown in the figure. That is, by providing the first spacer layer 30 and the second spacer layer 40 between the substrate 10 and the recording layer 20, the amount of modulation of the medium can be increased. However, the materials and thicknesses of the first spacer layer 30 and the second spacer layer 40 must be selected so as to satisfy the following conditions. First, consider a configuration as shown in FIG. 3 in which only the first spacer layer 30 is formed on the substrate 10. Substrate 10
The light 100 incident through the interface between the substrate 10 and the first spacer layer 30 and the first spacer layer 3
A part of the light is reflected at the interface between the light beam 0 and the air and becomes reflected light 200. Size of reflected light 200 (reflectance)
depends on the refractive index and thickness of the first spacer layer 30. First spacer layer 30 used in the invention
The material and thickness of are chosen to increase this reflected light 200. That is, the first spacer layer 30
The larger the refractive index of the substrate 10 is, the better. Therefore, the first spacer layer 3
The refractive index of zero is preferably 2.0 or more, and the most desirable thickness is such that the magnitude of the reflected light 200 is maximized. Next, a first spacer layer 30 is formed on the substrate 10.
Consider a configuration as shown in FIG. 4, in which a second spacer layer 40 is provided to increase the reflected light 200 as described above, and a second spacer layer 40 is formed thereon. The light 100 incident through the substrate 10 is transmitted to the interface between the substrate 10 and the first spacer layer 30, the interface between the first spacer layer 30 and the second spacer layer 40, and the interface between the second spacer layer 40 and air. A part of the light is reflected at the interface and becomes reflected light 300. The magnitude (reflectance) of the reflected light 300 depends on the refractive index and thickness of the second spacer layer 40. The second used in the present invention
The material and thickness of the spacer layer 40 are chosen to reduce this reflected light 300. That is, the second
The refractive index of the spacer layer 40 is the same as that of the first spacer layer 3.
It is necessary that the refractive index be smaller than zero. Second
The most desirable thickness of the spacer layer 40 is such that the magnitude of the reflected light 300 is minimized.

以上のべたような条件で第1のスペーサ層と第
2のスペーサ層を設け、その上に記録層を設ける
ことにより再生出力の小ささが改善される。
By providing the first spacer layer and the second spacer layer under the above conditions and providing the recording layer thereon, the small reproduction output can be improved.

第5図は基板10(屈折率1.5)の上に第1の
スペーサ層30(屈折率2.0)を100nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.4)
を150nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
In FIG. 5, a first spacer layer 30 (refractive index 2.0) is formed with a thickness of 100 nm on a substrate 10 (refractive index 1.5), and a second spacer layer 40 (refractive index 1.4) is formed on top of the first spacer layer 30 (refractive index 2.0).
is formed with a thickness of 150 nm and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on the substrate.
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第6図は基板10(屈折率1.5)の上に第1の
スペーサ層30(屈折率2.0)を100nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.5)
を140nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
In FIG. 6, a first spacer layer 30 (refractive index 2.0) is formed with a thickness of 100 nm on a substrate 10 (refractive index 1.5), and a second spacer layer 40 (refractive index 1.5) is formed on top of the first spacer layer 30 (refractive index 2.0).
The substrate incidence (wavelength
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第7図は基板10(屈折率1.5)の上に第1の
スペーサ層30(屈折率2.0)を100nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.7)
を120nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
In FIG. 7, a first spacer layer 30 (refractive index 2.0) is formed with a thickness of 100 nm on a substrate 10 (refractive index 1.5), and a second spacer layer 40 (refractive index 1.7) is formed on top of the first spacer layer 30 (refractive index 2.0).
is formed with a thickness of 120 nm, and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on the substrate.
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第8図は基板10(屈折率1.5)の上に第1の
スペーサ層30(屈折率2.0)を100nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.8)
を120nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
In FIG. 8, a first spacer layer 30 (refractive index 2.0) is formed with a thickness of 100 nm on a substrate 10 (refractive index 1.5), and a second spacer layer 40 (refractive index 1.8) is formed on top of the first spacer layer 30 (refractive index 2.0).
is formed with a thickness of 120 nm, and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on the substrate.
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第9図は基板10(屈折率1.5)の上に第1の
スペーサ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.4)
を150nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
In FIG. 9, a first spacer layer 30 (refractive index 2.3) is formed with a thickness of 90 nm on a substrate 10 (refractive index 1.5), and a second spacer layer 40 (refractive index 1.4) is formed on top of the first spacer layer 30 (refractive index 2.3).
is formed with a thickness of 150 nm, and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on it.
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第10図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.5)
を140nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 10 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.3) is formed with a thickness of 90 nm, and a second spacer layer 40 (refractive index 1.5) is formed thereon.
The substrate incidence (wavelength
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第11図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.7)
を120nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 11 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.3) is formed with a thickness of 90 nm, and a second spacer layer 40 (refractive index 1.7) is formed thereon.
is formed with a thickness of 120 nm, and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on the substrate.
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第12図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.8)
を115nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 12 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.3) with a thickness of 90 nm is formed, and a second spacer layer 40 (refractive index 1.8) is formed thereon.
is formed with a thickness of 115 nm, and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on the substrate incident (wavelength).
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第13図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.3)を90nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率2.0)
を105nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 13 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.3) is formed with a thickness of 90 nm, and a second spacer layer 40 (refractive index 2.0) is formed thereon.
The substrate incidence (wavelength
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第14図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30{屈折率2.7)を80nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.4)
を150nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層と挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 14 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.7) is formed with a thickness of 80 nm, and a second spacer layer 40 (refractive index 1.4) is formed thereon.
is formed with a thickness of 150 nm and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on the substrate.
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第15図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.7)を80nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.5)
を140nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 15 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.7) is formed with a thickness of 80 nm, and a second spacer layer 40 (refractive index 1.5) is formed thereon.
The substrate incidence (wavelength
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第16図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.7)を80nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.7)
を120nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 16 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.7) is formed with a thickness of 80 nm, and a second spacer layer 40 (refractive index 1.7) is formed thereon.
is formed with a thickness of 120 nm, and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on the substrate.
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第17図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.7)を80nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率1.8)
を110nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射の記録層厚さ依存を示し
たものである。第1図と比較することにより、第
1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入により
変調量が改善されることがわかる。
Figure 17 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.7) with a thickness of 80 nm is formed, and a second spacer layer 40 (refractive index 1.8) is formed thereon.
is formed with a thickness of 110 nm, and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3-i0.8) is provided on the substrate incident (wavelength).
830 nm) shows the dependence of reflection on the recording layer thickness. By comparing with FIG. 1, it can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第18図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.7)を80nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率2.0)
を100nm厚で形成し、その上に記録層20(複
素屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 18 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.7) with a thickness of 80 nm is formed, and a second spacer layer 40 (refractive index 2.0) is formed thereon.
is formed with a thickness of 100 nm, and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3−i0.8) is provided on the substrate incident (wavelength).
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

第19図は基板10(屈折率1.5)の上に第1
のスペーサ層30(屈折率2.7)を80nm厚で形成
し、その上に第2のスペーサ層40(屈折率2.3)
を90nm厚で形成し、その上に記録層20(複素
屈折率2.3−i0.8)を設けた時の基板入射(波長
830nm)における反射率の記録層厚さ依存を示
したものである。第1図と比較することにより、
第1のスペーサ層と第2のスペーサ層の挿入によ
り変調量が改善されることがわかる。
Figure 19 shows the first layer on the substrate 10 (refractive index 1.5).
A spacer layer 30 (refractive index 2.7) is formed with a thickness of 80 nm, and a second spacer layer 40 (refractive index 2.3) is formed thereon.
is formed with a thickness of 90 nm and the recording layer 20 (complex refractive index 2.3-i0.8) is provided on the substrate.
830 nm) shows the dependence of the reflectance on the recording layer thickness. By comparing with Figure 1,
It can be seen that the amount of modulation is improved by inserting the first spacer layer and the second spacer layer.

本発明で使用される第1及び第2のスペーサ層
としては、読み出しレーザー波長で実質的に透明
であるものが望ましい。第1のスペーサ層として
は、2.0以上の屈折率の大きなものが望ましく、
各種酸化物及び半導体が使用できる。酸化物とし
ては、Cr2O3、MoO3、SnO2、TiO2、TeO2や各
種低級酸化物および各種磁性ガーネツトが有効で
あり、半導体としてはSi、Se、Ge、Bおよびこ
れらの化合物が使用できる。又、各種窒化物、炭
化物、硫化物も使用することができる。第2のス
ペーサ層としては、第1のスペーサ層の屈折率よ
りも小さな屈折率のものであればよい。例えば、
AlF3、BaF2、CaF、CeF3、DyF3、ErF3
EuF3、GdF3、HfF4、HoF3、LaF3、LiF、
MgF2、NaF、NaF3、PrF3、SmF3、SrF2
YF3、YbF3等の各種フツ化物、Al2O3、CeO2
Cr2O3、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Fe2O3、Fe3O4
Gd2O3、GeO2、HfO2、Ho2O3、In2O3、Lu2O3
MgO、MnO2、MoO3、Nb2O5、NiO、SiO、
SiO2、Sm2O3、SnO2、Ta2O5、TiO2、V2O5
WO3、Y2O3、ZrO、ZrO2等の各種酸化物、ZrN
等の各種窒化物、ZrC等の各種炭化物、GeS、
ZnS等の各種硫化物、コバルトフタロシアニン、
銅フタロシアニン、モリブテンフタロシアニン、
マグネシウムフタロシアニン、ニツケルフタロシ
アニン、亜鉛フタロシアニン、スーダンブラツク
B等の各種有機色素、各種フオトレジスト、各種
電子線レジスト、ポリスチレン等の各種有機物を
使用することができる。
The first and second spacer layers used in the present invention are preferably substantially transparent at the readout laser wavelength. The first spacer layer is preferably one with a large refractive index of 2.0 or more.
Various oxides and semiconductors can be used. As oxides, Cr 2 O 3 , MoO 3 , SnO 2 , TiO 2 , TeO 2 and various lower oxides and various magnetic garnets are effective, and as semiconductors, Si, Se, Ge, B and their compounds are effective. Can be used. Moreover, various nitrides, carbides, and sulfides can also be used. The second spacer layer may have a refractive index smaller than that of the first spacer layer. for example,
AlF3 , BaF2 , CaF, CeF3 , DyF3 , ErF3 ,
EuF 3 , GdF 3 , HfF 4 , HoF 3 , LaF 3 , LiF,
MgF 2 , NaF, NaF 3 , PrF 3 , SmF 3 , SrF 2 ,
Various fluorides such as YF 3 , YbF 3 , Al 2 O 3 , CeO 2 ,
Cr2O3 , Dy2O3 , Er2O3 , Eu2O3 , Fe2O3 , Fe3O4 ,
Gd 2 O 3 , GeO 2 , HfO 2 , Ho 2 O 3 , In 2 O 3 , Lu 2 O 3 ,
MgO, MnO2 , MoO3 , Nb2O5 , NiO , SiO,
SiO2 , Sm2O3 , SnO2 , Ta2O5 , TiO2 , V2O5 ,
Various oxides such as WO 3 , Y 2 O 3 , ZrO, ZrO 2 , ZrN
Various nitrides such as, various carbides such as ZrC, GeS,
Various sulfides such as ZnS, cobalt phthalocyanine,
Copper phthalocyanine, molybthene phthalocyanine,
Various organic dyes such as magnesium phthalocyanine, nickel phthalocyanine, zinc phthalocyanine, and Sudan Black B, various photoresists, various electron beam resists, and various organic substances such as polystyrene can be used.

記録層としては、有機物を主成分とするものが
好適であり、さらには、蒸着法あるいはスパツタ
法で形成できるものが望ましい。具体的には、各
種スクアリリウム色素、各種5−アミノ−2
−ジシアノ−14−ナフトキノン色素、バナジ
ルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ア
ルミニウムフタロシアニン、塩化アルミニウムフ
タロシアニン、チタンフタロシアニン、鉛フタロ
シアニン、白金フタロシアニン等の各種フタロシ
アニン色素、Teを含有したプラズマ重合有機膜、
Teがアルキル基で囲まれている有機膜、Teがフ
ルオロカーボンで囲まれている有機物等を用いる
ことができる。耐侯性の観点からは特に5−アミ
ノ−23−ジシアノ−8−(置換アニリノ)−1
4−ナフトキノン色素が優れている。置換基と
しては、炭素数4以下のアルコキシル基、アルキ
ル基が最も望ましい。
The recording layer is preferably one containing an organic substance as a main component, and more preferably one that can be formed by vapor deposition or sputtering. Specifically, various squarylium dyes, various 5-amino-2 , 3
- various phthalocyanine dyes such as dicyano - 1,4-naphthoquinone dye, vanadyl phthalocyanine, titanyl phthalocyanine, aluminum phthalocyanine, aluminum chloride phthalocyanine, titanium phthalocyanine, lead phthalocyanine, platinum phthalocyanine, plasma polymerized organic film containing Te;
An organic film in which Te is surrounded by alkyl groups, an organic material in which Te is surrounded by fluorocarbon, etc. can be used. From the viewpoint of weather resistance, 5-amino-2 , 3-dicyano-8-(substituted anilino)-1
, 4-naphthoquinone dyes are superior. As the substituent, an alkoxyl group or an alkyl group having 4 or less carbon atoms is most desirable.

基板としては、種々のものが使用できるが、一
般にはガラス、合成樹脂が望ましい。合成樹脂と
しては、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、
ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリサ
ルホン、ニポキシ樹脂等がある。基板の形状は、
円板状、シート状、テープ状とすることができ
る。
Although various substrates can be used, glass and synthetic resin are generally preferred. Synthetic resins include polymethyl methacrylate (PMMA),
Examples include polycarbonate, polyetherimide, polysulfone, and nipoxy resin. The shape of the board is
It can be in the form of a disk, sheet, or tape.

記録層への情報の記録は、記録層に孔を形成す
ることによりなされる。円板状の基板を用いるデ
イスク媒体では、孔は同心円状又はスパイラル状
の多数のトラツクを形成するように記録される。
多数のトラツクを一定間隔で精度良く記録するに
は、通常基板上に光の案内溝が設けられる。ビー
ム径程度の溝に光が入射すると光が回析される。
ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が異なり、これを検出してビームを溝の
中心に入射させるようにサーボ系を構成できる。
通常溝の幅は0.5〜1.2μm、その深さは使用する
記録再生波長の1/8〜1/4の範囲に設定される。本
発明の記録媒体は基板の溝付面上に形成される。
媒体の表面形状は、溝形状に相似的であることが
望ましいので、媒体の形成法は溝形状にそつて付
着し得る方法、例えば蒸着、スパツタ、イオンプ
レーテイングなどの真空成膜法が好適である。
Information is recorded on the recording layer by forming holes in the recording layer. In a disk medium using a disk-shaped substrate, holes are recorded to form a large number of concentric or spiral tracks.
In order to accurately record a large number of tracks at regular intervals, light guide grooves are usually provided on the substrate. When light enters a groove approximately the diameter of the beam, the light is diffracted.
As the beam center shifts from the groove, the spatial distribution of the diffracted light intensity changes, and a servo system can be configured to detect this and direct the beam to the center of the groove.
Usually, the width of the groove is set in the range of 0.5 to 1.2 μm, and the depth is set in the range of 1/8 to 1/4 of the recording/reproducing wavelength used. The recording medium of the present invention is formed on the grooved surface of a substrate.
Since it is desirable that the surface shape of the medium be similar to the groove shape, it is preferable to use a method for forming the medium that allows the medium to adhere along the groove shape, such as a vacuum film forming method such as evaporation, sputtering, or ion plating. be.

以下に本発明の実施例を説明する。 Examples of the present invention will be described below.

実施例 1 1.2mm厚の直径200mmの円板状PMMA基板上に
Siを電子ビーム加熱法で800Å蒸着し、その上に
銅フタロシアニン色素と5−アミノ−2,3−ジ
シアノ−8−(4−エトキシアニリノ)−1,4−
ナフトキノン色素(以下ナフトキシノン色素と略
称する)とを抵抗加熱法でそれぞれ1000Å、800
Å蒸着した。蒸着時の真空度は1×10-5Torr以
下とし、蒸着装置はそれぞれおよそ5Å/sec、
4Å/sec、2Å/secとした。
Example 1 On a disc-shaped PMMA substrate with a diameter of 200 mm and a thickness of 1.2 mm.
Si was deposited to a thickness of 800 Å by electron beam heating, and copper phthalocyanine dye and 5-amino-2,3-dicyano-8-(4-ethoxyanilino)-1,4-
Naphthoquinone dye (hereinafter abbreviated as naphthoxynon dye) was heated to 1000 Å and 800 Å, respectively.
Å was deposited. The degree of vacuum during evaporation is 1×10 -5 Torr or less, and the evaporation equipment is approximately 5 Å/sec,
It was set to 4 Å/sec and 2 Å/sec.

Siと銅フタロシアニン色素とナフトキノン色素
をそれぞれ単独に基板上に形成し、波長830μm
での複素屈折率を求めると、Siは2.7、銅フタロ
シアニン色素は2.0、ナフトキノン色素は2.3−
i0.8であつた。
Si, copper phthalocyanine dye, and naphthoquinone dye are formed individually on the substrate, and the wavelength is 830 μm.
The complex refractive index is 2.7 for Si, 2.0 for copper phthalocyanine dye, and 2.3− for naphthoquinone dye.
It was i0.8.

上記のSiと銅フタロシアニン色素とナフトキノ
ン色素との積層膜にPMMA基板側よりレーザ光
を入射して、情報の記録・再生を行なつた。レー
ザとして半導体レーザ(波長830nm)を用い、
NA=0.55の対物レンズでビーム径1.5μmに収光
した。記録パワー10mWで記録し、0.7mWの連
続光で再生すると、1.2Vの出力が得られ、Si及
び銅フタロシアニンの第1及び第2のスペーサ層
がない場合の440mVの出力よりも大きな出力が
得られた。
A laser beam was incident on the above laminated film of Si, copper phthalocyanine dye, and naphthoquinone dye from the PMMA substrate side, and information was recorded and reproduced. Using a semiconductor laser (wavelength 830nm) as the laser,
The beam was focused to a beam diameter of 1.5 μm using an objective lens with NA=0.55. When recording with a recording power of 10 mW and reproducing with a continuous light of 0.7 mW, an output of 1.2 V is obtained, which is higher than the output of 440 mV without the first and second spacer layers of Si and copper phthalocyanine. It was done.

実施例 2 1.2mm厚の直径200mmの円板状PMMA基板上に
SnO2を電子ビーム加熱法で900Å蒸着し、その上
に銅フタロシアニン色素と実施例1のナフトキノ
ン色素を抵抗加熱法でそれぞれ1050Å、800Å蒸
着した。蒸着時の真空度は1×10-5以下とし、蒸
着速度はそれぞれおよそ3Å/sec、4Å/sec、
2Å/secとした。波長830nmでの複素屈折率を
求めたところ、それぞれ2.3、2.0、2.3−i0.8であ
つた。
Example 2 On a disc-shaped PMMA substrate with a diameter of 200 mm and a thickness of 1.2 mm.
SnO 2 was deposited to a thickness of 900 Å using an electron beam heating method, and thereon a copper phthalocyanine dye and the naphthoquinone dye of Example 1 were deposited to a thickness of 1050 Å and 800 Å, respectively, using a resistance heating method. The degree of vacuum during deposition was 1×10 -5 or less, and the deposition rates were approximately 3 Å/sec, 4 Å/sec, and 4 Å/sec, respectively.
It was set to 2 Å/sec. When the complex refractive index at a wavelength of 830 nm was determined, they were 2.3, 2.0, and 2.3−i0.8, respectively.

上記のSnO2と銅フタロシアニン色素とナフト
キノン色素との積層膜にPMMA基板側よりレー
ザ光を入射して情報の記録・再生を行なつた。レ
ーザとしては半導体レーザ(波長830nm)を用
い、NA=0.55の対物レンズでビーム径1.5μmに
収光した。記録パワー10mWDで記録し、0.7m
Wの連続光で再生すると、850mVの出力が得ら
れ、第1及び第2のスペーサ層がない場合の440
mWの出力よりも大きな出力が得られた。
Information was recorded and reproduced by entering a laser beam into the above laminated film of SnO 2 , copper phthalocyanine dye, and naphthoquinone dye from the PMMA substrate side. A semiconductor laser (wavelength: 830 nm) was used as the laser, and the beam was focused to a beam diameter of 1.5 μm using an objective lens with NA=0.55. Recorded with recording power 10mWD, 0.7m
When reproduced with continuous light of W, an output of 850 mV is obtained, and an output of 440 mV is obtained without the first and second spacer layers.
An output larger than the mW output was obtained.

実施例 3 1.2mm厚の直径120mmの円板状PMMA基板上に
SnO2を電子ビーム加熱法で900Å蒸着し、その上
にSm2O3と実施例1のナフトキノン色素を抵抗
加熱法でそれぞれ1200Å、800Å蒸着した。蒸着
時の真空度は1×10-5Torr以下とし、蒸着速度
はそれぞれおよそ3Å/sec、2Å/sec、2Å/
secとした。波長830nmでの複素屈折率を求めた
ところ、それぞれ2.3、1.7、2.3−i0.8であつた。
上記のSnO2とSm2O3とナフトキノン色素との積
層膜にPMMA基板側よりレーザ光を入射して情
報の記録・再生を行なつた。レーザとしては半導
体レーザ(波長830nm)を用い、NA=0.55の対
物レンズでビーム径1.5μmに収光した。記録パワ
ー10mWで記録し、1.1mWの連続光で再生する
と、2Vの出力が得られ、第1及び第2のスペー
サ層がない場合の700mVの出力よりも大きな出
力が得られた。
Example 3 On a disc-shaped PMMA substrate with a diameter of 120 mm and a thickness of 1.2 mm.
SnO 2 was deposited to a thickness of 900 Å by an electron beam heating method, and Sm 2 O 3 and the naphthoquinone dye of Example 1 were deposited thereon to a thickness of 1200 Å and 800 Å, respectively, by a resistance heating method. The degree of vacuum during evaporation was 1×10 -5 Torr or less, and the evaporation rates were approximately 3 Å/sec, 2 Å/sec, and 2 Å/sec, respectively.
sec. When the complex refractive index at a wavelength of 830 nm was determined, they were 2.3, 1.7, and 2.3−i0.8, respectively.
Information was recorded and reproduced by entering a laser beam into the above laminated film of SnO 2 , Sm 2 O 3 and naphthoquinone dye from the PMMA substrate side. A semiconductor laser (wavelength: 830 nm) was used as the laser, and the beam was focused to a beam diameter of 1.5 μm using an objective lens with NA=0.55. When recording was performed with a recording power of 10 mW and reproduction was performed with continuous light of 1.1 mW, an output of 2 V was obtained, which was larger than the output of 700 mV in the case without the first and second spacer layers.

実施例 4 1.2mm厚の直径200mmの円板状PMMA基板上に
銅フタロシアニン色素を1000Å蒸着し、その上に
Y2O3と実施例1のナフトキノン色素をそれぞれ
1200Å、800Å蒸着した。蒸着時の真空度は1×
10-5torr以下とし、蒸着速度はそれぞれおよそ4
Å/sec、2Å/sec、2Å/secとした。波長
830nmでの複素屈折率を求めたところ、それぞ
れ2.0、1.7、2.3−i0.8であつた。
Example 4 A copper phthalocyanine dye of 1000 Å was deposited on a 1.2 mm thick disc-shaped PMMA substrate with a diameter of 200 mm, and then
Y 2 O 3 and the naphthoquinone dye of Example 1, respectively.
1200 Å and 800 Å were deposited. Vacuum degree during deposition is 1×
10 -5 torr or less, and the deposition rate is approximately 4
Å/sec, 2 Å/sec, and 2 Å/sec. wavelength
The complex refractive index at 830 nm was determined to be 2.0, 1.7, and 2.3−i0.8, respectively.

上記の銅フタロシアニン色素とY2O3とナフト
キノン色素との積層膜にPMAA基板側よりレー
ザ光を入射して情報の記録・再生を行なつた。レ
ーザとしては半導体レーザ(波長830nm)を用
い、NA=0.55の対物レンズでビーム径1.5μmに
収光した。記録パワー10mWで記録し、0.7mW
の連続光で再生すると、950mVの出力が得られ、
第1及び第2のスペーサ層がない場合の440mV
の出力よりも大きな出力が得られた。
Information was recorded and reproduced by entering a laser beam into the above laminated film of copper phthalocyanine dye, Y 2 O 3 and naphthoquinone dye from the PMAA substrate side. A semiconductor laser (wavelength: 830 nm) was used as the laser, and the beam was focused to a beam diameter of 1.5 μm using an objective lens with NA=0.55. Recorded with a recording power of 10mW, 0.7mW
When played with continuous light, an output of 950mV is obtained,
440mV without first and second spacer layers
A larger output was obtained than that of .

以上のように、本発明によれば再生出力の大き
な光記録媒体が得られる。なお、記録層として上
記実施例で示したナフトキノン色素のかわりに、
置換基の異なるナフトキノン色素、バナジルフタ
ロシアニン、チタニルフタロシアニン、アルミニ
ウムフタロシアニン、塩化アルミニウムフタロシ
アニン、鉛フタロシアニン等の各種フタロシアニ
ン色素、各種スクアリリウム色素、Teを含有し
たプラズマ重合有機膜、Teがアルキル基で囲ま
れている有機膜、Teがフルオロカーボンで囲ま
れている有機膜を用いても同様に有効である。
As described above, according to the present invention, an optical recording medium with high reproduction output can be obtained. Note that instead of the naphthoquinone dye shown in the above example as the recording layer,
Naphthoquinone dyes with different substituents, various phthalocyanine dyes such as vanadyl phthalocyanine, titanyl phthalocyanine, aluminum phthalocyanine, aluminum chloride phthalocyanine, lead phthalocyanine, various squarylium dyes, plasma polymerized organic membranes containing Te, Te surrounded by alkyl groups It is equally effective to use an organic film in which Te is surrounded by fluorocarbons.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は光学記録媒体の反射率の記録層厚さに
よる変化を示す図、第2図は本発明の一実施例で
ある光学記録媒体の概略図、第3図、第4図は本
発明の光学記録媒体の原理を説明するための概略
図、第5図から第19図は本発明の実施例である
光学記録媒体の反射率の記録層厚さによる変化を
示す図である。 図において、10は基板、20は記録層、30
は第1のスペーサ層、40は第2のスペーサ層、
100は入射光、200,300は反射光を示
す。
FIG. 1 is a diagram showing changes in the reflectance of an optical recording medium depending on the recording layer thickness, FIG. 2 is a schematic diagram of an optical recording medium that is an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are diagrams according to the present invention. FIGS. 5 to 19 are schematic diagrams for explaining the principle of the optical recording medium according to the present invention, and FIGS. 5 to 19 are diagrams showing changes in the reflectance of the optical recording medium according to the embodiment of the present invention depending on the thickness of the recording layer. In the figure, 10 is a substrate, 20 is a recording layer, 30
is a first spacer layer, 40 is a second spacer layer,
100 indicates incident light, and 200 and 300 indicate reflected light.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 レーザ光線の照射によつて情報を記録しかつ
読み取る光学記録媒体において、前記レーザ光線
に対して透明な基板上に、前記レーザ光線に対し
て実質的に透明でかつ前記レーザ光線の波長での
屈折率が前記基板の屈折率より大きい第1のスペ
ーサ層と、前記レーザ光線に対して実質的に透明
でかつ前記レーザ光線の波長での屈折率が前記第
1のスペーサ層より小さい第2のスペーサ層と、
前記レーザ光線を吸収する記録層の少なくとも3
層が積層されていることを特徴とする光学記録媒
体。 2 記録層は有機物を主成分とする層である特許
請求の範囲第1項に記載の光学記録媒体。 3 第1のスペーサ層は、記録層と第2のスペー
サ層が形成されていない状態での基板入射反射率
が極大となる厚さであり、第2のスペーサ層は、
前記第1のスペーサ層が形成されていて記録層が
形成されていない状態での基板入射反射率が極小
となる厚さである特許請求の範囲第1項または第
2項に記載の光学記録媒体。
[Scope of Claims] 1. In an optical recording medium in which information is recorded and read by irradiation with a laser beam, a substrate that is substantially transparent to the laser beam and that is a first spacer layer having a refractive index at the wavelength of the laser beam that is greater than the refractive index of the substrate; and a first spacer layer that is substantially transparent to the laser beam and has a refractive index at the wavelength of the laser beam. a second spacer layer smaller than the layer;
At least three of the recording layers that absorb the laser beam
An optical recording medium characterized by having laminated layers. 2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the recording layer is a layer containing an organic substance as a main component. 3. The first spacer layer has a thickness that maximizes the substrate incident reflectance in a state where the recording layer and the second spacer layer are not formed, and the second spacer layer has
The optical recording medium according to claim 1 or 2, wherein the optical recording medium has a thickness such that the substrate incidence reflectance is minimal when the first spacer layer is formed and the recording layer is not formed. .
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