JPH05345637A - Etching liquid for pretreatment of metal plating on glass surface, plating method and production of glass substrate - Google Patents

Etching liquid for pretreatment of metal plating on glass surface, plating method and production of glass substrate

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JPH05345637A
JPH05345637A JP15665692A JP15665692A JPH05345637A JP H05345637 A JPH05345637 A JP H05345637A JP 15665692 A JP15665692 A JP 15665692A JP 15665692 A JP15665692 A JP 15665692A JP H05345637 A JPH05345637 A JP H05345637A
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Takashi Ando
隆 安藤
Shingo Saijo
信吾 西城
Takayuki Nakatani
隆之 中谷
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/11Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/115Deposition methods from solutions or suspensions electro-enhanced deposition

Abstract

PURPOSE:To provide a pretreating liquid to enable the metal plating on a glass surface in high adhesiveness, to provide a plating method using the pretreating liquid and to provide a process for producing a glass substrate. CONSTITUTION:The etching liquid for metal plating on a glass surface is composed of an aqueous solution containing potassium fluoride and acidic ammonium fluoride. A glass raw material is pretreated with the etching liquid and plated. A circuit pattern can be formed on a glass plate by pretreating a glass plate with the etching liquid and plating the treated surface with a conductive material.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ガラス素材にめっきを
施すための前処理液としてのエッチング液、該エッチン
グ液を用いるめっき方法に関し、更に該めっき方法の一
態様として、該エッチング液を用いるガラス基板の製造
方法にも関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching solution as a pretreatment liquid for plating a glass material, a plating method using the etching solution, and the etching solution as one aspect of the plating method. It also relates to a method for manufacturing a glass substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】ガラスは、基板としての電気的に優れた
特性、例えば高周波特性、絶縁性等を有すると同時に、
セラミックと比較しても安価で入手しやすいことから、
ガラス上に導体層を設けてプリント配線板にすることが
試みられている。
2. Description of the Related Art Glass has excellent electrical characteristics as a substrate, such as high frequency characteristics and insulation, and at the same time,
Because it is cheaper and easier to obtain than ceramics,
Attempts have been made to provide a printed wiring board by providing a conductor layer on glass.

【0003】しかしながら、めっきによりガラス上に導
体層を設けることは、これまで実用化されていない。即
ち、めっきによる方法では、ガラス表面が平滑であるた
め、エッチング処理による表面粗化を行わない限り、十
分な密着強度が得られないという事情がある。
However, providing a conductor layer on glass by plating has not been put to practical use. That is, in the plating method, since the glass surface is smooth, sufficient adhesion strength cannot be obtained unless the surface is roughened by etching.

【0004】換言すれば、めっき密着性は、めっきすべ
き素材の表面粗度及び表面劣化状態に大きく左右される
ことは、すでに広く承知されているところであり、エッ
チング処理による表面粗化がうまく行えると、表面積が
増大し、めっき皮膜のいわゆる投錨効果(アンカー効
果)により、密着性が向上できると考えられている。と
ころが、これまでのところ、そのための実用的なエッチ
ング液が開発されていない。
In other words, it is well known that the plating adhesion largely depends on the surface roughness and surface deterioration state of the material to be plated, and the surface roughening by the etching treatment can be performed well. Then, the surface area is increased, and it is considered that the adhesion can be improved by the so-called anchoring effect (anchor effect) of the plating film. However, so far, no practical etching solution has been developed for that purpose.

【0005】例えば、フッ酸でエッチングするとエッチ
ングのコントロールができず、表面粗度が不十分であっ
たり、オーバーエッチングによりガラス表面強度が低下
し、十分なめっき密着強度が得られない。
For example, when etching with hydrofluoric acid, the etching cannot be controlled, the surface roughness is insufficient, and the glass surface strength is lowered due to overetching, so that sufficient plating adhesion strength cannot be obtained.

【0006】また、表面粗化の化学的方法として、強ア
ルカリエッチングも検討されているが、エッチング条件
が厳しく、実用的ではない。
Strong alkaline etching has also been studied as a chemical method for surface roughening, but it is not practical because the etching conditions are strict.

【0007】また、機械的な表面粗化も検討されている
が、機械的方法では、パターン部分のみの粗化が困難で
ある。
Further, although mechanical surface roughening has been studied, it is difficult to roughen only a pattern portion by a mechanical method.

【0008】更に、エッチング乃至表面粗化を行なうこ
となくパターン形成する方法として、スパッタリング等
の乾式法によりパターンを形成する方法があるが、形成
されたパターンは導体厚を確保するために更にめっきを
施す必要があり、工程が複雑でコストがかかる等の問題
点がある。また、スパッタリング等の乾式法では、スル
ーホールの内面への導体形成が困難である。
Further, as a method of forming a pattern without performing etching or surface roughening, there is a method of forming a pattern by a dry method such as sputtering. The formed pattern is further plated to secure a conductor thickness. However, there is a problem in that the process is complicated and the cost is high. Further, it is difficult to form a conductor on the inner surface of the through hole by a dry method such as sputtering.

【0009】一方、めっき以外のパターン形成方法とし
て、電気伝導性ペースト印刷等の方法でパターンを形成
することも行われているが、この方法では、スルーホー
ルの内面への導体形成ができない、半田付けができない
等の実用面での問題がある。
On the other hand, as a pattern forming method other than plating, a pattern is formed by a method such as electroconductive paste printing, but this method cannot form a conductor on the inner surface of the through hole. There is a problem in practical use such as not being able to attach.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ガラス素材
に密着強度の高いめっきを施すための前処理である表面
粗化を行うためのエッチング液を提供することを目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an etching solution for surface roughening which is a pretreatment for plating a glass material with high adhesion strength.

【0011】また、本発明は、かかるエッチング液を用
いるガラス素材へのめっき方法、特に、ガラス板へ導体
を形成し、ガラス基板を製造する方法を提供することを
目的とする。
Another object of the present invention is to provide a method for plating a glass material using such an etching solution, and in particular, a method for producing a glass substrate by forming a conductor on a glass plate.

【0012】殊に、本発明は、エッチングによりガラス
の表面粗度を一定にすると共にオーバーエッチングを防
止し、ガラス上に密着性の高いめっき乃至導体パターン
を形成することを目的とする。
In particular, the present invention has an object to form a plating or conductor pattern having high adhesion on glass by making the surface roughness of glass constant by etching and preventing overetching.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的達
成のため鋭意研究を重ねた結果、ガラス素材にめっきす
る際の前処理に使用するエッチング液として、フッ化カ
リウム及び酸性フッ化アンモニウムを含有する水溶液が
極めて有効であることを見出した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies for achieving the above object, the present inventor has found that potassium fluoride and ammonium acid fluoride are used as an etching solution for pretreatment when plating a glass material. It has been found that an aqueous solution containing is extremely effective.

【0014】また、このエッチング液でガラス素材を前
処理した後めっきを施す場合は、密着性の高いめっきが
得られ、各種のめっき皮膜がガラス表面に強固に形成で
き、特にガラス板上にプリント基板として必要な回路パ
ターンを形成する各種の方法を用いて銅めっきを施すこ
とにより、従来めっき方法による製造が不可能であった
ガラス基板を製造できることを見出した。本発明は、こ
れらの知見に基づき完成されたものである。
When the glass material is pretreated with this etching solution and then plated, plating with high adhesion can be obtained, and various plating films can be firmly formed on the glass surface, especially on a glass plate. It has been found that a glass substrate which could not be manufactured by the conventional plating method can be manufactured by performing copper plating using various methods for forming a circuit pattern required as a substrate. The present invention has been completed based on these findings.

【0015】本発明は、フッ化カリウム及び酸性フッ化
アンモニウムを含有する水溶液からなることを特徴とす
るガラス表面へのめっきを施すための前処理用エッチン
グ液を提供するものである。
The present invention provides an etching solution for pretreatment for plating a glass surface, which is characterized by comprising an aqueous solution containing potassium fluoride and ammonium acid fluoride.

【0016】また、本発明は、フッ化カリウム及び酸性
フッ化アンモニウムを含有する水溶液からなるエッチン
グ液を前処理液として用いて、ガラス素材を前処理した
後、該ガラス素材にめっきを施すことを特徴とするめっ
き方法を提供するものでもある。
Further, according to the present invention, a glass material is pretreated by using an etching solution composed of an aqueous solution containing potassium fluoride and ammonium acid fluoride as a pretreatment solution, and then the glass material is plated. It also provides a characteristic plating method.

【0017】特に、本発明は、フッ化カリウム及び酸性
フッ化アンモニウムを含有する水溶液からなるエッチン
グ液を前処理液として用いて、ガラス板を前処理し、導
体めっきを施すことにより該ガラス板に回路パターンを
形成することを特徴とするガラス基板の製造方法を提供
するものである。
Particularly, according to the present invention, a glass plate is pretreated by using an etching solution composed of an aqueous solution containing potassium fluoride and ammonium acid fluoride as a pretreatment liquid, and a conductor plating is applied to the glass plate to form a glass plate. The present invention provides a method for manufacturing a glass substrate, which is characterized by forming a circuit pattern.

【0018】本発明のエッチング液で使用するフッ化カ
リウム及び酸性フッ化アンモニウムは、いずれも公知の
化合物である。フッ化カリウムは、無水塩、二水塩など
いずれの形態でも良い。
Both potassium fluoride and ammonium acid fluoride used in the etching solution of the present invention are known compounds. The potassium fluoride may be in any form such as anhydrous salt and dihydrate.

【0019】本発明のエッチング液は、これら両成分を
任意の順で、水に溶解させるだけで製造できる。溶解時
の温度は特に限定されず、一般に室温又は若干加熱下で
溶解すればよい。
The etching solution of the present invention can be produced by dissolving both of these components in water in any order. The temperature at the time of dissolution is not particularly limited, and it may be dissolved at room temperature or slightly with heating.

【0020】これら成分の使用量は、広い範囲から選択
することができるが、一般に、フッ化カリウムは、無水
塩として30〜70g/l程度、好ましくは40〜70
g/l程度、より好ましくは45〜65g/l程度の濃
度で使用するのがよく、酸性フッ化アンモニウムは30
〜70g/l程度、好ましくは40〜70g/l程度、
より好ましくは45〜65g/l程度の濃度で使用する
のがよい。
The amount of these components used can be selected from a wide range, but generally potassium fluoride as an anhydrous salt is about 30 to 70 g / l, preferably 40 to 70.
g / l, more preferably about 45 to 65 g / l, is used at a concentration of about 30 to about 30 g of ammonium acid fluoride.
~ 70 g / l, preferably about 40-70 g / l,
More preferably, it is used at a concentration of about 45 to 65 g / l.

【0021】フッ化カリウム及び酸性フッ化アンモニウ
ムの使用量は上記範囲を外れても良いが、上記範囲の下
限を下回る場合は、前処理不十分で必要な密着強度が得
にくい、必要な密着性を得るためには前処理時間を長く
する必要があり、生産性が低下する等の傾向が生じ、一
方、上記範囲の上限を上回る場合は、オーバーエッチン
グとなり、ガラス破壊を起こし密着強度が低下する傾向
が生じる。
The amounts of potassium fluoride and ammonium acid fluoride used may deviate from the above range, but if the amount is less than the lower limit of the above range, the pretreatment is insufficient and the required adhesion strength is difficult to obtain, and the required adhesion is required. In order to obtain the above, it is necessary to lengthen the pretreatment time, and there is a tendency that the productivity is lowered, and on the other hand, when it exceeds the upper limit of the above range, overetching occurs, glass breakage occurs and the adhesion strength decreases. A tendency arises.

【0022】また、こうして形成されたエッチング液
は、pH2.5〜4程度、好ましくは、3〜3.8程度
に調整するのが好ましい。このpH調整は、上記フッ化
カリウム及び酸性フッ化アンモニウムの濃度を上記所定
範囲内で調整することにより行うか、又は必要に応じ
て、塩酸、硫酸、フッ化水素酸等の無機酸又はカルボン
酸等の有機酸等を用いて行なうのが好ましい。
The etching liquid thus formed is preferably adjusted to have a pH of about 2.5 to 4, preferably about 3 to 3.8. This pH adjustment is performed by adjusting the concentrations of the potassium fluoride and ammonium acid fluoride within the predetermined range, or if necessary, an inorganic acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid or a carboxylic acid. It is preferable to use an organic acid or the like.

【0023】エッチング液のpHも、上記範囲を外れて
も良いが、2.5を下回る場合は、一般に、オーバーエ
ッチングを惹起する傾向が生じ、また、pHが4を越え
るとエッチング不十分となる傾向が生じる。
The pH of the etching solution may be out of the above range, but when it is less than 2.5, there is a general tendency to cause overetching, and when the pH exceeds 4, etching becomes insufficient. A tendency arises.

【0024】本発明のエッチング液によれば、ガラス表
面の不均質なエッチングが生じるためか、めっきに適し
た表面粗度にすることができる。また、本発明のエッチ
ング液のガラスへの接触時間や温度を適宜調整すること
により、フッ酸を用いる場合に見られるオーバーエッチ
ングを防止することができる。
According to the etching solution of the present invention, the surface roughness suitable for plating may be obtained, probably because nonuniform etching of the glass surface occurs. In addition, by appropriately adjusting the contact time and temperature of the etching liquid of the present invention with the glass, it is possible to prevent overetching that is observed when hydrofluoric acid is used.

【0025】本発明のエッチング液を使用して前処理で
きるガラス素材としては、各種のものが使用でき、珪酸
を主成分とするガラスであれば、特に制限を受けない。
例えば、珪酸塩ガラス、ソーダ石灰ガラス、ソーダガラ
ス、鉛ガラス、ほうけい酸ガラス等が例示される。
As the glass material which can be pretreated by using the etching solution of the present invention, various materials can be used and are not particularly limited as long as they are glasses containing silicic acid as a main component.
For example, silicate glass, soda-lime glass, soda glass, lead glass, borosilicate glass, etc. are exemplified.

【0026】本発明に従いガラス素材にめっきを施すた
めの前処理をするには、単に、ガラス素材を本発明のエ
ッチング液に接触させるだけで良い。接触の方法として
は、各種の方法が採用でき、例えば、ガラス素材を本発
明のエッチング液に浸漬する、浸漬すると共にエッチン
グ液を揺動する等任意の方法が採用できる。
To perform the pretreatment for plating the glass material according to the present invention, simply contact the glass material with the etching solution of the present invention. As the method of contact, various methods can be adopted, and for example, any method such as immersing a glass material in the etching solution of the present invention, or immersing the glass material and shaking the etching solution can be adopted.

【0027】前処理の時間および温度は、適切な表面粗
度を得ると共にオーバーエッチングを防止する観点から
適宜選択すればよいが、一般には、温度を50〜90℃
程度、好ましくは60〜80℃程度とし、時間を10〜
120分程度、好ましくは30〜60分程度とすること
により、良好な結果を得ることができる。
The pretreatment time and temperature may be appropriately selected from the viewpoints of obtaining an appropriate surface roughness and preventing overetching, but generally the temperature is 50 to 90 ° C.
Degree, preferably about 60 to 80 ° C., and the time is 10 to 10.
By setting the time to about 120 minutes, preferably about 30 to 60 minutes, good results can be obtained.

【0028】なお、本発明のエッチング液を、繰り返し
使用して各成分及びpHが上記範囲外となった場合は、
系中の固形分を濾過等により除去後、上記フッ化カリウ
ム及び酸性フッ化アンモニウムを上記所定範囲の濃度に
なるように補給し、必要に応じて塩酸などの前記酸を用
いてpH調整をすることにより、繰り返し使用すること
もできる。
When the etching solution of the present invention is repeatedly used and each component and pH are out of the above ranges,
After the solid content in the system is removed by filtration or the like, the potassium fluoride and ammonium acid fluoride are replenished so as to have a concentration within the predetermined range, and if necessary, the pH is adjusted using the acid such as hydrochloric acid. Therefore, it can be used repeatedly.

【0029】本発明のエッチング液を使用して前処理を
行なったガラス素材は、必要に応じて水洗し、次いで、
各種のめっきを施すことができる。本発明の前処理を行
なったガラスに施すことができるめっきとしては、無電
解めっきできるものであれば特に制限がなく、銅めっ
き、銀めっき、金めっき、ニッケルめっき、コバルトめ
っき、パラジウムめっき、すずめっき、無電解合金めっ
き(例えば、ニッケル−鉄合金めっき)等広い範囲のも
のが採用できる。
The glass material pretreated with the etching solution of the present invention is washed with water if necessary, and then,
Various kinds of plating can be applied. The plating that can be applied to the glass subjected to the pretreatment of the present invention is not particularly limited as long as it can be electrolessly plated, and copper plating, silver plating, gold plating, nickel plating, cobalt plating, palladium plating, tin A wide range of materials such as plating and electroless alloy plating (for example, nickel-iron alloy plating) can be used.

【0030】このめっきのために使用するめっき浴も、
従来公知の無電解めっき浴が、いずれも、従来公知の条
件下で使用できる。特に有利なめっき浴としては、次の
ものを例示することができる。
The plating bath used for this plating is also
Any conventionally known electroless plating bath can be used under conventionally known conditions. The following are examples of particularly advantageous plating baths.

【0031】(1)無電解銅めっき浴 硫酸銅 7〜10g/l ホルマリン 10〜20g/l 錯化剤 20〜25g/l 水酸化ナトリウム 10g/l 安定剤 微量 めっき条件 pH 11〜12 温度 50〜60℃。(1) Electroless copper plating bath Copper sulfate 7 to 10 g / l formalin 10 to 20 g / l Complexing agent 20 to 25 g / l Sodium hydroxide 10 g / l Stabilizer Trace amount Plating conditions pH 11 to 12 Temperature 50 to 60 ° C.

【0032】(2)無電解ニッケルめっき浴 硫酸ニッケル 20〜80g/l 次亜りん酸ナトリウム 10〜30g/l 錯化剤 10〜30g/l めっき条件 pH 3.5〜6 温度 75〜90℃。(2) Electroless nickel plating bath Nickel sulfate 20 to 80 g / l Sodium hypophosphite 10 to 30 g / l Complexing agent 10 to 30 g / l Plating conditions pH 3.5 to 6 Temperature 75 to 90 ° C.

【0033】(3)無電解コバルトめっき浴 塩化コバルト 30〜35g/l 次亜りん酸ナトリウム 10〜20g/l 錯化剤 10〜35g/l 塩化アンモニウム 50g/l めっき条件 pH 8〜10 温度 85〜100℃。(3) Electroless cobalt plating bath Cobalt chloride 30 to 35 g / l Sodium hypophosphite 10 to 20 g / l Complexing agent 10 to 35 g / l Ammonium chloride 50 g / l Plating conditions pH 8 to 10 Temperature 85 to 85 100 ° C.

【0034】(4)無電解金めっき浴 シアン化金カリウム 14g/l 錯化剤 40g/l めっき条件 pH 5〜6 温度 80℃。(4) Electroless gold plating bath Potassium gold cyanide 14 g / l Complexing agent 40 g / l Plating conditions pH 5-6 Temperature 80 ° C.

【0035】(5)無電解銀めっき浴 シアン化銀 2g/l シアン化ナトリウム 0.2g/l 次亜りん酸ナトリウム 10g/l めっき条件 pH 7 温度 95 ℃。(5) Electroless silver plating bath Silver cyanide 2 g / l Sodium cyanide 0.2 g / l Sodium hypophosphite 10 g / l Plating conditions pH 7 Temperature 95 ° C.

【0036】(6)無電解すずめっき浴 塩化第一すず 19g/l 水酸化ナトリウム 23g/l シアン化ナトリウム 185g/l めっき条件 pH 12〜13 温度 室温。(6) Electroless tin plating bath stannous chloride 19 g / l sodium hydroxide 23 g / l sodium cyanide 185 g / l plating conditions pH 12-13 temperature room temperature.

【0037】(7)無電解パラジウムめっき浴 塩化パラジウム 2g/l 塩酸 4ml/l アンモニア水 160ml/l 次亜りん酸ナトリウム 10g/l めっき条件 pH 8 温度 55℃。(7) Electroless palladium plating bath Palladium chloride 2 g / l Hydrochloric acid 4 ml / l Ammonia water 160 ml / l Sodium hypophosphite 10 g / l Plating conditions pH 8 Temperature 55 ° C.

【0038】(8)無電解ニッケル−鉄合金めっき浴 硫酸ニッケル+硫酸第一鉄 28.3g/l 次亜りん酸ナトリウム 20g/l 錯化剤 40g/l めっき条件 pH 10 温度 80〜95℃。(8) Electroless nickel-iron alloy plating bath nickel sulfate + ferrous sulfate 28.3 g / l sodium hypophosphite 20 g / l complexing agent 40 g / l plating conditions pH 10 temperature 80 to 95 ° C.

【0039】上記めっき浴は、単に例示のために記載し
たものであって、上記以外のめっき浴であっても使用で
き、特に、市販の無電解めっき浴はいずれも使用でき
る。
The above-mentioned plating baths are described only for the purpose of illustration, and plating baths other than the above can be used, and in particular, any commercially available electroless plating bath can be used.

【0040】また、上記の如くして本発明に従いガラス
素材表面に形成された無電解めっき皮膜の上には、更
に、必要に応じて各種の電気めっき、例えば、電気銅め
っき、電気ニッケルめっき、電気金めっき、半田めっ
き、合金めっき等を施すことも可能である。かかる電気
めっきは、通常公知の慣用されている電気めっき浴を、
通常の条件下で使用して形成することができる。
Further, on the electroless plating film formed on the surface of the glass material according to the present invention as described above, various kinds of electroplating, for example, electroplating copper, electroplating nickel, It is also possible to apply electro gold plating, solder plating, alloy plating, or the like. Such electroplating is carried out using a commonly known and commonly used electroplating bath,
It can be used and formed under normal conditions.

【0041】こうして各種の金属皮膜が形成されたガラ
ス素材は、装飾用途、光や熱の反射の用途、電磁波シー
ルドの用途、ガラス基板の用途等各種の分野で使用でき
る。
The glass material on which various kinds of metal films are formed as described above can be used in various fields such as decoration, reflection of light and heat, electromagnetic wave shielding, glass substrate and the like.

【0042】本発明では、上記めっき方法の一態様とし
て、特に、上記エッチング液を前処理液として使用して
前処理されたガラス板を用いて、これに銅その他の導体
金属をめっきすることにより回路パターンを形成する
と、プリント配線板としての回路パターン密着強度およ
びパターン表面状態を得ることができる。
In the present invention, as one aspect of the above plating method, in particular, a glass plate pretreated by using the above etching solution as a pretreatment liquid is used, and copper or other conductive metal is plated on the glass plate. When the circuit pattern is formed, the circuit pattern adhesion strength and the pattern surface state as a printed wiring board can be obtained.

【0043】この場合、ガラス板としては、従来からガ
ラス基板に使用されており、本発明の前処理液でエッチ
ングできる前記ガラスの板状体であればいずれも使用で
き、従来と同様のサイズ、厚さのものを使用すれば良
い。また、ガラス板には、孔を設けてスルーホールを形
成することもできる。
In this case, the glass plate is conventionally used for a glass substrate, and any glass plate that can be etched with the pretreatment liquid of the present invention can be used. It is sufficient to use a thick one. Further, the glass plate may be provided with holes to form through holes.

【0044】このガラス板を、本発明の前処理液を用い
て前記のごとく前処理し、次いで、回路パターンを形成
してプリント配線板とするには、従来から行われている
いわゆるアディティブ法の応用など、それ自体公知の各
種の方法が特に重大な変更を要する事なく採用できる。
This glass plate is pretreated with the pretreatment liquid of the present invention as described above, and then a circuit pattern is formed to form a printed wiring board by a so-called additive method which has been conventionally used. Various methods known per se, such as application, can be adopted without requiring particularly significant changes.

【0045】例えば、本発明の前処理液でガラス板の全
面を前処理後、銅めっきのための触媒を全面(スルーホ
ールのあるものは孔の内面も含む)に付着させて無電解
銅めっき又は無電解ニッケルめっきを全面に施し、次い
で該無電解銅めっき又は無電解ニッケルめっき皮膜上に
電気銅めっきを施し、回路になるべき部分及びスルーホ
ール部分にエッチングレジスト(例えば、フォトレジス
トフィルム)を貼り、パターンを形成し、不要部分の銅
めっき皮膜をエッチングにより除去する方法が採用でき
る。
For example, after pretreating the entire surface of the glass plate with the pretreatment solution of the present invention, a catalyst for copper plating is attached to the entire surface (including the inner surface of the hole if there is a through hole) to perform electroless copper plating. Alternatively, electroless nickel plating is applied to the entire surface, and then electroless copper plating is applied to the electroless copper plating or electroless nickel plating film, and an etching resist (for example, a photoresist film) is applied to a portion to be a circuit and a through hole portion. It is possible to adopt a method of attaching, forming a pattern, and removing an unnecessary portion of the copper plating film by etching.

【0046】また、本発明の前処理液でガラス板の全面
を前処理後、銅めっきのための触媒を全面に付着させて
全面に亘って無電解銅めっきを行ない、回路になるべき
部分以外にめっきレジストを塗布してパターン形成し、
次いで回路になるべき部分に電気銅めっきを施して厚め
っきにし、該厚めっき上にエッチングレジストとして機
能する半田またはニッケルめっきを施し、上記めっきレ
ジストを除去し、めっきレジストで覆われていた無電解
銅めっきをエッチングにより除去する方法も採用でき
る。
Further, after pretreating the entire surface of the glass plate with the pretreatment liquid of the present invention, a catalyst for copper plating is attached to the entire surface and electroless copper plating is performed over the entire surface, except for the portion to be a circuit. Apply a plating resist to form a pattern,
Next, electrolytic copper plating is applied to a portion to be a circuit to make thick plating, solder or nickel that functions as an etching resist is applied on the thick plating, the above plating resist is removed, and the electroless coating covered with the plating resist is performed. A method of removing the copper plating by etching can also be adopted.

【0047】更に、上記において、触媒付与、非回路部
分にめっきレジスト塗布後、公知の無電解銅めっき液に
浸漬し、所定パターン厚を得た後、レジストを剥離する
方法も適用できる。
Further, in the above, a method of applying a catalyst, coating a non-circuit portion with a plating resist, immersing it in a known electroless copper plating solution to obtain a predetermined pattern thickness, and then peeling the resist is also applicable.

【0048】上記いずれの場合も、銅めっきのための触
媒処理は、慣用されている公知の触媒、例えば、パラジ
ウム等を用いて常法に従って行なうことができる。な
お、非スルーホール基板や低アスペクト比基板(基板厚
に比してスルーホール穴が大きい基板)の製造に当たっ
ては、本発明のエッチング液でガラス表面を粗化した
後、スパッタリングや蒸着等の乾式めっきで触媒付与す
ることもできる。無電解銅めっき及び電気銅めっきのた
めのめっき浴、エッチングレジスト、銅めっきの除去の
ためのエッチング液、めっきレジスト等はいずれも、従
来から通常のプリント配線板の製造に慣用されている通
常公知のものが使用できる。
In any of the above cases, the catalyst treatment for copper plating can be carried out by a conventional method using a conventionally known catalyst such as palladium. When manufacturing a non-through-hole substrate or a low-aspect ratio substrate (a substrate having through-holes larger than the substrate thickness), the glass surface is roughened with the etching solution of the present invention, and then a dry method such as sputtering or vapor deposition is used. It is also possible to add a catalyst by plating. The plating baths for electroless copper plating and electrolytic copper plating, etching resists, etching solutions for removing copper platings, plating resists, etc. are all conventionally known and commonly used in the production of ordinary printed wiring boards. Can be used.

【0049】また、上記とは異なり、本発明の前処理液
でガラス板の全面を前処理するのではなく、予め前処理
の前に、ガラス板の回路となるべき部分を残してガラス
表面を耐酸性のエッチングレジストで覆い、回路となる
べき部分を露出させ、この露出させた部分のガラスを、
本発明の前処理液で前処理し、以下、この部分を常法に
従って触媒処理し、無電解銅めっきを厚く施し、上記耐
酸性のエッチングレジストを除去する方法も採用でき
る。
Further, unlike the above, the entire surface of the glass plate is not pretreated with the pretreatment liquid of the present invention, but the glass surface is left in advance before the pretreatment, leaving a portion to be a circuit of the glass plate. Cover with acid-resistant etching resist to expose the part that should become the circuit, and then expose the exposed glass.
A method of pretreating with the pretreatment liquid of the present invention, and then subjecting this portion to a catalyst treatment according to a conventional method, thickly applying electroless copper plating, and removing the above acid-resistant etching resist can also be employed.

【0050】この方法において、耐酸性のエッチングレ
ジストとしては、本発明の前処理液に対して抵抗力を有
するものであればどのようなものでも使用でき、例え
ば、通常公知のアディティブ法で使用されているエッチ
ングレジスト等が使用できる。特にガラス面との密着性
が高いものを用いるのが好ましい。かかる耐酸性エッチ
ングレジストとしては、例えば、アクリル系、エポキシ
系のエッチングレジスト等を使用できるが、これらに限
定されるものではない。
In this method, any acid-resistant etching resist can be used as long as it has resistance to the pretreatment liquid of the present invention. For example, it is usually used in a known additive method. The etching resist etc. which are used can be used. In particular, it is preferable to use one having high adhesion to the glass surface. As the acid-resistant etching resist, for example, acrylic-based or epoxy-based etching resist can be used, but the acid-resistant etching resist is not limited thereto.

【0051】こうして回路パターンが形成されたガラス
基板は、常法に従って、通常の仕上げ工程、例えば、エ
ポキシ系のソルダーレジスト塗布後、レベラー処理或い
はヒュージング処理を行ない、製品とされる。
The glass substrate on which the circuit pattern is formed in this manner is manufactured as a product by a usual finishing process, for example, after applying an epoxy-based solder resist and then leveling or fusing.

【0052】[0052]

【発明の効果】本発明によれば、次のごとき優れた効果
が奏される。
According to the present invention, the following excellent effects are exhibited.

【0053】(1)本発明のフッ化カリウム及び酸性フ
ッ化アンモニウムを含有する水溶液をエッチング液を前
処理液として用いることにより、従来困難であったガラ
ス素材への密着性の高い各種めっき皮膜の形成が可能と
なった。
(1) By using an aqueous solution containing potassium fluoride and ammonium acid fluoride of the present invention as a pretreatment liquid for an etching solution, it is possible to obtain various plating films having high adhesion to a glass material, which has been difficult in the past. It has become possible to form.

【0054】(2)特に、本発明のエッチング液及びこ
れを前処理液として使用するめっき方法により、従来め
っきでは製造不可能であった、プリント配線板として必
要な密着強度を有する回路パターンを備えたガラス基板
が、製造可能となった。
(2) In particular, according to the etching solution of the present invention and the plating method using the same as the pretreatment solution, a circuit pattern having an adhesion strength required for a printed wiring board, which cannot be produced by conventional plating, is provided. The glass substrate can be manufactured.

【0055】(3)特に、本発明のエッチング液を用い
て前処理したガラス板に、例えば、無電解銅めっき又は
無電解ニッケルめっきを施し、次いで、電気銅めっきを
施した場合、プリント配線板として実用範囲とされる密
着強度(1kg/mm2)又はそれ以上の密着強度を得
ることができる。
(3) In particular, when a glass plate pretreated with the etching solution of the present invention is subjected to, for example, electroless copper plating or electroless nickel plating and then electrolytic copper plating, a printed wiring board is obtained. As a result, it is possible to obtain an adhesion strength (1 kg / mm 2 ) which is in a practical range or an adhesion strength higher than that.

【0056】(4)また、上記(3)のごとくして得ら
れた銅メッキ皮膜は、耐熱性が高く、熱によるフクレ、
ハガレが生じにくい。
(4) Further, the copper plating film obtained as described in (3) above has high heat resistance, and blister caused by heat,
Hard to peel off.

【0057】(5)更に、本発明によれば、従来のガラ
ス基板製造法では製造困難であったスルーホールガラス
基板も、従来公知の通常のプリント配線板の製法を応用
して容易に製造でき、しかも、従来の設備をそのまま使
用可能である。
(5) Furthermore, according to the present invention, a through-hole glass substrate, which has been difficult to manufacture by the conventional glass substrate manufacturing method, can be easily manufactured by applying the conventionally known ordinary printed wiring board manufacturing method. Moreover, the conventional equipment can be used as it is.

【0058】[0058]

【実施例】以下、実施例及び比較例を掲げて、本発明を
より一層詳しく説明する。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.

【0059】実施例1 フッ化カリウム無水塩50g/l、酸性フッ化アンモニ
ウム50g/lを含み、pH約3の水溶液をエッチング
液として用いた。
Example 1 An aqueous solution containing 50 g / l of potassium fluoride anhydrous and 50 g / l of ammonium acid fluoride was used as an etching solution at a pH of about 3.

【0060】ソーダガラスの板状体(10cm×10c
m、厚さ3mm)を、上記エッチング液に70℃で45
分間浸漬し、全面エッチングした。
Plate of soda glass (10 cm × 10 c
m, thickness 3 mm) in the above etching solution at 70 ° C for 45
It was immersed for a minute and the whole surface was etched.

【0061】次いで、下記組成の無電解銅めっき浴を用
いて、温度55℃にて、30分間を要して、厚さ2μm
の無電解銅めっき皮膜を全面に形成した。
Next, using an electroless copper plating bath having the following composition, at a temperature of 55 ° C., for 30 minutes, a thickness of 2 μm was obtained.
No electroless copper plating film was formed on the entire surface.

【0062】無電解銅めっき組成 硫酸銅 10g/l EDTA 20g/l ホルマリン 20g/l 水酸化ナトリウム 10g/l pH 12 温度 55℃。Electroless Copper Plating Composition Copper sulfate 10 g / l EDTA 20 g / l formalin 20 g / l sodium hydroxide 10 g / l pH 12 temperature 55 ° C.

【0063】更に、下記組成の電気硫酸銅めっき浴を用
いて、温度30℃、陰極電流密度2A/dm2にて、8
0分間を要して、厚さ28μmの電気銅めっき皮膜を全
面に形成した。
Further, using an electrolytic copper sulfate plating bath having the following composition, the temperature was 30 ° C. and the cathode current density was 2 A / dm 2 .
It took 0 minutes to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 28 μm on the entire surface.

【0064】電気硫酸銅めっき浴組成 硫酸銅 180g/l 硫酸 45g/l 光沢剤 少量 上記で得られた厚さ30μmの銅めっき皮膜を、密着性
を向上させるべく200℃で60分間熱処理し、次い
で、エッチングにより不要部分の銅めっき皮膜を除去す
ることにより、2mm×2mm角のパターンを20mm
間隔で25個残し、それぞれのパターンの銅皮膜に銅線
を半田付けし、引き剥がし強度を常法により測定した。
Electrolytic copper sulfate plating bath composition Copper sulfate 180 g / l Sulfuric acid 45 g / l Brightening agent Small amount The copper plating film having a thickness of 30 μm obtained above is heat treated at 200 ° C. for 60 minutes to improve adhesion, and then By removing the copper plating film from unnecessary parts by etching, a 2mm x 2mm square pattern with a 20mm
With 25 pieces left at intervals, a copper wire was soldered to the copper film of each pattern, and the peeling strength was measured by an ordinary method.

【0065】その結果、引き剥がし強度は、25個のパ
ターン中、最大で6.2kg以上、最低でも4kgの強
度が認められ、高い密着性を有することが判明した。
As a result, the peeling strength was found to be 6.2 kg or more at the maximum and 4 kg at the minimum among the 25 patterns, and it was revealed that the peeling strength was high.

【0066】比較例1 本発明のエッチング液に代えて濃度10重量%のフッ酸
を使用する以外は実施例1と同様にして、銅めっき皮膜
を形成し、次いで200℃で60分間熱処理した。
Comparative Example 1 A copper plating film was formed in the same manner as in Example 1 except that hydrofluoric acid having a concentration of 10% by weight was used instead of the etching solution of the present invention, and then heat treated at 200 ° C. for 60 minutes.

【0067】しかしながら、銅めっきの時点で、形成さ
れた皮膜が液撹拌により部分的に剥離した。また、形成
された銅めっき皮膜も、熱処理によりフクレが発生した
り、或いは実施例1と同様にして形成された2mm×2
mm角のパターンに銅線を半田付けする際の熱により剥
離が生じた。このような問題を生じること無く引き剥が
し強度が測定できたパターンもあったが、その引き剥が
し強度は最高でも0.5kgに過ぎなかった。
However, at the time of copper plating, the formed film was partially peeled off by liquid stirring. The formed copper plating film also has blisters due to heat treatment, or 2 mm × 2 formed in the same manner as in Example 1.
Peeling occurred due to heat when the copper wire was soldered to the mm square pattern. Although there was a pattern in which the peeling strength could be measured without causing such a problem, the peeling strength was only 0.5 kg at maximum.

【0068】実施例2 所定箇所に直径1mmの複数の貫通孔を有するソーダガ
ラスの板状体(10cm×10cm、厚さ3mm)を、
下記に示す工程に供してプリント基板を製造した。ま
ず、下記のエッチング液に、70℃にて、45分間浸漬
した。
Example 2 A soda glass plate (10 cm × 10 cm, thickness 3 mm) having a plurality of through-holes with a diameter of 1 mm at predetermined locations was prepared.
A printed circuit board was manufactured by being subjected to the following steps. First, it was immersed in the following etching solution at 70 ° C. for 45 minutes.

【0069】 フッ化カリウム無水塩 50g/l 酸性フッ化アンモニウム 50g/l pH 3。 次いで、市販の無電解銅めっき浴に55℃で30分浸漬
し、厚さ2μmの無電解銅めっきを施し、非パターン部
分にアクリル系めっきレジストを塗布し、市販の電気硫
酸銅めっき液を陰極電流密度2A/dm2にて用いて、
80分間めっきし、厚さ28μmの銅めっきを施し、更
に半田めっきを行なった。
Potassium fluoride anhydrous 50 g / l ammonium acid fluoride 50 g / l pH 3. Next, it is immersed in a commercially available electroless copper plating bath at 55 ° C. for 30 minutes, electroless copper plating with a thickness of 2 μm is applied, an acrylic plating resist is applied to the non-patterned portion, and a commercially available electrolytic copper sulfate plating solution is used as a cathode. Using a current density of 2 A / dm 2 ,
It was plated for 80 minutes, plated with copper having a thickness of 28 μm, and further soldered.

【0070】その後、レジストを剥離し、アルカリ銅エ
ッチングを行ない、200℃で1時間熱処理し、260
℃の溶融半田に浸漬してプリント基板とした。この間、
スルーホール内も含めパターン部分には密着不良による
不具合は発生しなかった。
After that, the resist is peeled off, alkali copper etching is performed, and heat treatment is performed at 200 ° C. for 1 hour to obtain 260.
The printed circuit board was dipped in molten solder at ℃. During this time,
No defect due to poor adhesion did not occur in the pattern part including the inside of the through hole.

【0071】試験例1 フッ化カリウム(無水塩として)の濃度(g/l)及び
酸性フッ化アンモニウムの濃度(g/l)を下記表1の
ように変化させたエッチング液を用いて、下記のように
して試験を行なった。
Test Example 1 Using an etching solution in which the concentration (g / l) of potassium fluoride (as an anhydrous salt) and the concentration (g / l) of ammonium acid fluoride were changed as shown in Table 1 below, The test was conducted as follows.

【0072】ソーダガラスの板状体(10cm×10c
m、厚さ3mm)を、上記エッチング液に70℃で45
分間浸漬し、全面エッチングした。次いで、下記の無電
解銅めっき浴又は無電解ニッケルめっき浴に浸漬して、
夫々厚さ2μm及び5μmのめっきを形成した。これら
無電解めっき層の上には、更に下記の電気硫酸銅めっき
浴を用いて銅めっきを施し合計厚さ15μmのめっき皮
膜を得た。
Plate of soda glass (10 cm × 10 c
m, thickness 3 mm) in the above etching solution at 70 ° C for 45
It was immersed for a minute and the whole surface was etched. Then, immerse in the following electroless copper plating bath or electroless nickel plating bath,
Platings having a thickness of 2 μm and 5 μm were formed, respectively. Copper plating was further performed on these electroless plating layers using the following electrolytic copper sulfate plating bath to obtain a plating film having a total thickness of 15 μm.

【0073】無電解銅めっき浴 硫酸銅 10g/l EDTA 20g/l ホルマリン 20g/l 水酸化ナトリウム 10g/l pH 12 温度 55℃。Electroless copper plating bath Copper sulfate 10 g / l EDTA 20 g / l formalin 20 g / l sodium hydroxide 10 g / l pH 12 temperature 55 ° C.

【0074】無電解ニッケルめっき浴 硫酸ニッケル 30g/l 錯化剤 10g/l 次亜りん酸ナトリウム 10g/l pH 4.5 温度 85℃。Electroless nickel plating bath Nickel sulfate 30 g / l Complexing agent 10 g / l Sodium hypophosphite 10 g / l pH 4.5 Temperature 85 ° C.

【0075】電気硫酸銅めっき浴 硫酸銅 180g/l 硫酸 45g/l 光沢剤 少量 温度 30℃ 陰極電流密度 2A/dm2 Electrolytic copper sulfate plating bath Copper sulfate 180 g / l Sulfuric acid 45 g / l Brightening agent Small amount Temperature 30 ° C. Cathode current density 2 A / dm 2 .

【0076】こうして得られためっき皮膜を200℃で
1時間加熱し、実施例1と同様にして密着強度を測定し
た。密着強度は無電解ニッケルめっきを使用した場合の
方が無電解銅めっきを使用した場合より高い傾向が認め
られたが、両者に大差は認められなかった。全体の傾向
は下記表1の通りである。
The plating film thus obtained was heated at 200 ° C. for 1 hour, and the adhesion strength was measured in the same manner as in Example 1. Adhesion strength tended to be higher when electroless nickel plating was used than when electroless copper plating was used, but no significant difference was observed between the two. The overall tendency is shown in Table 1 below.

【0077】[0077]

【表1】 [Table 1]

【0078】表1において、○及び×は次の意味を有す
る: ○:良好な密着性 ×:密着性が悪いか、又は密着性のばらつきが大きい。
In Table 1, o and x have the following meanings: o: good adhesion x: poor adhesion or large variation in adhesion.

【0079】なお、上記試験において、エッチング後の
表面状態を観察すると、フッ化カリウム濃度が高すぎる
と、表面の凹凸が微細となり、アンカー効果を発揮する
表面の微小な穴が少なくなり、良好な密着性は得られな
かった。一方、酸性フッ化アンモニウム濃度が高すぎる
と、めっき剥離面に微細なガラス片が多数観察され、ガ
ラス表面が劣化して密着強度の低下をきたしていること
が認められた。
In the above test, when the surface condition after etching was observed, if the potassium fluoride concentration was too high, the surface irregularities became fine, and the minute holes on the surface exhibiting the anchor effect were reduced, resulting in a favorable result. Adhesion was not obtained. On the other hand, when the concentration of ammonium acid fluoride was too high, a large number of fine glass pieces were observed on the plating peeling surface, and it was confirmed that the glass surface was deteriorated and the adhesion strength was lowered.

【0080】試験例2 フッ化カリウム無水塩50g/l、酸性フッ化アンモニ
ウム50g/lを含み、pH3の水溶液をエッチング液
として用いた。
Test Example 2 An aqueous solution containing 50 g / l of potassium fluoride anhydrous and 50 g / l of ammonium acid fluoride was used as an etching solution.

【0081】ソーダガラスの板状体(10cm×10c
m、厚さ3mm)を、上記エッチング液に70℃で45
分間浸漬し、全面エッチングした。
Plate of soda glass (10 cm × 10 c
m, thickness 3 mm) in the above etching solution at 70 ° C for 45
It was immersed for a minute and the whole surface was etched.

【0082】次いで、下記の各種無電解めっき浴を下記
のめっき条件で使用して、各無電解めっき浴に応じて厚
さ1〜10μmの範囲の無電解めっき皮膜を形成した。
Next, the following electroless plating baths were used under the following plating conditions to form an electroless plating film having a thickness of 1 to 10 μm according to each electroless plating bath.

【0083】(1)無電解コバルトめっき浴 塩化コバルト 30g/l 次亜りん酸ナトリウム 10g/l 錯化剤 10g/l 塩化アンモニウム 50g/l めっき条件 pH 9 温度 90℃。(1) Electroless cobalt plating bath Cobalt chloride 30 g / l Sodium hypophosphite 10 g / l Complexing agent 10 g / l Ammonium chloride 50 g / l Plating conditions pH 9 Temperature 90 ° C.

【0084】(2)無電解金めっき浴 シアン化金カリウム 14g/l 錯化剤 40g/l めっき条件 pH 5〜6 温度 80℃。(2) Electroless gold plating bath Potassium gold cyanide 14 g / l Complexing agent 40 g / l Plating conditions pH 5-6 Temperature 80 ° C.

【0085】(3)無電解銀めっき浴 シアン化銀 2g/l シアン化ナトリウム 0.2g/l 次亜りん酸ナトリウム 10g/l めっき条件 pH 7 温度 95℃。(3) Electroless silver plating bath silver cyanide 2 g / l sodium cyanide 0.2 g / l sodium hypophosphite 10 g / l plating conditions pH 7 temperature 95 ° C.

【0086】(4)無電解すずめっき浴 塩化第一すず 19g/l 水酸化ナトリウム 23g/l シアン化ナトリウム 185g/l めっき条件 pH 12 温度 室温。(4) Electroless tin plating bath stannous chloride 19 g / l sodium hydroxide 23 g / l sodium cyanide 185 g / l plating conditions pH 12 temperature room temperature.

【0087】(5)無電解パラジウムめっき浴 塩化パラジウム 2g/l 塩酸 4ml/l アンモニア水 160ml/l 次亜りん酸ナトリウム 10g/l めっき条件 pH 8 温度 55℃。(5) Electroless palladium plating bath Palladium chloride 2 g / l Hydrochloric acid 4 ml / l Ammonia water 160 ml / l Sodium hypophosphite 10 g / l Plating conditions pH 8 Temperature 55 ° C.

【0088】(6)無電解ニッケル−鉄合金めっき浴 硫酸ニッケル+硫酸第一鉄 28.3g/l 次亜りん酸ナトリウム 20g/l 錯化剤 40g/l めっき条件 pH 10 温度 80℃。(6) Electroless nickel-iron alloy plating bath nickel sulfate + ferrous sulfate 28.3 g / l sodium hypophosphite 20 g / l complexing agent 40 g / l plating conditions pH 10 temperature 80 ° C.

【0089】次いで、クロスカット法に従い、得られた
めっき皮膜に1mm間隔で縦及び横に切り込み(クロス
カット)を入れ、その部分にセロハンテープを貼り、そ
のテープを急激に引き離し、皮膜の密着性を測定した。
Next, according to the cross-cut method, vertical and horizontal cuts (cross-cuts) were made in the obtained plating film at 1 mm intervals, and cellophane tape was attached to the part, and the tape was rapidly pulled apart to obtain adhesion of the film. Was measured.

【0090】その結果、上記で得られた無電解めっき皮
膜はいずれも剥離が認められず、良好な密着性を有して
いた。
As a result, no peeling was observed in any of the electroless plating films obtained above, and they had good adhesion.

フロントページの続き (72)発明者 西城 信吾 大阪府河内長野市南花台6丁目12−7 (72)発明者 中谷 隆之 大阪府富田林市嬉348Front Page Continuation (72) Inventor Shingo Saijo 6-12-7 Minamihanadai, Kawachinagano City, Osaka Prefecture (72) Inventor Takayuki Nakatani 348 Tomitabayashi City, Osaka 348

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フッ化カリウム及び酸性フッ化アンモニ
ウムを含有する水溶液からなることを特徴とするガラス
表面へのめっきを施すための前処理用エッチング液。
1. An etching solution for pretreatment for plating a glass surface, which comprises an aqueous solution containing potassium fluoride and ammonium acid fluoride.
【請求項2】 フッ化カリウム(無水塩として)30〜
70g/l及び酸性フッ化アンモニウム30〜70g/
lを含有し、pHが2.5〜4の範囲にある請求項1に
記載のエッチング液。
2. Potassium fluoride (as anhydrous salt) 30-
70 g / l and ammonium acid fluoride 30-70 g /
The etching solution according to claim 1, wherein the etching solution contains 1 and has a pH in the range of 2.5 to 4.
【請求項3】 フッ化カリウム及び酸性フッ化アンモニ
ウムを含有する水溶液からなるエッチング液を前処理液
として用いて、ガラス素材を前処理した後、該ガラス素
材にめっきを施すことを特徴とするめっき方法。
3. A plating characterized by pretreating a glass material using an etching solution comprising an aqueous solution containing potassium fluoride and ammonium acid fluoride as a pretreatment solution, and then plating the glass material. Method.
【請求項4】 水溶液が、フッ化カリウム(無水塩とし
て)30〜70g/l及び酸性フッ化アンモニウム30
〜70g/lを含有し、pHが2.5〜4の範囲にある
請求項3に記載のめっき方法。
4. An aqueous solution containing 30 to 70 g / l of potassium fluoride (as an anhydrous salt) and ammonium acid fluoride 30.
The plating method according to claim 3, wherein the plating solution contains ~ 70 g / l and has a pH in the range of 2.5-4.
【請求項5】 フッ化カリウム及び酸性フッ化アンモニ
ウムを含有する水溶液からなるエッチング液を前処理液
として用いて、ガラス板を前処理し、導体めっきを施す
ことにより該ガラス板に回路パターンを形成することを
特徴とするガラス基板の製造方法。
5. A circuit pattern is formed on a glass plate by pretreating the glass plate using an etching solution composed of an aqueous solution containing potassium fluoride and ammonium acid fluoride as a pretreatment liquid and conducting conductor plating. A method of manufacturing a glass substrate, comprising:
【請求項6】 水溶液が、フッ化カリウム(無水塩とし
て)30〜70g/l及び酸性フッ化アンモニウム30
〜70g/lを含有し、pHが2.5〜4の範囲にある
請求項5に記載のガラス基板の製造方法。
6. The aqueous solution comprises 30 to 70 g / l of potassium fluoride (as an anhydrous salt) and ammonium acid fluoride 30.
The method for producing a glass substrate according to claim 5, wherein the glass substrate contains ˜70 g / l and has a pH in the range of 2.5 to 4.
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