JPH05333524A - Phase shift mask and its production - Google Patents
Phase shift mask and its productionInfo
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- JPH05333524A JPH05333524A JP14388292A JP14388292A JPH05333524A JP H05333524 A JPH05333524 A JP H05333524A JP 14388292 A JP14388292 A JP 14388292A JP 14388292 A JP14388292 A JP 14388292A JP H05333524 A JPH05333524 A JP H05333524A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造のリソク
ラフィ工程に用いられる、縮小投影露光用の位相シフト
マスクおよびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase shift mask for reduction projection exposure used in a lithographic process for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子製造のリソグラフィ技術とし
ては、一般にフォトリソグラフィが用いられてきた。半
導体素子の高密度・高集積化の為フォトリソグラフィの
分野においては、これまで主に露光装置の高ＮＡ化，短
波長化が進められ、より微細パターンの形成が可能とな
ってきた。そして現在、最小寸法が０．５μｍ程度の半
導体素子の製造もフォトリソグラフィにより可能となっ
ている。2. Description of the Related Art Photolithography has been generally used as a lithography technique for manufacturing semiconductor devices. In the field of photolithography for high-density and high-integration of semiconductor elements, the exposure apparatus has been mainly improved in NA and wavelength, and it has become possible to form finer patterns. At present, it is possible to manufacture a semiconductor element having a minimum dimension of about 0.5 μm by photolithography.
【０００３】しかし、露光装置の高ＮＡ化，短波長化に
より解像力は向上するものの、反対に焦点深度は減少し
てしまう。そのため、焦点深度の確保がより重要な問題
となってきた。焦点深度の点から、これまでのような単
純な高ＮＡ化，短波長化による解像力の向上は困難とな
ってきた。However, although the resolution is improved by increasing the NA and the wavelength of the exposure apparatus, the depth of focus is decreased. Therefore, securing the depth of focus has become a more important issue. From the viewpoint of the depth of focus, it has been difficult to improve the resolution by simply increasing the NA and shortening the wavelength as in the past.
【０００４】そこで近年、解像力及び焦点深度を向上さ
せフォトリソグラフィの限界を延ばす方法として位相シ
フト法が注目されている。位相シフト法はニコンによる
特願昭５５−１３６４８３号公報及びＩＢＭによるアイ
・イー・イー・イー・トランズクションズ・オン・エレ
クトロン・デバイセス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉ
ｏｎｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）ｖｏｌ．
ＥＤ−２９，ｐ１８２８−ｐ１８３６，１９８２によ
り、ほぼ同時期に提案された。Therefore, in recent years, the phase shift method has been attracting attention as a method for improving the resolution and the depth of focus and extending the limit of photolithography. The phase shift method is disclosed in Japanese Patent Application No. 55-136483 by Nikon and by I.E.E. Transactions on Electron Devices (IEEE Transacti) by IBM.
ons Electron Devices) vol.
ED-29, p1828-p1836, 1982, proposed at about the same time.
【０００５】この方法はフォトマスク上の隣接する開口
の一方の上に透明膜を形成し、透過する光の位相を互い
に１８０度異ならせるものである。位相シフトマスクを
用いない場合、隣接する開口の間隔が狭くなると、回折
により開口間の本来遮光部となる領域に光が漏れ、隣接
する開口が分離されなくなる。一方、位相シフトマスク
では、隣接する開口を透過する光の位相が互いに１８０
度異なっているため、隣接する開口間で漏れた光が打ち
消し合い遮光領域を形成する。そのためより微細な寸法
まで分離して解像出来る。According to this method, a transparent film is formed on one of adjacent openings on a photomask, and the phases of transmitted light are different from each other by 180 degrees. In the case where the phase shift mask is not used, when the distance between the adjacent openings becomes narrow, light leaks due to diffraction to a region that originally serves as a light shielding portion between the openings, and the adjacent openings cannot be separated. On the other hand, in the phase shift mask, the phases of light transmitted through the adjacent openings are 180 degrees relative to each other.
Since they are different from each other, light leaking between adjacent openings cancels each other out to form a light-shielding region. Therefore, it is possible to separate and resolve even finer dimensions.
【０００６】この最初の位相シフトマスク（以後レベン
ソン型と呼ぶ）は、繰り返しパターンのような密集した
パターンにしか適用できなかったが、その後孤立したパ
ターンに適用する方法が、例えばプロシーデイングスオ
ブ エス ピー アイ イー：オプティカル レーザー
マイクロリソグラフィ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ
ＳＰＩＥ：Ｏｐｔｉｃｆｌ／Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）２ｖｏｌ．１０８８，ｐ２５
〜３３（１９８９）が提案されている。以下この一般に
補助パターン方式と呼ばれる位相シフトマスクについて
説明する。This first phase shift mask (hereinafter referred to as Levenson type) can be applied only to a dense pattern such as a repetitive pattern. PIE: Optical Laser Microlithography (Proceedingsof)
SPIE: Optifl / Laser Micro
Lithography) 2 vol. 1088, p25
~ 33 (1989) have been proposed. The phase shift mask generally called the auxiliary pattern method will be described below.
【０００７】図４（ａ），（ｂ）は従来の位相シフトマ
ススの平面図及びＣ−Ｃ線断面図である。石英等の透明
基板１上にはＩＴＯ等の導電膜４が形成されている。導
電膜４は電子ビーム露光の際のチャージアップ防止と後
工程の透明膜４のエッチングの際のエッチングストッパ
ーとしての為のものである。導電膜４は本質的に必要な
ものではない。導電膜４の上にはクロム及び酸化クロム
からなる遮光膜２が形成されており、遮光膜２には第１
の開口５および第１の開口５の周辺部に補助パターンと
して第２の開口６ａ，６ｂが形成されている。そして第
２の開口６ａ，６ｂの上には透明膜３ａ，３ｂが形成さ
れており、その膜厚ｔはｔ＝λ／２（ｎ−１）となるよ
うに設定されている。ここに、λは露光光の波長、ｎは
透明膜３ａ，３ｂの屈折率である。また、第２の開口６
ａ，６ｂの寸法はその位相シフトマスクを使用する露光
装置により最適値が異なる。FIGS. 4A and 4B are a plan view and a sectional view taken along the line CC of the conventional phase shift mass. A conductive film 4 such as ITO is formed on a transparent substrate 1 such as quartz. The conductive film 4 serves to prevent charge-up during electron beam exposure and as an etching stopper during etching of the transparent film 4 in a later step. The conductive film 4 is not essentially necessary. A light-shielding film 2 made of chromium and chromium oxide is formed on the conductive film 4.
Second openings 6a and 6b are formed as auxiliary patterns around the openings 5 and the first openings 5. The transparent films 3a and 3b are formed on the second openings 6a and 6b, and the film thickness t is set to be t = λ / 2 (n-1). Here, λ is the wavelength of the exposure light, and n is the refractive index of the transparent films 3a and 3b. In addition, the second opening 6
The optimum values of a and 6b differ depending on the exposure apparatus using the phase shift mask.
【０００８】すなわち、第２の開口６ａ，６ｂの寸法が
大きすぎると第２の開口６ａ，６ｂ自体が解像され、ま
た逆に小さすきると第１の開口５の解像を助ける効果が
無くなる。ＮＡ＝０．５前後のｉ−線ステッパーを用い
る場合、５倍マスク上で第２の開口６ａ，６ｂの幅Ｓは
０．５μｍ程度である。That is, if the dimensions of the second apertures 6a, 6b are too large, the second apertures 6a, 6b themselves are resolved, and conversely, if the dimensions are small, the effect of assisting the resolution of the first apertures 5 is lost. .. When an i-line stepper with NA = 0.5 is used, the width S of the second openings 6a and 6b is about 0.5 μm on the 5 × mask.
【０００９】またこのように、それ自体は解像しない補
助パターンである第２の開口は、第１の開口のような孤
立パターンの周辺だけでなく、密集したパターンの外周
にも設けられる。たとえば、レベンソン型位相シフトマ
スクのラインアンドスペースパターンでは、露光時のフ
ォーカスを変化させていくと、まずマスクの最外周の２
本の開口が解像しなくなる。そのためこの２本の開口の
解像を助けるため、補助パターンがその外側に設けられ
る。As described above, the second opening, which is an auxiliary pattern which itself does not resolve, is provided not only around the isolated pattern such as the first opening, but also around the dense pattern. For example, in the line-and-space pattern of a Levenson-type phase shift mask, when the focus during exposure is changed, first the outermost 2
The aperture of the book is not resolved. Therefore, in order to assist the resolution of these two openings, an auxiliary pattern is provided on the outside thereof.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】この従来の補助パター
ンを用いる位相シフトマスクにおいては、補助パターン
の幅が他のパターンに比較して極端に小さいため、補助
パターンの形成が困難であった。通常の５倍マスク上
で、デバイスパターンは１．５μｍ以上の線幅であるの
に対し、補助パターンの開口の幅は０．５μｍ程度とす
る必要がある。In the conventional phase shift mask using the auxiliary pattern, it is difficult to form the auxiliary pattern because the width of the auxiliary pattern is extremely smaller than that of the other patterns. On the usual 5 times mask, the device pattern has a line width of 1.5 μm or more, while the width of the opening of the auxiliary pattern needs to be about 0.5 μm.
【００１１】そのため、電子ビーム露光およびクロムな
どの遮光膜のエッチングにおいて、１．５μｍ以上のパ
ターンに合せた条件での、０．５μｍ幅の補助パターン
の形成は寸法制御が困難であった。補助パターンの寸法
が小さくなると隣接パターンの解像を助ける効果が低下
し、逆にその寸法が大きくなると補助パターン自体が解
像されてしまうという問題があった。Therefore, in the electron beam exposure and the etching of the light-shielding film such as chromium, it is difficult to control the size of the auxiliary pattern having a width of 0.5 μm under the condition matched with the pattern of 1.5 μm or more. When the size of the auxiliary pattern is small, the effect of assisting the resolution of the adjacent pattern is reduced, and conversely, when the size is large, the auxiliary pattern itself is resolved.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】第１の発明の位相シフト
マスクは、透明基板上の遮光膜に形成された第１の開口
と、この第１の開口を含む全面に形成された透明膜と、
前記第１の開口の周辺部の前記透明膜と前記遮光膜とに
形成された補助パターンとしての第２の開口とを含むも
のである。A phase shift mask of a first invention comprises a first opening formed in a light-shielding film on a transparent substrate and a transparent film formed on the entire surface including the first opening. ,
It includes a second opening as an auxiliary pattern formed in the transparent film and the light-shielding film in the peripheral portion of the first opening.
【００１３】第２の発明の位相シフトマスクの製造方法
は、透明基板上に遮光膜を形成したのちパターニングし
第１の開口を形成する工程と、この第１の開口を含む全
面に透明膜を形成したのち前記第１の開口の周辺部の前
記透明膜及び前記遮光膜をパターニングし補助パターン
としての第２の開口を形成する工程とを含むものであ
る。In the method of manufacturing a phase shift mask of the second invention, a step of forming a first opening by patterning a light-shielding film on a transparent substrate, and a transparent film on the entire surface including the first opening. And forming the second opening as an auxiliary pattern by patterning the transparent film and the light shielding film around the first opening.
【００１４】[0014]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例の位相
シフトマスクの製造方法を説明するための断面図であ
る。The present invention will be described below with reference to the drawings. 1A to 1E are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a phase shift mask according to a first embodiment of the present invention.
【００１５】まず図１（ａ）に示すように、石英などの
透明基板１上にＩＴＯなどからなる導電膜４を形成し、
さらにその上にクロムおよび酸化クロムによる遮光膜２
を形成する。First, as shown in FIG. 1A, a conductive film 4 made of ITO or the like is formed on a transparent substrate 1 such as quartz.
On top of that, a light-shielding film 2 made of chromium and chromium oxide.
To form.
【００１６】次に図１（ｂ）に示すように、遮光膜２上
に電子線レジスト７を塗布し、リソグラフィ技術を用い
パターンニングを行なった後、ウェットまたはＣｌ2 ガ
スを用いるドライエッチングを行ない、第１の開口５を
形成する。Next, as shown in FIG. 1B, an electron beam resist 7 is applied on the light-shielding film 2, patterning is performed by using a lithography technique, and then wet etching or dry etching using Cl 2 gas is performed. , The first opening 5 is formed.
【００１７】次に、図１（ｃ）に示すように、ＳＯＧを
塗布し、４００℃，１時間のベーキングを行ない透明膜
３を形成する。透明膜３の膜厚ｔは、第１の開口５上
で、ｔ＝λ／２（ｎ−１）となるように設定する。ここ
に、λは露光光の波長であり、ｎは透明膜３の屈折率で
ある。次に図１（ｄ）に示すように、再び電子線レジス
ト７Ａを塗布した後、重ね合せ描画を行ない現像し、第
１の開口５に隣接して第２の開口のレジストパターンを
形成する。Next, as shown in FIG. 1C, SOG is applied and baked at 400 ° C. for 1 hour to form a transparent film 3. The film thickness t of the transparent film 3 is set so that t = λ / 2 (n−1) on the first opening 5. Here, λ is the wavelength of the exposure light, and n is the refractive index of the transparent film 3. Next, as shown in FIG. 1D, after the electron beam resist 7A is applied again, overlay drawing is performed and development is performed to form a resist pattern of the second opening adjacent to the first opening 5.
【００１８】次に図１（ｅ）に示すように、ＣＦ4 を用
いたドライエッチングにより透明膜３をパターニング
し、続いてＣｌ2 を用いたドランイエッチングあるいは
ウエットエッチングにより、遮光膜２をパターニング
し、第２の開口６Ａ，６Ｂを形成する。最後に、電子線
レジスト７Ａを剥離することにより、図２（ａ），
（ｂ）の平面図及びＡ−Ａ線断面図に示す位相シフトマ
スクが完成する。Next, as shown in FIG. 1E, the transparent film 3 is patterned by dry etching using CF 4 , and then the light-shielding film 2 is patterned by dry etching or wet etching using Cl 2. Then, the second openings 6A and 6B are formed. Finally, by removing the electron beam resist 7A, as shown in FIG.
The phase shift mask shown in the plan view of (b) and the sectional view taken along the line AA is completed.
【００１９】このように本実施例により形成された位相
シフトマスクの第２の開口６Ａ，６Ｂは、遮光膜２と透
明膜３に同一寸法で形成されており、そのエッジは一致
している。本位相シフトマスクを部分的コヒーレント光
により透過照明し、レンズ系を通して結像させると、第
１の開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂを通る光の０次光は
打ち消し合い、そのため第１の開口５の像はコントラス
トが向上する。また、第２の開口６Ａ，６Ｂでは回折さ
れる光の一部が透明膜３での側壁で遮光され、また透明
膜を透過する光も部分的に位相差が与えられるため、第
２の開口６Ａ，６Ｂは解像されない。The second openings 6A and 6B of the phase shift mask thus formed according to this embodiment are formed in the light-shielding film 2 and the transparent film 3 with the same size, and their edges are aligned. When the present phase shift mask is transilluminated with partially coherent light and is imaged through the lens system, the 0th-order light of the light passing through the first aperture 5 and the second apertures 6A and 6B cancels each other, so that the first The image of the opening 5 has improved contrast. Further, in the second openings 6A and 6B, a part of the diffracted light is shielded by the side wall of the transparent film 3, and the light transmitted through the transparent film also has a partial phase difference. 6A and 6B are not resolved.
【００２０】一例として、開口数ＮＡ＝０．４５，コヒ
ーレンスファクターσ＝０．３，縮小率１／５のｉ−線
（λ＝０．３６５ｎｍ）ステッパーを用いる場合、０．
３μｍの孤立スペースを形成するためのマスク上のパタ
ーンを図２（ａ），（ｂ）を用いて説明する。ここでマ
スク上の第１の開口５の寸法Ｓ1 を１．５μｍ，第２の
開口６Ａ，６Ｂの寸法Ｓ2 を１．５μｍ，そして第１の
開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂの間隔ｌを１．５μｍと
する。本マスクを用い、ポジ型レジストの塗布された半
導体基板上に縮少投影露光を行なうことにより、半導体
基板上に第１の開口５による幅０．３μｍの孤立スペー
スを精度良く形成することができる。As an example, when an i-line (λ = 0.365 nm) stepper with a numerical aperture NA = 0.45, a coherence factor σ = 0.3 and a reduction ratio ⅕ is used,
A pattern on a mask for forming an isolated space of 3 μm will be described with reference to FIGS. Here 1.5 [mu] m dimension S 1 of the first opening 5 on the mask, a second opening 6A, 6B 1.5 [mu] m dimension S 2 and the first opening 5 and the second opening 6A,, 6B of The interval 1 is 1.5 μm. By performing reduced projection exposure on a semiconductor substrate coated with a positive resist using this mask, an isolated space having a width of 0.3 μm can be accurately formed on the semiconductor substrate by the first opening 5. ..
【００２１】また、図１（ｅ）で説明したように、遮光
膜２をウエットエッチングによりパターニングした場
合、サイドエッチングが生じ、第２の開口６Ａ，６Ｂの
エッジと透明膜３のエッジは正確に一致しなくなるが、
このズレは、０．１μｍ程度までは許容される。また、
第１の開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂを同時に形成し、
その後透明膜３を成膜し、重ね合せ露光を行ない透明膜
をパターニングしても良い。Further, as described with reference to FIG. 1E, when the light shielding film 2 is patterned by wet etching, side etching occurs and the edges of the second openings 6A and 6B and the edge of the transparent film 3 are accurately formed. No match,
This deviation is allowed up to about 0.1 μm. Also,
The first opening 5 and the second openings 6A and 6B are formed at the same time,
After that, the transparent film 3 may be formed, and overlay exposure may be performed to pattern the transparent film.
【００２２】次に本発明の第２の実施例について図３を
用いて説明する。図３（ａ），（ｂ）は第２の実施例を
説明するための平面図及びＢ−Ｂ線断面図であり、本発
明をホールパターンを形成するためのフォトマスクに適
用した場合を示す。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 (a) and 3 (b) are a plan view and a sectional view taken along line BB for explaining the second embodiment, showing a case where the present invention is applied to a photomask for forming a hole pattern. ..
【００２３】図３（ａ），（ｂ）に示すように、孤立パ
ターンである第１の開口５Ａの解像を助けるために、そ
の周辺部分にそれ自体は解像しないパターンである第２
の開口６を設ける方式の位相露光用フォトマスクにおい
ては、ホールパターンに適用した際電子ビーム露光のデ
ータ数が極端に増加するという問題があった。しかし本
実施例においては、透明膜３と遮光膜２への４個の第２
の開口６の形成を同時に行なうため、とくにホールパタ
ーンでは従来よりデータ数を少なくできるという利点が
ある。As shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), in order to assist the resolution of the first opening 5A which is an isolated pattern, the second pattern which is a pattern which does not itself resolve in its peripheral portion is formed.
In the phase exposure photomask in which the opening 6 is provided, there is a problem that the number of electron beam exposure data is extremely increased when applied to a hole pattern. However, in the present embodiment, the four second films for the transparent film 3 and the light shielding film 2 are provided.
Since the openings 6 are formed at the same time, there is an advantage that the number of data can be reduced as compared with the conventional case especially in the hole pattern.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、補
助パターンである第２の開口の寸法を隣接する第１の開
口の寸法と同程度にできるので、電子線露光およびエッ
チングによる第２の開口の形成が容易になり、微細なデ
バイスパターンを精度良く形成できるという効果を有す
る。As described above, according to the present invention, the size of the second opening, which is the auxiliary pattern, can be made approximately the same as the size of the adjacent first opening. This has the effect of facilitating the formation of the openings and allowing the fine device pattern to be formed with high precision.
【００２５】また、透明膜と遮光膜とを同時にパターニ
ングして第２の開口を形成することにより、透明膜のパ
ターニング用のデータ作成が不要となるという効果もあ
る。Further, by patterning the transparent film and the light-shielding film at the same time to form the second opening, there is an effect that it is not necessary to create data for patterning the transparent film.
【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのマスク
断面図。FIG. 1 is a sectional view of a mask for explaining a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例を説明するためのマスク
の平面図及び断面図。2A and 2B are a plan view and a sectional view of a mask for explaining the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施例を説明するためのマスク
の平面図及び断面図。FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view of a mask for explaining a second embodiment of the present invention.
【図４】従来の位相シフトマスクを説明するための平面
図及び断面図。4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view for explaining a conventional phase shift mask.
１ 透明基板 ２ 遮光膜 ３，３ａ，３ｂ 透明膜 ４ 導電膜 ５，５Ａ 第１の開口 ６，６Ａ，６ａ，６Ｂ，６ｂ 第２の開口 ７，７Ａ 電子線レジスト 1 transparent substrate 2 light-shielding film 3, 3a, 3b transparent film 4 conductive film 5, 5A first opening 6, 6A, 6a, 6B, 6b second opening 7, 7A electron beam resist
Claims (2)
開口と、この第１の開口を含む全面に形成された透明膜
と、前記第１の開口の周辺部の前記透明膜と前記遮光膜
とに形成された補助パターンとしての第２の開口とを含
むことを特徴とする位相シフトマスク。1. A first opening formed in a light-shielding film on a transparent substrate, a transparent film formed over the entire surface including the first opening, and the transparent film around the first opening. A phase shift mask comprising: a second opening as an auxiliary pattern formed in the light shielding film.
ーニングし第１の開口を形成する工程と、この第１の開
口を含む全面に透明膜を形成したのち前記第１の開口の
周辺部の前記透明膜及び前記遮光膜をパターニングし補
助パターンとしての第２の開口を形成する工程とを含む
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。2. A step of forming a first opening by patterning a light-shielding film on a transparent substrate, and forming a transparent film on the entire surface including the first opening, and then surrounding the first opening. And the step of patterning the transparent film and the light-shielding film to form a second opening as an auxiliary pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14388292A JPH05333524A (en) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | Phase shift mask and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14388292A JPH05333524A (en) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | Phase shift mask and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333524A true JPH05333524A (en) | 1993-12-17 |
Family
ID=15349219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14388292A Withdrawn JPH05333524A (en) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | Phase shift mask and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05333524A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6004699A (en) * | 1997-02-28 | 1999-12-21 | Nec Corporation | Photomask used for projection exposure with phase shifted auxiliary pattern |
| US7001711B2 (en) | 1999-11-08 | 2006-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Patterning method using a photomask |
| JP2008076940A (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | Cured pattern and method for manufacturing the same, photomask and exposure device |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP14388292A patent/JPH05333524A/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
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