JPH05333033A - Rotating speed detecting apparatus - Google Patents

Rotating speed detecting apparatus

Info

Publication number
JPH05333033A
JPH05333033A JP13709792A JP13709792A JPH05333033A JP H05333033 A JPH05333033 A JP H05333033A JP 13709792 A JP13709792 A JP 13709792A JP 13709792 A JP13709792 A JP 13709792A JP H05333033 A JPH05333033 A JP H05333033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
magnetoresistive element
rotation speed
circuit
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13709792A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2990949B2 (en
Inventor
Yukio Murase
志男 村瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP4137097A priority Critical patent/JP2990949B2/en
Publication of JPH05333033A publication Critical patent/JPH05333033A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2990949B2 publication Critical patent/JP2990949B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the detecting accuracy of a rotating speed detecting apparatus which detects the rotation with the use of a magnetoresistance element. CONSTITUTION:This rotating speed detecting apparatus is provided with a single magnetoresistance element 12, a magnetized rotary body 11 disposed confronting the element 12, and a power source VCC for applying a predetermined voltage to the element 12. The rotating speed of the rotary body 11 is detected by the change of the voltage at both ends of the magnetoresistance element 12. Moreover, a direct current component voltage control circuit 14 is provided so as to control the direct current component voltage of the change of the voltage at both ends of the element 12 to be in a predetermined ratio to the power source VCC (e.g. 1/2).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は回転速度検出装置に係
り、特に磁気抵抗素子を用いて回転検出を行う回転速度
検出装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rotation speed detecting device, and more particularly to a rotation speed detecting device for detecting rotation using a magnetoresistive element.

【0002】[0002]

【従来の技術】車載用のセンサの一つとして回転速度検
出装置がある。この回転速度検出装置は、例えばアンチ
ブレーキシステム(ABS)において、車軸の回転速度
検出を行うのに用いられる。
2. Description of the Related Art There is a rotation speed detecting device as one of on-vehicle sensors. This rotation speed detection device is used to detect the rotation speed of an axle in an anti-brake system (ABS), for example.

【0003】従来、この種の回転速度検出装置として特
開昭62−66115号公報に示されるものがある。図
8は同公報に示された回転速度検出装置の構造を示して
いる。同図に示されるように、回転速度検出装置1は二
つの磁気抵抗素子2,3を有し、各磁気抵抗素子2,3
をブリッジ状に接続した構造を有している。磁気抵抗素
子2の一端は電源VCCに接続されており、他端は磁気抵
抗素子3の一端と接続されている。また磁気抵抗素子3
の他端は接地されており、出力電圧は各磁気抵抗素子
2,3間の出力端子4から出力される構成とされてい
た。尚、5は出力電圧を増幅するアンプである。
Conventionally, there is a rotation speed detecting device of this type disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-66115. FIG. 8 shows the structure of the rotation speed detecting device disclosed in the publication. As shown in the figure, the rotation speed detection device 1 has two magnetoresistive elements 2 and 3, and each magnetoresistive element 2 and 3 is
Has a structure in which bridges are connected in a bridge shape. One end of the magnetoresistive element 2 is connected to the power supply V CC , and the other end is connected to one end of the magnetoresistive element 3. In addition, the magnetoresistive element 3
The other end is grounded, and the output voltage is output from the output terminal 4 between the magnetoresistive elements 2 and 3. Incidentally, 5 is an amplifier for amplifying the output voltage.

【0004】上記のように、従来の回転検出装置1にお
いて磁気抵抗素子2,3をブリッジ状に接続する構成と
したのは次の理由による。即ち、磁気抵抗素子2,3は
感度は良好であるものの、素子単品では抵抗値のばらつ
きが非常に大きく、また抵抗温度特性も非常に大きい。
例えば抵抗値については600 Ω〜4500Ωのばらつきを有
し、また抵抗温度特性においては35℃の温度変化(上
昇)で抵抗値が1/2 にも減少するものが知られている。
The reason why the magnetic resistance elements 2 and 3 are connected in a bridge shape in the conventional rotation detecting device 1 as described above is as follows. That is, although the magnetoresistive elements 2 and 3 have good sensitivity, variations in resistance value are very large in a single element, and resistance temperature characteristics are also very large.
For example, it is known that the resistance value has a variation of 600 Ω to 4500 Ω, and the resistance temperature characteristic is such that the resistance value is reduced to 1/2 with a temperature change (increase) of 35 ° C.

【0005】従って、このように抵抗値のばらつきを有
し、また抵抗温度特性の大きな磁気抵抗素子を単品で用
いた場合には、使用する磁気抵抗素子の抵抗値ずれや使
用する環境温度,磁界強度により測定値が大きく変化し
測定精度が低下してしまう。
Therefore, when a magnetoresistive element having such a variation in resistance value and a large resistance temperature characteristic is used as a single item, the deviation of the resistance value of the magnetoresistive element to be used, the environmental temperature to be used, and the magnetic field are used. The measurement value greatly changes depending on the strength, and the measurement accuracy decreases.

【0006】このため、各磁気抵抗素子2,3をブリッ
ジ状に接続することにより各磁気抵抗素子2,3の抵抗
−温度特性を相殺し、これにより測定精度を向上させる
構成とされていた。
Therefore, the resistance-temperature characteristics of the magnetoresistive elements 2 and 3 are canceled by connecting the magnetoresistive elements 2 and 3 in a bridge shape, thereby improving the measurement accuracy.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記のように各磁気抵
抗素子2,3をブリッジ状に接続することにより各磁気
抵抗素子2,3の抵抗−温度特性は相殺され、使用する
環境温度により測定値が大きく変動することを防止する
ことができる。
By connecting the magnetoresistive elements 2 and 3 in a bridge shape as described above, the resistance-temperature characteristics of the magnetoresistive elements 2 and 3 cancel each other out, and the measurement is performed depending on the ambient temperature to be used. It is possible to prevent the value from changing greatly.

【0008】しかるに、各磁気抵抗素子2,3の初期抵
抗(印加磁界がゼロである時の抵抗値)にバラツキがあ
ると、回転速度検出用の磁気抵抗素子(二つの磁気抵抗
素子の内、いずれか一方)の両端電圧の振幅中心がブリ
ッジへの印加電圧の中心からずれてしまい、出力電圧の
振幅が小さくなり検出精度が低下してしまうという問題
点があった。
However, if there is a variation in the initial resistance (resistance value when the applied magnetic field is zero) of the magnetoresistive elements 2 and 3, the magnetoresistive element for detecting the rotational speed (of the two magnetoresistive elements, There is a problem that the center of the amplitude of the voltage across one of the two) deviates from the center of the voltage applied to the bridge, the amplitude of the output voltage decreases, and the detection accuracy decreases.

【0009】また、被回転検出体となるのは一般に磁性
材料で作られた歯車であるが、二つの磁気抵抗素子2,
3を用いた回転速度検出装置では、この二つの磁気抵抗
素子2,3を、一方の磁気抵抗素子(例えば磁気抵抗素
子2)が歯車の山と対向した時、他方の磁気抵抗素子3
が歯車の谷と対向するよう、磁気抵抗素子2,3と歯車
との位置決めを高精度に行う必要がある。しかるに、車
載用の回転速度検出装置の場合、歯車を車軸に配設する
ため外径等の形状が異なり、磁気抵抗素子2,3と歯車
を高精度に位置決めするためには歯車形状に合わせた磁
気抵抗素子が必要となるという問題点があった。
Further, although the gear to be rotated is generally a gear made of a magnetic material, the two magnetoresistive elements 2,
In the rotational speed detecting device using 3, the two magnetoresistive elements 2 and 3 are connected to each other when one magnetoresistive element (for example, the magnetoresistive element 2) faces a mountain of the gear.
It is necessary to position the magnetoresistive elements 2 and 3 and the gear with high accuracy so that is opposed to the valley of the gear. However, in the case of a vehicle-mounted rotation speed detection device, the gears are arranged on the axle so that the shapes such as the outer diameter are different, and in order to position the magnetoresistive elements 2 and 3 and the gears with high accuracy, they are matched with the gear shape. There is a problem that a magnetoresistive element is required.

【0010】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、磁気抵抗素子を一つ使用し、この磁気抵抗素子の
両端電圧変化の直流成分電圧が所定値となるよう制御す
ることにより、検出精度の向上を図った回転速度検出装
置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points. By using one magnetoresistive element and controlling the DC component voltage of the voltage change across the magnetoresistive element to a predetermined value, It is an object of the present invention to provide a rotation speed detection device that improves detection accuracy.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理図で
ある。
FIG. 1 shows the principle of the present invention.

【0012】同図に示すように、上記課題を解決するた
めに本発明では、磁界発生部(A1)と、この磁界発生部(A
1)が発生する磁束の影響を受ける位置に配設された単一
の磁気抵抗素子(A2)と、この磁気抵抗素子(A2)と対向配
設されると共に回転体(A3)に配設されており、この回転
体(A3)の回転速度に応じた周期で磁気抵抗素子(A2)に印
加される磁界の磁束密度を変化させる磁束密度変化部(A
4)と、上記磁気抵抗素子(A2)に所定電圧を印加する電圧
印加部(A5)とを具備し、磁気抵抗素子(A2)の両端部電圧
変化より回転体(A3)の回転速度を検出する回転速度検出
装置において、上記磁気抵抗素子(A2)の両端部電圧変化
の直流成分電圧が、上記電圧印加部(A5)により印加され
る所定電圧に対し、所定割合の電圧となるよう直流成分
電圧を制御する直流成分電圧制御部(A6)を設けたことを
特徴とするものである。
As shown in the figure, in order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, a magnetic field generator (A1) and the magnetic field generator (A1) are provided.
1) A single magnetoresistive element (A2) is placed at a position affected by the magnetic flux generated by (1), and is placed opposite to the magnetoresistive element (A2) and is also placed on the rotating body (A3). The magnetic flux density changing part (A) that changes the magnetic flux density of the magnetic field applied to the magnetoresistive element (A2) at a cycle according to the rotation speed of this rotating body (A3).
4) and a voltage application unit (A5) for applying a predetermined voltage to the magnetoresistive element (A2), and detects the rotational speed of the rotating body (A3) from the voltage change at both ends of the magnetoresistive element (A2). In the rotation speed detecting device, the DC component voltage of the voltage change at both ends of the magnetoresistive element (A2) is a DC component so that the voltage has a predetermined ratio with respect to a predetermined voltage applied by the voltage applying unit (A5). It is characterized in that a DC component voltage control unit (A6) for controlling the voltage is provided.

【0013】[0013]

【作用】直流成分電圧制御部(A6)は、磁気抵抗素子(A2)
の両端部電圧変化の直流成分電圧が、上記電圧印加部(A
5)により印加される所定電圧に対し、所定割合の電圧と
なるよう直流成分電圧を制御する。このため、磁気抵抗
素子(A2)の初期抵抗値にばらつきがあったとしても、磁
気抵抗素子(A2)の両端部には常に上記の電圧印加部(A5)
により印加される所定電圧に対し所定割合の電圧が印加
される。従って、磁気抵抗素子(A2)の初期抵抗値のばら
つきに拘わらず出力電圧の振幅中心を所定値とすること
ができ、常に大きな出力電圧振幅を保つことができる。
[Function] The DC component voltage control unit (A6) is a magnetoresistive element (A2).
The DC component voltage of the voltage change at both ends of the
The DC component voltage is controlled so that the voltage has a predetermined ratio with respect to the predetermined voltage applied in 5). Therefore, even if there is a variation in the initial resistance value of the magnetoresistive element (A2), the voltage applying section (A5) is always provided at both ends of the magnetoresistive element (A2).
The voltage of a predetermined ratio is applied to the predetermined voltage applied by. Therefore, the amplitude center of the output voltage can be set to a predetermined value regardless of variations in the initial resistance value of the magnetoresistive element (A2), and a large output voltage amplitude can be maintained at all times.

【0014】また、直流成分電圧制御部(A6)は磁気抵抗
素子(A2)の両端部電圧変化の直流成分電圧を制御するも
のであるため、回転検出信号である交流成分には影響を
与えることはなく、精度の高い回転速度検出信号を得る
ことができる。更に、一つの磁気抵抗素子(A2)で回転速
度検出が行えるため、装置のコスト低減を図ることがで
きる。
Further, since the DC component voltage control unit (A6) controls the DC component voltage of the voltage change at both ends of the magnetoresistive element (A2), it has no influence on the AC component which is the rotation detection signal. However, a highly accurate rotation speed detection signal can be obtained. Further, since the rotation speed can be detected by one magnetoresistive element (A2), the cost of the device can be reduced.

【0015】[0015]

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図2は本発明の第1実施例である回転速度検出装
置10を示している。この回転速度検出装置10は、例
えば車載されるABS(Antilock Brake System)におい
て、車速検出センサとして用いられるものである。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 2 shows a rotation speed detecting device 10 which is a first embodiment of the present invention. The rotation speed detection device 10 is used as a vehicle speed detection sensor in, for example, an in-vehicle ABS (Antilock Brake System).

【0016】同図において、11は磁性体よりなる回転
体であり、形成されている歯の山部11aは着磁されて
磁界を発生するよう構成されている。また、12は磁気
抵抗素子であり、本発明に係る回転速度検出装置10
は、一つの磁気抵抗素子12により回転速度検出を行う
構成とされている。この磁気抵抗素子12は、回転体1
1と対向するよう配設されている。
In FIG. 1, reference numeral 11 is a rotating body made of a magnetic material, and the crests 11a of the formed teeth are magnetized to generate a magnetic field. Further, 12 is a magnetoresistive element, which is the rotational speed detecting device 10 according to the present invention.
Is configured to detect the rotation speed by one magnetoresistive element 12. The magnetoresistive element 12 is a rotating body 1.
It is arranged so as to face 1.

【0017】よって、回転体11の山部11aが磁気抵
抗素子12に近づくにつれて磁気抵抗素子12に印加さ
れる磁界の磁束密度は大となり、また回転体11の谷部
11bが磁気抵抗素子12に近づくにつれて磁気抵抗素
子12に印加される磁界の磁束密度は小となる。このよ
うに、回転体11の回転に伴い磁気抵抗素子12に印加
される磁界の磁束密度は変化する。磁気抵抗素子12
は、磁界の強さによりその抵抗値が変化する性質を有し
ており、上記磁束密度の変化に対応して抵抗値を変化さ
せる。また、上記磁束密度の変化は回転体11の回転速
度に対応しているため、よって磁気抵抗素子12の抵抗
値変化を検出することにより回転体11の回転速度を検
出することができる。尚、図中13は磁石であり、磁気
抵抗素子12に磁気バイアスを与えるために設けられて
いる。
Therefore, the magnetic flux density of the magnetic field applied to the magnetoresistive element 12 increases as the crest 11a of the rotor 11 approaches the magnetoresistive element 12, and the valley 11b of the rotor 11 becomes the magnetoresistive element 12. As approaching, the magnetic flux density of the magnetic field applied to the magnetoresistive element 12 becomes smaller. In this way, the magnetic flux density of the magnetic field applied to the magnetoresistive element 12 changes as the rotating body 11 rotates. Magnetoresistive element 12
Has a property that its resistance value changes depending on the strength of the magnetic field, and changes the resistance value in response to the change in the magnetic flux density. Further, since the change in the magnetic flux density corresponds to the rotation speed of the rotating body 11, the rotation speed of the rotating body 11 can be detected by detecting the change in the resistance value of the magnetoresistive element 12. Reference numeral 13 in the drawing is a magnet, which is provided to give a magnetic bias to the magnetoresistive element 12.

【0018】14は本発明の特徴となる直流成分電圧制
御回路であり、例えばエンジンコントロールユニット
(ECU)15内に配設されている。以下、直流成分電
圧制御回路14の構成について説明する。
Reference numeral 14 is a direct current component voltage control circuit which is a feature of the present invention, and is provided, for example, in an engine control unit (ECU) 15. The configuration of the DC component voltage control circuit 14 will be described below.

【0019】電源VCCには抵抗R3の一端部及びトラン
ジスタQ1のコレクタが接続されている。また、トラン
ジスタQ1のベースにはトランジスタQ2のコレクタが
接続されており、このベースとコレクタの接続点16に
は上記抵抗R3の他端部が接続され、更にトランジスタ
Q2のエミッタは接地されている。
One end of the resistor R3 and the collector of the transistor Q1 are connected to the power source V CC . The collector of the transistor Q2 is connected to the base of the transistor Q1, the other end of the resistor R3 is connected to the connection point 16 of the base and the collector, and the emitter of the transistor Q2 is grounded.

【0020】トランジスタQ1のエミッタは、ECU1
5の外部ケースに設けられた磁気抵抗素子12の信号入
力端子17に接続されている。磁気抵抗素子12の一端
部はこの信号入力端子17に接続されると共に、他端は
同じくECU15の外部ケースに設けられたアース端子
18に接続されている。
The emitter of the transistor Q1 is the ECU1
5 is connected to the signal input terminal 17 of the magnetoresistive element 12 provided in the outer case. One end of the magnetoresistive element 12 is connected to this signal input terminal 17, and the other end is connected to a ground terminal 18 also provided on the outer case of the ECU 15.

【0021】トランジスタQ1のエミッタから信号入力
端子17にいたる配線途中の接続点19には、分圧回路
を構成する抵抗R1,R2が接続されており、この抵抗
R1,R2は直列に接続されると共に抵抗R2の抵抗R
1と接続側と異なる側は接地されている。また、この抵
抗R1と抵抗R2の接続点20にはトランジスタQ2の
ベース及びコンデンサCが接続されている。このコンデ
ンサCの接続点20との接続側と異なる側は接地されて
いる。更に、信号入力端子17と接続点19との間に
は、信号取り出し端子21が設けられており、回転速度
検出信号はこの信号取り出し端子21より取り出され
る。尚、22は信号増幅用の増幅器である。
Resistors R1 and R2 forming a voltage dividing circuit are connected to a connection point 19 on the way from the emitter of the transistor Q1 to the signal input terminal 17, and the resistors R1 and R2 are connected in series. Together with the resistance R of the resistance R2
The side different from 1 and the connection side is grounded. The base of the transistor Q2 and the capacitor C are connected to the connection point 20 of the resistors R1 and R2. The side of the capacitor C different from the side connected to the connection point 20 is grounded. Further, a signal output terminal 21 is provided between the signal input terminal 17 and the connection point 19, and the rotation speed detection signal is output from the signal output terminal 21. Reference numeral 22 is an amplifier for signal amplification.

【0022】続いて、直流成分電圧制御回路14の動作
について説明する。上記構成を有する直流成分電圧制御
回路14は直流成分定電圧回路となっており、抵抗R
1,R2の各抵抗値を適宜選定することにより、入力信
号端子17の電圧は電源VCCの電圧の略1/2の電圧値
で安定化するよう制御される構成とされている。
Next, the operation of the DC component voltage control circuit 14 will be described. The DC component voltage control circuit 14 having the above-mentioned configuration is a DC component constant voltage circuit, and the resistor R
By appropriately selecting the resistance values of R1 and R2, the voltage of the input signal terminal 17 is controlled so as to be stabilized at a voltage value that is approximately ½ of the voltage of the power supply V CC .

【0023】ここで、磁気抵抗素子12の抵抗にばらつ
きがあり、既定抵抗値(設計抵抗値)に対して磁気抵抗
素子12の初期抵抗値がずれていた場合を想定する。い
ま、磁気抵抗素子12の抵抗値が大きくなる方向にずれ
ることにより信号入力端子17の電圧が上昇した場合を
例に挙げて説明する。
Here, it is assumed that the resistance of the magnetoresistive element 12 varies and the initial resistance value of the magnetoresistive element 12 deviates from the predetermined resistance value (design resistance value). Now, a case where the voltage of the signal input terminal 17 increases due to the shift of the resistance value of the magnetoresistive element 12 in the increasing direction will be described as an example.

【0024】信号入力端子17の電圧が上昇すると、こ
れに伴い接続点20の電圧も上昇し、トランジスタQ2
のベース電圧が上昇する。また、トランジスタQ2のベ
ース電圧が上昇することにより、トランジスタQ2のエ
ミッタ電流が増大し、これに伴い電源VCCから抵抗R3
を介してトランジスタQ2に流れ込むコレクタ電流が増
大する。これにより、トランジクタQ1のベース電圧V
C は低下し、よって直流成分電圧制御回路14は信号入
力端子17の電圧を下げようと作動する。従って、磁気
抵抗素子12の抵抗にばらつきが有ったとしても、信号
入力端子17の電圧は所定値(電源VCCの電圧の略1/
2の電圧値)に保たれる。
When the voltage of the signal input terminal 17 rises, the voltage of the connection point 20 also rises accordingly, and the transistor Q2
Base voltage rises. Further, as the base voltage of the transistor Q2 rises, the emitter current of the transistor Q2 increases, and along with this, the power source V CC to the resistor R3.
The collector current flowing into the transistor Q2 via the transistor increases. As a result, the base voltage V of the transistor Q1
C decreases, so that the DC component voltage control circuit 14 operates to decrease the voltage of the signal input terminal 17. Therefore, even if the resistance of the magnetoresistive element 12 varies, the voltage of the signal input terminal 17 has a predetermined value (approximately 1 / the voltage of the power supply V CC ).
Voltage value of 2).

【0025】上記のように、直流成分電圧制御回路14
は直流成分定電圧回路として機能するため、磁気抵抗素
子12が有する抵抗値のバラツキによる影響を有効に除
去することができる。しかるに、磁気抵抗素子12は回
転体11の回転速度検出時において、回転体11から印
加される磁界の強さ変化に対応した交流波形的な出力信
号を生成する。この出力信号の交流波形は電圧変化成分
であるため、直流成分電圧制御回路14に代えて単に周
知の直流成分定電圧回路を設けた構成では、直流成分定
電圧回路は出力信号としての電圧変化までも定電圧化し
てしまい、出力信号が弱められてしまう。
As described above, the DC component voltage control circuit 14
Since it functions as a DC component constant voltage circuit, it is possible to effectively eliminate the influence of variations in the resistance value of the magnetoresistive element 12. However, when the rotational speed of the rotating body 11 is detected, the magnetoresistive element 12 generates an AC waveform-like output signal corresponding to the change in the strength of the magnetic field applied from the rotating body 11. Since the AC waveform of this output signal is a voltage change component, in the configuration in which a known DC component constant voltage circuit is simply provided in place of the DC component voltage control circuit 14, the DC component constant voltage circuit is used to output a voltage change as an output signal. Also becomes a constant voltage, and the output signal is weakened.

【0026】そこで、本実施例に係る直流成分電圧制御
回路14は、回路内に抵抗R1とコンデンサCとにより
構成される積分回路を設けている。この積分回路の時定
数τはτ=R1×Cで示される。いま、磁気抵抗素子1
2からの入力信号が時定数τより大きい周期変動の場合
(即ち入力信号の周波数fが小さい場合時)には、上記
積分回路は機能せず、接続点20の電圧(即ち、トラン
ジスタQ2のベース電圧VB ) は出力信号の電圧変化に
応答して変動するため、直流成分電圧制御回路14は前
記したように信号入力端子17における電圧値VA を安
定化させるよう作用する。
Therefore, the DC component voltage control circuit 14 according to this embodiment is provided with an integrating circuit constituted by the resistor R1 and the capacitor C in the circuit. The time constant τ of this integrating circuit is represented by τ = R1 × C. Now, magnetoresistive element 1
When the input signal from 2 has a periodic fluctuation larger than the time constant τ (that is, when the frequency f of the input signal is small), the integration circuit does not function and the voltage at the connection point 20 (that is, the base of the transistor Q2). Since the voltage V B ) changes in response to the voltage change of the output signal, the DC component voltage control circuit 14 acts to stabilize the voltage value V A at the signal input terminal 17 as described above.

【0027】しかるに、回転体11の回転速度が速い回
転速度となると、磁気抵抗素子12からの入力信号の周
期変動が時定数τより小さい周期変動となる(即ち入力
信号の周波数fが大きくなる)。従って、磁気抵抗素子
12からの入力信号波形は上記積分回路により積分され
た波形となるため、トランジスタQ2のベース電圧V B
は上記周波数fが増大するにつれ一定値となる。これに
より、接続点16における電圧VC の制御ができなくな
り、よって積分回路の時定数で定められる所定周波数f
c 以上の回転速度においては入力信号の変動は低減され
ることはなく、信号取り出し端子21からは高出力を有
する出力信号を取り出すことができる。
However, when the rotating speed of the rotating body 11 is high,
When the rolling speed is reached, the frequency of the input signal from the magnetoresistive element 12 is reduced.
Period fluctuation is smaller than time constant τ.
The frequency f of the signal becomes large). Therefore, the magnetoresistive element
The input signal waveform from 12 is integrated by the above integrating circuit.
Since the waveform becomes different, the base voltage V of the transistor Q2 B
Becomes a constant value as the frequency f increases. to this
Therefore, the voltage V at the connection point 16CLost control of
Therefore, the predetermined frequency f determined by the time constant of the integrating circuit
cAt the above rotational speeds, fluctuations in the input signal are reduced.
The signal output terminal 21 has a high output.
Output signal can be taken out.

【0028】図3は、回転速度検出装置10において回
転体11の回転速度を徐々に上昇させることにより、回
転体11より磁気抵抗素子12に印加する交流磁界の周
波数fを徐々に上昇させた場合における電圧波形図を示
している。
FIG. 3 shows a case where the frequency f of the AC magnetic field applied from the rotating body 11 to the magnetoresistive element 12 is gradually increased by gradually increasing the rotating speed of the rotating body 11 in the rotating speed detecting device 10. 3 shows a voltage waveform diagram in FIG.

【0029】同図に示されるように、トランジスタQ2
のベース電圧VB の値は、交流磁界の周波数(これは回
転体11の回転速度と等価)が記所定周波数fc に近づ
くにつれて収束しており、fc 以上では一定の電圧とな
っている。これに伴い、信号入力端子17における電圧
値VA もfc 以上においては、磁気抵抗素子12からの
入力信号の周期変動に対応した安定した電圧波形となっ
ている。
As shown in the figure, the transistor Q2
The value of the base voltage V B of the above converges as the frequency of the alternating magnetic field (which is equivalent to the rotation speed of the rotating body 11) approaches the predetermined frequency f c , and becomes a constant voltage above f c . .. Accordingly, in more than f c voltage V A at the signal input terminal 17 has a stable voltage waveform corresponding to the period variation of the input signal from the magnetic resistance element 12.

【0030】また、図4及び図5は、積分回路を設けた
場合と設けなかった場合における、信号取り出し端子1
9より取り出される出力信号を示している。図4は積分
回路を設けなかった場合における出力信号であり、図5
は積分回路を設けた場合における出力信号である。尚、
各図において、(A)は出力信号を示しており、(B)
はトランジスタQ2のベース電位を示している。
FIGS. 4 and 5 show the signal extraction terminal 1 with and without the integration circuit.
9 shows the output signal taken out of FIG. FIG. 4 shows an output signal when the integrating circuit is not provided.
Is an output signal when an integrating circuit is provided. still,
In each figure, (A) shows the output signal, and (B).
Indicates the base potential of the transistor Q2.

【0031】図4に示されるような、積分回路を除き直
流成分定電圧回路のみを設けた構成の場合、Q2のベー
ス電位には磁気抵抗素子12からの信号が重畳してお
り、この信号に対応した変動が見られる。また、出力信
号の大きさは直流成分定電圧回路の作用により低減され
て0.08VP-P と低い出力値となっている。
In the case of the configuration in which only the DC component constant voltage circuit is provided excluding the integrating circuit as shown in FIG. 4, the signal from the magnetoresistive element 12 is superposed on the base potential of Q2, and this signal is added to this signal. There is a corresponding variation. Further, the magnitude of the output signal is reduced by the action of the DC component constant voltage circuit and becomes a low output value of 0.08V PP .

【0032】これに対し、直流成分定電圧回路に積分回
路を設けた直流成分電圧制御回路14の場合、Q2のベ
ース電位は積分されて一定の値となっており、また出力
信号の大きさは直流成分定電圧回路が作用しないため0.
46VP-P と、図4に示される構成に比べて大きな値とな
っている。よって図4及び図5より、直流成分電圧制御
回路14は磁気抵抗素子12からの交流波状の入力信号
を有効に出力してることが判る。
On the other hand, in the case of the DC component voltage control circuit 14 in which an integrating circuit is provided in the DC component constant voltage circuit, the base potential of Q2 is integrated and becomes a constant value, and the magnitude of the output signal is 0 because the DC component constant voltage circuit does not work.
46V PP , which is a large value compared to the configuration shown in FIG. Therefore, it can be seen from FIGS. 4 and 5 that the DC component voltage control circuit 14 effectively outputs the AC wave-shaped input signal from the magnetoresistive element 12.

【0033】また図6(A)は、直流成分電圧制御回路
14に代えて磁気抵抗素子12と等しい値となるように
した固定抵抗を磁気抵抗素子12とブリッジ状に配設し
た場合における出力波形を示しており、同図(B)は本
発明に係る回転速度検出装置20による出力波形を示し
ている。同図より、固定抵抗をブリッジ状に配設した構
成に比べ、本発明に係る回転速度検出装置20では出力
が多少下がる(70パーセント程度)が、前述したよう
に磁気抵抗素子の抵抗のバラツキ,温度変化及び使用状
態での磁界強度の変化分などを考慮すると、固定抵抗で
のブリッジ回路では同図(A)の1/5程度の出力しか
保証できないため、本考案の回路がこのレベルを保つと
すると、磁気抵抗素子のバラツキの上下限に比べて3倍
以上の高出力を得ることができる。
Further, FIG. 6A shows an output waveform in the case where a fixed resistance having a value equal to that of the magnetoresistive element 12 is arranged in a bridge shape with the magnetoresistive element 12 in place of the DC component voltage control circuit 14. FIG. 3B shows an output waveform by the rotation speed detecting device 20 according to the present invention. From the figure, compared with the configuration in which the fixed resistance is arranged in a bridge shape, the output of the rotation speed detection device 20 according to the present invention is slightly reduced (about 70%), but as described above, the variation of the resistance of the magnetoresistive element, In consideration of the temperature change and the change in the magnetic field strength during use, a fixed resistance bridge circuit can guarantee only about ⅕ of the output shown in FIG. 7A, so the circuit of the present invention maintains this level. Then, it is possible to obtain a high output that is three times or more as compared with the upper and lower limits of the variation of the magnetoresistive element.

【0034】上記してきたように回転速度検出装置10
は、直流成分電圧制御回路14を設け、この直流成分電
圧制御回路14を直流成分定電圧回路として機能させる
ことにより、磁気抵抗素子12の抵抗のバラツキによる
影響を除去し、かつ直流成分定電圧回路に前記した積分
回路を組み合わせることにより、出力信号を直流成分定
電圧回路が低減させないよう構成したものである。従っ
て、磁気抵抗素子12の抵抗のバラツキに拘わらず高出
力の回転速度検出信号が得られるため、検出精度を向上
させることができる。
As described above, the rotation speed detecting device 10
The DC component voltage control circuit 14 is provided, and the DC component voltage control circuit 14 is caused to function as a DC component constant voltage circuit to eliminate the influence of the variation in the resistance of the magnetoresistive element 12, and to provide the DC component constant voltage circuit. By combining the above-mentioned integrating circuit with the above, the direct current component constant voltage circuit does not reduce the output signal. Therefore, a high-output rotation speed detection signal can be obtained regardless of the resistance variation of the magnetoresistive element 12, so that the detection accuracy can be improved.

【0035】また、本実施例に係る回転速度検出装置1
0は、磁気抵抗素子12の配設個数を1個とすることが
できるため、磁気抵抗素子を2個配設する従来構成の装
置に比べてコストの低減を図ることができる。また、回
転体11と磁気抵抗素子12の位置決めも、回転体11
の山部11aが磁気抵抗素子12と対向するよう位置決
めすれば足り、従来の如く他方の磁気抵抗素子を回転体
11の谷部11bと位置決めする必要がなくなり、位置
決め作業の簡略化を図ることができる。更に、磁気抵抗
素子12とECU15を接続するワイヤハーネスは2本
で足りるため、磁気抵抗素子を2個配設する構成に比べ
てワイヤハーネスを1本減らすことができる。
Further, the rotation speed detecting device 1 according to the present embodiment.
In the case of 0, the number of the magnetoresistive elements 12 can be set to one, so that the cost can be reduced as compared with a device having a conventional configuration in which two magnetoresistive elements are arranged. Further, the positioning of the rotating body 11 and the magnetoresistive element 12 is also performed by the rotating body 11
It suffices to position the crest 11a of the magnetic head so as to face the magnetoresistive element 12, and it is not necessary to position the other magnetoresistive element with the trough 11b of the rotating body 11 as in the conventional case, and the positioning work can be simplified. it can. Furthermore, since two wire harnesses that connect the magnetic resistance element 12 and the ECU 15 are sufficient, it is possible to reduce the number of wire harnesses by one as compared with the configuration in which two magnetic resistance elements are arranged.

【0036】図7は本発明の第2実施例である回転速度
検出装置30を示している。同図に示す回転速度検出装
置30は、第1実施例で示した直流成分電圧制御回路1
4に代えて、抵抗値選択回路31を設けたことを特徴と
するものである。この回転速度検出装置30も、例えば
車載されるABSにおいて、車速検出センサとして用い
られるものである。
FIG. 7 shows a rotation speed detecting device 30 which is a second embodiment of the present invention. The rotation speed detecting device 30 shown in the figure is the same as the DC component voltage control circuit 1 shown in the first embodiment.
In place of 4, the resistance value selection circuit 31 is provided. This rotation speed detection device 30 is also used as a vehicle speed detection sensor in, for example, an ABS mounted on a vehicle.

【0037】同図において、32は磁気抵抗素子であり
回転体(図示せず)に対向配設されている。また、磁気
抵抗素子32の背部には磁気バイアスを与える磁石33
が配設されている。また、抵抗値選択回路31は、抵抗
値の異なる複数の抵抗(本実施例ではR0〜R4の5
個)、サンプル・ホールド回路41、スイッチSW1〜
SW4、コンパレータCOMP1〜COMP4等により
構成されている。
In the figure, reference numeral 32 denotes a magnetoresistive element, which is arranged to face a rotating body (not shown). Further, a magnet 33 for giving a magnetic bias is provided on the back of the magnetoresistive element 32.
Are arranged. Further, the resistance value selection circuit 31 includes a plurality of resistors having different resistance values (in this embodiment, 5 resistors R0 to R4 are used).
Individual), sample and hold circuit 41, switches SW1 to SW1
It is composed of SW4, comparators COMP1 to COMP4, and the like.

【0038】磁気抵抗素子32の一端は接続点34〜3
8,コンデンサC,オペアンプ39を介して出力端子4
0に接続され、また磁気抵抗素子32の他端は接地され
ている。また、接続点34は抵抗R0 を介して電源VCC
に接続されており、かつ接続点34にはサンプル・ホー
ルド回路41が接続されている。従って、磁気抵抗素子
32と抵抗R0 はブリッジ回路を構成しており、抵抗R
0 の抵抗値は磁気抵抗素子32の初期抵抗値と一致する
よう選定されている。
One end of the magnetoresistive element 32 has connection points 34-3.
Output terminal 4 via 8, capacitor C and operational amplifier 39
0, and the other end of the magnetoresistive element 32 is grounded. Further, the connection point 34 is connected to the power source V CC through the resistor R 0.
And a sample and hold circuit 41 is connected to the connection point 34. Therefore, the magnetoresistive element 32 and the resistor R 0 form a bridge circuit, and the resistor R 0
The resistance value of 0 is selected to match the initial resistance value of the magnetoresistive element 32.

【0039】抵抗R1〜R4は、夫々抵抗抵抗R0と並
列に接続されると共に、各接続点35〜38との間には
スイッチSW1〜SW4が配設されている。このスイッ
チSW1〜SW4は、後述するコンパレータCOMP1
〜COMP4からの信号により開閉動作を行い、各抵抗
R1〜R4と磁気抵抗素子32を接続する機能を奏す
る。サンプル・ホールド回路41は、指令信号が入来す
ることにより磁気抵素子32と接続された接続点34の
電圧値をサンプリングする回路である。この指令信号と
しては、例えばエンジンが始動したことを示すイグニリ
ョンスイッチからのIG信号が用いられている。
The resistors R1 to R4 are respectively connected in parallel with the resistor R0, and switches SW1 to SW4 are arranged between the respective connection points 35 to 38. The switches SW1 to SW4 are provided for a comparator COMP1 described later.
~ Opening and closing operations are performed by signals from COMP4 to connect the resistors R1 to R4 and the magnetoresistive element 32. The sample and hold circuit 41 is a circuit for sampling the voltage value of the connection point 34 connected to the magnetic resistance element 32 when a command signal comes in. As this command signal, for example, an IG signal from an ignition switch indicating that the engine has started is used.

【0040】サンプル・ホールド回路41でサンプリン
グされた接続点34の電圧値は、各コンパレータCOM
P1〜COMP4に供給される。各コンパレータCOM
P1〜COMP4は夫々異なる閾値を有しており、サン
プル・ホールド回路41から供給された接続点34の電
圧値が閾値の範囲となっている場合には、当該閾値が設
定されているコンパレータ(仮に設定されたコンパレー
タがCOMP1であるとして、以下述べる)がスイッチ
SW1に対して駆動信号を供給し、これによりスイッチ
SW1が閉成される構成とされている。スイッチSW1
が閉成されることにより、抵抗R1は磁気抵抗素子32
に接続され、よって磁気抵抗素子32とブリッジ回路を
構成する抵抗は抵抗R0とR1となる。従って、磁気抵
抗素子32とブリッジ回路を構成する抵抗の合成抵抗値
は(R0×R1)/(R0+R1)となり、スイッチS
W1閉成まえの抵抗値と異なる抵抗値となる。
The voltage value at the connection point 34 sampled by the sample-and-hold circuit 41 is calculated by each comparator COM.
It is supplied to P1 to COMP4. Each comparator COM
P1 to COMP4 have different threshold values, and when the voltage value of the connection point 34 supplied from the sample and hold circuit 41 is within the threshold value range, a comparator to which the threshold value is set (provisionally, Assuming that the comparator that has been set is COMP1, (described below) supplies a drive signal to the switch SW1 so that the switch SW1 is closed. Switch SW1
Is closed, the resistance R1 becomes the magnetoresistive element 32.
Therefore, the resistors forming the bridge circuit with the magnetoresistive element 32 are resistors R0 and R1. Therefore, the combined resistance value of the resistors forming the magnetic resistance element 32 and the bridge circuit is (R0 × R1) / (R0 + R1), and the switch S
The resistance value is different from the resistance value before W1 is closed.

【0041】上記構成とされた抵抗値選択回路31を設
けることにより、磁気抵抗素子32の抵抗値にばらつき
があり磁気抵抗素子32と抵抗R0の値にずれがあるよ
うな場合においても、この抵抗値ずれにより発生する接
続点34の電圧変化をサンプル・ホールド回路41を介
して各コンパレータCOMP1〜COMP4が判断し、
接続点34の電圧が電源VCCの電圧値の略1/2の値と
なるよう、磁気抵抗素子32に接続する抵抗R1〜R4
を選択する。
By providing the resistance value selecting circuit 31 having the above-mentioned configuration, even when the resistance value of the magnetoresistive element 32 is varied and the values of the magnetoresistive element 32 and the resistance R0 are deviated, the resistance value of the magnetoresistive element 32 is changed. Each of the comparators COMP1 to COMP4 determines the voltage change of the connection point 34 caused by the value shift through the sample and hold circuit 41,
Resistors R1 to R4 connected to the magnetoresistive element 32 so that the voltage at the connection point 34 becomes approximately half the voltage value of the power supply V CC.
Select.

【0042】上記のように、第1実施例における直流成
分電圧制御回路14に代えて抵抗値選択回路31を設け
た構成としても、第1実施例と同様の効果を得ることが
でき、磁気抵抗素子32の抵抗値のばらつきに拘わらず
磁気抵抗素子32の端子電圧を一定に制御できるため、
高精度の回転速度検出が可能となる。
As described above, even if the resistance value selection circuit 31 is provided in place of the DC component voltage control circuit 14 in the first embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, and the magnetic resistance can be obtained. Since the terminal voltage of the magnetoresistive element 32 can be controlled to be constant regardless of variations in the resistance value of the element 32,
Highly accurate rotation speed detection is possible.

【0043】尚、上記した実施例では、直流成分電圧回
路14及び抵抗値選択回路31により磁気抵抗素子1
2,32に印加される両端電圧の値を電源VCCの電圧値
の略1/2とした構成を示したが、この両端電圧の値は
図2における抵抗R1,R2の値を適宜選定することに
より、また図7におけるCOMP1〜4の閾値の値を適
宜選定しておくことにより、任意の電圧値に設定するこ
とができる。
In the above embodiment, the magnetoresistive element 1 is constructed by the DC component voltage circuit 14 and the resistance value selection circuit 31.
Although the configuration is such that the value of the voltage across both ends applied to the terminals 2 and 32 is approximately 1/2 of the voltage value of the power supply V CC , the value of the voltage across the resistor is appropriately selected from the values of the resistors R1 and R2 in FIG. Therefore, by appropriately selecting the threshold values of COMP1 to COMP4 in FIG. 7, it is possible to set an arbitrary voltage value.

【0044】[0044]

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、直流成分電
圧制御部は磁気抵抗素子の両端部電圧変化の直流成分電
圧が電圧印加部により印加される所定電圧に対し、所定
割合の電圧となるよう直流成分電圧を制御するため、磁
気抵抗素子の初期抵抗値にばらつきがあったとしても、
磁気抵抗素子の両端部には常に電圧印加部により印加さ
れる所定電圧に対し所定割合の電圧が印加され、従って
磁気抵抗素子の初期抵抗値のばらつきに拘わらず出力電
圧の振幅中心を所定値とすることができ、常に大きな出
力電圧振幅を保つことができる等の特長を有する。
As described above, according to the present invention, the DC component voltage control unit sets the DC component voltage of the voltage change at both ends of the magnetoresistive element to a predetermined ratio to the predetermined voltage applied by the voltage applying unit. Since the DC component voltage is controlled so that even if the initial resistance value of the magnetoresistive element varies,
A voltage of a predetermined ratio to the predetermined voltage applied by the voltage applying unit is always applied to both ends of the magnetoresistive element, and therefore the amplitude center of the output voltage is set to the predetermined value regardless of the variation in the initial resistance value of the magnetoresistive element. And has a feature that a large output voltage amplitude can always be maintained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理図である。FIG. 1 is a principle diagram of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例である回転速度検出装置の
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a rotation speed detecting device that is a first embodiment of the present invention.

【図3】出力電圧とトランジスタQ2のベース電圧の電
圧波形図である。
FIG. 3 is a voltage waveform diagram of an output voltage and a base voltage of a transistor Q2.

【図4】積分回路を設けなかった場合における出力信号
を示す波形図である。
FIG. 4 is a waveform diagram showing an output signal when an integrating circuit is not provided.

【図5】積分回路を設けた場合における出力信号を示す
波形図である。
FIG. 5 is a waveform diagram showing an output signal when an integrating circuit is provided.

【図6】(A)は磁気抵抗素子に直流成分電圧制御回路
に代えて固定抵抗をブリッジ状に配設した場合における
出力波形図、(B)は本発明に係る回転速度検出装置に
よる出力波形を示す図である。
6A is an output waveform diagram when a fixed resistance is arranged in a bridge shape in place of the DC component voltage control circuit in the magnetoresistive element, and FIG. 6B is an output waveform by the rotation speed detection device according to the present invention. FIG.

【図7】本発明の第2実施例である回転速度検出装置の
回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram of a rotation speed detecting device that is a second embodiment of the present invention.

【図8】従来の回転速度検出装置の一例を説明するため
の図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining an example of a conventional rotation speed detection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,30 回転速度検出装置 11 回転体 12,32 磁気抵抗素子 13 磁石 14 直流成分電圧制御回路 15 ECU 16,19,20,34〜38 信号入力端子 17 信号入力端子 18 アース端子 21 信号取り出し端子 22 増幅器 31 抵抗値選択回路 41 サンプル・ホールド回路 10, 30 Rotational speed detection device 11 Rotating body 12, 32 Magnetoresistive element 13 Magnet 14 DC component voltage control circuit 15 ECU 16, 19, 20, 34-38 Signal input terminal 17 Signal input terminal 18 Earth terminal 21 Signal extraction terminal 22 Amplifier 31 Resistance value selection circuit 41 Sample and hold circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁界発生部と、 該磁界発生部が発生する磁束の影響を受ける位置に配設
された単一の磁気抵抗素子と、 該磁気抵抗素子と対向配設されると共に回転体に配設さ
れており、該回転体の回転速度に応じた周期で該磁気抵
抗素子に印加される磁界の磁束密度を変化させる磁束密
度変化部と、 該磁気抵抗素子に所定電圧を印加する電圧印加部とを具
備し、該磁気抵抗素子の両端部電圧変化より該回転体の
回転速度を検出する回転速度検出装置において、 上記磁気抵抗素子の両端部電圧変化の直流成分電圧が、
該電圧印加部により印加される所定電圧に対し、所定割
合の電圧となるよう該直流成分電圧を制御する直流成分
電圧制御部を設けたことを特徴とする回転速度検出装
置。
1. A magnetic field generation section, a single magnetoresistive element arranged at a position affected by a magnetic flux generated by the magnetic field generation section, and a magnetic body arranged opposite to the magnetoresistive element and on a rotating body. A magnetic flux density changing unit that is provided and changes the magnetic flux density of the magnetic field applied to the magnetoresistive element at a cycle according to the rotation speed of the rotating body, and a voltage application that applies a predetermined voltage to the magnetoresistive element. A rotation speed detecting device for detecting the rotation speed of the rotating body from the voltage change at both ends of the magnetoresistive element, wherein the DC component voltage of the voltage change at both ends of the magnetoresistive element is
A rotation speed detecting device comprising a DC component voltage control unit for controlling the DC component voltage so that the voltage has a predetermined ratio to a predetermined voltage applied by the voltage applying unit.
JP4137097A 1992-05-28 1992-05-28 Rotation speed detector Expired - Fee Related JP2990949B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4137097A JP2990949B2 (en) 1992-05-28 1992-05-28 Rotation speed detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4137097A JP2990949B2 (en) 1992-05-28 1992-05-28 Rotation speed detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05333033A true JPH05333033A (en) 1993-12-17
JP2990949B2 JP2990949B2 (en) 1999-12-13

Family

ID=15190797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4137097A Expired - Fee Related JP2990949B2 (en) 1992-05-28 1992-05-28 Rotation speed detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2990949B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2990949B2 (en) 1999-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8138752B2 (en) Rotation detection apparatus
JP4138952B2 (en) Angle sensor, position sensor and automobile
EP0642029A1 (en) A hall-voltage slope-activated sensor
JPH01224669A (en) Wheel speed sensor
JPH02222811A (en) Circuit for processing output signal from variable reluctance transducer
US3942114A (en) Speed detector and indicator for DC motors
US6232770B1 (en) Low cost single magnetoresistor position and speed sensor
US5493218A (en) Magnetic detecting apparatus with a variable voltage power supply
WO1998055834A1 (en) Rotational speed sensor
JPH05333033A (en) Rotating speed detecting apparatus
JPH0432970B2 (en)
US6205866B1 (en) Sensor arrangement for detecting changes in angle
JPH08205502A (en) Reluctance resolver
JPS58172995A (en) Load current detecting circuit
JPH04370763A (en) Speed detector
US7112959B2 (en) Comparator circuit and rotation detector
JPH06310776A (en) Magnetic detection element having failure detecting function
JPH052925B2 (en)
JP3254257B2 (en) Vibrating gyro sensor
JPS6135362A (en) Vehicle speed sensor
JP3697610B2 (en) Encoder
JPS6082918A (en) Rotation detector
JPH0645853Y2 (en) Origin signal detector
JPH053986Y2 (en)
JP2502962B2 (en) Position sensor with reference position detection function

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101015

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees