JPH05325568A - Input circuit device - Google Patents

Input circuit device

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JPH05325568A
JPH05325568A JP4158817A JP15881792A JPH05325568A JP H05325568 A JPH05325568 A JP H05325568A JP 4158817 A JP4158817 A JP 4158817A JP 15881792 A JP15881792 A JP 15881792A JP H05325568 A JPH05325568 A JP H05325568A
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JP
Japan
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circuit
input
voltage
signal
power supply
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JP4158817A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuyoshi Okamoto
一好 岡本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To match the signal levels of different voltages with each other between semiconductor integrated circuits (chip) such as LSIs which differ in operating voltage when the chips are both present. CONSTITUTION:A signal with the voltage level (signal level) of a source voltage VDD1 is inputted to an input protecting circuit 10. At this time, an n-channel transistor(TR) 13 is always ON. The signal inputted to the input protecting circuit 10 is lowered in voltage by a threshold voltage through the n-channel TR 3 and inputted to the driver circuit 11 of the following stage. Then a driver circuit 11 converts the signal into a signal having the voltage level of a source voltage VDD2. Therefore, a voltage converting circuit need not be used to match the signal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、MIS半導体集積回
路装置(metel insulatorsemico
nductor circuite)等の半導体集積回
路の入力回路に関し、特に、ある電圧レベルをもつ信号
を他の電圧レベルをもつ信号に電圧変換する入力回路装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a MIS semiconductor integrated circuit device (metel insulator semiconductor).
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an input circuit of a semiconductor integrated circuit such as an n.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近のMIS半導体集積回路等の半導体
集積回路では、高集積回路化の要求に伴って、LSIの
微細化の開発が進むとともに、LSIの低電圧化の開発
も進んでいる。この様な現状では、例えば5V動作系チ
ップ回路と3V動作系チップ回路の2つの電源系のチッ
プ回路が、LSIのシステム中に混在するような場合が
あり、電源電圧の異なるチップ回路間で信号間の信号レ
ベル(電圧レベル)の整合をとるために、電圧レベルの
変換ができる電圧変換回路を、SSI(small s
cale integration)又はMSI(me
dium scale circuite)で半導体集
積回路上に設ける必要があった。この様子を具体的に示
しているのが図5である。図5において、50,54は
5V動作系回路、50,53はSSIやMSIからなる
電圧変換回路、52は3V(3.3V)動作回路(LS
I)である。次に、図6は従来のMIS半導体集積回路
装置で一般的に使用されている入力回路を示す回路図で
ある。図6において、10はダイオードD1,D2と抵
抗R1とから構成される入力保護回路、11は2段のイ
ンバータから構成されるドライバ回路、VDD1は電源
電圧である。
2. Description of the Related Art In recent semiconductor integrated circuits such as MIS semiconductor integrated circuits, the miniaturization of LSIs has been developed along with the demand for higher integrated circuits, and the development of low voltage LSIs has also been advanced. In such a current situation, for example, two power supply system chip circuits, that is, a 5V operation system chip circuit and a 3V operation system chip circuit may coexist in an LSI system, and a signal between chip circuits having different power supply voltages may be transmitted. In order to match the signal level (voltage level) between the two, a voltage conversion circuit capable of converting the voltage level is provided with an SSI (small s)
call integration) or MSI (me
It has been necessary to provide it on a semiconductor integrated circuit by a double scale circuit. FIG. 5 specifically shows this state. In FIG. 5, 50 and 54 are 5V operation circuits, 50 and 53 are voltage conversion circuits composed of SSI and MSI, and 52 is a 3V (3.3V) operation circuit (LS).
I). Next, FIG. 6 is a circuit diagram showing an input circuit generally used in a conventional MIS semiconductor integrated circuit device. In FIG. 6, 10 is an input protection circuit composed of diodes D1 and D2 and a resistor R1, 11 is a driver circuit composed of two stages of inverters, and VDD1 is a power supply voltage.

【0003】次に、この従来例の動作について説明す
る。入力保護回路I0の入力端子(in)に“H”の電
圧レベルの信号が入力されると、この信号はドライバ回
路11を介して出力端子(out)に出力される。この
とき、ドライバ回路11では、この回路を構成する上段
のインバータ(Pチャネルトランジスタよりなる。)が
オンするため、電源電圧VDD1の電圧レベルの信号が
出力される。また、同様にして、入力保護回路10の入
力端子(in)に“L”の電圧レベルの信号が入力され
た場合には、ドライバ回路11の出力端子(out)に
はグランドレベルである“L”信号が出力される。した
がって、このドライバ回路から電源電圧VDD1と異な
る電源電圧の回路に信号を出力するのに、図5で示すよ
うな電圧変換回路51,54が必要となる。
Next, the operation of this conventional example will be described. When a signal of "H" voltage level is input to the input terminal (in) of the input protection circuit I0, this signal is output to the output terminal (out) via the driver circuit 11. At this time, in the driver circuit 11, since the upper inverter (comprising a P-channel transistor) forming this circuit is turned on, a signal at the voltage level of the power supply voltage VDD1 is output. Similarly, when a signal of "L" voltage level is input to the input terminal (in) of the input protection circuit 10, the output terminal (out) of the driver circuit 11 is at the ground level "L". "Signal is output. Therefore, in order to output a signal from this driver circuit to a circuit having a power supply voltage different from the power supply voltage VDD1, the voltage conversion circuits 51 and 54 as shown in FIG. 5 are required.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のMIS半導体集
積回路の入力回路は、以上のように構成されているの
で、電源電圧の異なる回路間で信号のやりとりをする場
合や電源電圧の異なるシステム中でLSIの回路を使用
する場合には、電圧レベルの信号の整合をとるために、
外部回路とLSIの回路との間に図5で示す電圧変換回
路51,54を設ける必要がある。このため、半導体集
積回路のシステムにおける集積度が低下し、製造のコス
トも高くなる問題点がある。
Since the input circuit of the conventional MIS semiconductor integrated circuit is configured as described above, when exchanging signals between circuits having different power supply voltages or in a system having different power supply voltages. When using the LSI circuit in, in order to match the voltage level signal,
It is necessary to provide the voltage conversion circuits 51 and 54 shown in FIG. 5 between the external circuit and the LSI circuit. Therefore, there is a problem that the integration degree in the system of the semiconductor integrated circuit is lowered and the manufacturing cost is increased.

【0005】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、電圧変換回路等の特別な回路
を設けることなく、電源電圧の異なる回路間で信号の電
圧変換ができる入力回路装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and an input capable of voltage conversion of a signal between circuits having different power supply voltages without providing a special circuit such as a voltage conversion circuit. An object is to provide a circuit device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この第1の発明に係る入
力回路装置では、図1で示すように、第1の電源VDD
1とアースとの間に接続された直列接続の2個のダイオ
ードD1,D2と、両ダイオードの間に一端が接続され
た第1の抵抗R1とを備え、上記両ダイオードの間に入
力信号が入力され、出力信号が上記第1の抵抗の他端よ
り送出される入力保護回路10と、被駆動回路を電圧駆
動するドライバ回路11とを備える入力回路装置におい
て、上記第1の電源の電圧よりも低い電圧を上記ドライ
バ回路に供給する第2の電源VDD2と、上記第1の電
源に接続された制御端子を有し、オン状態となったとき
に上記入力保護回路の出力信号を電圧降下分だけ降下さ
せ、降下させた出力信号を上記ドライバ回路に入力する
ことにより、上記出力信号を上記第2の電源と同じ電圧
レベルをもつ信号に電圧変換させるスイッチング半導体
素子(nチャネルトランジスタ13)とを備えた。
In the input circuit device according to the first aspect of the present invention, as shown in FIG.
1 and a grounded two diodes D1 and D2 connected in series, and a first resistor R1 having one end connected between the two diodes, and an input signal is applied between the two diodes. In an input circuit device including an input protection circuit 10 that receives an input signal and outputs an output signal from the other end of the first resistor, and a driver circuit 11 that drives a driven circuit by voltage, Has a second power supply VDD2 that supplies a low voltage to the driver circuit, and a control terminal connected to the first power supply, and outputs the output signal of the input protection circuit when it is turned on by a voltage drop amount. Switching semiconductor element (n-channel) for converting the output signal into a signal having the same voltage level as that of the second power source by inputting the output signal into the driver circuit. With a transistor 13) and.

【0007】この第2の発明に係る入力回路装置では、
図1で示すように、上記入力保護回路と上記ドライバ回
路とを備える入力回路装置において、上記第1の電源の
電圧よりも低い電圧を上記ドライバ回路に供給する第2
の電源VDD2と、この第2の電源に接続された制御端
子を有し、オン状態となったときに上記入力保護回路の
出力信号を電圧降下分だけ降下させ、この降下させた出
力信号を上記ドライバ回路に入力することにより、上記
出力信号を上記第2の電源と同じ電圧レベルをもつ信号
に電圧変換させるスイッチング半導体素子(nチャネル
トランジスタ13)とを備えた。
In the input circuit device according to the second invention,
As shown in FIG. 1, in an input circuit device including the input protection circuit and the driver circuit, a second voltage that is lower than the voltage of the first power source is supplied to the driver circuit.
Power supply VDD2 and a control terminal connected to this second power supply, and when it is turned on, the output signal of the input protection circuit is dropped by a voltage drop, and the dropped output signal is A switching semiconductor element (n-channel transistor 13) for converting the output signal into a signal having the same voltage level as the second power source by inputting the output signal to the driver circuit is provided.

【0008】この第3の発明に係る入力回路装置では、
図3で示すように、第1の電源VDD1とアースとの間
で接続された直列接続の2個のダイオードD1,D2
と、両ダイオードの間に一端が接続された第1の抵抗R
1とを備え、上記両ダイオードの間に入力信号が入力さ
れ、出力信号が上記第1の抵抗の他端より送出される入
力保護回路10と、被駆動回路を電圧駆動する第1のド
ライバ回路11とを備える入力回路装置において、上記
第1の電源の電圧よりも低い電圧を上記第1のドライバ
回路に供給する第2の電源VDD2と、上記入力保護回
路の出力信号を上記第1の電源の電圧レベルをもつ信号
に変換して送出する第2のドライバ回路12と、上記第
1の電源と接続された制御端子を有し、オン状態となっ
たときに上記第2のドライバ回路の出力信号を電圧降下
分だけ降下させ、この降下させた出力信号を上記第1の
ドライバ回路に出力することにより、上記出力信号を上
記第2の電源と同じ電圧レベルをもつ信号に電圧変換さ
せるスイッチング半導体素子(nチャネルトランジスタ
13)とを備えた。
In the input circuit device according to the third invention,
As shown in FIG. 3, two diodes D1 and D2 connected in series between the first power supply VDD1 and ground.
And a first resistor R having one end connected between both diodes
And an input protection circuit 10 in which an input signal is input between the diodes and an output signal is sent from the other end of the first resistor, and a first driver circuit for driving the driven circuit by voltage. And a second power supply VDD2 for supplying a voltage lower than the voltage of the first power supply to the first driver circuit, and an output signal of the input protection circuit for the first power supply. A second driver circuit 12 which converts the signal to a signal having a voltage level of 1 and outputs the signal, and a control terminal connected to the first power source, and outputs the second driver circuit when turned on. Switching for dropping the signal by a voltage drop and outputting the dropped output signal to the first driver circuit to convert the output signal into a signal having the same voltage level as the second power supply. And a conductive element (n-channel transistor 13).

【0009】この第4の発明に係る入力回路装置では、
図3で示すように、上記入力保護回路と上記ドライバ回
路とを備える入力回路装置において、上記第1の電源の
電圧よりも低い電圧を上記第1のドライバ回路に供給す
る第2の電源と、上記入力保護回路の出力信号を上記第
1の電源の電圧レベルをもつ信号に変換して送出する第
2のドライバ回路12と、上記第2の電源と接続された
制御端子を有し、オン状態となったときに上記第2のド
ライバ回路の出力信号を電圧降下分だけ降下させ、この
降下させた出力信号を上記第1のドライバ回路に出力す
ることにより、上記出力信号を上記第2の電源と同じ電
圧レベルをもつ信号に電圧変換させるスイッチング半導
体素子(nチャネルトランジスタ13)とを備えた。
In the input circuit device according to the fourth invention,
As shown in FIG. 3, in an input circuit device including the input protection circuit and the driver circuit, a second power supply that supplies a voltage lower than the voltage of the first power supply to the first driver circuit, It has a second driver circuit 12 for converting the output signal of the input protection circuit into a signal having the voltage level of the first power supply and sending it out, and a control terminal connected to the second power supply, and is in an ON state. Then, the output signal of the second driver circuit is dropped by a voltage drop, and the dropped output signal is output to the first driver circuit to output the output signal to the second power supply. And a switching semiconductor element (n-channel transistor 13) for converting a voltage to a signal having the same voltage level as the above.

【0010】この第5の発明に係る入力回路装置では、
図4で示すように、第1の電源VDD1とアースとの間
で接続された直列接続の2個のダイオードD1,D2
と、両ダイオードの間に一端が接続された第1の抵抗R
1とを備え、上記両ダイオードの間に入力信号が入力さ
れ、出力信号が上記第1の抵抗の他端より送出される入
力保護回路10と、被駆動回路を電圧駆動するドライバ
回路11とを備える入力回路装置において、上記第1の
電源の電圧を上記被駆動回路に供給する第2の電源VD
D2と、上記第1の電源と接続された制御端子を有し、
オン状態となったときに上記ドライバ回路の出力信号を
電圧降下分だけ降下させ、この降下させた出力信号を上
記被駆動回路に出力することにより、上記出力信号を上
記第2の電源の電圧と同じ電圧レベルをもつ信号に電圧
変換させるスイッチング半導体素子(nチャネルトラン
ジスタ13)とを備えた。
In the input circuit device according to the fifth invention,
As shown in FIG. 4, two diodes D1 and D2 connected in series between the first power supply VDD1 and ground.
And a first resistor R having one end connected between both diodes
1, an input signal is input between the diodes, and an output signal is sent from the other end of the first resistor, and an input protection circuit 10 and a driver circuit 11 for driving the driven circuit by voltage. An input circuit device comprising: a second power supply VD for supplying the voltage of the first power supply to the driven circuit.
D2 and a control terminal connected to the first power source,
When turned on, the output signal of the driver circuit is dropped by a voltage drop, and the dropped output signal is output to the driven circuit, so that the output signal becomes the voltage of the second power supply. A switching semiconductor element (n-channel transistor 13) for converting a voltage to a signal having the same voltage level is provided.

【0011】この第6の発明に係る入力回路装置では、
図4で示すように、上記入力保護回路と上記ドライバ回
路とを備える入力回路装置において、上記第1の電源の
電圧を上記被駆動回路に供給する第2の電源VDD2
と、この第2の電源と接続された制御端子を有し、オン
状態となったときに上記ドライバ回路の出力信号を電圧
降下分だけ降下させ、この降下させた出力信号を上記被
駆動回路に出力することにより、上記出力信号を上記第
2の電源の電圧と同じ電圧レベルをもつ信号に電圧変換
させるスイッチング半導体素子(nチャネルトランジス
タ13)とを備えた。
In the input circuit device according to the sixth invention,
As shown in FIG. 4, in the input circuit device including the input protection circuit and the driver circuit, the second power supply VDD2 that supplies the voltage of the first power supply to the driven circuit.
And a control terminal connected to the second power source, and when it is turned on, the output signal of the driver circuit is dropped by a voltage drop, and the dropped output signal is sent to the driven circuit. A switching semiconductor element (n-channel transistor 13) for converting the output signal into a signal having the same voltage level as the voltage of the second power source by outputting the voltage is provided.

【0012】[0012]

【作用】この第1の発明による入力回路装置では、入力
保護回路10の抵抗R1を介して電源電圧VDD1の電
圧レベルをもつ信号が入力され、スイッチング半導体素
子(nチャネルトランジスタ13)で電圧降下分(スレ
ッショルド電圧分)だけ降下されて、ドライバ回路11
に入力される。そして、ドライバ回路11から電源電圧
VDD2の電圧レベルをもつ信号として出力される。こ
の結果、電源電圧VDD1の電圧レベルの信号が電源電
圧VDD2の電圧レベルの信号に、上記スイッチング半
導体素子が少なくとも1個で可能となり、従来のような
電圧変換回路の必要がなくなる。尚、上記スイッチング
半導体素子は常時オン状態となる。
In the input circuit device according to the first aspect of the present invention, the signal having the voltage level of the power supply voltage VDD1 is input through the resistor R1 of the input protection circuit 10, and the switching semiconductor element (n-channel transistor 13) causes a voltage drop. (Threshold voltage), the driver circuit 11
Entered in. Then, the signal is output from the driver circuit 11 as a signal having the voltage level of the power supply voltage VDD2. As a result, the signal of the voltage level of the power supply voltage VDD1 can be converted into the signal of the voltage level of the power supply voltage VDD2 by at least one of the switching semiconductor elements, which eliminates the need for the conventional voltage conversion circuit. The switching semiconductor element is always on.

【0013】この第2の発明による入力回路装置では、
上記スイッチング半導体素子の制御端子を、第1の電源
ではなく第2の電源と接続して第1の発明と同じ動作を
行わせた。
In the input circuit device according to the second invention,
The control terminal of the switching semiconductor element was connected to the second power source instead of the first power source to perform the same operation as that of the first invention.

【0014】この第3の発明による入力回路装置では、
入力保護回路10の抵抗R1を介して第2のドライバ回
路に小さな電圧レベルをもつ信号が入力され、電源電圧
VDD1の電圧レベルをもつ信号に変換される。この電
源電圧VDD1の電圧レベルの信号は、スイッチング半
導体素子(nチャネルトランジスタ13)で電圧降下分
(スレッショルド電圧分)だけ降下され、第1のドライ
バ回路に入力される。そして、電源電圧VDD2の電圧
レベルをもつ信号として出力される。この結果、電源電
圧VDD1の電圧レベルの信号が電源電圧VDD2の電
圧レベルの信号に電圧変換される。尚、上記スイッチン
グ半導体素子は常時オン状態となる。
In the input circuit device according to the third invention,
A signal having a small voltage level is input to the second driver circuit via the resistor R1 of the input protection circuit 10 and converted into a signal having a voltage level of the power supply voltage VDD1. The voltage level signal of the power supply voltage VDD1 is dropped by the switching semiconductor element (n-channel transistor 13) by a voltage drop (threshold voltage) and input to the first driver circuit. Then, it is output as a signal having the voltage level of the power supply voltage VDD2. As a result, the voltage level signal of the power supply voltage VDD1 is converted into a voltage level signal of the power supply voltage VDD2. The switching semiconductor element is always on.

【0015】この第4の発明による入力回路装置では、
上記スイッチング半導体素子の制御端子を、第1の電源
ではなく第2の電源と接続して第3の発明の動作と同じ
動作を行わせた。
In the input circuit device according to the fourth aspect of the present invention,
The control terminal of the switching semiconductor element was connected to the second power source instead of the first power source to perform the same operation as that of the third invention.

【0016】この第5の発明による入力回路装置では、
ドライバ回路11から電源電圧VDD1の電圧レベルを
もつ信号がスイッチング半導体素子(nチャネルトラン
ジスタ13)に入力され、このスイッチング半導体素子
で電圧降下分(スレッショルド電圧分)だけ降下され、
被駆動回路に入力される。この結果、電源電圧VDD1
の電圧レベルをもつ信号が電源電圧VDD2の電圧レベ
ルをもつ信号に電圧変換される。もちろん、上記スイッ
チング半導体素子は常時オン状態となる。
In the input circuit device according to the fifth aspect of the present invention,
A signal having the voltage level of the power supply voltage VDD1 is input from the driver circuit 11 to the switching semiconductor element (n-channel transistor 13) and dropped by this switching semiconductor element by a voltage drop (threshold voltage).
It is input to the driven circuit. As a result, the power supply voltage VDD1
The signal having the voltage level of is converted into a signal having the voltage level of the power supply voltage VDD2. Of course, the switching semiconductor element is always on.

【0017】この第6の発明による入力回路装置では、
上記スイッチング半導体素子の制御端子を、第1の電源
ではなく第2の電源と接続して第5の発明と同じ動作を
行わせた。
In the input circuit device according to the sixth aspect of the present invention,
The control terminal of the switching semiconductor element was connected to the second power source instead of the first power source to perform the same operation as that of the fifth invention.

【0018】[0018]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は、この第1の発明の一実施例(実施例1)
を示す入力回路装置の回路図である。図1において、1
0は抵抗R1と2個のダイオードD1,D2から構成さ
れる入力保護回路、11はドライバ回路、13はスイッ
チング半導体素子としてのnチャネルトランジスタであ
る。尚、従来例(図6)と同じ機能の部分には同じ符号
を付している。入力保護回路10では、2個のダイオー
ドD1,D2が同じ方向に直列接続され、ダイオードD
1のカソードが電源電圧VDD1と接続され、ダイオー
ドD2のアノードがグランド(アース)と接続されてい
る。nチャネルトランジスタ13は、入力側が入力保護
回路10の抵抗R1の一端と接続され、出力側がドライ
バ回路11の入力側(接続点1a)と接続されている。
また、nチャネルトランジスタ13の制御端子としての
ゲートは、電源電圧VDD1及びダイオードD1のカソ
ードと接続されている。また、ドライバ回路11は電源
電圧VDD2とグランド間に接続され、出力側が出力端
子(out)に接続されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment (embodiment 1) of the first invention.
3 is a circuit diagram of the input circuit device showing FIG. In FIG. 1, 1
Reference numeral 0 is an input protection circuit including a resistor R1 and two diodes D1 and D2, 11 is a driver circuit, and 13 is an n-channel transistor as a switching semiconductor element. In addition, the same reference numerals are given to portions having the same functions as those of the conventional example (FIG. 6). In the input protection circuit 10, two diodes D1 and D2 are connected in series in the same direction,
The cathode of 1 is connected to the power supply voltage VDD1, and the anode of the diode D2 is connected to the ground (earth). The input side of the n-channel transistor 13 is connected to one end of the resistor R1 of the input protection circuit 10, and the output side thereof is connected to the input side (connection point 1a) of the driver circuit 11.
The gate as a control terminal of the n-channel transistor 13 is connected to the power supply voltage VDD1 and the cathode of the diode D1. The driver circuit 11 is connected between the power supply voltage VDD2 and the ground, and the output side is connected to the output terminal (out).

【0019】nチャネルトランジスタ13は、電源電圧
VDD1と接続されているため、常時はオン状態であ
る。このnチャネルトランジスタの入力側に、例えば図
2で示すような信号が入力されると(図2のin)、ス
レッショルド電圧VTH分だけ電圧降下され(図2の1
a)、ドライバ回路から出力される(図2のout)。
このように、この実施例では、“L”電位はそのまま伝
えるが、“H”電位はトランジスタのスレッショルド電
圧分だけ電圧降下する性質を利用した。また、電源電圧
VDD2は、スレッショルド電圧をVTHとすれば、以
下の式1)で決める。 VDD2=VDD1−VTH…1) このスレッショルド電圧VTHについては、チャネルド
ープ量を変えることにより、変えることができる。
Since the n-channel transistor 13 is connected to the power supply voltage VDD1, it is normally on. When a signal as shown in FIG. 2 is input to the input side of the n-channel transistor (in in FIG. 2), the voltage is lowered by the threshold voltage VTH (1 in FIG. 2).
a), output from the driver circuit (out in FIG. 2).
As described above, in this embodiment, the "L" potential is transmitted as it is, but the "H" potential is lowered by the threshold voltage of the transistor. Further, the power supply voltage VDD2 is determined by the following equation 1), where the threshold voltage is VTH. VDD2 = VDD1-VTH ... 1) This threshold voltage VTH can be changed by changing the channel doping amount.

【0020】次に、この実施例の動作について説明す
る。電圧保護回路10では、入力端子inから、例えば
図2のような電源電圧VDD1=5Vの電圧レベルをも
つ信号が入力され、nチャネルトランジスタ13の入力
側に出力される。このnチャネルトランジスタ13はゲ
ートが電源電圧VDD1と接続されているために、常時
オン状態となり、スレッショルド電圧VTH=2V分だ
け電圧降下して、ドライバ回路11に電圧降下した信号
(図2の1a)を出力する。ドライバ回路11は、その
電圧降下した電源電圧VDD2=3Vの電圧レベルをも
つ信号を出力端子outに出力する。この結果、電源電
圧VDD1の電圧レベルをもつ信号を電源電圧VDD2
の電圧レベルをもつ信号に電圧変換できる。
Next, the operation of this embodiment will be described. In the voltage protection circuit 10, for example, a signal having a voltage level of the power supply voltage VDD1 = 5V as shown in FIG. 2 is input from the input terminal in and output to the input side of the n-channel transistor 13. Since the gate of the n-channel transistor 13 is connected to the power supply voltage VDD1, the n-channel transistor 13 is always in the ON state, the voltage drops by the threshold voltage VTH = 2V, and the voltage drops in the driver circuit 11 (1a in FIG. 2). Is output. The driver circuit 11 outputs the signal having the voltage level of the lowered power supply voltage VDD2 = 3V to the output terminal out. As a result, a signal having the voltage level of the power supply voltage VDD1 is transferred to the power supply voltage VDD2.
The voltage can be converted into a signal having a voltage level of.

【0021】次に、この第2の発明の実施例(実施例
2)を説明する。この実施例2では、図1で示すよう
に、nチャネルトランジスタ13のゲート及び入力保護
回路10を電源電圧VDD2に接続した(図1では
( )の中に示している。)。尚、他の構成,動作につ
いては、スレッショルド電圧VTHを零で使用する以
外、実施例1と同じであるため説明を省略する。
Next, an embodiment (embodiment 2) of the second invention will be described. In the second embodiment, as shown in FIG. 1, the gate of the n-channel transistor 13 and the input protection circuit 10 are connected to the power supply voltage VDD2 (indicated by () in FIG. 1). Note that the other configurations and operations are the same as those in the first embodiment except that the threshold voltage VTH is set to zero, and thus the description thereof is omitted.

【0022】次に、この第3の発明の実施例を説明す
る。図3は、この第3の発明の実施例(実施例3)を示
す入力回路装置の回路図である。図3において、12は
第2のドライバ回路としてのドライバ回路である。ドラ
イバ回路12では、Pチャネルトランジスタ12aとn
チャネルトランジスタ12bとが直列接続され、pチャ
ネルトランジスタ12aの一端が電源電圧VDD1と接
続され、nチャネルトランジスタ12bの一端がグラン
ドに接続されている。nチャネルトランジスタ13は、
入力側がドライバ回路12の出力側と接続され、その出
力側がドライバ回路11の入力側と接続されている。ま
た、ドライバ回路11は、実施例1と同じものであり、
その内部も示しており、Pチャネルトランジスタ11a
とnチャネルトランジスタ11bから構成され、電源電
圧VDD2とドランドとの間に接続されている。小さい
電圧レベルの信号は、ドライバ回路12に入力されて電
源電圧VDD1の電圧レベルをもつ信号に変換され、さ
らにドライバ回路11で電源電圧VDD2の電圧レベル
をもつ信号に変換される。尚、他の構成,動作について
は上記実施例と同じであるため省略する。
Next, an embodiment of the third invention will be described. FIG. 3 is a circuit diagram of an input circuit device showing an embodiment (embodiment 3) of the third invention. In FIG. 3, reference numeral 12 is a driver circuit as a second driver circuit. In the driver circuit 12, the P-channel transistors 12a and n
The channel transistor 12b is connected in series, one end of the p-channel transistor 12a is connected to the power supply voltage VDD1, and one end of the n-channel transistor 12b is connected to the ground. The n-channel transistor 13 is
The input side is connected to the output side of the driver circuit 12, and the output side is connected to the input side of the driver circuit 11. The driver circuit 11 is the same as that of the first embodiment,
The inside of the P-channel transistor 11a is also shown.
And n-channel transistor 11b, and is connected between the power supply voltage VDD2 and the drain. A signal having a small voltage level is input to the driver circuit 12, converted into a signal having the voltage level of the power supply voltage VDD1, and further converted into a signal having the voltage level of the power supply voltage VDD2 in the driver circuit 11. The rest of the configuration and operation are the same as those in the above embodiment, and will not be described.

【0023】次に、この第4の発明の実施例(実施例
4)を説明する。この実施例4では、図3で示すよう
に、nチャネルトランジスタ13のゲート及びドライバ
回路12を電源電圧VDD2と接続した(図3では
( )の中に示している。)。尚、他の構成,動作につ
いては、スレッショルド電圧VTHを零として電圧降下
をなくする以外、実施例3と同じであるため説明を省略
する。
Next, an embodiment (fourth embodiment) of the fourth invention will be described. In the fourth embodiment, as shown in FIG. 3, the gate of the n-channel transistor 13 and the driver circuit 12 are connected to the power supply voltage VDD2 (indicated by () in FIG. 3). The other configurations and operations are the same as those in the third embodiment except that the threshold voltage VTH is set to zero to eliminate the voltage drop, and therefore the description thereof will be omitted.

【0024】次に、この第5の発明の実施例について説
明する。図4は、この第5の発明の実施例(実施例5)
を示す入力回路装置の回路図である。図4において、4
0は被駆動回路としての内部回路であり、この実施例5
では、nチャネルトランジスタ13をドライバ回路11
とLSI等の内部回路との間に設けた。nチャネルトラ
ンジスタ13は、そのゲートが電源電圧VDD1と接続
され、その入力側がドライバ回路11の出力側と接続さ
れ、その出力側が内部回路40の入力側と接続されてい
る。また、内部回路40は電源電圧VDD2とグランド
との間に接続されている。他の構成,動作については上
記実施例1〜4と同じであるため説明を省略する。
Next, an embodiment of the fifth invention will be described. FIG. 4 shows an embodiment (embodiment 5) of the fifth invention.
3 is a circuit diagram of the input circuit device showing FIG. In FIG. 4, 4
Reference numeral 0 denotes an internal circuit as a driven circuit, which is the fifth embodiment.
Then, the n-channel transistor 13 is connected to the driver circuit 11
And an internal circuit such as an LSI. The gate of the n-channel transistor 13 is connected to the power supply voltage VDD1, its input side is connected to the output side of the driver circuit 11, and its output side is connected to the input side of the internal circuit 40. The internal circuit 40 is connected between the power supply voltage VDD2 and the ground. The rest of the configuration and operation are the same as those of the above-mentioned first to fourth embodiments, and therefore their explanations are omitted.

【0025】次に、この第6の発明の実施例(実施例
6)について説明する。この実施例6では、図4で示す
ように、nチャネルトランジスタ13のゲート及びドラ
イバ回路11を電源電圧VDD2と接続した(図4では
( )の中に示している。)。尚、他の構成,動作につ
いては、スレッショルド電圧VTHを零として電圧降下
をなくする以外、実施例5と同じであるため説明を省略
する。
Next, an embodiment (sixth embodiment) of the sixth invention will be described. In the sixth embodiment, as shown in FIG. 4, the gate of the n-channel transistor 13 and the driver circuit 11 are connected to the power supply voltage VDD2 (indicated by () in FIG. 4). Note that the other configurations and operations are the same as those in the fifth embodiment except that the threshold voltage VTH is set to zero to eliminate the voltage drop, and thus the description thereof will be omitted.

【0026】[0026]

【発明の効果】この第1,第2の発明によれば、入力保
護回路とドライバ回路との間にスイッチング半導体素子
を設ける構成としたため、少ない構成部品による電圧変
換が可能となり、LSI等のシステムの集積度を向上さ
せるとともに製造コストを低くできる効果がある。
According to the first and second aspects of the present invention, since the switching semiconductor element is provided between the input protection circuit and the driver circuit, it is possible to perform voltage conversion with a small number of components, and a system such as an LSI is provided. It is possible to improve the degree of integration and reduce the manufacturing cost.

【0027】この第3,第4の発明によれば、第1のド
ライバ回路と第2のドライバ回路との間にスイッチング
素子を設ける構成としたため、第1,第2の発明の効果
に加えて、小さな電圧レベルの信号でも取り扱える効果
がある。
According to the third and fourth inventions, since the switching element is provided between the first driver circuit and the second driver circuit, in addition to the effects of the first and second inventions. There is an effect that even a signal with a small voltage level can be handled.

【0028】この第5,第6の発明によれば、ドライバ
回路と内部回路との間にスイッチング素子を設ける構成
としたため、第1,第2の発明の効果に加えて、このよ
うな構成をもつ入力回路に適用できる効果がある。
According to the fifth and sixth aspects of the invention, since the switching element is provided between the driver circuit and the internal circuit, in addition to the effects of the first and second aspects of the invention, such a configuration is provided. There is an effect that can be applied to the input circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この第1の発明の一実施例を示す入力回路装置
の回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of an input circuit device showing an embodiment of the first invention.

【図2】図1の装置の各部における動作を示す波形図で
ある。
FIG. 2 is a waveform diagram showing the operation of each part of the apparatus shown in FIG.

【図3】この第3の発明の一実施例を示す入力回路装置
の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of an input circuit device showing an embodiment of the third invention.

【図4】この第5の発明の一実施例を示す入力回路装置
の回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram of an input circuit device showing an embodiment of the fifth invention.

【図5】従来の技術における電圧変換回路を有する半導
体集積回路装置のシステムの概要図である。
FIG. 5 is a schematic diagram of a system of a semiconductor integrated circuit device having a voltage conversion circuit according to a conventional technique.

【図6】図5の装置内の入力回路を示す回路図である。6 is a circuit diagram showing an input circuit in the apparatus of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 入力保護回路 11,12 ドライバ回路 13 nチャネルトランジスタ 40 内部回路 VDD1,VDD2 電源電圧 10 Input Protection Circuit 11, 12 Driver Circuit 13 n-Channel Transistor 40 Internal Circuit VDD1, VDD2 Power Supply Voltage

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年10月5日[Submission date] October 5, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0001[Correction target item name] 0001

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、MIS半導体集積回
路装置(metal insulatorsemico
nductor circuit)等の半導体集積回路
の入力回路に関し、特に、ある電圧レベルをもつ信号を
他の電圧レベルをもつ信号に電圧変換する入力回路装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention This invention relates to a MIS semiconductor integrated circuit device ( metal insulator circuit).
relates an input circuit of a semiconductor integrated circuit nductor circuit) or the like, particularly, it relates to an input circuit device for a voltage converting a signal having a certain voltage level to a signal with other voltage levels.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0002[Name of item to be corrected] 0002

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0002】[0002]

【従来の技術】最近のMIS半導体集積回路等の半導体
集積回路では、高集積回路化の要求に伴って、LSIの
微細化の開発が進むとともに、LSIの低電圧化の開発
も進んでいる。この様な現状では、例えば5V動作系
SIと3V動作系LSIの2つの電源系のLSIが、
ステム中に混在するような場合があり、電源電圧の異な
LSI間で信号の電圧レベルの整合をとるために、電
圧レベルの変換ができる電圧変換回路を、SSI(sm
all scale integration)又はM
SI(medium scale integrati
on)でシステム中に設ける必要があった。この様子を
具体的に示しているのが図5である。図5において、5
0,54は5V動作系回路、51,53は電圧変換回
路、52は3V(3.3V)動作回路(LSI)であ
る。次に、図6は従来のMIS半導体集積回路装置で一
般的に使用されている入力回路を示す回路図である。図
6において、10はダイオードD1,D2と抵抗R1と
から構成される入力保護回路、11は2段のインバータ
から構成されるドライバ回路、VDD1は電源電圧であ
る。
2. Description of the Related Art In recent semiconductor integrated circuits such as MIS semiconductor integrated circuits, the miniaturization of LSIs has been developed along with the demand for higher integrated circuits, and the development of low voltage LSIs has also been advanced. Under such a current situation, for example, 5V operation system L
In some cases , two power supply type LSIs , SI and 3V operation type LSIs , may coexist in the system, and the voltage level can be converted in order to match the signal voltage level between LSIs having different power supply voltages. The voltage conversion circuit is changed to SSI (sm
all scale integration) or M
SI (medium scale integral)
on ) had to be provided in the system . FIG. 5 specifically shows this state. In FIG. 5, 5
0.54 is 5V operation system circuit, 51, 53 voltage conversion circuit, 52 is 3V (3.3V) operation circuit (LSI). Next, FIG. 6 is a circuit diagram showing an input circuit generally used in a conventional MIS semiconductor integrated circuit device. In FIG. 6, 10 is an input protection circuit composed of diodes D1 and D2 and a resistor R1, 11 is a driver circuit composed of two stages of inverters, and VDD1 is a power supply voltage.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0003[Name of item to be corrected] 0003

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0003】次に、この従来例の動作について説明す
る。入力保護回路10の入力端子(in)に“H”の電
圧レベルの信号が入力されると、この信号はドライバ回
路11を介して出力端子(out)に出力される。この
とき、ドライバ回路11では、この回路を構成するPチ
ャネルトランジスタがオンするため、電源電圧VDD1
の電圧レベルの信号が出力される。また、同様にして、
入力保護回路10の入力端子(in)に“L”の電圧レ
ベルの信号が入力された場合には、ドライバ回路11の
出力端子(out)にはグランドレベルである“L”信
号が出力される。したがって、このドライバ回路から電
源電圧VDD1と異なる電源電圧の回路に信号を出力す
るのに、図5で示すような電圧変換回路51,54が必
要となる。
Next, the operation of this conventional example will be described. When a signal of “H” voltage level is input to the input terminal (in) of the input protection circuit 10 , this signal is output to the output terminal (out) via the driver circuit 11. At this time, in the driver circuit 11, the P circuit that constitutes this circuit is
Since the channel transistor is turned on, the power supply voltage VDD1
The signal of the voltage level of is output. In the same way,
When a signal having a voltage level of “L” is input to the input terminal (in) of the input protection circuit 10, a “L” signal that is a ground level is output to the output terminal (out) of the driver circuit 11. .. Therefore, in order to output a signal from this driver circuit to a circuit having a power supply voltage different from the power supply voltage VDD1, the voltage conversion circuits 51 and 54 as shown in FIG. 5 are required.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0004[Correction target item name] 0004

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のMIS半導体集
積回路の入力回路は、以上のように構成されているの
で、電源電圧の異なるLSI間で信号のやりとりをする
場合は、信号の電圧レベルの整合をとるために、LSI
とLSIとの間に図5で示す電圧変換回路51,53
設ける必要がある。このため、LSIで構成されるシス
テムの集積度が低下し、製造のコストも高くなる問題点
がある。
Since the input circuit of the conventional MIS semiconductor integrated circuit is configured as described above , signals are exchanged between LSIs having different power supply voltages.
In order to match the voltage level of the signal , the LSI
It is necessary to provide the voltage conversion circuits 51 and 53 shown in FIG. For this reason, the system
There is a problem that the integration degree of the system decreases and the manufacturing cost increases.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の電源とアースとの間に接続された
直列接続の2個のダイオードと、両ダイオードの間に一
端が接続された第1の抵抗とを備え、上記両ダイオード
の間に入力信号が入力され、出力信号が上記第1の抵抗
の他端より送出される入力保護回路と、被駆動回路を電
圧駆動するドライバ回路とを備える入力回路装置におい
て、上記第1の電源の電圧よりも低い電圧を上記ドライ
バ回路に供給する第2の電源と、上記第1の電源に接続
された制御端子を有し、オン状態となったときに上記入
力保護回路の出力信号を電圧降下分だけ降下させ、この
降下させた出力信号を上記ドライバ回路に入力すること
により、上記出力信号を上記第2の電源と同じ電圧レベ
ルをもつ信号に電圧変換させるスイッチング半導体素子
とを備えたことを特徴とする入力回路装置。
1. A diode comprising two diodes connected in series connected between a first power source and ground, and a first resistor having one end connected between both diodes, wherein the two diodes are connected to each other. An input circuit device comprising an input protection circuit in which an input signal is input to and an output signal is sent out from the other end of the first resistor, and a driver circuit which voltage-drives a driven circuit. It has a second power supply that supplies a voltage lower than the voltage to the driver circuit, and a control terminal connected to the first power supply, and drops the output signal of the input protection circuit when turned on. And a switching semiconductor element for converting the output signal into a signal having the same voltage level as the second power supply by inputting the output signal thus reduced to the driver circuit. Special Input circuit device to be used.
【請求項2】 第1の電源とアースとの間に接続された
直列接続の2個のダイオードと、両ダイオードの間に一
端が接続された第1の抵抗とを備え、上記両ダイオード
の間に入力信号が入力され、出力信号が上記第1の抵抗
の他端より送出される入力保護回路と、被駆動回路を電
圧駆動するドライバ回路とを備える入力回路装置におい
て、上記第1の電源の電圧よりも低い電圧を上記ドライ
バ回路に供給する第2の電源と、この第2の電源に接続
された制御端子を有し、オン状態となったときに上記入
力保護回路の出力信号を電圧降下分だけ降下させ、この
降下させた出力信号を上記ドライバ回路に入力すること
により、上記出力信号を上記第2の電源と同じ電圧レベ
ルをもつ信号に電圧変換させるスイッチング半導体素子
とを備えたことを特徴とする入力回路装置。
2. A diode, comprising two diodes connected in series connected between a first power source and ground, and a first resistor having one end connected between the two diodes, the diode being connected between the two diodes. An input circuit device comprising an input protection circuit in which an input signal is input to and an output signal is sent out from the other end of the first resistor, and a driver circuit which voltage-drives a driven circuit. It has a second power supply for supplying a voltage lower than the voltage to the driver circuit, and a control terminal connected to this second power supply, and when it is in an ON state, it drops the output signal of the input protection circuit. And a switching semiconductor element for converting the output signal into a signal having the same voltage level as the second power supply by inputting the output signal thus reduced to the driver circuit. Special Input circuit device to be used.
【請求項3】 第1の電源とアースとの間に接続された
直列接続の2個のダイオードと、両ダイオードの間に一
端が接続された第1の抵抗とを備え、上記両ダイオード
の間に入力信号が入力され、出力信号が上記第1の抵抗
の他端より送出される入力保護回路と、被駆動回路を電
圧駆動する第1のドライバ回路とを備える入力回路装置
において、上記第1の電源の電圧よりも低い電圧を上記
第1のドライバ回路に供給する第2の電源と、上記入力
保護回路の出力信号を上記第1の電源の電圧レベルをも
つ信号に変換して送出する第2のドライバ回路と、上記
第1の電源と接続された制御端子を有し、オン状態とな
ったときに上記第2のドライバ回路の出力信号を電圧降
下分だけ降下させ、この降下させた出力信号を上記第1
のドライバ回路に出力することにより、上記出力信号を
上記第2の電源と同じ電圧レベルをもつ信号に電圧変換
させるスイッチング半導体素子とを備えたことを特徴と
する入力回路装置。
3. A diode including two diodes connected in series connected between a first power source and ground, and a first resistor having one end connected between the two diodes, the diode being connected between the two diodes. The input circuit device comprises an input protection circuit in which an input signal is input to the input circuit and an output signal is sent from the other end of the first resistor, and a first driver circuit which voltage-drives the driven circuit. A second power supply that supplies a voltage lower than the power supply voltage to the first driver circuit, and an output signal of the input protection circuit that is converted into a signal having the voltage level of the first power supply and sent out. The second driver circuit has a control terminal connected to the first power supply, and when turned on, the output signal of the second driver circuit is dropped by a voltage drop, and the dropped output is output. Signal the first above
And a switching semiconductor element for converting the output signal into a signal having the same voltage level as the second power source by outputting the output signal to the driver circuit.
【請求項4】 第1の電源とアースとの間に接続された
直列接続の2個のダイオードと、両ダイオードの間に一
端が接続された第1の抵抗とを備え、上記両ダイオード
の間に入力信号が入力され、出力信号が上記第1の抵抗
の他端より送出される入力保護回路と、被駆動回路を電
圧駆動する第1のドライバ回路とを備える入力回路装置
において、上記第1の電源の電圧よりも低い電圧を上記
第1のドライバ回路に供給する第2の電源と、上記入力
保護回路の出力信号を上記第1の電源の電圧レベルをも
つ信号に変換して送出する第2のドライバ回路と、上記
第2の電源と接続された制御端子を有し、オン状態とな
ったときに上記第2のドライバ回路の出力信号を電圧降
下分だけ降下させ、この降下させた出力信号を上記第1
のドライバ回路に出力することにより、上記出力信号を
上記第2の電源と同じ電圧レベルをもつ信号に電圧変換
させるスイッチング半導体素子とを備えたことを特徴と
する入力回路装置。
4. A diode including two diodes connected in series connected between a first power source and ground, and a first resistor having one end connected between the two diodes, wherein the two diodes are connected to each other. The input circuit device comprises an input protection circuit in which an input signal is input to the input circuit and an output signal is sent from the other end of the first resistor, and a first driver circuit which voltage-drives the driven circuit. A second power supply that supplies a voltage lower than the power supply voltage to the first driver circuit, and an output signal of the input protection circuit that is converted into a signal having the voltage level of the first power supply and sent out. A second driver circuit and a control terminal connected to the second power source, and when the ON state is reached, the output signal of the second driver circuit is dropped by a voltage drop, and the dropped output Signal the first above
And a switching semiconductor element for converting the output signal into a signal having the same voltage level as the second power source by outputting the output signal to the driver circuit.
【請求項5】 第1の電源とアースとの間に接続された
直列接続の2個のダイオードと、両ダイオードの間に一
端が接続された第1の抵抗とを備え、上記両ダイオード
の間に入力信号が入力され、出力信号が上記第1の抵抗
の他端より送出される入力保護回路と、被駆動回路を電
圧駆動するドライバ回路とを備える入力回路装置におい
て、上記第1の電源の電圧を上記被駆動回路に供給する
第2の電源と、上記第1の電源と接続された制御端子を
有し、オン状態となったときに上記ドライバ回路の出力
信号を電圧降下分だけ降下させ、この降下させた出力信
号を上記被駆動回路に出力することにより、上記出力信
号を上記第2の電源の電圧と同じ電圧レベルをもつ信号
に電圧変換させるスイッチング半導体素子とを備えたこ
とを特徴とする入力回路装置。
5. A diode, comprising: two diodes connected in series connected between a first power source and ground; and a first resistor having one end connected between the two diodes, wherein the two diodes are connected to each other. An input circuit device comprising an input protection circuit in which an input signal is input to and an output signal is sent out from the other end of the first resistor, and a driver circuit which voltage-drives a driven circuit. It has a second power supply for supplying a voltage to the driven circuit and a control terminal connected to the first power supply, and when the ON state is achieved, the output signal of the driver circuit is dropped by a voltage drop. A switching semiconductor element for converting the output signal into a signal having the same voltage level as the voltage of the second power supply by outputting the lowered output signal to the driven circuit. Input to Circuit device.
【請求項6】 第1の電源とアースとの間に接続された
直列接続の2個のダイオードと、両ダイオードの間に一
端が接続された第1の抵抗とを備え、上記両ダイオード
の間に入力信号が入力され、出力信号が上記第1の抵抗
の他端より送出される入力保護回路と、被駆動回路を電
圧駆動するドライバ回路とを備える入力回路装置におい
て、上記第1の電源の電圧を上記被駆動回路に供給する
第2の電源と、この第2の電源と接続された制御端子を
有し、オン状態となったときに上記ドライバ回路の出力
信号を電圧降下分だけ降下させ、この降下させた出力信
号を上記被駆動回路に出力することにより、上記出力信
号を上記第2の電源の電圧と同じ電圧レベルをもつ信号
に電圧変換させるスイッチング半導体素子とを備えたこ
とを特徴とする入力回路装置。
6. A device comprising: two diodes connected in series connected between a first power source and ground; and a first resistor having one end connected between the two diodes, the diode being connected between the two diodes. An input circuit device comprising an input protection circuit in which an input signal is input to and an output signal is sent out from the other end of the first resistor, and a driver circuit which voltage-drives a driven circuit. It has a second power source for supplying a voltage to the driven circuit and a control terminal connected to the second power source, and when the ON state is reached, the output signal of the driver circuit is lowered by a voltage drop. A switching semiconductor element for converting the output signal into a signal having the same voltage level as the voltage of the second power supply by outputting the lowered output signal to the driven circuit. Input to Circuit device.
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