JPH053230A - Wafer prober - Google Patents

Wafer prober

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Publication number
JPH053230A
JPH053230A JP3153649A JP15364991A JPH053230A JP H053230 A JPH053230 A JP H053230A JP 3153649 A JP3153649 A JP 3153649A JP 15364991 A JP15364991 A JP 15364991A JP H053230 A JPH053230 A JP H053230A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
prober
display
signal
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP3153649A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Kurokawa
英治 黒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3153649A priority Critical patent/JPH053230A/en
Publication of JPH053230A publication Critical patent/JPH053230A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

PURPOSE:To control a change by time in needle pressure of a prober and displacement of the needle by providing a pickup device for a prober contact trace, a memory device for a picture image signal from a pickup device, a picture image reproduction control part for a signal from the memory device, and a display device for a reproduced picture image, and inspecting a history of the change by time in the prober contact trace. CONSTITUTION:A pickup part 2 picks up a semiconductor chip image on a wafer and outputs an image signal V which signal is then inputted to an image processing control part 3. The image processing control part 3 converts the image signal V to a display image signal VD with the aid of a prober control part 4 and feeds it to a display 8 for display off the same. The image processing control part 3 stores the image signal V in a memory part 5 as image data DD with the aid of the control signal CV. Upon the stored image data being reproduced for example reproduced image data DR is read out from the memory part 5 through the control of a prober control part 4 and is converted to a reproduction display image signal VD, and is displayed on a display 8.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はウェーハプローバに関
し、特に電極パッド上の探針接触痕を記録する機能を有
するウェーハプローバに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer prober, and more particularly to a wafer prober having a function of recording a probe contact mark on an electrode pad.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のウェーハプローバは、半導体ウエ
ーハ上に形成された半導体チップの電気的特性を試験す
るときの電極パッドに探針が接触したために発生した探
針接触痕を記録する機能を有していなかった。
2. Description of the Related Art A conventional wafer prober has a function of recording a probe contact mark generated when a probe comes into contact with an electrode pad when testing the electrical characteristics of a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer. I didn't.

【0003】従来、半導体チップの電極パッド上の探針
接触痕の検出および認識は、ウェーハプローバによる試
験終了後に、被試験ウェーハを取出して顕微鏡により探
針接触痕を観察するか、あるいは、探針接触痕を撮影し
この写真を点検することにより行なっていた。
Conventionally, the detection and recognition of the probe contact mark on the electrode pad of the semiconductor chip is performed by taking out the wafer to be tested and observing the probe contact mark with a microscope after the test by the wafer prober is completed. This was done by photographing the contact marks and inspecting this photograph.

【0004】また、ウェーハプローバ上で半導体チップ
の電極上の探針接触痕を直接観察する方法としては、ウ
ェーハプローバのステージ上に載置したウェーハを、テ
レビジョンカメラにより撮像し、その画像をモニタディ
スプレイ上に表示するという方法があった。
As a method of directly observing the probe contact trace on the electrode of the semiconductor chip on the wafer prober, a wafer mounted on the stage of the wafer prober is imaged by a television camera and the image is monitored. There was a method of displaying on the display.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のウェー
ハプローバは、記録機能を有しないために、同一のプロ
ーブカードにおける探針の針圧や針ずれ等に起因する探
針接触痕の経時変化の履歴を点検することが不可能であ
るという欠点があった。また、探針接触痕を写真撮影に
より記録する方法は、撮影の都度被試験ウェーハを取出
す必要があり煩雑であるという欠点があった。
Since the above-mentioned conventional wafer prober does not have a recording function, there is a change in the probe contact trace over time due to the probe pressure or needle displacement in the same probe card. There was a drawback that it was impossible to check the history. Further, the method of recording the contact trace of the probe by photographing has a drawback that the wafer under test needs to be taken out each time photographing is complicated.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明のウェーハプロー
バは、半導体ウエーハ上に形成された半導体チップの電
極パッドに接触する探針を有しこの探針を介して前記半
導体チップの電気的特性を試験するウェーハプローバに
おいて、前記電極パッド上に前記探針の接触により発生
した探針接触痕を撮像する撮像装置と、前記撮像装置か
ら出力される画像信号を記憶する記憶装置と、前記記憶
装置から読出した前記画像信号を再生する画像再生制御
部と、前記再生画像を表示する表示装置とを備えて構成
されている。
A wafer prober of the present invention has a probe that contacts an electrode pad of a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer, and the electrical characteristics of the semiconductor chip are measured through the probe. In the wafer prober to be tested, an imaging device that images a probe contact mark generated by contact of the probe on the electrode pad, a storage device that stores an image signal output from the imaging device, and the storage device. An image reproduction control unit that reproduces the read image signal and a display device that displays the reproduced image are configured.

【0007】[0007]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0008】図1は本発明のウェーハプローバの第一の
実施例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the wafer prober of the present invention.

【0009】本実施例のウェーハプローバは、図1に示
すように、プローバ部1と、撮像部2と、画像処理制御
部3と、プローバ制御部4と、記憶部5と、画像再生制
御部6と、表示制御部7と、ディスプレイ8とを備えて
構成されている。
As shown in FIG. 1, the wafer prober of this embodiment includes a prober unit 1, an image pickup unit 2, an image processing control unit 3, a prober control unit 4, a storage unit 5, and an image reproduction control unit. 6, a display control unit 7, and a display 8.

【0010】プローバ部1は、ウェーハプローバの本体
であり、被試験ウェーハを載置するステージと、被試験
半導体チップの電極配置に適合するように探針を配列し
たプローブカードとを備えている。
The prober unit 1 is a main body of a wafer prober, and includes a stage on which a wafer under test is placed and a probe card in which probes are arranged so as to match the electrode arrangement of the semiconductor chip under test.

【0011】撮像部2は、プローバ部1のステージ上に
載置したウェーハを撮像するものであり、一例としてC
CD撮像デバイスを用いた画像センサ等で構成される。
画像センサとしては、二次元型のCCDエリアセンサを
用いたビデオカメラ、または、適切な走査方法を併用す
る一次元型のCCDラインセンサを用いたラインスキャ
ナのいずれでもよい。
The image pickup section 2 picks up an image of the wafer placed on the stage of the prober section 1, and as an example, C
It is composed of an image sensor using a CD imaging device.
The image sensor may be either a video camera using a two-dimensional CCD area sensor or a line scanner using a one-dimensional CCD line sensor that also uses an appropriate scanning method.

【0012】画像処理制御部3は、撮像部2の出力であ
る画像信号Vをディジタル化し、画像データDDとして
記憶部5に転送するとともに、画像信号Vからディスプ
レイ8に表示するための表示用画像信号VDを生成す
る。
The image processing control section 3 digitizes the image signal V output from the image pickup section 2 and transfers it to the storage section 5 as image data DD, and at the same time, displays an image for display from the image signal V on the display 8. Generate the signal VD.

【0013】プローバ制御部4は、プローバ部1を制御
するとともに、画像処理制御部2および画像再生制御部
6の制御を行なう。
The prober control unit 4 controls the prober unit 1 and also controls the image processing control unit 2 and the image reproduction control unit 6.

【0014】記憶部5は、画像処理部3からの画像デー
タDDを記憶する。
The storage unit 5 stores the image data DD from the image processing unit 3.

【0015】画像再生制御部6は、プローバ制御部4の
制御により記憶部から読出した再生画像データDRから
ディスプレイ8に表示するための表示用画像信号VDを
生成する。
The image reproduction control unit 6 generates a display image signal VD for displaying on the display 8 from the reproduction image data DR read from the storage unit under the control of the prober control unit 4.

【0016】表示制御部7は、ディスプレイ8の表示の
制御を行なうものである。
The display controller 7 controls the display on the display 8.

【0017】ディスプレイ8は、通常のCRTディスプ
レイである。
The display 8 is a normal CRT display.

【0018】次に、本実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0019】まず、撮像部2は、プローバ部1のステー
ジ上に載置したウェーハ上の撮像対象の半導体チップを
撮像する。撮像部2からの出力である画像信号Vは、画
像処理制御部3に入力される。画像処理制御部3は、プ
ローバ制御部4の制御信号CVにより、画像信号Vをデ
ィスプレイ8に適合する表示用画像信号VDに変換しデ
ィスプレイ8に送る。ディスプレイ8は、この表示用画
像信号VDを表示制御部7の制御により画像として表示
する。さらに、画像処理制御部3は、制御信号CVによ
り、撮像部2の出力である画像信号Vをディジタル化
し、画像データDDとして記憶部5に送出する。記憶部
5は、転送されてきた画像データDDを記憶する。
First, the image pickup section 2 picks up an image of the semiconductor chip to be imaged on the wafer mounted on the stage of the prober section 1. The image signal V output from the image pickup unit 2 is input to the image processing control unit 3. The image processing control unit 3 converts the image signal V into a display image signal VD suitable for the display 8 by the control signal CV of the prober control unit 4 and sends it to the display 8. The display 8 displays the display image signal VD as an image under the control of the display controller 7. Further, the image processing control unit 3 digitizes the image signal V output from the image pickup unit 2 by the control signal CV, and sends it to the storage unit 5 as image data DD. The storage unit 5 stores the transferred image data DD.

【0020】次に、記憶された画像データを再生すると
きには、プローバ制御部4から画像再生命令CRを画像
処理制御部3と画像再生制御部6に対して送出する。画
像処理制御部3は、記憶部5から画像データを再生画像
データDRとして読出し、出力する。画像再生制御部6
は、再生画像データDRを処理し、再生表示用画像信号
VDRとして画像処理制御部3に返送し、ここで、表示
用画像信号VDに変換してディスプレイ8に送られ、画
像表示される。
Next, when reproducing the stored image data, the prober control unit 4 sends an image reproduction command CR to the image processing control unit 3 and the image reproduction control unit 6. The image processing control unit 3 reads the image data from the storage unit 5 as reproduced image data DR and outputs it. Image reproduction control unit 6
Processes the reproduced image data DR and returns it to the image processing control unit 3 as a reproduced display image signal VDR, where it is converted into a display image signal VD and sent to the display 8 for image display.

【0021】次に、本発明の第二の実施例について説明
する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0022】図2は本発明のウェーハプローバの第二の
実施例を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the wafer prober of the present invention.

【0023】図2に示す、本実施例の前述の第一の実施
例に対する相違点は、外部記憶装置9が付加されたこと
である。
The difference between this embodiment and the first embodiment shown in FIG. 2 is that an external storage device 9 is added.

【0024】外部記憶装置9は、プローバ制御部4から
の画像データ格納命令CSにより、記憶部5から画像デ
ータDDを転送し、フロッピーデスク等の記憶媒体に格
納するものである。この場合、記憶部5は、外部記憶装
置9に対し、画像データDDおよび再生画像データDR
を一時的に記憶するバッファの役割を果すことになる。
The external storage device 9 transfers the image data DD from the storage unit 5 according to the image data storage command CS from the prober control unit 4 and stores it in a storage medium such as a floppy desk. In this case, the storage unit 5 stores the image data DD and the reproduced image data DR in the external storage device 9.
Will play the role of a buffer for temporarily storing.

【0025】本実施例では、外部記憶装置9を設けるこ
とにより、探針接触痕の経時変化の履歴としての多量の
画像データを記録することができるという利点がある。
In the present embodiment, by providing the external storage device 9, there is an advantage that a large amount of image data can be recorded as a history of changes in probe contact traces over time.

【0026】また、記録媒体FDを独立した他の画像再
生表示装置10により再生表示することができるので、
ウェーハプローバの管理整備用として有効である。
Further, since the recording medium FD can be reproduced and displayed by another independent image reproducing and displaying apparatus 10,
It is effective for the management and maintenance of the wafer prober.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェーハ
プローバは、探針接触痕の撮像装置と、撮像装置からの
画像信号の記憶装置と、記憶装置からの画像再生制御部
と、再生画像の表示装置とを備えることにより、任意の
時点での被試験ウェーハの半導体チップの探針接触痕を
記録再生することができるので、特定のプローブカード
における探針接触痕の経時変化の履歴を点検することに
より、探針の針圧や針ずれ等の経時変化を管理できると
いう効果がある。また、探針接触痕の観察記録の度ごと
に被試験ウェーハを取出す必要がないので、ウェーハプ
ローバの管理整備が効率的に実施できるという効果があ
る。
As described above, the wafer prober of the present invention is provided with an image pickup device of a probe contact mark, a storage device of an image signal from the image pickup device, an image reproduction control section from the storage device, and a reproduced image. With this display device, it is possible to record and reproduce the probe contact mark of the semiconductor chip of the wafer under test at any time, so check the history of change over time of the probe contact mark on a specific probe card. By doing so, there is an effect that it is possible to manage changes over time such as needle pressure of the probe and needle displacement. Further, since it is not necessary to take out the wafer to be tested each time the probe contact trace is observed and recorded, there is an effect that the management and maintenance of the wafer prober can be efficiently performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のウェーハプローバの第一の実施例を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a wafer prober of the present invention.

【図2】本発明のウェーハプローバの第二の実施例を示
すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the wafer prober of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プローバ部 2 撮像部 3 画像処理制御部 4 プローバ制御部 5 記憶部 6 画像再生制御部 7 表示制御部 8 ディスプレイ 9 外部記憶装置 10 画像再生表示装置 1 prober section 2 Imaging unit 3 Image processing controller 4 Prober control section 5 memory 6 Image playback controller 7 Display control section 8 display 9 External storage device 10 Image reproduction display device

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエーハ上に形成された半導体チ
ップの電極パッドに接触する探針を有しこの探針を介し
て前記半導体チップの電気的特性を試験するウェーハプ
ローバにおいて、前記電極パッド上に前記探針の接触に
より発生した探針接触痕を撮像する撮像装置と、前記撮
像装置から出力される画像信号を記憶する記憶装置と、
前記記憶装置から読出した前記画像信号を再生する画像
再生制御部と、前記再生画像を表示する表示装置とを備
えることを特徴とするウェーハプローバ。
1. A wafer prober having a probe contacting with an electrode pad of a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer, and testing electrical characteristics of the semiconductor chip through the probe, the prober is provided on the electrode pad. An image pickup device for picking up an image of a probe contact mark generated by the contact of the probe, and a storage device for storing an image signal output from the image pickup device,
A wafer prober comprising: an image reproduction control unit for reproducing the image signal read from the storage device; and a display device for displaying the reproduced image.
【請求項2】 前記撮像装置はCCD撮像デバイスを備
える画像センサであることを特徴とする請求項1記載の
ウェーハプローバ。
2. The wafer prober according to claim 1, wherein the image pickup device is an image sensor including a CCD image pickup device.
【請求項3】 前記記憶装置は前記撮像装置から出力さ
れる前記画像信号をデジタル画像データに変換する画像
処理回路と、前記デジタル画像データを一時記憶する内
部記憶回路と、前記内部記憶回路に記憶した前記デジタ
ル画像データを予め定めた命令により外部の記憶媒体に
格納する外部記憶装置とを備えることを特徴とする請求
項1記載のウェーハプローバ。
3. The storage device includes an image processing circuit for converting the image signal output from the imaging device into digital image data, an internal storage circuit for temporarily storing the digital image data, and a storage in the internal storage circuit. The wafer prober according to claim 1, further comprising: an external storage device that stores the digital image data in an external storage medium according to a predetermined command.
JP3153649A 1991-06-26 1991-06-26 Wafer prober Pending JPH053230A (en)

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Cited By (4)

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