JPH05316722A - Switching power source circuit - Google Patents
Switching power source circuitInfo
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- JPH05316722A JPH05316722A JP23705391A JP23705391A JPH05316722A JP H05316722 A JPH05316722 A JP H05316722A JP 23705391 A JP23705391 A JP 23705391A JP 23705391 A JP23705391 A JP 23705391A JP H05316722 A JPH05316722 A JP H05316722A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、パルス巾制御型のスイ
ッチング電源回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse width control type switching power supply circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、パルス巾制御のスイッチング電
源回路は、電源入力側において、変圧器の1次巻線と主
開閉素子を直列に結合し、また、変圧器の2次巻線には
整流器、ろ波器を介して出力端子を設け、出力側からの
誤差検出信号をパルス巾制御用等の電源用ICへフィー
ドバックし、この電源用ICの出力で前記主開閉素子の
オン、オフを制御するように構成されている。2. Description of the Related Art Generally, a pulse width controlled switching power supply circuit has a primary winding of a transformer and a main switching element connected in series on the power input side, and a rectifier on the secondary winding of the transformer. An output terminal is provided via a filter, an error detection signal from the output side is fed back to a power supply IC for pulse width control, etc., and the output of this power supply IC controls ON / OFF of the main switching element. Is configured to.
【0003】しかるに、このようなフォワードコンバー
タ等においては、負荷の急変、短絡等の事故が発生する
と、主開閉素子に異常な過渡電圧が発生する。しかし、
従来は、主開閉素子として耐電圧容量の定格値に対する
余力が充分あるバイポーラトランジスタが用いられてい
たため、この過渡電圧によって破損するようなことはほ
とんどなかった。However, in such a forward converter or the like, when an accident such as a sudden change in load or a short circuit occurs, an abnormal transient voltage is generated in the main switching element. But,
Conventionally, a bipolar transistor having a sufficient spare capacity with respect to the rated value of the withstand voltage capacity has been used as the main switching element, so that the transient voltage hardly causes damage.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、最近数百K
Hz高周波化が要求されるに至り、この主開閉素子に電
界効果トランジスタ(以下、MOSFETという)が利用
されるようになってきている。このMOSFETは、従
来用いられていたバイポーラトランジスタ等に比較して
耐電圧容量の定格値に対する余力が小さく、瞬時の前記
過渡電圧によっても破損するおそれがある。[Problems to be Solved by the Invention] However, recently, several hundred
Due to the demand for higher frequency of Hz, a field effect transistor (hereinafter referred to as MOSFET) has come to be used for this main switching element. This MOSFET has a small reserve capacity with respect to the rated value of the withstand voltage capacity as compared with the conventionally used bipolar transistor and the like, and may be damaged by the instantaneous transient voltage.
【0005】まず、負荷急変時の過渡異常電圧発生の仕
組みについて詳しく説明する。主開閉素子としてのMO
SFETの動作中の電圧、電流は図2(a)(b)(c)のよ
うに3段階が存在する。すなわち、入力側電圧一定時に
おいて、図2(a)は軽負荷時、図2(b)は重負荷時、図
2(c)は無制御時でかつ導通角τ3が限界までに達した
時のそれぞれのドレン電流IDとドレン・ソース間電圧
VDSの特性である。これらの図からも明らかなように、
ドレン・ソース間電圧VDSのピーク値は導通角τに略比
例する。First, the mechanism of transient abnormal voltage generation at the time of sudden load change will be described in detail. MO as main switching element
There are three levels of voltage and current during operation of the SFET as shown in FIGS. 2 (a) (b) (c). That is, when the input side voltage is constant, Fig. 2 (a) shows a light load, Fig. 2 (b) shows a heavy load, Fig. 2 (c) shows no control, and the conduction angle τ 3 reaches the limit. These are characteristics of the drain current ID and the drain-source voltage VDS at each time. As you can see from these figures,
The peak value of the drain-source voltage VDS is approximately proportional to the conduction angle τ.
【0006】また、図3は負荷が軽負荷より重負荷に急
変した場合のMOSFETのドレン・ソース間電圧VDS
とドレン電流IDの過渡状態を示している。この図3に
おいて、a段階は軽負荷時、b段階は重負荷時のそれぞ
れの定常状態であるが、a段階からb段階へ移行する際
の負荷の急変時に、この変化に追随するフィードバック
系の作用により導通角τを全開するc状態が必ず存在す
る。ここで、図3a、b、cの各状態は図2(a)(b)
(c)に相当する。FIG. 3 shows the drain-source voltage VDS of the MOSFET when the load suddenly changes from a light load to a heavy load.
Shows the transient state of the drain current ID. In FIG. 3, the stage a is a steady state under light load, and the stage b is a steady state under heavy load, but when the load suddenly changes when shifting from stage a to stage b, the feedback system that follows this change is used. There always exists a c-state in which the conduction angle τ is fully opened by the action. Here, the respective states of FIGS. 3A, 3B, 3C are shown in FIGS.
Corresponds to (c).
【0007】この図3のc状態は負荷が急変したときの
みならず、負荷の急激な短絡、または短絡からの急速な
解除時などにも存在する。したがって、前記c状態をc
´状態に改善することにより過渡時の異常電圧を抑制し
MOSFETの破壊を防止することが必要である。主開
閉素子がMOSFET以外のトランジスタ等であっても
過渡時の異常電圧を抑制することが望ましいことはもち
ろんである。The state c in FIG. 3 exists not only when the load suddenly changes, but also when the load is suddenly short-circuited or when the short-circuit is released. Therefore, the c state is c
It is necessary to suppress abnormal voltage at the time of transition and prevent destruction of the MOSFET by improving the state to “”. Of course, even if the main switching element is a transistor or the like other than the MOSFET, it is desirable to suppress the abnormal voltage during the transition.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、電源入力端子
7、8側に、変圧器9の1次巻線10と主開閉素子11
とを直列に結合し、また前記変圧器9の2次巻線17に
整流器18、ろ波器22を介して出力端子23、24を
結合し、出力側からの誤差検出信号を、フォトカプラ3
8で絶縁して取り出し、変圧器9の1次側に設けたパル
ス巾制御用等の電源用IC27に入力し、前記変圧器9
に設けた3次巻線33、ダイオード34、コンデンサ3
5からなる補助電源15を前記電源用IC27に結合
し、前記誤差検出信号と、前記電源用IC27に結合し
た分圧抵抗28、29による基準電圧とを比較して導通
角に対応した出力パルス信号を得、この出力パルス信号
にて主開閉素子のオン、オフを制御するスイッチング電
源回路において、変圧器9の1次側の電源入力端子7、
8間に直接抵抗36、37を結合して入力電源電圧に比
例した電圧を取出すための検出回路32を形成し、この
検出回路32を電源用IC27の導通角を制限するため
のデッドアングル制御用端子に結合してなるものであ
る。前記パルス巾制御用等の電源用ICの代表的素子で
あるMB3759型の内部の概略が、図4に示されてい
る。なお、本発明の目的のためにはTL494型のIC
も同様に使用することができる。According to the present invention, a primary winding 10 of a transformer 9 and a main switching element 11 are provided on the power input terminals 7 and 8 side.
Are connected in series, and the output terminals 23 and 24 are connected to the secondary winding 17 of the transformer 9 via the rectifier 18 and the filter 22 to output the error detection signal from the output side to the photocoupler 3
8 is insulated and taken out, and is input to a power supply IC 27 for pulse width control or the like provided on the primary side of the transformer 9,
The third winding 33, the diode 34, and the capacitor 3 provided in the
An output pulse signal corresponding to the conduction angle is obtained by coupling the auxiliary power source 15 composed of 5 to the power source IC 27 and comparing the error detection signal with the reference voltage by the voltage dividing resistors 28 and 29 coupled to the power source IC 27. In the switching power supply circuit for controlling on / off of the main switching element by this output pulse signal, the power supply input terminal 7 on the primary side of the transformer 9
The resistors 36 and 37 are directly connected to each other between 8 to form a detection circuit 32 for extracting a voltage proportional to the input power supply voltage, and this detection circuit 32 is for dead angle control for limiting the conduction angle of the power supply IC 27. It is connected to the terminal. FIG. 4 shows an outline of the inside of the MB3759 type, which is a typical element of the power supply IC for controlling the pulse width. For the purpose of the present invention, a TL494 type IC
Can be used as well.
【0009】[0009]
【作用】図5は前記MB3759型電源用ICの内部の
パルス巾制御部分の波形で、実線の鋸歯状波Mは、8番
ピンと9番ピン間の出力、点線鋸歯状波Nは10番ピン
と11番ピン間の出力である。V0は出力電圧と基準値
との誤差を増幅して得られた電圧で、この電圧V0と鋸
歯状波Mとを比較すると、この電圧V0の高低によりパ
ルス出力に相当する時間の導通角τ1、τ2、τ3などが
得られる。なお、Tは1周期である。FIG. 5 shows the waveform of the pulse width control part inside the MB3759 type power supply IC. The solid line sawtooth wave M is the output between the 8th and 9th pins, and the dotted line sawtooth wave N is the 10th pin. This is the output between the 11th pin. V 0 is a voltage obtained by amplifying the error between the output voltage and the reference value. When this voltage V 0 is compared with the sawtooth wave M, the level of this voltage V 0 causes the conduction during the time corresponding to the pulse output. The angles τ 1 , τ 2 , τ 3 etc. are obtained. Note that T is one cycle.
【0010】つぎに、図6は電源用ICの4番ピンによ
るデッドタイム調整機能を示す図である。この図におい
て、14番ピンの基準電圧VRを抵抗1、2によってV1
とV2に分割する。このとき電圧V1が高い程導通角τは
減少することを示している。今、入力電圧に比例した電
圧をVinとし、この電圧Vinを抵抗3、4で分割し
て抵抗4による電圧をVfとし、この電圧Vfを4番ピ
ンに印加することにより導通角τを制限することが可能
となる。Next, FIG. 6 is a diagram showing a dead time adjusting function by the fourth pin of the power supply IC. In this figure, the reference voltage VR of the 14th pin is set to V 1 by resistors 1 and 2.
And V 2 . At this time, the higher the voltage V 1 , the smaller the conduction angle τ. Now, let us say that a voltage proportional to the input voltage is Vin, this voltage Vin is divided by resistors 3 and 4 to be the voltage by resistor 4, and Vf is applied to pin 4 to limit the conduction angle τ. It becomes possible.
【0011】すなわち、図2(a)の導通角τ1、図2
(b)の導通角τ2はそれぞれ図5τ1、τ2に相当する
が、この制限電圧Vfを4番ピンに印加する。すると、
フィードバック系のみによっては導通角τ3まで全開し
ようとするものを、制限電圧Vfのため導通角τfに制
限される。したがって、図2(c)および図3の特性cの
状態は図3のc´特性のように抑制することが可能とな
る。なお、図6は具体的実施例であるが、原理的には図
7に示すように、抵抗1、3のみによっても可能であ
る。That is, the conduction angle τ 1 in FIG.
The conduction angle τ 2 in (b) corresponds to τ 1 and τ 2 in FIG. 5, respectively, and this limiting voltage Vf is applied to the 4th pin. Then,
Only the feedback system tries to fully open up to the conduction angle τ 3, but is limited to the conduction angle τf by the limiting voltage Vf. Therefore, the state of the characteristic c in FIGS. 2C and 3 can be suppressed like the c ′ characteristic in FIG. Although FIG. 6 shows a specific embodiment, it is possible in principle to use only the resistors 1 and 3 as shown in FIG.
【0012】以上のように、従来の回路では入力電圧の
高いとき、過渡異常電圧は極めて危険なものとなるが、
本発明の回路ではそれを抑制して極めて有効に機能す
る。すなわち、入力電圧が高いときは必要とする導通角
τ2はより低い値となるが、入力電圧に比例して制限電
圧Vfを高めて、τ2より少し大きなτfに設定すれば入
力電圧の高いときも図2(c)および図3の特性cの状態
は極めて有効に抑制することが可能である。なお、図6
においてツェナーダイオード5は入力電圧に比例した電
圧Vinの特性を改善するためのものであり、また、ダ
イオード6は調整作業を容易にするために付加したもの
で、本発明の必須条件ではない。前記実施例では、電源
用ICであるMB3759の出力ピンのうち、8、9番
のピンのみを利用したが、この場合は図7が有効であ
り、10、11番ピンを利用する場合は図6が実施上有
効である。As described above, in the conventional circuit, the transient abnormal voltage becomes extremely dangerous when the input voltage is high.
The circuit of the present invention suppresses it and functions extremely effectively. That is, when the input voltage is high, the required conduction angle τ 2 has a lower value, but if the limiting voltage Vf is increased in proportion to the input voltage and τf is set to be slightly larger than τ 2 , the input voltage is high. Even at this time, the state of the characteristic c in FIGS. 2C and 3 can be suppressed very effectively. Note that FIG.
In, the Zener diode 5 is for improving the characteristic of the voltage Vin proportional to the input voltage, and the diode 6 is added for facilitating the adjustment work, and is not an essential condition of the present invention. In the above embodiment, only the 8th and 9th pins of the output pins of the power supply IC MB3759 are used. In this case, FIG. 7 is effective, and when the 10th and 11th pins are used, 6 is effective in practice.
【0013】[0013]
【実施例】本発明の一実施例を図1に基づき説明する。
この図1では、電源用IC27を変圧器9の1次側に設
け、2次側の出力電圧の誤差信号は、フォトカプラ38
によって絶縁して取り出すようにしている。さらに詳し
く説明すると、7、8は入力電源端子で、一方の端子7
から主変圧器9の1次巻線10、主開閉素子としてのM
OSFET11のドレン・ソースを経て他方の端子8に
結合されている。また、ドレン・ソース間にはダイオー
ド12とコンデンサ13の直列回路が並列に接続され、
かつ、このダイオード12とコンデンサ13の結合点と
端子7との間に抵抗14が結合されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In FIG. 1, the power supply IC 27 is provided on the primary side of the transformer 9, and the error signal of the output voltage on the secondary side is detected by the photocoupler 38.
I try to insulate it and take it out. More specifically, 7 and 8 are input power terminals, and one terminal 7
To the primary winding 10 of the main transformer 9, M as the main switching element
It is coupled to the other terminal 8 via the drain source of OSFET 11. In addition, a series circuit of a diode 12 and a capacitor 13 is connected in parallel between the drain and source,
In addition, the resistor 14 is coupled between the coupling point of the diode 12 and the capacitor 13 and the terminal 7.
【0014】前記変圧器9には、補助巻線33が設けら
れ、この3次巻線33はダイオード34、コンデンサ3
5、抵抗43によって補助電源15を構成している。さ
らにMOSFET11のゲートには補助電源15間に直
列に挿入した2個のトランジスタ44、45のエミッタ
に結合されている。これらのトランジスタ44、45の
ベースは、変圧器9の1次側に設けた電源用IC27の
9番ピンに結合され、8番ピンは抵抗46を介して補助
電源15に結合されている。The transformer 9 is provided with an auxiliary winding 33, and the tertiary winding 33 includes a diode 34 and a capacitor 3.
5, the resistor 43 constitutes the auxiliary power supply 15. Further, the gate of the MOSFET 11 is coupled to the emitters of two transistors 44 and 45 inserted in series between the auxiliary power sources 15. The bases of these transistors 44 and 45 are coupled to the 9th pin of the power supply IC 27 provided on the primary side of the transformer 9, and the 8th pin is coupled to the auxiliary power supply 15 via the resistor 46.
【0015】前記変圧器9の2次巻線17は、整流器1
8、転流ダイオード19を経、さらにリアクタ20とコ
ンデンサ21からなるろ波器22を介して出力端子2
3、24に結合されている。この出力端子23、24間
には誤差検出抵抗25、26を結合し、この誤差検出抵
抗25、26と並列に、フォトカプラ38の発光ダイオ
ード39と抵抗47と可変シャントレギュレータ40の
直列回路を挿入し、前記抵抗25、26の結合点を可変
シャントレギュレータ40に結合する。また、1次側に
設けた電源用IC27の4番ピンに結合される抵抗3
6、37は直接入力端子7、8に結合する。この抵抗3
6、37が入力電源電圧に比例した電圧Vinを検出す
るための検出回路32を構成している。さらに、1番ピ
ンはフォトカプラ38の受光用トランジスタ41と直列
な抵抗42と42aの結合点に結合する。The secondary winding 17 of the transformer 9 comprises a rectifier 1
8, through the commutation diode 19, and further through the filter 22 composed of the reactor 20 and the capacitor 21, the output terminal 2
3 and 24. Error detection resistors 25 and 26 are coupled between the output terminals 23 and 24, and a series circuit of a light emitting diode 39 and a resistor 47 of a photocoupler 38 and a variable shunt regulator 40 is inserted in parallel with the error detection resistors 25 and 26. Then, the connection point of the resistors 25 and 26 is connected to the variable shunt regulator 40. Further, the resistor 3 coupled to the 4th pin of the power supply IC 27 provided on the primary side
6, 37 are directly coupled to the input terminals 7, 8. This resistance 3
Reference numerals 6 and 37 constitute a detection circuit 32 for detecting the voltage Vin proportional to the input power supply voltage. Further, the first pin is connected to the connection point of the resistors 42 and 42a in series with the light receiving transistor 41 of the photocoupler 38.
【0016】以上のような構成において、直流入力電圧
がMOSFET11のオン、オフにより主変圧器9の2
次巻線17に交番電圧が発生し、これが整流器18、ろ
波器22、転流ダイオード19等で整流、平滑化され出
力端子23、24に所定の直流出力電圧が得られる。そ
して、この出力電圧の誤差電圧は、誤差検出抵抗25、
26、抵抗47、可変シャントレギュレータ40で検出
され、フォトカプラ38で絶縁して取り出し、抵抗4
2、42aを介して、電源用IC27の1、2番ピンに
入力する。この入力した電圧V0と鋸歯状電圧Mとから
図5に示した所定の導通角τによりパルス信号が得られ
る。そして、このパルス信号によりトランジスタ44、
45を介してMOSFET11のオン、オフ時間が制御
され、常に所定の電圧となるように制御される。In the above-mentioned structure, the DC input voltage changes to 2 of the main transformer 9 by turning on and off the MOSFET 11.
An alternating voltage is generated in the next winding 17, and this is rectified and smoothed by the rectifier 18, the filter 22, the commutation diode 19, etc., and a predetermined DC output voltage is obtained at the output terminals 23 and 24. The error voltage of this output voltage is
26, the resistor 47, the variable shunt regulator 40, and the photocoupler 38 insulates and takes out the resistor 4
It is input to pins 1 and 2 of the power supply IC 27 via 2, 42a. From the input voltage V 0 and the sawtooth voltage M, a pulse signal can be obtained with a predetermined conduction angle τ shown in FIG. The pulse signal causes the transistor 44,
The on / off time of the MOSFET 11 is controlled via 45 so that the MOSFET 11 is always controlled to have a predetermined voltage.
【0017】ここで、入力電圧が検出回路32を構成す
る抵抗36、37で分圧されて制限電圧Vfとなって4
番ピンに入力する。この制限電圧Vfは、出力電圧の検
出電圧V0と鋸歯状波Mとから得られる導通角τを、τf
以上になるのを制限していることは前述の通りである。
したがって、過渡異常電圧が発生しても、その大きさは
大巾に抑制される。Here, the input voltage is divided by the resistors 36 and 37 constituting the detection circuit 32 to become the limiting voltage Vf, which is 4
Type in pin number. This limiting voltage Vf is a conduction angle τ obtained from the detection voltage V 0 of the output voltage and the sawtooth wave M, and τf
As described above, the above restrictions are restricted.
Therefore, even if a transient abnormal voltage is generated, its magnitude is greatly suppressed.
【0018】[0018]
【発明の効果】本発明は上述のように構成したので、い
わゆるフィードフォワードの作用を電源用ICを利用し
て作用せしめるものであり、過渡時の異常電圧を制御す
るという安全上のみならず乱調防止上からも有効な作用
をなすものである。また、電源用ICを変圧器の1次側
に設けたので、信号系統などとの結合のための絶縁手段
が不要となるか、簡単な構成で済み、回路構成が簡単、
かつ安価になる。したがって、MOSFET等の主開閉
素子のスイッチング電源回路には必要不可欠である。Since the present invention is configured as described above, the so-called feedforward operation is performed by using the power supply IC, and not only the safety of controlling the abnormal voltage during the transient but also the disturbance. It also has an effective function in terms of prevention. Further, since the power supply IC is provided on the primary side of the transformer, there is no need for an insulating means for coupling with a signal system or the like, or a simple configuration is sufficient, and the circuit configuration is simple.
And it becomes cheaper. Therefore, it is indispensable for the switching power supply circuit of the main switching device such as MOSFET.
【図1】本発明によるスイッチング電源回路の一実施例
を示す電気回路図である。FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an embodiment of a switching power supply circuit according to the present invention.
【図2】(a)(b)(c)それぞれMOSFETの軽負荷
時、重負荷時、無制御時のVDSとIDの特性図である。2 (a), (b), and (c) are characteristic diagrams of VDS and ID when the MOSFET is lightly loaded, heavily loaded, and uncontrolled, respectively.
【図3】軽負荷より重負荷に急変した場合のMOSFE
TのVDSとIDの特性図である。[Fig. 3] MOSFE in the case of sudden change from light load to heavy load
It is a characteristic view of VDS and ID of T.
【図4】電源用IC(MB3759)の概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a power supply IC (MB3759).
【図5】電源用ICの出力波形図である。FIG. 5 is an output waveform diagram of a power supply IC.
【図6】電源用ICのデッドタイム調整機能を示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram showing a dead time adjustment function of a power supply IC.
【図7】図6の原理図である。FIG. 7 is a principle diagram of FIG.
1、2、3、4…抵抗、5…ツェナーダイオード、6…
ダイオード、7、8…入力端子、9…主変圧器、10…
1次巻線、11…MOSFET、15…補助電源、17
…2次巻線、18…整流器、22…ろ波器、23、24
…出力端子、27…電源用IC、32…検出回路、33
…3次巻線、34…整流器、35…コンデンサ、36、
37…分圧抵抗、38…フォトカプラ。1, 2, 3, 4 ... Resistance, 5 ... Zener diode, 6 ...
Diodes, 7, 8 ... Input terminals, 9 ... Main transformer, 10 ...
Primary winding, 11 ... MOSFET, 15 ... Auxiliary power supply, 17
... secondary winding, 18 ... rectifier, 22 ... filter, 23, 24
... output terminal, 27 ... power supply IC, 32 ... detection circuit, 33
... tertiary winding, 34 ... rectifier, 35 ... capacitor, 36,
37 ... Voltage dividing resistor, 38 ... Photo coupler.
Claims (1)
次巻線10と主開閉素子11とを直列に結合し、また前
記変圧器9の2次巻線17に整流器18、ろ波器22を
介して出力端子23、24を結合し、出力側からの誤差
検出信号を、フォトカプラ38で絶縁して取り出し、変
圧器9の1次側に設けたパルス巾制御用等の電源用IC
27に入力し、前記変圧器9に設けた3次巻線33、ダ
イオード34、コンデンサ35からなる補助電源15を
前記電源用IC27に結合し、前記誤差検出信号と、前
記電源用IC27に結合した分圧抵抗28、29による
基準電圧とを比較して導通角に対応した出力パルス信号
を得、この出力パルス信号にて主開閉素子のオン、オフ
を制御するスイッチング電源回路において、変圧器9の
1次側の電源入力端子7、8間に直接抵抗36、37を
結合して入力電源電圧に比例した電圧を取出すための検
出回路32を形成し、この検出回路32を電源用IC2
7の導通角を制限するためのデッドアングル制御用端子
に結合してなることを特徴とするスイッチング電源回
路。1. A transformer 9 is provided on the power input terminals 7 and 8 side.
The secondary winding 10 and the main switching element 11 are coupled in series, and the secondary winding 17 of the transformer 9 is coupled to the output terminals 23 and 24 via the rectifier 18 and the filter 22 from the output side. The error detection signal of is isolated by the photocoupler 38, is taken out, and is provided on the primary side of the transformer 9 for power supply IC for pulse width control and the like.
27, and the auxiliary power supply 15 including the tertiary winding 33, the diode 34, and the capacitor 35 provided in the transformer 9 is coupled to the power supply IC 27, and is coupled to the error detection signal and the power supply IC 27. In the switching power supply circuit that compares the reference voltage of the voltage dividing resistors 28 and 29 with the reference voltage to obtain the output pulse signal corresponding to the conduction angle, and controls the ON / OFF of the main switching element by this output pulse signal, Resistors 36 and 37 are directly coupled between the power source input terminals 7 and 8 on the primary side to form a detection circuit 32 for taking out a voltage proportional to the input power source voltage.
7. A switching power supply circuit characterized by being connected to a dead angle control terminal for limiting the conduction angle of 7.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23705391A JPH05316722A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Switching power source circuit |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23705391A JPH05316722A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Switching power source circuit |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8241084A Division JPS60226770A (en) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | Switching power source circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05316722A true JPH05316722A (en) | 1993-11-26 |
Family
ID=17009719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23705391A Pending JPH05316722A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Switching power source circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05316722A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5625064U (en) * | 1979-08-02 | 1981-03-07 | ||
JPS5791669A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Toshiba Corp | Switching regulator |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP23705391A patent/JPH05316722A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5625064U (en) * | 1979-08-02 | 1981-03-07 | ||
JPS5791669A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Toshiba Corp | Switching regulator |
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