JPH05315687A - Apparatus for controlling semiconductor laser output - Google Patents

Apparatus for controlling semiconductor laser output

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JPH05315687A
JPH05315687A JP4124068A JP12406892A JPH05315687A JP H05315687 A JPH05315687 A JP H05315687A JP 4124068 A JP4124068 A JP 4124068A JP 12406892 A JP12406892 A JP 12406892A JP H05315687 A JPH05315687 A JP H05315687A
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JP
Japan
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laser
semiconductor laser
frequency current
control signal
amplitude
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JP4124068A
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Japanese (ja)
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Masami Yuasa
正美 湯浅
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To provide a device for reducing laser noise by allowing high-frequency current in a laser diode, so as to reduce the power consumption of the laser diode, decrease the undesirable radiation level due to a disc and eliminate the level adjustment of high-frequency current. CONSTITUTION:A photodetector 6 and a converter 7 cooperate to produce a first control signal depending on the level of the output from a semiconductor laser 1, and the ac component of the first control signal is extracted by a capacitor 9. The ac component contains the fluctuation due to laser noises. A detector circuit 10 detects the amplitude of the ac component, and produces a second control signal depending on the detected amplitude. The second control signal is fed back to a high-frequency current source 3 for the amplitude control of the source current. As a result, the high-frequency current source is so controlled that the ac component in the first control signal may become constant; therefore, laser noises are sufficiently suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ビデオディスクプレー
ヤやコンパクトディスクプレーヤ等の光学式情報読取装
置等において、レーザビームのパワーを制御する半導体
レーザの出射光制御装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser emission light control device for controlling the power of a laser beam in an optical information reader such as a video disc player or a compact disc player.

【0002】[0002]

【従来の技術】ビデオディスクやコンパクトディスク等
の光学式ディスクは、ディスク上にピットが形成されて
おり、このピット上にレーザビームを照射すると、その
反射光はピットの有無による光学的な変調を受ける。従
来の光学式プレーヤは、変調を受けたレーザビームを電
気信号に変換し、さらにこれを矩形波に変換した後、復
調段に供給して、ディスクに記録された情報を再生す
る。
2. Description of the Related Art Optical discs such as video discs and compact discs have pits formed on the discs. When a laser beam is irradiated onto the pits, the reflected light is optically modulated depending on the presence or absence of the pits. receive. A conventional optical player converts a modulated laser beam into an electric signal, converts the electric signal into a rectangular wave, and then supplies the electric wave to a demodulation stage to reproduce information recorded on a disc.

【0003】ところで、従来の光学式プレーヤにおける
レーザビームの光源は、半導体レーザが用いられること
が多い。この半導体レーザのレーザパワーは、温度依存
性を有しており、外部温度が高くなるとレーザパワーが
減少することが知られている。このように外部温度によ
ってレーザパワーが変動すると、ディスクから読取られ
る読取信号のS/Nが劣化する。このため、比較的低い
周波数帯域のレーザパワーの変動を抑圧するために、半
導体レーザの出射光を受光素子でモニタし、モニタされ
たレーザパワーが一定になるようにするサーボ(APC
サーボ:Automatic Power Contr
olサーボ)が用いられる。
Incidentally, a semiconductor laser is often used as a light source of a laser beam in a conventional optical player. The laser power of this semiconductor laser has temperature dependence, and it is known that the laser power decreases as the external temperature rises. When the laser power fluctuates due to the external temperature, the S / N ratio of the read signal read from the disk deteriorates. Therefore, in order to suppress the fluctuation of the laser power in a relatively low frequency band, the emitted light of the semiconductor laser is monitored by the light receiving element so that the monitored laser power becomes constant (APC
Servo: Automatic Power Controller
ol servo) is used.

【0004】また半導体レーザは、単独の直流電流にて
駆動される場合、いわゆるシングルモードにて発振する
が、ディスクからの反射光が半導体レーザに戻ると、こ
の戻り光成分により、レーザパワーが変動することが知
られている。これは半導体レーザを構成する半導体結晶
の2つのへき開面で作られる光学的共振器のほかに、半
導体レーザのディスクの側面と、ディスク面とで作られ
る第2の光学的な共振器が構成されるためであり、ディ
スクの面振れ等によりディスクと半導体レーザとの距離
が変動すると、高周波のレーザノイズが観測される。
When the semiconductor laser is driven by a single direct current, it oscillates in a so-called single mode, but when the reflected light from the disk returns to the semiconductor laser, the laser power fluctuates due to this return light component. Is known to do. In addition to the optical resonator formed by the two cleavage planes of the semiconductor crystal constituting the semiconductor laser, a second optical resonator formed by the side surface of the semiconductor laser disk and the disk surface is formed. This is because if the distance between the disk and the semiconductor laser changes due to surface wobbling of the disk or the like, high-frequency laser noise is observed.

【0005】このような高周波のレーザノイズの発生を
低減するために、半導体レーザを駆動する駆動電流に高
周波電流を重畳することが知られており、かかる装置の
概要は特公昭59−9085号公報にも記載されてい
る。
In order to reduce the occurrence of such high-frequency laser noise, it is known to superimpose a high-frequency current on a driving current for driving a semiconductor laser, and the outline of such a device is disclosed in Japanese Patent Publication No. 59-9085. It is also described in.

【0006】図4は、かかるAPCサーボと、高周波電
流の重畳によるレーザノイズの抑圧装置を併用した従来
の半導体レーザの出射光制御装置の一例の構成を示すブ
ロック図である。図において、半導体レーザ1には、バ
イアス電流を供給する電流源2と、高周波電流を直流カ
ット用コンデンサ4を介して供給する高周波電流源3と
が接続されており、またバイアス電流値を定める電源5
が電流源2に接続されている。さらにAPCサーボのた
め、半導体レーザ1から出射されるレーザビームを受光
する受光素子6、及び受光素子6で光電変換された電流
値を電圧に変換する変換器(I−V)7が設けられてお
り、変換器7の出力はAPC回路8に供給される。AP
C回路8は変換器7の出力の直流レベルを検出し、この
直流レベルが一定になるように電流源2から供給される
バイアス電流値を制御する。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of an example of a conventional semiconductor laser emission light control device using such an APC servo and a device for suppressing laser noise caused by superposition of a high frequency current. In the figure, a semiconductor laser 1 is connected to a current source 2 for supplying a bias current and a high frequency current source 3 for supplying a high frequency current via a DC cutting capacitor 4, and a power source for determining a bias current value. 5
Are connected to the current source 2. Further, for the APC servo, a light receiving element 6 for receiving a laser beam emitted from the semiconductor laser 1 and a converter (IV) 7 for converting a current value photoelectrically converted by the light receiving element 6 into a voltage are provided. The output of the converter 7 is supplied to the APC circuit 8. AP
The C circuit 8 detects the DC level of the output of the converter 7, and controls the bias current value supplied from the current source 2 so that this DC level becomes constant.

【0007】図5は、他の従来の出射光制御装置の一例
の構成を示すブロック図であり、図4の従来例とは異な
り、APC回路8の出力は高周波電流源3に接続され、
高周波電流源3の出力の振幅を制御するように構成され
ている。
FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of another example of the conventional emitted light control device. Unlike the conventional example of FIG. 4, the output of the APC circuit 8 is connected to the high frequency current source 3,
It is configured to control the amplitude of the output of the high frequency current source 3.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザの
出射光制御装置は、受光素子6でモニタされる出射光の
出力レベルを電流源2の電流値、又は高周波電流源3の
振幅を制御することによって一定にするようにしてい
る。従って、半導体レーザ1の平均的なレーザパワーの
変動を抑圧することは可能である。しかしながら、19
85年10月発行の「光学」第14巻第5号の第53頁
乃至第60頁に掲載された「高周波電流重畳法による半
導体レーザー搭載ビデオディスクプレーヤのレーザノイ
ズ低減化」と題される記事によれば、高周波電流源3の
振幅がレーザノイズに対する依存性を有していることが
知られているが、例えば図5の従来例にしても、APC
回路8で検出されるのは受光素子6で受光される半導体
レーザ1のレーザパワーの平均値にすぎず、直接レーザ
ノイズに応じて高周波電流源3の振幅を制御しているわ
けではない。そこでAPC回路8を広帯域化して、交流
成分を帰還するAPCサーボを形成することも考えられ
るが、ノイズによる誤動作が免れない。
A conventional semiconductor laser emission light control apparatus controls the output level of the emission light monitored by the light receiving element 6 by controlling the current value of the current source 2 or the amplitude of the high frequency current source 3. I try to keep it constant. Therefore, it is possible to suppress the fluctuation of the average laser power of the semiconductor laser 1. However, 19
Article entitled "Reduction of laser noise in semiconductor laser mounted video disc player by high frequency current superposition method", published in October 1985, "Optics" Vol. 14, No. 5, pp. 53 to 60. It is known that the amplitude of the high frequency current source 3 has a dependency on the laser noise, but even in the conventional example of FIG.
The circuit 8 detects only the average value of the laser power of the semiconductor laser 1 received by the light receiving element 6, and does not directly control the amplitude of the high frequency current source 3 according to the laser noise. Therefore, it is conceivable to widen the band of the APC circuit 8 to form an APC servo that feeds back an AC component, but malfunction due to noise cannot be avoided.

【0009】また、平成2年5月発行の「レーザー研
究」第18巻第5号の第348頁乃至第354頁に掲載
された「負帰還法による光ディスクシステムのレーザー
ノイズ低減」と題される記事によれば、受光素子6で検
出されるレーザパワーの変動の交流成分のみを電流源2
に帰還する方法も考えられているが、ループ全体の高速
化や、高S/N化、小型化が必要であり、実用的ではな
い。
Further, it is entitled "Reduction of Laser Noise in Optical Disc System by Negative Feedback Method", which is published in "Laser Research" Vol. 18, No. 5, pp. 348 to 354, published in May 1990. According to the article, only the AC component of the laser power fluctuation detected by the light receiving element 6 is supplied to the current source 2
Although a method of returning to the above is also considered, it is not practical because it requires the speedup of the entire loop, high S / N ratio, and miniaturization.

【0010】従って、従来の高周波電流源3が発生する
高周波電流は、光学系や半導体レーザ1、温度特性等の
違いに耐え得るべく、比較的大きな振幅になるように調
整されており、不要な電力消費や、半導体レーザ1に対
する負担、不要輻射の増大を招くことになる。
Therefore, the high-frequency current generated by the conventional high-frequency current source 3 is adjusted to have a relatively large amplitude in order to withstand the differences in the optical system, the semiconductor laser 1, the temperature characteristics, etc., and is unnecessary. This causes power consumption, a burden on the semiconductor laser 1, and an increase in unnecessary radiation.

【0011】また、ディスクとして高い反射率を有する
アルミディスクと、反射率の低い光磁気ディスクの両方
の記録再生を可能にする記録再生装置に関する規格が提
案されているが、アルミディスクで十分効果を持つ高周
波電流を半導体レーザ1に供給するようにすると、光磁
気ディスクに対してはオーバースペックとなり、上述の
不要電力消費、不要輻射の上昇、半導体レーザ1の負担
の上昇に伴う寿命の短縮等の問題は一層顕著なものとな
る。
Further, a standard concerning a recording / reproducing apparatus capable of recording / reproducing both an aluminum disk having a high reflectance as a disk and a magneto-optical disk having a low reflectance has been proposed. If the high-frequency current possessed by the semiconductor laser 1 is supplied to the semiconductor laser 1, the magneto-optical disk will be over-specified, and the above-mentioned unnecessary power consumption, increase in unnecessary radiation, shortening of life due to increase in load on the semiconductor laser 1, etc. The problem becomes more prominent.

【0012】本発明は、半導体レーザ1に高周波電流を
重畳することによりレーザノイズを低減する装置におい
て、半導体レーザ1の消費電力の低減化、ディスクによ
る不要輻射レベルの低下、及び高周波電流のレベルの無
調整化を図ることのできる半導体レーザの出射光制御装
置を提供することを目的とする。
According to the present invention, in a device for reducing laser noise by superposing a high frequency current on the semiconductor laser 1, the power consumption of the semiconductor laser 1 is reduced, the unwanted radiation level by the disk is reduced, and the level of the high frequency current is reduced. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser emission light control device that can be adjusted.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
出射光制御装置は、半導体レーザ1に高周波電流を重畳
してレーザノイズを低減する装置であって、半導体レー
ザ1の出射光量に応じた第1の制御信号を生成する第1
の信号生成手段としての受光素子6、変換器7と、第1
の制御信号の交流成分の振幅に応じた第2の制御信号を
生成する第2の制御信号生成手段としてのコンデンサ
9、検波回路10と、検波回路10の出力である第2の
制御信号に応じて振幅が制御される高周波電流を発生す
る高周波電流発生手段としての高周波電流源3とを備え
たことを特徴とする。
An emission light control device for a semiconductor laser according to the present invention is a device for reducing a laser noise by superposing a high frequency current on the semiconductor laser 1, and it is suitable for the emission light amount of the semiconductor laser 1. First to generate a first control signal
A light receiving element 6, a converter 7 as a signal generating means of
According to the capacitor 9 as the second control signal generating means for generating the second control signal according to the amplitude of the AC component of the control signal, the detection circuit 10, and the second control signal output from the detection circuit 10. And a high frequency current source 3 as a high frequency current generating means for generating a high frequency current whose amplitude is controlled.

【0014】[0014]

【作用】上記構成の半導体レーザの出射光制御装置にお
いては、受光素子6、変換器7によって半導体レーザ1
が出射する出射光のレベルに応じた第1の制御信号が生
成され、第1の制御信号に含まれる交流成分がコンデン
サ9にて抽出される。この交流成分にはレーザノイズに
よる変動が含まれている。コンデンサ9で抽出された交
流成分の振幅が検波回路10で検波され、振幅に応じた
第2の制御信号が高周波電流源3に帰還される。高周波
電流源3は第2の制御信号に応じて振幅が制御される。
In the emitted light control device for a semiconductor laser having the above structure, the semiconductor laser 1 includes the light receiving element 6 and the converter 7.
The first control signal is generated according to the level of the outgoing light emitted by, and the AC component included in the first control signal is extracted by the capacitor 9. This AC component contains fluctuations due to laser noise. The amplitude of the AC component extracted by the capacitor 9 is detected by the detection circuit 10, and the second control signal corresponding to the amplitude is fed back to the high frequency current source 3. The amplitude of the high frequency current source 3 is controlled according to the second control signal.

【0015】従って、受光素子6で受光され、変換器7
で変換された第1の制御信号に含まれる交流成分が一定
となるように高周波電流源3が制御されるので、レーザ
ノイズの発生が良好な条件にて抑圧される。
Accordingly, the light is received by the light receiving element 6, and the converter 7
Since the high-frequency current source 3 is controlled so that the AC component included in the first control signal converted in step 1 is constant, the generation of laser noise is suppressed under favorable conditions.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。なお、従来の場合と同様の部分には同一の符号を
付与し、その説明は適宜省略する。図1は、本発明の半
導体レーザの出射光制御装置の一実施例の構成を示すブ
ロック図である。図において、第1の信号生成手段とし
ての受光素子6、及び変換器7の出力は、第1の制御信
号としてAPC回路8に供給される他、直流カット用の
コンデンサ9にも供給されており、変換器7の出力であ
る第1の制御信号に含まれる交流成分がコンデンサ9に
より抽出される。コンデンサ9により抽出された交流成
分の信号の振幅が検波回路10で検波されて、第2の制
御信号として高周波電流源3(高周波電流発生手段)に
帰還されている。一方、APC回路8の出力は図4の従
来例と同様に、電流源2に帰還されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same parts as those in the conventional case are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of a semiconductor laser emission light control apparatus of the present invention. In the figure, the outputs of the light receiving element 6 as the first signal generating means and the converter 7 are supplied to the APC circuit 8 as the first control signal and also to the DC cut capacitor 9. The AC component included in the first control signal output from the converter 7 is extracted by the capacitor 9. The amplitude of the AC component signal extracted by the capacitor 9 is detected by the detection circuit 10 and is fed back to the high frequency current source 3 (high frequency current generating means) as the second control signal. On the other hand, the output of the APC circuit 8 is fed back to the current source 2 as in the conventional example of FIG.

【0017】以上の構成による動作について説明する。
半導体レーザ1のレーザパワーの平均的な変動は、AP
C回路8によって電流源2を制御することにより、従来
の場合と同様に抑圧される。本実施例においてはさらに
変換器7の出力である第1の制御信号の比較的高い周波
数変動成分(交流成分)の振幅が検波回路10で検出さ
れる。検波回路10で検出される交流成分の振幅は、レ
ーザノイズによって変動を受けているので、この振幅が
一定になるように高周波電流源の振幅を制御することに
よって、レーザノイズの影響が低減される。
The operation of the above configuration will be described.
The average fluctuation of the laser power of the semiconductor laser 1 is AP
By controlling the current source 2 by the C circuit 8, the current is suppressed as in the conventional case. In the present embodiment, the detection circuit 10 further detects the amplitude of the relatively high frequency fluctuation component (AC component) of the first control signal output from the converter 7. Since the amplitude of the AC component detected by the detection circuit 10 is changed by the laser noise, the influence of the laser noise is reduced by controlling the amplitude of the high frequency current source so that the amplitude becomes constant. ..

【0018】図3は、半導体レーザ1に供給されるバイ
アス電流とレーザパワーとの関係を示すグラフであり、
グラフ(イ)は、半導体レーザ1の電流−パワーの特性
図、グラフ(ロ)は高周波電流源3の発生する高周波電
流の波形、グラフ(ハ)はグラフ(ロ)の高周波電流を
供給した場合の半導体レーザ1の出射光の特性をそれぞ
れ表している。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the bias current supplied to the semiconductor laser 1 and the laser power.
The graph (a) is a current-power characteristic diagram of the semiconductor laser 1, the graph (b) is a waveform of the high frequency current generated by the high frequency current source 3, and the graph (c) is a case where the high frequency current of the graph (b) is supplied. The characteristics of the emitted light of the semiconductor laser 1 are shown.

【0019】グラフ(イ)において、横軸はバイアス電
流の強度を、縦軸はレーザパワーを示しており、閾値電
流Aを供給すると、それより大きい電流に対してレーザ
パワーは傾きBで略リニアに増加する。そこで、閾値電
流Aよりもわずかに低い電流値Fの電流を電流源2から
半導体レーザ1に供給し、高周波電流源3からは、その
振幅が(A−F)の2倍よりも大きい高周波電流を半導
体レーザ1に供給すると、半導体レーザ1にはグラフ
(ロ)に示すような時間的に振幅の変化する電流が供給
される。なお、グラフ(ロ)は横軸に電流、縦軸に時間
を示している。
In the graph (a), the horizontal axis represents the intensity of the bias current and the vertical axis represents the laser power. When the threshold current A is supplied, the laser power is substantially linear with a slope B for a larger current. Increase to. Therefore, a current having a current value F slightly lower than the threshold current A is supplied from the current source 2 to the semiconductor laser 1, and the high frequency current source 3 supplies a high frequency current whose amplitude is larger than twice (A-F). Is supplied to the semiconductor laser 1, a current whose amplitude changes with time is supplied to the semiconductor laser 1, as shown in the graph (b). The graph (b) shows current on the horizontal axis and time on the vertical axis.

【0020】グラフ(ロ)に見られるバイアス電流を半
導体レーザ1に供給すると、半導体レーザ1は閾値電流
Aよりも低い電流が供給される期間にてレーザパワーが
0になり、閾値電流Aを越える電流が供給される期間に
て所定のレーザパワーが出力され、そのピークのパワー
Dは高周波電流源3が発生する高周波電流の振幅に依存
する。このレーザパワーの時間的変化を示したのがグラ
フ(ハ)であり、グラフ(ハ)においては横軸に時間、
縦軸にレーザパワーを示している。尚、グラフ(ハ)に
おいて、平均レーザパワーがCで示されている。
When the bias current shown in the graph (b) is supplied to the semiconductor laser 1, the laser power of the semiconductor laser 1 becomes 0 in the period in which a current lower than the threshold current A is supplied, and exceeds the threshold current A. A predetermined laser power is output during the period in which the current is supplied, and the peak power D depends on the amplitude of the high frequency current generated by the high frequency current source 3. Graph (c) shows the change over time in the laser power. In graph (c), the horizontal axis indicates time,
The vertical axis shows the laser power. In the graph (C), the average laser power is shown by C.

【0021】図1の実施例においては、平均レーザパワ
ーCが一定となるように、APC回路10にて電流源2
の電流値(グラフ(ロ)のF)が制御され、ピークパワ
ーDが一定となるように検波回路10にて高周波電流源
2が発生する高周波電流の振幅(グラフ(ロ)のE)が
制御される。
In the embodiment shown in FIG. 1, the APC circuit 10 supplies the current source 2 so that the average laser power C becomes constant.
Current value (F in graph (b)) is controlled, and the amplitude of the high-frequency current generated by the high-frequency current source 2 in the detection circuit 10 (E in graph (b)) is controlled so that the peak power D becomes constant. To be done.

【0022】図4、図5の従来の装置においては、グラ
フ(ロ)のE又はFのいずれか一方のみが制御される構
成であったのに比較して、本実施例においては、レーザ
パワーの比較的緩やかな変動はAPC回路10による電
流源2の電流レベル(F)制御によって行なわれ、レー
ザノイズを伴う高い周波数変動は検波回路10による高
周波電流源3の振幅(E)制御によって行なわれるの
で、レーザパワーの変動が低域から高域にかけて抑圧さ
れる。
In the conventional apparatus shown in FIGS. 4 and 5, only one of E and F in the graph (b) is controlled, but in the present embodiment, the laser power is changed. Is controlled by the current level (F) of the current source 2 by the APC circuit 10, and a high frequency fluctuation caused by laser noise is controlled by the amplitude (E) of the high frequency current source 3 by the detection circuit 10. Therefore, the fluctuation of the laser power is suppressed from the low range to the high range.

【0023】図2は、本発明の半導体レーザの出射光制
御装置の他の実施例の構成を示すブロック図であり、図
1の実施例と異なる点は、APC回路8の出力が高周波
電流源3の振幅を制御する制御信号として、加算器11
により、検波回路10の出力に加算されている点であ
る。すなわち、半導体レーザ1の平均的レーザパワー
(図3のグラフ(ハ)のC)は、電流源2の発生する電
流の電流値だけでなく、高周波電流源3の発生する高周
波電流の振幅にも依存するので、図2の実施例のように
平均的なレーザパワーの変動を抑圧するために、電流源
2及び高周波電流源3をAPC回路8の出力によって共
に制御するようにしてもよいのである。
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of another embodiment of the emitted light control apparatus for a semiconductor laser of the present invention. The difference from the embodiment of FIG. 1 is that the output of the APC circuit 8 is a high frequency current source. As the control signal for controlling the amplitude of 3, the adder 11
Is added to the output of the detection circuit 10. That is, the average laser power of the semiconductor laser 1 (C in the graph (c) of FIG. 3) not only affects the current value of the current generated by the current source 2 but also the amplitude of the high frequency current generated by the high frequency current source 3. Therefore, the current source 2 and the high frequency current source 3 may be controlled together by the output of the APC circuit 8 in order to suppress the average fluctuation of the laser power as in the embodiment of FIG. ..

【0024】なお、図3のグラフ(ハ)においては、出
射光そのものの波形が周期的に変動するが、高周波電流
の周波数を、ディスクから読取られるキャリア周波数よ
りも十分に高い周波数とすれば、読取り能力にはほとん
ど影響を与えない。例えばビデオディスクの場合、読取
りRF信号の最高周波数は約10MHzであるので、高
周波電流の周波数は例えば50MHz程度とすればよ
い。
In the graph (c) of FIG. 3, the waveform of the emitted light itself fluctuates periodically, but if the frequency of the high frequency current is sufficiently higher than the carrier frequency read from the disk, Readability is hardly affected. For example, in the case of a video disc, the maximum frequency of the read RF signal is about 10 MHz, so the frequency of the high frequency current may be set to about 50 MHz, for example.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザの出
射光制御装置によれば、半導体レーザの出射光のパワー
に応じた第1の制御信号に含まれる交流成分を検出して
その振幅に応じた第2の制御信号を発生する手段を設
け、半導体レーザに供給される高周波電流の振幅を第2
の制御信号により制御する様にしたので、レーザノイズ
によるレーザパワーの比較的高い周波数変動を抑圧でき
る。
As described above, according to the emitted light control apparatus for a semiconductor laser of the present invention, the AC component contained in the first control signal corresponding to the power of the emitted light of the semiconductor laser is detected and its amplitude is detected. A means for generating a second control signal according to the second control signal is provided, and the amplitude of the high-frequency current supplied to the semiconductor laser is set to the second value.
Since it is controlled by the control signal of, the relatively high frequency fluctuation of the laser power due to the laser noise can be suppressed.

【0026】換言すれば高周波電流の振幅を不必要に高
めることなくレーザノイズを低減させることができるの
で、不要な消費電力を必要とせず、半導体レーザに対す
る負荷を低減できることから、半導体レーザの寿命を延
ばすことができると共に、ディスクからの不要輻射レベ
ルをも下げることができる。
In other words, since the laser noise can be reduced without unnecessarily increasing the amplitude of the high frequency current, unnecessary power consumption is not required and the load on the semiconductor laser can be reduced, so that the life of the semiconductor laser can be reduced. In addition to being able to extend the length, it is possible to reduce the unwanted radiation level from the disk.

【0027】さらには高周波電流の振幅の初期調整の無
調整化を図ることができる。
Furthermore, the initial adjustment of the amplitude of the high-frequency current can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の半導体レーザの出射光制御装置の一実
施例の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of a semiconductor laser emission light control apparatus of the present invention.

【図2】本発明の半導体レーザの出射光制御装置の他の
実施例の構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of another embodiment of the emitted light control device for a semiconductor laser of the present invention.

【図3】半導体レーザとバイアス電流、及びレーザパワ
ーとの関係を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing a relationship between a semiconductor laser, a bias current, and a laser power.

【図4】従来の半導体レーザの出射光制御装置の一例の
構成を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of an example of a conventional emission control device for a semiconductor laser.

【図5】従来の半導体レーザの出射光制御装置の他の例
の構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of another example of a conventional emitted light control device for a semiconductor laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 電流源 3 高周波電流源(高周波電流発生手段) 4 コンデンサ 5 電源 6 受光素子 7 変換器(第1の信号生成手段) 8 APC回路 9 コンデンサ 10 検波回路(第2の信号生成手段) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 semiconductor laser 2 current source 3 high frequency current source (high frequency current generating means) 4 capacitor 5 power source 6 light receiving element 7 converter (first signal generating means) 8 APC circuit 9 capacitor 10 detection circuit (second signal generating means)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザに高周波電流を重畳してレ
ーザノイズを低減する装置であって、 前記半導体レーザの出射光量に応じた第1の制御信号を
生成する第1の信号生成手段と、 前記第1の制御信号の交流成分の振幅に応じた第2の制
御信号を生成する第2の信号生成手段と、 前記第2の制御信号に応じて振幅が制御される高周波電
流を発生する高周波電流発生手段とを備えたことを特徴
とする半導体レーザの出射光制御装置。
1. A device for reducing laser noise by superimposing a high-frequency current on a semiconductor laser, comprising: first signal generating means for generating a first control signal according to the amount of light emitted from the semiconductor laser; Second signal generating means for generating a second control signal according to the amplitude of the AC component of the first control signal; and a high-frequency current for generating a high-frequency current whose amplitude is controlled according to the second control signal. An emission light control device for a semiconductor laser, comprising: a generation unit.
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