JPH05299390A - Dry etching method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング方法
に関し、特にポリサイド膜のドライエッチング方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dry etching method, and more particularly to a dry etching method for a polycide film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般にポリサイド膜は、トランジスタの
ゲート電極、もしくは配線に用いられている。図７〜図
９は、従来のポリサイド膜のドライエッチングを工程順
に示した半導体チップの断面図である。2. Description of the Related Art Generally, a polycide film is used for a gate electrode of a transistor or a wiring. 7 to 9 are cross-sectional views of a semiconductor chip showing a conventional polycide film dry etching step by step.
【０００３】まず、図７に示すように半導体基板３５
上、シリコン酸化膜３４、ポリシリコン膜３３、タング
ステンシリサイド膜３２を順に積層成長しポリサイド膜
を形成し、フォトレジスト３１によりパターンを形成す
る。First, as shown in FIG. 7, a semiconductor substrate 35 is used.
A silicon oxide film 34, a polysilicon film 33, and a tungsten silicide film 32 are sequentially stacked and grown to form a polycide film, and a pattern is formed by a photoresist 31.
【０００４】次に図８に示すように、タングステンシリ
サイド膜３２をフッ素を含有するガスを主とした、例え
ば六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），フロン１２（ＣＣｌ2 Ｆ
2 ）の混合ガス、あるいは六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），塩
素（Ｃｌ2 ）の混合ガスにより完全にエッチングを行
う。Next, as shown in FIG. 8, the tungsten silicide film 32 is mainly composed of a gas containing fluorine, such as sulfur hexafluoride (SF 6 ) and Freon 12 (CCl 2 F).
A mixed gas of 2), or sulfur hexafluoride (SF 6), a complete etching using a mixed gas of chlorine (Cl 2).
【０００５】続いて図９に示すように、半導体基板３５
をチャンバー内に保持した状態で、ポリシリコン膜４３
を例えば、フロン１２（ＣＣｌ2 Ｆ2 ），窒素（Ｎ2 ）
の混合ガスによりエッチングを行い、ポリサイド膜のパ
ターンを形成する。この際、ポリシリコン膜３３にサイ
ドエッチ３６が発生する。Subsequently, as shown in FIG. 9, a semiconductor substrate 35 is formed.
With the polysilicon held in the chamber,
For example, Freon 12 (CCl 2 F 2 ) and nitrogen (N 2 )
Etching is performed with the mixed gas of to form a pattern of the polycide film. At this time, a side etch 36 occurs in the polysilicon film 33.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】この従来のポリサイド
膜のドライエッチング方法では、上層部のシリサイド膜
のエッチングにおいて、六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），塩素
（Ｃｌ2 ）の混合ガスを用いた場合、エッチング中に蒸
気圧の低い六塩化タングステン（ＷＣｌ6 ）が揮発せず
に固体の状態で残留しパーティクルの原因となり、配線
間でのショート，再現性の悪化という問題があった。In the conventional dry etching method for a polycide film, when a mixed gas of sulfur hexafluoride (SF 6 ) and chlorine (Cl 2 ) is used for etching the silicide film in the upper layer portion. During etching, tungsten hexachloride (WCl 6 ) having a low vapor pressure does not volatilize and remains in a solid state to cause particles, which causes a problem of short circuit between wirings and deterioration of reproducibility.
【０００７】また、六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），フロン１
２（ＣＣｌ2 Ｆ2 ）の混合ガスによるエッチングでは、
パーティクルの発生等の問題はないが、フロン１２（Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 ）は、オゾン層を破壊する性質を持ってお
り、今後使用することが禁止されている。Further, sulfur hexafluoride (SF 6 ) and Freon 1
2 (CCl 2 F 2 ) mixed gas etching,
There are no problems such as particle generation, but Freon 12 (C
Cl 2 F 2 ) has the property of depleting the ozone layer, and its future use is prohibited.
【０００８】また、従来のポリサイド膜のドライエッチ
ングでは、上層部のシリサイド膜のエッチングに使用し
た六フッ化硫黄（ＳＦ6 ）が残留した状態で、続けて下
層部のポリシリコン膜のエッチングを行っている。六フ
ッ化硫黄（ＳＦ6 ）によるポリシリコン膜のエッチング
は等方性エッチングであること、またフロン１２（ＣＣ
ｌ2 Ｆ2 ），窒素（Ｎ2 ）の混合ガスによるポリシリコ
ン膜のエッチングでは側壁保護を行う反応生成物が乏し
いことから、ポリシリコン膜にサイドエッチが生じると
いう問題があった。Further, in the conventional dry etching of the polycide film, the polysilicon film of the lower layer is continuously etched in the state where sulfur hexafluoride (SF 6 ) used for etching the silicide film of the upper layer remains. ing. The etching of the polysilicon film with sulfur hexafluoride (SF 6 ) is isotropic etching, and the fluorocarbon 12 (CC
In the etching of the polysilicon film with a mixed gas of 1 2 F 2 ) and nitrogen (N 2 ), there is a problem that side etching occurs in the polysilicon film because reaction products for protecting the side wall are scarce.
【０００９】本発明の目的は、サイドエッチの発生を防
止したドライエッチング方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a dry etching method which prevents side etching from occurring.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るドライエッチング方法は、フォトレジ
ストをマスクとして、下地酸化膜上のポリサイド膜をエ
ッチングする方法であって、上層のシリサイド膜を少な
くとも六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），臭化水素（ＨＢｒ）を
含むガス系によりエッチングを行い、次に下層のポリシ
リコン膜のエッチングを少なくとも塩素（Ｃｌ2 ），臭
化水素（ＨＢｒ）を含むガス系によりエッチングを行う
ものである。In order to achieve the above object, a dry etching method according to the present invention is a method of etching a polycide film on an underlying oxide film using a photoresist as a mask. Is etched with a gas system containing at least sulfur hexafluoride (SF 6 ) and hydrogen bromide (HBr), and then the lower polysilicon film is etched with at least chlorine (Cl 2 ) and hydrogen bromide (HBr). Etching is carried out with a gas system containing it.
【００１１】[0011]
【作用】本発明のポリサイド膜のドライエッチング方法
は、ポリサイド膜の上層部を形成しているシリサイド膜
のエッチングについて、少なくとも六フッ化硫黄（ＳＦ
6 ）臭化水素（ＨＢｒ）を含むガス系でエッチングを行
い、続いて下層部のポリシリコン膜のエッチングについ
て少なくとも塩素（Ｃｌ2 ），臭化水素（ＨＢｒ）を含
むガス系によりエッチングを行う。According to the dry etching method of the polycide film of the present invention, at least sulfur hexafluoride (SF) is used for etching the silicide film forming the upper layer portion of the polycide film.
6 ) Etching is performed in a gas system containing hydrogen bromide (HBr), and then etching of the lower polysilicon film is performed in a gas system containing at least chlorine (Cl 2 ) and hydrogen bromide (HBr).
【００１２】[0012]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１３】（実施例１）図１〜図３は、本発明の実施
例１に係るポリサイド膜のドライエッチングを工程順に
示した半導体チップの断面図である。(Embodiment 1) FIGS. 1 to 3 are sectional views of a semiconductor chip showing a dry etching of a polycide film according to a first embodiment of the present invention in the order of steps.
【００１４】まず図１に示すように、半導体基板１５上
にシリコン酸化膜１４を形成し、その上にポリシリコン
膜１３を１５００Å、その上にタングステンシリサイド
膜１２を１５００Åそれぞれ成長させてポリサイド膜を
形成し、フォトレジスト１１でパターンを形成する。First, as shown in FIG. 1, a silicon oxide film 14 is formed on a semiconductor substrate 15, a polysilicon film 13 is grown on it by 1500 Å, and a tungsten silicide film 12 is grown on it by 1500 Å to form a polycide film. Then, a pattern is formed with the photoresist 11.
【００１５】次に図２に示すように、この半導体基板を
一般的な平行平板型ドライエッチング装置を用いて、六
フッ化硫黄（ＳＦ6 ），臭化水素（ＨＢｒ）の混合ガス
により、タングステンシリサイド膜１２を完全にエッチ
ングを行う。Next, as shown in FIG. 2, this semiconductor substrate was tungsten-doped by a mixed gas of sulfur hexafluoride (SF 6 ) and hydrogen bromide (HBr) using a general parallel plate type dry etching apparatus. The silicide film 12 is completely etched.
【００１６】エッチングの終点検出は、特定の波長の発
光強度をモニタリングする一般的な終点検出装置を用い
て行う。The end point of etching is detected by using a general end point detecting device which monitors the emission intensity of a specific wavelength.
【００１７】最後に図３に示すように、ポリシリコン膜
１３を塩素（Ｃｌ2 ），臭化水素（ＨＢｒ）の混合ガス
を用いてエッチングを行う。Finally, as shown in FIG. 3, the polysilicon film 13 is etched using a mixed gas of chlorine (Cl 2 ) and hydrogen bromide (HBr).
【００１８】臭化水素（ＨＢｒ）を用いたポリシリコン
膜のエッチングは、シリコン臭化物ＳｉＢｒx （ｘ＝
１，２，３，４）等の側壁保護効果の大きい生成物が豊
富なので、結果として、タングステンシリサイド膜１
２，ポリシリコン膜１３からなるポリサイド膜は、ポリ
シリコン膜１３にサイドエッチが生ずることなく、半導
体基板１５に対し垂直な形状を得ることができる。The etching of the polysilicon film using hydrogen bromide (HBr) is performed by using silicon bromide SiBr x (x =
1,2,3,4), etc., are abundant in products with a large sidewall protection effect, and as a result, the tungsten silicide film 1
2. The polycide film composed of the polysilicon film 13 can obtain a shape perpendicular to the semiconductor substrate 15 without side etching of the polysilicon film 13.
【００１９】六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），臭化水素（ＨＢ
ｒ）の混合ガスによるタングステンシリサイド膜１２の
エッチングでは、高周波パワー密度０．０５〜０．１５
Ｗ／ｃｍ2 ，圧力６〜１０Ｐａ、ガス流量：六フッ化硫
黄（ＳＦ6 ）２０〜８０ｓｃｃｍ，臭化水素（ＨＢｒ）
２０〜８０ｓｃｃｍの範囲、また塩素（Ｃｌ2 ），臭化
水素（ＨＢｒ）の混合ガスによるポリシリコン膜１３の
エッチングでは、高周波パワー密度０．０３〜０．１３
Ｗ／ｃｍ2 ，圧力１０〜１６Ｐａ，ガス流量：塩素（Ｃ
ｌ2 ）３０〜６０ｓｃｃｍ，臭化水素（ＨＢｒ）３０〜
６０ｓｃｃｍの範囲での適当な条件の組み合わせで垂直
な形状を得ることができる。Sulfur hexafluoride (SF 6 ), hydrogen bromide (HB
In the etching of the tungsten silicide film 12 with the mixed gas of r), the high frequency power density is 0.05 to 0.15.
W / cm 2 , pressure 6 to 10 Pa, gas flow rate: sulfur hexafluoride (SF 6 ) 20 to 80 sccm, hydrogen bromide (HBr)
In the etching of the polysilicon film 13 in the range of 20 to 80 sccm, and the mixed gas of chlorine (Cl 2 ) and hydrogen bromide (HBr), the high frequency power density is 0.03 to 0.13.
W / cm 2 , pressure 10 to 16 Pa, gas flow rate: chlorine (C
12 ) 30-60 sccm, hydrogen bromide (HBr) 30-
A vertical shape can be obtained by a combination of appropriate conditions in the range of 60 sccm.
【００２０】（実施例２）図４，図５，図６は、本発明
の実施例２に係るポリサイド膜のドライエッチングを工
程順に示した半導体チップの断面図である。(Embodiment 2) FIGS. 4, 5 and 6 are sectional views of a semiconductor chip showing a dry etching of a polycide film according to a second embodiment of the present invention in the order of steps.
【００２１】まず図４に示すように、半導体基板２５上
に形成したシリコン酸化膜２４上にポリシリコン膜２３
を１５００Å、その上にタングステンシリサイド膜２２
を１５００Å成長させてポリサイド膜を形成し、フォト
レジスト２１でパターンを形成する。First, as shown in FIG. 4, a polysilicon film 23 is formed on a silicon oxide film 24 formed on a semiconductor substrate 25.
1500 Å, and the tungsten silicide film 22 thereon
Is grown for 1500 Å to form a polycide film, and a pattern is formed with the photoresist 21.
【００２２】次に図５に示すように、この半導体基板を
一般的な平行平板型ドライエッチング装置を用いて、六
フッ化硫黄（ＳＦ6 ），臭化水素（ＨＢｒ）の混合ガス
により、タングステンシリサイド膜２２を完全にエッチ
ングを行う。Next, as shown in FIG. 5, this semiconductor substrate was tungsten-treated with a mixed gas of sulfur hexafluoride (SF 6 ) and hydrogen bromide (HBr) by using a general parallel plate type dry etching apparatus. The silicide film 22 is completely etched.
【００２３】エッチングの終点検出は、特定の波長の発
光強度をモニタリングする一般的な終点検出装置を用い
て行う。The end point of etching is detected by using a general end point detecting device which monitors the emission intensity of a specific wavelength.
【００２４】最後に図６に示すように、ポリシリコン膜
２３を塩素（Ｃｌ2 ），臭化水素（ＨＢｒ），酸素（Ｏ
2 ）の混合ガスを用いてエッチングを行う。Finally, as shown in FIG. 6, the polysilicon film 23 is filled with chlorine (Cl 2 ), hydrogen bromide (HBr), oxygen (O 2 ).
Etching is performed using the mixed gas of 2 ).
【００２５】臭化水素（ＨＢｒ）を用いたポリシリコン
膜のエッチングは、シリコン臭化物ＳｉＢｒx （ｘ＝
１，２，３，４）等の側壁保護効果の大きい生成物が豊
富なので、結果として、タングステンシリサイド膜２
２，ポリシリコン膜２３からなるポリサイド膜は、ポリ
シリコン膜２３にサイドエッチが生ずることなく、半導
体基板２５に対し垂直な形状を得ることができる。The etching of the polysilicon film using hydrogen bromide (HBr) is performed by using silicon bromide SiBr x (x =
1,2,3,4), etc., are abundant in products with a large sidewall protection effect, and as a result, the tungsten silicide film 2
2. The polycide film composed of the polysilicon film 23 can obtain a shape perpendicular to the semiconductor substrate 25 without causing side etching in the polysilicon film 23.
【００２６】また本実施例では、ポリシリコン膜２３の
エッチングにおいて酸素（Ｏ2 ）を添加することによ
り、下地酸化膜に対し、実施例１よりも選択性の高いエ
ッチングを行うことが可能である。In addition, in this embodiment, by adding oxygen (O 2 ) in etching the polysilicon film 23, it is possible to perform etching with higher selectivity than the first embodiment with respect to the underlying oxide film. ..
【００２７】表１に従来技術、および本発明の実施例
１，実施例２により、下地シリコン酸化膜１８０Åの上
にポリシリコン膜１５００Å、タングステンシリサイド
膜１５００Åを成長したポリサイド膜をエッチングした
時の下地シリコン酸化膜のエッチング量を示す。In Table 1, according to the prior art, and Embodiments 1 and 2 of the present invention, a polycide film in which a polysilicon film 1500Å and a tungsten silicide film 1500Å are grown on a base silicon oxide film 180Å is etched. The etching amount of the silicon oxide film is shown.
【００２８】[0028]
【表１】 [Table 1]
【００２９】従来技術であるタングステンシリサイド膜
を六フッ化硫黄（ＳＦ6 ）、フロン１２（ＣＣｌ2 Ｆ
2 ）の混合ガスによりエッチングを行い、ポリシリコン
膜をフロン１２（ＣＣｌ2 Ｆ2 ），窒素（Ｎ2 ）の混合
ガスによりエッチングを行う方法では、下地シリコン酸
化膜は８０〜１００Åエッチングされる。A conventional tungsten silicide film is formed of sulfur hexafluoride (SF 6 ) and Freon 12 (CCl 2 F).
In the method of etching the mixed gas of 2 ) and etching the polysilicon film with the mixed gas of Freon 12 (CCl 2 F 2 ) and nitrogen (N 2 ), the underlying silicon oxide film is etched by 80 to 100 Å.
【００３０】次に実施例１であるタングステンシリサイ
ド膜を六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），臭化水素（ＨＢｒ）の
混合ガスによりエッチングを行い、ポリシリコン膜を塩
素（Ｃｌ2 ），臭化水素（ＨＢｒ）の混合ガスによりエ
ッチングを行う方法では、下地シリコン酸化膜は４０〜
６０Åエッチングされる。Next, the tungsten silicide film of Example 1 is etched with a mixed gas of sulfur hexafluoride (SF 6 ) and hydrogen bromide (HBr) to etch the polysilicon film with chlorine (Cl 2 ) and hydrogen bromide. In the method of etching with a mixed gas of (HBr), the underlying silicon oxide film is 40 to
60Å Etched.
【００３１】本実施例であるタングステンシリサイド膜
を、六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），臭化水素（ＨＢｒ）の混
合ガスによりエッチングを行い、ポリシリコン膜を塩素
（Ｃｌ2 ），臭化水素（ＨＢｒ），酸素の混合ガスによ
るエッチング方法では、下地シリコン酸化膜は２０〜４
０Åエッチングされており、本実施例は、従来技術およ
び実施例１に比べ、下地シリコン酸化膜に対し選択性の
高いエッチングが可能である。The tungsten silicide film of this embodiment is etched with a mixed gas of sulfur hexafluoride (SF 6 ) and hydrogen bromide (HBr) to etch the polysilicon film with chlorine (Cl 2 ) and hydrogen bromide ( In the etching method using a mixed gas of HBr) and oxygen, the base silicon oxide film has a thickness of 20-4.
Since 0Å is etched, this embodiment can perform etching with high selectivity with respect to the underlying silicon oxide film as compared with the prior art and the first embodiment.
【００３２】本実施例では、六フッ化硫黄（ＳＦ6 ），
臭化水素（ＨＢｒ）の混合ガスによるタングステンシリ
サイド膜２２のエッチングでは、高周波パワー密度０．
０５〜０．１５Ｗ／ｃｍ2 ，圧力６〜１０Ｐａ，ガス流
量：六フッ化硫黄（ＳＦ6 ）２０〜８０ｓｃｃｍ，臭化
水素（ＨＢｒ）２０〜８０ｓｃｃｍの範囲、また塩素
（Ｃｌ2 ），臭化水素（ＨＢｒ），酸素（Ｏ2 ）の混合
ガスによるポリシリコン膜２３のエッチングでは、高周
波パワー密度０．０３〜０．１３Ｗ／ｃｍ2 ，圧力１０
〜１６Ｐａ，ガス流量：塩素（Ｃｌ2 ）３０〜６０ｓｃ
ｃｍ，臭化水素（ＨＢｒ）３０〜６０ｓｃｃｍ，酸素
（Ｏ2 ）０．５〜１．５ｓｃｃｍの範囲での適当な条件
の組み合わせで垂直、かつ下地酸化膜２４に対し選択性
の高いエッチングが可能である。In this embodiment, sulfur hexafluoride (SF 6 ),
In the etching of the tungsten silicide film 22 with the mixed gas of hydrogen bromide (HBr), the high frequency power density of 0.
05 to 0.15 W / cm 2 , pressure 6 to 10 Pa, gas flow rate: sulfur hexafluoride (SF 6 ) 20 to 80 sccm, hydrogen bromide (HBr) 20 to 80 sccm, chlorine (Cl 2 ), bromide In etching the polysilicon film 23 with a mixed gas of hydrogen (HBr) and oxygen (O 2 ), the high frequency power density is 0.03 to 0.13 W / cm 2 , and the pressure is 10
~ 16 Pa, gas flow rate: chlorine (Cl 2 ) 30 to 60 sc
cm, hydrogen bromide (HBr) 30 to 60 sccm, and oxygen (O 2 ) 0.5 to 1.5 sccm in a suitable combination of conditions, which is vertical and highly selective to the underlying oxide film 24. Is.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、タングス
テンシリサイド膜、ポリシリコン膜からなるポリサイド
膜を、上層部のシリサイド膜については、少なくとも六
フッ化硫黄（ＳＦ6 ），臭化水素（ＨＢｒ）を含むガス
系によりエッチングを行い、下層部のポリシリコン膜に
ついては、少なくとも塩素（Ｃｌ2 ），臭化水素（ＨＢ
ｒ）を含むガス系によりエッチングを行っているため、
今後環境への影響を考慮して使用が禁止されている塩素
（Ｃｌ2 ）を含むフロンガスを使用することなく、か
つ、パーティクルが発生することがなく、かつポリシリ
コン膜にサイドエッチが生じないポリサイド膜のエッチ
ングが可能である。As described above, according to the present invention, a polycide film made of a tungsten silicide film and a polysilicon film is used, and at least an upper silicide film is at least sulfur hexafluoride (SF 6 ) and hydrogen bromide (HBr). ) Is used for etching, and the lower polysilicon film is at least chlorine (Cl 2 ) and hydrogen bromide (HB).
Since etching is performed with a gas system containing r),
Polycide that does not use Freon gas containing chlorine (Cl 2 ), which will be prohibited in consideration of environmental impact in the future, does not generate particles, and does not cause side etching in the polysilicon film. Membrane etching is possible.
【００３４】また、実施例２ではポリシリコン膜のエッ
チングにおいて、酸素（Ｏ2 ）を混合することにより、
下地酸化膜に対し選択性の高いエッチングが可能である
という結果を有する。In the second embodiment, oxygen (O 2 ) is mixed in etching the polysilicon film,
It has the result that etching with high selectivity can be performed with respect to the underlying oxide film.
【図１】本発明の実施例１を工程順に示した断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention in the order of steps.
【図２】本発明の実施例１を工程順に示した断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the first embodiment of the present invention in the order of steps.
【図３】本発明の実施例１を工程順に示した断面図であ
る。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the first embodiment of the present invention in the order of steps.
【図４】本発明の実施例２を工程順に示した断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention in process order.
【図５】本発明の実施例２を工程順に示した断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention in the order of steps.
【図６】本発明の実施例２を工程順に示した断面図であ
る。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention in process order.
【図７】従来例を工程順に示した断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional example in the order of steps.
【図８】従来例を工程順に示した断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional example in the order of steps.
【図９】従来例を工程順に示した断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a conventional example in the order of steps.
１１，２１，３１ フォトレジスト １２，２２，３２ タングステンシリサイド膜 １３，２３，３３ ポリシリコン膜 １４，２４，３４ シリコン酸化膜 １５，２５，３５ 半導体基板 ３６ サイドエッチ 11, 21, 31 Photoresist 12, 22, 32 Tungsten silicide film 13, 23, 33 Polysilicon film 14, 24, 34 Silicon oxide film 15, 25, 35 Semiconductor substrate 36 Side etch
Claims (1)
化膜上のポリサイド膜をエッチングする方法であって、 上層のシリサイド膜を少なくとも六フッ化硫黄（ＳＦ
6 ），臭化水素（ＨＢｒ）を含むガス系によりエッチン
グを行い、 次に下層のポリシリコン膜のエッチングを少なくとも塩
素（Ｃｌ2 ），臭化水素（ＨＢｒ）を含むガス系により
エッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方
法。1. A method of etching a polycide film on an underlying oxide film using a photoresist as a mask, wherein the upper silicide film is at least sulfur hexafluoride (SF).
6 ) Etching with a gas system containing hydrogen bromide (HBr), and then etching the lower polysilicon film with a gas system containing at least chlorine (Cl 2 ) and hydrogen bromide (HBr). A dry etching method characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12679892A JPH05299390A (en) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12679892A JPH05299390A (en) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | Dry etching method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299390A true JPH05299390A (en) | 1993-11-12 |
Family
ID=14944220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12679892A Pending JPH05299390A (en) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | Dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299390A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103632A (en) * | 1997-10-22 | 2000-08-15 | Applied Material Inc. | In situ Etching of inorganic dielectric anti-reflective coating from a substrate |
| WO2002103773A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Tokyo Electron Limited | Dry-etcching method |
| US6518206B1 (en) * | 1997-10-22 | 2003-02-11 | Applied Materials Inc. | Method for etching an anti-reflective coating |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP12679892A patent/JPH05299390A/en active Pending
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