JPH0529661A - Printer light source - Google Patents
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- JPH0529661A JPH0529661A JP3179664A JP17966491A JPH0529661A JP H0529661 A JPH0529661 A JP H0529661A JP 3179664 A JP3179664 A JP 3179664A JP 17966491 A JP17966491 A JP 17966491A JP H0529661 A JPH0529661 A JP H0529661A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は感光体への書き込み手段
として、発光ダイオードアレイを用いた高密度プリンタ
ー光源に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high density printer light source using a light emitting diode array as a writing means for a photosensitive member.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子写真による印字方式を採用した光プ
リンターなどの光源等への応用を目的として、発光ダイ
オードアレイの研究が行われている。ここで、発光ダイ
オードアレイは、自己発光型アレイ素子からなり、画像
信号に応じて発光ダイオードアレイを発光させ、等倍結
像素子で感光体面上に静電潜像を形成し、電子写真方式
により印字印刷を行う光源として使用されるものであ
る。発光ダイオードアレイは可動部がなく構成部品も少
ないことから、このような光プリンターのヘッドに用い
ると、プリントヘッドの小型化が可能となる。2. Description of the Related Art Light emitting diode arrays have been studied for the purpose of application to light sources such as optical printers that employ electrophotographic printing. Here, the light emitting diode array is composed of a self light emitting type array element, which causes the light emitting diode array to emit light in response to an image signal and forms an electrostatic latent image on the surface of the photoconductor by an equal-magnification imaging element. It is used as a light source for printing. Since the light emitting diode array has no moving parts and has a small number of components, the print head can be downsized when used in the head of such an optical printer.
【０００３】また、自己発光型で消光比が高く、良好な
コントラストが得られ、更に、チップの接続により長尺
化対応が可能となり、発光ダイオードの高出力化により
高速化にも対応可能となる等、種々の利益を得ることが
できる。この場合、用いられる発光ダイオードアレイと
しては、基板面と平行な面内に、四角形等の発光部を所
定方向に多数配列した面発光型ダイオードアレイや、基
板面と垂直な端面から所定方向に多数配列した光出力が
得られる端面発光型発光ダイオードアレイ等がある。Further, it is a self-luminous type and has a high extinction ratio, a good contrast can be obtained, and further, it is possible to cope with lengthening by connecting chips, and it is possible to cope with speeding up by increasing the output of the light emitting diode. Various benefits can be obtained. In this case, the light emitting diode array used is a surface emitting diode array in which a large number of light emitting portions such as squares are arranged in a predetermined direction in a plane parallel to the substrate surface, or a large number in a predetermined direction from an end face perpendicular to the substrate surface. There is an edge emitting light emitting diode array or the like that can obtain an arrayed light output.
【０００４】面発光型ダイオードアレイの基本的な構造
としては、例えば、図７に示すようなものが報告されて
いる（昭和５５年度電子情報通信学会通信部門全国大会
予稿集、第１−２１１頁参照）。このような面発光型発
光ダイオードアレイでは、多くの場合、その発光部１０
１より得られる光出力の強度を発光面内で均一化するた
めに、発光部１０１の両端若しくは、周囲に電極１０２
が形成されている。このように、光出力が取り出される
発光部１０１と電極１０２とが同一面内に存在するた
め、単位素子当りに要する幅は、発光部１０１の幅と電
極１０２の幅、及び素子分離領域の幅を合計したものと
なり、例えば600dpi（dots per inch)以上のような高密
度に発光部１０１を形成することは、極めて困難であ
る。As a basic structure of the surface-emitting diode array, for example, a structure shown in FIG. 7 has been reported (Proceedings of the National Conference of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Communications Division, 1980, pp. 1-211). reference). In such a surface emitting light emitting diode array, the light emitting section 10 is often used.
In order to make the intensity of the light output obtained from No. 1 uniform in the light emitting surface, the electrodes 102 are provided at both ends of the light emitting unit 101 or in the periphery thereof.
Are formed. As described above, since the light emitting portion 101 and the electrode 102 from which the light output is taken out are in the same plane, the width required per unit element is the width of the light emitting portion 101, the width of the electrode 102, and the width of the element isolation region. It is extremely difficult to form the light emitting portion 101 with a high density of, for example, 600 dpi (dots per inch) or more.
【０００５】さらに、面発光型発光ダイオードアレイ内
の各発光ダイオードの発光出力には大きなバラツキがあ
り、その値は、同一チップ内では±４０％、異なるチッ
プ間では±５０％にも達する。このバラツキにより、印
字ドットの大きさや、印字濃度に大きな差が出てしまう
という欠点も有している。このような発光ダイオードア
レイ内の各発光ダイオードの発光出力の大きなバラツキ
は、発光ダイオードアレイを構成する化合物半導体材料
の特性のバラツキや、積層構造の層厚のバラツキ、さら
には素子の放熱特性等の、実装形態等のバラツキ等に起
因するものであり、何らかの光出力のバラツキの補正手
段を講じなければ、実用的な高密度光プリンター用発光
ダイオードアレイを実現することは不可能である。Further, there is a large variation in the light emission output of each light emitting diode in the surface emitting type light emitting diode array, and the value reaches ± 40% in the same chip and ± 50% between different chips. Due to this variation, there is a drawback that a large difference occurs in the size of the print dot and the print density. Such large variations in the light emission output of each light emitting diode in the light emitting diode array include variations in the characteristics of the compound semiconductor material forming the light emitting diode array, variations in the layer thickness of the laminated structure, and further heat dissipation characteristics of the element. However, it is not possible to realize a practical high-density optical printer light-emitting diode array unless some means for correcting variations in optical output is taken due to variations in mounting form and the like.
【０００６】次に、端面発光型発光ダイオードアレイと
しては、例えば、図８に示すようなものがある（特開昭
６０−３２３７３号公報参照）。この例では、基板１０
８上の積層構造内に複数の発光部１０３が形成されてお
り、これらの発光部１０３は、その基板面と平行な面内
に、その端面１０３ａに対して垂直な方向に形成された
分離溝１０４により、電気的かつ空間的に分離されてい
る。このような端面発光型発光ダイオードアレイでは、
光出力が取り出される発光部１０３と上部オーミック電
極１０６，下部電極１０７とが同一面上に存在せず、単
位素子当りに要する幅は、発光部１０３の幅と素子分離
領域の幅を合計したものとなり、例えば600dpi以上のよ
うな高密度の発光部１０３の形成も、原理的に可能であ
る。このため、高密度プリンター用発光ダイオードアレ
イとしては、端面発光型発光ダイオードアレイが適して
いると言える。Next, as an edge emitting type light emitting diode array, for example, there is one as shown in FIG. 8 (see Japanese Patent Laid-Open No. 60-32373). In this example, the substrate 10
8. A plurality of light emitting portions 103 are formed in the laminated structure on 8, and these light emitting portions 103 are formed in a plane parallel to the substrate surface of the light emitting portion 103 in a direction perpendicular to the end face 103a. Electrically and spatially separated by 104. In such an edge emitting light emitting diode array,
The light emitting portion 103 from which the light output is taken out and the upper ohmic electrode 106 and the lower electrode 107 do not exist on the same plane, and the width required per unit element is the sum of the width of the light emitting portion 103 and the width of the element isolation region. Therefore, it is possible in principle to form the light emitting portion 103 with a high density of, for example, 600 dpi or more. Therefore, it can be said that the edge emitting type light emitting diode array is suitable as the light emitting diode array for the high density printer.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た端面発光型発光ダイオードアレイにおいては、各発光
ダイオードの上部オーミック電極１０６とボンディング
パッド１０５を接続するためにワイヤーボンディング技
術を用いている。600dpi程度以上の高密度光プリンター
用光源として、このワイヤーボンディング技術を用い
て、各発光ダイオードの上部オーミック電極１０６とボ
ンディングパッド１０５を接続する場合には、次のよう
な問題点が生じる。However, in the edge emitting light emitting diode array described above, the wire bonding technique is used to connect the upper ohmic electrode 106 of each light emitting diode and the bonding pad 105. When this wire bonding technique is used to connect the upper ohmic electrode 106 of each light emitting diode to the bonding pad 105 as a light source for a high-density optical printer of about 600 dpi or more, the following problems occur.
【０００８】即ち、端面発光型発光ダイオードアレイに
おいては、各発光ダイオードの上部オーミック電極１０
６の幅よりワイヤーボンディング９８のボンディング幅
のほうが小さくなければなく、このボンディングに要す
る幅は、現在最も小さくできるウェッジボンディング技
術を用いても４０μｍ程度の大きさとなる。これにワイ
ヤーボンディングを行う際のボンディングマージンと、
各発光ダイオード間の素子分離溝１０４の幅を考慮し
て、ボンディングピッチは約６０μｍとなる。従って発
光ダイオードアレイの集積度は約421dpi程度となり、60
0dpi等の高密度発光ダイオードアレイを実現することは
困難となる。That is, in the edge emitting type light emitting diode array, the upper ohmic electrode 10 of each light emitting diode is used.
The bonding width of the wire bonding 98 has to be smaller than the width of 6, and the width required for this bonding is about 40 μm even if the wedge bonding technique that can be minimized at present is used. Bonding margin when performing wire bonding on this,
Considering the width of the element isolation groove 104 between each light emitting diode, the bonding pitch is about 60 μm. Therefore, the integration of the light emitting diode array is about 421dpi,
It is difficult to realize a high-density LED array such as 0 dpi.
【０００９】以下に、図９と図１０を用いて、この発明
が解決しようとする課題について述べる。図９は端面型
発光ダイオードアレイの斜視図である。図１０は図９の
各発光ダイオードの詳細図であり、図１０（ａ）は発光
ダイオードの平面図、図１０（ｂ）はこの発光ダイオー
ドの配線が上部オーミック電極とコンタクトしている領
域のうち、光出射端面及び、基板と平行な面に対して垂
直な断面を表した断面図（図１０（ａ）のＡ−Ａ´断面
図）、図１０（ｃ）は、この発光ダイオードの光出射端
面と平行な断面を表した断面図（図１０（ａ）のＢ−Ｂ
´断面図）である。The problem to be solved by the present invention will be described below with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a perspective view of an end face type light emitting diode array. 10 is a detailed view of each light emitting diode of FIG. 9, FIG. 10 (a) is a plan view of the light emitting diode, and FIG. 10 (b) is a region in which the wiring of the light emitting diode is in contact with the upper ohmic electrode. , A cross-sectional view (a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 10A) showing a cross section perpendicular to the light emitting end face and a plane parallel to the substrate, and FIG. 10C shows the light emitting of the light emitting diode. Sectional view showing a section parallel to the end face (BB in FIG. 10A)
It is a cross-sectional view).
【００１０】この端面型発光ダイオード１０９は、化合
物半導体基板１０８上の光出射端面１２０と平行な方向
に、アレイ上に形成されており、図１０（ｂ）に示すよ
うに上部オーミック電極１１０及び下部オーミック電極
１１３によりオーミックコンタクトされている。この発
光ダイオード１０９の上面と側面及び化合物半導体基板
１０８上に、配線１１１と発光ダイオード１０９及び化
合物半導体基板１０８との絶縁を行うために、コンタク
トホール１１９の領域を除いて絶縁膜１１４が形成され
ている。The end face type light emitting diode 109 is formed on the array in a direction parallel to the light emitting end face 120 on the compound semiconductor substrate 108, and the upper ohmic electrode 110 and the lower part are formed as shown in FIG. Ohmic contact is made by the ohmic electrode 113. An insulating film 114 is formed on the upper surface and the side surface of the light emitting diode 109 and on the compound semiconductor substrate 108 except the region of the contact hole 119 in order to insulate the wiring 111 from the light emitting diode 109 and the compound semiconductor substrate 108. There is.
【００１１】そして、前述したように上部オーミック電
極１１０と、外部信号入力用のワイヤーがコンタクトす
る領域である、ボンディングパッド１１２（図９参照）
を接続するために、配線１１１が上部オーミック電極１
１０とコンタクトしている。ここで、絶縁膜１１４に
は、配線１１１と上部オーミック電極１１０がコンタク
トしている領域において窓開けされ、コンタクトホール
１１９を形成している。Then, as described above, the bonding pad 112 (see FIG. 9), which is a region where the upper ohmic electrode 110 and the wire for inputting an external signal are in contact with each other.
To connect the wiring 111 to the upper ohmic electrode 1
I'm in contact with 10. Here, in the insulating film 114, a window is opened in a region where the wiring 111 and the upper ohmic electrode 110 are in contact with each other to form a contact hole 119.
【００１２】この配線１１１は、コンタクトホール１１
９とボンディングパッド１１２の間において、次の領域
を通っている。即ち、各発光ダイオード１０９上のコン
タクトホール１１９から後部、即ち、光出射端面１２０
と反対方向を通り、光出射端面１２０と反対方向の発光
ダイオード１０９の側面を通り、さらには、化合物半導
体基板１０８上を絶縁膜１１４を介して、配線１１１は
ボンディングパッド１１２に至っている。The wiring 111 is formed in the contact hole 11.
9 and the bonding pad 112 pass through the following region. That is, from the contact hole 119 on each light emitting diode 109 to the rear portion, that is, the light emitting end face 120.
The wiring 111 reaches the bonding pad 112 through the opposite direction, the side surface of the light emitting diode 109 opposite to the light emitting end surface 120, and the insulating film 114 on the compound semiconductor substrate 108.
【００１３】このような構造の発光ダイオード１０９に
おいて、コンタクトホール１１９の縁のうち、配線１１
１が通っている発光ダイオード１０９の側面と平行で、
且つ、この配線１１１が通っている発光ダイオード１０
９の側面に近いコンタクトホール１１９の縁１２１のみ
を配線１１１が通って、オーミック電極１１０とコンタ
クトしている場合には、図１０（ｂ），（ｃ）に示すよ
うに、配線１１１は段切れを生じて断線してしまう。こ
れは配線１１１の形成方法として、真空蒸着法やスパッ
タリング法を用いた場合に、発光ダイオード１０９の光
出射端面１２０と反対方向の垂直な段差に対して、配線
１１１を段切れすることなくステップカバレージが良好
になるように形成した結果、この段差と反対方向のコン
タクトホール１１９の縁１２１において、配線１１１が
段切れを生じて、断線してしまうからである。このよう
な状態では発光ダイオード１０９に対して、外部駆動回
路より電流注入ができなくなり、素子は動作しなくな
る。In the light emitting diode 109 having such a structure, the wiring 11 is formed at the edge of the contact hole 119.
1 is parallel to the side surface of the light emitting diode 109,
Moreover, the light emitting diode 10 through which the wiring 111 passes
When the wiring 111 passes through only the edge 121 of the contact hole 119 near the side surface of 9 and is in contact with the ohmic electrode 110, the wiring 111 is disconnected as shown in FIGS. 10B and 10C. It causes a disconnection. This is because when the vacuum evaporation method or the sputtering method is used as the method for forming the wiring 111, the step coverage is not broken for the vertical step in the direction opposite to the light emitting end face 120 of the light emitting diode 109 without being cut off. This is because, as a result of forming so as to be favorable, the wiring 111 is disconnected at the edge 121 of the contact hole 119 in the direction opposite to this step, and is disconnected. In such a state, current cannot be injected into the light emitting diode 109 from the external drive circuit, and the element does not operate.
【００１４】この問題を避けるためには、上記の電極形
成を行った後、再度反対方向、即ち、光出射端面１２０
方向のコンタクトホールの縁１２１のステップカバレー
ジが良好となるように、電極形成を行う必要がある。し
かし、上記の様に２回以上の電極形成を行うことは、そ
の工程数が多くなり新たな問題となる。本発明の目的
は、前述した従来技術により得られる集積度以上の高密
度な端面発光型発光ダイオードアレイを実現するため
に、安定した配線電極形成工程を実現することにある。In order to avoid this problem, after the above electrode formation, the light emitting end face 120 is again directed in the opposite direction.
It is necessary to form the electrodes so that the step coverage of the edge 121 of the contact hole in the direction is good. However, forming the electrodes twice or more as described above increases the number of steps, which poses a new problem. It is an object of the present invention to realize a stable wiring electrode forming process in order to realize a high-density edge emitting light emitting diode array having a degree of integration higher than that obtained by the above-mentioned conventional technique.
【００１５】また、本発明の別の目的として、こうした
配線の段切れによる断線の問題を、その素子製作工程を
複雑にすることなく解決することがある。また、本発明
の別の目的として、配線の段切れによる断線の問題を解
決しつつ、前記の発光ダイオードの上部オーミック電極
と配線を形成する工程の簡略化の達成がある。Another object of the present invention is to solve the problem of disconnection due to disconnection of the wiring without complicating the element manufacturing process. Another object of the present invention is to achieve a simplification of the process of forming the upper ohmic electrode and wiring of the light emitting diode while solving the problem of disconnection due to disconnection of wiring.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明は発光ダイオード
を複数個、少なくとも一列配置してなる発光ダイオード
アレイを有し、感光体に対向配置して、各発光ダイオー
ドを選択的に点灯させたとき、感光体上にドット分割し
た像を形成するプリンター光源において、発光ダイオー
ドアレイが、各発光ダイオードの活性層を含む面と平行
でない素子側面より光出力が得られる端面型発光ダイオ
ードで形成されており、各発光ダイオードと外部信号入
力用のボンディングパッドが、配線で接続されているこ
とを特徴とする光プリンター光源に関するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has a light emitting diode array in which a plurality of light emitting diodes are arranged in at least one row, and the light emitting diodes are arranged facing each other when the respective light emitting diodes are selectively turned on. In a printer light source that forms a dot-divided image on a photoconductor, the light emitting diode array is formed by end face type light emitting diodes that can obtain light output from the element side surface not parallel to the surface including the active layer of each light emitting diode. The present invention relates to an optical printer light source, wherein each light emitting diode and a bonding pad for inputting an external signal are connected by wiring.
【００１７】この端面発光型発光ダイオード素子の層構
造としては、第１導電型の化合物半導体基板上に順次積
層された、第１導電型のクラッド層、第１導電型または
第２導電型の活性層、第２導電型のクラッド層から成る
ダブルヘテロ構造や、第１導電型の化合物半導体基板上
に順次積層された、第１導電型の半導体層、第１導電型
の半導体層と異なる禁制帯幅を有する第２導電型の半導
体層から成り、これら２つの半導体層の接合界面にて発
光するシングルヘテロ構造や、第１導電型の化合物半導
体基板上に順次積層された、第１導電型の半導体層、第
１導電型の半導体層と同じ禁制帯幅を有する第２導電型
の半導体層から成り、これら２つの半導体層の接合界面
にて発光するホモ接合構造等がある。こうした層構成を
有する発光ダイオードは各発光ダイオード間で、電気的
且つ、光学的に素子分離されている。As the layer structure of this edge emitting type light emitting diode element, a clad layer of the first conductivity type, a first conductivity type or an active layer of the second conductivity type sequentially laminated on a compound semiconductor substrate of the first conductivity type is used. Layer, a double heterostructure consisting of a second conductivity type clad layer, a first conductivity type semiconductor layer and a forbidden band different from the first conductivity type semiconductor layer, which are sequentially stacked on a first conductivity type compound semiconductor substrate. A single-hetero structure composed of a second-conductivity-type semiconductor layer having a width and emitting light at a junction interface between these two semiconductor layers, or a first-conductivity-type semiconductor layer sequentially stacked on a first-conductivity-type compound semiconductor substrate. There is a homojunction structure which is composed of a semiconductor layer and a semiconductor layer of the second conductivity type having the same forbidden band width as the semiconductor layer of the first conductivity type, and which emits light at the junction interface between these two semiconductor layers. The light emitting diode having such a layer structure is electrically and optically isolated between the respective light emitting diodes.
【００１８】このような構造を有する端面発光型発光ダ
イオードアレイにおいて、請求項１の発明に関する詳細
を次に述べる。上述の端面発光型発光ダイオードアレイ
の各発光ダイオードにおいて、各発光ダイオードの最上
層の上には、上部オーミック電極が形成されている。こ
の上部オーミック電極と、ワイヤーボンディングにより
駆動回路等の本発光ダイオードの光出射端面方向以外の
外部に取り出されるボンディングパッドとが、配線によ
り接続されている。この配線は各発光ダイオードの光出
射端面以外の側面を通っている。In the edge emitting type light emitting diode array having such a structure, the details of the invention of claim 1 will be described below. In each light emitting diode of the edge emitting light emitting diode array described above, an upper ohmic electrode is formed on the uppermost layer of each light emitting diode. The upper ohmic electrode and a bonding pad that is taken out to the outside of the light emitting diode such as a drive circuit by wire bonding outside the light emitting end face direction are connected by wiring. This wiring passes through side surfaces other than the light emitting end surface of each light emitting diode.
【００１９】また、ボンディングパッドは、前記発光ダ
イオードが形成されている領域以外の領域に形成されて
おり、且つ、各発光ダイオードの光出射端面と反対方向
の発光ダイオードアレイと同一の半導体基板上の領域に
形成されている。ここで、基板及び各発光ダイオード
は、上部オーミック電極上に形成されたコンタクトホー
ルの領域を除いて絶縁膜で被われている。即ち、配線は
上部オーミック電極上のコンタクトホール以外の領域で
は、絶縁膜を介して形成されている。The bonding pad is formed on a region other than the region where the light emitting diode is formed, and on the same semiconductor substrate as the light emitting diode array in the direction opposite to the light emitting end face of each light emitting diode. Is formed in the area. Here, the substrate and each light emitting diode are covered with an insulating film except for the region of the contact hole formed on the upper ohmic electrode. That is, the wiring is formed via the insulating film in the region other than the contact hole on the upper ohmic electrode.
【００２０】前記の上部オーミック電極と配線とがコン
タクトする部分の構造は、上部オーミック電極上に窓開
けされて、上部オーミック電極に達するコンタクトホー
ルを有する絶縁材料があり、さらにその上に配線が形成
されたものとなっている。ここで、コンタクトホールの
形状は、上方から見て、絶縁膜と同じ厚さを有する矩形
（配線の段切れにおいて実質的に矩形と同じ効果を有す
る形状も含む）である。このような構成において、配線
はコンタクトホールの４つの縁のうち、少なくとも、配
線が通っている各発光ダイオードの側面と平行で、且
つ、該側面に近い縁以外の縁の１つを通って上部オーミ
ック電極に接続されている。また、この端面発光型発光
ダイオードアレイの基板の裏面には、各発光ダイオード
の共通電極として、下部オーミック電極が形成されてい
る。In the structure of the portion where the upper ohmic electrode and the wiring contact each other, there is an insulating material having a contact hole reaching the upper ohmic electrode by opening a window on the upper ohmic electrode, and the wiring is further formed thereon. It has been done. Here, the shape of the contact hole is a rectangle having the same thickness as the insulating film when viewed from above (including a shape having substantially the same effect as a rectangle in disconnecting wiring). In such a configuration, the wiring passes through at least one of the four edges of the contact hole, which is parallel to the side surface of each light emitting diode through which the wiring passes and which is other than the edge close to the side surface. It is connected to the ohmic electrode. In addition, a lower ohmic electrode is formed on the back surface of the substrate of the edge emitting light emitting diode array as a common electrode of each light emitting diode.
【００２１】次に、請求項２の発明に関する詳細を述べ
る。本発明は本項の最初の部分で述べた、光プリンター
光源としての、端面発光型発光ダイオードの各発光ダイ
オードにおいて、発光ダイオードの最上層に上部オーミ
ック電極を兼ねた配線の一端が接続されている。この配
線のもう一つの一端は、ボンディングパッドに接続され
ている。このボンディングパッドは、発光ダイオードと
同一基板上の、発光ダイオードが形成されている領域以
外の領域に形成されている。このボンディングパッドか
らはワイヤーにより、発光ダイオードアレイの光出射方
向以外の方向の外部に存在する、駆動回路等に接続され
ている。Next, details of the invention of claim 2 will be described. According to the present invention, in each light emitting diode of the edge emitting light emitting diode as the light source for the optical printer described in the first part of this section, one end of the wiring also serving as the upper ohmic electrode is connected to the uppermost layer of the light emitting diode. . The other end of this wiring is connected to a bonding pad. The bonding pad is formed on a region other than the region where the light emitting diode is formed on the same substrate as the light emitting diode. From this bonding pad, a wire is connected to a drive circuit or the like existing outside the light emitting diode array in a direction other than the light emitting direction.
【００２２】また、前記の配線は、各発光ダイオードの
光出射端面以外の側面を通っている。 ここで、基板及
び各発光ダイオードは、該発光ダイオードの最上層に形
成されたコンタクトホール以外の領域では、絶縁膜で被
われている。このコンタクトホールは、発光ダイオード
の最上層に窓開けされて、発光ダイオードの最上層の表
面に達するものであり、絶縁膜がない領域である。その
形状は、基板の上方から見て、絶縁膜と同じ厚さを有す
る矩形（配線の段切れにおいて実質的に矩形と同じ効果
を有する形状も含む）であり、その大きさは発光ダイオ
ードの最上層表面より小さい。このような構成におい
て、配線はコンタクトホールの４つの縁のうち、少なく
とも、配線が通っている各発光ダイオードの側面と平行
で、且つ、該側面に近い縁以外の縁の１つを通って、発
光ダイオードの最上層に接続されている。また、この端
面発光型発光ダイオードアレイの基板の裏面には、各発
光ダイオードの共通電極として、下部オーミック電極が
形成されている。Further, the wiring passes through side surfaces other than the light emitting end surface of each light emitting diode. Here, the substrate and each light emitting diode are covered with an insulating film in a region other than the contact hole formed in the uppermost layer of the light emitting diode. This contact hole is a window opened in the uppermost layer of the light emitting diode and reaches the surface of the uppermost layer of the light emitting diode, and is a region without an insulating film. The shape is a rectangle having the same thickness as the insulating film when viewed from above the substrate (including a shape having substantially the same effect as a rectangle in disconnecting wiring), and its size is the maximum of the light emitting diode. It is smaller than the upper layer surface. In such a configuration, the wiring passes through at least one of the four edges of the contact hole, which is parallel to the side surface of each light emitting diode through which the wiring passes and which is other than the edge close to the side surface, It is connected to the top layer of the light emitting diode. In addition, a lower ohmic electrode is formed on the back surface of the substrate of the edge emitting light emitting diode array as a common electrode of each light emitting diode.
【００２３】[0023]
【作用】請求項１記載の発明によれば、端面発光型発光
ダイオードアレイの各発光ダイオードの上部オーミック
電極とコンタクトした、配線電極がコンタクトホールの
１つの縁において段切れを生じた場合でも、コンタクト
ホールの他の縁において配線電極の段切れは生じない。
従って、断線することなく配線電極を形成することがで
き、各発光ダイオードの上部オーミック電極に対して、
安定に電流注入を行うことが可能となる。さらには、素
子の信頼性も向上することが期待できる。According to the invention described in claim 1, even when the wiring electrode contacting the upper ohmic electrode of each light emitting diode of the edge emitting type light emitting diode array has a step disconnection at one edge of the contact hole, the contact is made. No disconnection of the wiring electrode occurs at the other edge of the hole.
Therefore, the wiring electrode can be formed without breaking, and the upper ohmic electrode of each light emitting diode is
It is possible to stably inject current. Furthermore, it can be expected that the reliability of the device is improved.
【００２４】請求項２記載の発明によれば、端面発光型
発光ダイオードアレイの各発光ダイオードの最上層とコ
ンタクトした、オーミック電極を兼用の配線電極がコン
タクトホールの１つの縁において段切れを生じた場合で
も、コンタクトホールの他の縁において配線電極の段切
れは生じない。従って、断線することなく配線電極を形
成することができ、各発光ダイオードに対して、安定に
電流注入を行うことが可能となる。さらには、素子の信
頼性も向上することが期待できる。According to the second aspect of the present invention, the wiring electrode which is in contact with the uppermost layer of each light emitting diode of the edge emitting type light emitting diode array and also serves as the ohmic electrode has a step break at one edge of the contact hole. Even in this case, the disconnection of the wiring electrode does not occur at the other edge of the contact hole. Therefore, the wiring electrode can be formed without disconnection, and the current can be stably injected into each light emitting diode. Furthermore, it can be expected that the reliability of the device is improved.
【００２５】[0025]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。次に、本
発明の第１の実施例について図１，図２を用いて説明す
る。図１は第１の実施例の斜視図であり、図２は図１の
１つの発光ダイオードのコンタクトホール部分を通過す
る断面図である。図２（ａ）は発光ダイオードの光出射
端面に垂直な方向の断面図であり（前述の図１０（ｂ）
の場合と同様の方向）、図２（ｂ）は発光ダイオードの
光出射端面に平行な方向の断面を、光出射端面方向から
見た断面図（前述の図１０（ｃ）の場合と同様の方向）
である。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a perspective view of a first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a light emitting diode of FIG. FIG. 2A is a sectional view in a direction perpendicular to the light emitting end surface of the light emitting diode (see FIG. 10B described above).
2 (b) is a cross-sectional view of a cross section in a direction parallel to the light emitting end face of the light emitting diode as seen from the direction of the light emitting end face (similar to the case of FIG. 10 (c) described above). direction)
Is.
【００２６】図１及び図２において、化合物半導体基板
１−８上に、端面発光型ダイオード１−９が光出射端面
１−２０と平行な方向に、アレイ状に形成されている。
この各発光ダイオード１−９はダブルヘテロ構造であ
り、この最上層に上部オーミック電極１−１０が形成さ
れている。また、各発光ダイオード１−９間は電気的、
光学的に素子分離されている。この化合物半導体基板１
−８、並びに、発光ダイオード１−９は、上部オーミッ
ク電極１−１０と配線１−１１が接続しているコンタク
トホール領域１−１９を除いて、絶縁膜としてのＳｉＯ
2膜１−１４で被われている。In FIGS. 1 and 2, edge emitting diodes 1-9 are formed in an array on a compound semiconductor substrate 1-8 in a direction parallel to the light emitting edge 1-20.
Each of the light emitting diodes 1-9 has a double hetero structure, and the upper ohmic electrode 1-10 is formed on the uppermost layer thereof. In addition, each light emitting diode 1-9 is electrically connected,
The elements are optically separated. This compound semiconductor substrate 1
-8 and the light emitting diode 1-9 are SiO as an insulating film except for the contact hole region 1-19 where the upper ohmic electrode 1-10 and the wiring 1-11 are connected.
2 Film 1-14 covered.
【００２７】このコンタクトホール１−１９は上部オー
ミック電極１−１０上に、ＳｉＯ2膜１−１４が矩形の
形状に窓開けされて形成されている。上部オーミック電
極１−１０と、このコンタクトホール１−１９部分で接
続された配線１−１１は、発光ダイオード１−９をコン
タクトホール１−１９から、光出射端面１−２０と反対
方向に伸びている。さらに配線１−１１は、発光ダイオ
ード１−９の光出射端面１−２０と反対方向の側面を通
って、ボンディングパッド１−１２に接続されている。
このボンディングパッド１−１２は発光ダイオード１−
９の後部、即ち、光出射方向と反対方向の化合物半導体
基板１−８上にＳｉＯ2膜１−１４を介して形成されて
いる。This contact hole 1-19 is formed on the upper ohmic electrode 1-10 by opening a SiO 2 film 1-14 in a rectangular shape. The wiring 1-11 connected to the upper ohmic electrode 1-10 and the contact hole 1-19 extends the light emitting diode 1-9 from the contact hole 1-19 in the direction opposite to the light emitting end facet 1-20. There is. Further, the wiring 1-11 is connected to the bonding pad 1-12 through the side surface of the light emitting diode 1-9 opposite to the light emitting end surface 1-20.
The bonding pad 1-12 is a light emitting diode 1-
9 is formed on the rear portion of the compound semiconductor substrate 1-8, that is, on the compound semiconductor substrate 1-8 in the direction opposite to the light emission direction, with the SiO 2 film 1-14 interposed.
【００２８】ここで、配線１−１１と上部オーミック電
極１−１０が接続されている領域において、配線１−１
１がコンタクトホール１−１９の矩形を周りから囲むよ
うに形成され、矩形の縁のうち、光出射面１−２０と反
対側の縁１−２１を除いて、残り３つ縁において、配線
１−１１は段切れを起こさないように連続して構成され
ている。従って、配線１−１１が通っている発光ダイオ
ード１−９の側面と平行で、且つ、配線１−１１が通っ
ている発光ダイオード１−９の側面に近いコンタクトホ
ールの縁１−２１で、配線１−１１が段切れを起こして
いても、電気的接続は安定して確保される。Here, in the region where the wiring 1-11 and the upper ohmic electrode 1-10 are connected, the wiring 1-1
1 is formed so as to surround the rectangle of the contact hole 1-19 from the periphery, and the wiring 1 is formed at the remaining three edges of the edge of the rectangle except the edge 1-21 on the side opposite to the light emitting surface 1-20. -11 is constructed continuously so as not to cause step disconnection. Therefore, at the edge 1-21 of the contact hole that is parallel to the side surface of the light emitting diode 1-9 through which the wiring 1-11 passes and is close to the side surface of the light emitting diode 1-9 through which the wiring 1-11 passes. Even if 1-11 is disconnected, the electrical connection is stably secured.
【００２９】この第１の実施例の作成手順を次に述べ
る。化合物半導体基板としてｎ−ＧａＡｓ基板１−８上
に、ＭＯＶＰＥ（Mental Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、次の積層構造を成長させる。積層構造は
前記のｎ−ＧａＡｓ基板１−８上に、ｎ−Ａｌ0.42Ｇａ
0.58Ａｓクラッド層１−１５（厚さ、1.5μｍ)、Ａｌ
0.19Ｇａ0.81Ａｓ活性層１−１６（0.05μｍ)、ｐ−Ａ
ｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層１−１７（1.5μｍ)、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層１−１８（0.3μｍ)で構成されて
いる。The procedure for creating the first embodiment will be described below. MOVPE (Mental Organic Vapor Phase Epitaxy) on n-GaAs substrate 1-8 as a compound semiconductor substrate
The following laminated structure is grown by the y) method. The laminated structure is n-Al 0.42 Ga on the n-GaAs substrate 1-8.
0.58 As clad layer 1-15 (thickness, 1.5 μm), Al
0.19 Ga 0.81 As active layer 1-16 (0.05 μm), p-A
l 0.42 Ga 0.58 As clad layer 1-17 (1.5 μm), p
-GaAs cap layer 1-18 (0.3 µm).
【００３０】次に、上記の結晶成長を行った最上層の上
に、真空蒸着法により、ｐ型オーミック電極とドライエ
ッチング用マスクとして、Ａｕ−Ｚｎ(厚さ、350オング
ストローグ）、Ａｕ（2000オングストローム）とＣｒ
（2000オングストローム）を順次堆積し、フォトリソグ
ラフィ、リフトオフ工程により、上部オーミック電極１
−１０とエッチングマスクを形成する。この時、エッチ
ングマスクの大きさは、最終的に形成される発光ダイオ
ード１−９の大きさにほぼ等しく、且つ、上部オーミッ
ク電極１−１０の大きさにもほぼ等しい。Next, on the uppermost layer on which the above-mentioned crystal growth has been performed, a Au-Zn (thickness, 350 angstrom), Au ( 2000 Å) and Cr
(2000 Å) are sequentially deposited, and the upper ohmic electrode 1 is formed by photolithography and lift-off process.
-10 and an etching mask are formed. At this time, the size of the etching mask is substantially equal to the size of the light emitting diode 1-9 to be finally formed, and also the size of the upper ohmic electrode 1-10.
【００３１】このようにして形成した、Ｃｒ膜をエッチ
ングマスクとして、各発光ダイオードが形成される領域
以外の全ての領域のエッチングを行う。この時エッチン
グ方法は、ほぼ基板に対して垂直な形状のエッチング側
面が得られる、ドライエッチング法を用いる。エッチン
グ深さは４μｍとし、ｎ−ＧａＡｓ基板１−８まで達し
ており、この結果、各発光ダイオード１−９を電気的、
光学的に素子分離が実現される。この各発光ダイオード
１−９の大きさは、光出射端面と平行な方向の幅が32.3
μｍであり、光出射端面と垂直な方向の長さは50μｍで
ある。そして、素子間のピッチは600dpi相当、即ち、4
2.3μｍとなっている。Using the Cr film thus formed as an etching mask, etching is performed on all regions except the region where each light emitting diode is formed. At this time, as an etching method, a dry etching method is used which can obtain an etching side surface having a shape substantially vertical to the substrate. The etching depth is 4 μm and reaches the n-GaAs substrate 1-8. As a result, each light emitting diode 1-9 is electrically and
Element isolation is realized optically. The size of each light emitting diode 1-9 is 32.3 width in the direction parallel to the light emitting end face.
The length in the direction perpendicular to the light emitting end face is 50 μm. And the pitch between the elements is equivalent to 600dpi, that is, 4
It is 2.3 μm.
【００３２】このようにＧａＡｓ基板上に、端面発光ダ
イオードアレイとなる島状のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓダ
ブルヘテロ構造を形成した後に、絶縁膜を前記試料全面
に被う。この絶縁膜としてはＳｉＯ2膜を5000オングス
トロームの膜厚になるように堆積し、その形成方法はＰ
Ｅ−ＣＶＤ(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositi
on）法を用いる。この後に、フォトリソグラフィ、エッ
チング技術を用いて、各発光ダイオード１−９の上部オ
ーミック電極１−１０上に、コンタクトホール１−１９
を形成する。このコンタクトホール１−１９の大きさ
は、光出射端面１−２０と平行方向の幅は１０μｍであ
り、光出射端面と垂直方向の長さは２０μｍと、面積的
に上部オーミック電極１−１０より小さく、形状は矩形
である。このコンタクトホール１−１９と上部オーミッ
ク電極１−１０の中心軸は、一致している。After the island-shaped GaAs / AlGaAs double hetero structure to be the end face light emitting diode array is formed on the GaAs substrate in this manner, the insulating film is covered on the entire surface of the sample. As this insulating film, a SiO 2 film is deposited to a film thickness of 5000 Å, and the forming method is P
E-CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositi
on) method is used. After that, a contact hole 1-19 is formed on the upper ohmic electrode 1-10 of each light emitting diode 1-9 by using photolithography and etching techniques.
To form. Regarding the size of the contact hole 1-19, the width in the direction parallel to the light emitting end surface 1-20 is 10 μm, and the length in the direction perpendicular to the light emitting end surface is 20 μm. It is small and rectangular in shape. The central axes of the contact hole 1-19 and the upper ohmic electrode 1-10 coincide with each other.
【００３３】さらに、フォトリソグラフィ技術を用いて
配線、ボンディングパッドパターンを形成する。つぎに
真空蒸着法により、Ｃｒ(150オングストローム）、Ａｕ
（3000オングストローム）を堆積した後に、リフトオフ
を行い、配線１−１１及びボンディングパッド１−１２
を形成する。この配線１−１１が上部オーミック電極１
−１０とコンタクトしている領域の大きさは、光出射端
面１−２０と平行方向の幅２０μｍであり、光出射端面
１−２０と垂直方向の幅は３０μｍである。この時、配
線１−１１が光出射端面１−２０と反対方向の側面上
に、段切れすること無く形成されるために、各発光ダイ
オード１−９の光出射端面１−２０と反対方向の、斜め
上方から蒸着粒子が飛来するように蒸着を行う。Further, a wiring and a bonding pad pattern are formed by using the photolithography technique. Next, using a vacuum deposition method, Cr (150 Å), Au
After depositing (3000 Å), lift-off is performed to form wiring 1-11 and bonding pad 1-12.
To form. This wiring 1-11 is the upper ohmic electrode 1.
The region in contact with −10 has a width of 20 μm in the direction parallel to the light emitting end face 1-20, and a width in the direction perpendicular to the light emitting end face 1-20 is 30 μm. At this time, since the wiring 1-11 is formed on the side surface in the opposite direction to the light emitting end surface 1-20 without step disconnection, the wiring 1-11 is formed in the opposite direction to the light emitting end surface 1-20 of each light emitting diode 1-9. The vapor deposition is performed so that the vapor deposition particles come from diagonally above.
【００３４】このような方向から、配線材料の蒸着を行
うことにより、配線が通っている発光ダイオード１−９
の側面と平行で、且つ、この配線１−１１が通っている
発光ダイオード１−９の側面に近い、コンタクトホール
１−１９の縁１−２１では、段切れを生じてても、他の
３つの縁では、段切れが生じないようにすることができ
る。しかも配線１−１１が通っている発光ダイオード１
−９の側面においても、ステップカバレージ良く配線が
形成されている。この結果、配線１−１１の断線がな
く、安定に配線１−１１から発光ダイオード１−９に電
流を注入することができる。最後に、裏面に共通電極と
して、Ａｕ−Ｇｅ(厚さ、350オングストローム）、Ｎｉ
(150オングストローム）、Ａｕ（3000オングストロー
ム）を順次真空蒸着し、ｎ側オーミック電極１−１３を
形成する。By evaporating the wiring material from such a direction, the light emitting diode 1-9 through which the wiring passes
In the edge 1-21 of the contact hole 1-19 which is parallel to the side surface of the light emitting diode 1-9 through which the wiring 1-11 passes, even if a disconnection occurs, the other 3 One edge can prevent breaks. Moreover, the light emitting diode 1 through which the wiring 1-11 passes
Also on the side surface of -9, the wiring is formed with good step coverage. As a result, there is no disconnection of the wiring 1-11, and the current can be stably injected from the wiring 1-11 to the light emitting diode 1-9. Finally, as a common electrode on the back surface, Au-Ge (thickness, 350 Å), Ni
(150 angstrom) and Au (3000 angstrom) are sequentially vacuum-deposited to form the n-side ohmic electrode 1-13.
【００３５】次に、第２の実施例について図３，図４を
用いて説明する。図３は第２の実施例の斜視図であり、
図４は図３の１つの発光ダイオードのコンタクトホール
部分を通過する断面図である。図４（ａ）は発光ダイオ
ードの光出射端面に垂直な方向の断面図であり、図４
（ｂ）は発光ダイオードの光出射端面に平行な方向の断
面を、光出射端面方向から見た断面図である。この第２
の実施例は、次に述べる、端面発光型ダイオードアレイ
の各発光ダイオード２−９の上部オーミック電極２−１
０と配線２−１１が接続される、コンタクトホール２−
１９と配線２−１１の位置関係と、配線２−１１が通る
領域を除いて、実施例１と同様である。Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a perspective view of the second embodiment,
FIG. 4 is a sectional view of the light emitting diode of FIG. FIG. 4A is a cross-sectional view in a direction perpendicular to the light emitting end surface of the light emitting diode.
FIG. 3B is a cross-sectional view of a cross section in a direction parallel to the light emitting end surface of the light emitting diode, as viewed from the light emitting end surface direction. This second
Will be described below. The upper ohmic electrode 2-1 of each light emitting diode 2-9 of the edge emitting diode array will be described below.
0 and wiring 2-11 are connected, contact hole 2-
The positional relationship between the wiring 19 and the wiring 2-11 and the region where the wiring 2-11 passes are the same as those of the first embodiment.
【００３６】ここで、配線２−１１と上部オーミック電
極２−１０が接続されている領域において、配線２−１
１は、配線２−１１が通っている発光ダイオード２−９
の側面と平行で、且つ、この配線２−１１が通っている
発光ダイオード２−９の側面に近いコンタクトホール２
−１９の縁２−２１以外の縁を、通っている。この結
果、コンタクトホール２−１９の縁において、配線２−
１１は段切れを起こしていない。Here, in the region where the wiring 2-11 and the upper ohmic electrode 2-10 are connected, the wiring 2-1 is used.
1 is a light emitting diode 2-9 through which the wiring 2-11 passes
Of the contact hole 2 which is parallel to the side surface of the LED and is close to the side surface of the light emitting diode 2-9 through which the wiring 2-11 passes
It passes through the edges other than the edge 2-21 of -19. As a result, at the edge of the contact hole 2-19, the wiring 2-
No. 11 has no breaks.
【００３７】この各発光ダイオード２−９の大きさは、
前記したように、光出射端面２−２０と平行な方向の幅
が32.3μｍであり、光出射端面２−２０と垂直方向の長
さは５０μｍである。そして、素子間のピッチは600dpi
相当、即ち、42.3μｍとなっている。さらに、コンタク
トホール２−１９の大きさは、光出射端面２−２０と平
行方向の幅１０μｍであり、光出射端面２−２０と垂直
方向の長さは２０μｍと、面積的に上部オーミック電極
２−１０より小さく、形状は矩形である。このコンタク
トホール２−１９と上部オーミック電極２−１０の中心
軸は、一致している。これに対して、コンタクトホール
２−１９付近の配線の大きさは、光出射端面と平行方向
が２０μｍであり、光出射端面２−２０と垂直方向が２
０μｍである。ここで、この配線２−１１と絶縁膜２−
１４が重なっている幅は、５μｍである。The size of each light emitting diode 2-9 is
As described above, the width in the direction parallel to the light emitting end face 2-20 is 32.3 μm, and the length in the direction perpendicular to the light emitting end face 2-20 is 50 μm. And the pitch between the elements is 600dpi
It is equivalent, that is, 42.3 μm. Furthermore, the size of the contact hole 2-19 is 10 μm in width in the direction parallel to the light emitting end face 2-20, and the length in the direction perpendicular to the light emitting end face 2-20 is 20 μm. It is smaller than −10 and the shape is rectangular. The central axes of the contact hole 2-19 and the upper ohmic electrode 2-10 coincide with each other. On the other hand, the size of the wiring in the vicinity of the contact hole 2-19 is 20 μm in the direction parallel to the light emitting end face 2 and 2 in the direction perpendicular to the light emitting end face 2-20.
It is 0 μm. Here, the wiring 2-11 and the insulating film 2-
The overlapping width of 14 is 5 μm.
【００３８】また、この配線２−１１は上部オーミック
電極２−１０とコンタクトした領域から、次の領域を通
ってボンディングパッド２−１２（図３参照）につなが
っている。各発光ダイオード２−９の上部においては、
コンタクトホール２−１９の光出射端面２−２０と垂直
方向の縁と、発光ダイオード２−９の端の間を通り、発
光ダイオード２−９の光出射端面２−２０と反対方向の
側面と、さらにＧａＡｓ基板２−８上をＳｉＯ2膜２−
１４を介して通っている。この第２の実施例の作成手順
も第１の実施例と全く同様である。Further, the wiring 2-11 is connected to the bonding pad 2-12 (see FIG. 3) from the region in contact with the upper ohmic electrode 2-10 through the next region. In the upper part of each light emitting diode 2-9,
A side surface of the contact hole 2-19, which is perpendicular to the light emitting end surface 2-20, and a side surface of the light emitting diode 2-9, which is opposite to the light emitting end surface 2-20. Furthermore, the SiO 2 film 2-on the GaAs substrate 2-8
It goes through 14. The procedure for creating the second embodiment is exactly the same as that of the first embodiment.
【００３９】次に、本発明の第３の実施例について図
５，図６を用いて説明する。図５は第３の実施例の斜視
図であり、図６は図５の１つの発光ダイオードのコンタ
クトホール部分を通過する断面図である。図６（ａ）は
発光ダイオードの光出射端面に垂直な方向の断面図であ
り、図６（ｂ）は発光ダイオードの光出射端面に平行な
方向の断面を、光出射端面方向から見た断面図である。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a perspective view of the third embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting diode of FIG. FIG. 6A is a sectional view taken in a direction perpendicular to the light emitting end surface of the light emitting diode, and FIG. 6B is a sectional view taken in a direction parallel to the light emitting end surface of the light emitting diode as seen from the light emitting end surface direction. It is a figure.
【００４０】図５及び図６において、化合物半導体基板
３−８上に、端面発光型ダイオード３−９が光出射端面
３−２０と平行な方向に、アレイ状に形成されている。
この各発光ダイオード３−９はダブルヘテロ構造であ
り、この最上層３−１８に配線３−１１がコンタクトさ
れている。この配線３−１１は、各発光ダイオード３−
９の最上層３−１８とコンタクトしている領域において
は、上部オーミック電極を兼ねている。また、各発光ダ
イオード３−９間は電気的、光学的に素子分離されてい
る。この化合物半導体基板３−８の表面、並びに、発光
ダイオード３−９は、この発光ダイオード３−９の最上
層３−１８と配線３−１１が接続しているコンタクトホ
ール領域３−１９を除いて、絶縁膜としてのＳｉＯ2膜
３−１４で被われている。5 and 6, edge emitting diodes 3-9 are formed in an array on the compound semiconductor substrate 3-8 in a direction parallel to the light emitting edge 3-20.
Each of the light emitting diodes 3-9 has a double hetero structure, and the wiring 3-11 is in contact with the uppermost layer 3-18. The wiring 3-11 is connected to each light emitting diode 3-
In the region of 9 which is in contact with the uppermost layer 3-18, it also serves as the upper ohmic electrode. The light emitting diodes 3-9 are electrically and optically isolated. The surface of the compound semiconductor substrate 3-8 and the light emitting diode 3-9 are the same except for the contact hole region 3-19 where the uppermost layer 3-18 of the light emitting diode 3-9 and the wiring 3-11 are connected. , Covered with a SiO 2 film 3-14 as an insulating film.
【００４１】このコンタクトホール３−１９は発光ダイ
オード３−９の最上層３−１８上に、ＳｉＯ2膜３−１
４が矩形の形状に窓開けされて、形成されている。発光
ダイオード３−９の最上層３−１８と、このコンタクト
ホール３−１９部分で接続された配線３−１１は、発光
ダイオード３−９上をコンタクトホール３−１９から、
光出射端面３−２０と反対方向に伸びている。さらに配
線３−１１は、発光ダイオード３−９の光出射端面３−
２０と反対方向の側面を通って、ボンディングパッド３
−１２に接続されている。このボンディングパッド３−
１２は発光ダイオード３−９の後部、即ち、光出射方向
と反対方向の化合物半導体基板３−８上にＳｉＯ2膜３
−１４を介して形成されている。The contact hole 3-19 is formed on the uppermost layer 3-18 of the light emitting diode 3-9 and the SiO 2 film 3-1.
4 is formed by opening a window in a rectangular shape. The wiring 3-11 connected to the uppermost layer 3-18 of the light emitting diode 3-9 and the contact hole 3-19 is provided on the light emitting diode 3-9 from the contact hole 3-19.
It extends in the direction opposite to the light emitting end face 3-20. Further, the wiring 3-11 is a light emitting end face 3- of the light emitting diode 3-9.
Bonding pad 3 through the side opposite to 20
It is connected to -12. This bonding pad 3-
Reference numeral 12 denotes the rear portion of the light emitting diode 3-9, that is, the SiO 2 film 3 on the compound semiconductor substrate 3-8 in the direction opposite to the light emitting direction.
It is formed through -14.
【００４２】ここで、配線３−１１と発光ダイオード３
−９の最上層３−１８が接続されている領域において、
配線３−１１はコンタクトホール３−１９の周りを囲む
ように形成されているので、配線３−１１が通っている
発光ダイオード３−９の側面と平行で、且つ、この配線
３−１１が通っている発光ダイオード３−９の側面に近
いコンタクトホール３−１９の縁３−２１では、配線３
−１１は断線しても、他の３つのコンタクトホール３−
１９の縁において、配線３−１１は段切れは生ぜず、電
気的接続は安定して確保される。Here, the wiring 3-11 and the light emitting diode 3
In the area where the uppermost layer 3-18 of -9 is connected,
Since the wiring 3-11 is formed so as to surround the contact hole 3-19, it is parallel to the side surface of the light emitting diode 3-9 through which the wiring 3-11 passes, and the wiring 3-11 passes through. At the edge 3-21 of the contact hole 3-19 near the side surface of the light emitting diode 3-9, the wiring 3
Even if -11 is broken, the other three contact holes 3-
At the edge of 19, the wiring 3-11 does not have a step break, and the electrical connection is stably secured.
【００４３】この第３の実施例の作成手順を次に述べ
る。化合物半導体基板としてｎ−ＧａＡｓ基板３−８上
に、ＭＯＶＰＥ（Mental Organic Vapor Phase Epitax
y）法により、次の積層構造を成長させる。積層構造は
前記のｎ−ＧａＡｓ基板３−８上に、ｎ−Ａｌ0.42Ｇａ
0.58Ａｓクラッド層３−１５（厚さ、1.5μｍ)、Ａｌ
0.19Ｇａ0.81Ａｓ活性層３−１６（0.05μｍ)、ｐ−Ａ
ｌ0.42Ｇａ0.58Ａｓクラッド層１−１７（1.5μｍ)、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層３−１８(0.3μｍ)で構成され
る。The procedure for creating the third embodiment will be described below. MOVPE (Mental Organic Vapor Phase Epitaxy) is formed on the n-GaAs substrate 3-8 as a compound semiconductor substrate.
The following laminated structure is grown by the y) method. The laminated structure is formed by n-Al 0.42 Ga on the n-GaAs substrate 3-8.
0.58 As clad layer 3-15 (thickness, 1.5 μm), Al
0.19 Ga 0.81 As active layer 3-16 (0.05 μm), p-A
l 0. 42 Ga 0.58 As clad layer 1-17 (1.5μm), p
-GaAs cap layer 3-18 (0.3 µm).
【００４４】次に、上記の結晶成長を行った最上層３−
１８の上に、フォトリソグラフィー技術により、エッチ
ングマスクとして、レジスト膜を形成する。この時、エ
ッチングマスクの大きさは、最終的に形成される発光ダ
イオード３−９の大きさにほぼ等しい。このようにして
形成した、レジスト膜をエッチングマスクとして、各発
光ダイオード３−９が形成される領域以外の全ての領域
のエッチングを行う。この時エッチング方法は、ほぼ基
板に対して垂直な形状のエッチング側面が得られる、ド
ライエッチング法を用いる。エッチング深さは４μｍと
し、ｎ−ＧａＡｓ基板３−８まで達しており、この結
果、各発光ダイオード３−９を電気的、光学的に素子分
離が実現される。この各発光ダイオード３−９の大きさ
は、光出射端面３−２０と平行な方向の幅が32.3μｍで
あり、光出射端面３−２０と垂直方向の長さは50μｍで
ある。そして、素子間のピッチは600dpi相当、即ち、4
2.3μｍとなっている。Next, the uppermost layer 3-on which the above-mentioned crystal growth has been carried out
A resist film is formed on 18 as an etching mask by photolithography. At this time, the size of the etching mask is approximately equal to the size of the finally formed light emitting diode 3-9. Using the resist film thus formed as an etching mask, etching is performed on all regions except the region where each light emitting diode 3-9 is formed. At this time, as an etching method, a dry etching method is used which can obtain an etching side surface having a shape substantially vertical to the substrate. The etching depth is 4 μm and reaches the n-GaAs substrate 3-8. As a result, the light emitting diodes 3-9 are electrically and optically isolated. Regarding the size of each light emitting diode 3-9, the width in the direction parallel to the light emitting end face 3-20 is 32.3 μm, and the length in the direction perpendicular to the light emitting end face 3-20 is 50 μm. And the pitch between the elements is equivalent to 600dpi, that is, 4
It is 2.3 μm.
【００４５】このようにＧａＡｓ基板上に、端面発光ダ
イオードアレイとなる島状のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓダ
ブルヘテロ構造を形成した後に、絶縁膜を前記試料全面
に被う。この絶縁膜としてＳｉＯ2膜厚が5000オングス
トロームになるように堆積し、その形成方法はＰＥ−Ｃ
ＶＤ(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法
を用いる。その後に、フォトリソグラフィ、エッチング
技術を用いて、各発光ダイオードの最上層であるｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層３−１８上にコンタクトホール３−１
９を形成する。この時のコンタクトホール３−１９の大
きさは、光出射端面３−２０と平行方向の幅は２４μm
であり、光出射端面３−２０と垂直方向の長さは４２μ
ｍと、発光ダイオード３−９の上面より小さく、形状は
矩形となっている。このコンタクトホール３−１９と、
上部オーミック電極の中心軸は、一致している。After the island-shaped GaAs / AlGaAs double hetero structure to be the end face light emitting diode array is formed on the GaAs substrate in this manner, the insulating film is covered over the entire surface of the sample. This insulating film is deposited so that the film thickness of SiO 2 is 5000 Å, and the forming method is PE-C.
The VD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method is used. After that, by using photolithography and etching techniques, p-G which is the uppermost layer of each light emitting diode is used.
Contact hole 3-1 on aAs cap layer 3-18
9 is formed. At this time, the size of the contact hole 3-19 is 24 μm in the direction parallel to the light emitting end face 3-20.
And the length in the direction perpendicular to the light emitting end face 3-20 is 42 μm.
m, which is smaller than the upper surface of the light emitting diode 3-9 and has a rectangular shape. This contact hole 3-19,
The central axes of the upper ohmic electrodes coincide.
【００４６】さらに、フォトリソグラフィ技術を用いて
配線、ボンディングパッドパターンを形成する。つぎに
真空蒸着法により、Ｃｒ(厚さ、150オングストロー
ム）、Ａｕ（3000オングストローム）を堆積した後に、
リフトオフを行い、配線３−１１及びボンディングパッ
ド３−１２を形成する。この配線３−１１が上部オーミ
ック電極３−１０とコンタクトしている領域の大きさ
は、光出射端面３−２０と平行方向の幅２８μｍであ
り、光出射端面３−２０と垂直方向の幅は４６μｍであ
る。さらに、この配線３−１１とＳｉＯ2膜３−１４が
オーバーラップしている幅は２μｍである。Further, the wiring and the bonding pad pattern are formed by using the photolithography technique. Next, after depositing Cr (thickness, 150 angstrom) and Au (3000 angstrom) by a vacuum evaporation method,
Lift-off is performed to form the wiring 3-11 and the bonding pad 3-12. The size of the region where the wiring 3-11 is in contact with the upper ohmic electrode 3-10 is 28 μm in the direction parallel to the light emitting end face 3-20, and the width in the direction vertical to the light emitting end face 3-20. It is 46 μm. Further, the width where the wiring 3-11 and the SiO 2 film 3-14 overlap each other is 2 μm.
【００４７】この配線３−１１は、発光ダイオード３−
９の最上層であるｐ−ＧａＡｓキャップ層３−１８とコ
ンタクトしている領域において、上部オーミック電極、
即ち、ｐ側オーミック電極を兼ねている。ここで、配線
３−１１が光出射端面３−２０と反対方向の側面上に、
段切れすること無く形成されるために、各発光ダイオー
ド３−９の光出射端面３−２０と反対方向の、斜め上方
から蒸着粒子が飛来するように蒸着を行う。このような
方向から、配線材料の蒸着を行うことにより、配線が通
っている発光ダイオード３−９の側面と平行で、且つ、
この配線３−１１が通っている発光ダイオード３−９の
側面に近いコンタクトホール３−１９の縁３−２１で
は、段切れを生じても、他の３つの縁では、段切れが生
じないようにすることができる。しかも配線３−１１が
通っている発光ダイオード３−９の側面においても、ス
テップカバレージ良く配線が形成されている。この結
果、配線３−１１の断線がなく、安定に配線３−１１か
ら発光ダイオード３−９に電流を注入することができ
る。The wiring 3-11 is connected to the light emitting diode 3-.
9 in the region which is in contact with the uppermost p-GaAs cap layer 3-18, the upper ohmic electrode,
That is, it also serves as the p-side ohmic electrode. Here, the wiring 3-11 is on the side surface opposite to the light emitting end surface 3-20,
In order to form without breakage, vapor deposition is performed such that vapor deposition particles fly obliquely from the upper side in the direction opposite to the light emitting end face 3-20 of each light emitting diode 3-9. By depositing the wiring material from such a direction, the wiring material is parallel to the side surface of the light emitting diode 3-9 through which the wiring passes, and
Even if the edge 3-21 of the contact hole 3-19 near the side surface of the light emitting diode 3-9 through which the wiring 3-11 passes has a step disconnection, the other three edges do not have a step disconnection. Can be Moreover, the wiring is formed with good step coverage also on the side surface of the light emitting diode 3-9 through which the wiring 3-11 passes. As a result, there is no disconnection of the wiring 3-11, and the current can be stably injected from the wiring 3-11 to the light emitting diode 3-9.
【００４８】また、配線３−１１が上部オーミック電極
を兼ねているために、配線３−１１を形成する１工程
で、配線３−１１及び上部オーミック電極を形成するこ
とができる。最後に、裏面に共通電極として、Ａｕ−Ｇ
ｅ(厚さ、350オングストローム）、Ｎｉ(150オングスト
ローム）、Ａｕ（3000オングストローム）を順次真空蒸
着し、ｎ側オーミック電極３−１３を形成する。Since the wiring 3-11 also serves as the upper ohmic electrode, the wiring 3-11 and the upper ohmic electrode can be formed in one step of forming the wiring 3-11. Finally, as a common electrode on the back surface, Au-G
e (thickness, 350 Å), Ni (150 Å), and Au (3000 Å) are sequentially vacuum-deposited to form the n-side ohmic electrode 3-13.
【００４９】本発明は前記実施例に限らず、各種の変形
が可能である。例えば、前記実施例においてはｎ−Ｇａ
Ａｓ基板を用いたが、Ｐ型基板を用いて他の積層膜の導
電型を上記の実施例と反対のものを用いてもよく、さら
に、本発明における化合物半導体材料としてはＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＡｓ
Ｐ、ＩｎＡｓＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＡｓＳｂ、ＩｎＳｂ、
ＩｎＧａＳｂ等のIII−Ｖ族化合物半導体やII−VI族化
合物半導体、あるいはIV−VI族化合物半導体等の各種化
合物半導体及び混晶半導体が考えられる。The present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications can be made. For example, in the above embodiment, n-Ga
Although the As substrate is used, a P-type substrate may be used, and the conductivity type of the other laminated film may be opposite to that of the above-mentioned embodiment, and GaA may be used as the compound semiconductor material in the present invention.
s, AlGaAs, InP, InGaAsP, GaAs
P, InAsP, InAs, InAsSb, InSb,
Various compound semiconductors such as III-V group compound semiconductors such as InGaSb, II-VI group compound semiconductors, or IV-VI group compound semiconductors and mixed crystal semiconductors are considered.
【００５０】また、本発明の実施例で述べた結晶成長方
法としては、ＭＯＶＰＥ法を用いたが、このほかにもＬ
ＰＥ（Liquid Phase Epitaxy）法やＭＢＥ（Molecular
BeamEpitaxy）法等があり、絶縁膜としてはＳｉＯ2膜を
用いたが、このほかにもＳｉＮ膜やＡｌＮ膜などを用
い、成膜方法としてもＰＥ−ＣＶＤ法以外にも熱ＣＶＤ
法、ＭＯＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法やスパッタリング
法等がある。さらには、前記実施例で示されるような、
集積型発光ダイオードアレイを用いたプリンター光源の
発光部である端面発光型発光ダイオードに用いる積層構
造としては、上記のようなダブルヘテロ構造以外に、シ
ングルヘテロ構造やホモ接合構造等も適応可能である。The MOVPE method was used as the crystal growth method described in the embodiments of the present invention.
PE (Liquid Phase Epitaxy) method and MBE (Molecular
BeamEpitaxy) method, etc., and the SiO 2 film was used as the insulating film, but in addition to this, SiN film or AlN film is also used, and the film formation method is not limited to the PE-CVD method, but thermal CVD.
Method, MOCVD method, electron beam evaporation method, sputtering method and the like. Furthermore, as shown in the above embodiment,
As the laminated structure used for the edge emitting type light emitting diode which is the light emitting part of the printer light source using the integrated type light emitting diode array, in addition to the double hetero structure as described above, a single hetero structure or a homojunction structure is also applicable. .
【００５１】また、前記実施例に示される集積型発光ダ
イオードアレイを用いたプリンター光源では、その発光
部である出射端面は基板面に垂直に形成されているが、
その光出射端面は必ずしも基板面に対して垂直である必
要はなく、凡そ垂直な面、若しくは実効的に光出射端面
として機能する面であればよい。また、前記実施例で
は、コンタクトホールを矩形に限って説明したが、円
形、楕円等の他の形でも本発明の断線防止の方法は採用
することができるのは、明らかである。Further, in the printer light source using the integrated type light emitting diode array shown in the above-mentioned embodiment, the emission end face which is the light emitting portion is formed perpendicular to the substrate surface.
The light emitting end face does not necessarily need to be perpendicular to the substrate surface, and may be a substantially vertical face or a face that effectively functions as the light emitting end face. Further, in the above-described embodiment, the contact hole is limited to the rectangular shape, but it is obvious that the method for preventing the disconnection of the present invention can be applied to other shapes such as a circular shape and an elliptical shape.
【００５２】[0052]
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、端面発光
型発光ダイオードアレイにおいて、各発光ダイオードの
上部オーミック電極とボンディングパッドを配線電極で
接続することにより、従来技術の各発光ダイオードの上
部オーミック電極から直接ボンディングを行う方法に比
較して、より高密度な端面発光型発光ダイオードアレイ
の形成が可能となる。即ち、各発光ダイオードの幅がワ
イヤーボンディングに要する幅に制限されずに微細化で
きる。本発明の場合には、配線電極の幅と発光ダイオー
ド素子製作上の微細加工が可能な幅の和により、素子の
集積度は決定される。従って本発明を用いることによ
り、600dpi（各発光ダイオードのピッチは42.3μｍとな
る。）以上の高密度発光ダイオードアレイが作成可能と
なる。According to the first aspect of the present invention, in the edge emitting type light emitting diode array, the upper ohmic electrode of each light emitting diode and the bonding pad are connected by the wiring electrode, whereby the upper portion of each light emitting diode of the prior art is connected. As compared with the method of directly bonding from the ohmic electrode, it is possible to form a higher density edge emitting light emitting diode array. That is, the width of each light emitting diode can be miniaturized without being limited to the width required for wire bonding. In the case of the present invention, the degree of integration of the device is determined by the sum of the width of the wiring electrode and the width that allows fine processing for manufacturing the light emitting diode device. Therefore, by using the present invention, a high density light emitting diode array of 600 dpi (the pitch of each light emitting diode is 42.3 μm) or more can be produced.
【００５３】さらに、端面発光型発光ダイオードアレイ
の各発光ダイオードの上部オーミック電極とコンタクト
した、配線電極がコンタクトホールの１つの縁において
段切れを生じた場合でも、コンタクトホールの他の縁に
おいて配線電極の段切れは生じない。従って、断線する
ことなく配線電極を形成することができ、各発光ダイオ
ードの上部オーミック電極に対して、安定に電流注入を
行うことが可能となる。さらには、素子の信頼性も向上
することが期待できる。Furthermore, even when the wiring electrode contacting the upper ohmic electrode of each light emitting diode of the edge emitting type light emitting diode array has a step break at one edge of the contact hole, the wiring electrode is formed at the other edge of the contact hole. Does not cause disconnection. Therefore, the wiring electrode can be formed without disconnection, and the current can be stably injected into the upper ohmic electrode of each light emitting diode. Furthermore, it can be expected that the reliability of the device is improved.
【００５４】また、請求項２記載の発明によれば、端面
発光型発光ダイオードアレイにおいて、各発光ダイオー
ドの最上層とボンディングパッドを、上部オーミック電
極を兼用した配線電極で接続することにより、従来技術
の各発光ダイオードの上部オーミック電極から直接ボン
ディングを行う方法に比較して、より高密度な端面発光
型発光ダイオードアレイの形成が可能となる。即ち、各
発光ダイオードの幅がワイヤーボンディングに要する幅
に制限されずに微細化できる。本発明の場合には、配線
電極の幅と発光ダイオード素子製作上の微細加工が可能
な幅の和により、素子の集積度は決定される。従って本
発明を用いることにより、600dpi（各発光ダイオードの
ピッチは42.3μｍとなる。）以上の高密度発光ダイオー
ドアレイが作成可能となる。According to the second aspect of the present invention, in the edge emitting type light emitting diode array, the uppermost layer of each light emitting diode and the bonding pad are connected by the wiring electrode which also serves as the upper ohmic electrode. As compared with the method of directly bonding from the upper ohmic electrode of each light emitting diode, it is possible to form a higher density edge emitting light emitting diode array. That is, the width of each light emitting diode can be miniaturized without being limited to the width required for wire bonding. In the case of the present invention, the degree of integration of the device is determined by the sum of the width of the wiring electrode and the width that allows fine processing for manufacturing the light emitting diode device. Therefore, by using the present invention, a high density light emitting diode array of 600 dpi (the pitch of each light emitting diode is 42.3 μm) or more can be produced.
【００５５】さらに、端面発光型発光ダイオードアレイ
の各発光ダイオードの最上層とコンタクトした、オーミ
ック電極を兼用の配線電極がコンタクトホールの１つの
縁において段切れを生じた場合でも、コンタクトホール
の他の縁において配線電極の段切れは生じない。従っ
て、断線することなく配線電極を形成することができ、
各発光ダイオードに対して、安定に電流注入を行うこと
が可能となる。さらには、素子の信頼性も向上すること
が期待できる。また、オーミック電極と配線電極を同一
工程で形成することにより、素子作成プロセスの簡略化
が図れる。これに伴い、素子製作の歩留まり向上と工程
削減によるコスト低減が可能となる。この結果、素子コ
ストの低減につながる。Further, even if the wiring electrode which also makes contact with the uppermost layer of each light emitting diode of the edge emitting type light emitting diode array and also serves as the ohmic electrode has a step break at one edge of the contact hole, the other contact holes are not formed. No disconnection of the wiring electrode occurs at the edge. Therefore, the wiring electrode can be formed without disconnection,
It is possible to stably inject current into each light emitting diode. Furthermore, it can be expected that the reliability of the device is improved. Further, by forming the ohmic electrode and the wiring electrode in the same step, the device manufacturing process can be simplified. Along with this, it is possible to improve the production yield of elements and reduce costs by reducing the number of steps. As a result, the element cost is reduced.
【図１】第１の実施例の端面発光型発光ダイオードアレ
イの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an edge emitting light emitting diode array according to a first embodiment.
【図２】（ａ），（ｂ）共に、図１の発光ダイオードの
断面図である。2A and 2B are cross-sectional views of the light emitting diode of FIG.
【図３】第２の実施例の端面発光型発光ダイオードアレ
イの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of an edge emitting light emitting diode array according to a second embodiment.
【図４】（ａ），（ｂ）共に、図３の発光ダイオードの
断面図である。4A and 4B are cross-sectional views of the light emitting diode of FIG.
【図５】第３の実施例の端面発光型発光ダイオードアレ
イの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of an edge emitting light emitting diode array according to a third embodiment.
【図６】（ａ），（ｂ）共に、図５の発光ダイオードの
断面図である。6A and 6B are cross-sectional views of the light emitting diode of FIG.
【図７】従来技術の面発光型発光ダイオードアレイの上
面図である。FIG. 7 is a top view of a conventional surface emitting light emitting diode array.
【図８】従来技術の端面発光型発光ダイオードアレイの
斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a conventional edge-emitting LED array.
【図９】従来の端面型発光ダイオードアレイの斜視図で
ある。FIG. 9 is a perspective view of a conventional edge-emitting LED array.
【図１０】（ａ），（ｂ），（ｃ）すべて、従来の端面
発光型発光ダイオードの問題点を説明するための図であ
る。FIG. 10A, FIG. 10B, and FIG. 10C are views for explaining the problems of the conventional edge-emitting light emitting diode.
１−８，２−８，３−８ 化合物半導体基板
１−９，２−９，３−９ 端面発光型発光ダイオード
１−１０，２−１０，３−１０ 上部オーミック電極
１−１１，２−１１，３−１１ 配線電極
１−１２，２−１２，３−１２ ボンディングパッド
１−１３，２−１３，３−１３ 下部オーミック電極
１−１４，２−１４，３−１４ 絶縁膜
１−１５，２−１５，３−１５ 第１導電型クラッド
層
１−１６，２−１６，３−１６ 活性層
１−１７，２−１７，３−１７ 第２導電型クラッド
層
１−１８，２−１８，３−１８ 第２導電型キャップ
層
１−１９，２−１９，３−１９ コンタクトホール
１−２０，２−２０，３−２０ 端面発光型発光ダイ
オードの光出射端面
１−２１，２−２１，３−２１ コンタクトホールの
縁1-8,2-8,3-8 Compound semiconductor substrate 1-9,2-9,3-9 Edge emitting light emitting diode 1-10,2-10,3-10 Upper ohmic electrode 1-11,2- 11, 3-11 Wiring electrodes 1-12, 2-12, 3-12 Bonding pads 1-13, 2-13, 3-13 Lower ohmic electrodes 1-14, 2-14, 3-14 Insulating film 1-15 , 2-15, 3-15 First conductivity type cladding layers 1-16, 2-16, 3-16 Active layers 1-17, 2-17, 3-17 Second conductivity type cladding layers 1-18, 2- 18, 3-18 2nd conductivity type cap layer 1-19, 2-19, 3-19 Contact hole 1-20, 2-20, 3-20 Light emission end surface 1-21,2- of end surface light emitting type light emitting diode 21,3-21 Edge of contact hole
Claims (2)
配置してなる発光ダイオードアレイを有し、感光体に対
向配置して、各発光ダイオードを選択的に点灯させたと
き、感光体上にドット分割した像を形成するプリンター
光源において、 前記発光ダイオードアレイが、各発光ダイオードの活性
層を含む面と平行でない素子側面より光出力が得られ
る、端面型発光ダイオードで構成されており、 前記各発光ダイオードの上部オーミック電極に接続して
いる配線が、前記上部オーミック電極上に形成された矩
形のコンタクトホールの縁のうち、少なくとも配線が通
っている各発光ダイオードの側面と平行で、且つ、該側
面に近い縁以外の縁を被って、前記上部オーミック電極
に接続されていることを特徴とするプリンター光源。1. A light-emitting diode array comprising a plurality of light-emitting diodes arranged in at least one row. When the light-emitting diodes are arranged to face a photoconductor and each light-emitting diode is selectively turned on, dot division is performed on the photoconductor. In the printer light source for forming an image, the light emitting diode array is composed of an end face type light emitting diode, in which light output is obtained from a device side surface which is not parallel to a surface including an active layer of each light emitting diode, and each of the light emitting diodes Of the rectangular contact hole formed on the upper ohmic electrode, the wiring connected to the upper ohmic electrode is parallel to at least the side surface of each light emitting diode through which the wiring passes, and A printer light source, characterized in that it is connected to the upper ohmic electrode by covering an edge other than a near edge.
配置してなる発光ダイオードアレイを有し、感光体に対
向配置して、各発光ダイオードを選択的に点灯させたと
き、感光体上にドット分割した像を形成するプリンター
光源において、 前記発光ダイオードアレイが、各発光ダイオードの活性
層を含む面と平行でない素子側面より光出力が得られ
る、端面型発光ダイオードで構成されており、 前記各発光ダイオードの最上層に接続している上部オー
ミック電極を兼用している配線が、各発光ダイオードの
最上層の上に形成された矩形のコンタクトホールの縁の
うち、少なくとも配線が通っている各発光ダイオードの
側面と平行で、且つ、該側面に近い縁以外の縁を被っ
て、前記上部オーミック電極に接続されていることを特
徴とするプリンター光源。2. A light-emitting diode array comprising a plurality of light-emitting diodes arranged in at least one row. When the light-emitting diodes are arranged to face each other and each light-emitting diode is selectively turned on, dot division is performed on the photoconductor. In the printer light source for forming an image, the light emitting diode array is composed of an end face type light emitting diode, in which light output is obtained from a device side surface which is not parallel to a surface including an active layer of each light emitting diode, and each of the light emitting diodes The wiring that is also used as the upper ohmic electrode connected to the uppermost layer of the light emitting diode is the edge of the rectangular contact hole formed on the uppermost layer of each light emitting diode. A pre-electrode which is parallel to the side surface and covers the edge other than the edge close to the side surface and is connected to the upper ohmic electrode. Ter light source.
Priority Applications (1)
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187771A (en) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | Nitride semiconductor device |
| JPH1197742A (en) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nichia Chem Ind Ltd | Nitride semiconductor element |
| JPH11177184A (en) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser device and its manufacture |
| JP2000036619A (en) * | 1998-05-13 | 2000-02-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii nitride compound semiconductor light emitting element |
| US6254464B1 (en) | 1998-10-21 | 2001-07-03 | Nakanishi Inc. | Hand scaler polishing unit and hand scaler polishing apparatus |
| JP2017080963A (en) * | 2015-10-26 | 2017-05-18 | 株式会社沖データ | Light emitting array unit, exposure device and image formation device |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP17966491A patent/JP3200094B2/en not_active Expired - Fee Related
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