JPH0528570A - Magneto-optical pickup - Google Patents

Magneto-optical pickup

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Publication number
JPH0528570A
JPH0528570A JP3181293A JP18129391A JPH0528570A JP H0528570 A JPH0528570 A JP H0528570A JP 3181293 A JP3181293 A JP 3181293A JP 18129391 A JP18129391 A JP 18129391A JP H0528570 A JPH0528570 A JP H0528570A
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JP
Japan
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waveguide
light
layer
magneto
optical
Prior art date
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Pending
Application number
JP3181293A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiko Yoshizawa
昭彦 吉沢
Shiyouhei Kobayashi
章兵 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0528570A publication Critical patent/JPH0528570A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent a light receiving element in a compact and lightweight magneto-optical pickup from the deterioration of light receiving efficiency. CONSTITUTION:A semiconductor laser 50 exciting a laser beam toward an optical recording medium 16 and a wave-guide 30 having a polarization separating function are integrated into one body. Reflected light from the optical recording medium 16 is diffracted by a hologram optical element 12 and is made incident to the end face of the wave-guide 30. Then, the laser beam passes through the wave-guide 30 and the beam excited therefrom is detected by a light receiving part 10.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、光学的記録媒体に信
号を記録し、および/または記録された信号を再生する
ための光磁気用ピックアップに関し、特に小型軽量な光
磁気用ピックアップに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical pickup for recording a signal on an optical recording medium and / or reproducing the recorded signal, and more particularly to a compact and lightweight magneto-optical pickup.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、光磁気記録用のピックアップ
は、コンパクトディスクなどの読取り専用と違って、偏
光面のわずかな回転を検出しなければならず、偏光を分
離するためのプリズム、例えばPBS(偏光ビームスプ
リッター)が必要となる。このため、部品点数が多くな
り、光磁気用ピックアップ自体が大きく、重くなるとい
う欠点があった。
2. Description of the Related Art In general, a pickup for magneto-optical recording must detect a slight rotation of a polarization plane, unlike a read-only type such as a compact disc, and a prism for separating polarization, such as PBS ( A polarizing beam splitter) is required. As a result, the number of parts is increased, and the magneto-optical pickup itself is large and heavy.

【0003】このような欠点を解消すべく、プリズムに
代わってホログラム素子を使い、かつ受光素子および発
光素子をユニット化することにより、光磁気用ピックア
ップの小型、軽量化を達成する技術が提案されている。
例えば、特開平1−229437号公報には図10,1
1に示すような薄膜化した光磁気用ピックアップが開示
されている。以下、これらの図を参照して、従来の光磁
気用ピックアップの構成を説明する。
In order to eliminate such drawbacks, a technique has been proposed in which a hologram element is used instead of a prism, and a light receiving element and a light emitting element are unitized to achieve a compact and lightweight magneto-optical pickup. ing.
For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 1-229437, FIGS.
A thin-film magneto-optical pickup as shown in 1 is disclosed. Hereinafter, the configuration of the conventional magneto-optical pickup will be described with reference to these drawings.

【0004】この光磁気用ピックアップに用いられてい
る半導体レーザは、半導体基板上に受光素子および発光
素子が一体的に形成されている。即ち、図11に示すよ
うに、レーザビームを発光する活性層1の中央部の両側
には、それぞれ2つの受光素子2a〜2dが形成されて
いる。
In the semiconductor laser used in this magneto-optical pickup, a light receiving element and a light emitting element are integrally formed on a semiconductor substrate. That is, as shown in FIG. 11, two light receiving elements 2a to 2d are formed on both sides of the central portion of the active layer 1 which emits a laser beam.

【0005】そして、図10に示すように、半導体レー
ザの中央部の活性層1から射出されたレーザビームは、
ホログラム回折格子3および集光レンズ5を介して光デ
ィスク7のトラックに集光される。そして、光ディスク
7からの反射光は、集光レンズ5を介してホログラム回
折格子3に入射する。このホログラム回折格子3は、非
点收差を発生させるように構成されており、ホログラム
回折格子3に入射した反射光は前記受光素子2a〜2d
に光スポットを投射するように回折される。そして、こ
れらの受光素子2a〜2dで、光ディスクからの反射光
を検出するようになっている。このように、ホログラム
素子を使い、かつ受光素子と発光素子とを一体的に形成
したため、これまで用いられてきた光磁気用ピックアッ
プより、小型軽量という点では有利なものとなってい
る。
Then, as shown in FIG. 10, the laser beam emitted from the active layer 1 in the central portion of the semiconductor laser is
The light is focused on the track of the optical disk 7 via the hologram diffraction grating 3 and the condenser lens 5. Then, the reflected light from the optical disk 7 enters the hologram diffraction grating 3 via the condenser lens 5. The hologram diffraction grating 3 is configured to generate an astigmatic difference, and the reflected light incident on the hologram diffraction grating 3 is the light receiving elements 2a to 2d.
It is diffracted to project a light spot on. The light receiving elements 2a to 2d detect the reflected light from the optical disk. As described above, since the hologram element is used and the light receiving element and the light emitting element are integrally formed, it is advantageous in terms of size and weight compared to the magneto-optical pickups used so far.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、半導
体基板上に受光素子および発光素子を一体的に設けるこ
とによって、光磁気用ピックアップをかなり小型軽量に
することができる。しかし、光ディスクからの反射光の
受光を半導体レーザ構造の活性層部で行うため、以下の
問題点があげられる。一般に半導体レーザの活性層は、
モード制御の関係からあまり厚くすることはできず、通
常0.07μm 程度である。これに対して受光素子にお
ける光ディスクからの反射光のスポット径は、ホログラ
ム光学素子で絞り込んだとしても、数μm 以上である。
すなわち、受光面の面積がスポットサイズに対して極め
て小さいので、受光効率が悪く、ほとんどの反射光は受
光できなくなる。また、これに伴いS/N比も悪くなっ
てしまい、反射光を受光した際の信号の検出が困難とな
る。従って、上記従来例では、光磁気用ピックアップと
しての実用性能を得るのが非常に難しい。
As described above, by integrally providing the light receiving element and the light emitting element on the semiconductor substrate, the magneto-optical pickup can be made quite small and lightweight. However, since the reflected light from the optical disk is received by the active layer portion of the semiconductor laser structure, the following problems are raised. Generally, the active layer of a semiconductor laser is
Due to the mode control, it cannot be made too thick, and is usually about 0.07 μm. On the other hand, the spot diameter of the reflected light from the optical disk in the light receiving element is several μm or more even if the light is narrowed down by the hologram optical element.
That is, since the area of the light receiving surface is extremely small with respect to the spot size, the light receiving efficiency is poor and most of the reflected light cannot be received. Further, along with this, the S / N ratio also deteriorates, which makes it difficult to detect a signal when the reflected light is received. Therefore, in the above conventional example, it is very difficult to obtain practical performance as a magneto-optical pickup.

【0007】この発明は、上記問題点を解決するために
成されたものであり、受光効率およびS/N比の低下が
生じることのない、小型軽量な光磁気用ピックアップを
提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a compact and lightweight magneto-optical pickup which does not cause a decrease in light receiving efficiency and S / N ratio. And

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段、作用】前記課題を解決す
るために、本発明の光磁気用ピックアップは、光学的記
録媒体へ向けてレーザ光を射出するレーザ光源および偏
光分離機能を備えた導波層を一体化した素子と、前記光
学的記録媒体からの反射光を前記導波層へ入射させる光
学素子と、前記導波層から射出された光を検出する光検
出部と、を有することを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems, the magneto-optical pickup of the present invention has a laser light source for emitting a laser beam toward an optical recording medium and a light guide having a polarization separation function. An element integrating a wave layer, an optical element that allows reflected light from the optical recording medium to enter the waveguide layer, and a light detection unit that detects light emitted from the waveguide layer. Is characterized by.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に沿って具
体的に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0010】図1は、本発明の概略を示した図である。
本発明に係る光磁気用ピックアップを構成している部品
の主なものは、半導体レーザ50と偏光分離機能導波路
30(以下、導波路もしくは導波層とする)が一体化し
た素子20、ホログラム光学素子12、対物レンズ1
4、および受光部10である。そして、半導体レーザ5
0から射出されたレーザ光は、ホログラム光学素子1
2、対物レンズ14を介して光学的記録媒体16のトラ
ック17に集光され、ここからの反射光は、対物レンズ
14、ホログラム光学素子12、導波路30を介して受
光部10で検出されるようになっている。以下これらの
構成部品を詳細に説明する。
FIG. 1 is a diagram showing the outline of the present invention.
The main components of the magneto-optical pickup according to the present invention are an element 20 in which a semiconductor laser 50 and a polarization separation function waveguide 30 (hereinafter referred to as a waveguide or a waveguide layer) are integrated, and a hologram. Optical element 12 and objective lens 1
4 and the light receiving unit 10. And the semiconductor laser 5
The laser light emitted from 0 is the hologram optical element 1
2. The light is condensed on the track 17 of the optical recording medium 16 via the objective lens 14, and the reflected light therefrom is detected by the light receiving unit 10 via the objective lens 14, the hologram optical element 12, and the waveguide 30. It is like this. These components will be described in detail below.

【0011】図2は、試作した半導体レーザ50の構造
を示したものである。波長は790nmで設計した。厚さ
350μm のガリウム砒素基板51上に、Siドープし
たn−Al0.45Ga0.55As層52をMOCVD法によ
り、1.5μmの厚さにエピタキシャル成長させた。そ
の上に、Al0.15Ga0.85As層53を0.07μm の
厚さに成長させた。さらに、その上にZnドープしたp
−Al0.45Ga0.55As層54、p−GaAs層55を
それぞれ1.5μm 、0.5μm の厚さに成長させた。
その後、5μm の幅を残して、p−Al0.45Ga0.55
s層54の途中までエッチングした。このとき、p−A
0.45Ga0.55As層54は、断面凸状になっており、
突出した部分の上にp−GaAs層55が形成されてい
た。この突出している両サイドに、高さが等しくなるよ
うに、Siドープしたn−GaAs層56を成長させ
て、電流ブロック層を形成した。そして、p−GaAs
層55およびn−GaAs層56の上に、Ti,Pt,
Auを順次被着して、Ti層、Pt層,Au層を形成
し、その後、450°Cで加熱してアロイ化させ、電極
を形成した。その後、このレーザダイオード部分を、幅
300μm 残してガリウム砒素基板51までエッチング
により取り除き、半導体レーザ50を作製した。
FIG. 2 shows the structure of a prototype semiconductor laser 50. The wavelength was designed at 790 nm. A Si-doped n-Al 0.45 Ga 0.55 As layer 52 was epitaxially grown to a thickness of 1.5 μm on a 350 μm thick gallium arsenide substrate 51 by MOCVD. An Al 0.15 Ga 0.85 As layer 53 was grown thereon to a thickness of 0.07 μm. In addition, Zn-doped p
An -Al 0.45 Ga 0.55 As layer 54 and a p-GaAs layer 55 were grown to a thickness of 1.5 μm and 0.5 μm, respectively.
Then, p-Al 0.45 Ga 0.55 A is left, leaving a width of 5 μm.
The s layer 54 was partially etched. At this time, p-A
The l 0.45 Ga 0.55 As layer 54 has a convex cross section,
The p-GaAs layer 55 was formed on the protruding portion. A Si-doped n-GaAs layer 56 was grown on both of the protruding sides so that the heights were equal to each other to form a current blocking layer. And p-GaAs
On the layer 55 and the n-GaAs layer 56, Ti, Pt,
Au was sequentially deposited to form a Ti layer, a Pt layer, and an Au layer, and then heated at 450 ° C. to be alloyed to form an electrode. Then, this laser diode portion was removed by etching up to the gallium arsenide substrate 51, leaving a width of 300 μm, to manufacture a semiconductor laser 50.

【0012】この半導体レーザ50の両サイドに、互い
に直交する偏光方向の成分を取り出すような導波路30
を、スパッタリング法、CVD法等を用いて形成する。
図3は、本実施例で用いる導波路の概念を示した図であ
る。基板上には、クラッド層46を挟んでTE,TM両
モードが伝搬する第2導波路44が形成されており、こ
の第2導波路44上には、クラッド層42を挟んでTE
モードのみが伝搬する第1導波路40が形成されてい
る。ホログラム光学素子からの戻り光は、いったん全部
第1導波路40内に入射するが、TEモードの光のみが
伝搬して行き、TMモードの光は第1導波路40では進
まず下側に逃げて行き、第2導波路44内を伝搬して行
く。
A waveguide 30 is provided on both sides of the semiconductor laser 50 so as to extract components in polarization directions orthogonal to each other.
Are formed by using a sputtering method, a CVD method or the like.
FIG. 3 is a diagram showing the concept of the waveguide used in this embodiment. A second waveguide 44 in which both TE and TM modes propagate is formed on the substrate with the cladding layer 46 sandwiched therebetween. On the second waveguide 44, the TE layer with the cladding layer 42 sandwiched is formed.
A first waveguide 40 in which only modes propagate is formed. All the return light from the hologram optical element once enters the first waveguide 40, but only the TE mode light propagates and the TM mode light does not proceed in the first waveguide 40 and escapes to the lower side. And propagates in the second waveguide 44.

【0013】図4(A)は、ガリウム砒素51上に形成
した導波路30の具体的な構造を示したものである。こ
れはガリウム砒素基板51を除いて7層構造をしてお
り、1番上の厚さ5.3μm のSiO2 層37と、厚さ
1μm のガラス層32が、それぞれ第1導波路37、第
2導波路32を構成する。ホログラム光学素子からの戻
り光は、いったん全部SiO2 層37に入射される。そ
して、入射した光は、それぞれ厚さが0.1μm に形成
され、クラッド層として機能する、TiO2 層36、S
iO2 層35、TiO2 層34によって閉じ込められ
る。しかし、これは限られた導波モードのみ、この構造
の場合、TEモードのみが導波でき、TMモ−ドの光は
導波できずに、下方へ漏れて行く。下方へ漏れた光は厚
さ2.5μmのSiO層33を通り抜け、厚さ1.
5μm のSiO2 層31上に形成されたガラス層32に
トラップされる。このように分離された光は、それぞれ
導波層37,32内を伝搬して行き、導波層の端面から
射出される。
FIG. 4A shows a concrete structure of the waveguide 30 formed on the gallium arsenide 51. This has a seven-layer structure except for the gallium arsenide substrate 51. The uppermost SiO 2 layer 37 having a thickness of 5.3 μm and the glass layer 32 having a thickness of 1 μm are the first waveguide 37 and the first waveguide 37, respectively. The two waveguides 32 are configured. All the return light from the hologram optical element is once incident on the SiO 2 layer 37. Then, the incident light, the thickness of each formed in a 0.1 [mu] m, and functions as a cladding layer, TiO 2 layer 36, S
It is confined by the iO 2 layer 35 and the TiO 2 layer 34. However, this can guide only a limited guided mode, in the case of this structure, only the TE mode, and the light in the TM mode cannot be guided but leaks downward. The light leaked downward passes through the SiO 2 layer 33 having a thickness of 2.5 μm and has a thickness of 1.
It is trapped in the glass layer 32 formed on the 5 μm SiO 2 layer 31. The lights thus separated propagate in the waveguide layers 37 and 32, respectively, and are emitted from the end faces of the waveguide layers.

【0014】屈折率の異なる2種類の層を多層にした導
波路も複屈折性を示し、TEとTMモードでは、かなり
伝搬するときの屈折率が異なる。この性質を利用して、
これら多層の導波路の下に、TMモードと同じ実効屈折
率を持つ導波路を設けると、TMモードの光のみが下の
導波路と結合し、導波する。
A waveguide in which two types of layers having different refractive indexes are multilayered also exhibits birefringence, and the TE and TM modes have significantly different refractive indexes when propagating. Utilizing this property,
If a waveguide having the same effective refractive index as the TM mode is provided under these multilayer waveguides, only the TM mode light is coupled with the lower waveguide and guided.

【0015】このような効果を得るための具体的な導波
層の構造を図4(B)に示す。基板51上に、厚さ2μ
m のSiO2 層52を形成し、その上に、第2の導波層
として屈折率2.0のSi3 4 層53を600nmの厚
さで形成し、その上に、コア層として、1μm のSiO
2 層54を形成する。そして、SiO2 層54の上に屈
折率2.49のTiO2 層56および屈折率1.47の
SiO2 層58を、各50nmの厚さで交互に26層(ト
ータルの厚さ1.3μm )積層し、第1の導波層60を
形成する。このような構成の導波路において、光学的記
録媒体からの戻り光を第1の導波層60に入射させる
と、第1の導波層60からはTEモードの光のみ、第2
の導波層53からはTMモードの光のみを取出すことが
できる。
FIG. 4B shows a concrete structure of the waveguide layer for obtaining such an effect. 2μ thick on substrate 51
An m 2 SiO 2 layer 52 is formed, a Si 3 N 4 layer 53 having a refractive index of 2.0 is formed as a second waveguide layer with a thickness of 600 nm, and a core layer is formed thereon. 1 μm SiO
Two layers 54 are formed. Then, on the SiO 2 layer 54, a TiO 2 layer 56 having a refractive index of 2.49 and a SiO 2 layer 58 having a refractive index of 1.47 are alternately arranged in 26 layers (total thickness 1.3 μm). ) Laminate to form the first waveguide layer 60. In the waveguide having such a configuration, when the return light from the optical recording medium is incident on the first waveguide layer 60, only the TE mode light is emitted from the first waveguide layer 60 to the second waveguide layer 60.
Only the TM mode light can be extracted from the waveguide layer 53.

【0016】図5は、受光部10の構成を具体的に示し
たものである。ホログラム光学素子に入射した光学的記
録媒体からの反射光は、図に示すように、左右の偏光分
離機能導波路30の第1の導波層37(60)の端面に
入射するように回折される。前述したように、第1の導
波層37(60)に入射した光は、TE,TMモードに
分離され、第1の導波層37(60)および第2の導波
層32(53)の後端面から射出する。そして、これら
射出した光を、受光部10によって検出することによ
り、光磁気信号、フォーカスエラー信号、トラックエラ
ー信号を得る。
FIG. 5 specifically shows the structure of the light receiving portion 10. The reflected light from the optical recording medium that has entered the hologram optical element is diffracted so as to enter the end face of the first waveguide layer 37 (60) of the left and right polarization separation function waveguides 30 as shown in the figure. It As described above, the light incident on the first waveguide layer 37 (60) is separated into TE and TM modes, and the first waveguide layer 37 (60) and the second waveguide layer 32 (53) are separated. Eject from the rear end face. Then, the emitted light is detected by the light receiving unit 10 to obtain a magneto-optical signal, a focus error signal, and a track error signal.

【0017】図5および図6を参照して、上記各信号の
検出方法を説明する。受光部10はTEモードの光を検
出する3分割されたフォトディテクタPD1〜PD3と
PD4〜PD6、およびTMモードの光を検出する2分
割されたフォトディテクタPD8a,PD8bとPD9
a,PD9bによって構成されている。光磁気信号は、
左右のTEモード同志の信号を合わせたものと、左右の
TMモード同志の信号を合わせたものとの差を取ること
により検出される。フォーカスエラー信号はビームサイ
ズ法により、導波路通過後の左右のTEモードの光の広
がりを受光し、その差を取ることにより検出される。ト
ラックエラー信号は、プッシュプル法で、左右それぞれ
2分割されたフォトディテクタの外側の信号の和と内側
の信号の和との差を取ることにより検出される。なお、
光学的記録媒体のトラックは、半導体レーザ50の両サ
イドの導波路を結ぶ直線に対して垂直となるように設定
されている。また、図において示されているPD7は、
半導体レーザ出射光をモニタするためのものである。
A method of detecting each of the above signals will be described with reference to FIGS. 5 and 6. The light receiving unit 10 is divided into three photodetectors PD1 to PD3 and PD4 to PD6 that detect TE mode light, and two photodetectors PD8a, PD8b and PD9 that are divided into two to detect TM mode light.
a, PD9b. The magneto-optical signal is
It is detected by taking the difference between the combined signal of the left and right TE mode members and the combined signal of the left and right TM mode members. The focus error signal is detected by receiving the spread of light in the left and right TE modes after passing the waveguide by the beam size method and taking the difference. The track error signal is detected by the push-pull method by taking the difference between the sum of the signals on the outside and the sum of the signals on the inside of the photodetector divided into two parts on the left and right sides. In addition,
The track of the optical recording medium is set to be perpendicular to the straight line connecting the waveguides on both sides of the semiconductor laser 50. The PD7 shown in the figure is
This is for monitoring the emitted light of the semiconductor laser.

【0018】図7を参照して、上述した各構成部品の配
置関係およびその作用を説明する。上記方法で作成した
ガリウム砒素基板を基板側から劈開し易くするため研磨
して薄くする。そして劈開により半導体レーザと導波路
の端面を出す。この半導体レーザと偏光分離機能導波路
が一体化した素子20の前方には、ホログラム光学素子
12が配置されている。さらにその前方には、トラッキ
ングコイル15a,フォーカシングコイル15bを備え
た対物レンズ14が配置されている。
With reference to FIG. 7, the positional relationship between the above-mentioned components and the operation thereof will be described. The gallium arsenide substrate prepared by the above method is polished and thinned to facilitate cleavage from the substrate side. Then, the end faces of the semiconductor laser and the waveguide are exposed by the cleavage. A hologram optical element 12 is arranged in front of the element 20 in which the semiconductor laser and the polarization separation function waveguide are integrated. Further in front of it, an objective lens 14 having a tracking coil 15a and a focusing coil 15b is arranged.

【0019】情報を再生する場合、半導体レーザから射
出された直線偏光は、光学的記録媒体16で偏光面の回
転を受けて戻ってくる。この反射光は、ホログラム光学
素子12で回折されて、半導体レーザの左右に形成され
た導波路の端面に集光する。導波路は、ホログラム光学
素子12による回折光のスポット径と同程度の厚みを持
っているので、光が無駄になるようなことはない。導波
路の端面にはそれぞれ1/2λ板が張り付けられてお
り、偏光面を45度回転させるように、波長板の光学軸
が設定されている。偏光面が45度回転した光は、導波
路内において、上述した原理により、TEモード、TM
モードに分割され、受光部10によって検出される。そ
して、各フォトディテクタでの受光量を電気的な信号に
変換し、これらの信号に基づいて、前記コイル15a,
15bに制御電流を流す。この結果、対物レンズ14か
らの収束光は、常に光学的記録媒体16のトラック17
の記録ドメイン18に合焦するように制御され、これと
同時に情報の記録/再生が行われる。
When reproducing information, the linearly polarized light emitted from the semiconductor laser is returned by the rotation of the plane of polarization of the optical recording medium 16. This reflected light is diffracted by the hologram optical element 12 and is condensed on the end faces of the waveguides formed on the left and right of the semiconductor laser. Since the waveguide has the same thickness as the spot diameter of the diffracted light by the hologram optical element 12, the light is not wasted. A 1 / 2λ plate is attached to each end face of the waveguide, and the optical axis of the wave plate is set so as to rotate the polarization plane by 45 degrees. The light whose polarization plane is rotated by 45 degrees is generated in the waveguide by the TE mode, TM
It is divided into modes and detected by the light receiving unit 10. Then, the amount of light received by each photodetector is converted into an electrical signal, and based on these signals, the coils 15a,
A control current is passed through 15b. As a result, the convergent light from the objective lens 14 is always reflected on the track 17 of the optical recording medium 16.
The recording domain 18 is controlled to be in focus, and at the same time, information recording / reproduction is performed.

【0020】なお、光学的記録媒体での情報の消去、新
たな書き込みは、従来の一般的な光磁気用のピックアッ
プと同様に、コイルや永久磁石等により、外部から磁場
を与えながらレーザ光のパワーを強くすることによる媒
体記録層の磁化の反転を利用して行う。
Information is erased and new writing is performed on the optical recording medium by applying a laser beam while applying a magnetic field from the outside with a coil, a permanent magnet or the like, as in the conventional general magneto-optical pickup. The reversal of the magnetization of the medium recording layer by increasing the power is used.

【0021】図8は、半導体レーザ50と導波路30が
一体化した素子20の変形例を示したものである。前述
した実施例では、ホログラム光学素子12からの回折光
が導波路30の端面に入射する手前に1/2λ板をおい
て偏光面を45度回転させていた。この変形例では、1
/2λ板30aを半導体レーザ50の前に配置し、光学
的記録媒体に届く前に偏光面を45度傾けるようにして
いる。その他の構成については、前述した実施例と同様
である。
FIG. 8 shows a modification of the element 20 in which the semiconductor laser 50 and the waveguide 30 are integrated. In the above-described embodiment, the ½λ plate is placed before the diffracted light from the hologram optical element 12 is incident on the end face of the waveguide 30, and the polarization plane is rotated by 45 degrees. In this modification, 1
The / 2λ plate 30a is arranged in front of the semiconductor laser 50, and the polarization plane is inclined by 45 degrees before reaching the optical recording medium. Other configurations are similar to those of the above-described embodiment.

【0022】また、前記素子20は、例えば図9に示す
ように、Si基板51a上の左右に導波路30aを形成
した素子と半導体レーザ50aとを別々に作製し、その
後、半導体レーザ50aをSi基板上51aに張り付け
て構成しても良い。
In the device 20, for example, as shown in FIG. 9, a device in which a waveguide 30a is formed on the left and right sides of a Si substrate 51a and a semiconductor laser 50a are manufactured separately, and then the semiconductor laser 50a is manufactured by Si. It may be configured by being attached to the substrate 51a.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上、本発明によれば、部品点数が少な
く、光磁気信号のS/N比の高い、小型軽量な光磁気用
ピックアップを得ることができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a compact and lightweight magneto-optical pickup having a small number of parts and a high S / N ratio of a magneto-optical signal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る光磁気用ピックアップの概略を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an outline of a magneto-optical pickup according to the present invention.

【図2】図1に示した光磁気用ピックアップにおいて、
半導体レーザの構造を示す図である。
2 is a schematic diagram of the magneto-optical pickup shown in FIG.
It is a figure which shows the structure of a semiconductor laser.

【図3】偏光分離機能を備えた導波路の概略を示す図で
ある。
FIG. 3 is a diagram showing an outline of a waveguide having a polarization separation function.

【図4】(A)は、図1に示した光磁気用ピックアップ
において、偏光分離機能を備えた導波路の構造を示す図
であり、(B)は、その変形例を示す図である。
4A is a diagram showing a structure of a waveguide having a polarization separation function in the magneto-optical pickup shown in FIG. 1, and FIG. 4B is a diagram showing a modified example thereof.

【図5】図1に示した光磁気用ピックアップにおいて、
半導体レーザと偏光分離機能を備えた導波路とを一体化
した素子、および受光部の構成を示す図である。
5 is a schematic diagram of the magneto-optical pickup shown in FIG.
It is a figure which shows the structure of the element which integrated the semiconductor laser and the waveguide provided with the polarization separation function, and the light-receiving part.

【図6】受光部における信号の検出方法を示す図であ
り、(A)は光磁気信号、(B)はフォーカスエラー信
号、(C)はトラックエラー信号の検出方法を示す図で
ある。
6A and 6B are diagrams showing a method of detecting a signal in a light receiving unit, FIG. 6A is a magneto-optical signal, FIG. 6B is a focus error signal, and FIG. 6C is a diagram showing a track error signal.

【図7】本発明に係る光磁気用ピックアップの構成を示
す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a magneto-optical pickup according to the present invention.

【図8】半導体レーザと偏光分離機能を備えた導波路と
を一体化した素子の変形例を示す図である。
FIG. 8 is a view showing a modified example of an element in which a semiconductor laser and a waveguide having a polarization separation function are integrated.

【図9】半導体レーザと偏光分離機能を備えた導波路と
を一体化した素子のさらに別の変形例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing yet another modified example of an element in which a semiconductor laser and a waveguide having a polarization separation function are integrated.

【図10】従来の光磁気用ピックアップの構成を示す図
である。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a conventional magneto-optical pickup.

【図11】図10に示した光磁気用ピックアップにおい
て、受発光ユニットの構成を示す図である。
11 is a diagram showing a configuration of a light emitting / receiving unit in the magneto-optical pickup shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…受光部、12…ホログラム光学素子、16…光学
的記録媒体、20…半導体レーザと偏光分離機能導波路
とが一体化した素子、30…偏光分離機能導波路、50
…半導体レーザ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Light receiving part, 12 ... Hologram optical element, 16 ... Optical recording medium, 20 ... Element which integrated semiconductor laser and polarization separation function waveguide, 30 ... Polarization separation function waveguide, 50
… Semiconductor laser.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 光学的記録媒体へ向けてレーザ光を射出
するレーザ光源および偏光分離機能を備えた導波層を一
体化した素子と、前記光学的記録媒体からの反射光を前
記導波層へ入射させる光学素子と、前記導波層から射出
された光を検出する光検出部と、を有することを特徴と
する光磁気用ピックアップ。
Claim: What is claimed is: 1. An element integrating a laser light source for emitting a laser beam toward an optical recording medium and a waveguide layer having a polarization separation function, and reflection from the optical recording medium. A magneto-optical pickup comprising: an optical element that causes light to enter the waveguide layer; and a photodetection unit that detects light emitted from the waveguide layer.
JP3181293A 1991-07-22 1991-07-22 Magneto-optical pickup Pending JPH0528570A (en)

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