JPH05281364A - Instrument for measuring neutron dose equivalent - Google Patents
Instrument for measuring neutron dose equivalentInfo
- Publication number
- JPH05281364A JPH05281364A JP4083665A JP8366592A JPH05281364A JP H05281364 A JPH05281364 A JP H05281364A JP 4083665 A JP4083665 A JP 4083665A JP 8366592 A JP8366592 A JP 8366592A JP H05281364 A JPH05281364 A JP H05281364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- neutron
- neutrons
- subject
- thermal
- dose
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、中性子線量当量測定装
置、特に個人被曝管理において、熱中性子から速中性子
に至る広エネルギー範囲の中性子の測定に用いられる中
性子線量当量測定装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a neutron dose equivalent measuring device, and more particularly, to a neutron dose equivalent measuring device used for measuring neutrons in a wide energy range from thermal neutrons to fast neutrons in personal exposure management.
【0002】[0002]
【従来の技術】放射線管理において、一般的に中性子の
測定は、中性子が荷電粒子ではないので電離作用等によ
り直接測定することは不可能である。2. Description of the Related Art In radiation control, generally, neutrons cannot be directly measured by ionization or the like because neutrons are not charged particles.
【0003】そこで、中性子を何らかの方法で荷電粒子
等に変換して測定することが行われている。すなわち、
中性子の測定は、例えば速中性子のままか、水あるいは
パラフィンなどの含水素物質を用いた減速材で減速して
熱中性子とすることにより核反応を起こさせ、その結果
飛び出るα粒子や陽子等の荷電粒子やγ線を検出した
り、反応の結果として生成されたRIからの放射線を検
出することにより行われている。Therefore, neutrons are converted into charged particles or the like by some method and measured. That is,
Measurement of neutrons, for example, as fast neutrons, or by causing a nuclear reaction by decelerating thermal neutrons by decelerating with a moderator using a hydrogen-containing substance such as water or paraffin, the resulting α particles and protons etc. This is done by detecting charged particles and γ rays, and detecting radiation from RI generated as a result of the reaction.
【0004】すなわち、具体的な中性子の測定において
は、 6Li、10Bの中性子に対する(n、α)反応によ
り生じる荷電粒子を比例計数管、シンチレーション検出
器やTLD素子(熱ルミネッセンス線量計)にて検出す
ることが可能である。That is, in the concrete measurement of neutrons, charged particles generated by the (n, α) reaction with respect to neutrons of 6 Li and 10 B are applied to a proportional counter, a scintillation detector or a TLD element (thermoluminescence dosimeter). Can be detected.
【0005】しかし、図4に示す中性子エネルギーに対
する中性子反応断面積の特性図のように、中性子のエネ
ルギーが高くなるにつれてその反応断面積は小さくなる
ため、直接的に測定できる中性子は、中性子反応断面積
の比較的大きい低エネルギー領域の熱中性子に限られる
ことになり、そのままでは速中性子の測定には適用でき
ない。However, as shown in the characteristic diagram of the neutron reaction cross section with respect to the neutron energy shown in FIG. 4, the reaction cross section becomes smaller as the energy of the neutron becomes higher. Since it is limited to thermal neutrons in the low energy region, which has a relatively large area, it cannot be directly applied to the measurement of fast neutrons.
【0006】そこで、熱中性子化するために、組み合わ
された核反応物質と検出器の周囲を減速材で覆い、熱中
性子エネルギーまで減速させα粒子等に変換して計測す
るアルベド型線量計が利用され、これにより、中性子を
測定することが行われている。Therefore, in order to convert into thermal neutrons, an albedo type dosimeter is used, in which the combined nuclear reactant and the detector are covered with a moderator to decelerate to thermal neutron energy and converted into α particles or the like for measurement. Therefore, neutrons are measured by this.
【0007】このような測定装置としては、商品化され
ているものがあり、代表的なものは上述のような構成で
α粒子等を計測する、例えばBF3カウンタ(比例計数
管)を用いたレムカウンタなどが広範囲に用いられてい
る。As such a measuring device, there is a commercially available one, and a typical one is a rem using a BF3 counter (proportional counter) for measuring α particles and the like with the above-mentioned configuration. Counters and the like are widely used.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来のアルベド型線量計による中性子の線量測
定では、測定対象となる中性子のエネルギー範囲が広範
囲であり、そのためにすべてのエネルギーの中性子を減
速するためには、減速材を多量に要し、これによって重
量が10〜20kgと重くなり、可搬測定が非常に不便
であるという欠点があった。However, in the neutron dose measurement by the conventional albedo type dosimeter as described above, the energy range of the neutron to be measured is wide, and therefore, the neutrons of all energies are decelerated. In order to do so, a large amount of moderator is required, which results in a heavy weight of 10 to 20 kg, which is disadvantageous in that the portable measurement is very inconvenient.
【0009】つまり、この種の測定装置では、ポケット
線量当量計や可搬型とするために、軽量化しなければな
らない。このためには、減速材を被検体で代用する方法
がある。That is, in this type of measuring apparatus, the weight must be reduced in order to make it a pocket dose equivalent meter or a portable type. For this purpose, there is a method of substituting the moderator with a subject.
【0010】また、被検体を構成する水素による中性子
減速と後方散乱により被検体外へ放射される熱中性子の
エネルギー分布とが入射中性子のエネルギーにより変化
することにより、線量計の感度が中性子のエネルギーに
よって変化する欠点があった。Further, since the energy distribution of thermal neutrons radiated to the outside of the subject due to neutron deceleration by hydrogen constituting the subject and backscattering changes depending on the energy of incident neutrons, the sensitivity of the dosimeter becomes neutron energy. There was a drawback that changed by.
【0011】図5に示すように、被検体からの後方散乱
中性子は、入射中性子エネルギーに対する被検体からの
熱中性子反射率となっている。図によれば、速中性子領
域で反射率が低くなっている。As shown in FIG. 5, the backscattered neutrons from the subject have a thermal neutron reflectance from the subject with respect to incident neutron energy. According to the figure, the reflectance is low in the fast neutron region.
【0012】そこで、核反応物質に入射する低エネルギ
ーの中性子を制限する工夫が必要であり、減速材中に熱
中性子を吸収する物質、例えばカドミウム等を適宜配置
し、最初から入射する熱中性子や中速中性子の一部を吸
収し、核反応物質に入射する中性子のエネルギーを別調
整をするなどの工夫が必要となる。このために、検出器
としては非常に複雑となるという欠点があった。Therefore, it is necessary to devise a method of limiting low-energy neutrons that enter the nuclear reaction material, and a substance that absorbs thermal neutrons, such as cadmium, is appropriately disposed in the moderator to allow thermal neutrons to be injected from the beginning. It is necessary to take some measures such as absorbing some of the medium-speed neutrons and adjusting the energy of the neutrons incident on the nuclear reactant. Therefore, there is a drawback that the detector becomes very complicated.
【0013】また、線量計の使用においては、予め作業
フィールドの中性子のエネルギースペクトルを求めると
共に、そのフィールドにおいてレムカウンタなどにて測
定した線量当量を基準に線量計の校正を行い、そのフィ
ールドに適した線量評価式を計算により求めることも実
施されているが、エネルギー分布が変化したら再校正す
ることが必要となる。In using the dosimeter, the energy spectrum of the neutrons in the working field is obtained in advance, and the dosimeter is calibrated based on the dose equivalent measured by the REM counter in that field and is suitable for that field. Although the dose evaluation formula is calculated, it is necessary to recalibrate if the energy distribution changes.
【0014】また、このような計算においては、計算結
果が出るまでの時間遅れがあるために実時間で測定する
ことができなかった。Further, in such a calculation, it was not possible to measure in real time because of a time delay until the calculation result was obtained.
【0015】更に、アルベド型線量計では、被検体によ
る中性子の後方散乱を利用していることから被検体と線
量計の間の距離により感度が図6に示すように変化し、
その表面間距離により相対感度が低下するので、線量計
本体を体表面に密着させて着用するような工夫が必要で
あった。Further, in the albedo type dosimeter, since the backscattering of neutrons by the subject is utilized, the sensitivity changes as shown in FIG. 6 depending on the distance between the subject and the dosimeter.
Since the relative sensitivity decreases depending on the distance between the surfaces, it was necessary to devise a technique such that the dosimeter main body was closely attached to the body surface and worn.
【0016】また更に、写真等のエマルジョンの黒化等
を用いるものがあるが、現像条件が一定にできないこと
や中性子であることの判定が困難であるので、測定には
専門家を必要とするなどの欠点があった。Further, there are some which use the blackening of emulsions in photographs and the like, but it is difficult to determine that the developing conditions are not constant and it is neutrons, and therefore a specialist is required for the measurement. There were drawbacks such as.
【0017】本発明は、上記従来の課題に鑑みなされた
ものであり、その目的は、被検体に入射される中性子の
熱中性子と速中性子とをそれぞれ別々の半導体検出器で
検出し、各中性子の線量を線量当量に変換して、直接高
精度測定できる小型、軽量な中性子線量当量測定装置を
提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to detect thermal neutrons and fast neutrons of neutrons incident on a subject with separate semiconductor detectors, and to detect each neutron. The purpose of the present invention is to provide a small and lightweight neutron dose equivalent measuring device capable of directly converting a dose of neutron into a dose equivalent with high accuracy.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、中性子検出面を被検体に当接して
配置し、前記被検体に照射された中高エネルギー範囲の
速中性子が被検体内の後方散乱により熱中性子化され前
記被検体外に再放出される熱中性子を入射して核反応に
より特定の荷電粒子に変換する第1中性子変換物質と、
前記第1中性子変換物質に積層されて形成され、変換さ
れた荷電粒子を入射しこの線量に応じた検出信号を出力
する第1半導体検出器と、から成る中高速中性子検出部
と、中性子検出面を被検体以外の外部に向けて配置し、
被検体に入射する低エネルギーの熱中性子を核反応によ
り特定の荷電粒子に変換する第2中性子変換物質と、前
記第2中性子変換物質と積層されて形成され、変換され
た荷電粒子を入射しこの線量に応じた検出信号を出力す
る第2半導体検出器と、から成り、前記中高速中性子検
出部に隣接して配置された熱中性子検出部と、前記中高
速中性子検出部と前記熱中性子検出部との間であって、
前記第1半導体検出器及び前記第2半導体検出器の背面
に設けられ、前記各検出器を通過し、相互の半導体検出
器への入射を阻止するための熱中性子を吸収する熱中性
子吸収部と、を有することを特徴とする。In order to achieve the above object, according to the present invention, the neutron detection surface is placed in contact with the subject, fast neutrons in the middle and high energy range irradiated to the subject is A first neutron conversion material that converts thermal neutrons that are turned into thermal neutrons by backscattering inside the object to be re-emitted to the outside of the object to be converted into specific charged particles by a nuclear reaction,
A medium-fast neutron detection section comprising a first semiconductor detector formed by being laminated on the first neutron conversion material, which injects the converted charged particles and outputs a detection signal corresponding to the dose, and a neutron detection surface. To the outside of the subject,
A second neutron conversion material that converts low-energy thermal neutrons incident on an object into specific charged particles by a nuclear reaction, and a second neutron conversion material that is formed by stacking the converted neutrons A second semiconductor detector that outputs a detection signal according to a dose, and a thermal neutron detector disposed adjacent to the medium-fast neutron detector, the medium-fast neutron detector, and the thermal neutron detector. Between
A thermal neutron absorbing section which is provided on the back surface of the first semiconductor detector and the second semiconductor detector, and which absorbs thermal neutrons that pass through each of the detectors and prevent mutual incidence on the semiconductor detectors; , Are included.
【0019】また、前記第2中性子変換物質は、所定厚
さの吸収体であって、かつ該吸収体の一部分の厚さを薄
くあるいは一部分に穴を設けて成り、前記低エネルギー
の熱中性子の荷電粒子への変換を制限し、前記第2半導
体検出器の検出信号を調整することを特徴とする。The second neutron converting material is an absorber having a predetermined thickness, and a part of the absorber has a small thickness or a hole is provided in a part thereof, and It is characterized in that conversion to charged particles is restricted and a detection signal of the second semiconductor detector is adjusted.
【0020】更に、前記第2中性子変換物質と前記第2
半導体検出器との間に設けられ、一部分に穴を設けて形
成された所定厚さの吸収体を有し、前記第2中性子変換
物質で変換された荷電粒子を一部吸収させ、第2半導体
検出器の検出信号を調整することを特徴とする。Further, the second neutron converting material and the second neutron converting material
A second semiconductor having an absorber having a predetermined thickness, which is provided between the semiconductor detector and a hole formed in a part thereof to partially absorb the charged particles converted by the second neutron converting substance. It is characterized in that the detection signal of the detector is adjusted.
【0021】また更に、前記中高速中性子検出部は、前
記第1中性子変換物質が前記第1半導体検出器の放射線
入射面に蒸着あるいは熱拡散により一体に形成されたこ
とを特徴とする。Furthermore, the medium-fast neutron detector is characterized in that the first neutron converting substance is integrally formed on the radiation incident surface of the first semiconductor detector by vapor deposition or thermal diffusion.
【0022】[0022]
【作用】以上のような構成としたので、本発明の中性子
線量当量測定装置によれば、まず、第1中性子変換物質
を中性子が放射された被検体に当接する。According to the neutron dose equivalent measuring apparatus of the present invention having the above-described structure, first, the first neutron converting substance is brought into contact with the object to which neutrons are emitted.
【0023】ここで、被検体に入射された中性子が被検
体内の散乱により低エネルギーの熱中性子に変わる。Here, the neutrons incident on the subject are changed into low-energy thermal neutrons due to scattering in the subject.
【0024】これにより、被検体に当接された該第1中
性子変換物質では、熱中性子を吸収し核反応によって該
熱中性子がα粒子等に変換され該α粒子等を出射させ
る。As a result, the first neutron conversion material brought into contact with the subject absorbs thermal neutrons and the thermal neutrons are converted into α particles or the like by a nuclear reaction to emit the α particles or the like.
【0025】そして、前記第1中性子変換物質から出射
されたα粒子等は、第1半導体検出器により、該α粒子
等を検出し、中性子の検出信号を出力する。Then, the α particles and the like emitted from the first neutron converting substance are detected by the first semiconductor detector and the neutron detection signal is output.
【0026】また、第2の検出器に入射した熱中性子の
うち核反応物質では吸収されずに第2検出器を透過し
て、第1半導体検出器に入射し検出されないように熱中
性子阻止部により阻止される。Further, among the thermal neutrons incident on the second detector, the thermal neutron blocking unit prevents the nuclear neutrons from being absorbed by the nuclear reaction material and passing through the second detector to enter the first semiconductor detector and not be detected. Blocked by.
【0027】一方、入射中性子の熱中性子は、核反応物
質と組み合わせ第2半導体検出器を用いて測定する。On the other hand, the thermal neutron of the incident neutron is measured by using the second semiconductor detector in combination with the nuclear reactant.
【0028】すなわち、熱中性子を核反応物質でα粒子
等に変換し、第2半導体検出器に入射させ検出信号を出
力する。That is, thermal neutrons are converted into α-particles or the like by a nuclear reaction substance and are incident on the second semiconductor detector to output a detection signal.
【0029】ここで、前記各半導体検出器により得られ
た各検出信号は、増幅器及び波高弁別器などを介して計
数され、その計数結果が表示器に表示され、中性子の線
量が測定される。Here, each detection signal obtained by each of the semiconductor detectors is counted through an amplifier, a wave height discriminator and the like, the counting result is displayed on a display, and the neutron dose is measured.
【0030】これにより、被検体に照射される中性子線
を前記第1、第2半導体検出器により、それぞれ速中性
子と熱中性子とを別々に検出し、エネルギーに応じた感
度となるよう演算回路で処理して、適切な中性子線量当
量を高精度に測定することができる。As a result, the neutron beam with which the subject is irradiated is separately detected by the first and second semiconductor detectors for fast neutrons and thermal neutrons, respectively, and the arithmetic circuit has a sensitivity corresponding to energy. By processing, the appropriate neutron dose equivalent can be measured with high accuracy.
【0031】従って、本発明によれば、前記各検出信号
に基づき線量当量に換算された線量を直読により測定す
るすることが可能となる。Therefore, according to the present invention, it is possible to directly measure the dose converted into the dose equivalent based on each detection signal.
【0032】[0032]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例
を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0033】図1及び図2は、本発明に係る中性子線量
当量測定装置の概略構成図であり、また図3は、中性子
エネルギーを関数とする線量当量への各種換算係数特性
である。FIGS. 1 and 2 are schematic configuration diagrams of a neutron dose equivalent measuring apparatus according to the present invention, and FIG. 3 shows various conversion coefficient characteristics for dose equivalent as a function of neutron energy.
【0034】本発明において特徴的なことは、被検体へ
照射又は入射された中性子のうち中高速中性子を被検体
で散乱により減速し、該被検体内で散乱により熱中性子
化しかつ後方散乱するものと、熱中性子で被検体へ照射
されるものとを別々に計測することであり、これによ
り、被検体へ照射された熱中性子と中高速中性子とを別
々に検出して熱中性子から速中性子までの線量を線量当
量に換算して直読により高精度に測定することである。A feature of the present invention is that among the neutrons irradiated or incident on the subject, medium-fast neutrons are decelerated by scattering in the subject, converted into thermal neutrons by scattering in the subject, and backscattered. And, it is to measure separately what is irradiated to the subject with thermal neutrons, by this, thermal neutrons and medium fast neutrons irradiated to the subject are detected separately from thermal neutrons to fast neutrons It is a highly accurate measurement by converting the dose into the dose equivalent and reading it directly.
【0035】以下、図1を用いて本実施例の構成を説明
する。The configuration of this embodiment will be described below with reference to FIG.
【0036】図1において、本実施例の主要な構成とし
ての中性子線量当量測定装置は、人体などの被検体11
に当接し、中性子入射時は中高速の中性子を被検体内で
熱中性子化し、核反応物質例えば10Bと反応させ、α粒
子、 7Li 粒子に変換し、そのエネルギーレベルを検出
する第1半導体検出部10と、被検部位に入射するもと
もとの熱中性子だけを検出する第2半導体検出部12と
から成り、両検出部が接合されて縦列配置されている。In FIG. 1, a neutron dose equivalent measuring apparatus as a main component of the present embodiment is provided with an object 11 such as a human body.
Contact with, when neutrons incident medium fast neutrons to thermal neutrons of in the object, is reacted with the nuclear reactants example 10 B, alpha particles, and converted into 7 Li particle, the first semiconductor detecting the energy level The detection unit 10 and the second semiconductor detection unit 12 that detects only the original thermal neutrons that are incident on the site to be inspected are joined, and both detection units are connected in a column.
【0037】すなわち、具体的には、図1に示すよう
に、まず第1半導体検出部10では、例えば、Al(ア
ルミニウム)−Si(シリコン)−Au(金)の順に各
層がサンドイッチ状に積層されて形成された第1半導体
検出器14を用いている。Specifically, as shown in FIG. 1, first, in the first semiconductor detector 10, for example, each layer is laminated in the order of Al (aluminum) -Si (silicon) -Au (gold) in a sandwich form. The first semiconductor detector 14 thus formed is used.
【0038】そして、被検体11からの熱中性子を検出
するために、図に示すように該第1半導体検出器14に
は、例えば、Al−Si−Auから成り、その入射窓面
14a、すなわち、Au(金)に接合されて形成された
10Bから成るボロン層又は蒸着されたボロン膜を設け
る。In order to detect thermal neutrons from the object 11, the first semiconductor detector 14 is made of, for example, Al--Si--Au, and has its incident window surface 14a, that is, , Au (gold) joined to form
A boron layer of 10 B or a deposited boron film is provided.
【0039】すなわち、中高速中性子を熱中性子化した
ものの測定では、図に示すように該第1半導体検出器1
4の入射窓面14aには10B層16が設けられ、第1半
導体検出器14の後面14bにはCd(カドミウム)フ
ィルタ18が設けられている。That is, in the measurement of the medium fast neutrons converted into thermal neutrons, as shown in the figure, the first semiconductor detector 1
The 10 B layer 16 is provided on the incident window surface 14a of No. 4 and the Cd (cadmium) filter 18 is provided on the rear surface 14b of the first semiconductor detector 14.
【0040】そして、前記Al層とAu層には、逆バイ
アス電圧が供給されており、例えば前記Al層には直流
電源E1の正電圧が印加され、また前記Au層にはその
負電圧が直列接続された抵抗R1及び電流計A1を介し
て印加されている。A reverse bias voltage is supplied to the Al layer and the Au layer. For example, a positive voltage of a DC power source E1 is applied to the Al layer, and the negative voltage is connected in series to the Au layer. The voltage is applied via the connected resistor R1 and ammeter A1.
【0041】これにより、前記第1半導体検出部10か
らは、入射された中高速中性子の線量に応じたα粒子、
7Li の検出信号10aが出力される。As a result, from the first semiconductor detector 10, α particles corresponding to the dose of the incident medium-fast neutrons,
The 7 Li detection signal 10a is output.
【0042】次に、第2半導体検出部12は、図に示す
ように前記第1半導体検出部10の背面、すなわち前記
Cdフィルタ18に接合され、前記第1半導体検出部1
0と一体化されて構成されている。Next, the second semiconductor detector 12 is bonded to the rear surface of the first semiconductor detector 10, that is, the Cd filter 18 as shown in the figure, and the first semiconductor detector 1 is connected.
It is integrated with 0.
【0043】そして、第2半導体検出部12は、前記第
1半導体検出部10と同様にAu(金)−Si(シリコ
ン)−Al(アルミニウム)の順に各層がサンドイッチ
状に積層されて形成されているが、その熱中性子入射部
12aには、10Bから成るボロン層又は蒸着されたボロ
ン膜20が該Au(金)に積層されて設けられている。
これにより、被検体11に放射された中性子の熱中性子
だけを吸収することができる。The second semiconductor detector 12 is formed by stacking layers in the order of Au (gold) -Si (silicon) -Al (aluminum) like a sandwich, like the first semiconductor detector 10. The thermal neutron incident part 12a is provided with a boron layer of 10 B or a vapor deposited boron film 20 laminated on the Au (gold).
As a result, only thermal neutrons of the neutrons emitted to the subject 11 can be absorbed.
【0044】そして、前記Al層とAu層には、前記第
1半導体検出部10と同様に逆バイアス電圧が供給され
るが、前記Al層には直流電源E2の正電圧が印加さ
れ、前記Au層には直列接続された抵抗R2及び電流計
A2を介して負電圧が印加されている。これにより、前
記第2半導体検出部12からは、入射された熱中性子の
線量に応じたα粒子、 7Li の検出信号22aが出力さ
れる。A reverse bias voltage is supplied to the Al layer and the Au layer as in the case of the first semiconductor detecting section 10, but a positive voltage of a DC power source E2 is applied to the Al layer, so that the Au layer is supplied. A negative voltage is applied to the layer via a resistor R2 and an ammeter A2 connected in series. As a result, the second semiconductor detector 12 outputs a detection signal 22a of α particles, 7 Li, which corresponds to the dose of the incident thermal neutrons.
【0045】ここで、本実施例においては、前記各半導
体検出器14、22からの検出信号10a、22aを電
流計A1、A2で測定する場合を示しているが、もちろ
ん、これに代わって図示しない周知な回路構成として増
幅器及びMCA(マルチチャンネルアナライザ)、計数
器、表示装置などを介し、前記検出信号10a、22a
から中性子線量を測定することもできる。In this embodiment, the detection signals 10a and 22a from the semiconductor detectors 14 and 22 are measured by the ammeters A1 and A2, but of course, instead of this, the drawings are shown. As the well-known circuit configuration, the detection signals 10a and 22a are provided via an amplifier, an MCA (multi-channel analyzer), a counter, a display device, and the like.
It is also possible to measure the neutron dose from.
【0046】次に、以下図1を用いて本実施例の作用を
説明する。The operation of this embodiment will be described below with reference to FIG.
【0047】図1に示されている概略構成の具体的な動
作は、2つの半導体検出部10、12の使用により、入
射する中性子を熱中性子と中高速中性子とに分けて別々
に線量を測定することにあるが、まず前記第1半導体検
出部10により前方の入射窓14aに設けられた10B層
16を被検体11の表面11aに直接密着させて当接す
る。The specific operation of the schematic configuration shown in FIG. 1 is such that the incident neutrons are divided into thermal neutrons and intermediate fast neutrons and the doses are measured separately by using the two semiconductor detectors 10 and 12. However, first, the 10 B layer 16 provided in the front incident window 14 a by the first semiconductor detection unit 10 is directly brought into close contact with and brought into contact with the surface 11 a of the subject 11.
【0048】これにより、被検体11内で減速され反射
出射された熱中性子だけを入射させるようにする(入射
時は中高速中性子)。As a result, only the thermal neutrons that are decelerated in the subject 11 and reflected and emitted are made incident (medium fast neutrons at the time of incidence).
【0049】なお、熱中性子変換物質としての10B層1
6を体表面11aに密着当接することは、半導体検出器
であるので小型のため、非常に容易に行える。The 10 B layer 1 as a thermal neutron converting material
It is very easy to bring 6 into close contact with the body surface 11a because it is a semiconductor detector and is small.
【0050】そして、被検体11に入射された中性子
は、被検体内の水素原子核において弾性散乱などにより
減速を行い、熱中性子とする。この熱中性子は、散乱を
繰り返しているうちに体外に後方散乱し、これにより、
その後方散乱されて減速された熱中性子を測定するもの
である。The neutrons incident on the subject 11 are decelerated at the hydrogen nuclei in the subject by elastic scattering or the like to become thermal neutrons. This thermal neutron backscatters outside the body while repeating scattering, and
It measures thermal neutrons that are scattered back and slowed down.
【0051】すなわち、前述した図4に示す特性のよう
に、入射窓面14aの10B層16の熱中性子に対する反
応断面積は、速中性子の1000倍以上であるため、こ
の第1半導体検出器14で検出できるのは熱中性子だけ
である。That is, as shown in the characteristics shown in FIG. 4, the reaction cross section of the 10 B layer 16 of the incident window surface 14a with respect to thermal neutrons is 1000 times or more that of fast neutrons. Only thermal neutrons can be detected at 14.
【0052】つまり、前記入射窓面14aの10B層16
において、この熱中性子は10B層16の(n、α)反応
(核反応)によりα粒子、 7Li 粒子に変換され、前記
第1半導体検出器14に出射される。That is, the 10 B layer 16 of the entrance window surface 14a
In, the thermal neutrons are converted into α particles and 7 Li particles by the (n, α) reaction (nuclear reaction) of the 10 B layer 16 and emitted to the first semiconductor detector 14.
【0053】従って、これにより生じる荷電粒子によっ
て、該第1半導体検出器14内では、前記逆バイアス電
圧E1によるSi−Au間の整流作用(電離)により、
図1のように10B層16内での核反応で生成されたα粒
子、 7Li 粒子に応じた電流が流れる。Therefore, due to the charged particles generated by this, in the first semiconductor detector 14, due to the rectifying action (ionization) between Si and Au by the reverse bias voltage E1,
As shown in FIG. 1, an electric current flows according to the α particles and 7 Li particles generated by the nuclear reaction in the 10 B layer 16.
【0054】そして、前述のように前記抵抗R1を介
し、変換されたα粒子、 7Li 粒子のエネルギーレベル
に応じたパルス波高値の検出信号10aが出力され、こ
れを前記電流計A1で測定する。Then, as described above, the detection signal 10a of the pulse crest value corresponding to the energy level of the converted α particles and 7 Li particles is output through the resistor R1 and measured by the ammeter A1. ..
【0055】また、この検出信号10aは、そのパルス
の波高値が例えば、γ線による波高値よりも大きいため
に弁別が可能である。Further, the detection signal 10a can be discriminated because the peak value of the pulse is larger than the peak value of γ-rays, for example.
【0056】従って、図示しない波高弁別器(MCA)
により、増幅器を介して前記検出信号を所定の波高レベ
ルで前記検出信号10aを弁別することができ、この弁
別結果を計数器により計数し、この計数値により線量が
算出される。Therefore, a wave height discriminator (MCA) not shown
With this, the detection signal 10a can be discriminated at a predetermined wave height level via the amplifier, the discrimination result is counted by the counter, and the dose is calculated by the counted value.
【0057】ここで、前記第1半導体検出器14を介し
て後方には、前記Cdフィルタ18があるので被検体内
以外からの熱中性子の影響は全く受けることなく、熱中
性子のみが前記入射窓面14aの10B層16を介して第
1半導体検出器14の内部に入射されたものが測定され
る。Here, since the Cd filter 18 is located behind the first semiconductor detector 14, there is no influence of thermal neutrons from outside the subject, and only thermal neutrons are incident on the incident window. What is incident on the inside of the first semiconductor detector 14 through the 10 B layer 16 of the surface 14 a is measured.
【0058】すなわち、このCdフィルタ18は、熱中
性子を特異的に吸収し中高速中性子とは作用せず透過さ
せるため、第1、第2半導体検出部相互へは熱中性子を
到達させない働きをすることにより、照射中性子の中高
速中性子と熱中性子を独立に測定し、すべての照射中性
子を測定することを可能にする。That is, the Cd filter 18 specifically absorbs thermal neutrons and allows them to pass therethrough without acting on medium-fast neutrons, and thus serves to prevent thermal neutrons from reaching the first and second semiconductor detection parts. Thus, it becomes possible to measure all the irradiated neutrons by measuring the medium fast neutrons and the thermal neutrons of the irradiated neutrons independently.
【0059】すなわち、前記第2半導体検出部12のボ
ロン層20に熱中性子が入射されると、前記第1半導体
検出器14と同様に熱中性子はボロン層20における核
反応によりα粒子、 7Li 粒子に変換されて前記第2半
導体検出器22へ出射される。That is, when thermal neutrons are incident on the boron layer 20 of the second semiconductor detector 12, the thermal neutrons are α particles, 7 Li due to the nuclear reaction in the boron layer 20, as in the case of the first semiconductor detector 14. The particles are converted into particles and emitted to the second semiconductor detector 22.
【0060】従って、該第2半導体検出器22では、こ
れにより生じる荷電粒子によって前記逆バイアス電圧E
2によるSi−Au間の整流作用(電離)により、図1
のようにボロン層20内での核反応により生成されたα
粒子、 7Li 粒子に応じた電流が流れる。Therefore, in the second semiconductor detector 22, the reverse bias voltage E is generated by the charged particles generated thereby.
1 by the rectifying action (ionization) between Si and Au by
Α produced by the nuclear reaction in the boron layer 20 as
An electric current depending on the particles and 7 Li particles flows.
【0061】従って、前述のように前記抵抗R2を介し
て変換されたα粒子、 7Li 粒子のエネルギーレベルに
応じたパルス波高値の検出信号22aが出力され、これ
を前記電流計A2で測定する。Therefore, as described above, the pulse crest value detection signal 22a corresponding to the energy levels of the α particles and 7 Li particles converted through the resistor R2 is output, and this is detected by the ammeter A2. ..
【0062】もちろん、この検出信号22aは、上記と
同様に図示しない波高弁別器(MCA)により、増幅器
を介して前記検出信号を所定の波高レベルで前記検出信
号22aを弁別することができ、この弁別結果を計数器
により計数して線量が算出できる。Of course, this detection signal 22a can be discriminated from the detection signal 22a at a predetermined wave height level through an amplifier by a wave height discriminator (MCA), which is not shown in the same manner as described above. The dose can be calculated by counting the discrimination results with a counter.
【0063】ここで、以上のような前記検出信号10a
による熱中性子(入射時は速中性子)及び前記検出信号
22aによる熱中性子の各線量値は、図3に示す特性の
換算係数に基づいて線量当量に換算される。Here, the detection signal 10a as described above is used.
The respective dose values of the thermal neutrons (fast neutrons at the time of incidence) and the thermal neutrons by the detection signal 22a are converted into dose equivalents based on the conversion coefficient of the characteristic shown in FIG.
【0064】すなわち、図3には、入射中性子線の線量
当量を求める中性子エネルギーレベルに応じた換算係数
特性が示されている。That is, FIG. 3 shows the conversion coefficient characteristics according to the neutron energy level for obtaining the dose equivalent of the incident neutron beam.
【0065】この中性子エネルギーを関数とする換算係
数特性は、ICRU球に接する平面に垂直な平行ビーム
として入射する中性子フルエンスに対し自由空間中にお
ける単位フルエンス当たりの球の主軸上(接点部を通
る)の1cm、3mm、70μmにおけるそれぞれの深
さの線量当量として与えられている。This neutron energy conversion coefficient characteristic is that the neutron fluence incident as a parallel beam perpendicular to the plane in contact with the ICRU sphere is on the main axis of the sphere per unit fluence in free space (passes through the contact point). 1 cm, 3 mm, and 70 μm are given as dose equivalents at respective depths.
【0066】これにより、前記各半導体検出器14、2
2の検出出力である計数値に図3に示すような換算係数
特性に基づく重み付けにより中性子の線量当量を測定す
ることができる。As a result, each of the semiconductor detectors 14 and 2 is
The dose equivalent of neutron can be measured by weighting the count value which is the detection output of No. 2 based on the conversion coefficient characteristic as shown in FIG.
【0067】すなわち、このことは、人体の被曝線量と
して評価する場合、自由空間の線量測定に加え、被検体
での中性子の散乱や吸収などを中性子のエネルギーも含
めて考慮された係数である換算係数を乗じることによ
り、被検体内中性子線量の評価ができるようにするもの
である。That is to say, this is a coefficient that, when evaluated as the exposure dose to the human body, takes into account the neutron energy such as neutron scattering and absorption in the subject in addition to free space dose measurement. By multiplying by the coefficient, the neutron dose in the subject can be evaluated.
【0068】これは図3に示すように、例えば中性子の
被曝量を被検体の深さ1cm、3mm、70μmにおけ
る各線量当量で評価するものであり、1cm線量当量
(ア)、3mm線量当量(イ)、70μm線量当量
(ウ)の各曲線の換算係数を自由空間の線量値にそれぞ
れ乗じることにより得られる。As shown in FIG. 3, for example, the dose of neutrons is evaluated by the dose equivalents at a depth of 1 cm, 3 mm, and 70 μm of the subject, and 1 cm dose equivalent (a) and 3 mm dose equivalent ( A), obtained by multiplying the free space dose value by the conversion factor of each curve of 70 μm dose equivalent (c).
【0069】そして、図に示すように中性子のエネルギ
ー依存性を換算係数のエネルギー依存性に近似させるこ
とにより各線量当量、例えば主に1cm線量当量(ア)
を直読することが可能となる。By approximating the energy dependence of neutrons to the energy dependence of the conversion coefficient as shown in the figure, each dose equivalent, for example, 1 cm dose equivalent (a)
Can be read directly.
【0070】これは、具体的には、前記計数器と表示器
との間に換算係数を乗じる演算器を接続して設けること
により、前記表示器に表示することが可能である。Specifically, this can be displayed on the display unit by connecting an arithmetic unit for multiplying the conversion coefficient between the counter unit and the display unit.
【0071】また次に、図2には本発明に係る第2実施
例が示されている。Next, FIG. 2 shows a second embodiment according to the present invention.
【0072】なお、前述した図1との同一部材には同一
符号を付し、以下構成及び動作の説明は省略するものと
する。The same members as those in FIG. 1 described above are designated by the same reference numerals, and the description of the structure and operation will be omitted.
【0073】この図2には、前記第1半導体検出器14
の前方に熱中性子透過用の穴24´を有するCdフィル
タ24を設けているものが示されている。In FIG. 2, the first semiconductor detector 14 is shown.
Is provided with a Cd filter 24 having a hole 24 'for transmitting thermal neutrons in the front thereof.
【0074】これにより、照射熱中性子の感度と被検体
内により減速反射され出射されてきた熱中性子(入射時
は速中性子)の感度が図7の示すレム応答曲線(レムレ
スポンス)に合うようにすることができる。As a result, the sensitivity of the irradiated thermal neutrons and the sensitivity of the thermal neutrons (fast neutrons at the time of incidence) that are decelerated and reflected by the inside of the subject are matched so as to match the REM response curve (REM response) shown in FIG. can do.
【0075】以上のように、本発明に係る実施例の構成
及び作用によれば、前記第1、第2の半導体検出器1
4、22を使用するので測定装置自体は非常に小型、軽
量化を図ることが可能である。As described above, according to the configuration and operation of the embodiment of the present invention, the first and second semiconductor detectors 1 are provided.
Since 4 and 22 are used, the measuring device itself can be made extremely small and lightweight.
【0076】これにより、例えば、鉛筆や万年筆程度の
大きさに本測定装置を構成でき、測定も直接被検体11
に当接させて中性子線の線量を計測でき、かつ線量当量
に換算された線量値を直読により求めることが可能とな
る。従って、非常に簡単にかつ迅速、高精度に測定する
ことができる。As a result, the measuring device can be constructed in the size of, for example, a pencil or a fountain pen, and the measurement can be performed directly on the subject 11
It is possible to measure the dose of the neutron beam by contacting with, and to obtain the dose value converted into the dose equivalent by direct reading. Therefore, the measurement can be performed very easily, quickly and with high accuracy.
【0077】なお、図1に示した中性子線量当量測定装
置は、前記第1半導体検出部10と第2半導体検出部1
2とを一体化して構成しているが、これらの各半導体検
出部10、12を別個独立に設け、例えば図2の第2実
施例のように単独に構成して別々に熱中性子及び速中性
子の線量を測定してもよい。The neutron dose equivalent measuring apparatus shown in FIG. 1 has the first semiconductor detector 10 and the second semiconductor detector 1 described above.
2 is integrated with each other, each of these semiconductor detectors 10 and 12 is provided separately and independently, for example, as in the second embodiment of FIG. Dose may be measured.
【0078】[0078]
【発明の効果】以上のようにして、本発明に係る中性子
線量当量測定装置によれば、半導体検出器により構成さ
れるので、従来のレムカウンタなどの測定装置に比べ特
別に減速材等を用いずに被検体で代用していることから
小型、軽量化が可能であり、持ち運びに便利である。As described above, since the neutron dose equivalent measuring apparatus according to the present invention is composed of a semiconductor detector, a moderator or the like is used specially as compared with the conventional measuring apparatus such as a REM counter. Instead of using the subject, it is possible to reduce the size and weight and is convenient to carry.
【0079】従って、前記熱中性子変換物質を容易に被
検体へ直接密着させることにより中高速中性子を減速し
計測できる利点がある。Therefore, there is an advantage that the fast neutrons can be decelerated and measured by directly adhering the thermal neutron converting substance directly to the subject.
【0080】また、第1半導体検出器を透過する身体か
らの熱中性子は、熱中性子吸収部で吸収され第2半導体
検出器に入射しないようにしているため、第2半導体検
出器では中高速中性子の計測をしないようにしている。Further, thermal neutrons from the body passing through the first semiconductor detector are absorbed by the thermal neutron absorbing section so as not to be incident on the second semiconductor detector. I try not to measure.
【0081】また一方、熱中性子は、第2半導体検出器
を透過し、第1半導体検出器に向かう熱中性子は上述同
様熱中性子吸収部で吸収され、第1半導体検出部では計
測しないようにしている。On the other hand, thermal neutrons pass through the second semiconductor detector, and thermal neutrons heading for the first semiconductor detector are absorbed by the thermal neutron absorbing section as described above, and are not measured by the first semiconductor detecting section. There is.
【0082】従って、被検体に放射された中性子線を前
記第1、第2半導体検出器により、それぞれ中高速中性
子と熱中性子とを別々に検出でき、この結果、中性子線
の線量をすべて迅速にかつ高精度に測定することが可能
となる。Therefore, the neutron beam emitted to the subject can be separately detected by the first and second semiconductor detectors, respectively, for the medium fast neutrons and the thermal neutrons. And it becomes possible to measure with high accuracy.
【0083】また特に、高エネルギーの速中性子での被
曝時には、即座に測定できる。In particular, when exposed to high energy fast neutrons, the measurement can be performed immediately.
【0084】また、本発明によれば、前記各検出信号に
基づき線量当量に換算された線量を直読により測定可能
となるので、即座に中性子線の個人被曝量を測定するす
ることが可能となる。Further, according to the present invention, since it is possible to directly measure the dose converted into the dose equivalent based on each of the detection signals, it is possible to immediately measure the individual exposure dose of neutron rays. ..
【0085】これにより、新法令に対応した個人線量計
(中性子)として非常に有用である。This is very useful as a personal dosimeter (neutron) complying with the new law.
【図1】本発明に係る中性子線量当量測定装置の第1実
施例を示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a neutron dose equivalent measuring apparatus according to the present invention.
【図2】本発明に係る中性子線量当量測定装置の第2実
施例を示す概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the neutron dose equivalent measuring apparatus according to the present invention.
【図3】入射中性子線の線量当量を求める中性子のエネ
ルギーレベルに応じた換算係数特性を示す特性図であ
る。FIG. 3 is a characteristic diagram showing conversion factor characteristics according to the energy level of neutrons for calculating the dose equivalent of incident neutron rays.
【図4】核反応の中性子エネルギーに対する中性子反応
断面積を示した特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a neutron reaction cross section with respect to neutron energy of a nuclear reaction.
【図5】熱中性子線反射率の入射中性子エネルギー依存
性を示した特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing the dependency of thermal neutron ray reflectance on incident neutron energy.
【図6】アルベド型線量計とファントム表面間距離によ
る感度の変化を示した特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing a change in sensitivity depending on the distance between the albedo type dosimeter and the surface of the phantom.
【図7】アルベド型線量計のエネルギー依存性を示した
特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing energy dependence of an albedo type dosimeter.
10 第1半導体検出部 12 第2半導体検出部 14 第1半導体検出器 16、20 ボロン層 18 Cdフィルタ(熱中性子吸収部) 22 第2半導体検出器 10 1st semiconductor detection part 12 2nd semiconductor detection part 14 1st semiconductor detector 16, 20 Boron layer 18 Cd filter (thermal neutron absorption part) 22 2nd semiconductor detector
Claims (4)
性子から中高エネルギーの速中性子までの広エネルギー
範囲の中性子を核反応により特定の荷電粒子に変換し、
該荷電粒子による電離を検出して中性子線の線量を測定
する中性子線量当量測定装置において、 中性子検出面を被検体に当接して配置し、前記被検体に
照射された中高エネルギー範囲の速中性子が被検体内の
後方散乱により熱中性子化され前記被検体外に再放出さ
れる熱中性子を入射して核反応により特定の荷電粒子に
変換させる第1中性子変換物質と、 前記第1中性子変換物質に積層されて形成され、変換さ
れた荷電粒子を入射しこの線量に応じた検出信号を出力
する第1半導体検出器と、 から成る中高速中性子検出部と、 中性子検出面を被検体以外の外部に向けて配置し、被検
体に入射する低エネルギーの熱中性子を核反応により特
定の荷電粒子に変換させる第2中性子変換物質と、 前記第2中性子変換物質と積層されて形成され、変換さ
れた荷電粒子を入射しこの線量に応じた検出信号を出力
する第2半導体検出器と、 から成り、 前記中高速中性子検出部に隣接して配置された熱中性子
検出部と、 前記中高速中性子検出部と前記熱中性子検出部との間で
あって、前記第1半導体検出器及び前記第2半導体検出
器の背面に設けられ、前記各検出器を通過し相互の半導
体検出器への入射を阻止するための熱中性子を吸収する
熱中性子吸収部と、 を有し、 被検体に照射された中高エネルギーの速中性子が被検体
内で熱中性子化され、これを前記中高速中性子検出部で
荷電粒子に変換して検出すると共に、被検体に照射され
る低エネルギーの熱中性子を前記熱中性子検出部で荷電
粒子に変換して検出し前記各検出信号に基づいて線量当
量に換算された中性子線量を測定することを特徴とする
中性子線量当量測定装置。1. A neutron in a wide energy range from low-energy thermal neutrons irradiated to an object to medium- and high-energy fast neutrons is converted into specific charged particles by a nuclear reaction,
In the neutron dose equivalent measuring device for detecting the ionization by the charged particles and measuring the dose of the neutron beam, the neutron detection surface is placed in contact with the subject, fast neutrons in the middle-high energy range irradiated to the subject A first neutron conversion substance that converts thermal neutrons that are turned into thermal neutrons by backscattering inside the subject and re-emitted to the outside of the subject into specific charged particles by a nuclear reaction, and the first neutron conversion substance A first semiconductor detector, which is formed by stacking and receives the converted charged particles and outputs a detection signal according to this dose, and a medium-fast neutron detection section, and a neutron detection surface outside the subject. A second neutron conversion material that is arranged toward and that converts low-energy thermal neutrons incident on the subject into specific charged particles by a nuclear reaction, and is formed by stacking the second neutron conversion material, A second semiconductor detector for injecting the converted charged particles and outputting a detection signal according to this dose; and a thermal neutron detector arranged adjacent to the medium-fast neutron detector, Between the neutron detection section and the thermal neutron detection section, provided on the back surface of the first semiconductor detector and the second semiconductor detector, passing through each of the detectors and mutually incident on the semiconductor detectors. And a thermal neutron absorber that absorbs thermal neutrons to block the fast neutrons irradiated to the subject are converted into thermal neutrons in the subject, which is then detected by the medium fast neutron detector. Along with detecting by converting to charged particles, the low-energy thermal neutrons irradiated to the subject are converted into charged particles in the thermal neutron detector and detected, and the neutrons are converted into dose equivalents based on the respective detection signals. Measuring dose Neutron dose equivalent measuring device according to claim.
において、 前記第2中性子変換物質は、所定厚さの吸収体であっ
て、かつ該吸収体の一部分の厚さを薄くあるいは一部分
に穴を設けて成り、前記低エネルギーの熱中性子の荷電
粒子への変換を制限し前記第2半導体検出器の検出信号
を調整することを特徴とする中性子線量当量測定装置。2. The neutron dose equivalent measuring device according to claim 1, wherein the second neutron conversion material is an absorber having a predetermined thickness, and a part of the absorber has a small thickness or a hole. A neutron dose equivalent measuring device, characterized in that the conversion signal of the second semiconductor detector is adjusted by limiting conversion of the low energy thermal neutrons to charged particles.
定装置において、 前記第2中性子変換物質と前記第2半導体検出器との間
に設けられ、一部分に穴を設けて形成された所定厚さの
吸収体を有し、 前記第2中性子変換物質で変換された荷電粒子を一部吸
収させ、第2半導体検出器の検出信号を調整することを
特徴とする中性子線量当量測定装置。3. The neutron dose equivalent measuring device according to claim 1 or 2, wherein the predetermined thickness is provided between the second neutron conversion material and the second semiconductor detector, and is formed by forming a hole in a part thereof. A neutron dose equivalent measuring device having an absorber for absorbing a part of the charged particles converted by the second neutron converting substance and adjusting the detection signal of the second semiconductor detector.
量測定装置において、 前記中高速中性子検出部は、前記第1中性子変換物質が
前記第1半導体検出器の放射線入射面に蒸着あるいは熱
拡散により一体に形成されたことを特徴とする中性子線
量当量測定装置。4. The neutron dose equivalent measuring device according to claim 1, 2 or 3, wherein in the medium-fast neutron detector, the first neutron conversion material is vapor-deposited or heat-treated on a radiation incident surface of the first semiconductor detector. A neutron dose equivalent measuring device characterized by being integrally formed by diffusion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4083665A JPH05281364A (en) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | Instrument for measuring neutron dose equivalent |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4083665A JPH05281364A (en) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | Instrument for measuring neutron dose equivalent |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05281364A true JPH05281364A (en) | 1993-10-29 |
Family
ID=13808762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4083665A Pending JPH05281364A (en) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | Instrument for measuring neutron dose equivalent |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05281364A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006329793A (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Aloka Co Ltd | Neutron dosimetric device |
JP2007509345A (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-12 | アメリカ合衆国 | Neutron detection device and manufacturing method thereof |
JP2007516432A (en) * | 2003-10-20 | 2007-06-21 | アメリカ合衆国 | Neutron conversion layer embedded semiconductor substrate |
JP2010004038A (en) * | 2008-06-09 | 2010-01-07 | Honeywell Internatl Inc | Neutron detection structure |
JP2010276406A (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Chiyoda Technol Corp | Integrating-type neutron dose equivalent measuring instrument, measuring method of neutron dose equivalent, and estimation method of fast neutron incoming direction |
CN108535760A (en) * | 2018-04-02 | 2018-09-14 | 中国疾病预防控制中心辐射防护与核安全医学所 | Nuclear emergency dosage card and nuclear emergency Dosimetry |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP4083665A patent/JPH05281364A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007509345A (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-12 | アメリカ合衆国 | Neutron detection device and manufacturing method thereof |
JP2007516432A (en) * | 2003-10-20 | 2007-06-21 | アメリカ合衆国 | Neutron conversion layer embedded semiconductor substrate |
JP2006329793A (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Aloka Co Ltd | Neutron dosimetric device |
JP2010004038A (en) * | 2008-06-09 | 2010-01-07 | Honeywell Internatl Inc | Neutron detection structure |
JP2010276406A (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Chiyoda Technol Corp | Integrating-type neutron dose equivalent measuring instrument, measuring method of neutron dose equivalent, and estimation method of fast neutron incoming direction |
CN108535760A (en) * | 2018-04-02 | 2018-09-14 | 中国疾病预防控制中心辐射防护与核安全医学所 | Nuclear emergency dosage card and nuclear emergency Dosimetry |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3140052B2 (en) | Neutron detector | |
US4857737A (en) | Gamma ray measurement utilizing multiple compton scattering | |
US4588898A (en) | Apparatus for measuring dose energy in stray radiation fields | |
US4494001A (en) | Detection of concealed materials | |
Strauss et al. | 2-D position-sensitive scintillation detector for neutrons | |
US2938121A (en) | Personnel neutron dosimeter | |
JPH05281364A (en) | Instrument for measuring neutron dose equivalent | |
JP2004534257A (en) | Method and apparatus for measuring personal dose in a mixed neutron / photon field | |
CN102608651B (en) | Neutron detector | |
US3141092A (en) | Selector for fast and intermediate energy neutrons positioned within moderator and absorber shields | |
Hayward et al. | Simulated response of Cherenkov glass detectors to MeV photons | |
JP2020071120A (en) | Radiation detector | |
Aryaeinejad et al. | Development of a handheld device for simultaneous monitoring of fast neutrons and gamma rays | |
JP3358617B2 (en) | Neutron dose rate meter | |
JP2552414B2 (en) | Neutron measuring device | |
JP2012242369A (en) | Radiation detector | |
JPH0526155B2 (en) | ||
JP2945715B2 (en) | Portable neutron dose equivalent meter | |
JP2500886B2 (en) | Neutron detector | |
RU2586383C1 (en) | Device for neutron spectrometry | |
Huang et al. | Photon energy response optimization using few-channel spectroscopy dose method for Si-PIN photodetector applied in personal dose equivalent measurements | |
JPH0420893A (en) | Handy neutron equivalent dosimeter | |
JPH07131052A (en) | Semiconductor radiation detecting element, gamma-ray neutron beam detector and dosimeter | |
JP7397768B2 (en) | Radiation measurement device and radiation measurement method | |
JP3745693B2 (en) | Neutron measuring instrument |