JPH05273355A - イオン・中性粒子計数装置 - Google Patents

イオン・中性粒子計数装置

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Publication number
JPH05273355A
JPH05273355A JP1796293A JP1796293A JPH05273355A JP H05273355 A JPH05273355 A JP H05273355A JP 1796293 A JP1796293 A JP 1796293A JP 1796293 A JP1796293 A JP 1796293A JP H05273355 A JPH05273355 A JP H05273355A
Authority
JP
Japan
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particles
neutral
ion
thin film
charged particle
Prior art date
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Pending
Application number
JP1796293A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsumi Nishifuji
睦 西藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of JPH05273355A publication Critical patent/JPH05273355A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 イオン粒子や中性粒子の分離・計数が容易
で、装置の小型化が図れるイオン・中性粒子計数装置を
提供すること。 【構成】 入射する中性粒子とイオン粒子の内イオン粒
子を減速させる荷電粒子減速装置(電極3からなる)
と、該荷電粒子減速装置を通過した粒子の内所定のしき
い値エネルギー以上の粒子(主として中性粒子)を通過
するとともに中性粒子から電子をはぎ取るか又は付加し
てイオン化する性質を有する物質からなる薄膜6と、該
薄膜6を通過した主としてイオン化された中性粒子を計
数する荷電粒子測定装置7とによって構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン粒子又は中性粒
子を計数するイオン・中性粒子計数装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来技術及び発明が解決しようとする課題】従来この
種の装置において、入射する中性粒子とイオン粒子をそ
れぞれ計測するためには、まず寸法的・電位的に大きな
ディフレクターを用いて該中性粒子とイオン粒子を分離
する必要があった。つまり両者の分離のみのために大き
な空間が必要とされていた。
【0003】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、イオン粒子や中性粒子の分離・計数
が容易で、装置の小型化が図れるイオン・中性粒子計数
装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、入射する中性粒子とイオン粒子の内イオン
粒子を減速させる荷電粒子減速装置(電極3)と、該荷
電粒子減速装置を通過した粒子の内所定のしきい値エネ
ルギー以上の粒子(主として中性粒子)を通過するとと
もに中性粒子から電子をはぎ取るか又は付加してイオン
化する性質を有する物質からなる薄膜6と、該薄膜6を
通過した主としてイオン化された中性粒子を計数する荷
電粒子測定装置7とによって中性粒子計数装置を構成し
た。
【0005】また本発明は、入射する中性粒子とイオン
粒子の内イオン粒子を加速させる荷電粒子加速装置(電
極3)と、該荷電粒子加速装置を通過した粒子の内所定
のしきい値エネルギー以上の粒子(主としてイオン粒
子)を通過する薄膜6と、該薄膜6を通過した主として
イオン粒子を計数する荷電粒子測定装置7とによってイ
オン粒子計数装置を構成した。
【0006】
【作用】上記中性粒子計数装置によれば、イオン粒子だ
けが荷電粒子減速装置によって減速されてそのエネルギ
ーが低くなる。このため薄膜6の膜厚を適当に選択して
おけば該薄膜6は殆ど中性粒子しか通過できなくなる。
しかも中性粒子は該薄膜6によってイオン化されるた
め、容易に荷電粒子測定装置7によって計数される。
【0007】一方上記イオン粒子計数装置によれば、イ
オン粒子だけが荷電粒子加速装置によって加速されてそ
のエネルギーが高くなる。このため薄膜6の膜厚を適当
に選択しておけば該薄膜6は殆どイオン粒子しか通過で
きなくなる。従って容易にイオン粒子が分離でき、容易
に荷電粒子測定装置7によって計数される。
【0008】
【実施例】以下、本発明の1実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。図1はこのイオン・中性粒子計数装置の
全体概要図である。同図に示すようにこのイオン・中性
粒子計数装置は、電極3と、その下方に設置された薄膜
6と、さらにその下方に設置された荷電粒子測定装置7
によって構成されている。以下各構成部品について説明
する。
【0009】電極3はメッシュ状に構成され、該電極3
に入射する中性粒子ビーム1やイオンビーム2を通過で
きるようにされている。そして電極3を直流電源10に
接続し、且つ薄膜6に接続し、該電極3に入射するイオ
ンビーム2を減速或いは加速する。
【0010】薄膜6は、測定したいイオン粒子又は中性
粒子の飛程がわかっている物質で作られており、その膜
厚は測定したいイオン粒子又は中性粒子の飛程より薄く
(つまり該粒子等が通過できる厚みに)形成されてい
る。この飛程は実験データ等から統計的に導き出され
る。
【0011】ここで図2はこの薄膜6に入射する粒子の
動作を説明するための図である。同図において1′と
2′はそれぞれ薄膜6を通過するために必要なエネルギ
ーを持っている中性粒子ビームとイオンビームであり、
12は該薄膜6を通過するために必要なしきい値エネル
ギー以下のエネルギーを有する低エネルギービームであ
る。つまりこれらの各ビーム1′,2′,12が薄膜6
に入射した場合、中性粒子ビーム1′とイオンビーム
2′はこれを通過できる(但しいずれも減速されたビー
ム8,9となる)が、低エネルギービーム12はこれを
通過できず、薄膜6内に留まる。
【0012】荷電粒子測定装置7は、通常ファラデーカ
ップと呼ばれているものであり、薄膜6を通過したビー
ムが入射し、その粒子のもつ電荷を電流として該荷電粒
子測定装置7に接続した電流計11で測定するものであ
る。なお、直流電源13は荷電粒子測定装置7内の電荷
を逃がさないようにするために接続されている。
【0013】なお、該荷電粒子測定装置7に中性粒子ビ
ームのみが入射した場合は、電流計11で計測される電
流値は0となり、このままではその測定ができない。
【0014】次にこの装置を用いて中性粒子とイオン粒
子が混合したビームの中から中性粒子のみを計数する実
施例について説明する。
【0015】この場合上記図1に示す装置の電極3に
は、該電極3を通過するイオン粒子を減速させる方向の
電位を印加しておく。
【0016】また薄膜6としては通称荷電変換フィルム
と呼ばれるものを用いる。この荷電変換フィルムはカー
ボン膜や希ガス等を用いて構成され、該荷電変換フィル
ムに入射する中性粒子を荷電変換してイオン化する性質
(中性粒子の電子をはぎ取る性質或いは電子を付加する
性質)を有するものである。つまりこの実施例に用いる
薄膜6は、低エネルギービームの通過を阻止するととも
に該薄膜6を通過する中性粒子をイオン化する性質を有
する。
【0017】そしてまず図1に示す装置の電極3に中性
粒子ビーム1とイオンビーム2を入射させる(通常イオ
ンビームと中性粒子ビームが並進してくる場合、ほぼ同
一の並進エネルギーを持っている)と、中性粒子ビーム
1の方はこれをそのまま通過していくが、イオンビーム
2の方は該電極3の電位によって減速され、そのエネル
ギーが低下される。
【0018】そしてこの中性粒子ビーム1とイオンビー
ム2が薄膜6に入射すると、低エネルギーのイオンビー
ム2の方は殆どこれを通過できず該薄膜6内に留まり、
従って主として中性粒子ビーム1のみがこれを通過する
(逆に言えばそのようなしきい値エネルギーレベルとな
るように薄膜6の厚みを設定しておく)。なおこの薄膜
6を通過した中性粒子ビーム1は該薄膜6によってイオ
ン化される。
【0019】そしてこの中性粒子ビーム1は荷電粒子測
定装置7内に入射されるが、このビームはイオン化され
ているので、電流計11によってその測定を行うことが
できる。
【0020】なおこの実施例において、前記薄膜6の膜
厚を増減して(但し前記低エネルギー化されたイオンビ
ームが通過できない厚みの範囲で)、該薄膜6を通過す
る中性粒子ビームのしきい値エネルギーを変えてやれ
ば、荷電粒子測定装置7で計測される計測値が変化する
ので、このデータから該中性粒子ビームのエネルギー分
析をすることもできる。
【0021】次にこの装置を用いて中性粒子とイオン粒
子が混合したビームの中からイオンビームのみを計数す
る実施例について説明する。
【0022】この実施例の場合上記図1に示す装置の電
極3には、該電極3を通過するイオン粒子を加速する方
向の電位を印加しておく。
【0023】また薄膜6は下記する高エネルギー化され
たイオンビーム2のみを通過し中性粒子ビーム1を通過
しない厚みに構成しておく。
【0024】そして図1に示す装置の電極3に中性粒子
ビーム1とイオンビーム2を入射させると、中性粒子ビ
ーム1の方はこれをそのまま通過していくが、イオンビ
ーム2の方は該電極3の電位によって加速され、高エネ
ルギー化される。
【0025】そしてこの中性粒子ビーム1とイオンビー
ム2が薄膜6に入射すると、中性粒子ビーム1の方は殆
どこれを通過できず該薄膜6内に留まり、主としてイオ
ンビーム2のみがこれを通過する。
【0026】そしてこのイオンビーム2は荷電粒子測定
装置7内に入射され、電流計11によってその測定が行
なわれる。
【0027】なおこの実施例においては、前記薄膜6の
膜厚を増減して(但し前記中性粒子ビームが通過できな
い範囲で)該薄膜6を通過するイオンビームのしきい値
エネルギーを変えたり、電極3の電位を変化させてその
エネルギーレベルを増減させることによって、荷電粒子
測定装置7で計測される計測値を変化させ、このデータ
から該イオンビームのエネルギー分析をすることもでき
る。
【0028】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かるイオン・中性粒子計数装置によれば、以下のような
優れた効果を有する。 電極等からなる荷電粒子加減速装置と、所定のしきい
値エネルギー以上のエネルギーを有する粒子を通過する
性質の物質からなる薄膜中に、中性粒子ビームやイオン
ビームを通過させることで、これらビームを容易に分離
することができる。
【0029】また前記薄膜として中性粒子をイオン化
する性質を有する物質を用いれば、中性粒子を容易にイ
オン化でき、これによって該中性粒子ビームの計測が容
易にできる。
【0030】構造が簡単で部品点数が少なく、小型で
安価なイオン・中性粒子計数装置を製作できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例にかかるイオン・中性粒子計
数装置の全体概要図である。
【図2】薄膜6に入射する粒子の動作を説明するための
図である。
【符号の説明】
1 中性粒子ビーム 2 イオンビーム 3 電極 6 薄膜 7 荷電粒子測定装置

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入射する中性粒子とイオン粒子の内イオ
    ン粒子を減速させる荷電粒子減速装置と、該荷電粒子減
    速装置を通過した粒子の内所定のしきい値エネルギー以
    上の主として中性粒子を通過させるとともに該中性粒子
    から電子をはぎ取るか又は付加してイオン化する性質を
    有する物質からなる薄膜と、該薄膜を通過した主として
    イオン化された中性粒子を計数する荷電粒子測定装置と
    を具備することを特徴とする中性粒子計数装置。
  2. 【請求項2】 入射する中性粒子とイオン粒子の内イオ
    ン粒子を加速させる荷電粒子加速装置と、該荷電粒子加
    速装置を通過した粒子の内所定のしきい値エネルギー以
    上の主としてイオン粒子を通過する薄膜と、該薄膜を通
    過した主としてイオン粒子を計数する荷電粒子測定装置
    とを具備することを特徴とするイオン粒子計数装置。
JP1796293A 1992-01-16 1993-01-08 イオン・中性粒子計数装置 Pending JPH05273355A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2575492 1992-01-16
JP4-25754 1992-01-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05273355A true JPH05273355A (ja) 1993-10-22

Family

ID=12174625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1796293A Pending JPH05273355A (ja) 1992-01-16 1993-01-08 イオン・中性粒子計数装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05273355A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008530759A (ja) * 2005-02-16 2008-08-07 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド イオンビーム測定装置および方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008530759A (ja) * 2005-02-16 2008-08-07 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド イオンビーム測定装置および方法

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