JPH05259547A - Protection of semiconductor laser and protective circuit - Google Patents

Protection of semiconductor laser and protective circuit

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JPH05259547A
JPH05259547A JP8825292A JP8825292A JPH05259547A JP H05259547 A JPH05259547 A JP H05259547A JP 8825292 A JP8825292 A JP 8825292A JP 8825292 A JP8825292 A JP 8825292A JP H05259547 A JPH05259547 A JP H05259547A
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JP
Japan
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circuit
semiconductor laser
current
voltage
output
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JP8825292A
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Tatsuaki Sakurai
樹明 桜井
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To stop reliably a current supply to a semiconductor laser even in the case where an abnormal state, such as a trouble in a first-stage amplifier, is generated in a luminescent power detecting part and to make it possible to prevent the laser from being broken down. CONSTITUTION:Before a semiconductor laser is lighted, an output voltage of a current-voltage conversion circuit 3 is detected by a voltage detecting circuit and the detected result is held by a holding circuit 10, whereby when the output voltage of the circuit 3 is abnormal, a current supply stopping means 7 is actuated and the laser 1 is not lighted. Thereby, the normal state or abnormal state of the output voltage of the circuit 3 can be confirmed and in the case where the output voltage is abnormal, a current supply to the laser 1 is stopped. Accordingly, the more reliable protection of the laser 1 becomes possible.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク装置やレ
ーザプリンタ、光カードドライブ装置等の光源として半
導体レーザを備えた電子装置における半導体レーザの保
護方法および保護回路に係り、特に、初段アンプの故障
のような発光パワー検出部に異常が生じた場合でも、確
実に半導体レーザへの電流供給を停止して、半導体レー
ザの破壊が防止できるようにした半導体レーザの保護方
法および保護回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser protection method and a protection circuit in an electronic device having a semiconductor laser as a light source such as an optical disk device, a laser printer, an optical card drive device, and the like. The present invention relates to a semiconductor laser protection method and a protection circuit which can prevent the semiconductor laser from being broken by surely stopping the current supply to the semiconductor laser even when an abnormality occurs in the emission power detection unit.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体レーザは、過電流等によって容易
に破壊されやすいので、従来から、各種の保護方法や保
護回路が提案されている。例えば、半導体レーザの駆動
回路部分に供給される各種電源の電圧を検出・監視する
ことによって、電源電圧の異常時に、半導体レーザの駆
動を停止する駆動装置が知られている(特開昭61−2
79188号公報)。このように、電源電圧を検出・監
視することにより、制御されていない電流が半導体レー
ザに流れることが防止され、半導体レーザの保護が可能
になる。
2. Description of the Related Art Since semiconductor lasers are easily destroyed by overcurrent, various protection methods and protection circuits have been proposed. For example, there is known a drive device that stops driving of a semiconductor laser when the power supply voltage is abnormal by detecting and monitoring the voltage of various power supplies supplied to the drive circuit part of the semiconductor laser (Japanese Patent Laid-Open No. 61-61). Two
79188 publication). By detecting and monitoring the power supply voltage in this manner, it is possible to prevent an uncontrolled current from flowing to the semiconductor laser and protect the semiconductor laser.

【0003】ところで、一般的に、半導体レーザの発光
特性は、温度による変動が大きいので、半導体レーザの
発光パワーを検出して、発光パワーが所定値になるよう
に制御している。そのため、例えば、初段アンプの故障
のように、発光パワー検出部に異常が生じた場合には、
半導体レーザに異常な大電流が流れてしまう、という状
態が発生する。
By the way, in general, the emission characteristics of a semiconductor laser greatly vary with temperature, so the emission power of the semiconductor laser is detected and controlled so that the emission power reaches a predetermined value. Therefore, for example, when an abnormality occurs in the light emission power detection unit such as a failure of the first stage amplifier,
A state occurs in which an abnormally large current flows through the semiconductor laser.

【0004】しかし、従来の半導体レーザの駆動装置
(特開昭61−279188号公報)は、電源電圧の異
常に対してのみ有効で、発光パワー検出部の一部、特
に、初段アンプに故障が生じると、半導体レーザの保護
が行えない、という不都合が生じる。
However, the conventional semiconductor laser driving device (Japanese Patent Laid-Open No. 61-279188) is effective only for the abnormality of the power supply voltage, and a part of the light emission power detecting portion, especially the first stage amplifier is broken. If it occurs, there is a disadvantage that the semiconductor laser cannot be protected.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この発明では、従来の
半導体レーザの保護方法におけるこれらの不都合を解決
し、電源電圧の異常時だけでなく、発光パワー検出部に
異常が生じても、確実に半導体レーザを保護できるよう
にした半導体レーザの保護方法および保護回路を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves these disadvantages in the conventional semiconductor laser protection method, and ensures that not only when the power supply voltage is abnormal, but also when the light emission power detection unit is abnormal. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser protection method and a protection circuit capable of protecting the semiconductor laser.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明は、第1に、半
導体レーザの保護回路であり、かつ、半導体レーザから
出射された光の一部を受光する受光素子と、該受光素子
の出力をある所定の電圧を基準として電流−電圧変換す
る電流−電圧変換回路と、該電流−電圧変換回路の出力
により前記半導体レーザの発光パワーを制御する制御回
路と、前記半導体レーザへの電流の電流供給遮断手段
と、前記電流−電圧変換回路の出力電圧を検出する電圧
検出回路と、該電圧検出回路の出力を保持する保持回
路、とを備え、前記半導体レーザの点灯前に、前記電圧
検出回路によって電流−電圧変換回路の出力電圧を検出
し、かつ、前記保持回路によって検出結果を保持するこ
とにより、前記電流−電圧変換回路の出力電圧が異常な
ときは、前記電流供給遮断手段を動作させて、半導体レ
ーザの点灯を行わないようにした半導体レーザの保護方
法である。
The present invention is, firstly, a protection circuit for a semiconductor laser, and a light receiving element for receiving a part of light emitted from the semiconductor laser and an output of the light receiving element. A current-voltage conversion circuit that performs current-voltage conversion with reference to a certain predetermined voltage, a control circuit that controls the emission power of the semiconductor laser by the output of the current-voltage conversion circuit, and a current supply of current to the semiconductor laser. A cutoff unit, a voltage detection circuit that detects the output voltage of the current-voltage conversion circuit, and a holding circuit that holds the output of the voltage detection circuit are provided, and before the semiconductor laser is turned on, the voltage detection circuit is used. When the output voltage of the current-voltage conversion circuit is detected and the detection result is held by the holding circuit, the current supply is performed when the output voltage of the current-voltage conversion circuit is abnormal. And the cross-sectional section is operated, a semiconductor laser protection method that does not perform the lighting of the semiconductor laser.

【0007】第2に、半導体レーザの保護回路であり、
かつ、半導体レーザから出射された光の一部を受光する
受光素子と、該受光素子の出力をある所定の電圧を基準
として電流−電圧変換する電流−電圧変換回路と、該電
流−電圧変換回路の出力により前記半導体レーザの発光
パワーを制御する制御回路と、前記半導体レーザへの電
流の電流供給遮断手段と、前記電流−電圧変換回路の出
力電圧を検出する電圧検出回路と、該電圧検出回路の出
力を保持する保持回路、とを備え、前記電流供給遮断手
段は、スイッチ回路を有しており、前記半導体レーザの
点灯前に、前記電圧検出回路によって電流−電圧変換回
路の出力電圧を検出し、かつ、前記保持回路によって検
出結果を保持することにより、前記電流−電圧変換回路
の出力電圧が異常なときは、前記電流供給遮断手段は、
前記スイッチ回路によって、前記制御回路の接続を遮断
し、あるいは制御回路の動作を停止させるように構成し
ている。
Secondly, a semiconductor laser protection circuit,
Further, a light receiving element that receives a part of the light emitted from the semiconductor laser, a current-voltage conversion circuit that converts the output of the light receiving element into a current-voltage based on a predetermined voltage, and the current-voltage conversion circuit. A control circuit for controlling the emission power of the semiconductor laser by the output of the semiconductor laser, a means for interrupting current supply to the semiconductor laser, a voltage detection circuit for detecting the output voltage of the current-voltage conversion circuit, and the voltage detection circuit. A holding circuit for holding the output of the current supply cutoff means, the current supply cutoff means has a switch circuit, and detects the output voltage of the current-voltage conversion circuit by the voltage detection circuit before lighting of the semiconductor laser. And, by holding the detection result by the holding circuit, when the output voltage of the current-voltage conversion circuit is abnormal, the current supply cutoff means,
The switch circuit disconnects the control circuit or stops the operation of the control circuit.

【0008】第3に、上記第2のの半導体レーザの保護
回路において、電流供給遮断手段は、電源オフ回路を有
しており、半導体レーザへの電源供給を前記電源オフ回
路によって停止するように構成している。
Thirdly, in the above-mentioned second semiconductor laser protection circuit, the current supply cutoff means has a power-off circuit, and the power supply to the semiconductor laser is stopped by the power-off circuit. I am configuring.

【0009】[0009]

【作用】この発明では、単に半導体レーザのオン/オフ
信号でけでなく、半導体レーザの発光パワーを検出する
電流−電圧変換回路の出力電圧の正常異常によって、半
導体レーザへの電流供給(または電圧供給)を行うか否
かを決定している。したがって、電流−電圧変換回路の
出力電圧に異常が検出されたときは、半導体レーザには
駆動電流が供給されないので、より確実な保護が可能に
なる。
According to the present invention, not only the ON / OFF signal of the semiconductor laser but also the current supply (or voltage) to the semiconductor laser is detected by the normal abnormality of the output voltage of the current-voltage conversion circuit for detecting the emission power of the semiconductor laser. Supply). Therefore, when an abnormality is detected in the output voltage of the current-voltage conversion circuit, the drive current is not supplied to the semiconductor laser, so that more reliable protection becomes possible.

【0010】[0010]

【実施例1】この発明の半導体レーザの保護方法および
保護回路について、図面を参照しながら、その実施例を
詳細に説明する。この実施例は、請求項1と請求項2の
発明に対応している。
First Embodiment A semiconductor laser protection method and a protection circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. This embodiment corresponds to the inventions of claims 1 and 2.

【0011】図1は、この発明の半導体レーザの保護回
路について、その要部構成の一実施例を示す機能ブロッ
ク図である。図において、1は半導体レーザ(LD)、
2は受光素子、3は電流−電圧変換回路、4は基準電圧
発生回路、5はバッファアンプ、6は比較回路、7はス
イッチ回路、8は定電流回路、9はウインドコンパレー
タ、10は保持回路、11はアンドゲート回路を示し、
また、5Vref は基準電圧を示す。
FIG. 1 is a functional block diagram showing an embodiment of the main configuration of a semiconductor laser protection circuit according to the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor laser (LD),
2 is a light receiving element, 3 is a current-voltage conversion circuit, 4 is a reference voltage generation circuit, 5 is a buffer amplifier, 6 is a comparison circuit, 7 is a switch circuit, 8 is a constant current circuit, 9 is a window comparator, 10 is a holding circuit. , 11 are AND gate circuits,
Further, 5Vref indicates a reference voltage.

【0012】半導体レーザ1から出射された光の一部
は、受光素子2に入り、光量に応じた電流に変換され
る。その出力電流が、電流−電圧変換回路3によって電
圧に変換され、比較回路6の+入力側と、ウインドコン
パレータ9の入力側とへ与えられる。
A part of the light emitted from the semiconductor laser 1 enters the light receiving element 2 and is converted into a current according to the amount of light. The output current is converted into a voltage by the current-voltage conversion circuit 3, and is supplied to the + input side of the comparison circuit 6 and the input side of the window comparator 9.

【0013】ウインドコンパレータ9は、電流−電圧変
換回路3の出力が、所定の範囲内にあるときは、保持回
路10に対して“H”の信号、所定の範囲外のときは
“L”の検出信号を出力する。保持回路10は、図示し
ない制御回路から与えられるコントロール信号によって
先の検出信号を保持し、ゲート制御信号としてアンドゲ
ート回路11へ出力する。
The window comparator 9 outputs an "H" signal to the holding circuit 10 when the output of the current-voltage conversion circuit 3 is within a predetermined range, and outputs an "L" signal when the output is out of the predetermined range. Output the detection signal. The holding circuit 10 holds the previous detection signal according to a control signal supplied from a control circuit (not shown) and outputs it to the AND gate circuit 11 as a gate control signal.

【0014】アンドゲート回路11は、このゲート制御
信号(検出信号)と、同じく図示しない制御回路から与
えられるオン/オフ信号とのアンド条件によって、スイ
ッチ回路7の切換え制御を行う。そのため、電流−電圧
変換回路3の出力が正常で、かつ、オン/オフ信号がオ
ン(H)のときのみ、スイッチ回路7はオンにされる。
The AND gate circuit 11 controls the switching of the switch circuit 7 according to an AND condition between the gate control signal (detection signal) and an ON / OFF signal similarly supplied from a control circuit (not shown). Therefore, the switch circuit 7 is turned on only when the output of the current-voltage conversion circuit 3 is normal and the on / off signal is on (H).

【0015】このスイッチ回路7がオンの状態では、基
準電圧発生回路4と、バッファアンプ5とで作成された
基準電圧5Vref と、電流−電圧変換回路3の出力と
が、比較回路6によって比較され、発光量に応じて定電
流回路8を制御し、半導体レーザ1に流す電流がコント
ロールされて、発光パワーの制御が行われる。
When the switch circuit 7 is turned on, the reference voltage 5Vref created by the reference voltage generation circuit 4 and the buffer amplifier 5 and the output of the current-voltage conversion circuit 3 are compared by the comparison circuit 6. The constant current circuit 8 is controlled according to the light emission amount, the current flowing through the semiconductor laser 1 is controlled, and the light emission power is controlled.

【0016】これに対して、もし、半導体レーザ1の点
灯前に、電流−電圧変換回路3の出力に異常が生じたと
き(基準電圧5Vref が入力されていなかったり、使用
しているアンプに故障が生じた場合)には、スイッチ回
路7を制御するオン/オフ信号がオンになっても、アン
ドゲート回路11でアンド条件が成立しないので、スイ
ッチ回路7はオンにならない。したがって、このような
異常が発生しても、半導体レーザ1には電流が流れない
ので、破壊される恐れがない。
On the other hand, if an abnormality occurs in the output of the current-voltage conversion circuit 3 before the semiconductor laser 1 is turned on (the reference voltage 5Vref is not input or the amplifier used is defective). If the ON / OFF signal for controlling the switch circuit 7 is turned ON, the AND gate circuit 11 does not satisfy the AND condition, and therefore the switch circuit 7 is not turned ON. Therefore, even if such an abnormality occurs, no current flows through the semiconductor laser 1 and there is no risk of damage.

【0017】[0017]

【実施例2】次に、この発明の半導体レーザの保護回路
について、他の実施例を説明する。この実施例は、請求
項2の発明に対応している。
Second Embodiment Next, another embodiment of the semiconductor laser protection circuit of the present invention will be described. This embodiment corresponds to the invention of claim 2.

【0018】図2は、この発明の半導体レーザの保護回
路について、その要部構成の他の実施例を示す機能ブロ
ック図である。図における符号は図1と同様であり、ま
た、21はコンパレータ、22はアップダウンカウン
タ、23はクロックジェネレータ、24はD/A変換
器、25はノアゲート回路を示す。
FIG. 2 is a functional block diagram showing another embodiment of the main structure of the semiconductor laser protection circuit of the present invention. Reference numerals in the figure are the same as those in FIG. 1, 21 is a comparator, 22 is an up / down counter, 23 is a clock generator, 24 is a D / A converter, and 25 is a NOR gate circuit.

【0019】この図2に示した半導体レーザの保護回路
は、デジタル回路を用いた半導体レーザの制御回路の場
合である。先の図1の実施例と比べると、比較回路6
と、スイッチ回路7の代りに、コンパレータ21と、ア
ップダウンカウンタ22と、クロックジェネレータ23
と、D/A変換器24とが設けられ、また、アンドゲー
ト回路11の代りに、ノアゲート回路25が設けられて
いる。
The semiconductor laser protection circuit shown in FIG. 2 is a semiconductor laser control circuit using a digital circuit. Compared to the previous embodiment of FIG. 1, the comparison circuit 6
Instead of the switch circuit 7, a comparator 21, an up / down counter 22, and a clock generator 23.
And a D / A converter 24, and a NOR gate circuit 25 is provided instead of the AND gate circuit 11.

【0020】そして、この図2に示す実施例でも、半導
体レーザ1から電流−電圧変換回路3までの構成は、先
の図1の保護回路と同様である。また、ウインドコンパ
レータ9も、同様に、電流−電圧変換回路3の出力が、
所定の範囲内にあるときは、保持回路10に対して
“H”の信号、所定の範囲外のときは“L”の検出信号
を出力する。
Also in the embodiment shown in FIG. 2, the structure from the semiconductor laser 1 to the current-voltage conversion circuit 3 is the same as that of the protection circuit shown in FIG. Similarly, in the window comparator 9, the output of the current-voltage conversion circuit 3 is
When it is within the predetermined range, it outputs a "H" signal to the holding circuit 10, and when it is outside the predetermined range, it outputs a "L" detection signal.

【0021】さらに、検出信号が保持回路10によって
保持されて、ノアゲート回路25へ入力される。そのた
め、電流−電圧変換回路3の出力が異常のとき、また
は、オン/オフ信号が“L”(オフを表わす)のとき
は、アップダウンカウンタ22がクリア状態となる。
Further, the detection signal is held by the holding circuit 10 and input to the NOR gate circuit 25. Therefore, when the output of the current-voltage conversion circuit 3 is abnormal, or when the on / off signal is "L" (representing off), the up / down counter 22 is in a clear state.

【0022】逆に、電流−電圧変換回路3の出力が正常
で、かつ、オン/オフ信号が“H”(オンを表わす)の
ときは、アップダウンカウンタ22のクリア状態が解除
されて、アップダウンカウンタ22は動作状態になる。
アップダウンカウンタ22の動作は、電流−電圧変換回
路3の出力と、基準電圧発生回路4およびバッファアン
プ5とで作成された基準電圧5Vref とを、コンパレー
タ21で比較し、その比較結果によって、アップカウン
トされたり、ダウンカウントされたりする。
On the contrary, when the output of the current-voltage conversion circuit 3 is normal and the ON / OFF signal is "H" (indicating ON), the clear state of the up / down counter 22 is released and the up / down counter 22 is up. The down counter 22 becomes active.
The operation of the up / down counter 22 is such that the output of the current-voltage conversion circuit 3 and the reference voltage 5Vref created by the reference voltage generation circuit 4 and the buffer amplifier 5 are compared by the comparator 21, and the up / down counter 22 is operated by the comparison result. It can be counted or down counted.

【0023】この場合に、そのカウントは、クロックジ
ェネレータ23から供給されるクロックによって行われ
る。このような動作によって、半導体レーザ1の発光パ
ワーが、目標値より小さいときはアップカウントとな
り、逆に、大きいときはダウンカウントとなる。
In this case, the counting is performed by the clock supplied from the clock generator 23. By such an operation, when the emission power of the semiconductor laser 1 is smaller than the target value, the counting is up, and conversely, when it is larger, the counting is down.

【0024】そして、アップダウンカウンタ22からの
カウント結果が、D/A変換器24へ出力されて、カウ
ント値がD/A変換され、アナログのカウント値に応じ
た電圧が得られる。この電圧が定電流回路8へ与えられ
て、半導体レーザ1に流す電流がコントロールされ、発
光パワーの制御が行われる。
The count result from the up / down counter 22 is output to the D / A converter 24, the count value is D / A converted, and a voltage corresponding to the analog count value is obtained. This voltage is applied to the constant current circuit 8 to control the current flowing through the semiconductor laser 1 and control the emission power.

【0025】以上に説明したように、図2の保護回路に
よれば、半導体レーザ1の点灯前の電流−電圧変換回路
3の出力の検出結果が、保持回路10に保持され、異常
が発生したことが検出された場合には、半導体レーザ1
への電流供給を停止させることができる。すなわち、図
1のアナログ制御回路と同様に、デジタル制御回路を用
いた半導体レーザ1の制御回路の場合にも、同様に実施
することができる。
As described above, according to the protection circuit of FIG. 2, the detection result of the output of the current-voltage conversion circuit 3 before lighting of the semiconductor laser 1 is held in the holding circuit 10 and an abnormality occurs. If it is detected, the semiconductor laser 1
It is possible to stop the current supply to the. That is, similar to the analog control circuit of FIG. 1, the control circuit of the semiconductor laser 1 using the digital control circuit can be similarly implemented.

【0026】[0026]

【実施例3】この発明の半導体レーザの保護回路につい
て、第3の実施例を説明する。この実施例は、請求項3
の発明に対応している。
[Third Embodiment] A third embodiment of the semiconductor laser protection circuit of the present invention will be described. This embodiment provides claim 3
It corresponds to the invention of.

【0027】図3は、この発明の半導体レーザの保護回
路の要部構成について、第3の実施例を示す機能ブロッ
ク図である。図における符号は図1と同様であり、ま
た、31はスロースタート回路、32は電源オフ回路を
示す。
FIG. 3 is a functional block diagram showing a third embodiment of the main structure of the protection circuit for a semiconductor laser according to the present invention. Reference numerals in the figure are the same as those in FIG. 1, reference numeral 31 is a slow start circuit, and reference numeral 32 is a power supply off circuit.

【0028】この図3に示すこの発明の半導体レーザの
保護回路では、先の図1の保護回路に、スロースタート
回路31と、電源オフ回路32とが付加されている。基
本的な動作は、先の図1と同様である。
In the semiconductor laser protection circuit of the present invention shown in FIG. 3, a slow start circuit 31 and a power supply off circuit 32 are added to the protection circuit of FIG. The basic operation is the same as that shown in FIG.

【0029】すなわち、この図3に示す実施例でも、電
源投入後、ウインドコンパレータ9によって、半導体レ
ーザ1の点灯前に、電流−電圧変換回路3の出力が、正
常な範囲にあるか否か検出する。そして、もし、異常が
発生したときは、スロースタート回路31の出力を、電
源オフ回路32によって強制的にオフにする。
That is, also in the embodiment shown in FIG. 3, after the power is turned on, the window comparator 9 detects whether the output of the current-voltage conversion circuit 3 is in a normal range or not before the semiconductor laser 1 is turned on. To do. Then, if an abnormality occurs, the output of the slow start circuit 31 is forcibly turned off by the power supply off circuit 32.

【0030】したがって、このような異常発生の場合に
は、半導体レーザ1の電源部の投入が行われず、半導体
レーザ1に異常電流が流れて破壊される、という事態が
発生することが確実に防止される。なお、以上に説明し
た第3の実施例では、アナログ制御を用いた発光パワー
制御回路に適用する場合を説明したが、デジタル制御を
用いた発光パワー制御回路にも、同様に実施することが
できる。
Therefore, in the case of such an abnormality occurrence, it is surely prevented that the power supply unit of the semiconductor laser 1 is not turned on and an abnormal current flows in the semiconductor laser 1 to destroy it. To be done. In the third embodiment described above, the case of applying to the light emission power control circuit using the analog control has been described, but the same can be applied to the light emission power control circuit using the digital control. ..

【0031】また、以上の第1から第3の実施例におい
ては、半導体レーザ1をDC点灯のみ行う発光パワー制
御回路に適用する場合を説明した。しかし、変調回路を
付加した情報の記録/再生あるいは消去を行う光ディス
ク装置における半導体レーザ1の発光パワー制御回路に
ついても、同様に実施することができる。
Further, in the above-mentioned first to third embodiments, the case where the semiconductor laser 1 is applied to the light emission power control circuit for performing only DC lighting has been described. However, the light emission power control circuit of the semiconductor laser 1 in the optical disk device for recording / reproducing or erasing information to which the modulation circuit is added can be similarly implemented.

【0032】さらに、光ディスク装置だけでなく、レー
ザプリンタ、デジタルコピー機などにおける発光パワー
制御回路についても、同様に実施することが可能である
ことは明らかである。したがって、この発明の半導体レ
ーザの保護方法および保護回路は、これらの場合を全て
包含するものである。
Further, it is obvious that not only the optical disk device but also a light emission power control circuit in a laser printer, a digital copying machine, etc. can be implemented in the same manner. Therefore, the semiconductor laser protection method and protection circuit of the present invention include all of these cases.

【0033】[0033]

【発明の効果】請求項1の発明では、電流−電圧変換回
路3の出力電圧について、その正常異常が確認できるよ
うにしており、電流−電圧変換回路3に入力されている
基準電圧や、使用するアンプのDC動作が、同時に正常
であるか異常であるかを確認でき、しかも、その時点
は、半導体レーザ1の点灯前である。そして、異常の場
合には、半導体レーザ1への電流供給を停止するので、
より確実な半導体レーザの保護が可能になる。
According to the first aspect of the invention, the output voltage of the current-voltage conversion circuit 3 can be confirmed to be normal or abnormal, and the reference voltage input to the current-voltage conversion circuit 3 and the used voltage can be used. It is possible to confirm whether the DC operation of the amplifier is normal or abnormal at the same time, and at that time, before the semiconductor laser 1 is turned on. In the case of abnormality, the current supply to the semiconductor laser 1 is stopped,
The semiconductor laser can be protected more reliably.

【0034】請求項2の発明では、半導体レーザの制御
回路の接続を、スイッチ素子によってオフにしたり、あ
るいは回路の動作を止めるようにしている。したがっ
て、大電流をコントロールすることなしに、先の請求項
1の発明と同様の効果が得られる。
According to the second aspect of the present invention, the connection of the control circuit of the semiconductor laser is turned off by the switch element or the operation of the circuit is stopped. Therefore, the same effect as that of the first aspect of the invention can be obtained without controlling a large current.

【0035】請求項3の発明では、半導体レーザへの電
源供給を停止することによって、その電流供給を停止す
るようにしている。したがって、制御回路の誤動作や故
障などが生じても、確実に、請求項1の発明や請求項2
の発明と同一の効果が得られる。
According to the third aspect of the present invention, the current supply is stopped by stopping the power supply to the semiconductor laser. Therefore, even if a malfunction or failure of the control circuit occurs, the invention of claim 1 and claim 2 can be reliably performed.
The same effect as that of the invention can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の半導体レーザの保護回路について、
その要部構成の一実施例を示す機能ブロック図である。
FIG. 1 shows a semiconductor laser protection circuit according to the present invention.
It is a functional block diagram which shows one Example of the principal part structure.

【図2】この発明の半導体レーザの保護回路について、
その要部構成の他の実施例を示す機能ブロック図であ
る。
FIG. 2 shows a protection circuit for a semiconductor laser according to the present invention,
It is a functional block diagram showing other examples of the composition of the important section.

【図3】この発明の半導体レーザの保護回路の要部構成
について、第3の実施例を示す機能ブロック図である。
FIG. 3 is a functional block diagram showing a third embodiment of the main configuration of a semiconductor laser protection circuit according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 受光素子 3 電流−電圧変換回路 4 基準電圧発生回路 5 バッファアンプ 6 比較回路 7 スイッチ回路 8 定電流回路 9 ウインドコンパレータ 10 保持回路 21 コンパレータ 22 アップダウンカウンタ 23 クロックジェネレータ 24 D/A変換器 31 スロースタート回路 32 電源オフ回路 1 semiconductor laser 2 light receiving element 3 current-voltage conversion circuit 4 reference voltage generation circuit 5 buffer amplifier 6 comparison circuit 7 switch circuit 8 constant current circuit 9 window comparator 10 holding circuit 21 comparator 22 up / down counter 23 clock generator 24 D / A conversion Unit 31 Slow start circuit 32 Power-off circuit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザの保護回路であり、かつ、 半導体レーザから出射された光の一部を受光する受光素
子と、 該受光素子の出力をある所定の電圧を基準として電流−
電圧変換する電流−電圧変換回路と、 該電流−電圧変換回路の出力により前記半導体レーザの
発光パワーを制御する制御回路と、 前記半導体レーザへの電流の電流供給遮断手段と、 前記電流−電圧変換回路の出力電圧を検出する電圧検出
回路と、 該電圧検出回路の出力を保持する保持回路、 とを備え、 前記半導体レーザの点灯前に、前記電圧検出回路によっ
て電流−電圧変換回路の出力電圧を検出し、かつ、前記
保持回路によって検出結果を保持することにより、前記
電流−電圧変換回路の出力電圧が異常なときは、前記電
流供給遮断手段を動作させて、半導体レーザの点灯を行
わないことを特徴とする半導体レーザの保護方法。
1. A light receiving element which is a protection circuit for a semiconductor laser and which receives a part of light emitted from the semiconductor laser, and an output of the light receiving element which is a current-current based on a predetermined voltage.
A current-voltage conversion circuit for voltage conversion, a control circuit for controlling the light emission power of the semiconductor laser by the output of the current-voltage conversion circuit, a current supply cutoff unit for the current to the semiconductor laser, the current-voltage conversion A voltage detection circuit for detecting the output voltage of the circuit; and a holding circuit for holding the output of the voltage detection circuit. Before the semiconductor laser is turned on, the output voltage of the current-voltage conversion circuit is changed by the voltage detection circuit. By detecting and holding the detection result by the holding circuit, when the output voltage of the current-voltage conversion circuit is abnormal, the current supply cutoff means is operated and the semiconductor laser is not turned on. And a method for protecting a semiconductor laser.
【請求項2】 半導体レーザの保護回路であり、かつ、 半導体レーザから出射された光の一部を受光する受光素
子と、 該受光素子の出力をある所定の電圧を基準として電流−
電圧変換する電流−電圧変換回路と、 該電流−電圧変換回路の出力により前記半導体レーザの
発光パワーを制御する制御回路と、 前記半導体レーザへの電流の電流供給遮断手段と、 前記電流−電圧変換回路の出力電圧を検出する電圧検出
回路と、 該電圧検出回路の出力を保持する保持回路、 とを備え、 前記電流供給遮断手段は、スイッチ回路を有しており、 前記半導体レーザの点灯前に、前記電圧検出回路によっ
て電流−電圧変換回路の出力電圧を検出し、かつ、前記
保持回路によって検出結果を保持することにより、前記
電流−電圧変換回路の出力電圧が異常なときは、前記電
流供給遮断手段は、前記スイッチ回路によって、前記制
御回路の接続を遮断し、あるいは制御回路の動作を停止
させることを特徴とする半導体レーザの保護回路。
2. A light receiving element which is a protection circuit for a semiconductor laser, and which receives a part of light emitted from the semiconductor laser, and an output of the light receiving element with a current-current based on a predetermined voltage.
A current-voltage conversion circuit for voltage conversion, a control circuit for controlling the emission power of the semiconductor laser by the output of the current-voltage conversion circuit, a current supply cutoff unit for the current to the semiconductor laser, the current-voltage conversion A voltage detection circuit for detecting the output voltage of the circuit; and a holding circuit for holding the output of the voltage detection circuit, wherein the current supply / interruption means has a switch circuit. When the output voltage of the current-voltage conversion circuit is detected by the voltage detection circuit and the detection result is held by the holding circuit, the current supply is performed when the output voltage of the current-voltage conversion circuit is abnormal. The cutoff means cuts off the connection of the control circuit or stops the operation of the control circuit by the switch circuit. Road.
【請求項3】 請求項2の半導体レーザの保護回路にお
いて、 電流供給遮断手段は、電源オフ回路を有しており、 半導体レーザへの電源供給を前記電源オフ回路によって
停止することを特徴とする半導体レーザの保護回路。
3. The semiconductor laser protection circuit according to claim 2, wherein the current supply cutoff means has a power-off circuit, and power supply to the semiconductor laser is stopped by the power-off circuit. Semiconductor laser protection circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004363597A (en) * 2003-06-02 2004-12-24 Samsung Electronics Co Ltd Laser diode protective circuit
WO2016181489A1 (en) * 2015-05-12 2016-11-17 株式会社島津製作所 Laser device

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