JPH05255847A - Sputtering device and sputtering method - Google Patents
Sputtering device and sputtering methodInfo
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- JPH05255847A JPH05255847A JP5375492A JP5375492A JPH05255847A JP H05255847 A JPH05255847 A JP H05255847A JP 5375492 A JP5375492 A JP 5375492A JP 5375492 A JP5375492 A JP 5375492A JP H05255847 A JPH05255847 A JP H05255847A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はスパッタリング装置お
よびスパッタリング方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering device and a sputtering method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は従来のスパッタリング装置の断面
図である。このような構造のスパッタリング装置は、た
とえば「スパッタリング現象」（東京大学出版 １９８
４）の第１５０頁に開示されている。ウエハに成膜が行
なわれるチャンバ７内のうち、右側にはウエハ２を保持
したウエハホルダ３が設けられている。左側にはウエハ
２に成膜を行なう際に蒸着源となるターゲット１が設け
られている。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a sectional view of a conventional sputtering apparatus. A sputtering apparatus having such a structure is, for example, a "sputtering phenomenon" (Tokyo University Press 198).
4), page 150. A wafer holder 3 holding the wafer 2 is provided on the right side of the chamber 7 in which film formation is performed on the wafer. On the left side, a target 1 that serves as an evaporation source when forming a film on the wafer 2 is provided.
【０００３】ターゲット１とウエハ２との間の空間はシ
ールド６で覆われている。スパッタリングの際にターゲ
ット１が陰極となるが、ターゲット１とチャンバ７との
間に放電が生じないようにするためにシールド６が設け
られている。A space between the target 1 and the wafer 2 is covered with a shield 6. Although the target 1 serves as a cathode during sputtering, a shield 6 is provided between the target 1 and the chamber 7 to prevent discharge.
【０００４】ターゲット１とウエハ２との間の空間には
シャッタ５が配置されている。シャッタ５はシャッタ収
容室１４と、ターゲット１とウエハ２との間の空間とを
移動可能にされている。シャッタ５の役割は後で説明す
る。A shutter 5 is arranged in the space between the target 1 and the wafer 2. The shutter 5 is movable in the shutter housing chamber 14 and the space between the target 1 and the wafer 2. The role of the shutter 5 will be described later.
【０００５】次にこのスパッタリング装置を用いて行な
う成膜について説明する。チャンバ７を真空ポンプによ
り１０-6Ｔｏｒｒ程度以下に排気した後、Ａｒを含む放
電ガスをチャンバ７内に導入し、チャンバ７内の圧力を
１０-3Ｔｏｒｒ程度に調整する。この状態で陽極となる
ウエハ２をアースし、陰極となるターゲット１とウエハ
２との間に所定の電圧を印加すると、放電ガスが電離し
てプラズマが発生する。Next, film formation performed using this sputtering apparatus will be described. After the chamber 7 is evacuated to about 10 −6 Torr or less by a vacuum pump, a discharge gas containing Ar is introduced into the chamber 7 and the pressure inside the chamber 7 is adjusted to about 10 −3 Torr. In this state, when the wafer 2 serving as the anode is grounded and a predetermined voltage is applied between the target 1 serving as the cathode and the wafer 2, the discharge gas is ionized and plasma is generated.
【０００６】このとき電気引力によってＡｒ+ が陰極で
あるターゲット１の方向に加速され、ターゲット１に衝
突する。この衝突によってターゲット１の表面の原子が
はじき飛ばされ（スパッタされ）、ウエハ２に付着・堆
積し、薄膜が形成される。At this time, Ar + is accelerated by the electric attraction in the direction of the target 1 which is the cathode and collides with the target 1. Due to this collision, the atoms on the surface of the target 1 are repelled (sputtered), adhere to and deposit on the wafer 2, and a thin film is formed.
【０００７】プラズマ状態が不安定であると成膜速度が
異なる。プラズマが発生した直後はプラズマ状態が不安
定なので、シャッタ５をターゲット１とウエハ２との間
の空間部に配置し、プラズマ状態が安定になるまでウエ
ハ２に薄膜が形成されるのを防いでいる。プラズマ状態
が安定した後にシャッタ５をシャッタ収容室１４内に収
容し、成膜を開始する。When the plasma state is unstable, the film forming rate is different. Since the plasma state is unstable immediately after the plasma is generated, the shutter 5 is arranged in the space between the target 1 and the wafer 2 to prevent a thin film from being formed on the wafer 2 until the plasma state becomes stable. There is. After the plasma state is stabilized, the shutter 5 is housed in the shutter housing chamber 14 and film formation is started.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ターゲット１からスパ
ッタされた原子（以下スパッタ原子という）はチャンバ
７内に存在する放電ガスと衝突すると飛行方向を変え
る。このためシャッタ５やシールド６などチャンバ７内
のいたるところに付着・堆積する（以下これを堆積物１
５〜１８と呼ぶ）。ウエハ２の処理枚数が増えると、す
なわち累積成膜時間が長くなると堆積物１５〜１８は成
長し、シャッタ５やシールド６から剥がれやすくなる。The atoms sputtered from the target 1 (hereinafter referred to as sputtered atoms) change their flight direction when they collide with the discharge gas existing in the chamber 7. Therefore, the shutter 5 and the shield 6 are attached and deposited everywhere in the chamber 7 (hereinafter referred to as deposit 1
5-18). As the number of processed wafers 2 increases, that is, as the accumulated film formation time increases, the deposits 15 to 18 grow and are easily peeled off from the shutter 5 and the shield 6.
【０００９】堆積物１５〜１８が剥がれる原因の一例と
して、シャッタ５の移動がある。剥がれた堆積物１５〜
１８の一部はチャンバ７内の放電ガスに乗ってウエハ２
方向に移動しウエハ２に付着する。ウエハ２に付着した
堆積物１５〜１８が異物となり半導体装置の不良品発生
の原因となる。The movement of the shutter 5 is one of the causes of the deposits 15 to 18 coming off. Peeled deposit 15 ~
A part of the wafer 18 rides on the discharge gas in the chamber 7 and the wafer 2
Moves in the direction and adheres to the wafer 2. The deposits 15 to 18 adhering to the wafer 2 become foreign matter and cause defective semiconductor devices.
【００１０】ところで、堆積物１５〜１８のうち、スパ
ッタ原子が放電ガスと衝突しなくても到達することがで
きる部分に形成された堆積物１５、１７は比較的強く付
着している。これは以下の理由によるものと思われる。
スパッタ原子の運動エネルギが大きいほど密着力が強く
なる。放電ガスと衝突しなくても到達できる部分に到達
するスパッタ原子は、放電ガスとの衝突回数が比較的少
なく失う運動エネルギの量が小さいからである。By the way, among the deposits 15 to 18, the deposits 15 and 17 formed in the portions which the sputtered atoms can reach without colliding with the discharge gas are relatively strongly attached. This is probably due to the following reasons.
The larger the kinetic energy of the sputtered atoms, the stronger the adhesion. This is because the number of collisions with the discharge gas is relatively small and the amount of kinetic energy lost to the sputtered atoms that reach a portion that can be reached without collision with the discharge gas is small.
【００１１】これに対して放電ガスと衝突しなければ到
達できない部分にある堆積物１６、１８は剥がれやす
い。スパッタ原子がこの部分に到達するためには放電ガ
スと比較的多く衝突しなければならないので、スパッタ
原子が失う運動エネルギが大きいからである。On the other hand, the deposits 16 and 18 in the portions that cannot be reached unless they collide with the discharge gas are easily peeled off. This is because the sputter atoms have to collide with the discharge gas in a relatively large amount in order to reach this portion, so that the kinetic energy lost by the sputter atoms is large.
【００１２】この発明は係る従来の問題点を解決するた
めになされたものである。この発明の目的はチャンバ内
に堆積した堆積物が剥がれにくくすることができるスパ
ッタリング装置を提供することである。The present invention has been made to solve the above conventional problems. An object of the present invention is to provide a sputtering apparatus that can prevent the deposits deposited in the chamber from coming off easily.
【００１３】この発明の他の目的は、チャンバ内に堆積
した堆積物が剥がれにくくすることができるスパッタリ
ング方法を提供することである。Another object of the present invention is to provide a sputtering method which makes it difficult for the deposits deposited in the chamber to come off.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】この発明に従ったスパッ
タリング装置は、ウエハに成膜が行なわれる成膜室と、
成膜室に設けられ、ウエハが保持されるウエハ保持部材
と、成膜室に設けられ、ウエハ保持部材に保持されたウ
エハに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第１ターゲッ
トと、成膜室のウエハ保持部材側に設けられ、第１ター
ゲットに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第２ターゲ
ットとを備えている。A sputtering apparatus according to the present invention comprises a film forming chamber for forming a film on a wafer,
A wafer holding member, which is provided in the film forming chamber and holds the wafer, and a first target, which is provided in the film forming chamber and serves as an evaporation source when a film is formed on the wafer held by the wafer holding member, A second target, which is provided on the wafer holding member side of the film chamber and serves as a vapor deposition source when a film is formed on the first target, is provided.
【００１５】この発明に従ったスパッタリング方法は、
ウエハ保持側に第１蒸着源を設け、第１蒸着源からウエ
ハに成膜が行なわれる際に第２蒸着源となるターゲット
に向けてスパッタリングをする。The sputtering method according to the present invention comprises:
A first evaporation source is provided on the wafer holding side, and when a film is formed on the wafer from the first evaporation source, sputtering is performed toward a target serving as a second evaporation source.
【００１６】[0016]
【作用】この発明に従ったスパッタリング装置は、第２
ターゲットから第１ターゲットに向けてスパッタを行な
うことができる。つまり、通常とは逆の方向にスパッタ
リングを行なえる。通常のスパッタリングを行なう際は
放電ガスと衝突しなければ到達できない部分でも、逆方
向からスパッタリングすれば放電ガスと衝突しなくても
到達することができる。このため、密着力が弱く剥がれ
やすい堆積物の上に密着力の強い堆積物が形成されるの
で、堆積物は剥がれにくくなる。The sputtering apparatus according to the present invention has a second
Sputtering can be performed from the target toward the first target. That is, the sputtering can be performed in the opposite direction to the usual one. When performing normal sputtering, even a portion that cannot be reached without colliding with the discharge gas can be reached without performing collision with the discharge gas by sputtering from the opposite direction. For this reason, since a deposit having strong adhesion is formed on the deposit having weak adhesion and being easily peeled off, the deposit is less likely to peel off.
【００１７】この発明に従ったスパッタリング方法は、
通常とは逆の方向にスパッタリングを行なう。The sputtering method according to the present invention comprises:
Sputtering is performed in the direction opposite to the usual one.
【００１８】[0018]
（第１実施例）図１はこの発明に従ったスパッタリング
装置の第１実施例の断面図である。チャンバ７内のうち
右側にはウエハ２と第２ターゲット８とを保持したウエ
ハホルダ３が設けられている。ウエハホルダ３はウエハ
ホルダ回転軸４を中心に矢印方向に回転自在にされてい
る。(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of a sputtering apparatus according to the present invention. A wafer holder 3 holding a wafer 2 and a second target 8 is provided on the right side of the chamber 7. The wafer holder 3 is rotatable about the wafer holder rotation shaft 4 in the arrow direction.
【００１９】チャンバ７内のうち左側には第１ターゲッ
ト１が設けられている。第１ターゲット１とウエハ２と
の間の空間はシールド６で覆われている。シャッタ５
は、シャッタ収容室１４と、第１ターゲット１とウエハ
２との空間部とを移動可能にされている。A first target 1 is provided on the left side of the chamber 7. The space between the first target 1 and the wafer 2 is covered with a shield 6. Shutter 5
Is movable in the shutter accommodating chamber 14 and the space between the first target 1 and the wafer 2.
【００２０】次に第１実施例の動作について説明する。
通常はウエハ２を第１ターゲット１に対向する位置に配
置してスパッタリングを行ない、ウエハ２上に薄膜を形
成する。ウエハ２の処理枚数が多くなるとシャッタ５や
シールド６などに付着した堆積物１５〜１８が成長して
剥離する。剥離した堆積物１５〜１８の一部はウエハ２
に付着し異物となる。したがって、ウエハ２に付着する
異物量が許容限度を越える処理枚数（以下所定枚数とい
う）に達する前に以下の操作を行なう。Next, the operation of the first embodiment will be described.
Usually, the wafer 2 is placed at a position facing the first target 1 and sputtering is performed to form a thin film on the wafer 2. When the number of processed wafers 2 increases, the deposits 15 to 18 attached to the shutter 5 and the shield 6 grow and peel off. A part of the separated deposits 15 to 18 is the wafer 2
Adhere to and become foreign matter. Therefore, the following operation is performed before the amount of foreign matter attached to the wafer 2 reaches the number of processed wafers (hereinafter referred to as a predetermined number of wafers) exceeding the allowable limit.
【００２１】ウエハホルダ３をウエハホルダ回転軸４を
中心として回転させ第２ターゲット８を第１ターゲット
１に対向させる。第１ターゲット１をアースし、第２タ
ーゲット８にマイナス電圧を印加することによって、通
常とは逆方向にスパッタリングを行なう。これにより、
堆積物１５、１７に比べ付着力が弱い堆積物１６、１８
の付着力を強くすることができ、堆積物１６、１８の剥
離を抑制することができる。The wafer holder 3 is rotated about the wafer holder rotation shaft 4 so that the second target 8 faces the first target 1. By grounding the first target 1 and applying a negative voltage to the second target 8, sputtering is performed in the direction opposite to the normal direction. This allows
Deposits 16 and 18 with weaker adhesion than deposits 15 and 17
It is possible to increase the adhesive force of the deposits 16 and 18 and suppress the peeling of the deposits 16 and 18.
【００２２】（第２実施例）図２はこの発明に従ったス
パッタリング装置の第２実施例の断面図である。第１実
施例との違いは第２ターゲット８をウエハホルダ３に取
付けず、ターゲットホルダ９に取付けた点である。１０
はターゲットホルダ回転軸であり、ターゲットホルダ９
はターゲットホルダ回転軸１０を中心として矢印方向に
回転する。(Second Embodiment) FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the sputtering apparatus according to the present invention. The difference from the first embodiment is that the second target 8 is not attached to the wafer holder 3 but is attached to the target holder 9. 10
Is the rotation axis of the target holder, and the target holder 9
Rotates in the direction of the arrow around the target holder rotation shaft 10.
【００２３】通常はウエハ２を第１ターゲット１に対向
する位置に配置してウエハ２上に薄膜を形成する。ウエ
ハ２の処理枚数が第１実施例で説明した所定枚数を越え
る前に、ウエハホルダ３およびターゲットホルダ９を回
転させて、第２ターゲット８をターゲット１に対向させ
る。そして第１実施例と同様の操作により、通常とは逆
方向のスパッタリングを行なう。Normally, the wafer 2 is placed at a position facing the first target 1 to form a thin film on the wafer 2. Before the number of processed wafers 2 exceeds the predetermined number described in the first embodiment, the wafer holder 3 and the target holder 9 are rotated so that the second target 8 faces the target 1. Then, by the same operation as in the first embodiment, sputtering in the direction opposite to the normal direction is performed.
【００２４】（第３実施例）図３はこの発明に従ったス
パッタリング装置の第３実施例の断面図である。第３実
施例はウエハホルダ３とウエハホルダ１１とを対向して
配置している。ウエハホルダ３はウエハホルダ回転軸４
を中心に回転自在にされている。ウエハホルダ１１はウ
エハホルダ回転軸１９を中心に回転自在にされている。(Third Embodiment) FIG. 3 is a sectional view of a third embodiment of the sputtering apparatus according to the present invention. In the third embodiment, the wafer holder 3 and the wafer holder 11 are arranged so as to face each other. The wafer holder 3 is a wafer holder rotation shaft 4
It is rotatable around. The wafer holder 11 is rotatable about a wafer holder rotation shaft 19.
【００２５】ウエハホルダ３の一方の面には第２ターゲ
ット８が保持され、他方の面にはウエハ２が保持されて
いる。ウエハホルダ１１の一方の面には第１ターゲット
１が保持され、他方の面にはウエハ２が保持されてい
る。The second target 8 is held on one surface of the wafer holder 3, and the wafer 2 is held on the other surface. The first target 1 is held on one surface of the wafer holder 11, and the wafer 2 is held on the other surface.
【００２６】ウエハホルダ３に保持されたウエハ２上に
薄膜を形成した後、ウエハホルダ３、１１を回転させ、
次にウエハホルダ１１に保持されたウエハ２に薄膜を形
成する。これを繰返すことにより、シャッタ５やシール
ド６に形成された堆積物１５〜１８の剥離を防ぐ。After forming a thin film on the wafer 2 held by the wafer holder 3, the wafer holders 3 and 11 are rotated,
Next, a thin film is formed on the wafer 2 held by the wafer holder 11. By repeating this, the deposits 15 to 18 formed on the shutter 5 and the shield 6 are prevented from peeling off.
【００２７】この実施例では、ウエハ２に薄膜を形成す
るごとに、ウエハホルダ３、１１を回転させていたが、
ウエハホルダ３側で実施例１で説明した所定枚数に達す
る前までウエハ２上に薄膜を形成し、その段階でウエハ
ホルダ３、１１を回転させ、ウエハホルダ１１側で薄膜
を形成するようにしてもよい。In this embodiment, the wafer holders 3 and 11 were rotated each time a thin film was formed on the wafer 2.
A thin film may be formed on the wafer 2 on the wafer holder 3 side until the predetermined number of sheets described in the first embodiment is reached, and at that stage, the wafer holders 3 and 11 may be rotated to form the thin film on the wafer holder 11 side.
【００２８】第１〜第３実施例では、第１および第２タ
ーゲット１、８を回転させて移動する場合を述べたが、
必ずしも回転である必要はなく並進または回転と並進を
組み合わせた移動方法であってもよい。In the first to third embodiments, the case where the first and second targets 1 and 8 are rotated and moved has been described.
It does not necessarily have to be rotation, but may be translation or a movement method that combines rotation and translation.
【００２９】（第４実施例）図４はこの発明に従ったス
パッタリング装置の第４実施例の断面図である。第４実
施例では、金属膜１３が形成されたウエハ２０にバイア
ス電圧を印加するためのバイアス電源１２を備えてい
る。通常は半導体素子が形成されるウエハ２（図示せ
ず）をウエハホルダ３で保持し、ターゲット１をスパッ
タリングしてウエハ２上に薄膜を形成する。ウエハ２の
処理枚数が実施例１で説明した所定枚数を越える前に以
下の操作を行なう。(Fourth Embodiment) FIG. 4 is a sectional view of a fourth embodiment of the sputtering apparatus according to the present invention. The fourth embodiment includes a bias power supply 12 for applying a bias voltage to the wafer 20 having the metal film 13 formed thereon. Usually, a wafer 2 (not shown) on which semiconductor elements are formed is held by a wafer holder 3, and a target 1 is sputtered to form a thin film on the wafer 2. The following operation is performed before the number of processed wafers 2 exceeds the predetermined number described in the first embodiment.
【００３０】ターゲット１と同じ組成の金属膜１３が形
成されたウエハ２０をターゲットホルダ３で保持し、バ
イアス電源１２によりウエハ２０にマイナスの電圧を印
加し、ターゲット１をアースする。これにより金属膜１
３はスパッタリングされ、通常とは逆方向つまりターゲ
ット１に成膜が行なわれる。これによりシャッタ５やシ
ールド６に付着した堆積物１６、１８の剥離を防ぐこと
ができる。The wafer 20 on which the metal film 13 having the same composition as the target 1 is formed is held by the target holder 3, and a negative voltage is applied to the wafer 20 by the bias power source 12 to ground the target 1. Thereby, the metal film 1
3 is sputtered, and a film is formed on the target 1 in the direction opposite to the normal direction, that is, the target 1. This can prevent the deposits 16 and 18 attached to the shutter 5 and the shield 6 from peeling off.
【００３１】第４実施例では金属膜１３がターゲット１
と同じ組成の場合について述べたが、必ずしも同じ組成
である必要はなく、また金属以外の材料でもよい。In the fourth embodiment, the metal film 13 is the target 1.
Although the case of the same composition as described above has been described, the composition does not necessarily have to be the same, and a material other than metal may be used.
【００３２】また、金属膜１３が形成されたウエハ２０
の代わりに、ウエハ２０自体が所望の蒸着材料で形成さ
れたものでもよい。Further, the wafer 20 on which the metal film 13 is formed
Alternatively, the wafer 20 itself may be formed of a desired vapor deposition material.
【００３３】[0033]
【発明の効果】この発明に従ったスパッタリング装置に
よれば、通常とは逆の方向にスパッタリングを行なうこ
とができる。したがってチャンバ内に付着した堆積物の
剥離を抑制することができ、半導体装置の歩留まりを向
上させることができる。According to the sputtering apparatus of the present invention, it is possible to perform sputtering in the direction opposite to the normal direction. Therefore, it is possible to suppress the peeling of the deposits adhering to the inside of the chamber and improve the yield of the semiconductor device.
【００３４】この発明に従ったスパッタリング方法によ
れば、上記効果を得ることができる。With the sputtering method according to the present invention, the above effects can be obtained.
【図１】この発明の第１実施例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第２実施例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の第３実施例の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a third embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第４実施例の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a fourth embodiment of the present invention.
【図５】従来のスパッタリング装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional sputtering device.
１ 第１ターゲット ２ ウエハ ３ ウエハホルダ ７ チャンバ ８ 第２ターゲット ９ ターゲットホルダ １１ ウエハホルダ １２ バイアス電源 1 First Target 2 Wafer 3 Wafer Holder 7 Chamber 8 Second Target 9 Target Holder 11 Wafer Holder 12 Bias Power Supply
Claims (2)
保持部材と、 前記成膜室に設けられ、前記ウエハ保持部材に保持され
た前記ウエハに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第１
ターゲットと、 前記成膜室の前記ウエハ保持部材側に設けられ、前記第
１ターゲットに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第２
ターゲットと、 を備えたスパッタリング装置。1. A film forming chamber for forming a film on a wafer, a wafer holding member provided in the film forming chamber for holding the wafer, and a wafer holding member provided in the film forming chamber for holding the wafer on the wafer holding member. Serving as a vapor deposition source when a film is formed on the formed wafer
A target and a second film, which is provided on the wafer holding member side of the film forming chamber and serves as a vapor deposition source when a film is formed on the first target
A sputtering apparatus including a target.
第１蒸着源から前記ウエハに成膜が行なわれる際に第２
蒸着源となるターゲットに向けてスパッタリングするス
パッタリング方法。2. A first vapor deposition source is provided on a wafer holding side, and a second vapor deposition source is provided when a film is formed on the wafer from the first vapor deposition source.
A sputtering method in which sputtering is performed toward a target that is an evaporation source.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5375492A JPH05255847A (en) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | Sputtering device and sputtering method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5375492A JPH05255847A (en) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | Sputtering device and sputtering method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05255847A true JPH05255847A (en) | 1993-10-05 |
Family
ID=12951603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5375492A Withdrawn JPH05255847A (en) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | Sputtering device and sputtering method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05255847A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014167615A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | Sputtering device |
-
1992
- 1992-03-12 JP JP5375492A patent/JPH05255847A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014167615A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | Sputtering device |
| JP5970607B2 (en) * | 2013-04-10 | 2016-08-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | Sputtering equipment |
| JPWO2014167615A1 (en) * | 2013-04-10 | 2017-02-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | Sputtering equipment |
| US9966241B2 (en) | 2013-04-10 | 2018-05-08 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |