JPH05254253A - Optical recording/reproducing device - Google Patents

Optical recording/reproducing device

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Publication number
JPH05254253A
JPH05254253A JP4057660A JP5766092A JPH05254253A JP H05254253 A JPH05254253 A JP H05254253A JP 4057660 A JP4057660 A JP 4057660A JP 5766092 A JP5766092 A JP 5766092A JP H05254253 A JPH05254253 A JP H05254253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical recording
reproducing
recording layer
group
reproducing apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP4057660A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Setsuo Kobayashi
節郎 小林
Kishiro Iwasaki
岩崎紀四郎
Hiroshi Sasaki
佐々木  洋
Shuji Imazeki
周治 今関
Kenji Murao
健二 村尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP4057660A priority Critical patent/JPH05254253A/en
Publication of JPH05254253A publication Critical patent/JPH05254253A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enable high sensitivity writing at DC linear velocity by arranging a means for optically recording/reproducing data on an optical recording medium containing a compd. expressed by a specific formula and a means for rotating the reproducing means. CONSTITUTION:An optical recording/reproducing device is equipped with an optical recording/reproducing means equipped with a laser oscillator for optically recording/reproducing data on an optical recording medium having an optical recording layer containing one or more kind of a compd. expressed by formula I (wherein M1 is Si, Ge or Sn, z1, z2, z3 and z4 are a ring non-substituted or having one or more substituent X selected from a nitrogen-containing aromatic ring, a benzene ring, a naphthalene ring and a pyridine ring, X is a 1-20C alkyl group or an alkenyl group and Y<1> and Y<2> are Ar) and one or more kinds of compds. expressed by formula II (wherein M is a transition metal, z1, z2, z3 and z4 are a pyridine ring non-substituted or having one or more monovalent substituent X and X is a 1-20C aromatic hydrocarbon group), a means for rotating the reproducing means, a drive circuit, a processor and an output means for outputting data from the processor.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光によって情
報を記録、再生する光記録再生装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording / reproducing apparatus for recording / reproducing information with a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンパクトディスク(CD)、ビ
デオディスク等における書き込みあるいは、読み取りの
ため光源として半導体レーザー光を利用することが提案
されている。半導体レーザー光による書き込みまたは読
み取りを行うためには、半導体レーザー光、即ち、近赤
外光を吸収する記録媒体が必要となる。該記録媒体とし
ては、テルル、テルル合金、ビスマス合金などの無機系
記録層を用いるものと、フタロシアニン系色素(米国特
許第4,298,975号)、ナフタロシアニン系色素
(米国特許第4,492,750号)などの有機系色素を
用いるものが検討されている。
2. Description of the Related Art Recently, it has been proposed to use a semiconductor laser beam as a light source for writing or reading on a compact disc (CD), a video disc or the like. In order to write or read with semiconductor laser light, a recording medium that absorbs semiconductor laser light, that is, near infrared light is required. As the recording medium, those using an inorganic recording layer such as tellurium, tellurium alloy, and bismuth alloy, phthalocyanine dyes (US Pat. No. 4,298,975), and naphthalocyanine dyes (US Pat. No. 4,492) are used. , 750) are being studied.

【0003】また、記録再生装置としては、データ記録
時における光ディスク媒体の回転速度よりデータ再生時
における該媒体の回転速度を速くすることにより、デー
タ転送速度を向上させて計算機システムの処理効率を高
める方法が提案されている(特開平2−206060号
公報)。
Further, as the recording / reproducing apparatus, the rotational speed of the optical disk medium at the time of data recording is made faster than the rotational speed of the optical disk medium at the time of data recording, thereby improving the data transfer rate and enhancing the processing efficiency of the computer system. A method has been proposed (JP-A-2-206060).

【0004】更に、CD規格を満足する追記型光ディス
クとして、CD−Rが提案されている。これは、基板と
反射層の間に有機色素層(記録層)を設けたもので、そ
の部分にユーザが1度だけ記録できる。
Further, a CD-R has been proposed as a write-once optical disc satisfying the CD standard. In this structure, an organic dye layer (recording layer) is provided between the substrate and the reflective layer, and the user can record only once in that portion.

【0005】これらの光記録媒体への記録は、基板側か
ら光記録層にレーザービームを照射し、直径1μm程度
のピットを形成することにより行う。また、記録の再生
には、ピックアップから基板を透過し記録時より低エネ
ルギーのレーザービームを光記録層に照射し、該記録層
とピットとの反射率の相違を検出することによって再生
信号を得る。
Recording on these optical recording media is performed by irradiating the optical recording layer with a laser beam from the substrate side to form pits having a diameter of about 1 μm. For recording and reproduction, a reproduction signal is obtained by irradiating the optical recording layer with a laser beam that passes through the substrate from the pickup and has lower energy than during recording, and detects the difference in reflectance between the recording layer and the pits. ..

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の無機系
記録層を有する光記録媒体は、CD線速度(CD規格:
現状では1.2〜1.4m/s)の再生光安定性は良好で
あるが、記録層である基板への薄膜形成の手段が真空蒸
着、スパッタリング等の真空中で行わなければならない
ために生産性の向上が図りにくゝ、記録層の熱伝導率が
大きいために書き込みに大きなパワーのレーザー光が必
要となる。また、記録密度の向上を図る上でも限界があ
り、テルル、セレンなどの有毒物質を取扱うために安全
衛生上にも課題がある。
However, the optical recording medium having the above-mentioned inorganic recording layer has a CD linear velocity (CD standard:
At present, the reproduction light stability of 1.2 to 1.4 m / s is good, but since the means for forming a thin film on the substrate which is the recording layer must be performed in vacuum such as vacuum deposition and sputtering. It is difficult to improve productivity, and since the thermal conductivity of the recording layer is large, a large power laser beam is required for writing. In addition, there is a limit in improving the recording density, and there is a problem in safety and hygiene since toxic substances such as tellurium and selenium are handled.

【0007】一方、有機系色素を記録層とする光記録媒
体は、耐久性、反射率の面で無機系記録層を有する光記
録媒体と同等の特性のものを得るに到っていない。更
に、有機系記録媒体の耐久性および耐溶剤性の両立が容
易でないのが現状であるが、無機系記録媒体の前記課題
を克服できる可能性を有すると考えられることから、種
々の検討がなされている。即ち、無機系記録媒体と同等
の特性を備え、しかも、無機系では不可能なスピンナー
塗布、浸漬塗布が可能な有機記録媒体の検索がなされて
いる。例えば、中心金属がAl,Ga,In,Te,S
i,Ge,Sn,Pbなどの各種誘導体を含む有機薄膜
からなる光学記録媒体(特開平1−198391号)が
提案されている。しかし、該有機系記録媒体も、CD線
速度での再生光によって記録層がダメージを受ける恐れ
があり、CD線速度での使用に問題があった。また、記
録時の回転速度より再生時の回転速度を速くすることが
考えられるが、やはり再生光による有機記録層に対する
影響を十分少なくすることはできなかった。
On the other hand, an optical recording medium having an organic dye as a recording layer has not yet been obtained in terms of durability and reflectance in terms of characteristics equivalent to those of an optical recording medium having an inorganic recording layer. Furthermore, although it is the current situation that compatibility of durability and solvent resistance of the organic recording medium is not easy, various studies have been conducted because it is considered that the organic recording medium has a possibility of overcoming the above-mentioned problems. ing. That is, an organic recording medium having characteristics equivalent to those of the inorganic recording medium and capable of spinner coating and dip coating, which is impossible with the inorganic recording medium, has been searched for. For example, the central metal is Al, Ga, In, Te, S
An optical recording medium composed of an organic thin film containing various derivatives of i, Ge, Sn, Pb and the like (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 1-198391) has been proposed. However, the organic recording medium also has a problem in use at the CD linear velocity because the recording layer may be damaged by the reproduction light at the CD linear velocity. Further, although it is possible to make the rotation speed at the time of reproduction faster than the rotation speed at the time of recording, it was still impossible to sufficiently reduce the influence of the reproduction light on the organic recording layer.

【0008】更に、CD線速度、例えば1.3m/sで
記録再生が可能な追記型のCD−Rでは、記録時のレー
ザーパワー7〜9mW、読み出し時のレーザーパワー
2.1mWで、2万回以上の読み出しが可能である〔NIK
KEI ELECTRONICS 1988.10.3(No.45
7)100頁〕。しかし、読み出し時のレーザーパワー
が2.1mWと再生光安定性は良好であるが、記録媒体
の反射層への熱の拡散効果のために感度が低下し、記録
レーザーパワーも大き過ぎる。また、光ディスクとして
も高反射率を得るために反射層を必要とし、そのために
真空ドライプロセスとなり生産性が劣ると云う問題があ
った。
Further, in the write-once type CD-R capable of recording / reproducing at a CD linear velocity of, for example, 1.3 m / s, a laser power of 7 to 9 mW for recording and a laser power of 2.1 mW for reading are 20,000. It is possible to read more than once [NIK
KEI ELECTRONICS 1988.10.3 (No. 45
7) page 100]. However, although the reading laser power is 2.1 mW and the reproduction light stability is good, the sensitivity is lowered due to the effect of heat diffusion to the reflective layer of the recording medium, and the recording laser power is too large. Further, as an optical disk, a reflective layer is required to obtain a high reflectance, which results in a vacuum dry process, resulting in poor productivity.

【0009】本発明の目的は、CD線速度で高感度書き
込みが可能で、再生光による記録層の劣化が少ない有機
光記録層を用いた光記録再生装置を提供することにあ
る。
It is an object of the present invention to provide an optical recording / reproducing apparatus using an organic optical recording layer capable of high-sensitivity writing at a CD linear velocity and having little deterioration of the recording layer due to reproducing light.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、CD線速
度で良好な記録再生特性を有する記録媒体の前記課題を
解決するために種々の検討を重ねた結果、CD線速度で
高感度で再生光安定性の優れた光記録媒体を見出し本発
明に到達した。本発明の要旨は次のとおりである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The inventors of the present invention have conducted various studies to solve the above problems of a recording medium having good recording and reproducing characteristics at a CD linear velocity, and as a result, have high sensitivity at a CD linear velocity. Thus, the present invention has been accomplished by finding an optical recording medium having excellent reproduction light stability. The gist of the present invention is as follows.

【0011】光記録層を有する光記録媒体に情報を光記
録再生するレーザ発振器を備えた光記録再生手段と、該
光記録媒体を回転させる回転手段と、前記光記録再生手
段および前記回転手段とを制御するドライブ回路と、該
ドライブ回路に指令を与えるプロセッサと、該プロセッ
サに情報を入力する入力手段と、前記プロセッサから情
報を出力する出力手段を備えた光記録再生装置であっ
て、前記光記録媒体の光記録層が熱クェンチャーを含む
有機記録層からなり、該光記録層の記録時の線速度がC
D(Compact Disk)線速度、再生時の線速
度が再生光により光記録層を劣化させない線速度で記録
再生されることを特徴とする光記録再生装置。
An optical recording / reproducing means having a laser oscillator for optically recording / reproducing information on / from an optical recording medium having an optical recording layer, a rotating means for rotating the optical recording medium, the optical recording / reproducing means and the rotating means. An optical recording / reproducing apparatus comprising: a drive circuit for controlling the drive circuit, a processor for giving a command to the drive circuit, an input unit for inputting information to the processor, and an output unit for outputting information from the processor, The optical recording layer of the recording medium comprises an organic recording layer containing a heat quencher, and the linear velocity of the optical recording layer at the time of recording is C
An optical recording / reproducing apparatus characterized in that the linear velocity of D (Compact Disk) and the linear velocity at the time of reproducing are recorded and reproduced at a linear velocity which does not deteriorate the optical recording layer by reproducing light.

【0012】前記光記録層が一般式(1)The optical recording layer has the general formula (1)

【0013】[0013]

【化3】 [Chemical 3]

【0014】〔式中、M1はSi,Ge,Snから選ば
れるIV族金属を、Z123及びZ4は無置換または一価
の置換基Xを1以上有する含窒素芳香族環,ベンゼン
環、ナフタレン環、ピリジン環を、Xは炭素数1〜20
のアルキル基,アルケニル基,アルキルチオ基,シクロ
アルキルチオ基,フェニル基,一置換フェニル基,アシ
ル基またはトリ置換シリル基を、Y1,Y2はAr,O
R,OAr,OSi(R)3,OSi(OR)3,OSi(O
Ar)3およびOC(C65)3(但しRは炭素数1〜20
の直鎖または分岐アルキル基、Arはフェニル基,置換
フェニル基,ベンジル基または置換ベンジル基)を示し
両者は同じでもよい。〕で表されるアザフタロ、フタロ
またはナフタロシアニン誘導体の少なくと1種と、 一般式(2)
[Wherein M 1 is a group IV metal selected from Si, Ge, and Sn, and Z 1 Z 2 Z 3 and Z 4 are nitrogen-containing aromatic compounds having one or more unsubstituted or monovalent substituents X] Ring, benzene ring, naphthalene ring, pyridine ring, X is 1 to 20 carbon atoms
Of the alkyl group, alkenyl group, alkylthio group, cycloalkylthio group, phenyl group, mono-substituted phenyl group, acyl group or tri-substituted silyl group of Y 1 and Y 2 are Ar and O.
R, OAr, OSi (R) 3 , OSi (OR) 3 , OSi (O
Ar) 3 and OC (C 6 H 5 ) 3 (where R is a carbon number of 1 to 20)
In the above formula, Ar is a phenyl group, a substituted phenyl group, a benzyl group or a substituted benzyl group), and both may be the same. ] At least one azaphthalo, phthalo or naphthalocyanine derivative represented by the general formula (2)

【0015】[0015]

【化4】 [Chemical 4]

【0016】〔式中Mは、遷移金属を、Z1,Z2,Z3
およびZ4は無置換または一価の置換基Xを1以上有す
るピリジン環,ベンゼン環またはナフタレン環を、Xは
炭素数1〜20のアルキル基,アルケニル基,アルキル
チオ基,芳香族炭化水素基(例えば、無置換フェニル
基,一置換フェニル基,二置換フェニル基があり、該置
換基としては−NO2,−NH2,−(CH2)n_1CH3
nは1〜5),アシル基またはトリ置換シリル基を示
す。〕で表される化合物の少なくとも1種とを含むこと
を特徴とする。
[Wherein M represents a transition metal, Z 1 , Z 2 , Z 3
And Z 4 represents a pyridine ring, a benzene ring or a naphthalene ring having one or more unsubstituted or monovalent substituents X, and X represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group, an alkylthio group, an aromatic hydrocarbon group ( For example, an unsubstituted phenyl group, monosubstituted phenyl group, there is disubstituted phenyl group, -NO 2 and the substituent group, -NH 2, - (CH 2 ) n_ 1 CH 3;
n represents 1 to 5), an acyl group or a tri-substituted silyl group. ] At least 1 sort (s) of the compound represented by these are included.

【0017】図1に本発明が用いる光記録媒体媒体の模
式側断面図を示す。光記録層11に用いる化合物が基板
上10上に固体膜を形成する際、分子間相互作用を阻害
することができる置換基が導入されており、更にその化
合物が分子の対称性を低下する化学構造を有する。具体
的には、アザフタロ、フタロまたはナフタロシアニン系
誘導体の芳香族環のπ電子がオーバーラップしないよう
な置換基、例えば、トリアルキルシロキシ基、フェノキ
シ基等を導入する。また、分子の対称性を低下させる化
学構造とは、フタロニトリル誘導体と2,3−ジシアノ
ナフタレン誘導体を同時にフタロ、ナフタロシアニンと
用いることにより、D4hの対称性を低下させることにあ
る。なお、図1においては光記録層11上に保護層12
が形成された場合を示す。
FIG. 1 shows a schematic side sectional view of an optical recording medium used in the present invention. A chemistry in which a substituent that can inhibit intermolecular interaction is introduced when the compound used for the optical recording layer 11 forms a solid film on the substrate 10, and the compound further reduces the symmetry of the molecule. Have a structure. Specifically, a substituent such as a trialkylsiloxy group or a phenoxy group that does not overlap the π electrons of the aromatic ring of the azaphthalo, phthalo or naphthalocyanine derivative is introduced. The chemical structure that reduces the symmetry of the molecule is to reduce the symmetry of D 4 h by simultaneously using the phthalonitrile derivative and the 2,3-dicyanonaphthalene derivative with phthalo and naphthalocyanine. In FIG. 1, the protective layer 12 is formed on the optical recording layer 11.
It shows the case where is formed.

【0018】上記光記録媒体は、記録光であるレーザー
光の照射により光記録層が融解、昇華または熱分解し気
化されることによりピットを形成して記録される。
The optical recording medium is recorded by forming pits when the optical recording layer is melted, sublimated, or thermally decomposed and vaporized by irradiation with laser light as recording light.

【0019】また本発明は、前記一般式(1),(2)
の混合物を溶媒に0.1〜5重量%溶解した溶液を用い
て、基板上にスピンナー塗布、スプレー塗布、浸漬塗布
等の方法により薄膜を形成し、次いで溶媒を除去するこ
とによって光記録層を容易に形成することができる。該
光記録層は従来の無機系記録層以上の耐久性(再生光安
定性)の優れた光記録媒体が得られ、また、無機系では
できないスピンコート法などによる生産性の優れた光記
録媒体の製法を提供することができる。
The present invention also relates to the above general formulas (1) and (2).
Using a solution of the mixture of 0.1 to 5% by weight dissolved in a solvent, a thin film is formed on a substrate by a method such as spinner coating, spray coating or dip coating, and then the solvent is removed to form an optical recording layer. It can be easily formed. As the optical recording layer, an optical recording medium having excellent durability (reproduction light stability) superior to that of the conventional inorganic recording layer can be obtained, and the optical recording medium having excellent productivity by the spin coating method or the like which cannot be obtained by the inorganic recording layer. Can be provided.

【0020】本発明において、一般式(1)のアザフタ
ロ、フタロ、ナフタロシアニン系誘導体と、熱クェンチ
ャーの作用を持つ一般式(2)の化合物との混合割合
は、前者1重量部に対して、後者0.01〜1.5重量部
が好ましい。特に、光記録層の反射率が20%以上とな
る混合比であることが望ましい。
In the present invention, the mixing ratio of the azaphthalo-, phthalo- or naphthalocyanine-based derivative of the general formula (1) and the compound of the general formula (2) having the action of a thermal quencher is 1 part by weight of the former. The latter 0.01 to 1.5 parts by weight is preferred. In particular, it is desirable that the mixing ratio is such that the reflectance of the optical recording layer is 20% or more.

【0021】前記熱クェンチャー作用を有する化合物
は、溶液状態でもπ電子のオーバーラッピングで会合体
を形成する。薄膜状態では、更に分子数が数個集まる会
合体ができ、記録層に分散して存在する。その結果、記
録層が光吸収後の励起状態から熱輻射が起こる過程で、
π電子のオーバーラッピングが起こってエネルギーレベ
ルが多く存在する熱クェンチャーへ熱の拡散が起こり、
熱安定性が向上される。また、会合している分子を膜の
中に分散させることにより、熱容量が大きくなるなどの
放熱効果も期待できる。
The compound having the thermal quencher action forms an aggregate by overlapping of π electrons even in a solution state. In the thin film state, an aggregate in which several molecules are gathered is further formed and exists in a dispersed state in the recording layer. As a result, in the process where heat radiation occurs from the excited state after the recording layer absorbs light,
π electron overlapping occurs and heat diffusion occurs to the heat quencher where there are many energy levels,
Thermal stability is improved. Further, by dispersing the associated molecules in the film, a heat dissipation effect such as an increase in heat capacity can be expected.

【0022】前記一般式(1)と(2)との好ましい組
合せとしては、ビス(トリブチロシロキシ)シリコン−
テトラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンとテトラ
(t−ブチル)銅ナフタロシアニン,ビス(トリエチル
シロキシ)シリコン−テトラ(トリメチルシリル)ナフ
タロシアニンとテトラ(t−ブチル)銅ナフタロシアニ
ン,ビス(トリブチロシロキシ)シリコン−テトラ(シ
クロヘキシルチオ)ナフタロシアニンとテトラ(t−ブ
チル)銅ナフタロシアニン,ビス(トリエチルシロキ
シ)シリコン−テトラ(シクロヘキシルチオ)ナフタロ
シアニンとテトラ(t−ブチル)銅ナフタロシアニン,
ビス(トリエチルシロキシ)シリコン−テトラ(t−ブ
チル)フタロシアニンとテトラ(t−ブチル)シリコン
−フタロシアニン,ビス(フェノキシ)シリコン−テト
ラ(t−ブチル)フタロシアニンとテトラ(t−ブチ
ル)シリコン−フタロシアニン、また、中心金属のシリ
コンをゲルマニウムとしたものでもよい。
A preferred combination of the above general formulas (1) and (2) is bis (tributyrosiloxy) silicon-
Tetra (trimethylsilyl) naphthalocyanine and tetra (t-butyl) copper naphthalocyanine, bis (triethylsiloxy) silicon-tetra (trimethylsilyl) naphthalocyanine and tetra (t-butyl) copper naphthalocyanine, bis (tributyrosiloxy) silicon-tetra (Cyclohexylthio) naphthalocyanine and tetra (t-butyl) copper naphthalocyanine, bis (triethylsiloxy) silicon-tetra (cyclohexylthio) naphthalocyanine and tetra (t-butyl) copper naphthalocyanine,
Bis (triethylsiloxy) silicon-tetra (t-butyl) phthalocyanine and tetra (t-butyl) silicon-phthalocyanine, bis (phenoxy) silicon-tetra (t-butyl) phthalocyanine and tetra (t-butyl) silicon-phthalocyanine, or Alternatively, the central metal silicon may be germanium.

【0023】また、光記録媒体の基板としては、塩化ビ
ニル樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルエーテル
ケトン樹脂、エポキシ樹脂、アリル樹脂、ポリイミド、
ポリアミドなどの熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂、あ
るいはシリコーン樹脂、ホスファゼン樹脂などの無機系
重合体、ガラス、SiO2、Si34、金属などを用
い、フィルム状、シート状、円筒状等に成形して用いら
れる。該基板は、信号の書き込みや読み出しを行うため
光の透過率が85%以上で光学的異方性の小さいものが
好ましい。
As the substrate of the optical recording medium, vinyl chloride resin, acrylic resin, polyolefin resin, polycarbonate resin, polyvinyl acetal resin, unsaturated polyester resin, vinyl ester resin, polystyrene resin, polyether sulfone resin, polyether ether are used. Ketone resin, epoxy resin, allyl resin, polyimide,
Thermoplastic or thermosetting resin such as polyamide, inorganic polymer such as silicone resin and phosphazene resin, glass, SiO 2 , Si 3 N 4 , metal, etc. can be used to make film, sheet, cylinder, etc. Used by molding. The substrate preferably has a light transmittance of 85% or more and a small optical anisotropy for writing and reading signals.

【0024】上記の基板上に形成される光記録層の膜厚
は20〜500nmの範囲であればよい。しかし、レー
ザー波長に対し、該記録層の吸収波長が僅かにずれる化
合物を含有する光記録層では、膜厚による反射率の干渉
効果が大きい。よって、反射率の大きくなる膜厚領域を
使用するのがよい。反射率が大きく、吸収率が小さい第
1干渉膜厚領域(30〜80nm)が望ましい。
The film thickness of the optical recording layer formed on the above substrate may be in the range of 20 to 500 nm. However, in the optical recording layer containing a compound whose absorption wavelength of the recording layer is slightly deviated from the laser wavelength, the interference effect of reflectance due to the film thickness is large. Therefore, it is preferable to use the film thickness region where the reflectance is large. A first interference film thickness region (30 to 80 nm) having a high reflectance and a low absorptance is desirable.

【0025】用いるレーザー光は、記録層の吸収波長に
応じてN2、He−Ne、Ar、色素、半導体等の各レ
ーザー光を選ぶことができる。光記録層がナフタロシア
ニン混合物では波長780〜830nmの半導体レーザ
ー、光記録層がアザフタロ、フタロシアニン混合物では
波長670〜780nmの半導体レーザーで記録再生す
ることができる。レーザーパワーは記録光が2〜5m
W、再生光が0.2〜1mWで行うことができる。ま
た、アザフタロ、フタロ、ナフタロシアニン混合物は基
板側からの反射率が20%以上となる混合比とするのが
よい。
As the laser light to be used, laser light of N 2 , He-Ne, Ar, dye, semiconductor or the like can be selected according to the absorption wavelength of the recording layer. Recording and reproduction can be performed with a semiconductor laser having a wavelength of 780 to 830 nm when the optical recording layer is a naphthalocyanine mixture, and with a semiconductor laser having a wavelength of 670 to 780 nm when the optical recording layer is azaphthalo and a phthalocyanine mixture. Laser power is 2-5m for recording light
W, reproduction light can be performed at 0.2 to 1 mW. The mixture ratio of azaphthalo, phthalo, and naphthalocyanine is preferably such that the reflectance from the substrate side is 20% or more.

【0026】また、前記光記録層は、通常のスピンコー
ティング,スプレーコーティングあるいはディップコー
ティング装置を用い基板上に薄膜を形成することにより
得られる。前記一般式(1)および一般式(2)で示さ
れる化合物を混合し、またはこれにバインダーを加える
などして溶媒中に溶解させたもの、あるいは分散させた
状態で塗布することができる。
The optical recording layer can be obtained by forming a thin film on the substrate using a usual spin coating, spray coating or dip coating apparatus. The compound represented by the general formula (1) or the general formula (2) may be mixed, or a binder may be added to the compound to be dissolved in a solvent, or may be applied in a dispersed state.

【0027】上記光記録媒体は、基板上に形成された光
記録層上にを保護層を形成することもできる。該保護層
としては、プラズマ処理して表面を改質した光記録層上
に有機高分子材料の塗膜を形成することが好ましい。該
保護層には耐摩耗性、耐熱性、耐水性等要求特性に従っ
てこれらを選択する。また、種類の異なる材料を用いて
該保護層を2層以上形成してもよい。これら保護層の特
性を改善するために架橋剤等を加えてもい。
In the above optical recording medium, a protective layer may be formed on the optical recording layer formed on the substrate. As the protective layer, it is preferable to form a coating film of an organic polymer material on the optical recording layer whose surface is modified by plasma treatment. These protective layers are selected according to required properties such as abrasion resistance, heat resistance and water resistance. Further, two or more protective layers may be formed by using different kinds of materials. A crosslinking agent or the like may be added to improve the properties of these protective layers.

【0028】上記保護層材料としては、ポリビニルアル
コール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリ
キトサン、ポリエチレングリコール等がある。また、乳
化重合によるラテックス、例えばポリメチルメタクリレ
ート、ポリエチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリスチレン、ポリメチルアクリレート等があ
る。これらは単独重合体,共重合体あるいはこれらの混
合物を用いることができる。
Examples of the material for the protective layer include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyvinylpyrrolidone, polychitosan and polyethylene glycol. Further, there are latexes by emulsion polymerization, such as polymethylmethacrylate, polyethylmethacrylate, polybutylmethacrylate, polystyrene and polymethylacrylate. These may be a homopolymer, a copolymer or a mixture thereof.

【0029】図2に本発明の光記録媒体を用いた光記録
再生装置の構成図を示す。光記録媒体(光ディスク)に
情報を記録再生するレーザー発振器を備えた光ヘッド
と、前記光記録媒体を回転させる回転手段(モータ)を
備えている。上記回転手段と前記光ヘッドを駆動制御す
るドライブ回路は、プロセッサにより指令を与える。該
プロセッサには外部情報を入力する入力手段と、前記プ
ロセッサから情報を出力する出力手段を備えている。
FIG. 2 shows a block diagram of an optical recording / reproducing apparatus using the optical recording medium of the present invention. An optical head having a laser oscillator for recording / reproducing information on / from an optical recording medium (optical disc) and a rotating means (motor) for rotating the optical recording medium are provided. A drive circuit for driving and controlling the rotating means and the optical head gives a command by a processor. The processor is provided with input means for inputting external information and output means for outputting information from the processor.

【0030】本発明の光記録媒体は再生時の線速度がC
D線速度であることから転送速度が大きく、その特徴を
活かして再生データを半導体メモリに一時保存するメモ
リ機機能を備えたものを提供することができる。
The optical recording medium of the present invention has a linear velocity of C during reproduction.
It is possible to provide the one having a memory device function of temporarily storing the reproduced data in the semiconductor memory by utilizing the characteristic that the transfer speed is high because of the D linear velocity.

【0031】また、図3に本発明の光記録再生装置の光
学系の構成図を示す。半導体レーザー1から照射された
レーザー光9はコロメータレンズ2、整形プリズム3に
よって整形され、偏光ビームスプリッター4を通り、λ
/4波長板6を通って光ディスク8に当たって反射され
る。その反射光が再びλ/4波長板6を通り、偏光ビー
ムスプリッター4によってディテクター5に到達する。
なお、偏光ビームスプリッター4は反射光が半導体レー
ザー源に戻ることを防止し、効率よくディテクター5に
導く役目をしている。
FIG. 3 is a block diagram of the optical system of the optical recording / reproducing apparatus of the present invention. A laser beam 9 emitted from the semiconductor laser 1 is shaped by a collimator lens 2 and a shaping prism 3, passes through a polarization beam splitter 4, and has a wavelength of λ.
It passes through the quarter wave plate 6 and hits the optical disc 8 to be reflected. The reflected light again passes through the λ / 4 wave plate 6 and reaches the detector 5 by the polarization beam splitter 4.
The polarization beam splitter 4 prevents the reflected light from returning to the semiconductor laser source and efficiently guides it to the detector 5.

【0032】[0032]

【作用】本発明の有機材料を光記録媒体とした記録再生
装置においては、記録時の線速度がCD線速度、再生時
の線速度は再生光で上記光記録媒体の記録層が劣化しな
い線速度で行うことにより、良好な記録再生特性を有す
る。
In the recording / reproducing apparatus using the organic material of the present invention as an optical recording medium, the linear velocity at the time of recording is a linear velocity at the CD, and the linear velocity at the time of reproducing is a line at which the recording layer of the optical recording medium is not deteriorated by the reproducing light. Good recording and reproducing characteristics can be obtained by performing at a speed.

【0033】これは、前記光記録層が一般式(1)の化
合物と前記一般式(2)の熱クェンチャーとして作用す
る化合物を含ませたことによってレーザー光に対して優
れた安定性を示すためである。
This is because the optical recording layer contains the compound of the general formula (1) and the compound of the general formula (2) that acts as a thermal quencher, and thus exhibits excellent stability against laser light. Is.

【0034】これによって例えば無機系材料では実現で
きなかった2.5mWと云うような低レーザーパワーで
書き込み、1mWと云うような再生光としては比較的大
きな再生光で読み出しが可能である。
As a result, it is possible to write with a low laser power of 2.5 mW, which could not be realized with an inorganic material, for example, and to read with a relatively large reproduction light of 1 mW.

【0035】また、CD−Rの有機記録媒体で問題とな
っていた光記録層の太陽光による劣化に対しても優れた
安定性を与えることができる。
Further, it is possible to provide excellent stability against deterioration of the optical recording layer due to sunlight, which has been a problem in the CD-R organic recording medium.

【0036】[0036]

【実施例】【Example】

〔実施例 1〕厚さ1.2mmのポリカーボネート基板
上にビス(トリブチルシロキシ)シリコン−テトラ(ト
リメチルシリル)ナフタロシアニンと銅テトラ−t−ブ
チルナフタロシアニンとを、重量比1:0.75で四塩
化炭素に溶解し、膜厚43nmの光記録層を形成し光記
録媒体とした。
[Example 1] Bis (tributylsiloxy) silicon-tetra (trimethylsilyl) naphthalocyanine and copper tetra-t-butylnaphthalocyanine were tetrachloride in a weight ratio of 1: 0.75 on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm. It was dissolved in carbon to form an optical recording layer having a film thickness of 43 nm and used as an optical recording medium.

【0037】得られた光記録媒体の光記録層の波長83
0nmにおける基板側からの反射率は32%であった。
前記光記録媒体上に波長830nmの半導体レーザーの
出力光を直径1.2μmのスポット径に集光し、線速度
1.3m/s,出力2.5mWで基板側から0.7MHz
の信号の書き込みを行った後、線速度2.0m/sで0.
5mWの再生光で読み取った。再生C/N比51dBで
あった。図4にC/N(Carrier to Noise rati
o)のレーザーパワー依存性を示す。無機系材料では書
き込み困難な低レーザーパワーの領域で良好なC/N値
を得た。
The wavelength 83 of the optical recording layer of the obtained optical recording medium
The reflectance from the substrate side at 0 nm was 32%.
The output light of a semiconductor laser having a wavelength of 830 nm is condensed on the optical recording medium to a spot diameter of 1.2 μm, and the linear velocity is 1.3 m / s and the output is 2.5 mW.
After writing the signal, the linear velocity was 2.0 m / s.
It was read with a reproduction light of 5 mW. The reproduction C / N ratio was 51 dB. Fig. 4 shows C / N (Carrier to Noise rati
The laser power dependence of o) is shown. Good C / N values were obtained in the region of low laser power where writing was difficult with inorganic materials.

【0038】〔実施例 2〕厚さ1.2mmのポリカー
ボネート基板にビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウ
ム−テトラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンと銅
テトラ−t−ブチルナフタロシアニンとを、重量比1:
0.8で四塩化炭素に溶解し、膜厚45nmの光記録層
を形成し光記録媒体とした。この光記録層の表面に窒素
プラズマを1分間照射すると接触角は32度に低下し
た。なお、上記窒素プラズマは、プラズマチャンバ(P
C−101L:ヤマト科学製)とプラズマ制御装置(R
FG−500A:ヤマト科学製)を用い、真空度0.2
Torr、出力200Wで行った。
Example 2 Bis (tributylsiloxy) germanium-tetra (trimethylsilyl) naphthalocyanine and copper tetra-t-butylnaphthalocyanine were mixed in a weight ratio of 1: 2 on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm.
It was dissolved in carbon tetrachloride at 0.8 and an optical recording layer having a film thickness of 45 nm was formed to obtain an optical recording medium. When the surface of this optical recording layer was irradiated with nitrogen plasma for 1 minute, the contact angle decreased to 32 degrees. In addition, the above-mentioned nitrogen plasma is a plasma chamber (P
C-101L: Yamato Scientific Co., Ltd. and plasma controller (R
FG-500A: manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd., and the degree of vacuum is 0.2.
Torr was performed at an output of 200W.

【0039】次に前記の光記録層上に2重量%ポリビニ
ルアルコール水溶液を滴下し、2000rpmで回転さ
せるスピンコート法で塗布し、室温乾燥して保護層を形
成した。得られたディスクの波長830nmにおける基
板側からの反射率は29%であった。
Then, a 2% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol was dropped on the optical recording layer, applied by a spin coating method rotating at 2000 rpm, and dried at room temperature to form a protective layer. The reflectance of the obtained disk from the substrate side at a wavelength of 830 nm was 29%.

【0040】また、前記光記録媒体上に波長830nm
半導体レーザーの出力光を直径1.2μmのスポット径
に集光し、線速度1.3m/s,出力3mWで基板側か
ら記録周波数0.7MHzの信号の書き込みを行った
後、線速度3.0m/sで0.5mWの再生光で読み取っ
たところ、再生C/N比52dBであった。無機系材料
では書き込み困難な低レーザーパワー領域で良好なC/
N値を得た。
A wavelength of 830 nm is formed on the optical recording medium.
The output light of the semiconductor laser is focused on a spot diameter of 1.2 μm, and a signal with a recording frequency of 0.7 MHz is written from the substrate side at a linear velocity of 1.3 m / s and an output of 3 mW, and then a linear velocity of 3. When read with 0.5 mW of reproducing light at 0 m / s, the reproducing C / N ratio was 52 dB. Good C / in the low laser power range where writing is difficult with inorganic materials
An N value was obtained.

【0041】〔比較例 1〕厚さ1.2mmのポリカー
ボネート基板にビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウ
ム−テトラ(オクチロオキシカルボニル)ナフタロシア
ニンを四塩化炭素に溶解し、膜厚53nmの光記録層を
形成し光記録媒体とした。得られた光記録媒体の光記録
層の波長830nmにおける基板側からの反射率は38
%であった。
Comparative Example 1 Bis (tributylsiloxy) germanium-tetra (octylooxycarbonyl) naphthalocyanine was dissolved in carbon tetrachloride on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm to form an optical recording layer having a thickness of 53 nm. It was used as an optical recording medium. The reflectance of the optical recording layer of the obtained optical recording medium from the substrate side at a wavelength of 830 nm is 38.
%Met.

【0042】また、前記光記録媒体上に波長830nm
の半導体レーザーの出力光を直径1.2μmのスポット
径に集光し、線速度1.3m/s,出力2mWで基板側
から記録周波数0.7MHzの信号の書き込みを行った
後、0.5mWの再生光で読み取ったところ、再生C/
N比42dBであった。しかし、線速度が記録時と同じ
なので、再生光により光記録層に熱劣化が生じ、C/N
比が低下した。
A wavelength of 830 nm is formed on the optical recording medium.
The output light of the semiconductor laser is focused to a spot diameter of 1.2 μm, and a signal with a recording frequency of 0.7 MHz is written from the substrate side at a linear velocity of 1.3 m / s and an output of 2 mW, and then 0.5 mW. When read with the playback light, playback C /
The N ratio was 42 dB. However, since the linear velocity is the same as during recording, the reproducing light causes thermal deterioration in the optical recording layer, and C / N
The ratio has dropped.

【0043】〔比較例 2〕厚さ1.2mmのポリカー
ボネート基板にビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウ
ム−テトラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンと銅
テトラ−t−ブチルナフタロシアニンとを、重量比1:
0.8で四塩化炭素に溶解し、膜厚45nmの光記録層
を形成し光記録媒体とした。得られた光記録媒体の光記
録層の波長830nmにおける基板側からの反射率は3
1%であった。
Comparative Example 2 Bis (tributylsiloxy) germanium-tetra (trimethylsilyl) naphthalocyanine and copper tetra-t-butylnaphthalocyanine were mixed in a weight ratio of 1: 2 on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm.
It was dissolved in carbon tetrachloride at 0.8 and an optical recording layer having a film thickness of 45 nm was formed to obtain an optical recording medium. The reflectance of the optical recording layer of the obtained optical recording medium from the substrate side at a wavelength of 830 nm is 3
It was 1%.

【0044】上記光記録媒体上に波長830nmの半導
体レーザーの出力光を直径1.2μmのスポット径に集
光し、線速度8.0m/s,出力9mWで基板側から0.
7MHzの信号の書き込みを行った後、0.5mWの再
生光で読み取ったところ、再生C/N比49dBであっ
た。しかし、線速度が記録時と同じなので再生光により
光記録層が劣化しC/N比が低下した。
The output light of a semiconductor laser having a wavelength of 830 nm was condensed on the above optical recording medium to a spot diameter of 1.2 μm, and the linear velocity was 8.0 m / s and the output was 9 mW from the substrate side.
When a signal of 7 MHz was written and read with a reproducing light of 0.5 mW, the reproducing C / N ratio was 49 dB. However, since the linear velocity was the same as that at the time of recording, the optical recording layer was deteriorated by the reproducing light and the C / N ratio was lowered.

【0045】〔実施例 3〕厚さ1.2mmのポリカー
ボネート基板上にビス(トリプロピルシロキシ)シリコ
ンーテトラ(シクロヘキシルチオ)ナフタロシアニンと
亜鉛テトラーtーブチルナフタロシアニンとを用い、こ
れに表1に示されている割合にて、四塩化炭素に溶解し
光記録層を形成した。
Example 3 Bis (tripropylsiloxy) silicon-tetra (cyclohexylthio) naphthalocyanine and zinc tetra-t-butylnaphthalocyanine were used on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm, as shown in Table 1. The optical recording layer was formed by dissolving in carbon tetrachloride.

【0046】表1には、色素の混合比、膜厚、波長83
0nmでの反射率も併記した。こうして作製した各媒体
について、波長830nmの半導体レーザーの出力光を
直径1.2μmのスポット系に集光し、線速度1.3m/
s、出力2.5mWで基板側から記録周波数0.7MHz
の信号の書き込みを行った。更に、線速度3.0m/s
で0.5mWの再生光を用いて各混合比で再生C/N比
を測定した。これらの結果を表1に示す。混合比が、
1:1.5を超えると反射率が20%以下となり、検出
できなかった。
Table 1 shows the mixing ratio of dyes, film thickness, and wavelength 83.
The reflectance at 0 nm is also shown. For each medium thus produced, the output light of a semiconductor laser with a wavelength of 830 nm was focused on a spot system with a diameter of 1.2 μm to obtain a linear velocity of 1.3 m /
s, output 2.5mW, recording frequency 0.7MHz from substrate side
I wrote the signal. Furthermore, linear velocity of 3.0 m / s
The reproducing C / N ratio was measured at each mixing ratio using 0.5 mW of reproducing light. The results are shown in Table 1. The mixing ratio is
When the ratio exceeds 1: 1.5, the reflectance becomes 20% or less and cannot be detected.

【0047】[0047]

【表1】 [Table 1]

【0048】〔実施例 4〕厚さ1.2mmのポリカー
ボネート基板上にビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニ
ウム−テトラ(t−ブチル)フタロシアニンとパラジウ
ムテトラ−t−ブチルフタロシアニンとを、重量比1:
0.8で四塩化炭素に溶解し、膜厚46nmの光記録層
を形成し光記録媒体とした。得られた光記録媒体の光記
録層の波長780nmにおける基板側からの反射率は3
1%であった。
Example 4 Bis (tributylsiloxy) germanium-tetra (t-butyl) phthalocyanine and palladium tetra-t-butylphthalocyanine were mixed on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm in a weight ratio of 1:
It was dissolved in carbon tetrachloride at 0.8 and an optical recording layer having a film thickness of 46 nm was formed to obtain an optical recording medium. The reflectance of the optical recording layer of the obtained optical recording medium from the substrate side at a wavelength of 780 nm is 3
It was 1%.

【0049】前記光記録媒体上に波長780nmの半導
体レーザーの出力光を直径1.0μmのスポット径に集
光し、線速度1.3m/s,出力3mWで基板側から0.
7MHzの信号の書き込みを行った後、線速度3.0m
/sで0.5mWの再生光で読み取ったところ、再生C
/N比49dBであった。
The output light of a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm was condensed on the optical recording medium to form a spot diameter of 1.0 μm, and the linear velocity was 1.3 m / s and the output was 3 mW from the substrate side.
After writing the 7MHz signal, the linear velocity is 3.0m.
When read with 0.5 mW playback light at / s, playback C
The / N ratio was 49 dB.

【0050】〔実施例 5〕厚さ1.2mmのポリカー
ボネート基板上にビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニ
ウム−テトラ(t−ブチル)フタロシアニンと銅テトラ
−t−ブチルフタロシアニンとを、重量比1:0.8で
四塩化炭素に溶解し、膜厚45nmの光記録層を形成し
光記録媒体とした。その後、実施例2同様にして保護膜
を形成した。得られた光記録媒体の光記録層の波長78
0nmにおける基板側からの反射率は29%であった。
Example 5 Bis (triethylsiloxy) germanium-tetra (t-butyl) phthalocyanine and copper tetra-t-butylphthalocyanine were mixed on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm in a weight ratio of 1: 0.8. Was dissolved in carbon tetrachloride to form an optical recording layer having a film thickness of 45 nm to obtain an optical recording medium. After that, a protective film was formed in the same manner as in Example 2. The wavelength 78 of the optical recording layer of the obtained optical recording medium
The reflectance from the substrate side at 0 nm was 29%.

【0051】前記光記録媒体上に波長780nmの半導
体レーザーの出力光を直径1.0μmのスポット径に集
光し、線速度1.3m/s,出力3mWで基板側から0.
7MHzの信号の書き込みを行った後、線速度3.0m
/sで0.5mWの再生光で読み取ったところ、再生C
/N比46dBであった。
The output light of a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm was condensed on the optical recording medium to a spot diameter of 1.0 μm in diameter, and the linear velocity was 1.3 m / s and the output was 3 mW.
After writing the 7MHz signal, the linear velocity is 3.0m.
When read with 0.5 mW playback light at / s, playback C
The / N ratio was 46 dB.

【0052】〔実施例 6〕厚さ1.2mmのポリカー
ボネート基板上にビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニ
ウム−テトラ(t−ブチル)フタロシアニンと亜鉛テト
ラ−t−ブチルフタロシアニンとを用い、これに表2に
示されている割合で四塩化炭素に溶解し光記録層を形成
した。
Example 6 Bis (triethylsiloxy) germanium-tetra (t-butyl) phthalocyanine and zinc tetra-t-butylphthalocyanine were used on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm, as shown in Table 2. An optical recording layer was formed by dissolving in carbon tetrachloride at the ratio shown.

【0053】表2には、色素の混合比、膜厚、波長78
0nmでの反射率も併記した。こうして作製した各媒体
について、波長780nmの半導体レーザーの出力光を
直径1.2μmのスポット系に集光し、線速度1.3m/
s、出力2.5mWで基板側から記録周波数0.7MHz
の信号の書き込みを行った。更に、線速度3.0m/s
で0.5mWの再生光を用いて各混合比で再生C/N比
を測定した。これらの結果を表2に示す。混合比が、
1:1.5を超えると反射率が20%以下となり、検出
できなかった。
Table 2 shows the mixing ratio of dyes, film thickness, and wavelength 78.
The reflectance at 0 nm is also shown. For each medium thus produced, the output light of a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was focused on a spot system with a diameter of 1.2 μm to obtain a linear velocity of 1.3 m /
s, output 2.5mW, recording frequency 0.7MHz from substrate side
I wrote the signal. Furthermore, linear velocity of 3.0 m / s
The reproducing C / N ratio was measured at each mixing ratio using 0.5 mW of reproducing light. The results are shown in Table 2. The mixing ratio is
When the ratio exceeds 1: 1.5, the reflectance becomes 20% or less and cannot be detected.

【0054】[0054]

【表2】 [Table 2]

【0055】〔実施例 7〕厚さ1.2mmのポリカー
ボネート基板上に表3に示す化合物の組合せで光記録層
を形成した。下記の化合物の混合比は1:0.5とし
た。
Example 7 An optical recording layer was formed on a polycarbonate substrate having a thickness of 1.2 mm by using the combination of compounds shown in Table 3. The mixing ratio of the following compounds was 1: 0.5.

【0056】(a) ビス(トリブチロシロキシ)シリコ
ン−テトラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンとテ
トラ(t−ブチル)銅ナフタロシアニン (b) ビス(トリエチルシロキシ)シリコン−テトラ
(トリメチルシリル)ナフタロシアニンとテトラ(t−
ブチル)銅ナフタロシアニン (c) ビス(トリブチロシロキシ)シリコン−テトラ
(シクロヘキシルチオ)ナフタロシアニンとテトラ(t
−ブチル)銅ナフタロシアニン (d) ビス(トリエチルシロキシ)シリコン−テトラ
(シクロヘキシルチオ)ナフタロシアニンとテトラ(t
−ブチル)銅ナフタロシアニン (e) ビス(トリエチルシロキシ)シリコン−テトラ
(t−ブチル)フタロシアニンとテトラ(t−ブチル)
シリコン−フタロシアニン (f) ビス(フェノキシ)シリコン−テトラ(t−ブチ
ル)フタロシアニンとテトラ(t−ブチル)シリコン−
フタロシアニン。
(A) Bis (tributyrosiloxy) silicon-tetra (trimethylsilyl) naphthalocyanine and tetra (t-butyl) copper naphthalocyanine (b) Bis (triethylsiloxy) silicon-tetra (trimethylsilyl) naphthalocyanine and tetra (t) −
Butyl) copper naphthalocyanine (c) bis (tributyrosiloxy) silicon-tetra (cyclohexylthio) naphthalocyanine and tetra (t
-Butyl) copper naphthalocyanine (d) bis (triethylsiloxy) silicon-tetra (cyclohexylthio) naphthalocyanine and tetra (t
-Butyl) copper naphthalocyanine (e) bis (triethylsiloxy) silicon-tetra (t-butyl) phthalocyanine and tetra (t-butyl)
Silicon-phthalocyanine (f) bis (phenoxy) silicon-tetra (t-butyl) phthalocyanine and tetra (t-butyl) silicon-
Phthalocyanine.

【0057】表3には、膜厚、波長780nmでの反射
率を示す。また、線速度1.3m/s、出力2.5mWで
基板側から記録周波数0.7MHzの信号の書き込みを
行った。更に、線速度3.0m/sで0.5mWの再生光
を用いて各混合比での再生C/N比を測定した。
Table 3 shows the film thickness and the reflectance at a wavelength of 780 nm. A signal with a recording frequency of 0.7 MHz was written from the substrate side at a linear velocity of 1.3 m / s and an output of 2.5 mW. Further, the reproduction C / N ratio at each mixing ratio was measured using reproduction light of 0.5 mW at a linear velocity of 3.0 m / s.

【0058】[0058]

【表3】 [Table 3]

【0059】[0059]

【発明の効果】本発明の光記録再生装置は、CD線速度
で記録し、再生時は記録時よりも速い線速度により再生
することにより光源のレーザーパワーの低い半導体レー
ザーを使用することができる。従って、低消費電力の光
記録再生装置を提供することができる。
The optical recording / reproducing apparatus of the present invention can use a semiconductor laser having a low laser power as a light source by recording at a CD linear velocity and reproducing at a linear velocity higher than during recording. .. Therefore, an optical recording / reproducing device with low power consumption can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】光記録媒体の構成を示す模式側断面図である。FIG. 1 is a schematic side sectional view showing a configuration of an optical recording medium.

【図2】記録再生装置の構成を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a configuration of a recording / reproducing apparatus.

【図3】記録再生装置の半導体レーザーを用いた光学系
の構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of an optical system using a semiconductor laser of a recording / reproducing apparatus.

【図4】C/Nのレーザーパワー依存性を示すグラフで
ある。
FIG. 4 is a graph showing laser power dependence of C / N.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体レーザー、2…コリメーターレンズ、3…整
形プリズム、4…偏光ビームスプリッター、5…ディテ
クター、6…1/4波長板、7…対物レンズ、8…ディ
スク、9…レーザー光、10…基板、11…光記録層、
12…保護層。
1 ... Semiconductor laser, 2 ... Collimator lens, 3 ... Shaping prism, 4 ... Polarization beam splitter, 5 ... Detector, 6 ... Quarter wave plate, 7 ... Objective lens, 8 ... Disk, 9 ... Laser light, 10 ... Substrate, 11 ... Optical recording layer,
12 ... Protective layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今関 周治 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 村尾 健二 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (72) Inventor Shuji Imaseki 4026 Kuji Town, Hitachi City, Hitachi, Ibaraki Prefecture, Hitachi Research Institute, Ltd. (72) Kenji Murao 4026 Kuji Town, Hitachi City, Ibaraki Prefecture, Hitachi Institute, Ltd. Hitachi Research Laboratory

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光記録層を有する光記録媒体に情報を光記
録再生するレーザ発振器を備えた光記録再生手段と、該
光記録媒体を回転させる回転手段と、前記光記録再生手
段および前記回転手段とを制御するドライブ回路と、該
ドライブ回路に指令を与えるプロセッサと、該プロセッ
サに情報を入力する入力手段と、前記プロセッサから情
報を出力する出力手段を備えた光記録再生装置であっ
て、前記光記録媒体の光記録層が熱クェンチャーを含む
有機記録層からなり、該光記録層の記録時の線速度がC
D(Compact Disk)線速度、再生時の線速
度が再生光により光記録層を劣化させない線速度で記録
再生されることを特徴とする光記録再生装置。
1. An optical recording / reproducing device having a laser oscillator for optically recording / reproducing information on / from an optical recording medium having an optical recording layer, a rotating device for rotating the optical recording medium, the optical recording / reproducing device and the rotating device. An optical recording / reproducing device comprising a drive circuit for controlling the means, a processor for giving a command to the drive circuit, an input means for inputting information to the processor, and an output means for outputting information from the processor, The optical recording layer of the optical recording medium is an organic recording layer containing a thermal quencher, and the linear velocity of the optical recording layer during recording is C
An optical recording / reproducing apparatus characterized in that the linear velocity of D (Compact Disk) and the linear velocity at the time of reproducing are recorded and reproduced at a linear velocity which does not deteriorate the optical recording layer by reproducing light.
【請求項2】前記光記録層が一般式(1) 【化1】 〔式中、M1はSi,Ge,Snから選ばれるIV族金属
を、Z123及びZ4は無置換または一価の置換基Xを
1以上有する含窒素芳香族環,ベンゼン環、ナフタレン
環、ピリジン環を、Xは炭素数1〜20のアルキル基,
アルケニル基,アルキルチオ基,シクロアルキルチオ
基,フェニル基,一置換フェニル基,アシル基またはト
リ置換シリル基を、Y1,Y2はAr,OR,OAr,O
Si(R)3,OSi(OR)3,OSi(OAr)3およびO
C(C65)3(但しRは炭素数1〜20の直鎖または分
岐アルキル基、Arはフェニル基,置換フェニル基,ベ
ンジル基または置換ベンジル基)を示し両者は同じでも
よい。〕で表されるアザフタロ、フタロまたはナフタロ
シアニン誘導体の少なくと1種と、 一般式(2) 【化2】 〔式中Mは、遷移金属を、Z1,Z2,Z3およびZ4は無
置換または一価の置換基Xを1以上有するピリジン環,
ベンゼン環またはナフタレン環を、Xは炭素数1〜20
のアルキル基,アルケニル基,アルキルチオ基,芳香族
炭化水素基,アシル基またはトリ置換シリル基を示
す。〕で表される化合物の少なくとも1種とを含むこと
を特徴とする請求項1に記載の光記録再生装置。
2. The optical recording layer has the general formula (1): [In the formula, M 1 is a group IV metal selected from Si, Ge and Sn, and Z 1 Z 2 Z 3 and Z 4 are nitrogen-containing aromatic rings having one or more unsubstituted or monovalent substituents X, benzene Ring, naphthalene ring, pyridine ring, X is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
An alkenyl group, an alkylthio group, a cycloalkylthio group, a phenyl group, a monosubstituted phenyl group, an acyl group or a trisubstituted silyl group, and Y 1 and Y 2 are Ar, OR, OAr, O
Si (R) 3 , OSi (OR) 3 , OSi (OAr) 3 and O
C (C 6 H 5) 3 ( where R is a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, Ar is a phenyl group, a substituted phenyl group, benzyl group or substituted benzyl group) both showed a may be the same. ] At least one azaphthalo, phthalo or naphthalocyanine derivative represented by the general formula (2) [Wherein M is a transition metal, Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 are pyridine rings having one or more unsubstituted or monovalent substituents X,
Benzene ring or naphthalene ring, X is 1 to 20 carbon atoms
Is an alkyl group, an alkenyl group, an alkylthio group, an aromatic hydrocarbon group, an acyl group or a tri-substituted silyl group. ] At least 1 sort (s) of the compound represented by these is included, The optical recording / reproducing apparatus of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
【請求項3】前記光記録層が基板上形成されており、か
つ、光記録層が保護層によって保護されていることを特
徴とする請求項1または2に記載の光記録再生装置。
3. The optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein the optical recording layer is formed on a substrate, and the optical recording layer is protected by a protective layer.
【請求項4】前記光記録層の反射率を20%以上とし得
る量のアザフタロ、フタロ、ナフタロシアニン誘導体が
光記録層中に含有されていることを特徴とする請求項2
または3に記載の光記録再生装置。
4. The optical recording layer contains an azaphthalo, phthalo, or naphthalocyanine derivative in an amount capable of making the reflectance of the optical recording layer 20% or more.
Or the optical recording / reproducing apparatus according to the item 3.
【請求項5】前記光記録層が、前記一般式(1)で示す
アザフタロ、フタロ、ナフタロシアニン誘導体1重量部
に対し、前記一般式(1)で示す化合物0.01〜1.5
重量部の割合で含まれていることを特徴とする請求項2
または3に記載の光記録再生装置。
5. The optical recording layer contains 0.01 to 1.5 parts of the compound represented by the general formula (1) with respect to 1 part by weight of the azaphthalo, phthalo, or naphthalocyanine derivative represented by the general formula (1).
3. The composition is contained in a ratio of parts by weight.
Or the optical recording / reproducing apparatus according to the item 3.
【請求項6】前記光記録層の膜厚が光の反射率の第1干
渉膜厚領域にあることを特徴とする請求項1〜6のいず
れかに記載の光記録再生装置。
6. The optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein the film thickness of the optical recording layer is in a first interference film thickness region of light reflectance.
【請求項7】前記光記録媒体が反射層を有していること
を特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光記録再
生装置。
7. The optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein the optical recording medium has a reflective layer.
【請求項8】再生データを一時保存する半導体メモリを
具備したことを特徴とする請求項1〜8に記載の光記録
再生装置。
8. The optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, further comprising a semiconductor memory for temporarily storing reproduction data.
【請求項9】強度が前記光記録媒体の記録面で記録時2
〜5mW、再生時0.2〜1mWであることを特徴とす
る請求項1〜8に記載の光記録再生装置。
9. An intensity of 2 when recording on the recording surface of the optical recording medium.
The optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein the optical recording / reproducing apparatus has a power of ˜5 mW and a power of 0.2-1 mW during reproduction.
【請求項10】前記記録再生用のレーザー光の発振波長
が600〜720nmあるいは780〜830nmであ
ることを特徴とする請求項9に記載の光記録再生装置。
10. The optical recording / reproducing apparatus according to claim 9, wherein the laser light for recording / reproducing has an oscillation wavelength of 600 to 720 nm or 780 to 830 nm.
【請求項11】前記記録層はレーザー光の照射により、
記録媒体上の前記光記録層を融解、昇華または分解し気
化することにより記録されることを特徴とする請求項1
〜10のいずれかに記載の光記録再生装置。
11. The recording layer is irradiated with laser light,
2. The recording is performed by melting, sublimating or decomposing and vaporizing the optical recording layer on a recording medium.
10. The optical recording / reproducing device according to any one of 10 to 10.
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