JPH05252016A - High frequency switch - Google Patents
High frequency switchInfo
- Publication number
- JPH05252016A JPH05252016A JP5029192A JP5029192A JPH05252016A JP H05252016 A JPH05252016 A JP H05252016A JP 5029192 A JP5029192 A JP 5029192A JP 5029192 A JP5029192 A JP 5029192A JP H05252016 A JPH05252016 A JP H05252016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- high frequency
- frequency switch
- drain
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は高周波の各種無線機、通
信機器、測定器等に用いられる高周波スイッチに関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency switch used in various high-frequency radio devices, communication devices, measuring instruments and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】高周波スイッチは高周波無線機、通信
機、さらには高周波測定機器等において、特に高周波伝
送信号の分岐、あるいは遮断用として一般に用いられ
る。2. Description of the Related Art A high-frequency switch is generally used in a high-frequency radio device, a communication device, a high-frequency measuring instrument, etc., especially for branching or blocking a high-frequency transmission signal.
【0003】たとえば、無線機においては代表的なもの
としてアンテナ部の送信、受信信号の切替としてよく使
用される。For example, in a wireless device, a typical one is often used for transmitting and receiving signals from an antenna section.
【0004】その構造としての一例を図10,図11に
示す。図10はダイオード型の高周波スイッチで、1は
PINダイオードである。バイアス回路としては、DC
遮断(カット)用のコンデンサ2とバイパスコンデンサ
3、高周波チョークコイル4、さらに抵抗素子5から構
成されている。An example of the structure is shown in FIGS. FIG. 10 shows a diode type high frequency switch, and 1 is a PIN diode. As the bias circuit, DC
It is composed of a cutoff capacitor 2, a bypass capacitor 3, a high frequency choke coil 4, and a resistance element 5.
【0005】この高周波スイッチはPINダイオード1
の順方向電流によって、内部抵抗が直線的に変化するこ
とを利用したもので、制御端子7にバイアスを供給する
ことにより信号の通過、遮断を行うものである。This high frequency switch is a PIN diode 1
This utilizes the fact that the internal resistance changes linearly by the forward current of (1), and supplies and biases a signal by supplying a bias to the control terminal 7.
【0006】また、図11はFETからなる高周波スイ
ッチを示すもので、構成としては、電界効果トランジス
タ(FET)8からなり、制御端子9をゲートに、入出
力端子をソース、ドレインに設け、前記ゲートにバイア
スを供給することによりスイッチ制御するものである。
7は抵抗である。FIG. 11 shows a high frequency switch composed of an FET, which is composed of a field effect transistor (FET) 8 having a control terminal 9 at the gate and input / output terminals at the source and drain. The switch is controlled by supplying a bias to the gate.
7 is a resistance.
【0007】この高周波スイッチはFET8のチャンネ
ル抵抗がゲートバイアスによって著しく変わることを利
用したもので、ソース、ドレイン間をスイッチングする
ために、ON状態では、制御端子に0Vを印加し、一
方、OFF状態ではFET8のしきい値電圧(負電圧)
以下の電圧を印加することにより動作を行う。This high-frequency switch utilizes the fact that the channel resistance of the FET 8 changes remarkably depending on the gate bias. In order to switch between the source and drain, 0V is applied to the control terminal in the ON state, while the OFF state is applied. Then the threshold voltage of FET8 (negative voltage)
The operation is performed by applying the following voltages.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記構成
では、ダイオード方式では伝送信号遮断時(スイッチO
FF)の所要減衰特性を得るためにダイオードに流す消
費電流として10mA程度必要とし、またデイアル・ゲ
ートFETでは消費電流は小さいものの、ゲート制御の
ため負電源を必要とするため実用上困難をきたす場合が
ある。さらに、信号を遮断するときの減衰量(アイソレ
ーション)は20〜30dBが限度であった。However, in the above configuration, the diode method is used when the transmission signal is cut off (switch O
In order to obtain the required attenuation characteristics of FF), the consumption current flowing through the diode is about 10 mA, and although the current consumption is small in the dual gate FET, the negative power supply is required for the gate control, which causes practical difficulties. There is. Further, the attenuation amount (isolation) when the signal is cut off is limited to 20 to 30 dB.
【0009】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、低消費電流で、かつ単一電源によって回路が実現で
き、しかも伝送信号遮断時に高減衰特性が得られること
を目的とするものである。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to realize a circuit with low current consumption and a single power source, and to obtain high attenuation characteristics when a transmission signal is cut off. ..
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明の第1の手段は、線路あるいは容量と線路から
なる共振器部と、GaAsのFETからなるデバイス部
とを有し、前記共振器を前記FETのオン抵抗をもつ二
端子(ドレイン、ソース)間に並列に接続した構成とす
る。A first means of the present invention for attaining this object comprises a line or a resonator part composed of a capacitance and a line, and a device part composed of a GaAs FET, The resonator is connected in parallel between two terminals (drain and source) having the ON resistance of the FET.
【0011】また、本発明の第2の手段は、GaAsの
FETをスイッチング素子として用い、かつスイッチン
グ素子と容量を直列に接続し、さらに線路からなる共振
器部と前記スイッチング素子と容量の直列回路が並列に
接続される構成とし、前記スイッチング素子を制御する
ことにより伝送路の信号の通過、遮断する高周波スイッ
チを提供するものである。The second means of the present invention is to use a GaAs FET as a switching element, connect the switching element and the capacitor in series, and further connect a resonator section formed of a line, the switching element and the capacitor in series circuit. Is connected in parallel, and a high-frequency switch for controlling passage of a signal in a transmission line by controlling the switching element is provided.
【0012】[0012]
【作用】本発明の上記構成により、ある目的とする周波
数に共振するように設計された線路からなる共振器は線
路のQ値(抵抗)に相当する減衰特性(トラップ)を持
つ、すなわちその線路を伝送路とする場合、そのトラッ
プの周波数の信号レベルはその減衰量だけ低下する。With the above-described structure of the present invention, the resonator constituted by the line designed to resonate at a desired frequency has an attenuation characteristic (trap) corresponding to the Q value (resistance) of the line, that is, the line. , The signal level at the trap frequency is reduced by the amount of attenuation.
【0013】本発明の第1の手段は、共振器がQ値(抵
抗)によって減衰量が変わることを利用し、前記共振線
路をFETのチャンネル抵抗(ドレイン、ソース間)部
に並列に接続し、デバイスへの所定のバイアスを供給す
ることにより、オン抵抗を制御、つまりは共振器のトラ
ップを発生、消去させることにより伝送信号の通過、遮
断するものである。The first means of the present invention utilizes the fact that the amount of attenuation of the resonator changes depending on the Q value (resistance), and the resonant line is connected in parallel to the channel resistance (between drain and source) of the FET. By supplying a predetermined bias to the device, the on-resistance is controlled, that is, the trap of the resonator is generated and erased to block or pass the transmission signal.
【0014】一方、本発明の第2の手段は、GaAsの
FETはFETのチャンネル抵抗がゲートバイアスによ
って著しく変わるため、スイッチ素子として用いる。前
記容量に直列に接続されるスイッチング素子としての、
GaAsのFETのチャンネル抵抗を利用し、前記容量
をFETのチャンネル抵抗をもつドレイン、ソースの何
れかに直列接続し、かつ、単一電源を使用するためにド
レインに制御端子を設け、所定のバイアスを供給するこ
とにより、オン抵抗を制御する。すなわち、FETのス
イッチング動作により、OFF状態の時は所定の周波数
に共振器のトラップを発生、信号は遮断される。また、
スイッチング素子がON状態のときは線路に並列に容量
が形成され、線路と容量の並列共振回路ができ共振トラ
ップは低域に移動し伝送路の信号は通過することとな
る。On the other hand, the second means of the present invention is to use a GaAs FET as a switch element because the channel resistance of the FET remarkably changes depending on the gate bias. As a switching element connected in series with the capacitor,
Utilizing the channel resistance of GaAs FET, the capacitor is connected in series with either the drain or the source having the channel resistance of FET, and a control terminal is provided on the drain to use a single power supply, and a predetermined bias is applied. To control the on-resistance. That is, due to the switching operation of the FET, a trap of the resonator is generated at a predetermined frequency in the OFF state, and the signal is blocked. Also,
When the switching element is in the ON state, a capacitance is formed in parallel with the line, a parallel resonant circuit of the line and the capacitance is formed, the resonance trap moves to a low range, and the signal of the transmission line passes.
【0015】[0015]
【実施例】(実施例1)以下、本発明の第1の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図1に本実施例の
全体回路図を示し、図2(a),(b)に制御電圧がO
FF時の高周波の等価回路とその伝送特性を示し、図3
(a),(b)に制御電圧がON時の高周波の等価回路
とその伝送特性を示している。(Embodiment 1) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an overall circuit diagram of this embodiment, and FIG. 2A and FIG.
Fig. 3 shows a high frequency equivalent circuit and its transmission characteristics during FF.
(A) and (b) show a high frequency equivalent circuit and its transmission characteristics when the control voltage is ON.
【0016】図1において、所要共振周波数をもつ共振
線路10と、DC遮断用の容量15からなる共振器部
と、ドレイン、ソース、ゲートの三端子をもつGaAs
を用いたFET11とからなり、ドレイン、ソース間に
共振線路10が並列に接続されている。また、容量1
7,18,19はバイパスコンデンサの働きをもち、さ
らに抵抗12,13,14はDCバイアス条件をつくる
ものである。In FIG. 1, a resonance line 10 having a required resonance frequency, a resonator portion composed of a DC blocking capacitor 15, and a GaAs having three terminals of a drain, a source and a gate.
And the resonance line 10 is connected in parallel between the drain and the source. Also, capacity 1
Reference numerals 7, 18, and 19 serve as a bypass capacitor, and resistors 12, 13, and 14 create a DC bias condition.
【0017】このGaAsのFET11のドレイン、ソ
ース間のオン抵抗の制御は、端子16によりON(5
V)/OFF(0V)動作によって行う。The on-resistance between the drain and the source of the GaAs FET 11 is controlled by turning on the terminal 16 (5
V) / OFF (0V) operation.
【0018】次に、図2,図3の等価回路とその伝送特
性について説明を行う。図2(a)は制御端子16に何
も印加しない電圧0V時の等価回路を示す。Next, the equivalent circuits of FIGS. 2 and 3 and their transmission characteristics will be described. FIG. 2A shows an equivalent circuit when a voltage of 0 V is applied to the control terminal 16 with nothing applied.
【0019】すなわち、制御電圧OFF時にはFET1
1は動作せずドレイン、ソース間の抵抗は極めて高い値
(高周波的にはハイ・インピーダンス)を示し、共振器
である線路10への影響は無く、図2(b)に示すCd
s、Cgs、Cgdの各端子間容量の合計容量と線路1
0とでつくられる共振トラップが伝送特性として形成さ
れる。That is, when the control voltage is OFF, FET1
No. 1 does not operate, and the resistance between the drain and the source shows an extremely high value (high impedance in high frequency), and there is no influence on the line 10 which is a resonator, and Cd shown in FIG.
s, Cgs, Cgd, the total capacitance between the terminals and the line 1
A resonant trap formed with 0 is formed as a transmission characteristic.
【0020】一方、図3(a),(b)は制御端子16
に電圧5Vを印加した時の等価回路とその伝送特性を示
す。On the other hand, FIGS. 3A and 3B show the control terminal 16
An equivalent circuit and its transmission characteristics when a voltage of 5 V is applied to the circuit are shown.
【0021】制御電圧ON時にはFET11はON動作
し、ドレイン、ソース間の抵抗値は有限(数10Ω〜数
100Ω)の値を示す。従って、共振器である線路10
に対して並列に抵抗が接続され、共振器の無負荷Q値は
低下し、トラップは発生せず図3(b)のように信号
は、そのまま入力、出力間を一定の伝送損失で通過す
る。When the control voltage is ON, the FET 11 is turned ON, and the resistance value between the drain and the source shows a finite value (several tens of Ω to several hundred Ω). Therefore, the line 10 that is a resonator
, A resistor is connected in parallel with it, the unloaded Q value of the resonator is reduced, traps do not occur, and the signal passes through the input and output with a constant transmission loss as shown in FIG. 3B. ..
【0022】以上の構成をとることによりFET単体に
よる高周波スイッチを構成するよりも共振器のもつ減衰
量分大きな信号の遮断(伝送信号のOFF)効果を持
ち、またGaAsのFETの特徴である広帯域化、低消
費電力化(1mA以下)、さらに単一電源にて実現でき
る経済的な手法を提供するものである。By adopting the above-mentioned configuration, the resonator has a larger signal attenuation (transmission signal OFF) effect by the amount of attenuation of the resonator than that of a high-frequency switch composed of a single FET, and a wide band characteristic of a GaAs FET. It provides an economical method that can be realized with a single power source and further reduced power consumption (1 mA or less).
【0023】(実施例2)以下、本発明の第2の実施例
について、図面を参照しながら説明する。(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0024】図4は本実施例における高周波スイッチの
回路図であり、図1と同一箇所には同一符号を記す。FIG. 4 is a circuit diagram of the high frequency switch according to the present embodiment. The same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.
【0025】すなわち、共振器とデバイス部は実施例1
と同様な構成をとり、本実施例ではデバイス部として、
シリコンバイポーラタイプのトランジスタ20を用いた
ものである。That is, the resonator and the device section are the same as those in the first embodiment.
Taking the same configuration as the above, as the device unit in this embodiment,
A silicon bipolar type transistor 20 is used.
【0026】すなわち、トランジスタ20のベースを接
地端子、コレクタ、エミッタを入出力端子とし、コレク
タに制御端子を設けてトランジスタのスイッチング動作
させる構成である。That is, the base of the transistor 20 is used as a ground terminal, the collector and the emitter are used as input / output terminals, and the collector is provided with a control terminal for switching operation of the transistor.
【0027】(実施例3)以下本発明の第3の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。(Embodiment 3) A third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0028】図5は本実施例における高周波スイッチの
回路図を示す。すなわち、共振器部とデバイス部は図1
と同様な構成をとり、さらに本実施例ではデバイス部の
ドレイン、ゲート間にトリマ21の可変容量素子を挿入
接続し、共振器部とデバイス部で制御電圧がOFF時に
発生されるトラップを前記トリマで周波数制御するもの
である。FIG. 5 shows a circuit diagram of the high frequency switch in this embodiment. That is, the resonator section and the device section are shown in FIG.
In the present embodiment, a variable capacitance element of a trimmer 21 is inserted and connected between the drain and gate of the device section, and a trap generated when the control voltage is turned off in the resonator section and the device section is used as the trimmer. The frequency is controlled by.
【0029】この可変容量素子を挿入接続することによ
り、共振線路部、あるいはデバイスのもつ、バラツキを
吸収することができる。By inserting and connecting this variable capacitance element, it is possible to absorb variations in the resonance line portion or the device.
【0030】(実施例4)以下本発明の第4の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。(Embodiment 4) A fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0031】図6に本実施例の全体回路図を示し、図7
(a),(b)は制御電圧をOFF時の高周波の等価回
路とその伝送特性を示し、図8(a),(b)は制御電
圧をON時の高周波の等価回路とその伝送特性を示して
いる。FIG. 6 shows an overall circuit diagram of this embodiment, and FIG.
8A and 8B show a high frequency equivalent circuit and its transmission characteristics when the control voltage is OFF, and FIGS. 8A and 8B show a high frequency equivalent circuit and its transmission characteristic when the control voltage is ON. Shows.
【0032】図6において、所要周波数の線路22から
なる第一の伝送線路と、ドレイン、ソース、ゲートの三
端子をもつGaAsを用いたFET23と前記FET2
3のドレインと容量24の直列回路からなる第二の伝送
線路とを具備し、前記第一、及び第二の伝送線路は並列
に接続されている。ここで25はRFCコイルであり、
また抵抗26,27はDCバイアス条件をつくるもので
ある。さらに端子28は、GaAsのFET23のドレ
イン、ソース間のオン抵抗を制御するもので、ON(H
IGH)/OFF(LOW)によってFET23のスイ
ッチング動作を行う。In FIG. 6, a first transmission line composed of a line 22 having a required frequency, a FET 23 using GaAs having three terminals of a drain, a source and a gate, and the FET 2 are provided.
3 and a second transmission line composed of a series circuit of a capacitor 24, and the first and second transmission lines are connected in parallel. Here, 25 is an RFC coil,
Further, the resistors 26 and 27 create a DC bias condition. Further, the terminal 28 controls the on-resistance between the drain and the source of the GaAs FET 23 and is turned on (H
The switching operation of the FET 23 is performed by (IGH) / OFF (LOW).
【0033】次に、図7,図8の等価回路を用いて動作
説明を行う。図7(a)は制御端子16に印加される電
圧が0V時の等価回路を示す。Next, the operation will be described with reference to the equivalent circuits shown in FIGS. FIG. 7A shows an equivalent circuit when the voltage applied to the control terminal 16 is 0V.
【0034】すなわち、制御電圧OFF時にはFET2
3は動作せず、ドレイン、ソース間のオン抵抗は極めて
高い値(高周波的にはハイ・インピーダンス)を示し、
共振器である線路22への影響は無く、線路22の単体
の共振トラップが伝送特性として形成される。That is, when the control voltage is OFF, FET2
3 does not work, the on-resistance between the drain and source shows an extremely high value (high impedance in high frequency),
There is no influence on the line 22 that is a resonator, and a single resonance trap of the line 22 is formed as a transmission characteristic.
【0035】従って、この伝送信号は共振トラップの減
衰量だけ減衰し、信号は遮断される。Therefore, this transmission signal is attenuated by the attenuation amount of the resonance trap, and the signal is blocked.
【0036】一方、図8(a)は制御端子に電圧5Vを
印加した時の等価回路を示す。制御電圧ON時にはFE
T22はON動作し、ドレイン、ソース間の抵抗値は有
限(数10Ω〜数100Ω)の値を示す。従って共振器
である線路22に対して並列に容量24が接続され、伝
送線路は線路22と容量24の並列回路が形成され、制
御電圧OFF時に発生していたトラップは低域へとシフ
トする。従って、伝送信号の周波数帯では減衰値は小さ
なものとなり、信号をそのまま入力、出力間を一定の伝
送損失で通過する。On the other hand, FIG. 8A shows an equivalent circuit when a voltage of 5 V is applied to the control terminal. FE when the control voltage is ON
T22 is turned on, and the resistance value between the drain and the source shows a finite value (several 10Ω to several 100Ω). Therefore, the capacitor 24 is connected in parallel to the line 22 which is a resonator, the transmission line forms a parallel circuit of the line 22 and the capacitor 24, and the trap generated when the control voltage is OFF shifts to the low range. Therefore, the attenuation value is small in the frequency band of the transmission signal, and the signal is input as it is and passes through the output with a constant transmission loss.
【0037】以上の構成をとることにより、FETある
いはダイオード単体による高周波スイッチを構成するよ
りも共振器のもつ減衰量分大きな信号の遮断効果を持
ち、またGaAsのFETの特徴である低消費電力化
(1mA以下)、さらに単一電源にて実現できる経済的
な手法を提供することができる。By adopting the above-mentioned structure, the effect of blocking a signal larger by the amount of attenuation of the resonator than that of a high-frequency switch composed of a single FET or diode is provided, and the low power consumption characteristic of the GaAs FET is realized. (1 mA or less), and an economical method that can be realized with a single power source can be provided.
【0038】(実施例5)以下、本発明の第5の実施例
について、図面を参照しながら説明する。(Fifth Embodiment) A fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0039】図9は本実施例における高周波スイッチの
回路図を示し、図6と同一箇所には同一符号を記してい
る。FIG. 9 shows a circuit diagram of the high frequency switch in this embodiment, and the same portions as those in FIG. 6 are designated by the same reference numerals.
【0040】共振器とデバイス部は、実施例4と同様な
基本構成をとり、本実施例ではデバイス部として、シリ
コンバイポーラタイプのトランジスタ29を用いたもの
である。The resonator and the device portion have the same basic structure as that of the fourth embodiment, and in this embodiment, the silicon bipolar type transistor 29 is used as the device portion.
【0041】すなわち、ベースを接地端子、コレクタ、
エミッタを入出力端子とし、コレクタに制御端子を設け
てトランジスタのスイッチング動作させる。That is, the base is connected to the ground terminal, the collector,
The emitter serves as an input / output terminal and the collector has a control terminal for switching operation of the transistor.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、線路から
なる共振器をデバイス部であるGaAsのFETのドレ
イン、ソース間に並列に接続することにより、容易に高
周波スイッチを構成することができ、しかもその制御が
単一の電源によって実現できるため、低消費電力で、か
つ高アイソレーションを得ることができる。As described above, according to the present invention, a high-frequency switch can be easily constructed by connecting a resonator formed of a line in parallel between the drain and source of a GaAs FET that is a device section. Moreover, since the control can be realized by a single power source, low power consumption and high isolation can be obtained.
【0043】また、本発明は、1/4波長あるいは1/
2波長の線路からなる共振器と、スイッチング素子と容
量の直列回路とを並列に接続することにより容易に高周
波スイッチを構成することができ、しかもその制御が単
一の電源によって実現できるため、低消費電力で、かつ
入出力間の高アイソレーションを得ることができる。The present invention also provides a quarter wavelength or 1 / wavelength.
A high-frequency switch can be easily configured by connecting in parallel a resonator composed of a line of two wavelengths and a series circuit of a switching element and a capacitor, and its control can be realized by a single power source, so that Power consumption and high isolation between input and output can be obtained.
【図1】本発明の第1の実施例における高周波スイッチ
の回路図FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency switch according to a first embodiment of the present invention.
【図2】(a)は同実施例の制御電圧OFF時の等価回
路図 (b)は同実施例の制御電圧OFF時の伝送特性図2A is an equivalent circuit diagram when the control voltage is OFF in the embodiment, and FIG. 2B is a transmission characteristic diagram when the control voltage is OFF in the embodiment.
【図3】(a)は同実施例の制御電圧ON時の等価回路
図 (b)は同実施例の制御電圧ON時の伝送特性図3A is an equivalent circuit diagram when the control voltage is ON in the embodiment, and FIG. 3B is a transmission characteristic diagram when the control voltage is ON in the embodiment.
【図4】本発明の第2の実施例における高周波スイッチ
の回路図FIG. 4 is a circuit diagram of a high frequency switch according to a second embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第3の実施例における高周波スイッチ
の回路図FIG. 5 is a circuit diagram of a high frequency switch according to a third embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第4の実施例における高周波スイッチ
の回路図FIG. 6 is a circuit diagram of a high frequency switch according to a fourth embodiment of the present invention.
【図7】(a)は同実施例の制御電圧OFF時の等価回
路図 (b)は同実施例の制御電圧OFF時の伝送特性図7A is an equivalent circuit diagram when the control voltage is OFF in the embodiment, and FIG. 7B is a transmission characteristic diagram when the control voltage is OFF in the embodiment.
【図8】(a)は同実施例の制御電圧ON時の等価回路
図 (b)は同実施例の制御電圧ON時の伝送特性図8A is an equivalent circuit diagram when the control voltage is ON in the embodiment, and FIG. 8B is a transmission characteristic diagram when the control voltage is ON in the embodiment.
【図9】本発明の第5の実施例における高周波スイッチ
の回路図FIG. 9 is a circuit diagram of a high frequency switch according to a fifth embodiment of the present invention.
【図10】従来のダイオードを用いた高周波減衰器の回
路図FIG. 10 is a circuit diagram of a conventional high frequency attenuator using a diode.
【図11】従来のFETを用いた高周波減衰器の回路図FIG. 11 is a circuit diagram of a high frequency attenuator using a conventional FET.
10 共振線路 11 FET 15 容量 16 制御端子 20 トランジスタ 21 トリマ 22 線路 23 FET 24 容量 29 トランジスタ 10 Resonance Line 11 FET 15 Capacitance 16 Control Terminal 20 Transistor 21 Trimmer 22 Line 23 FET 24 Capacitance 29 Transistor
Claims (5)
端子を接地端子に接続するとともに、ドレイン、ソース
端子をそれぞれ入力、出力端子とする電界効果トランジ
スタからなるデバイス部とで構成され、前記共振器部の
両端を前記デバイス部のドレイン、ソース間に並列接続
し、ドレイン端子に設けられたバイアス供給路によって
ドレイン、ソース間のオン抵抗を制御するように構成し
た高周波スイッチ。1. A resonator section composed of a two-terminal line, and a device section composed of a field effect transistor having a gate terminal connected to a ground terminal and having a drain terminal and a source terminal as input and output terminals, respectively. A high-frequency switch configured such that both ends of the resonator section are connected in parallel between a drain and a source of the device section, and an ON resistance between the drain and the source is controlled by a bias supply path provided at a drain terminal.
て、バイポーラタイプのトランジスタにより構成し、ベ
ース端子を接地端子に接続するとともにコレクタ、エミ
ッタ端子をそれぞれ入力、出力端子として接続した請求
項1記載の高周波スイッチ。2. The device section according to claim 1, wherein the field effect transistor is replaced by a bipolar type transistor, the base terminal is connected to the ground terminal, and the collector and emitter terminals are connected as input and output terminals, respectively. High frequency switch.
間に可変容量素子を挿入接続したことを特徴とする請求
項1記載の高周波スイッチ。3. A high frequency switch according to claim 1, wherein a variable capacitance element is inserted and connected between the drain and the gate of the field effect transistor.
ート端子を接地端子に接続するとともにドレイン、ソー
ス端子をそれぞれ入力、出力端子とするスイッチング素
子としての電界効果トランジスタとこれに直列に接続さ
れた容量からなる第二の伝送路とを具備し、前記第一の
伝送路と前記第二の伝送路とを並列に接続したことを特
徴とする高周波スイッチ。4. A first transmission line composed of a two-terminal line, a field-effect transistor as a switching element having a gate terminal connected to a ground terminal and having a drain terminal and a source terminal as input and output terminals, respectively, and a series thereof. A high-frequency switch, comprising: a second transmission line having a capacity connected to the first transmission line, wherein the first transmission line and the second transmission line are connected in parallel.
スタの代わりに、バイポーラタイプのトランジスタを用
い、ベース端子を接地端子に接続するとともにコレク
タ、エミッタ端子をそれぞれ入力、出力端子として接続
した請求項1記載の高周波スイッチ。5. The high frequency wave according to claim 1, wherein a bipolar type transistor is used as the switching element instead of the field effect transistor, and the base terminal is connected to the ground terminal and the collector and emitter terminals are connected as input and output terminals, respectively. switch.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5029192A JPH05252016A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | High frequency switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5029192A JPH05252016A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | High frequency switch |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05252016A true JPH05252016A (en) | 1993-09-28 |
Family
ID=12854810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5029192A Pending JPH05252016A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | High frequency switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05252016A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289228A (en) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | Microwave switch circuit |
US7468543B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method |
JP2009253800A (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | Millimeter waveband switch |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP5029192A patent/JPH05252016A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289228A (en) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | Microwave switch circuit |
US7468543B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method |
JP2009253800A (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | Millimeter waveband switch |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2947808B2 (en) | Variable attenuator | |
US5448207A (en) | Attenuator circuit apparatus | |
US5917362A (en) | Switching circuit | |
US6504449B2 (en) | Phase compensated switched attenuation pad | |
JPH10335901A (en) | Semiconductor switch | |
US5796286A (en) | Attenuation circuitry using gate current control of FET conduction to vary attenuation | |
JPH08130419A (en) | Amplifier and receiver and communication equipment with the amplifier | |
US5912599A (en) | Bandwidth compensated bridged-tee attenuator | |
JPH10242826A (en) | High frequency switch circuit | |
US4843354A (en) | Broad band microwave biasing networks suitable for being provided in monolithic integrated circuit form | |
JPH09284170A (en) | Antenna switch and switch power amplifier integrated semiconductor device | |
EP0601888B1 (en) | Variable gain RF amplifier with linear gain control | |
KR100471157B1 (en) | Antenna switching module having amplification function | |
US7030515B2 (en) | Individually biased transistor high frequency switch | |
CN113300682B (en) | Reconfigurable amplitude limiting and attenuation integrated circuit and working method thereof | |
US4908531A (en) | Monolithic active isolator | |
JPH05252016A (en) | High frequency switch | |
US7609128B2 (en) | Switch circuit | |
US20060145779A1 (en) | High frequency circuit | |
EP0438257A2 (en) | High frequency amplifier | |
JP3342791B2 (en) | High frequency single pole double throw switch | |
JP4526394B2 (en) | High frequency switch | |
JPH06104718A (en) | Semiconductor switching circuit | |
JP2002511225A (en) | Video recorder / reproducer device | |
JPH0779132A (en) | Variable attenuator |