JPH05251415A - Method and apparatus for surface treatment - Google Patents
Method and apparatus for surface treatmentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体などの材料表面
の超清浄化を行うための表面処理方法及びその装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment method and an apparatus for super-cleaning the surface of a material such as a semiconductor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体産業を初めとした先端分野
ではサブミクロン単位まで微細化が進み、それに伴なう
微細加工では、デバイスにダメージを与えることなく高
精細な加工が可能な、洗浄、デポンジション、エッチン
グなど各種表面処理技術が必要となっている。例えば、
洗浄技術においては、加工寸法の１０分の１程度の異物
の混入も許されないため、それにともなって超精密な洗
浄技術が不可欠となっている。これらの超精密な洗浄で
は、従来の溶剤や超音波洗浄だけでは不十分で、近年、
酸素と紫外光を用いた光洗浄技術は、分子レベルまでの
有機膜の除去が可能な為注目され実用化され始めてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, in the advanced fields such as the semiconductor industry, miniaturization has progressed to the sub-micron unit. With the accompanying microfabrication, it is possible to perform high-definition machining without damaging the device. Various surface treatment techniques such as deponsion and etching are required. For example,
With respect to the cleaning technology, it is not allowed to mix in foreign matters of about 1/10 of the processing size, and accordingly, ultra-precision cleaning technology is indispensable. With these ultra-precision cleaning, conventional solvents and ultrasonic cleaning are not enough.
The photocleaning technology using oxygen and ultraviolet light is drawing attention and is being put into practical use because it can remove organic films down to the molecular level.
【０００３】酸素（Ｏ2 ）−紫外光を利用した光洗浄で
は、低圧水銀ランプの１８５ｎｍ，２５４ｎｍの紫外光
が利用され、反応メカニズムとしては以下のようにな
る。In light cleaning using oxygen (O 2 ) -ultraviolet light, ultraviolet light of 185 nm and 254 nm of a low pressure mercury lamp is used, and the reaction mechanism is as follows.
【０００４】 ランプによる紫外光の発生（波長 １
８５ｎｍ，２５４ｎｍ） 紫外光によるオゾン，活性酸素の発生 ０3 ：オゾ
ン，０* ：活性酸素 Ｏ2 ＋ｈν（１８５ｎｍ）→Ｏ＋Ｏ←→Ｏ＋Ｏ2 →Ｏ3 Ｏ3 ＋ｈν（２５４ｎｍ）→Ｏ* ＋Ｏ2 ←→Ｏ＋Ｏ2 →Ｏ3 紫外光による化合物の結合切断、活性酸素との反応
による揮発生分子の生成、分解気化成分の除去 ｈν＋Ｏ* ＋Ｃn Ｈm Ｏx →Ｃ０2 ↑＋Ｈ2 Ｏ↑＋Ｏ2 ↑ （ここで、ｈνは波長１８５ｎｍ〜２５４ｎｍの光）こ
の方法は無溶媒、非接触で洗浄できるので、不純物汚染
が少ないなどの利点を有するほか、反応メカニズムから
除去物を気化して除去する為、パーティクル（異物）の
発生が少ないなどの長所がある。Generation of ultraviolet light by a lamp (wavelength 1
85 nm, 254 nm) Generation of ozone and active oxygen by ultraviolet light 0 3 : Ozone, 0 * : Active oxygen O 2 + hν (185 nm) → O + O ← → O + O 2 → O 3 O 3 + hν (254 nm) → O * + O 2 ← → O + O 2 → O 3 Bond breakage of compounds by ultraviolet light, formation of volatile molecules by reaction with active oxygen, removal of decomposed vaporized components hν + O * + C n H m O x → C0 2 ↑ + H 2 O ↑ + O 2 ↑ (Here, hν is light with a wavelength of 185 nm to 254 nm) This method has advantages such as less contamination of impurities because it can be washed without solvent and without contact, and in addition, the removed substance is vaporized and removed from the reaction mechanism. It has advantages such as less generation of particles (foreign matter).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の光洗浄
では、有機物など分解気化する成分の除去に限られ、金
属，無機物等気化しにくいものは除去できない。また、
有機物の除去についても、一般に除去速度が遅く、サブ
ミクロンオーダー以下の薄膜除去に用途が限られる。特
に、酸素と紫外光を利用した表面処理法は、基本的には
酸素原子の酸化作用を利用した処理法であるので、金属
表面の処理に用いた場合、有機物の除去とともに金属表
面を酸化して酸化膜が形成される結果絶縁性などの問題
が生じてしまうという欠点を有する。However, the above-mentioned optical cleaning is limited to the removal of components such as organic substances that decompose and vaporize, and cannot remove metals and inorganic substances that are difficult to vaporize. Also,
Also with respect to the removal of organic substances, the removal rate is generally slow, and the application is limited to the removal of thin films of submicron order or less. In particular, since the surface treatment method using oxygen and ultraviolet light is basically a treatment method utilizing the oxidizing action of oxygen atoms, when used for treating the metal surface, it removes organic substances and oxidizes the metal surface. As a result of the formation of an oxide film as a result, there is a drawback that problems such as insulation occur.
【０００６】これらの欠点を改善する方法として酸素の
かわりに水素を用いた水素（Ｈ2 ）−紫外光を利用した
光洗浄技術が考えられている。この水素−紫外光を用い
た光洗浄技術の例として特開昭６１−８７３３８に記載
されている。この特開昭６１−８７３３８記載の方法
は、加熱と紫外光でＳｉ水素化物を離脱させる方法であ
る。即ち、加熱して昇温しＳｉ原子を熱振動させ、ま
た、Ｓｉ表面の吸着によって生じたＳｉ水素化物とＳｉ
原子との原子間結合を紫外光で切断することでＳｉ水素
化物を解離させて洗浄するものである。この方法は、加
熱による熱的なダメージを与える可能性がある。そのた
め、この方法を用い得る範囲は限定されたものになる。As a method for improving these drawbacks, a photocleaning technique using hydrogen (H 2 ) -ultraviolet light in which hydrogen is used instead of oxygen is considered. An example of the photocleaning technique using this hydrogen-ultraviolet light is described in JP-A-61-87338. The method described in JP-A-61-87338 is a method of releasing Si hydride by heating and ultraviolet light. That is, the temperature is raised by heating to thermally oscillate Si atoms, and Si hydride and Si generated by adsorption on the Si surface
By breaking the interatomic bonds with the atoms with ultraviolet light, the Si hydride is dissociated and washed. This method may cause thermal damage due to heating. Therefore, the range in which this method can be used is limited.
【０００７】このように、水素（Ｈ2 ）−紫外光を利用
した光処理技術は現在研究開発途上であり、より良好な
方法が求められている。As described above, the photoprocessing technology utilizing hydrogen (H 2 ) -ultraviolet light is currently under research and development, and a better method is required.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の表面処理方法は、処理対象（シリコン基
板，ガラス，金属など）を水素雰囲気中に置き、水素分
子を解離させる紫外光を処理対象に照射することを特徴
とする。In order to solve the above problems, the surface treatment method of the present invention uses an ultraviolet light which dissociates hydrogen molecules by placing a treatment target (silicon substrate, glass, metal, etc.) in a hydrogen atmosphere. Is irradiated to the processing target.
【０００９】また、本発明の表面処理装置は、処理対象
が置かれた水素雰囲気のチャンバーと、水素分子を解離
させる紫外光を発生するとともに処理対象に照射する光
源とを備えることを特徴とする。The surface treatment apparatus of the present invention is characterized by comprising a hydrogen atmosphere chamber in which the object to be treated is placed, and a light source which generates ultraviolet light for dissociating hydrogen molecules and irradiates the object to be treated. .
【００１０】本発明の表面処理方法及び装置の紫外光の
光源については、波長２７０ｎｍ以下のエキシマレーザ
（ＫｒＦ（２４８ｎｍ），ＡｒＦ（１９３ｎｍ），Ｆ2
（１５７ｎｍ）のエキシマレーザなど）であることを特
徴としても良い。Regarding the ultraviolet light source of the surface treatment method and apparatus of the present invention, excimer lasers (KrF (248 nm), ArF (193 nm), F 2 having a wavelength of 270 nm or less are used.
(157 nm) excimer laser or the like).
【００１１】[0011]
【作用】本発明の表面処理方法及び装置では、水素中で
紫外光を照射することによって原子状の水素（Ｈ* ）が
発生し、この活性な原子状の水素が反応種として処理対
象の表面処理に用いられる。即ち、活性な原子状の水素
と、処理対象の表面に付着した有機物などが反応し、ま
た、紫外光によって反応が促進される。これによって処
理対象の表面付着物が分解気化し除去される。In the surface treatment method and apparatus of the present invention, atomic hydrogen (H * ) is generated by irradiation with ultraviolet light in hydrogen, and this active atomic hydrogen is used as a reactive species on the surface of the object to be treated. Used for processing. That is, active atomic hydrogen reacts with an organic substance or the like attached to the surface to be treated, and the reaction is accelerated by ultraviolet light. As a result, the surface deposits to be treated are decomposed and vaporized and removed.
【００１２】波長２７０ｎｍ以下のエキシマレーザを用
いる場合、原子状の水素の発生とともに光子エネルギー
の大きい紫外光の照射によって、より反応が活発になっ
て併用効果が伴う。In the case of using an excimer laser having a wavelength of 270 nm or less, the reaction becomes more active due to the generation of atomic hydrogen and the irradiation of ultraviolet light having a large photon energy, which brings about a combined effect.
【００１３】[0013]
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１には、本発明の表面処理方法を用いた装置の一実施
例が示されている。この装置は、エキシマレーザの光源
１２０と、試料片１１０が置かれたチャンバー１３０と
を有する。光源１２０には、活性な原子状の水素を発生
させる為に必要な光子エネルギーを有する波長２７０ｎ
ｍ以下のエキシマレーザ即ちＫｒＦ（２４８ｎｍ），Ａ
ｒＦ（１９３ｎｍ），Ｆ2 （１５７ｎｍ）などのエキシ
マレーザが用いられている。チャンバー１３０は、合成
石英またはＭｇＦ2 結晶でできたＵＶ透過窓１３０ａか
ら光源１２０の光を入射し、試料片１１０の表面に照射
されるようになっている。また、チャンバー１３０に
は、雰囲気ガスである水素Ｈ2 を導入するとともに内部
に溜ったガスを排気するようになっている。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an embodiment of an apparatus using the surface treatment method of the present invention. This apparatus has a light source 120 of an excimer laser and a chamber 130 in which a sample piece 110 is placed. The light source 120 has a wavelength of 270n having a photon energy necessary for generating active atomic hydrogen.
Excimer laser of m or less, that is, KrF (248 nm), A
Excimer lasers such as rF (193 nm) and F 2 (157 nm) are used. The chamber 130 is configured such that the light of the light source 120 is incident from the UV transmission window 130a made of synthetic quartz or MgF 2 crystal and is irradiated on the surface of the sample piece 110. Further, hydrogen H 2 as an atmospheric gas is introduced into the chamber 130, and the gas accumulated inside is exhausted.
【００１４】試料片１１０の表面における反応メカニズ
ムはつぎの反応式に示される。The reaction mechanism on the surface of the sample piece 110 is represented by the following reaction formula.
【００１５】 Ｈ2 ＋ｈν（２７０ｎｍ以下の紫外光）→Ｈ* （Ｈ* ：原子状の水素） Ｈ* ＋Ｃn Ｈm Ｏx →Ｃa Ｈb ＋Ｈ2 Ｏ↑＋ＣＯ2 ↑ 水素中で紫外光を照射することにより、上記のような原
子状の水素Ｈ* が発生し、これが活性である為に、表面
反応をし、また、紫外光によって表面反応が促進する。H 2 + hν (ultraviolet light of 270 nm or less) → H * (H * : atomic hydrogen) H * + C n H m O x → C a H b + H 2 O ↑ + CO 2 ↑ Ultraviolet light in hydrogen The above-mentioned atomic hydrogen H * is generated by irradiating with, and since it is active, it causes a surface reaction, and ultraviolet light accelerates the surface reaction.
【００１６】図１に示すような装置にて、試料片１１０
としてガラス片、金属片を用いて表面処理効果を調べ
た。表面の洗浄処理効果は、紫外線照射前、及び照射後
の純水との接触角θを比較する事により行なった。また
金属片についてはオージェ分析により表面の酸化状態も
あわせて測定した。このとき、ＫｒＦ，ＡｒＦなどのエ
キシマレーザ（ピークパワー５ＭＷ／ｃｍ2 ）の試料片
１１０でのエネルギー照射密度７５ｍＪ／ｃｍ2 で行っ
た。A sample piece 110 is prepared by using an apparatus as shown in FIG.
The surface treatment effect was investigated using glass pieces and metal pieces. The effect of surface cleaning treatment was performed by comparing the contact angles θ with pure water before and after irradiation with ultraviolet rays. For the metal pieces, the oxidation state of the surface was also measured by Auger analysis. At this time, the irradiation was performed with an energy irradiation density of 75 mJ / cm 2 on the sample piece 110 of an excimer laser such as KrF or ArF (peak power 5 MW / cm 2 ).
【００１７】図２，３はその結果を雰囲気ガスを比較し
て示したもので、図２は試料片１１０にガラス板を、図
３は金属板を用いたものである。これらの図からわかる
ようにガラス板、金属板とも紫外光照射時間の経過とと
もに、光洗浄効果による接触角の低下が見られる。ま
た、雰囲気ガスでは空気、純酸素に比べてＨ2 を使用し
た方がより著しい洗浄効果がみられた。また、アルミニ
ウム金属板を用いた光洗浄では、Ｏ2 −紫外光洗浄では
６０秒照射後では１０００Ａ°の酸化膜被膜の形成が見
られたが、Ｈ2 −紫外光洗浄ではほとんど酸化膜の形成
は見られず、紫外光照射前の表面状態を維持していた。
このように、良好な表面処理が行われている。FIGS. 2 and 3 show the results in comparison with the atmospheric gas. FIG. 2 shows the sample piece 110 using a glass plate and FIG. 3 using a metal plate. As can be seen from these figures, both the glass plate and the metal plate show a decrease in the contact angle due to the photocleaning effect with the passage of the ultraviolet light irradiation time. Further, in the atmosphere gas, more remarkable cleaning effect was observed when H 2 was used as compared with air and pure oxygen. Further, in the light cleaning using an aluminum metal plate, an oxide film coating of 1000 A ° was observed after irradiation for 60 seconds in the O 2 -ultraviolet light cleaning, but almost an oxide film was formed in the H 2 -ultraviolet light cleaning. Was not seen, and the surface condition before irradiation with ultraviolet light was maintained.
In this way, good surface treatment is performed.
【００１８】この方法は、還元性を有するＨ2 を利用し
た処理方法であるので、金属表面を酸化することが無
く、広く有機膜の除去に利用し得る。また、有機膜の除
去速度は酸素Ｏ2 よりも速く、また、酸素Ｏ2 の場合よ
りも解離エネルギーが高い為、酸素Ｏ2 ではエネルギー
的にできない分子結合の解離もできる為応用範囲が広い
ものになっている。Since this method is a processing method using H 2 having a reducing property, it can be widely used for removing the organic film without oxidizing the metal surface. Furthermore, the removal rate of the organic film is higher than that of oxygen O 2, In addition, since higher dissociation energy than the oxygen O 2, as the application range for dissociation may molecules can not be oxygen O 2 in the energetically coupled wide It has become.
【００１９】半導体工業においては、特にハロゲン化シ
リコンなどによるエピタキシャル技術が知られており、
またシラン系ガスの光分解プロセスも多く研究された例
がある。これらにおいて、光照射の果す役割は、ハロゲ
ンによる表面反応の補助的なものとなっている。即ち、
表面温度上昇効果やハロゲン化水素の分解を加速するこ
とによるもので、本発明のように、水素原子自体の結合
活性を直接利用してはいない。本発明では、水素が直接
紫外光によって分解され、活性水素原子として表面酸化
物の還元を行なっており、これが有効に作用しているの
である。In the semiconductor industry, in particular, an epitaxial technique using a silicon halide is known,
In addition, there are many examples in which the photolysis process of silane-based gas has been studied. In these, the role of light irradiation is an auxiliary to the surface reaction by halogen. That is,
This is due to the effect of increasing the surface temperature and accelerating the decomposition of hydrogen halide, and does not directly utilize the binding activity of the hydrogen atom itself as in the present invention. In the present invention, hydrogen is directly decomposed by ultraviolet light to reduce surface oxides as active hydrogen atoms, which effectively acts.
【００２０】水素分子を分解する際、プラズマグロー効
果を行うのはイオンも発生して表面ダメージないし荷電
も起すので好ましくない。本発明では、２７０ｎｍ以下
の波長のエキシマレーザー光により発生せしめた水素原
子源が充分強力な表面反応作用がなされることに立脚し
ており、半導体表面装置に極めて有効である。When decomposing hydrogen molecules, it is not preferable to perform the plasma glow effect because ions are also generated and surface damage or charge is caused. The present invention is based on the fact that the hydrogen atom source generated by the excimer laser light having a wavelength of 270 nm or less exerts a sufficiently strong surface reaction action, and is extremely effective for a semiconductor surface device.
【００２１】このように、本発明では、Ｈ2 は還元性を
有するために酸化などの問題を生じることが無いこと、
また原子状の水素（Ｈ* ）の場合、とり出しうるエネル
ギーは４３６ＫＪ／ｍｏ１，これに対してＯ* の場合は
１３９ＫＪ／ｍｏ１なのでＨ* の方がずっと活性であ
り、反応範囲が広いとともに反応速度も早く、洗浄効果
は大きいことが予想される。As described above, in the present invention, since H 2 has a reducing property, it does not cause a problem such as oxidation.
Also, in the case of atomic hydrogen (H * ), the energy that can be extracted is 436 KJ / mo1, whereas in the case of O * , it is 139 KJ / mo1, so H * is much more active, and the reaction range is wider and It is expected that the speed will be fast and the cleaning effect will be great.
【００２２】また、前述の従来技術の例では、使用する
紫外光が水素分子のＨ−Ｈ結合エネルギーを解離し、原
子状水素（Ｈ* ）を生成するに必要なエネルギー４３６
ｋｊ／ｍｏ１に対応する光子エネルギーを有する２７０
ｎｍ以下の波長の紫外光を利用しておらず十分な効果は
期待できない。Ｈｇ−Ｘｅランプなどの２００〜４２０
ｎｍの紫外光を利用した応用例が記述されているが、こ
れらのインコヒーレント光源では、レンズ等で集光した
としても照射面強度はｍＷ／ｃｍ2 〜Ｗ／ｃｍ2 レベル
で光洗浄光源としては不十分である。これに対し、本発
明では、エキシマレーザではＫｒＦ（２４８ｎｍ），Ａ
ｒＦ（１９３ｎｍ），Ｆ2 （１５７ｎｍ）と原子状水素
の生成に必要な光子エネルギを上回っており（２７０ｎ
ｍ以下の短波長の高エネルギーが必要）、また、照射面
強度もコヒーレント光源であるためにレンズ等で集光す
ることによってｋＷ／ｃｍ2 〜ＭＷ／ｃｍ2 が容易に得
られるため（インコヒーレント光源の１０5 〜１０8 オ
ーダーの高密度照射が可能）非常に有効である。Further, in the above-mentioned prior art example, the ultraviolet light used dissociates the H—H bond energy of the hydrogen molecule to generate the atomic hydrogen (H * ) energy 436.
270 with photon energy corresponding to kj / mo1
Since no ultraviolet light having a wavelength of nm or less is used, a sufficient effect cannot be expected. 200-420 such as Hg-Xe lamp
Although an application example using ultraviolet light of nm has been described, these incoherent light sources have an irradiation surface intensity of mW / cm 2 to W / cm 2 as a light cleaning light source even when condensed by a lens or the like. Is insufficient. On the other hand, in the present invention, the excimer laser uses KrF (248 nm), A
rF (193 nm), F 2 (157 nm) and the photon energy required for the production of atomic hydrogen are exceeded (270 n
m require less high-energy short wavelength), also because kW / cm 2 ~MW / cm 2 can be easily obtained by condensing by a lens or the like for the irradiation surface intensity coherent light source (incoherent (High-density irradiation of 10 5 to 10 8 orders of light source is possible) Very effective.
【００２３】本発明は前述の実施例に限らず様々な変形
が可能である。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but various modifications can be made.
【００２４】例えば、Ｈ2 雰囲気ガスとしては、Ｈ2 −
Ｎ2 （２５％−７５％）希釈ガスでもよいが特にＮ2 の
効果は無く、Ｈ2 単独の効果とみなせる。またＨ2 混合
ガスではＨ2 濃度が高いほど効果的となる為、純水素ガ
スが好ましい。また希釈ガスとしては不活性ガスとして
知られているＡｒ，Ｎｅなどの希ガスも使用できる。For example, as the H 2 atmosphere gas, H 2 −
N 2 (25% -75%) diluted gas may be used, but there is no particular effect of N 2 and it can be regarded as an effect of H 2 alone. Further, in the H 2 mixed gas, the higher the H 2 concentration is, the more effective it is. Further, a rare gas such as Ar or Ne, which is known as an inert gas, can be used as the diluent gas.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上の通り本発明の表面処理方法及び装
置によれば、活性な原子状の水素と紫外光によって処理
対象の表面付着物が分解気化し除去される。そのため、
処理対象やその表面にダメージを与えることなく乾式で
処理をすることができ、より良好な洗浄などを行うこと
ができる。As described above, according to the surface treatment method and apparatus of the present invention, the surface deposits to be treated are decomposed and vaporized and removed by active atomic hydrogen and ultraviolet light. for that reason,
It is possible to perform the dry treatment without damaging the treatment target or the surface thereof, and it is possible to perform better cleaning.
【図１】実施例の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment.
【図２】実施例の効果の比較のグラフ。FIG. 2 is a graph comparing the effects of the examples.
【図３】実施例の効果の比較のグラフ。FIG. 3 is a graph showing a comparison of the effects of the examples.
１１０…試料片，１２０…光源，１３０…チャンバー。 110 ... sample piece, 120 ... light source, 130 ... chamber.
Claims (4)
子を解離させる紫外光を前記処理対象に照射することを
特徴とする表面処理方法。1. A surface treatment method, wherein a treatment target is placed in a hydrogen atmosphere, and the treatment target is irradiated with ultraviolet light for dissociating hydrogen molecules.
下のエキシマレーザであることを特徴とする請求項１記
載の表面処理方法。2. The surface treatment method according to claim 1, wherein the ultraviolet light source is an excimer laser having a wavelength of 270 nm or less.
バーと、 水素分子を解離させる紫外光を発生するとともに前記処
理対象に照射する光源とを備えることを特徴とする表面
処理装置。3. A surface treatment apparatus comprising: a chamber in a hydrogen atmosphere in which an object to be treated is placed; and a light source which generates ultraviolet light for dissociating hydrogen molecules and irradiates the object to be treated.
下のエキシマレーザであることを特徴とする請求項３記
載の表面処理装置。4. The surface treatment apparatus according to claim 3, wherein the ultraviolet light source is an excimer laser having a wavelength of 270 nm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5063392A JPH05251415A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Method and apparatus for surface treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5063392A JPH05251415A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Method and apparatus for surface treatment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251415A true JPH05251415A (en) | 1993-09-28 |
Family
ID=12864374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5063392A Pending JPH05251415A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Method and apparatus for surface treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251415A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003055820A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Hideo Onuki | Method for adhering transparent articles and quartz glass plate prepared through adhesion and device using the same |
| WO2021241020A1 (en) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | ウシオ電機株式会社 | Reduction treatment method |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP5063392A patent/JPH05251415A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN115427609A (en) * | 2020-05-29 | 2022-12-02 | 优志旺电机株式会社 | Reduction treatment method |
| US20230211385A1 (en) * | 2020-05-29 | 2023-07-06 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Reduction treatment method |
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