JPH0524987B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0524987B2
JPH0524987B2 JP58173320A JP17332083A JPH0524987B2 JP H0524987 B2 JPH0524987 B2 JP H0524987B2 JP 58173320 A JP58173320 A JP 58173320A JP 17332083 A JP17332083 A JP 17332083A JP H0524987 B2 JPH0524987 B2 JP H0524987B2
Authority
JP
Japan
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layer
oxide
silver
thick
metal
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58173320A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5976534A (en
Inventor
Harii Haato Furederitsuku
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PIRUKINTON PLC
Original Assignee
PIRUKINTON PLC
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Filing date
Publication date
Application filed by PIRUKINTON PLC filed Critical PIRUKINTON PLC
Publication of JPS5976534A publication Critical patent/JPS5976534A/en
Publication of JPH0524987B2 publication Critical patent/JPH0524987B2/ja
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  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、低放射率コーテイングで被覆したガ
ラスまたはプラスチツクの透明基板、特に銀層と
その上に在る金属酸化物の抗反射酸化物層とを有
する低放射率銀コーテイングで被覆した透明基板
およびこのような被覆基板を陰極スパツターによ
つて製造する方法に関するものである。 低放射率銀コーテイングは知られており、従来
技術、例えば英国特許第1307642号明細書に記載
されている。この明細書には、ガラス基板と導電
性コーテイングとから成る導電性ガラス製品が記
載されており、3オーム/スクエア以下の電気抵
抗を与えるために抗反射層であるそれぞれ厚さ70
〜550オングストロームの一対の非吸収誘電材料
層の間に配置した厚さ200〜300Åの銀50%以上の
中間層を使用して、被覆ガラスの光透過率を増加
させている。この明細書には、10%までのクロ
ム、ニツケル、アルミニウムまたはチタン、ある
いは50%までの銅を銀層に混入することが提案さ
れており、銅の使用は、この明細書によれば、実
質的に銀から成るフイルムでは容易に得ることが
できない灰色の透過を与えると言われている。銀
または金属酸化物の堆積は陰極スパツターによつ
て行うことができると言われている。追加金属を
混入する銀層を形成するには、銀合金を蒸着させ
るか、または複数の金属元素を真空下に同時に蒸
着させる。 米国特許第4166876号明細書には、プラスチツ
ク基板上の2個の酸化チタン層の間にはさまれた
銀、金、銅、白金またはスズのような1個の金属
層を有するコーテイングが記載されている。この
特許は、下側の酸化チタン層が有機チタン化合物
から誘導されかつ残りの有機部分を含んでいる場
合には、樹脂基板に対する結合は積層構造物の透
明度の改善と共に著しく改善されることを教示し
ている。この明細書は、銀層がコーテイングの分
解傾向を減らす銅を1〜30%含むことができ、露
光が長引くとその光反射性を徐々に失わせること
があるが、銅含有銀層を真空蒸着によつて銀−銅
合金から堆積することができることを教示してい
る。 ヨーロツパ特許第0035906号明細書は、1個の
銀層が2個の金属酸化物層の間にはさまれている
コーテイングを記載している。金属酸化物層はス
パツター、イオンめつき、または真空蒸着によ
り、あるいは溶液から堆積することができる。こ
の特許は、コーテイングの長期耐久性を改善する
には、チタン、ジルコニウム、ケイ素、インジウ
ム、炭素、コバルトおよびニツケルから成る群か
ら選ばれた物質の薄層を銀層とその上にある金属
酸化物層との間に堆積する必要があることを教示
している。この明細書は、出来るかぎり、酸化物
に転化しないような条件下に物質を堆積する必要
があることを教示しており、上に在る金属酸化物
層をスパツターによつて堆積する際に、アルゴン
雰囲気下に酸化物源を用いてスパツターを行い、
これによつて物質の酸化をできる限り避けてい
る。 上記のような抗反射金属酸化物層の間にはさま
れた銀層から成る銀コーテイングは伝導率が高い
だけでなく、放射率が低い。すなわち、このよう
な銀コーテイングは入射する赤外線の大部分を反
射するが、短波赤外線および可視光線を透過す
る。このようなコーテイングを窓ガラス(または
ガラスの代りに用いたプラスチツク)上に使用す
ると、窓からの熱損失が小さくなり、これはエネ
ルギーコストが上昇する場合には熱コストを減ら
すためにますます望ましくなつてきている。不幸
にも、酸素の存在下で反応的スパツター法によて
銀層の頂面上に金属酸化物層から成るコーテイン
グを生成しようとする場合には、銀層の低放射率
の性質が失われ、生成物の光透過率が期待値より
著しく低くなることが見出された。 この難点は、金属酸化物層より前に銀とは別の
少量の金属を、追加金属が銀層の上部の上または
上部のなかに優先的に存在するようにスパツター
することによつて、本発明により解消することが
できる。 本発明は、低放射率コーテイングで被覆したガ
ラスまたはプラスチツクの透明基板を陰極スパツ
ターによつて製造するに当たり、 順次に、 (i) ガラスまたはプラスチツクの透明基板の上
に、5〜30nm厚さの銀層をスパツターし、 (ii) この銀層の上に、0.5〜10nm厚さの層に相当
する量の銀とは別の1種または複数種の追加金
属をスパツターし、 (iii) 該追加金属をスパツターしない場合には前記
基板上に生成するコーテイングの低放射率特性
が著しく失なわれる条件下に、前記銀および前
記追加金属の層の上に、酸素または酸化性ガス
の存在下で、1個または複数個の抗反射金属酸
化物層を反応的にスパツターする ことを特徴とする低放射率コーテイングで被覆し
た透明基板の製造方法を提供する。 従つて、本発明における追加金属の使用は、追
加金属をスパツターしない場合に生成物の高い光
透過率および低い放射率の性質が著しく失われる
条件下に、銀層上に1個または複数個の抗反射金
属酸化物層を反応的にスパツターすることを可能
にする。本発明方法では、有効かつ経済的な方法
によつて放射率が0.2以下で光透過率が70%以上
のコーテイングを製造することができる。さらに
本発明によれば、本発明に従つて被覆された放射
率が0.2以下で光透過率が70%以上の銀被覆ガラ
スまたはプラスチツク生成物を提供する。基板は
窓ガラスが好都合であり、好ましい生成物は放射
率が0.1以下で光透過率が75%以上、好ましくは
80%以上である。 銀の後に少量の1種または複数種の他の金属を
スパツターすると、劇的な放射率の増加と光透過
率の減少とが防止されるが、さもなければ次に反
応的スパツターによつて抗反射金属酸化物層を堆
積した際に放射率の増加と光透過率の減少とが起
ることを見出した。しかも、一度放射率の増大と
これに伴う光透過率の実質的な損失とを防止する
ために十分な追加金属が堆積すると、このような
追加金属の堆積によつてコーテイングの光透過率
が低下する。コーテイングの光透過率は一般にで
きるだけ高く維持するのが望ましく、従つて最大
可能な光透過率を有するコーテイングを得ると同
時にコーテイングの放射率を0.1の値に維持す
るのに丁度十分な1種または複数種の追加金属を
使用するのが好ましい。放射率と光透過率との望
ましい最適組合せを与えるのに必要な追加金属の
正確な分量は、堆積条件と共に変化するが、追加
金属とその下に在る銀層またはその上に在る酸化
物層との相互拡散がないと仮定すると、0.5〜10n
m厚さ、好ましくは1〜5nm厚さの金属層を与
えるのに十分な分量とする必要がある。特定の場
合には、使用される追加金属の最適量を、以下に
説明する簡単な試験によつて決定することができ
る。 勿論、追加金属はいずれもスパツターに適する
金属である必要があり、融点が50℃以上であり、
空気中で安定であり、導電性である必要がある。
好ましい金属は一般に遷移金属および周期表3a
〜5a族の金属(米国オハイオ州クリーブランド
所在のザ・ケミカル・ラバー・カンパニーによつ
て刊行されたハンドブツク・オブ・ケミストリ
ー・アンド・フイジクス(第50片)の第B−3頁
に記載されているような金属)であるが、空気中
で安定で、50℃以上で融解し、導電性である他の
金属を所望に応じて使用することができる。 特に、追加金属として、上に在る抗反射金属酸
化物層を反応的スパツターする間に、酸化されて
金属酸化物、好ましくは無色の金属酸化物(すな
わちスペクトルの可視部で光を吸収しない金属酸
化物)例えばアルミニウム、チタンおよびジルコ
ニウムを用いると、良い結果が得られる。無色の
金属酸化物に酸化される金属を用いた場合には、
この金属の使用量を増加しても、着色した金属、
例えばあまり容易に酸化されない銅および金を用
いる場合より、生成物の光透過率に及ぼず影響は
小さい。金属が酸化物を生成する傾向は、金属酸
化物生成の自由エネルギーに依存する。容易には
酸化されない銅を用いて得られる意外な程良好な
結果を別にすれば、その酸化物が0℃にて酸素1
グラムモル当り−100000カロリー(酸化物生成の
標準遊離エネルギーの値については、例えば、ア
ジソン−ウエスリー・パプリシング・カンパニ
ー・インコーポレーテツド刊行、ジヨン・エフ・
エリオツトおよびモリ・グライサー著、「製鋼の
熱化学(Thermochemistry for Stellmaking)」
第1巻、1960年の第3.3図を参照されたい)よ
り負である金属を用いると、最良の結果が得られ
た。しかし、無色の金属酸化物に酸化されるチタ
ンのような金属を使用した場合でも、生成物の光
透過率を最大にするために厚さ5nm未満の金属
層(銀層およびその上に在る抗反射金属酸化物層
については金属の酸化および相互拡散がないと仮
定する)を与えるのに十分な金属量を用いるのが
一般に好ましい。 好ましい金属の他の例としては、ビスマス、イ
ンジウム、鉛、マンガン、鉄、クロム、ニツケ
ル、コバルト、モリブデン、タングステン、白
金、金、バナジウムおよびタンタルおよびこれら
の金属の合金、例えばステンレス鋼(Fe/Cr/
Ni)および黄銅(Cu/Zn)がある。 十分な分量の銀を堆積して5〜30nmの厚さの
層を与える。一般に、銀層の厚さが厚い程、放射
率は低くなるが、全光透過率も低くなる。20nm
より厚い厚さは一般に導電用途および低放射率コ
ーテイングにのみ必要であり、一般に20nm未満
の厚さ、好ましくは8〜15nmの厚さの銀層を用
いる。 銀層上の抗反射金属酸化物層は、可視光の吸収
が小さい金属酸化物から成るのが好ましく、例え
ば、酸化スズ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化イン
ジウム、酸化スズをドープした)酸化インジウ
ム、酸化ビスマスまたは酸化ジルコニウムから構
成することができる。酸化スズ、酸化チタン、酸
化インジウム、酸化スズをドープした酸化インジ
ウム、酸化ビスマスおよび酸化ジルコニウムが好
ましい。この理由は、これらが与える抗反射性の
ほかに、耐久性が良好で、機械的損傷からある程
度保護された銀層を与えるのに役立つからであ
る。使用する抗反射層の厚さは、使用した特定の
金属酸化物および所望の生成物の色に依存する
が、通常は10〜80nm、特に20〜60nmの範囲内
にある。所望に応じて、単一の金属酸化物層の使
用する代りに、異なる金属酸化物の層を2層以上
逐次設けて全体の厚さを同じように、すなわち、
普通10〜80nm、特に20〜60nmにすることがで
きる。 所望に応じて、銀層の前に、抗反射層をガラス
にスパツターして生成物の光透過率を増加させる
ことができる。抗反射層を銀層の下に堆積する場
合には、この抗反射層を金属酸化物層、例えば銀
層上の抗反射層として用いるための上述した金属
酸化物のいずれかとするのが好都合である。この
下層は、抗反射層としてだけでなく、プライマー
層として作用してガラスに対する銀層の接着を改
善する。通常、厚さは10〜80nm、特に20〜60n
mであるが、特別な場合には、使用する厚さは選
ばれた金属酸化物、および生成物に望まれる色そ
の他の性質に依存する。所望に応じて、銀層の下
に抗反射層を2層以上逐次設けて抗反射層の全体
の厚さを同じように、すなわち、普通10〜80n
m、特に20〜60nmにすることができる。 好適例においては、本発明は低放射率コーテイ
ングで被覆したガラスの透明基板を陰極スパツタ
ーによつて製造する方法を提供し、この方法では (a) ガラス基板の上に、酸素または酸化性ガスの
存在下で、スズの反応性スパツターによつて30
〜50nm厚さのSnO2の抗反射層を堆積し; (b) 前記抗反射層の上に8〜12nm厚さの銀層を
スパツターし; (c) 前記銀層の上に1〜5nm厚さの銅層に相当
する量の銅をスパツターし;次いで (d) このようにして形成したコーテイング上に、
酸素または酸化性ガスの存在下で、スズの反応
的スパツターによつて30〜50nm厚さのSnO2
抗反射率層を堆積する。 銀層の後に堆積した追加金属がコーテイングの
性質の低下をどのようにして防ぐかは知られてい
ない。可能性のひとつは、上に在る抗反射金属酸
化物層を反応的にスパツターする際に銀の酸化を
防ぐ効果を追加金属が有していることであり、あ
るいはまた、金属酸化物層の堆積に使用する酸化
条件下で、銀が凝集する傾向があり、その結果銀
層が不連続となるが、銀層表面に存在する追加金
属がこの傾向を妨げることが考えられる。しか
し、下に在る抗反射金属酸化物層中の酸素によつ
て銀が侵されないようにするために、どのような
対応する手段を用いる必要があるかは明らかでな
い。 生産量を多くするために、スパツタープロセス
を磁気的に高めることができ、本発明の方法は、
金属層および金属酸化物層を磁気的に高めたスパ
ツターによつて堆積するプロセスにおいて特に有
利である。このような磁気的に高めたスパツター
では、磁気的に高められていないスパツタープロ
セスにおけるより一般に、条件が厳しく、また銀
層の劣化を生じるようである。 本発明方法によつて生成したコーテイングのオ
ージエ電子分光分析法による試験から、追加金属
は、分離層として銀層の頂面上に堆積するのでは
なく、銀層の上部に集中してはいるが銀層全体に
分散することができ、また銀層の上面に広がるこ
とができることが分つた。ある場合には、これは
追加の酸素と結合していることであり、すなわ
ち、少なくとも部分的に、金属酸化物として存在
することがある。 従つて、本発明のさらに他の面によれば、低放
射率コーテイングで被覆したガラスまたはプラス
チツクの透明基板において、 透明基板上に、順次に、 (a) 5〜30nm厚さの銀層、 (b) 全量で0.5〜10nm厚さの金属層に相当する1
種または複数種の追加金属であつて、前記銀層
中に不均一に分散しており、前記銀層中の追加
金属の濃度が前記銀層の上半分において最大に
なつている追加金属、および (c) 抗反射金属酸化物層 から成る低放射率コーテイングを有する ことを特徴とする低放射率コーテイングで被覆し
た透明基板を提供する。 好適例においては、本発明の低放射率コーテイ
ングで被覆したガラス基板は、ガラス基板上に、
順次に、 (a) 30〜50nm厚さのSnO2の抗反射層、 (b) 8〜12nm厚さの銀層、 (c) 1〜5nm厚さの銅層を与えるのに十分な銅
であつて、前記銀層中に分散しており、前記銀
層中の銅の濃度が銀層の上半分において最大に
なつている銅、および (d) 30〜50nm厚さのSnO2の抗反射層 から成る低放射率コーテイングを有する。 特に良好な放射率および光透過率の性質を有す
る生成物においては、1種または複数種の追加金
属は銀層中に完全には分散していないが、銀層の
上面の全体にわたつて広がつている。ある場合に
は、1種または複数種の追加金属は、少なくとも
一部分に、金属酸化物として存在する。 本明細書中に示した光透過率の値は、シー・ア
イ・イー・イリユーミナント・シー・ソースから
の光透過率の値である。ここに示した放射率の値
は次式を適用することにより得られたものであ
る。 放射率ε=∫∽/0eλB(λ、T)dλ/∫∽/0B(λ
、T)dλ 上式において、 eλ=スペクトル放射力 B(λ、T)=300〓における黒体スペクトルのエ
ネルギー分布 以下に、本発明を実施例について説明する。 実施例 1 コーテイングするために厚さ4mmの一枚のフロ
ートガラスを洗浄、乾燥することにより準備し、
インライン・デイー・シー・平面マグネトロンス
パツター装置に載せた。 2.5×10-3トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰
囲気の存在下でスズ陰極からガラス表面上に、酸
化スズ(SnO2)を反応的にスパツターして、40n
m厚さの酸化スズ層を与えた。次いで、3.0×
10-3トル(4.1×10-3g/cm2)にてアルゴン雰囲
気の存在下で銀陰極から酸化スズ上に、厚さ10n
mの銀層をスパツターした。さらに、2.5×10-3
トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰囲気の存在
下でスズ陰極から銀層上に、厚さ40nmの酸化ス
ズ層を反応的にスパツターした。生成物の光透過
率は55%であり、放射率は0.9であつた。 本発明に従つて、銀層をスパツターした直後
に、3.0×10-3トル(4.1×10-3g/cm2)にてアル
ゴンの存在下で銅陰極から銀層上に、厚さ1.6nm
の銅層に相当する量の銅をスパツターした以外
は、上述の操作を繰り返した。次いで、銅の直後
に、上述の実験と同じ条件下に同じ時間、2.5×
10-3トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰囲気の
存在下で、スズ陰極から第2酸化スズ層を反応的
にスパツターした。この場合には、生成物の光透
過率は79%であつた。被覆した生成物の放射率は
0.06であつた。光透過率の高い低放射率の生成物
を生成する際の銅の影響は明らかである。 銅を混入した生成物をオージエ電子分光分析法
によつて分析し、その結果を第1図に示した。オ
ージエ分析では、電子ビーム(主ビーム)を分析
すべき表面に向け、表面から放射される二次電子
のエネルギースペクトルを調べることによつて、
表面に存在する元素の特性を求め、定量した。次
いで、表面の原子層をアルゴンイオンエツチング
によつて除去して表面下(sub−surface)原子を
露出させ、その後に上述のように特性を求め、定
量した。エツチングおよび分析の工程を繰り返し
て、所要の深さ(この場合、コーテイングの厚
さ)までの表面層の組成分布を作成した。第1図
に示すX軸に沿つてプロツトしたスパツター時間
すなわちイオンエツチング時間は、コーテイング
表面からの深さの概略の尺度であるが、異なる物
質は異なる速度で除去されるので、この時間はコ
ーテイングの深さとは直線関係にない。除去され
た物質の濃度を、原子%で、X軸にプロツトし
た。 コーテイングの表面では(すなわち、エツチン
グによる除去が始まる際に)、コーテイングの組
成は実質的にSnO2に相当する。スペクトルは、
中央の大きなピークが銀層を示し、銀ピーク内の
著しく低いピークが銀層中に分散している銅を示
す。また、銅の最大濃度約20原子%は、80秒後に
生じ、銀層の上半分内にあることが分る。しか
も、少量の銅は明らかに銀層の上に在る、すなわ
ち、銅は55秒後に検出されるが、銀は65秒後まで
検出されない。銀層の上に少量の銅が存在するの
が望ましく、これにより性質が改善される。約95
秒後に、除去された物質は主としてSnO2である。
約150秒後に、若干のシリコンが検出されるが、
これはおそらくガラス表面から得られたものと思
われる。 上述のプロセスで使用した種々の物質にはかな
りのオーバーラツプが認められる。これはコーテ
イングにおけるイオン拡散の結果であると思われ
るが、試料をインラインスパツター装置に準備し
て隣接陰極を同時に作動させるので、若干のオー
バーラツプが堆積に生じることがある。 実施例 2 上述と同じスパツター時間および条件を使用
し、銅の堆積量を変えて、銅の堆積を含む上述の
操作を繰り返した。3.2nm厚さの銅層に相当する
量の銅をスパツターした場合には、最終生成物の
光透過率は75%であり、放射率は0.16であつた。
1.0nm厚さの銅層に相当する量の銅をスパツター
した場合には、生成物の光透過率は79%であり、
放射率は0.12であつた。 実施例 3 コーテイングするために厚さ4mmの一枚のフロ
ートガラスを洗浄、乾燥することにより準備し、
インライン・デイー・シー・平面マグネトロンス
パツター装置に載せた。 2.5×10-3トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰
囲気の存在下でスズ陰極からガラス表面上に、酸
化スズを反応的にスパツターして、30nm厚さの
酸化スズ層を与えた。次いで、2.5×10-3トル
(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰囲気の存在下で酸
化スズ層上に、酸化亜鉛を反応的にスパツターし
て、15nm厚さの酸化亜鉛層を与えた。次いで、
3.0×10-3トル(4.1×10-3g/cm2)にてアルゴン
雰囲気の存在下で銀陰極から酸化亜鉛層上に、
10nm厚さの銀層をスパツターし、2.5×10-3トル
(3.4×10-3g/cm2)にてアルゴンの存在下で銅陰
極から銀層上に、3.2nm厚さの銅層に相当する量
の銅をスパツターした。最後に、それぞれ15nm
厚さおよび30nm厚さの酸化亜鉛層および酸化ス
ズ層を、その順序で、2.5×10-3トル(3.4×10-3
g/cm2)にて酸素雰囲気の存在下で金属陰極から
銅の上に順次に反応的にスパツターした。得られ
た被覆生成物は放射率が0.08であり、光透過率は
80%であつた。 実施例 4 コーテイングするために厚さ4mmの一枚のフロ
ートガラスを洗浄、乾燥することにより準備し、
インライン・デイー・シー・平面マグネトロンス
パツター装置に載せた。 2.5×10-3トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰
囲気の存在下で90重量%のインジウムと10重量%
のスズから成る陰極からガラス表面上に、スズと
インジウムとを反応的にスパツターして、30nm
厚さの酸化スズをドープした酸化インジウム層を
与えた。次いで3.0×10-3トル(4.1×10-3g/cm2
にてアルゴン雰囲気の存在下で銀陰極から酸化ス
ズをドープした酸化インズウム層上に、厚さ10n
mの銀層をスパツターし、3.0×10-3トル(4.1×
10-3g/cm2)にてアルゴンの存在下で銅陰極から
銀層の上に、3.2nm厚さの銅層に相当する量で銅
をスパツターした。最後に、第1層に似た30nm
厚さの酸化スズをドープした酸化インジウムの第
2の抗反射層を、銅の上に反応的にスパツターし
た。得られた被覆生成物は、放射率が0.1であり、
光透過率は74%であつた。 実施例 5 コーテイングするために厚さ4mmの一枚のフロ
ートガラスを洗浄、乾燥することにより準備し、
インライン・デイー・シー・平面マグネトロンス
パター装置に載せた。 2.5×10-3トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰
囲気の存在下でスズ陰極からガラス表面上にスズ
酸化物を反応的にスパツターして、40nm厚さの
酸化スズ層を与えた。次いで、2.5×10-3トル
(3.4×10-3g/cm2)にて酸化雰囲気の存在下で酸
化スズ層上に酸化チタンを反応的にスパツターし
て、10nm厚さの酸化チタン層を与えた。つい
で、3.0×10-3トル(4.1×10-3g/cm2)にてアル
ゴン雰囲気の存在下で銀陰極から酸化チタン層上
に10nm厚さの銀層をスパツターし、3.0×10-3
ル(4.1×10-3g/cm2)にてアルゴンの存在下で
銅陰極から銀層上に、3.2nm厚さの銅層に相当す
る量の銅をスパツターした。最後に、それぞれ
10nm厚さおよび40nm厚さの酸化チタン層およ
び酸化スズ層を、2.5×10-3トル(3.4×10-3g/
cm2)にて酸素雰囲気の存在下で金属陰極から銅の
上に順次に反応的にスパツターした。得られた被
覆生成物は放射率が0.15であり、光透過率が80%
であつた。 実施例 6 コーテイングするために厚さ4mmの一枚のフロ
ートガラスを洗浄、乾燥することにより準備し、
インライン・デイー・シー・平面マグネトロンス
パツター装置に載せた。 2.5×10-3トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰
囲気の存在下でチタン陰極からガラス表面上に、
酸化チタンを反応的にスパツターして、15nm厚
さの酸化チタン層を与えた。次いで、2.5×10-3
トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸素雰囲気の存在
下で酸化チタン層上に酸化スズを反応的にスパツ
ターした。次いで、10nm厚さの銀層を、3.0×
10-3トル(4.1×10-3g/cm2)にてアルゴン雰囲
気の存在下で銀陰極から酸化スズ層上にスパツタ
ーし、3.0×10-3トル(4.1×10-3g/cm2)にてア
ルゴンの存在下でスズ陰極から銀層上に、3.5nm
厚さのスズ層に相当する量のスズをスパツターし
た。最後に、それぞれ40nm厚さおよび15nm厚
さの酸化ズス層および酸化チタン層を、2.5×
10-3トル(3.4×10-3g/cm2)にて酸化雰囲気の
存在下で金属陰極からスズ層の上に順次に反応的
にスパツターした。得られた被覆生成物は、放射
率が0.16であり、光透過率が76%であつた。 実施例 7〜22 コーテイングするために厚さ4mmの一枚のフロ
ートガラスを洗浄、乾燥することにより準備し、
インライン・デイー・シー・平面マグネトロンス
パツター装置に載せた。 6×10-3トル(8.16×10-3g/cm2)の圧力にて
アルゴン20%/酸素80%の雰囲気の存在下でスズ
陰極からガラス表面上に酸化スズを反応的にスパ
ツターして、40nm厚さの酸化スズ層を与えた。
次いで、6×10-3トル(8.16×10-3g/cm2)にて
アルゴン雰囲気の存在下で銀陰極から酸化スズ層
上に10nm厚さの銀層をスパツターし、6×10-3
トル(8.16×10-3g/cm2)にてアルゴン雰囲気下
で316ステンレス鋼(クロム、ニツケルおよび鉄
の合金)の陰極から銀層上に、3.5nm厚さの層に
相当する量のステンレス鋼をスパツターした。最
後に、6×10-3トル(8.16×10-3g/cm2)の圧力
にて20%/酸素80%の雰囲気の存在下でスズ陰極
からガラス表面上に、酸化スズ層を反応的にスパ
ツターした。得られた被覆生成物は放射率が0.15
であり、光透過率が80%であつた。 ステンレス鋼陰極の代りに種々の金属陰極を用
いた以外は同じ条件を用いて上述の操作を繰り返
した。いずれの場合にも、追加金属を使用すると
低い放射率および光透過率を維持している生成物
が得られた。これらの結果を次表に示す。
The invention relates to a transparent substrate of glass or plastic coated with a low emissivity coating, in particular a transparent substrate coated with a low emissivity silver coating having a silver layer and an anti-reflective oxide layer of a metal oxide thereon; The present invention relates to a method of manufacturing such a coated substrate by cathode sputtering. Low emissivity silver coatings are known and described in the prior art, for example in GB 1307642. This specification describes a conductive glass article consisting of a glass substrate and a conductive coating, each with a thickness of 70 mm, an anti-reflective layer to provide an electrical resistance of less than 3 ohms/sq.
A 200-300 Å thick interlayer of 50% or more silver placed between a pair of ~550 angstrom layers of non-absorbing dielectric material has been used to increase the optical transmission of the coated glass. This specification proposes incorporating up to 10% chromium, nickel, aluminum or titanium, or up to 50% copper into the silver layer; the use of copper is, according to this specification, substantially It is said that it gives a gray transparency that cannot be easily obtained with films made of silver. It is said that silver or metal oxide deposition can be carried out by cathodic sputtering. To form a silver layer incorporating additional metals, a silver alloy is deposited or multiple metal elements are deposited simultaneously under vacuum. U.S. Pat. No. 4,166,876 describes a coating having one metal layer, such as silver, gold, copper, platinum or tin, sandwiched between two titanium oxide layers on a plastic substrate. ing. This patent teaches that if the underlying titanium oxide layer is derived from an organotitanium compound and contains residual organic moieties, bonding to the resin substrate is significantly improved along with improved clarity of the laminate structure. are doing. This specification specifies that the copper-containing silver layer can be vacuum evaporated, although the silver layer can contain 1-30% copper which reduces the tendency of the coating to degrade and can cause it to gradually lose its light reflective properties with prolonged exposure. teaches that silver-copper alloys can be deposited by. European Patent No. 0035906 describes a coating in which one silver layer is sandwiched between two metal oxide layers. The metal oxide layer can be deposited by sputtering, ion plating, or vacuum evaporation, or from solution. The patent states that to improve the long-term durability of the coating, a thin layer of a material selected from the group consisting of titanium, zirconium, silicon, indium, carbon, cobalt and nickel is combined with a silver layer and an overlying metal oxide. It teaches that it is necessary to deposit between layers. This specification teaches that, as far as possible, the material should be deposited under conditions that do not convert it to oxides, and that when depositing the overlying metal oxide layer by sputtering, Sputtering is carried out using an oxide source under an argon atmosphere,
This avoids oxidation of the substance as much as possible. A silver coating consisting of a silver layer sandwiched between anti-reflective metal oxide layers as described above not only has high conductivity but also low emissivity. That is, such a silver coating reflects most of the incoming infrared radiation, but transmits shortwave infrared radiation and visible radiation. The use of such coatings on window glass (or plastics used in place of glass) reduces heat loss through the window, which is increasingly desirable to reduce heating costs as energy costs rise. I'm getting used to it. Unfortunately, when attempting to produce a coating consisting of a metal oxide layer on top of a silver layer by reactive sputtering in the presence of oxygen, the low emissivity nature of the silver layer is lost. , it was found that the light transmittance of the product was significantly lower than expected. This difficulty can be overcome by sputtering a small amount of a metal other than the silver before the metal oxide layer, such that the additional metal is preferentially on or in the top of the silver layer. This problem can be solved by invention. The present invention provides a method for producing a transparent substrate of glass or plastic coated with a low-emissivity coating by cathode sputtering, in which step: (i) a transparent substrate of glass or plastic is coated with a 5-30 nm thick layer of silver; (ii) sputtering on top of this silver layer one or more additional metals other than silver in an amount corresponding to a 0.5-10 nm thick layer; (iii) said additional metals; 1 in the presence of oxygen or an oxidizing gas over the layer of silver and the additional metal under conditions that would otherwise result in a significant loss of the low emissivity properties of the coating that would form on the substrate. A method for producing a transparent substrate coated with a low emissivity coating is provided, the method comprising reactively sputtering one or more anti-reflective metal oxide layers. Therefore, the use of additional metals in the present invention makes it possible to deposit one or more metals onto the silver layer under conditions where the high light transmission and low emissivity properties of the product would be significantly lost if the additional metals were not sputtered. Enables reactive sputtering of anti-reflective metal oxide layers. The method of the invention makes it possible to produce coatings with an emissivity of less than 0.2 and a light transmittance of more than 70% in an effective and economical manner. The present invention further provides a silver-coated glass or plastic product having an emissivity of less than 0.2 and a light transmittance of greater than 70% coated in accordance with the present invention. The substrate is conveniently a window glass, and the preferred product has an emissivity of less than 0.1 and a light transmittance of more than 75%, preferably
80% or more. Sputtering a small amount of one or more other metals after the silver prevents the dramatic increase in emissivity and decrease in light transmission, which would otherwise be resisted by reactive sputtering. It has been found that an increase in emissivity and a decrease in light transmittance occur when depositing a reflective metal oxide layer. Moreover, once sufficient additional metal is deposited to prevent an increase in emissivity and an associated substantial loss of optical transmission, the optical transmission of the coating is reduced by the deposition of such additional metal. do. It is generally desirable to keep the light transmittance of the coating as high as possible, and therefore one or more of just enough to obtain a coating with the maximum possible light transmittance while at the same time maintaining the emissivity of the coating at a value of 0.1. Preferably, additional metals are used. The exact amount of additional metal required to provide the desired optimum combination of emissivity and optical transmittance will vary with deposition conditions, but the amount of additional metal and the underlying silver layer or overlying oxide may vary with deposition conditions. 0.5~10n assuming no interdiffusion with layers
The quantity should be sufficient to provide a metal layer of m thickness, preferably 1 to 5 nm thick. In a particular case, the optimal amount of additional metal to be used can be determined by a simple test as described below. Of course, any additional metals must be suitable for sputtering, with a melting point of 50°C or higher,
It must be stable in air and conductive.
Preferred metals are generally transition metals and periodic table 3a
-Group 5a metals (described on page B-3 of the Handbook of Chemistry and Physics (Plate 50), published by The Chemical Rubber Company, Cleveland, Ohio, USA) (such as metals), but other metals that are stable in air, melt above 50°C, and conductive can be used if desired. In particular, as an additional metal, during the reactive sputtering of the overlying anti-reflective metal oxide layer, a metal oxide, preferably a colorless metal oxide (i.e. a metal that does not absorb light in the visible part of the spectrum) is oxidized. Good results are obtained with oxides such as aluminum, titanium and zirconium. When using a metal that oxidizes to a colorless metal oxide,
Even if the amount of this metal is increased, colored metal,
The light transmission of the product is less affected than, for example, with copper and gold, which are less easily oxidized. The tendency of metals to form oxides depends on the free energy of metal oxide formation. Apart from the surprisingly good results obtained using copper, which is not easily oxidized, the oxide is
-100,000 calories per gram mole (for values of the standard free energy of oxide formation, see, e.g., Addison-Wesley Publishing Company, Inc., John F.
``Thermochemistry for Stellmaking'' by Eliot and Mori Gleisser
The best results have been obtained using metals that are more negative (see Figure 3.3 of Volume 1, 1960). However, even when using metals such as titanium, which oxidizes to colorless metal oxides, metal layers less than 5 nm thick (including the silver layer and For the anti-reflective metal oxide layer, it is generally preferred to use a sufficient amount of metal to provide an anti-reflective metal oxide layer (assuming no oxidation and interdiffusion of the metal). Other examples of preferred metals include bismuth, indium, lead, manganese, iron, chromium, nickel, cobalt, molybdenum, tungsten, platinum, gold, vanadium and tantalum and alloys of these metals, such as stainless steel (Fe/Cr /
Ni) and brass (Cu/Zn). A sufficient amount of silver is deposited to give a layer thickness of 5-30 nm. Generally, the thicker the silver layer, the lower the emissivity, but also the lower the total light transmittance. 20nm
Larger thicknesses are generally only needed for conductive applications and low emissivity coatings, generally using silver layers less than 20 nm thick, preferably 8-15 nm thick. The anti-reflection metal oxide layer on the silver layer preferably consists of a metal oxide with low absorption of visible light, such as tin oxide, titanium oxide, zinc oxide, indium oxide, indium oxide (doped with tin oxide), It can be composed of bismuth oxide or zirconium oxide. Tin oxide, titanium oxide, indium oxide, indium oxide doped with tin oxide, bismuth oxide and zirconium oxide are preferred. The reason for this is that, besides the anti-reflective properties they provide, they serve to provide a silver layer with good durability and some protection from mechanical damage. The thickness of the anti-reflection layer used depends on the particular metal oxide used and the desired product color, but is usually in the range 10-80 nm, especially 20-60 nm. If desired, instead of using a single metal oxide layer, two or more layers of different metal oxides may be applied sequentially to achieve a similar overall thickness, i.e.
Usually it can be between 10 and 80 nm, especially between 20 and 60 nm. If desired, an anti-reflective layer can be sputtered onto the glass before the silver layer to increase the light transmission of the product. If the anti-reflective layer is deposited below the silver layer, this anti-reflective layer is advantageously a metal oxide layer, for example one of the metal oxides mentioned above for use as an anti-reflective layer on the silver layer. be. This underlayer acts not only as an anti-reflection layer but also as a primer layer to improve the adhesion of the silver layer to the glass. Usually the thickness is 10-80nm, especially 20-60n
m, but in the particular case the thickness used will depend on the metal oxide chosen and the color and other properties desired in the product. If desired, two or more anti-reflective layers may be sequentially provided under the silver layer so that the overall thickness of the anti-reflective layer is the same, i.e., typically 10 to 80 nm.
m, especially from 20 to 60 nm. In a preferred embodiment, the present invention provides a method of cathodic sputtering a glass transparent substrate coated with a low emissivity coating, the method comprising: (a) depositing an oxygen or oxidizing gas on the glass substrate; 30 by reactive sputtering of tin in the presence of
Depositing an anti-reflection layer of SnO 2 ~50 nm thick; (b) sputtering a 8-12 nm thick silver layer on top of the anti-reflection layer; (c) sputtering a 1-5 nm thick layer on top of the silver layer. sputtering an amount of copper corresponding to one layer of copper; then (d) depositing on the coating thus formed;
A 30-50 nm thick anti-reflection layer of SnO2 is deposited by reactive sputtering of tin in the presence of oxygen or oxidizing gas. It is not known how additional metal deposited after the silver layer prevents the properties of the coating from deteriorating. One possibility is that the additional metal has the effect of preventing oxidation of the silver when reactively sputtering the overlying anti-reflective metal oxide layer, or alternatively, Under the oxidizing conditions used for deposition, silver tends to agglomerate, resulting in a discontinuous silver layer, and it is believed that additional metals present at the surface of the silver layer counteract this tendency. However, it is not clear what corresponding measures need to be taken to prevent the silver from being attacked by oxygen in the underlying anti-reflective metal oxide layer. The sputtering process can be magnetically enhanced to increase production yields, and the method of the invention
It is particularly advantageous in processes in which metal and metal oxide layers are deposited by magnetically enhanced sputtering. Such magnetically enhanced sputters are generally more demanding and appear to cause degradation of the silver layer than in non-magnetically enhanced sputter processes. Auger electron spectroscopy testing of coatings produced by the method of the invention shows that the additional metal is concentrated on top of the silver layer, rather than being deposited as a separate layer on top of the silver layer. It has been found that it can be dispersed throughout the silver layer and spread over the top surface of the silver layer. In some cases this may be combined with additional oxygen, ie present, at least in part, as a metal oxide. Thus, according to yet another aspect of the invention, in a transparent substrate of glass or plastic coated with a low-emissivity coating, on the transparent substrate there is provided, in sequence: (a) a 5-30 nm thick layer of silver; b) The total amount corresponds to a metal layer with a thickness of 0.5 to 10 nm.
one or more additional metals that are non-uniformly dispersed in the silver layer, with the concentration of the additional metal in the silver layer being at a maximum in the upper half of the silver layer; (c) providing a transparent substrate coated with a low emissivity coating, characterized in that the low emissivity coating comprises an anti-reflective metal oxide layer; In a preferred embodiment, a glass substrate coated with a low emissivity coating of the present invention comprises:
Sequentially: (a) a 30-50 nm thick anti-reflection layer of SnO 2 , (b) an 8-12 nm thick layer of silver, (c) a 1-5 nm thick copper layer with sufficient copper to give (d) anti-reflection of SnO 2 with a thickness of 30-50 nm; It has a low emissivity coating consisting of layers. In products with particularly good emissivity and light transmission properties, the additional metal or metals are not completely dispersed in the silver layer, but are spread over the entire upper surface of the silver layer. It's stiff. In some cases, the one or more additional metals are present, at least in part, as metal oxides. The light transmittance values shown herein are the light transmittance values from the C.I.I. Illuminant Sea Source. The emissivity values shown here were obtained by applying the following equation. Emissivity ε=∫∽/ 0 eλB(λ, T) dλ/∫∽/ 0 B(λ
, T) dλ In the above equation, eλ=spectral radiation power B(λ, T)=energy distribution of black body spectrum at 300〓 Below, the present invention will be described with reference to embodiments. Example 1 A piece of float glass 4 mm thick was prepared for coating by cleaning and drying,
It was mounted on an in-line DC planar magnetron sputter device. Tin oxide (SnO 2 ) was reactively sputtered onto the glass surface from a tin cathode in the presence of an oxygen atmosphere at 2.5×10 −3 Torr (3.4×10 −3 g/cm 2 ) to form a 40 n
A tin oxide layer of m thickness was provided. Then 3.0×
10 nm thick from a silver cathode onto tin oxide in the presence of an argon atmosphere at 10 -3 torr (4.1 x 10 -3 g/cm 2 ).
A silver layer of m was sputtered. Furthermore, 2.5×10 -3
A 40 nm thick layer of tin oxide was reactively sputtered onto the silver layer from a tin cathode in the presence of an oxygen atmosphere at Torr (3.4×10 −3 g/cm 2 ). The light transmittance of the product was 55% and the emissivity was 0.9. In accordance with the present invention, immediately after sputtering the silver layer, a 1.6 nm thick layer is deposited from a copper cathode onto the silver layer in the presence of argon at 3.0 x 10 -3 Torr (4.1 x 10 -3 g/cm 2 ).
The above procedure was repeated, except that an amount of copper was sputtered corresponding to the copper layer. Then, immediately after the copper, 2.5×
A second tin oxide layer was reactively sputtered from a tin cathode in the presence of an oxygen atmosphere at 10 -3 Torr (3.4 x 10 -3 g/cm 2 ). In this case, the light transmission of the product was 79%. The emissivity of the coated product is
It was 0.06. The influence of copper in producing low emissivity products with high light transmission is clear. The copper-contaminated product was analyzed by Auger electron spectroscopy, and the results are shown in FIG. In Auger analysis, an electron beam (main beam) is directed at the surface to be analyzed, and the energy spectrum of secondary electrons emitted from the surface is examined.
The characteristics of the elements present on the surface were determined and quantified. The surface atomic layer was then removed by argon ion etching to expose the sub-surface atoms, which were then characterized and quantified as described above. The etching and analysis steps were repeated to create the compositional distribution of the surface layer to the desired depth (in this case, the thickness of the coating). The sputter time or ion etch time, plotted along the There is no linear relationship with depth. The concentration of removed material, in atomic %, is plotted on the X-axis. At the surface of the coating (ie when etching removal begins), the composition of the coating corresponds substantially to SnO 2 . The spectrum is
The central large peak indicates the silver layer, and the significantly lower peak within the silver peak indicates copper dispersed in the silver layer. It can also be seen that the maximum concentration of copper, about 20 at.%, occurs after 80 seconds and is within the top half of the silver layer. Moreover, a small amount of copper is clearly on top of the silver layer, ie, copper is detected after 55 seconds, but silver is not detected until after 65 seconds. It is desirable to have a small amount of copper on top of the silver layer, which improves properties. about 95
After seconds, the removed material is mainly SnO2 .
After about 150 seconds, some silicon is detected, but
This is probably obtained from the glass surface. There is considerable overlap in the various materials used in the processes described above. This is likely a result of ion diffusion in the coating, but since the sample is prepared in an in-line sputtering device and adjacent cathodes are activated simultaneously, some overlap in deposition may occur. Example 2 The procedure described above including copper deposition was repeated using the same sputtering times and conditions as described above, but varying the amount of copper deposited. When sputtering an amount of copper equivalent to a 3.2 nm thick copper layer, the final product had a light transmission of 75% and an emissivity of 0.16.
When sputtering an amount of copper equivalent to a 1.0 nm thick copper layer, the light transmission of the product is 79%;
The emissivity was 0.12. Example 3 A piece of float glass 4 mm thick was prepared for coating by cleaning and drying,
It was mounted on an in-line DC planar magnetron sputter device. A 30 nm thick layer of tin oxide was deposited by reactively sputtering tin oxide onto the glass surface from a tin cathode in the presence of an oxygen atmosphere at 2.5×10 −3 Torr (3.4×10 −3 g/cm 2 ). gave. Zinc oxide was then reactively sputtered onto the tin oxide layer in the presence of an oxygen atmosphere at 2.5 x 10 -3 Torr (3.4 x 10 -3 g/cm 2 ) to form a 15 nm thick layer of zinc oxide. gave. Then,
from a silver cathode onto the zinc oxide layer in the presence of an argon atmosphere at 3.0×10 −3 Torr (4.1×10 −3 g/cm 2 ).
A 10 nm thick silver layer was sputtered onto the 3.2 nm thick copper layer from a copper cathode in the presence of argon at 2.5 x 10 -3 Torr (3.4 x 10 -3 g/cm 2 ). A corresponding amount of copper was sputtered. Finally, each 15nm
thick and 30 nm thick zinc oxide and tin oxide layers in that order at 2.5 × 10 -3 Torr (3.4 × 10 -3
g/cm 2 ) from the metal cathode onto the copper in the presence of an oxygen atmosphere. The resulting coating product has an emissivity of 0.08 and a light transmittance of
It was 80%. Example 4 A piece of float glass 4 mm thick was prepared for coating by cleaning and drying,
It was mounted on an in-line DC planar magnetron sputter device. 90% by weight indium and 10% by weight in the presence of oxygen atmosphere at 2.5×10 -3 Torr (3.4×10 -3 g/cm 2 )
By reactively sputtering tin and indium onto the glass surface from a cathode made of tin,
A thick tin oxide doped indium oxide layer was provided. Then 3.0×10 -3 torr (4.1×10 -3 g/cm 2 )
A 10 nm thick layer of indium oxide doped with tin oxide was deposited from a silver cathode in the presence of an argon atmosphere at
m silver layer and 3.0×10 -3 Torr (4.1×
Copper was sputtered onto the silver layer from a copper cathode in the presence of argon at 10 -3 g/cm 2 ) in an amount corresponding to a 3.2 nm thick copper layer. Finally, 30nm similar to the first layer
A second anti-reflective layer of a thickness of tin oxide doped indium oxide was reactively sputtered onto the copper. The resulting coated product has an emissivity of 0.1 and
The light transmittance was 74%. Example 5 A piece of float glass 4 mm thick was prepared for coating by washing and drying,
It was placed on an in-line DC planar magnetron sputter device. A 40 nm thick layer of tin oxide was deposited by reactively sputtering tin oxide onto the glass surface from a tin cathode in the presence of an oxygen atmosphere at 2.5 × 10 -3 Torr (3.4 × 10 -3 g/cm 2 ). gave. Titanium oxide was then reactively sputtered onto the tin oxide layer in the presence of an oxidizing atmosphere at 2.5 x 10 -3 Torr (3.4 x 10 -3 g/cm 2 ) to form a 10 nm thick layer of titanium oxide. Gave. A 10 nm thick layer of silver was then sputtered onto the titanium oxide layer from a silver cathode in the presence of an argon atmosphere at 3.0 x 10 -3 Torr (4.1 x 10 -3 g /cm 2 ). An amount of copper corresponding to a 3.2 nm thick copper layer was sputtered from a copper cathode onto the silver layer in the presence of argon at Torr (4.1×10 −3 g/cm 2 ). Finally, each
10 nm thick and 40 nm thick titanium oxide and tin oxide layers at 2.5 x 10 -3 torr (3.4 x 10 -3 g/
cm 2 ) in the presence of an oxygen atmosphere from the metal cathode onto the copper. The resulting coated product has an emissivity of 0.15 and a light transmission of 80%
It was hot. Example 6 A piece of float glass 4 mm thick was prepared for coating by washing and drying,
It was mounted on an in-line DC planar magnetron sputter device. from a titanium cathode onto a glass surface in the presence of an oxygen atmosphere at 2.5×10 −3 Torr (3.4×10 −3 g/cm 2 ).
Titanium oxide was reactively sputtered to provide a 15 nm thick layer of titanium oxide. Then 2.5×10 -3
Tin oxide was reactively sputtered onto the titanium oxide layer in the presence of an oxygen atmosphere at Torr (3.4×10 -3 g/cm 2 ). Then, a 10 nm thick silver layer was applied to 3.0×
Sputtering from a silver cathode onto the tin oxide layer in the presence of an argon atmosphere at 10 -3 Torr (4.1 x 10 -3 g/cm 2 ) and 3.0 x 10 -3 Torr (4.1 x 10 -3 g/cm 2 ) ) on the silver layer from the tin cathode in the presence of argon.
An amount of tin corresponding to the thickness of the tin layer was sputtered. Finally, a tin oxide layer and a titanium oxide layer with a thickness of 40 nm and 15 nm, respectively, were deposited at 2.5×
The tin layer was sequentially reactively sputtered from a metal cathode in the presence of an oxidizing atmosphere at 10 -3 Torr (3.4 x 10 -3 g/cm 2 ). The resulting coated product had an emissivity of 0.16 and a light transmittance of 76%. Examples 7-22 A piece of float glass 4 mm thick was prepared for coating by washing and drying,
It was mounted on an in-line DC planar magnetron sputter device. Tin oxide was reactively sputtered onto the glass surface from a tin cathode in the presence of an atmosphere of 20% argon/80% oxygen at a pressure of 6×10 −3 Torr (8.16×10 −3 g/cm 2 ). , giving a 40 nm thick tin oxide layer.
A 10 nm thick layer of silver was then sputtered onto the tin oxide layer from a silver cathode in the presence of an argon atmosphere at 6 x 10 -3 Torr (8.16 x 10 -3 g /cm 2 ).
An amount of stainless steel corresponding to a 3.5 nm thick layer was deposited on the silver layer from a cathode of 316 stainless steel (an alloy of chromium, nickel and iron) under an argon atmosphere at Torr (8.16 × 10 -3 g/cm 2 ). Sputtered steel. Finally, a layer of tin oxide is reactively deposited onto the glass surface from a tin cathode in the presence of a 20%/80% oxygen atmosphere at a pressure of 6×10 −3 Torr (8.16×10 −3 g/cm 2 ). I sputtered. The resulting coated product has an emissivity of 0.15
The light transmittance was 80%. The above procedure was repeated using the same conditions except that various metal cathodes were used in place of the stainless steel cathode. In both cases, the use of additional metals resulted in products that maintained low emissivity and light transmission. These results are shown in the table below.

【表】 第2図および第3図はそれぞれ実施例8および
10の生成物を分析した際に得られたオージエスペ
クトルを示す。これらは第1図に示したスペクト
ルと同様にして得られたが、コーテイングを除去
するために一層ゆつくりしたエツチングを用い
た。 第2図から、コーテイング表面において組成は
実質的にSnO2に相当することがわかつた。スペ
クトルは、中央に銀の主ピーク、銀のピークの左
側にチタンを示す著しく低いピークを示してい
る。しかし、チタンおよび銀は共に200秒という
同じエツチング時間すなわちスパツター時間後に
検出されるが、チタンピークは銀ピークより早く
上昇し、このことは銀とチタンとスズとの混合物
は最初銀よりもチタンに富んでいるが、丁度250
秒を超えるエツチング時間後にはチタンよりも銀
に富むようになることを示唆する。従つて、チタ
ンは銀層中に不均一に分散し、銀層の上部におい
て銀層中のチタン濃度が最大になる。また、酸素
濃度は決して約30%以下には落ちず、これはチタ
ンが酸化チタン(おそらく二酸化チタン)として
存在することを示唆する。約320秒後には、殆ど
すべてのチタンが除去され、コーテイングの組成
は、かなりの部分の銀(約20原子%)が残つてい
るが、主として酸化スズである。エツチングを続
けると、銀の濃度は約380秒で零に落ちる。コー
テイングの残部は、ほぼ500秒のエツチング時間
後にガラス表面からの元素が検出されるまで、実
質的にSnO2に相当する。 第3図は第2図に似ているが、第3図の場合に
は、120秒のエツチング時間で、銀金属の前に追
加金属(アルミニウム)が検出される。銀は150
秒のエツチング時間後、アルミニウム濃度がピー
クに達する少し前に、初めて検出される。銀およ
びアルミニウムは共に270秒のエツチング時間ま
でに検出されるが、約230秒後ではコーテイング
は主として酸化スズから成る。酸素濃度はアルミ
ニウム濃度のピークに相当する小さいピークを示
し、銀層の中央で約15%の最小値まで落ちる。こ
れは、少なくとも一部分のアルミニウムが酸化ア
ルミニウムとして存在することを示唆する。 実施例7の生成物を分析した際に得られたオー
ジエスペクトルは、追加金属のピーク濃度に相当
する酸素ピークを示す点で、上述の実施例で得ら
れたものと類似していた。これは、ステンレス鋼
の実質的な酸化が起こつたことを示している(鉄
濃度のピークは170秒のエツチング時間で観察さ
れ、鉄濃度のピークにおいてコーテイングの濃度
は、15原子%の鉄、7原子%のスズ、3原子%の
銀、2原子%のニツケルおよび73原子%のニツケ
ルと測定された)。 実施例12〜15は追加金属として使用したチタン
の分量を増加したことによる効果を示す。チタン
使用量が厚さ5nmのチタン層に相当する量より
も多い場合には、生成物の光透過率は80%以下に
低下する。同様に、使用した他の金属は厚さ5n
m未満の金属層に相当する量で使用した場合に、
一般に最良の結果を与えた。鉛および金は例外
で、厚さ約6〜8nmの金属層に相当する量で使
用した場合に最も効果的であつた。 上述のように、追加金属の使用量は、相当する
層の厚さ、すなわち、追加金属が酸化されず、追
加金属とこれに隣接する銀層および抗反射金属酸
化物層との間に相互拡散がないと仮定した場合
に、同量の追加金属をスパツターすることにより
形成される追加の層の厚さによつて示した。
[Table] Figures 2 and 3 are Example 8 and Figure 3, respectively.
Shows the Augier spectra obtained when analyzing 10 products. These were obtained similarly to the spectra shown in Figure 1, but using a more gradual etch to remove the coating. From FIG. 2, it was found that the composition substantially corresponded to SnO 2 on the coating surface. The spectrum shows a main silver peak in the center and a significantly lower peak representing titanium to the left of the silver peak. However, although both titanium and silver are detected after the same etching or sputtering time of 200 seconds, the titanium peak rises faster than the silver peak, indicating that the mixture of silver, titanium, and tin initially reacts more with titanium than with silver. Rich, but exactly 250
This suggests that it becomes richer in silver than titanium after etching times exceeding seconds. Therefore, the titanium is distributed non-uniformly in the silver layer, and the titanium concentration in the silver layer is maximum at the top of the silver layer. Also, the oxygen concentration never drops below about 30%, suggesting that the titanium exists as titanium oxide (probably titanium dioxide). After approximately 320 seconds, nearly all of the titanium has been removed and the composition of the coating is primarily tin oxide, although a significant portion of silver (approximately 20 atomic percent) remains. If etching continues, the silver concentration will drop to zero in about 380 seconds. The remainder of the coating corresponds substantially to SnO 2 until elements from the glass surface are detected after an etching time of approximately 500 seconds. Figure 3 is similar to Figure 2, but in Figure 3, additional metal (aluminum) is detected before the silver metal at an etch time of 120 seconds. Silver is 150
It is first detected after an etching time of seconds, shortly before the aluminum concentration reaches its peak. Both silver and aluminum are detected by an etch time of 270 seconds, but after about 230 seconds the coating consists primarily of tin oxide. The oxygen concentration shows a small peak corresponding to the peak of the aluminum concentration, dropping to a minimum value of about 15% in the middle of the silver layer. This suggests that at least some of the aluminum is present as aluminum oxide. The Auger spectrum obtained when analyzing the product of Example 7 was similar to that obtained in the previous example in that it showed an oxygen peak corresponding to the peak concentration of additional metals. This indicates that substantial oxidation of the stainless steel has occurred (the peak in iron concentration is observed at an etching time of 170 seconds; at the peak in iron concentration the coating concentration is 15 at.% iron, 7 % tin, 3 atomic % silver, 2 atomic % nickel and 73 atomic % nickel). Examples 12-15 demonstrate the effect of increasing the amount of titanium used as the additional metal. If the amount of titanium used is greater than the amount corresponding to a 5 nm thick titanium layer, the light transmittance of the product decreases to less than 80%. Similarly, the other metal used was 5n thick
When used in an amount corresponding to a metal layer of less than m,
generally gave the best results. The exceptions were lead and gold, which were most effective when used in amounts corresponding to a metal layer approximately 6-8 nm thick. As mentioned above, the amount of additional metal used depends on the corresponding layer thickness, i.e., the additional metal is not oxidized and there is no interdiffusion between the additional metal and the adjacent silver layer and anti-reflective metal oxide layer. The thickness of the additional layer that would be formed by sputtering the same amount of additional metal, assuming no additional metal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、追加金属として銅を混入した本発明
の生成物の一例をオージエ電子分光分析法によつ
て分析した場合のエツチング時間と除去された物
質の濃度との関係を示すグラフ、第2図は、追加
金属としてチタンを混入した本発明の生成物の他
の例の第1図と同様なグラフ、第3図は、追加金
属としてアルミニウムを混入した本発明の生成物
のさらに他の例の第1図と同様なグラフである。
FIG. 1 is a graph showing the relationship between the etching time and the concentration of the removed substance when an example of the product of the present invention containing copper as an additional metal is analyzed by Auger electron spectroscopy; FIG. 3 is a graph similar to FIG. 1 of another example of a product of the invention incorporating titanium as an additional metal; FIG. 3 is a further example of a product of the invention incorporating aluminum as an additional metal. This is a graph similar to Figure 1 of .

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 低放射率コーテイングで被覆したガラスまた
はプラスチツクの透明基板を陰極スパツターによ
つて製造するに当たり、 順次に、 (i) ガラスまたはプラスチツクの透明基板の上
に、5〜30nm厚さの銀層をスパツターし、 (ii) この銀層の上に、0.5〜10nm厚さの層に相当
する量の銀とは別の1種または複数種の追加金
属をスパツターし、 (iii) 該追加金属をスパツターしない場合には前記
基板上に生成するコーテイングの低放射率特性
が著しく失なわれる条件下に、前記銀および前
記追加金属の層の上に、酸素または酸化性ガス
の存在下で、1個または複数個の抗反射金属酸
化物層を反応的にスパツターする ことを特徴とする低放射率コーテイングで被覆し
た透明基板の製造方法。 2 追加金属が、後で、1個または複数個の抗反
射金属酸化物層を反応的にスパツターした際に、
無色の金属酸化物を形成する金属である特許請求
の範囲第1項記載の方法。 3 追加金属が銅である特許請求の範囲第1項記
載の方法。 4 追加金属を銀層の上に1〜5nm厚さの層に
相当する全量でスパツターする特許請求の範囲第
1〜3項のいずれか一つの項に記載の方法。 5 スパツターした銀層が8〜15nm厚さである
特許請求の範囲第1〜4項のいずれか一つの項に
記載の方法。 6 前記抗反射金属酸化物層が酸化スズ、酸化チ
タン、酸化インジウム、酸化スズをドープした酸
化インジウム、酸化ビスマスまたは酸化ジルコニ
ウムの層である特許請求の範囲第1〜5項のいず
れか一つの項に記載の方法。 7 銀層の上に在る前記1個または複数個の抗反
射金属酸化物層の全厚が20〜60nmである特許請
求の範囲第1〜6項のいずれか一つの項に記載の
方法。 8 低放射率コーテイングで被覆したガラスまた
はプラスチツクの透明基板を陰極スパツターによ
つて製造するに当たり、 順次に、 (i) ガラスまたはプラスチツクの透明基板の上
に、酸素または酸化性ガスの存在下で、1個ま
たは複数個の抗反射金属酸化物層を反応的にス
パツターし、 (ii) この抗反射金属酸化物層の上に、5〜30nm
厚さの銀層をスパツターし、 (iii) この銀層の上に、0.5〜10nm厚さの層に相当
する量の銀とは別の1種または複数種の追加金
属をスパツターし、 (iv) 該追加金属をスパツターしない場合には前記
基板上に生成するコーテイングの低放射率特性
が著しく失なわれる条件下に、前記銀および前
記追加金属の層の上に、酸素または酸化性ガス
の存在下で、1個または複数個の抗反射金属酸
化物層を反応的にスパツターする ことを特徴とする低放射率コーテイングで被覆し
た透明基板の製造方法。 9 銀層の前にスパツターした抗反射金属酸化物
層が酸化スズ、酸化チタン、酸化インジウム、酸
化スズをドープした酸化インジウム、酸化ビスマ
スまたは酸化ジルコニウムの層である特許請求の
範囲第8項記載の方法。 10 銀層の前にスパツターした1個または複数
個の抗反射金属酸化物層の全厚が20〜60nmであ
る特許請求の範囲第8項または第9項記載の方
法。 11 スパツター工程を磁気的に高めることによ
つて促進する特許請求の範囲第8〜10項のいず
れか一つの項に記載の方法。 12 (a) ガラス基板の上に、酸素または酸化性
ガスの存在下で、スズの反応的スパツターによ
つて30〜50nm厚さのSnO2の抗反射層を堆積
し; (b) 前記抗反射層の上に8〜12nm厚さの銀層を
スパツターし; (c) 前記銀層の上に1〜5nm厚さの銅層に相当
する量の銅をスパツターし;次いで (d) このようにして形成したコーテイング上に、
酸素または酸化性ガスの存在下で、スズの反応
的スパツターによつて30〜50nm厚さのSnO2
抗反射層を堆積する特許請求の範囲第8項記載
の方法。 13 スパツター工程を磁気的に高めることによ
つて促進する特許請求の範囲第12項記載の方
法。 14 低放射率コーテイングで被覆したガラスま
たはプラスチツクの透明基板において、 前記透明基板上に、順次に、 (a) 5〜30nm厚さの銀層、 (b) 全量で0.5〜10nm厚さの金属層に相当する1
種または複数種の追加金属であつて、前記銀層
中に不均一に分散しており、前記銀層中の追加
金属の濃度が前記銀層の上半分において最大に
なつている追加金属、および (c) 1個または複数個の抗反射金属酸化物層から
成る低放射率コーテイングを有する ことを特徴とする低放射率コーテイングで被覆し
た透明基板。 15 追加金属がいずれも銀層中に完全には分散
していないが、銀層の上面に広がつている特許請
求の範囲第14項記載の被覆基板。 16 追加金属が無色の金属酸化物を形成する金
属である特許請求の範囲第14項または第15項
記載の被覆基板。 17 追加金属が銅である特許請求の範囲第14
項または第15項記載の被覆基板。 18 銀層が8〜16nm厚さである特許請求の範
囲第14〜17項のいずれか一つの項に記載の被
覆基板。 19 追加金属の全量が1〜5nm厚さの金属層
に相当する特許請求の範囲第14〜18項のいず
れか一つの項に記載の被覆基板。 20 追加金属の全量が5nmより大きい厚さの
金属層に相当する特許請求の範囲第14〜18項
のいずれか一つの項に記載の被覆基板。 21 前記抗反射金属酸化物層が酸化スズ、酸化
チタン、酸化インジウム、酸化スズをドープした
酸化インジウム、酸化ビスマスまたは酸化ジルコ
ニウムである特許請求の範囲第14〜20項のい
ずれか一つの項に記載の被覆基板。 22 銀層の上に在る1個または複数個の抗反射
金属酸化物層の全厚が20〜60nmである特許請求
の範囲第14〜21項のいずれか一つの項に記載
の被覆基板。 23 放射率が0.2以下であり、光透過率が少な
くとも70%である特許請求の範囲第14〜22項
のいずれか一つの項に記載の被覆基板。 24 低放射率コーテイングで被覆したガラスま
たはプラスチツクの透明基板において、 前記透明基板上に、順次に、 (a) 1個または複数個の抗反射金属酸化物層、 (b) 5〜30nm厚さの銀層、 (c) 全量で0.5〜10nm厚さの金属層に相当する1
種または複数種の追加金属であつて、前記銀層
中に不均一に分散しており、前記銀層中の追加
金属の濃度が前記銀層の上半分において最大に
なつている追加金属、および (d) 1個または複数個の抗反射金属酸化物層から
成る低放射率コーテイングを有する ことを特徴とする低放射率コーテイング被覆した
透明基板。 25 銀層の下の前記抗反射金属酸化物層が酸化
スズ、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズを
ドープした酸化インジウム、酸化ビスマスまたは
酸化ジルコニウムの層である特許請求の範囲第2
4項記載の被覆基板。 26 銀層の下の1個または複数個の抗反射金属
酸化物層の全厚が20〜60nmである特許請求の範
囲第24項または第25項記載の被覆基板。 27 放射率が0.2以下であり、光透過率が少な
くとも70%である特許請求の範囲第24〜26項
のいずれか一つの項に記載の被覆基板。 28 ガラス基板上に順次に、 (a) 30〜50nm厚さのSnO2の抗反射層、 (b) 8〜12nm厚さの銀層、 (c) 1〜5nm厚さの銅層を与えるのに十分な銅
であつて、前記銀層中に分散しており、前記銀
層中の銅の濃度が前記銀層の上半分において最
大になつている銅、および (d) 30〜50nm厚さのSnO2の抗反射層 から成る低放射率コーテイングを有する特許請求
の範囲第24項記載の被覆基板。 29 基板の放射率が0.2以下であり、光透過率
が少なくとも70%である特許請求の範囲第28項
記載の被覆基板。
[Scope of Claims] 1. In manufacturing a transparent substrate of glass or plastic coated with a low emissivity coating by cathode sputtering, sequentially: (i) a transparent substrate of glass or plastic coated with a 5-30 nm thick coating; (ii) sputtering on top of this silver layer one or more additional metals other than silver in an amount corresponding to a 0.5-10 nm thick layer; (iii) over the layer of silver and additional metal in the presence of oxygen or an oxidizing gas under conditions that would otherwise result in significant loss of the low emissivity properties of the coating that would form on the substrate. A method for producing a transparent substrate coated with a low emissivity coating, characterized in that the method comprises reactively sputtering one or more anti-reflective metal oxide layers. 2. When additional metal is later reactively sputtered onto the anti-reflective metal oxide layer or layers,
2. The method of claim 1, wherein the metal forms a colorless metal oxide. 3. The method of claim 1, wherein the additional metal is copper. 4. A method according to any one of claims 1 to 3, in which the additional metal is sputtered onto the silver layer in a total amount corresponding to a 1-5 nm thick layer. 5. A method according to any one of claims 1 to 4, wherein the sputtered silver layer is 8 to 15 nm thick. 6. Any one of claims 1 to 5, wherein the anti-reflective metal oxide layer is a layer of tin oxide, titanium oxide, indium oxide, tin oxide-doped indium oxide, bismuth oxide, or zirconium oxide. The method described in. 7. A method according to any one of claims 1 to 6, wherein the total thickness of the one or more anti-reflective metal oxide layers overlying the silver layer is between 20 and 60 nm. 8. In producing a transparent substrate of glass or plastic coated with a low emissivity coating by cathodic sputtering, the following steps are taken: (i) in the presence of oxygen or an oxidizing gas on the transparent substrate of glass or plastic; reactively sputtering one or more anti-reflective metal oxide layers; (ii) a 5-30 nm layer of anti-reflective metal oxide;
(iii) sputtering on top of this silver layer one or more additional metals other than silver in an amount corresponding to a 0.5-10 nm thick layer; (iv) ) the presence of oxygen or an oxidizing gas on the layer of silver and the additional metal under conditions that would otherwise result in a significant loss of the low emissivity properties of the coating that would form on the substrate; A method for producing a transparent substrate coated with a low emissivity coating, characterized in that the method comprises: reactively sputtering one or more anti-reflective metal oxide layers. 9. The anti-reflective metal oxide layer sputtered before the silver layer is a layer of tin oxide, titanium oxide, indium oxide, tin oxide doped indium oxide, bismuth oxide or zirconium oxide. Method. 10. The method of claim 8 or 9, wherein the total thickness of the anti-reflective metal oxide layer or layers sputtered before the silver layer is between 20 and 60 nm. 11. A method according to any one of claims 8 to 10, in which the sputtering process is facilitated by magnetic enhancement. 12 (a) Depositing a 30-50 nm thick anti-reflection layer of SnO 2 by reactive sputtering of tin in the presence of oxygen or oxidizing gas on a glass substrate; (b) depositing the anti-reflection layer on the glass substrate; sputtering an 8-12 nm thick layer of silver on top of the layer; (c) sputtering an amount of copper equivalent to a 1-5 nm thick copper layer on top of said silver layer; then (d) thus on the coating formed by
9. A method as claimed in claim 8, in which an anti-reflection layer of SnO 2 30-50 nm thick is deposited by reactive sputtering of tin in the presence of oxygen or an oxidizing gas. 13. The method of claim 12, wherein the sputtering process is facilitated by magnetic enhancement. 14. A transparent substrate of glass or plastic coated with a low emissivity coating, on said transparent substrate, in sequence: (a) a silver layer with a thickness of 5-30 nm; (b) a metal layer with a total thickness of 0.5-10 nm. 1 corresponding to
one or more additional metals that are non-uniformly dispersed in the silver layer, with the concentration of the additional metal in the silver layer being at a maximum in the upper half of the silver layer; (c) A transparent substrate coated with a low emissivity coating, characterized in that it has a low emissivity coating consisting of one or more anti-reflective metal oxide layers. 15. The coated substrate of claim 14, wherein any additional metal is not completely dispersed in the silver layer, but extends over the top surface of the silver layer. 16. The coated substrate according to claim 14 or 15, wherein the additional metal is a metal that forms a colorless metal oxide. 17 Claim 14 in which the additional metal is copper
The coated substrate according to item 1 or item 15. 18. A coated substrate according to any one of claims 14 to 17, wherein the silver layer is 8 to 16 nm thick. 19. Coated substrate according to any one of claims 14 to 18, wherein the total amount of additional metal corresponds to a metal layer 1 to 5 nm thick. 20. A coated substrate according to any one of claims 14 to 18, wherein the total amount of additional metal corresponds to a metal layer with a thickness greater than 5 nm. 21. According to any one of claims 14 to 20, the anti-reflection metal oxide layer is tin oxide, titanium oxide, indium oxide, indium oxide doped with tin oxide, bismuth oxide, or zirconium oxide. coated substrate. 22. A coated substrate according to any one of claims 14 to 21, wherein the total thickness of the anti-reflective metal oxide layer or layers overlying the silver layer is between 20 and 60 nm. 23. The coated substrate according to any one of claims 14 to 22, having an emissivity of 0.2 or less and a light transmittance of at least 70%. 24. In a transparent substrate of glass or plastic coated with a low emissivity coating, on said transparent substrate, in sequence: (a) one or more anti-reflective metal oxide layers; (b) a 5-30 nm thick layer. silver layer, (c) 1 corresponding to a metal layer with a total thickness of 0.5 to 10 nm.
one or more additional metals that are non-uniformly dispersed in the silver layer, with the concentration of the additional metal in the silver layer being at a maximum in the upper half of the silver layer; (d) A transparent substrate coated with a low emissivity coating, characterized in that it has a low emissivity coating consisting of one or more anti-reflection metal oxide layers. 25. Claim 2, wherein the anti-reflective metal oxide layer below the silver layer is a layer of tin oxide, titanium oxide, indium oxide, tin oxide doped indium oxide, bismuth oxide or zirconium oxide.
The coated substrate according to item 4. 26. A coated substrate according to claim 24 or 25, wherein the total thickness of the anti-reflective metal oxide layer or layers below the silver layer is between 20 and 60 nm. 27. The coated substrate according to any one of claims 24 to 26, having an emissivity of 0.2 or less and a light transmittance of at least 70%. 28 Applying on a glass substrate sequentially (a) an anti-reflection layer of SnO 2 30-50 nm thick, (b) a silver layer 8-12 nm thick, and (c) a copper layer 1-5 nm thick. sufficient copper dispersed in the silver layer, such that the concentration of copper in the silver layer is maximum in the upper half of the silver layer; and (d) 30-50 nm thick. 25. The coated substrate of claim 24 having a low emissivity coating consisting of an anti-reflection layer of SnO2 . 29. The coated substrate of claim 28, wherein the substrate has an emissivity of 0.2 or less and a light transmittance of at least 70%.
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