JPH0524928A - Ceramic substrate and production thereof - Google Patents

Ceramic substrate and production thereof

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JPH0524928A
JPH0524928A JP3063607A JP6360791A JPH0524928A JP H0524928 A JPH0524928 A JP H0524928A JP 3063607 A JP3063607 A JP 3063607A JP 6360791 A JP6360791 A JP 6360791A JP H0524928 A JPH0524928 A JP H0524928A
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ceramic substrate
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aln
thermal conductivity
composition gradient
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Abstract

PURPOSE:To provide a compsn. grade in the thickness direction of the substrate and to impart a cutting property to the substrate as well as to lower its dielectric constant while maintaining the mechanical strength as a substrate material by adding boron nitride to an AlN material by a special method and to impart a high thermal conductivity with AlN and the mechanical strength with Al2O3 to the substrate by constituting the material of AlN-Al2O3 as well as to lower the dielectric constant with porous glass and to impart the mechanical strength with the Al2O3 by constituting the substrate of a porous glass-Al2O3 system. CONSTITUTION:The ceramic substrate is constituted of the Al1-xBxN system (0.37>=X>=0) formed by calcining a mixture composed of aluminum nitride powder (AlN) and boron nitride powder (BN) and is graded in the compsn. in the thickness direction. The machinability is imparted and the cutting property is imparted in the thickness direction by the BN.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロニクス回路
用の高熱伝導性基板に係り、特に組成を傾斜させること
により、基板にマシナビリティーを付与させたセラミッ
ク基板及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate having high thermal conductivity for electronic circuits, and more particularly to a ceramic substrate having a composition which is graded to give the substrate a machineability and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば(1)「機能性セラミックス」金属 1989年
1月号 72〜76頁、(2)「傾斜機能材料の発想と
開発動向」工業材料 第38巻 第12号(1990年
10月号)18〜25頁などに記載されるものがあっ
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique in such a field,
For example, (1) "Functional Ceramics" Metal January 1989, pp. 72-76, (2) "Concept and Development Trend of Functionally Graded Materials" Industrial Materials Vol. 38, No. 12 (October 1990) 18- Some were described on page 25.

【0003】電子機器に対する小形化、高機能化、高信
頼性化、低コスト化への要求は極めて大きく、これに応
じて半導体チップは、高集積密度化、高速化の方向にめ
ざましく発達してきている。これに伴って、セラミック
基板に対しても、従来から用いられているアルミナ基板
以上の特性が求められるようになってきている。アルミ
ナ基板の欠点の一つは、その熱伝導率が20W/(m・
K)程度であり、それ程放熱性がよくないことである。
There is a great demand for miniaturization, high functionality, high reliability and low cost of electronic devices, and accordingly, semiconductor chips have been remarkably developed in the direction of high integration density and high speed. There is. Along with this, ceramic substrates are also required to have characteristics higher than those of conventionally used alumina substrates. One of the drawbacks of alumina substrates is that their thermal conductivity is 20 W / (m
It is about K) and the heat dissipation is not so good.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】電子機器の軽薄短小化
とともに、ハイブリッドモジュールの集積度が大幅に大
きくなり、単位面積当たりの発熱量が問題になっている
折から、アルミナに代わる新しい高熱伝導性基板が求め
られている。高熱伝導性基板としては、すでにいくつか
の材料が検討されており、炭化シリコン(SiC)に少
量の酸化ベリリウム(BeO)を加えたSiC−BeO
系で熱伝導率として270W/(m・K)が得られてい
る。この値は、アルミナの熱伝導率の値の10倍以上も
あり、大変有望な材料であるが、比誘電率εr が1MH
zで40もあり、アルミナの比誘電率の4倍以上であ
る。
[Problems to be Solved by the Invention] With the miniaturization of electronic equipment, the integration degree of hybrid modules has increased significantly, and the amount of heat generated per unit area has become a problem. Substrates are needed. Several materials have already been studied for the high thermal conductivity substrate, and SiC-BeO obtained by adding a small amount of beryllium oxide (BeO) to silicon carbide (SiC).
The system has obtained a thermal conductivity of 270 W / (m · K). This value is more than 10 times the thermal conductivity of alumina and is a very promising material, but its relative permittivity ε r is 1 MH.
There is also 40 in z, which is four times or more the relative dielectric constant of alumina.

【0005】一般に、基板の比誘電率は回路の伝搬速度
に大きく影響し、信号の遅延時間は√εr に比例する。
従って、上記のSiC系のようにεr の大きなものは、
基板用セラミックとしては不向きである。一方、高熱伝
導性セラミックスとして、窒化アルミニウム(AlN)
も有望視されている。熱伝導率も改善され、現在270
W/(m・K)という値が得られるようになった。更
に、比誘電率もアルミナに比べ、やや小さく8.7程度
であり、実用化に向けてその開発が急がれている。しか
し、AlNは一般に硬くて脆いという欠点がある。
In general, the relative permittivity of the substrate greatly affects the propagation speed of the circuit, and the signal delay time is proportional to √ε r .
Therefore, the one with large ε r like the above SiC system is
It is not suitable as a substrate ceramic. On the other hand, as high thermal conductivity ceramics, aluminum nitride (AlN)
Is also promising. Thermal conductivity has also improved and is now 270
The value of W / (mK) has come to be obtained. Furthermore, the relative permittivity is slightly smaller than that of alumina, that is, about 8.7, and its development is urgently required for practical use. However, AlN generally has the drawback of being hard and brittle.

【0006】本発明は、上記問題点を解決するために、
厚み方向に組成傾斜を持たせた選択された材料により、
各種の優れた特性を有するセラミック基板及びその製造
方法を提供することを目的とする。より具体的には、A
lN系材料に、特殊な方法で窒化ホウ素を加えることに
より、厚み方向に組成傾斜を持たせ、基板材料としての
機械的強度を保有しながら、切削加工性をもたせ、合わ
せて誘電率を低減し得るセラミック基板及びその製造方
法を提供する。
In order to solve the above problems, the present invention provides
Due to the selected material with composition gradient in the thickness direction,
An object of the present invention is to provide a ceramic substrate having various excellent characteristics and a method for manufacturing the same. More specifically, A
By adding boron nitride to a 1N-based material by a special method, a composition gradient is provided in the thickness direction, while maintaining mechanical strength as a substrate material, it also has machinability and also reduces the dielectric constant. A ceramic substrate to be obtained and a method for manufacturing the same are provided.

【0007】また、厚み方向に組成傾斜を持たせたAl
N−Al2 3 系で構成し、AlNで高熱伝導性をもた
せ、Al2 3 で機械的強度をもたせるセラミック基板
及びその製造方法を提供する。更に、厚み方向に組成傾
斜を持たせた多孔質ガラス−Al2 3 系で構成し、多
孔質ガラスで誘電率を下げ、Al2 3で機械的強度を
もたせるセラミック基板及びその製造方法を提供する。
Al having a composition gradient in the thickness direction
Provided is a ceramic substrate which is made of N-Al 2 O 3 system, has high thermal conductivity with AlN, and has mechanical strength with Al 2 O 3 , and a manufacturing method thereof. Furthermore, a ceramic substrate and a method for producing the same, which are composed of a porous glass-Al 2 O 3 system having a composition gradient in the thickness direction, have a low dielectric constant with the porous glass, and have mechanical strength with Al 2 O 3. provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するために、セラミック基板において、厚み方
向に組成傾斜を持たせたAl1-x x N系(0.3≧X
≧0)で、高熱伝導性を有し、かつマシナブルである。
また、Al1-x x N系に高熱伝導性を付与させるため
に加えられた全重量が、10モル%以下のCaO,Ca
2 ,AlF3 ,Y2 3 ,YF3 から選ばれた少なく
とも一種を含む組成を有する。
According to the present invention, in order to achieve the above object, in a ceramic substrate, an Al 1-x B x N system (0.3 ≧ X) having a composition gradient in the thickness direction is provided.
≧ 0), high thermal conductivity and machinable.
In addition, the total weight of CaO and Ca added to impart high thermal conductivity to the Al 1-x B x N system is 10 mol% or less.
It has a composition containing at least one selected from F 2 , AlF 3 , Y 2 O 3 , and YF 3 .

【0009】更に、基板面の片側(X=0又は微小なX
の値)は高熱伝導性を有し、機械的強度も強く、もう一
方の片側(X≠0)は切削加工を可能にしたものであ
る。また、厚み方向に組成傾斜を持たせたAlN−Al
2 3 系で構成し、AlNで高熱伝導性をもたせ、Al
2 3で機械的強度をもたせるようにしたものである。
Further, one side of the substrate surface (X = 0 or a minute X
Has a high thermal conductivity and a high mechanical strength, and the other one side (X ≠ 0) enables cutting. In addition, AlN-Al having a composition gradient in the thickness direction
2 O 3 system, AlN with high thermal conductivity, Al
It is made to have mechanical strength with 2 O 3 .

【0010】更に、厚み方向に組成傾斜を持たせた多孔
質ガラス−Al2 3 系で構成し、多孔質ガラスで誘電
率を下げ、Al2 3 で機械的強度をもたせるようにし
たものである。
Further, it is composed of a porous glass-Al 2 O 3 system having a composition gradient in the thickness direction, the dielectric constant is lowered by the porous glass, and Al 2 O 3 has mechanical strength. Is.

【0011】[0011]

【作用】上記したように、本発明によれば、セラミック
基板は、 (1)窒化アルミニウム粉末(AlN)と窒化ホウ素粉
末(BN)の混合体を焼結した、Al1-x x N系
(0.3≧X≧0)であり、厚さ方向に組成を傾斜させ
ている。そして、BNによりマシナビリティーを持た
せ、厚み方向に切削性を持たせることができる。 (2)窒化アルミニウム粉末(AlN)とアルミナ(A
2 3)の混合体を焼結して成るものであり、厚さ方
向に組成を傾斜させる。そして、熱伝導率は、AlNで
かせいで、機械的強度はアルミナでカバーすることがで
き、高強度高熱伝導性基板を得ることができる。 (3)ポーラスガラス(B2 3 −SiO2 )とアルミ
ナ(Al2 3 )の混合体を焼結して成るものであり、
厚さ方向に組成を傾斜させる。そして、上部は誘電率の
低いポーラスガラス(多孔質ガラス:誘電率εr は4以
下)を用いて誘電率εr を下げ、下部はアルミナにより
基板の強度をかせぐことにより、誘電率の小さく、しか
も機械的強度のある基板を得ることができる。
As described above, according to the present invention, the ceramic substrate is (1) an Al 1-x B x N system obtained by sintering a mixture of aluminum nitride powder (AlN) and boron nitride powder (BN). (0.3 ≧ X ≧ 0), and the composition is graded in the thickness direction. Then, BN can provide machineability and machinability in the thickness direction. (2) Aluminum nitride powder (AlN) and alumina (A
It is formed by sintering a mixture of 1 2 O 3 ) and has a composition gradient in the thickness direction. The thermal conductivity can be covered with AlN, and the mechanical strength can be covered with alumina, so that a high-strength and high-thermal-conductivity substrate can be obtained. (3) A mixture of porous glass (B 2 O 3 —SiO 2 ) and alumina (Al 2 O 3 ) is sintered,
The composition is graded in the thickness direction. Then, the upper part is made of porous glass having a low dielectric constant (porous glass: the dielectric constant ε r is 4 or less) to lower the dielectric constant ε r, and the lower part is made of alumina to increase the strength of the substrate. Moreover, a substrate having mechanical strength can be obtained.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例を
示すセラミック基板の構成図である。この実施例のセラ
ミック基板は、窒化アルミニウム粉末(AlN)と窒化
ホウ素粉末(BN)の混合体を焼結して成るものである
が、厚さ方向に組成を傾斜させているところに特徴があ
る。一般に、AlNとBNは固溶せず複合体となり、A
lNマトリックス中に析出するBNが破壊エネルギーを
吸収し、切削加工を可能としている。即ち、BNにより
マシナビリティーを持たせ、厚み方向に切削性を持たせ
るようにしている。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a ceramic substrate showing a first embodiment of the present invention. The ceramic substrate of this example is formed by sintering a mixture of aluminum nitride powder (AlN) and boron nitride powder (BN), and is characterized in that the composition is graded in the thickness direction. . In general, AlN and BN do not form a solid solution but form a composite,
The BN precipitated in the 1N matrix absorbs the breaking energy and enables cutting. That is, the BN is used to provide the machineability and the machinability in the thickness direction.

【0013】ここで、厚さ方向に組成傾斜をもたせる方
法は、一般的に次のように行なえば可能である。即ち、
Al1-x x N系において、Xを0より0.3迄いくつ
かの値を選び、幾種類かの混合粉を用意する。例えば、
X=0、0.05、0.1、0.15、0.20、0.
25、0.30と7種を選ぶとする。これらの粉末を通
常のセラミックス製造法に従って、厚み0.5mm、直
径10mmφ程度の円板(ペレット)とする。これら7
板の円板(ペレット)を積み重ねて一体化し、所定の温
度、雰囲気で焼成することによって、厚さ方向にほぼ連
続的にXの異なる組成傾斜のセラミック基板が得られ
る。
Here, a method of providing a composition gradient in the thickness direction can be generally performed as follows. That is,
In the Al 1-x B x N system, some values of X are selected from 0 to 0.3 and several kinds of mixed powders are prepared. For example,
X = 0, 0.05, 0.1, 0.15, 0.20, 0.
Suppose you choose 25, 0.30 and 7 types. These powders are made into discs (pellets) having a thickness of 0.5 mm and a diameter of 10 mmφ according to a usual ceramics manufacturing method. These 7
By stacking and integrating discs (pellets) of plates and firing them at a predetermined temperature and atmosphere, ceramic substrates having different composition gradients of X can be obtained almost continuously in the thickness direction.

【0014】このように、Al1-x x N系において、
X=0〜0.3の範囲で幾種類かのペレットを用意し、
それらを合体し、焼成して、傾斜組成を有するセラミッ
ク基板を得るようにしている。ここで、X=0の側は、
熱伝導率も高く、機械的強度も大きい。一方、X≠0で
BNを含む側は、熱伝導率はBNの増加とともに低下す
るが、マシナビリティーが改善されている。
Thus, in the Al 1-x B x N system,
Prepare several kinds of pellets in the range of X = 0 to 0.3,
They are combined and fired to obtain a ceramic substrate having a graded composition. Here, the side of X = 0 is
High thermal conductivity and high mechanical strength. On the other hand, on the side of X ≠ 0 and including BN, the thermal conductivity decreases with an increase in BN, but the machinability is improved.

【0015】ここで、X=0.3としたのは、Xの増加
とともに熱伝導率が低下することになり、Xが0.3を
超えると基板材料として望ましい100W/(m・K)
以上の値が得られなくなるからである。基本的には、A
1-x x N系において高熱伝導性基板が得られるが、
一般にAlNは難焼結体であり、種々の添加物が焼結性
を高め、更に、高熱伝導化に効果がある。添加物として
有用な効果が見られるものは、CaO,CaF2 ,Al
3 、Y2 3 、YF3 等の酸化物、フッ化物であり、
全重量で10モル%以下が有効である。10モル%以上
になると、熱伝導率100W/(m・K)以上のものが
得られないので、10モル%以下とした。
Here, X = 0.3 means that the thermal conductivity decreases as X increases, and when X exceeds 0.3, 100 W / (m · K) is desirable as a substrate material.
This is because the above value cannot be obtained. Basically, A
Although a high thermal conductive substrate can be obtained in the l 1-x B x N system,
Generally, AlN is a difficult-to-sinter body, and various additives enhance the sinterability, and are also effective in achieving high thermal conductivity. CaO, CaF 2 , Al that has a useful effect as an additive is
Oxides and fluorides such as F 3 , Y 2 O 3 and YF 3 ;
A total weight of 10 mol% or less is effective. When it is 10 mol% or more, a material having a thermal conductivity of 100 W / (m · K) or more cannot be obtained.

【0016】以下、具体的な実施例について説明する。 『実施例 1』CaO 2モル%、CaF2 2モル%
を含むAlN、Al0.960.04N、Al0.91
0.09N、Al0.870.13N、Al0.820.18N、
Al0.760.24Nの6種類の粉末を用意する。これらの
粉末を有機バインダー等を加えて、ドクターブレード法
で0.2mm厚のシートを作成する。これら6枚のシー
トを順番に重ね、加圧圧縮により一体化する。この積層
シートを、例えば、窒素気流中で1900℃、6時間焼
成する。得られた基板は、次のような特性を示す。
A specific embodiment will be described below. "Example 1" CaO 2 mol%, CaF 2 2 mol%
Containing AlN, Al 0.96 B 0.04 N, Al 0.91 B
0.09 N, Al 0.87 B 0.13 N, Al 0.82 B 0.18 N,
Six types of powder of Al 0.76 B 0.24 N are prepared. An organic binder or the like is added to these powders to form a 0.2 mm thick sheet by the doctor blade method. These six sheets are stacked in order and integrated by pressure compression. This laminated sheet is fired, for example, at 1900 ° C. for 6 hours in a nitrogen stream. The obtained substrate has the following characteristics.

【0017】 熱伝導率(AlNの面) 180W/m・K 比誘電率(1MHz) 8.5 切削加工時間(AlNと対抗面との対比) 1/10 『実施例 2』AlF3 1モル%、Y2 3 3モル
%を含むAl0.990.01N、Al 0.960.04N、
Al0.900.10N、Al0.860.14N、Al0.75
0.25Nの5種の粉末を用意し、有機バインダーを加え
て、10mmφ厚み0.3mmの円板を各々作成する。
これら5枚の円板を順番に重ね、加圧圧縮により一体化
する。この積層円板を、窒素気流中で1850℃、10
時間焼成する。得られた円板は、次のような特性を有す
る。
[0017] Thermal conductivity (AlN surface) 180 W / mK Relative permittivity (1MHz) 8.5 Cutting time (Comparison between AlN and counter surface) 1/10 "Example 2" AlF3  1 mol%, Y2O3  3 mol
% Containing Al0.99B0.01N, Al 0.96B0.04N,
Al0.90B0.10N, Al0.86N0.14N, Al0.75B
0.25Prepare 5 kinds of N powder and add organic binder
Then, a circular plate having a thickness of 10 mm and a thickness of 0.3 mm is prepared.
These five discs are stacked in order and integrated by pressure compression
To do. This laminated disc was placed in a nitrogen stream at 1850 ° C. for 10
Bake for hours. The obtained disc has the following characteristics.
It

【0018】 熱伝導率(Al0.990.01N面) 195W/(m・
K) 比誘電率(1MHz) 8.6 切削加工時間(Al0.990.01N面と対抗面との対比)
1/18 『実施例 3』Y2 3 1.5モル%、YF3 4モ
ル%、CaO 1モル%を含むAlN、Al0.95
0.05N、Al0.900.10N、Al0.880.12N、
Al0. 860.14N、Al0.780.22N、Al0.78
0.29Nの7種類の粉末を用意する。これらの粉末を有機
バインダーを加えて、ドクターブレード法で0.15m
m厚のシートを作成する。これらのシートを順番に重
ね、加圧圧縮により一体化する。この積層シートを、例
えば、1940℃、5時間、窒素気流中で焼成して基板
を得る。得られた基板の特性は下記の特性を示す。
Thermal conductivity (Al 0.99 B 0.01 N face) 195 W / (m ·
K) Relative permittivity (1MHz) 8.6 Cutting time (Al 0.99 B 0.01 N face vs. counter face)
1/18 "Example 3" Y 2 O 3 1.5 mol%, YF 3 4 mol%, AlN containing CaO 1 mol%, Al 0.95 B
0.05 N, Al 0.90 B 0.10 N, Al 0.88 B 0.12 N,
Al 0. 86 B 0.14 N, Al 0.78 B 0.22 N, Al 0.78 B
7 kinds of powder of 0.29 N are prepared. Add 0.15 m of these powders with the doctor blade method by adding an organic binder.
Create an m-thick sheet. These sheets are stacked in order and integrated by pressure compression. This laminated sheet is fired in a nitrogen stream at 1940 ° C. for 5 hours to obtain a substrate. The characteristics of the obtained substrate show the following characteristics.

【0019】 熱伝導率(AlN面) 145W/(m・K) 比誘電率(1MHz) 8.5 切削加工時間(AlNと対抗面との対比) 1/15 『実施例 4』CaO 0.5モル%、CaF2 1.
2モル%、Y2 3 1.4モル%を含むAlN、A
0.960.04N、Al0.920.08N、Al0.88
0.12N、Al0.830.17N、Al0.800.20N、
Al0.760.24Nの7種の粉末を用意する。有機バイン
ダーを加え、15mmφ厚み0.35mmの円板を各々
作成し、これらの7枚の円板を順番に重ね、加圧圧縮に
より一体化する。この積層円板を窒素気流中で、192
0℃、8時間焼成して円板を得る。得られた円板は以下
の特性を有する。
Thermal conductivity (AlN surface) 145 W / (m · K) Relative permittivity (1 MHz) 8.5 Cutting time (comparison between AlN and counter surface) 1/15 “Example 4” CaO 0.5 Mol%, CaF 2 1.
AlN, A containing 2 mol% and Y 2 O 3 1.4 mol%
l 0.96 B 0.04 N, Al 0.92 B 0.08 N, Al 0.88 B
0.12 N, Al 0.83 B 0.17 N, Al 0.80 B 0.20 N,
Seven kinds of powders of Al 0.76 B 0.24 N are prepared. An organic binder is added to each to make a disk with a thickness of 15 mm and a thickness of 0.35 mm, and these seven disks are stacked in order and integrated by pressure compression. This laminated disc was placed in a nitrogen gas stream at 192
A disc is obtained by firing at 0 ° C. for 8 hours. The resulting disc has the following properties.

【0020】 熱伝導率(AlN面) 210W/(m・K) 比誘電率(1MHz) 8.7 切削加工時間(AlNと対抗面との対比) 1/13 また、セラミック基板の低誘電率化の観点からすると、
Al1-x x N系では、AlNに比べて、それ程の低誘
電率化には限界がある。しかし、各種の添加物を10モ
ル%以下添加することによって、AlN単体より低くす
ることが可能であることがわかり、添加物は低誘電率化
にも作用効果のあることがわかった。
Thermal conductivity (AlN surface) 210 W / (m · K) Relative permittivity (1 MHz) 8.7 Cutting time (Comparison between AlN and opposing surface) 1/13 Further, lower dielectric constant of ceramic substrate From the perspective of
The Al 1-x B x N system has a limit in reducing the dielectric constant to that extent as compared with AlN. However, it was found that by adding various additives in an amount of 10 mol% or less, it was possible to make the content lower than that of AlN alone, and it was found that the additives also have an action effect for lowering the dielectric constant.

【0021】ここで、切削加工の評価については、一例
として、200gの重さのおもりを72m/secの速
度で負荷し、1mmの厚さを切削するのに要する時間を
比較してみると、X=0では約50分間かかるのに対し
て、X=0.1では約10分間、X=0.2では約5分
間、更にX=0.3では2.5分間となり、Xの増加と
ともに大幅に短縮されることがわかった。
Here, for the evaluation of cutting, as an example, a weight of 200 g is loaded at a speed of 72 m / sec and the time required to cut a thickness of 1 mm is compared. It takes about 50 minutes at X = 0, about 10 minutes at X = 0.1, about 5 minutes at X = 0.2, and 2.5 minutes at X = 0.3. It turned out to be greatly shortened.

【0022】以上のように、本発明の利点は、基板とし
て必要な面は、機械的強度も高く、熱伝導率も大きく、
更に比誘電率を低下させることができる。また、組成を
傾斜させることにより、もう一方の片側から切削加工が
可能であるという利点を有している。例えば、BN面か
らなら上下配線用の穴(スルーホール)を微小ドリル
(0.5mmφ)で容易に形成することができる。
As described above, the advantage of the present invention is that the surface required as a substrate has high mechanical strength and high thermal conductivity.
Further, the relative dielectric constant can be reduced. In addition, by grading the composition, there is an advantage that cutting can be performed from the other side. For example, from the BN surface, holes (through holes) for upper and lower wiring can be easily formed with a fine drill (0.5 mmφ).

【0023】このようにして、傾斜機能材料を利用した
高熱伝導性マシナブル基板を得ることができる。このよ
うな基板は、多層高密度配線用基板として好適である。
次に、図2は本発明の第2の実施例を示すセラミック基
板の構成図である。この実施例のセラミック基板は、窒
化アルミニウム粉末(AlN)とアルミナ(Al
2 3 )の混合体を焼結して成るものであるが、厚さ方
向に組成を傾斜させる。
In this way, a highly heat conductive machinable substrate using a functionally graded material can be obtained. Such a substrate is suitable as a substrate for multilayer high-density wiring.
Next, FIG. 2 is a configuration diagram of a ceramic substrate showing a second embodiment of the present invention. The ceramic substrate of this example is composed of aluminum nitride powder (AlN) and alumina (Al
It is formed by sintering a mixture of 2 O 3 ) and has a composition gradient in the thickness direction.

【0024】このように構成することにより、AlN系
は熱伝導率が高く(200W/m・K)、アルミナは機
械的強度が大であであるので、即ち、熱伝導率はAlN
でかせいで、機械的強度はアルミナでカバーすることが
でき、高強度高熱伝導性基板を得ることができる。因み
に、アルミナの熱伝導率は20W/m・K以下である。
With this structure, the AlN-based material has high thermal conductivity (200 W / mK) and the alumina has large mechanical strength, that is, the thermal conductivity is AlN.
Therefore, the mechanical strength can be covered with alumina, and a high strength and high thermal conductivity substrate can be obtained. Incidentally, the thermal conductivity of alumina is 20 W / m · K or less.

【0025】その製造方法は、原料粉末として、Al
N、AlON、Al23 を用意する。厚み方向に組成
を傾斜させるには、次のような幾種類かの混合粉を用意
する。例えば、AlN、0.75AlN−0.25A
lON、0.5AlN−0.5AlON、0.75
AlON−0.25Al2 3 、0.50AlON−
0.5Al2 3 、0.25AlON−0.75Al
2 3、Al2 3 の7種を選ぶとする。これらの粉
末を通常のセラミックス製造法に従って、厚み0.5m
m、直径10mmφ程度の円板とする。これら7枚の円
板を一体化し、所定の温度、雰囲気で焼成することによ
って、厚さ方向にほぼ連続的に窒素Nの異なる組成傾斜
のセラミックスが得られる。この系においては、機械的
強度を改善するために、MgO、Y2 3 、CaO等の
添加物が有効である。
The manufacturing method is as follows:
N, AlON, and Al 2 O 3 are prepared. In order to make the composition gradient in the thickness direction, the following mixed powders are prepared. For example, AlN, 0.75AlN-0.25A
1ON, 0.5AlN-0.5AlON, 0.75
AlON-0.25Al 2 O 3 , 0.50AlON-
0.5Al 2 O 3 , 0.25AlON-0.75Al
It is assumed that 7 kinds of 2 O 3 and Al 2 O 3 are selected. These powders have a thickness of 0.5 m according to the usual ceramic manufacturing method.
A disk having a diameter of 10 mm and a diameter of 10 mmφ. By integrating these seven discs and firing them in a predetermined temperature and atmosphere, ceramics having different composition gradients of nitrogen N can be obtained almost continuously in the thickness direction. In this system, additives such as MgO, Y 2 O 3 and CaO are effective for improving the mechanical strength.

【0026】以下、具体的な実施例について説明する。 『実施例1』MgO 1モル%を含むAlN、0.
8AlN−0.2AlON、0.5AlN−0.5A
lON、0.2AlN−0.8AlON、0.8A
lON−0.2Al2 3 、0.5AlON−0.5
Al2 3 、0.2AlON−0.8Al2 3
Al2 3 の8種の粉末を用意し、これらの粉末を有機
バインダー等を加え、ドクターブレード法で0.2mm
厚のシートを作成する。これらのシートを順番に重ね、
加圧圧縮により一体化する。この積層シートを、例え
ば、コントロールされた窒素気流中で、1830℃で5
時間焼成する。得られた基板は、次のような特性を有す
る。
Specific examples will be described below. "Example 1" AlN containing 1 mol% of MgO, 0.
8AlN-0.2AlON, 0.5AlN-0.5A
1ON, 0.2AlN-0.8AlON, 0.8A
lON-0.2Al 2 O 3 , 0.5AlON-0.5
Al 2 O 3, 0.2AlON-0.8Al 2 O 3,
Prepare 8 kinds of Al 2 O 3 powders, add these powders with organic binder, etc.
Create a thick sheet. Stack these sheets in order,
It is integrated by pressure compression. This laminated sheet is, for example, at 1830 ° C. in a controlled nitrogen stream at 5 ° C.
Bake for hours. The obtained substrate has the following characteristics.

【0027】 熱伝導率(AlN面) 130W/(m・K) 比誘電率(1MHz) 8.9 硬さ(ビッカース)(Al2 3 面) 2500kg/
mm2 硬さ(ビッカース)(AlN面) 1300kg/
mm2 次に、図3は本発明の第3の実施例を示すセラミック基
板の構成図である。
Thermal conductivity (AlN surface) 130 W / (m · K) Dielectric constant (1 MHz) 8.9 Hardness (Vickers) (Al 2 O 3 surface) 2500 kg /
mm 2 Hardness (Vickers) (AlN surface) 1300kg /
mm 2 Next, FIG. 3 is a configuration diagram of a ceramic substrate showing a third embodiment of the present invention.

【0028】この実施例のセラミック基板は、ポーラス
ガラス(B2 3 −SiO2 )とアルミナ(Al
2 3)の混合体を焼結して成るものであるが、厚さ方
向に組成を傾斜させる。このように構成することによ
り、上部は誘電率の低いポーラスガラス(多孔質ガラ
ス:誘電率εr は4以下)を用いて誘電率εr を下げ、
下部はアルミナにより基板の強度をかせぐことにより、
誘電率の小さく、しかも機械的強度のある基板を得るこ
とができる。このようなセラミック基板は、低誘電率で
あるために、配線の容量成分が減少し、信号の遅延をな
くすことができる。
The ceramic substrate of this embodiment is composed of porous glass (B 2 O 3 --SiO 2 ) and alumina (Al.
It is formed by sintering a mixture of 2 O 3 ) and has a composition gradient in the thickness direction. With this structure, the upper part is made of porous glass having a low dielectric constant (porous glass: dielectric constant ε r is 4 or less) to lower the dielectric constant ε r ,
By lowering the strength of the substrate with alumina at the bottom,
It is possible to obtain a substrate having a small dielectric constant and mechanical strength. Since such a ceramic substrate has a low dielectric constant, the capacitance component of the wiring is reduced, and the signal delay can be eliminated.

【0029】従って、高速コンピュータ用基板などに好
適である。その製造方法は、原料粉末として、ホウケイ
酸ガラス(B2 3 −SiO2 )とアルミナを用意す
る。厚み方向に組成を傾斜させるには、次のような幾種
類かの混合粉を用意する。例えば、モル%で、(B2
3 −SiO2 )30−Al 2 3 70、(B2 3
−SiO2 )40−Al2 3 60、(B2 3 −S
iO2 )30−Al2 3 70の3種を選ぶものとす
る。これらの粉末を通常のセラミックス製造法に従っ
て、厚さ0.3mm、直径10mmφ程度の円板とす
る。これらの3枚の円板を一体化し、所定の温度、雰囲
気で焼成することによって、厚さ方向にほぼ連続的にA
2 3 の異なる組成傾斜のセラミックスが得られる。
この系において、多孔質にするためには、500〜70
0℃程度で熱処理をし、ガラスを析出させ、その後ガラ
ス成分を酸流により除去することによって得られる。ま
た、ガラス成分のホウケイ酸ガラス以外のガラスでも同
様の効果が得られる。
Therefore, it is suitable for a substrate for high speed computers.
It is suitable. The manufacturing method is as follows:
Acid glass (B2O3-SiO2) And alumina
It To grade the composition in the thickness direction, the following types
Prepare a kind of mixed powder. For example, in mol%, (B2
O3-SiO2) 30-Al 2O370, (B2O3
-SiO2) 40-Al2O360, (B2O3-S
iO2) 30-Al2O370 types should be selected.
It These powders are processed according to the usual ceramics manufacturing method.
A disk with a thickness of 0.3 mm and a diameter of 10 mmφ.
It Integrate these three discs, and
By firing with air, A
l2O3Ceramics having different composition gradients are obtained.
In this system, in order to make it porous, 500 to 70
Heat treatment is performed at about 0 ° C to precipitate glass, and then glass
It is obtained by removing the soot component with an acid stream. Well
The same applies to glasses other than borosilicate glass, which is the glass component.
The same effect can be obtained.

【0030】以下、具体的な実施例について説明する。 『実施例1』モル%で、(B2 3 −SiO2 )35
−Al2 3 65、(B2 3−SiO2 )40−A
2 3 60、(B2 3 −SiO2 )50−Al2
3 50、(B2 3 −SiO2 )60−Al2 3
40の4種の粉末を用意し、これらの粉末を有機バイン
ダー等を加え、ドクターブレード法で0.25mm厚の
シートを作成する。これらのシートを順番に重ね、加圧
圧縮により一体化する。この積層シートを1050℃で
3時間空気中で焼成する。この焼結体を600℃で2時
間熱処理をし、ガラス成分を析出させ、ガラス成分を塩
酸(Hcl)で除去して得た多孔質セラミック基板は、
次のような特性を有する。
Specific examples will be described below. In "Example 1" mol%, (B 2 O 3 -SiO 2) 35
-Al 2 O 3 65, (B 2 O 3 -SiO 2 ) 40-A
l 2 O 3 60, (B 2 O 3 —SiO 2 ) 50-Al 2
O 3 50, (B 2 O 3 -SiO 2) 60-Al 2 O 3
40 kinds of 40 kinds of powders are prepared, an organic binder or the like is added to these powders, and a sheet of 0.25 mm thickness is prepared by a doctor blade method. These sheets are stacked in order and integrated by pressure compression. This laminated sheet is fired in air at 1050 ° C. for 3 hours. The porous ceramic substrate obtained by subjecting this sintered body to heat treatment at 600 ° C. for 2 hours to precipitate a glass component and removing the glass component with hydrochloric acid (Hcl) is:
It has the following characteristics.

【0031】 比誘電率(B2 3 −SiO2 60−Al2 3 40の
面)(1MHz) 4.3 硬さ(ビッカース)(B2 3 −SiO2 35−Al2
3 65の面)1500kg/mm2 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
The dielectric constant (the surface of the B 2 O 3 -SiO 2 60- Al 2 O 3 40) (1MHz) 4.3 Hardness (Vickers) (B 2 O 3 -SiO 2 35-Al 2
The surface of O 3 65) 1500 kg / mm 2 The present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、厚み方向に組成傾斜を持たせた選択された材料
により、各種の優れた特性を有するセラミック基板を得
ることができる。即ち、AlN系材料に、特殊な方法で
窒化ホウ素を加えることにより、厚み方向に組成傾斜を
持たせ、基板材料としての機械的強度を保有しながら、
切削加工性をもたせ、合わせて誘電率を低減することが
できるセラミック基板を得ることができる。また、組成
を傾斜させることにより、もう一方の片側から切削加工
が可能であるという実用的効果を奏する。
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to obtain a ceramic substrate having various excellent characteristics by using the selected material having the composition gradient in the thickness direction. That is, by adding boron nitride to an AlN-based material by a special method, a composition gradient is provided in the thickness direction and mechanical strength as a substrate material is maintained,
It is possible to obtain a ceramic substrate that has a machinability and can also reduce the dielectric constant. Further, by grading the composition, a practical effect that cutting can be performed from the other side is achieved.

【0033】更に、厚み方向に組成傾斜を持たせたAl
N−Al2 3 系で構成し、AlNで高熱伝導性をもた
せ、Al2 3 で機械的強度をもたせるセラミック基板
を得ることができる。また、厚み方向に組成傾斜を持た
せた多孔質ガラス−Al2 3 系で構成し、多孔質ガラ
スで誘電率を下げ、Al2 3 で機械的強度をもたせる
セラミック基板を得ることができる。
Further, Al having a composition gradient in the thickness direction
It is possible to obtain a ceramic substrate composed of N-Al 2 O 3 system, AlN having high thermal conductivity, and Al 2 O 3 having mechanical strength. Further, it is possible to obtain a ceramic substrate which is composed of a porous glass-Al 2 O 3 system having a composition gradient in the thickness direction, the dielectric constant is reduced by the porous glass, and mechanical strength is provided by Al 2 O 3. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示すセラミック基板の
構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a ceramic substrate showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示すセラミック基板の
構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a ceramic substrate showing a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例を示すセラミック基板の
構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a ceramic substrate showing a third embodiment of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/03 B 7011−4E ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location H05K 1/03 B 7011-4E

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 厚み方向に組成傾斜を持たせたAl1-x
x N系(0.3≧X≧0)で、高熱伝導性を有し、か
つマシナブルであることを特徴とするセラミック基板。
1. An Al 1-x having a composition gradient in the thickness direction.
A ceramic substrate characterized by being B x N based (0.3 ≧ X ≧ 0), having high thermal conductivity and being machinable.
【請求項2】 請求項1記載のセラミック基板におい
て、Al1-x x N系に高熱伝導性を付与させるために
加えられた全重量が、10モル%以下のCaO、CaF
2 、AlF3 、Y2 3 、YF3 から選ばれた少なくと
も一種を含む組成を有するセラミック基板。
2. The ceramic substrate according to claim 1, wherein the total weight of CaO and CaF added to impart high thermal conductivity to the Al 1-x B x N system is 10 mol% or less.
A ceramic substrate having a composition containing at least one selected from 2 , AlF 3 , Y 2 O 3 , and YF 3 .
【請求項3】 請求項1記載のセラミック基板におい
て、基板面の片側(X=0又は微小なXの値)は高熱伝
導性を有し、機械的強度も強く、もう一方の片側(X≠
0)は切削加工が可能であることを特徴とするセラミッ
ク基板。
3. The ceramic substrate according to claim 1, wherein one side (X = 0 or a minute value of X) of the substrate surface has high thermal conductivity and strong mechanical strength, and the other side (X ≠).
0) is a ceramic substrate that can be cut.
【請求項4】 厚み方向に組成傾斜を持たせたAl1-x
x N系(0.3≧X≧0)のセラミック基板の製造方
法において、(a)前記Xを0より0.3迄いくつかの
値を選定して得られる複数個のペレットを用意し、
(b)該ペレットを順次積み重ねて一体化し、(c)所
定の温度、雰囲気で焼成し、(d)厚さ方向にほぼ連続
的に前記Xの異なる組成傾斜をさせることを特徴とする
セラミック基板の製造方法。
4. An Al 1-x having a composition gradient in the thickness direction.
In a method for manufacturing a B x N system (0.3 ≧ X ≧ 0) ceramic substrate, (a) prepare a plurality of pellets obtained by selecting some values of X from 0 to 0.3. ,
(B) A ceramic substrate characterized in that the pellets are sequentially stacked and integrated, (c) fired at a predetermined temperature and atmosphere, and (d) the composition gradient of X is substantially continuously changed in the thickness direction. Manufacturing method.
【請求項5】 請求項4記載のセラミック基板の製造方
法において、添加物として全重量が、10モル%以下の
CaO、CaF2 、AlF3 、Y2 3 、YF3 から選
ばれた少なくとも一種を添加することを特徴とするセラ
ミック基板の製造方法。
5. The method of manufacturing a ceramic substrate according to claim 4, wherein the total weight of the additive is at least 10 mol% and is selected from CaO, CaF 2 , AlF 3 , Y 2 O 3 , and YF 3. A method of manufacturing a ceramic substrate, comprising:
【請求項6】 厚み方向に組成傾斜を持たせたAlN−
Al2 3 系で構成し、AlNで高熱伝導性をもたせ、
Al2 3で機械的強度をもたせることを特徴とするセ
ラミック基板。
6. AlN--having a composition gradient in the thickness direction
It is made of Al 2 O 3 system and has high thermal conductivity with AlN,
A ceramic substrate characterized by having mechanical strength with Al 2 O 3 .
【請求項7】 請求項6記載のセラミック基板におい
て、機械的強度をもたせるためにMgO、Y2 3 、C
aOから選ばれた少なくとも一種の添加物を有するセラ
ミック基板。
7. The ceramic substrate according to claim 6, wherein MgO, Y 2 O 3 and C are added to have mechanical strength.
A ceramic substrate having at least one additive selected from aO.
【請求項8】 厚み方向に組成傾斜を持たせたAlN−
Al2 3 系のセラミック基板の製造方法において、
(a)原料粉末がAlN、AlON、Al2 3 からな
る複数個のペレットを用意し、(b)該ペレットを順次
積み重ねて一体化し、(c)所定の温度、雰囲気で焼成
し、(d)厚さ方向にほぼ連続的にNの異なる組成傾斜
をさせることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
8. An AlN-having a composition gradient in the thickness direction.
In a method of manufacturing an Al 2 O 3 -based ceramic substrate,
(A) Prepare a plurality of pellets whose raw material powders are AlN, AlON, and Al 2 O 3 , (b) stack the pellets one after another to integrate them, (c) fire at a predetermined temperature and atmosphere, and (d) ) A method of manufacturing a ceramic substrate, characterized in that composition gradients of N different from each other are made substantially continuous in the thickness direction.
【請求項9】 厚み方向に組成傾斜を持たせた多孔質ガ
ラス−Al2 3 系で構成し、多孔質ガラスで誘電率を
下げ、Al2 3 で機械的強度をもたせることを特徴と
するセラミック基板。
9. A porous glass-Al 2 O 3 system having a composition gradient in the thickness direction, wherein the porous glass lowers the dielectric constant and Al 2 O 3 provides mechanical strength. Ceramic substrate to be used.
【請求項10】 厚み方向に組成傾斜を持たせた多孔質
ガラス−Al2 3 系のセラミック基板の製造方法にお
いて、(a)原料粉末が多孔質ガラスとAl2 3 から
なる複数個のペレットを用意し、(b)該ペレットを順
次積み重ねて一体化し、(c)所定の温度、雰囲気で焼
成し、(d)厚さ方向にほぼ連続的にAl2 3 の異な
る組成傾斜をさせることを特徴とするセラミック基板の
製造方法。
10. A method for producing a porous glass-Al 2 O 3 -based ceramic substrate having a composition gradient in the thickness direction, comprising: (a) a plurality of raw material powders made of porous glass and Al 2 O 3 ; Pellets are prepared, (b) the pellets are sequentially stacked and integrated, (c) fired at a predetermined temperature and atmosphere, and (d) a composition gradient of Al 2 O 3 having different compositions is continuously formed in the thickness direction. A method of manufacturing a ceramic substrate, comprising:
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