JPH05247182A - エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH05247182A JPH05247182A JP8624092A JP8624092A JPH05247182A JP H05247182 A JPH05247182 A JP H05247182A JP 8624092 A JP8624092 A JP 8624092A JP 8624092 A JP8624092 A JP 8624092A JP H05247182 A JPH05247182 A JP H05247182A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボ
ラック型フェノール樹脂および（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒
化ボロン粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末を25〜90重量％含
有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物であ
る。またこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チ
ップが封止されてなることを特徴とする半導体封止装置
である。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止
装置は、特に樹脂組成物の耐湿性に優れ、一方で熱膨脹
係数が小さく、熱放散性がよい。
ラック型フェノール樹脂および（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒
化ボロン粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末を25〜90重量％含
有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物であ
る。またこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チ
ップが封止されてなることを特徴とする半導体封止装置
である。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止
装置は、特に樹脂組成物の耐湿性に優れ、一方で熱膨脹
係数が小さく、熱放散性がよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、熱放散性に優
れ、それらの特性バランスのよいエポキシ樹脂組成物お
よびエポキシ樹脂組成物で半導体チップを封止した半導
体装置に関する。
れ、それらの特性バランスのよいエポキシ樹脂組成物お
よびエポキシ樹脂組成物で半導体チップを封止した半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の半導体装置を、熱硬化性樹脂を用いて封止する
方法が行われてきた。この封止樹脂は、ガラス、金属、
セラミックを用いたハーメチックシール方式に比較して
経済的に有利なため、広く実用化されている。封止用樹
脂としては、熱硬化性樹脂の中でも信頼性および価格の
点から、エポキシ樹脂が最も一般的に用いられている。
エポキシ樹脂には、酸無水物、芳香族アミン、ノボラッ
ク型フェノール樹脂等の硬化剤が用いられるが、これら
の中でもノボラック型フェノール樹脂を硬化剤としたエ
ポキシ樹脂は、他の硬化剤を利用したものに比べて、成
形性、耐湿性に優れ、毒性がなく、かつ安価であるた
め、半導体封止用樹脂として広く使用されている。ま
た、充填剤としては、一般的に溶融シリカ粉末や結晶性
シリカ粉末が前述の硬化剤と共に使用され、更に熱放散
性の必要な半導体用には窒化ケイ素粉末等が使用されて
いるが、近年、半導体部品のさらなる大電力化に伴い、
より熱放散性の優れた半導体封止用樹脂の開発が要望さ
れるようになってきた。
回路等の半導体装置を、熱硬化性樹脂を用いて封止する
方法が行われてきた。この封止樹脂は、ガラス、金属、
セラミックを用いたハーメチックシール方式に比較して
経済的に有利なため、広く実用化されている。封止用樹
脂としては、熱硬化性樹脂の中でも信頼性および価格の
点から、エポキシ樹脂が最も一般的に用いられている。
エポキシ樹脂には、酸無水物、芳香族アミン、ノボラッ
ク型フェノール樹脂等の硬化剤が用いられるが、これら
の中でもノボラック型フェノール樹脂を硬化剤としたエ
ポキシ樹脂は、他の硬化剤を利用したものに比べて、成
形性、耐湿性に優れ、毒性がなく、かつ安価であるた
め、半導体封止用樹脂として広く使用されている。ま
た、充填剤としては、一般的に溶融シリカ粉末や結晶性
シリカ粉末が前述の硬化剤と共に使用され、更に熱放散
性の必要な半導体用には窒化ケイ素粉末等が使用されて
いるが、近年、半導体部品のさらなる大電力化に伴い、
より熱放散性の優れた半導体封止用樹脂の開発が要望さ
れるようになってきた。
【０００３】しかしながら、ノボラック型フェノール樹
脂を硬化剤としたエポキシ樹脂と結晶性シリカ粉末又は
窒化ケイ素粉末からなる樹脂組成物は、ノボラック型フ
ェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂と溶融シリカ
粉末からなる樹脂組成物に比べて、熱放散性は高いもの
の、近年のパワー半導体における高消費電力化に伴い、
さらに高い熱放散性が必要になってきた。また、ノボラ
ック型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂と窒
化ケイ素粉末からなる樹脂組成物は、熱放散性は高いも
のの耐湿性に著しく劣る等の欠点があった。
脂を硬化剤としたエポキシ樹脂と結晶性シリカ粉末又は
窒化ケイ素粉末からなる樹脂組成物は、ノボラック型フ
ェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂と溶融シリカ
粉末からなる樹脂組成物に比べて、熱放散性は高いもの
の、近年のパワー半導体における高消費電力化に伴い、
さらに高い熱放散性が必要になってきた。また、ノボラ
ック型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂と窒
化ケイ素粉末からなる樹脂組成物は、熱放散性は高いも
のの耐湿性に著しく劣る等の欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、耐湿性、成形性、特に薄肉部
の充填性に優れ、熱膨脹係数が小さく、熱伝導率、熱放
散性がよく、それらの特性バランスのとれた信頼性の高
いエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供しよ
うとするものである。
に鑑みてなされたもので、耐湿性、成形性、特に薄肉部
の充填性に優れ、熱膨脹係数が小さく、熱伝導率、熱放
散性がよく、それらの特性バランスのとれた信頼性の高
いエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供しよ
うとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、窒化ケイ素被
覆窒化ボロン粉末を配合することによって、上記の目的
が達成できることを見いだし、本発明を完成させたもの
である。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、窒化ケイ素被
覆窒化ボロン粉末を配合することによって、上記の目的
が達成できることを見いだし、本発明を完成させたもの
である。
【０００６】即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および（Ｃ）窒化ケ
イ素被覆窒化ボロン粉末を必須成分とし、樹脂組成物に
対して前記（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末を25〜
90重量％含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組
成物である。またこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で、
半導体チップが封止されてなることを特徴とする半導体
封止装置である。
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および（Ｃ）窒化ケ
イ素被覆窒化ボロン粉末を必須成分とし、樹脂組成物に
対して前記（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末を25〜
90重量％含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組
成物である。またこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で、
半導体チップが封止されてなることを特徴とする半導体
封止装置である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも 2個有する化
合物で有る限り、分子構造、分子量等に特に制限はな
く、一般に使用されているものを広く包含することがで
きる。例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シクロヘ
キサン誘導体等の脂環族系、さらに次の一般式で示され
るエポキシノボラック系等のエポキシ樹脂が挙げられ
る。
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも 2個有する化
合物で有る限り、分子構造、分子量等に特に制限はな
く、一般に使用されているものを広く包含することがで
きる。例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シクロヘ
キサン誘導体等の脂環族系、さらに次の一般式で示され
るエポキシノボラック系等のエポキシ樹脂が挙げられ
る。
【０００９】
【化１】 （但し、式中Ｒ1 は水素原子、ハロゲン原子又はアルキ
ル基を、Ｒ2 は水素原子、又はアルキル基を、n は 1以
上の整数を表す）これらのエポキシ樹脂は単独又は 2種
以上混合して使用することができる。
ル基を、Ｒ2 は水素原子、又はアルキル基を、n は 1以
上の整数を表す）これらのエポキシ樹脂は単独又は 2種
以上混合して使用することができる。
【００１０】本発明に用いる（Ｂ）ノボラック型フェノ
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類と、ホルムアルデヒド或いはパラホルム
アルデヒドを反応させて得られるノボラック型フェノー
ル樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もし
くはブチル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げら
れ、これらは単独又は 2種以上混合して使用することが
できる。ノボラック型フェノール樹脂の配合割合は、前
記の（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基（a ）と（Ｂ）の
ノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基（b
）とのモル比［（a ）／（b ）］が 0.1〜10の範囲内
であることが望ましい。モル比が 0.1未満若しくは10を
超えると耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が
悪くなり、いずれの場合も好ましくない。
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類と、ホルムアルデヒド或いはパラホルム
アルデヒドを反応させて得られるノボラック型フェノー
ル樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もし
くはブチル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げら
れ、これらは単独又は 2種以上混合して使用することが
できる。ノボラック型フェノール樹脂の配合割合は、前
記の（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基（a ）と（Ｂ）の
ノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基（b
）とのモル比［（a ）／（b ）］が 0.1〜10の範囲内
であることが望ましい。モル比が 0.1未満若しくは10を
超えると耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が
悪くなり、いずれの場合も好ましくない。
【００１１】本発明に用いる（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒化
ボロン粉末としては、150 メッシュ篩上の粗粒分を除去
したもので、平均粒径が10〜50μm の粉末であることが
望ましい。平均粒径が10μm 未満または50μm を超える
と、流動性、作業性に問題があり好ましくない。特に粒
径が 150メッシュ篩上の粗粒分のある場合は、成形時に
ワイヤーゲート詰まり、ワイヤー流れ、金型摩耗等が生
じ好ましくない。また、あまり細径であると比表面積が
増加して、充填性が悪くなり好ましくない。窒化ケイ素
被覆窒化ボロン粉末の窒化ケイ素被覆厚さは、平均で粒
径の 0.5〜50％の被覆厚であることが好ましい。平均被
覆厚が 0.5％未満であると窒化ボロンが露出し、耐湿性
に悪影響を及ぼし、また、50％を超えると熱放散性が悪
くなり好ましくない。窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末の
配合割合は、樹脂組成物に対して25〜90重量％の割合で
含有させることが望ましい。その割合が25重量％未満で
は、熱膨脹係数が大きくなるとともに熱伝導率が小さく
なり好ましくない。また、90重量％を超えるとカサバリ
が大きくなり、成形性が悪く実用に適さない。
ボロン粉末としては、150 メッシュ篩上の粗粒分を除去
したもので、平均粒径が10〜50μm の粉末であることが
望ましい。平均粒径が10μm 未満または50μm を超える
と、流動性、作業性に問題があり好ましくない。特に粒
径が 150メッシュ篩上の粗粒分のある場合は、成形時に
ワイヤーゲート詰まり、ワイヤー流れ、金型摩耗等が生
じ好ましくない。また、あまり細径であると比表面積が
増加して、充填性が悪くなり好ましくない。窒化ケイ素
被覆窒化ボロン粉末の窒化ケイ素被覆厚さは、平均で粒
径の 0.5〜50％の被覆厚であることが好ましい。平均被
覆厚が 0.5％未満であると窒化ボロンが露出し、耐湿性
に悪影響を及ぼし、また、50％を超えると熱放散性が悪
くなり好ましくない。窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末の
配合割合は、樹脂組成物に対して25〜90重量％の割合で
含有させることが望ましい。その割合が25重量％未満で
は、熱膨脹係数が大きくなるとともに熱伝導率が小さく
なり好ましくない。また、90重量％を超えるとカサバリ
が大きくなり、成形性が悪く実用に適さない。
【００１２】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、ノボラック型フェノール樹脂および窒化ケイ素被
覆窒化ボロン粉末を必須成分とするが、本発明の目的に
反しない限度において、また必要に応じて、例えば天然
ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸
アミド類、エステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素
化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼ
ン、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、
ベンガラ等の着色剤、種々の硬化剤等を適宜、添加配合
することができる。
樹脂、ノボラック型フェノール樹脂および窒化ケイ素被
覆窒化ボロン粉末を必須成分とするが、本発明の目的に
反しない限度において、また必要に応じて、例えば天然
ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸
アミド類、エステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素
化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼ
ン、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、
ベンガラ等の着色剤、種々の硬化剤等を適宜、添加配合
することができる。
【００１３】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、窒化ケイ素被覆窒化
ボロン粉末その他を所定の組成比に選択した原料成分を
ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに熱ロ
ールによる混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当
な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こう
して得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする電
子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用す
れば優れた特性と信頼性を付与させることができる。
して調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、窒化ケイ素被覆窒化
ボロン粉末その他を所定の組成比に選択した原料成分を
ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに熱ロ
ールによる混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当
な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こう
して得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする電
子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用す
れば優れた特性と信頼性を付与させることができる。
【００１４】本発明の半導体封止装置は、上述したエポ
キシ樹脂組成物を用いて、半導体チップを封止すること
により容易に製造することができる。封止を行う半導体
チップとしては、例えば、集積回路、大規模集積回路、
トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定さ
れるものではない。封止の最も一般的な方法としては、
低圧トランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成
形、注形等による封止も可能である。エポキシ樹脂組成
物は封止の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成
物の硬化物によって封止された半導体封止装置が得られ
る。加熱による硬化は、150 ℃以上に加熱して硬化させ
ることが望ましい。
キシ樹脂組成物を用いて、半導体チップを封止すること
により容易に製造することができる。封止を行う半導体
チップとしては、例えば、集積回路、大規模集積回路、
トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定さ
れるものではない。封止の最も一般的な方法としては、
低圧トランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成
形、注形等による封止も可能である。エポキシ樹脂組成
物は封止の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成
物の硬化物によって封止された半導体封止装置が得られ
る。加熱による硬化は、150 ℃以上に加熱して硬化させ
ることが望ましい。
【００１５】
【作用】本発明は、ノボラック型フェノール樹脂を硬化
剤とするエポキシ樹脂組成物において、窒化ケイ素被覆
窒化ボロン粉末を用いたことによって、耐湿性、熱放散
性ともにすぐれ、その他の特性もバランスよく保持させ
ることができ、この樹脂組成物を用いることによって信
頼性の高い半導体封止装置を製造することができる。
剤とするエポキシ樹脂組成物において、窒化ケイ素被覆
窒化ボロン粉末を用いたことによって、耐湿性、熱放散
性ともにすぐれ、その他の特性もバランスよく保持させ
ることができ、この樹脂組成物を用いることによって信
頼性の高い半導体封止装置を製造することができる。
【００１６】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例において「％」とは「重量
％」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例において「％」とは「重量
％」を意味する。
【００１７】実施例１ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量 21
5）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量 107） 8％、窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末（150
メッシュ篩上を除いた平均粒径17μm ）73％および離型
剤等 3％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこ
れを冷却粉砕して成形材料を製造した。
5）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量 107） 8％、窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末（150
メッシュ篩上を除いた平均粒径17μm ）73％および離型
剤等 3％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこ
れを冷却粉砕して成形材料を製造した。
【００１８】実施例２ 実施例１において、窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末（15
0 メッシュ篩上を除いた平均粒径17μm ）73％の替わり
に、窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末（150 メッシュ篩上
を除いた平均粒径17μm ）33％と結晶性シリカ粉末（平
均粒径38μm ）40％の混合粉末を用いた以外は、全て実
施例１と同一にして成形材料を製造した。
0 メッシュ篩上を除いた平均粒径17μm ）73％の替わり
に、窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末（150 メッシュ篩上
を除いた平均粒径17μm ）33％と結晶性シリカ粉末（平
均粒径38μm ）40％の混合粉末を用いた以外は、全て実
施例１と同一にして成形材料を製造した。
【００１９】比較例１ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量 21
5）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量 107） 8％、溶融シリカ粉末（平均粒径35μm ）73
％および離型剤等 3％を常温で混合し、実施例１と同様
にして成形材料を製造した。
5）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量 107） 8％、溶融シリカ粉末（平均粒径35μm ）73
％および離型剤等 3％を常温で混合し、実施例１と同様
にして成形材料を製造した。
【００２０】比較例２ 比較例１において、溶融シリカ粉末（平均粒径35μm ）
の替わりに、結晶性シリカ粉末（平均粒径28μm ）を用
いた以外は、全て比較例１と同一にして成形材料を製造
した。
の替わりに、結晶性シリカ粉末（平均粒径28μm ）を用
いた以外は、全て比較例１と同一にして成形材料を製造
した。
【００２１】比較例３ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量 21
5）18％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量 107） 9％、六方晶型窒化ケイ素粉末（ 150メッシ
ュ篩上を除いた平均粒径17μm ）70％および離型剤等 3
％を加えて、比較例１と同様にして成形材料を製造し
た。
5）18％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量 107） 9％、六方晶型窒化ケイ素粉末（ 150メッシ
ュ篩上を除いた平均粒径17μm ）70％および離型剤等 3
％を加えて、比較例１と同様にして成形材料を製造し
た。
【００２２】比較例４ 比較例３において、六方晶型窒化ケイ素粉末（ 150メッ
シュ篩上を除いた平均粒径17μm ）の替わりに、窒化ボ
ロン粉末（ 150メッシュ篩上を除いた平均粒径15μm ）
を用いた以外は、全て比較例３と同一にして成形材料を
製造した。
シュ篩上を除いた平均粒径17μm ）の替わりに、窒化ボ
ロン粉末（ 150メッシュ篩上を除いた平均粒径15μm ）
を用いた以外は、全て比較例３と同一にして成形材料を
製造した。
【００２３】実施例１〜２及び比較例１〜４で製造した
成形材料を用いて半導体チップを封止し、170 ℃で加熱
硬化させて半導体封止装置を製造した。成形材料及び半
導体封止装置について、諸試験を行ったのでその結果を
表１に示した。本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体
封止装置は、熱的特性がよく、耐湿性、成形性に優れて
おり、本発明の効果を確認することができた。
成形材料を用いて半導体チップを封止し、170 ℃で加熱
硬化させて半導体封止装置を製造した。成形材料及び半
導体封止装置について、諸試験を行ったのでその結果を
表１に示した。本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体
封止装置は、熱的特性がよく、耐湿性、成形性に優れて
おり、本発明の効果を確認することができた。
【００２４】
【表１】 ＊1 ：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１により測定した。 ＊2 ：半導体封止装置を、迅速熱伝導計（昭和電工社
製、商品名ＱＴＭ−ＭＤ）を用いて室温で測定した。 ＊3 ：120 キャビティ取り１６ピンＰ金型を用いて、成
形材料を 170℃で 3分間トランスファー成形し、充填性
を評価した。○印…良好。 ＊4 ：成形材料を用いて、 2本のアルミニウム配線を有
する半導体チップを、170 ℃で 3分間の条件でトランス
ファー成形した後、さらに 8時間エイジングさせた。こ
の半導体封止装置 100個について 120℃の高圧水蒸気中
で耐湿試験を行い、アルミニウム腐食による50％断線
（不良発生）の起こる時間を評価した。
製、商品名ＱＴＭ−ＭＤ）を用いて室温で測定した。 ＊3 ：120 キャビティ取り１６ピンＰ金型を用いて、成
形材料を 170℃で 3分間トランスファー成形し、充填性
を評価した。○印…良好。 ＊4 ：成形材料を用いて、 2本のアルミニウム配線を有
する半導体チップを、170 ℃で 3分間の条件でトランス
ファー成形した後、さらに 8時間エイジングさせた。こ
の半導体封止装置 100個について 120℃の高圧水蒸気中
で耐湿試験を行い、アルミニウム腐食による50％断線
（不良発生）の起こる時間を評価した。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明及び表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、樹脂組成物の耐湿性、成形性、特に薄肉部の充填性
に優れ、熱膨脹係数が小さく、熱伝導率、熱放散性がよ
く、それらの特性バランスのとれたもので、信頼性の高
い半導体封止装置が製造できた。
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、樹脂組成物の耐湿性、成形性、特に薄肉部の充填性
に優れ、熱膨脹係数が小さく、熱伝導率、熱放散性がよ
く、それらの特性バランスのとれたもので、信頼性の高
い半導体封止装置が製造できた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 // Ｂ２９Ｋ 63:00
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック
型フェノール樹脂および（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒化ボロ
ン粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）
窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末を25〜90重量％含有して
なることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック
型フェノール樹脂および（Ｃ）窒化ケイ素被覆窒化ボロ
ン粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）
窒化ケイ素被覆窒化ボロン粉末を25〜90重量％の割合に
含有したエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チップ
が封止されてなることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8624092A JPH05247182A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8624092A JPH05247182A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05247182A true JPH05247182A (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=13881284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8624092A Pending JPH05247182A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05247182A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589714A (en) * | 1992-06-08 | 1996-12-31 | The Dow Chemical Company | Epoxy polymer filled with aluminum nitride-containing polymer and semiconductor devices encapsulated with a thermosetting resin containing aluminum nitride particles |
| US5601874A (en) * | 1994-12-08 | 1997-02-11 | The Dow Chemical Company | Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby |
| US5627107A (en) * | 1992-06-08 | 1997-05-06 | The Dow Chemical Company | Semiconductor devices encapsulated with aluminum nitride-filled resins and process for preparing same |
| US9505914B2 (en) * | 2015-01-29 | 2016-11-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Inorganic filler, resin composition comprising the same and heat radiation substrate using the same |
| CN109535656A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-03-29 | 湖北第二师范学院 | 氮化硼/环氧基导热性有机复合材料及其制备方法和应用 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP8624092A patent/JPH05247182A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589714A (en) * | 1992-06-08 | 1996-12-31 | The Dow Chemical Company | Epoxy polymer filled with aluminum nitride-containing polymer and semiconductor devices encapsulated with a thermosetting resin containing aluminum nitride particles |
| US5627107A (en) * | 1992-06-08 | 1997-05-06 | The Dow Chemical Company | Semiconductor devices encapsulated with aluminum nitride-filled resins and process for preparing same |
| US5601874A (en) * | 1994-12-08 | 1997-02-11 | The Dow Chemical Company | Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby |
| US9505914B2 (en) * | 2015-01-29 | 2016-11-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Inorganic filler, resin composition comprising the same and heat radiation substrate using the same |
| US9670340B2 (en) | 2015-01-29 | 2017-06-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Inorganic filler, resin composition comprising the same and heat radiation substrate using the same |
| US9902841B2 (en) | 2015-01-29 | 2018-02-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Inorganic filler, resin composition comprising the same and heat radiation substrate using the same |
| CN109535656A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-03-29 | 湖北第二师范学院 | 氮化硼/环氧基导热性有机复合材料及其制备方法和应用 |
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