JPH05246725A - ガラス様に固化する液晶において強誘電性、反強誘電性あるいはフェリ誘電性秩序を形成する方法 - Google Patents
ガラス様に固化する液晶において強誘電性、反強誘電性あるいはフェリ誘電性秩序を形成する方法Info
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- JPH05246725A JPH05246725A JP4285628A JP28562892A JPH05246725A JP H05246725 A JPH05246725 A JP H05246725A JP 4285628 A JP4285628 A JP 4285628A JP 28562892 A JP28562892 A JP 28562892A JP H05246725 A JPH05246725 A JP H05246725A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来技術における欠点を示さず、ガラス様に
固化しており、極性秩序を有する、ガラス様に固化して
いる新規の液晶状態ないし相をもたらすことおよびガラ
ス様に固化している液晶状態を形成する方法を提供する
こと。 【構成】 メソーゲン基化合物をガラス転移点以上、一
般的に２５℃以上、好ましくは３５℃以上、ことに４５
℃以上の温度に加熱し、次いでこの化合物をガラス転位
点以下に冷却することを特徴とする、ガラス様に固化す
る液晶において強誘電性、反強誘電性あるいはフェリ誘
電性秩序を形成する方法。
固化しており、極性秩序を有する、ガラス様に固化して
いる新規の液晶状態ないし相をもたらすことおよびガラ
ス様に固化している液晶状態を形成する方法を提供する
こと。 【構成】 メソーゲン基化合物をガラス転移点以上、一
般的に２５℃以上、好ましくは３５℃以上、ことに４５
℃以上の温度に加熱し、次いでこの化合物をガラス転位
点以下に冷却することを特徴とする、ガラス様に固化す
る液晶において強誘電性、反強誘電性あるいはフェリ誘
電性秩序を形成する方法。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明はガラス様に固化する反強誘電性の
スメクチック液晶において強誘電性、反強誘電性、ある
いはフェリ誘電性秩序を形成する方法に関するものであ
る。
スメクチック液晶において強誘電性、反強誘電性、ある
いはフェリ誘電性秩序を形成する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来技術】ネマチック配向あるいは直交層構造（直交
スメクチック相）あるいは傾斜層構造（傾斜スメクチッ
ク相）において液晶相が凍結している液晶重合体が存在
する（西独特許出願公開３９１７１９６号公報参照）。
スメクチック相）あるいは傾斜層構造（傾斜スメクチッ
ク相）において液晶相が凍結している液晶重合体が存在
する（西独特許出願公開３９１７１９６号公報参照）。
【０００３】低分子量液晶において反強誘電性相または
フェリ誘電性相が生起することも公知（Ｊａｐ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２８（１９８９）Ｌ１２６５）であ
るが、これらはガラス様に凍結しない。
フェリ誘電性相が生起することも公知（Ｊａｐ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２８（１９８９）Ｌ１２６５）であ
るが、これらはガラス様に凍結しない。
【０００４】また重合体液晶相において反強誘電性相が
生起することも公知である（強誘電性液晶に関する第３
回国際会議、１９９１年６月２４−２８日、米国コロラ
ド州、ボウルダー）。
生起することも公知である（強誘電性液晶に関する第３
回国際会議、１９９１年６月２４−２８日、米国コロラ
ド州、ボウルダー）。
【０００５】これらの公知材料は、集積光学、ないしオ
プトエレクトロニクスおよびデータ記憶の分野において
有利に使用される。例えばディスプレイ、オプトエレク
トロニクスシャッター、オプトエレクトロニクスダイア
フラム、記憶素子、光変調器、プリンタヘッド、多焦点
レンズなどのオプトエレクトロニクス器材における使用
である（１９８２年アカデミック、プレスモリ、Ａ．ツ
ィフェリ、Ｗ．Ｒ．クリグバウム、Ｒ．Ｂ．マイヤー編
「ポリマー、リクイド、クリスタルズ」におけるＨ．フ
ィンケルマンの論稿参照）。
プトエレクトロニクスおよびデータ記憶の分野において
有利に使用される。例えばディスプレイ、オプトエレク
トロニクスシャッター、オプトエレクトロニクスダイア
フラム、記憶素子、光変調器、プリンタヘッド、多焦点
レンズなどのオプトエレクトロニクス器材における使用
である（１９８２年アカデミック、プレスモリ、Ａ．ツ
ィフェリ、Ｗ．Ｒ．クリグバウム、Ｒ．Ｂ．マイヤー編
「ポリマー、リクイド、クリスタルズ」におけるＨ．フ
ィンケルマンの論稿参照）。
【０００６】しかしながら、これら公知材料の欠点は、
ガラス様状態において不安定性であること、強誘電性液
晶重合体のみが両状態間の双安定切換可能であること、
加工処理性（例えば器材製造のための）が悪いこと、切
換性に問題があること、応答時間が著しく長いこと、各
相の状態範囲が著しく狭まいこと、反強誘電性相構造に
おいて凍結不能であることなどである。
ガラス様状態において不安定性であること、強誘電性液
晶重合体のみが両状態間の双安定切換可能であること、
加工処理性（例えば器材製造のための）が悪いこと、切
換性に問題があること、応答時間が著しく長いこと、各
相の状態範囲が著しく狭まいこと、反強誘電性相構造に
おいて凍結不能であることなどである。
【０００７】そこで本発明の目的は、従来技術における
欠点を示さず、ガラス様に固化しており、極性秩序を有
する、ガラス様に固化している新規の液晶状態ないし相
をもたらすことである。本発明のさらに他の目的は、ガ
ラス様に固化している液晶状態を形成する方法を提供す
ることである。
欠点を示さず、ガラス様に固化しており、極性秩序を有
する、ガラス様に固化している新規の液晶状態ないし相
をもたらすことである。本発明のさらに他の目的は、ガ
ラス様に固化している液晶状態を形成する方法を提供す
ることである。
【０００８】
【発明の要約】しかるに上述した目的は、メソーゲン基
化合物をガラス転移点以上、一般的に２５℃以上、好ま
しくは３５℃以上、ことに４５℃以上の温度に加熱し、
次いでこの化合物をガラス転位点以下に冷却することを
特徴とする、ガラス様に固化する液晶において強誘電
性、反強誘電性あるいはフェリ誘電性秩序を形成する方
法により達成されることが見出された。
化合物をガラス転移点以上、一般的に２５℃以上、好ま
しくは３５℃以上、ことに４５℃以上の温度に加熱し、
次いでこの化合物をガラス転位点以下に冷却することを
特徴とする、ガラス様に固化する液晶において強誘電
性、反強誘電性あるいはフェリ誘電性秩序を形成する方
法により達成されることが見出された。
【０００９】上記方法の好ましい実施態様が請求項
（２）から（８）に示されている。
（２）から（８）に示されている。
【００１０】
【発明の構成】本発明方法に使用されるべき材料は、特
定の温度範囲において液晶状態を示し、特定の温度範囲
以下においてガラス様に固化し、重合体のガラス状態に
おいて凍結する層構造を示すカイラル化合物ないしカイ
ラル重合体である。このような構造の層中において、重
合体側鎖ないしカイラル化合物の重心は無秩序分布ある
いは秩序分布状態に在る。重合体側鎖の優先方向を決定
する配向ベクトルｎは、層法線Ｚに対して、ｎとＺの間
の角度により示される傾きを有する。この角度は傾き角
として周知のものである。傾き角は本来的に存在し、あ
るいは外力、例えば電場および／あるいは磁場および／
あるいは剪断力により誘起される。誘起されたあるいは
本来的に存在する傾き角を有する層構造を示す、本発明
方法の出発材料は、マイクロ層、例えばカイラルスメク
チック液晶Ｃ相（Ｓ* C相）において極性を有する。しか
しながら、このマイクロ層の極性は、隣接層の極性によ
り部分的もしくは全体的に均衡せしめられる。
定の温度範囲において液晶状態を示し、特定の温度範囲
以下においてガラス様に固化し、重合体のガラス状態に
おいて凍結する層構造を示すカイラル化合物ないしカイ
ラル重合体である。このような構造の層中において、重
合体側鎖ないしカイラル化合物の重心は無秩序分布ある
いは秩序分布状態に在る。重合体側鎖の優先方向を決定
する配向ベクトルｎは、層法線Ｚに対して、ｎとＺの間
の角度により示される傾きを有する。この角度は傾き角
として周知のものである。傾き角は本来的に存在し、あ
るいは外力、例えば電場および／あるいは磁場および／
あるいは剪断力により誘起される。誘起されたあるいは
本来的に存在する傾き角を有する層構造を示す、本発明
方法の出発材料は、マイクロ層、例えばカイラルスメク
チック液晶Ｃ相（Ｓ* C相）において極性を有する。しか
しながら、このマイクロ層の極性は、隣接層の極性によ
り部分的もしくは全体的に均衡せしめられる。
【００１１】このような挙動はフェリ誘電性ないし反強
誘電性として知られている。
誘電性として知られている。
【００１２】このような材料は下記のような領域で有利
に使用されている。すなわち、電気的、磁気的かつ／も
しくは光学的記憶システム、電子写真、エレクトロニク
ス素子ないしその構成単位、電気光学素子ないしその構
成単位、印刷などである。
に使用されている。すなわち、電気的、磁気的かつ／も
しくは光学的記憶システム、電子写真、エレクトロニク
ス素子ないしその構成単位、電気光学素子ないしその構
成単位、印刷などである。
【００１３】しかるにこのような材料を本発明方法の材
料として使用し、本発明方法により処理して、ガラス様
に固化する反強誘電性のスメクチック液晶において、強
誘電性、反強誘電性あるいはフェリ誘電性秩序を形成し
た場合、意外にも以下の如き利点をもたらし得ることが
判明した。すなわち、従来より短かい応答時間、三安定
性切換え、広い安定範囲、極性秩序の凍結性、電場、磁
場に対応する極性秩序である。
料として使用し、本発明方法により処理して、ガラス様
に固化する反強誘電性のスメクチック液晶において、強
誘電性、反強誘電性あるいはフェリ誘電性秩序を形成し
た場合、意外にも以下の如き利点をもたらし得ることが
判明した。すなわち、従来より短かい応答時間、三安定
性切換え、広い安定範囲、極性秩序の凍結性、電場、磁
場に対応する極性秩序である。
【００１４】
一般的実験手続および試料調製 導電性コーティングを施こし、その上に形成されたポリ
イミド配向層を有する２枚の平行面ガラス板を使用し
て、周知の方法によりセルを調製した。液晶試料の層厚
さは平均４μｍとし、各試料ごとに干渉法により測定し
た。
イミド配向層を有する２枚の平行面ガラス板を使用し
て、周知の方法によりセルを調製した。液晶試料の層厚
さは平均４μｍとし、各試料ごとに干渉法により測定し
た。
【００１５】各セルに等方性相の物質を毛細管作用によ
り充填した。この目的のために縁辺に上記物質を含有し
ているセルを透明点以上に加熱して、材料物質を毛細管
作用でセル間隙に吸引させ、次いで徐々に液晶相となる
まで冷却した。配向層効果と併わせて、液晶の好ましい
平面配向がもたらされた。配向改善のため電場および／
あるいは磁場を附与することもできる。 分極および傾き角の測定 傾き角および自発分極を測定するため、検査されるべき
試料を調製し、上述した方法でセル内において配向させ
た。温度制御はＭｅｔｔｌｅｒ ＦＰ ８００／８５顕
微鏡加熱ステージで行なった。
り充填した。この目的のために縁辺に上記物質を含有し
ているセルを透明点以上に加熱して、材料物質を毛細管
作用でセル間隙に吸引させ、次いで徐々に液晶相となる
まで冷却した。配向層効果と併わせて、液晶の好ましい
平面配向がもたらされた。配向改善のため電場および／
あるいは磁場を附与することもできる。 分極および傾き角の測定 傾き角および自発分極を測定するため、検査されるべき
試料を調製し、上述した方法でセル内において配向させ
た。温度制御はＭｅｔｔｌｅｒ ＦＰ ８００／８５顕
微鏡加熱ステージで行なった。
【００１６】自発分極は三角法（Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．２２（１９８３）Ｌ６６１におけるＫ．
ミヤサトらの論稿参照）。この目的に使用される電圧信
号は関数発生器（Ｗａｖｅｔｅｋ ２７３）により発生
させ、電力増幅器（ＫｒｏｈｎＨｉｔｅ ７５００）で
増幅した。時間の関数として電流を蓄積型オシロスコー
プ（ヒューレット、パッカードＨＰ ５４５０１）によ
り記録した。次いで電流依存測定時間から自発分極を決
定した。
ｌ．Ｐｈｙｓ．２２（１９８３）Ｌ６６１におけるＫ．
ミヤサトらの論稿参照）。この目的に使用される電圧信
号は関数発生器（Ｗａｖｅｔｅｋ ２７３）により発生
させ、電力増幅器（ＫｒｏｈｎＨｉｔｅ ７５００）で
増幅した。時間の関数として電流を蓄積型オシロスコー
プ（ヒューレット、パッカードＨＰ ５４５０１）によ
り記録した。次いで電流依存測定時間から自発分極を決
定した。
【００１７】分極の符号はレイガウォールらの方法（Ｍ
ｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．１１４（１９
８４）１５１におけるＳ．Ｔ．レイガウォール、エ、ダ
ールの論稿参照）により決定した。
ｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．１１４（１９
８４）１５１におけるＳ．Ｔ．レイガウォール、エ、ダ
ールの論稿参照）により決定した。
【００１８】傾き角は切換え角の測定により決定した。
【００１９】応答時間は電場強さの−Ｅから＋Ｅへの電
場強さ変化の伝送における変化から決定される。
場強さ変化の伝送における変化から決定される。
【００２０】試料は交叉偏光子間で配向されて、＋Ｅ電
場の附与により暗色に見えた。次いで−Ｅ電場を附与し
たところ試料は明色となった。切換え時間測定のため、
電場を迅速に−Ｅから＋Ｅに切換えると共に、伝送変化
をホトダイオードで追跡した。応答時間は１０％／９０
％値として決定した。
場の附与により暗色に見えた。次いで−Ｅ電場を附与し
たところ試料は明色となった。切換え時間測定のため、
電場を迅速に−Ｅから＋Ｅに切換えると共に、伝送変化
をホトダイオードで追跡した。応答時間は１０％／９０
％値として決定した。
【００２１】本発明方法により使用されるべき適当な材
料は、西独特許出願公開３９１７１９６号公報に記載さ
れている物質であり、また重合体材料は分散性が低く
（１．２以下）、分子量が２０００から１００００ｇ／
モルのものが極めて好ましい。
料は、西独特許出願公開３９１７１９６号公報に記載さ
れている物質であり、また重合体材料は分散性が低く
（１．２以下）、分子量が２０００から１００００ｇ／
モルのものが極めて好ましい。
【００２２】本発明に使用されるべき材料は、電場が存
在しない場合には、光学的に一軸性相を有する。
在しない場合には、光学的に一軸性相を有する。
【００２３】本発明に使用されるべき材料は、また液晶
相における、またガラス相上の傾き角の顕著な跳躍挙動
を有する。このことは材料物質および温度に応じて附与
された特定の強さの磁場が過度である場合、液晶が反強
誘電性もしくはフェリ誘電性秩序から強誘電性秩序に切
換わることを意味する。
相における、またガラス相上の傾き角の顕著な跳躍挙動
を有する。このことは材料物質および温度に応じて附与
された特定の強さの磁場が過度である場合、液晶が反強
誘電性もしくはフェリ誘電性秩序から強誘電性秩序に切
換わることを意味する。
【００２４】この傾き角の顕著な跳躍挙動は、双極子密
度の変化に対応する分極電流と関連せしめられる。
度の変化に対応する分極電流と関連せしめられる。
【００２５】以下の各実施例において試料は上述したよ
うにして調製された。
うにして調製された。
【００２６】なお実施例１から３においては下記の液晶
材料が使用された。
材料が使用された。
【００２７】
【化１】 この材料はＧｌ ４５ Ｓ* CA １３４ ＳA １６０Ｉの
相挙動を有する。
相挙動を有する。
【００２８】
【実施例１】 反強誘電性配向ガラスの調製 上述液晶材料が充填されたセルには、ガラス相への冷却
処理の間、電場を全く附与しなかった。マイクロ層の反
強誘電性秩序は上述したようにして形成された。表面分
極を持たない、光学的に一軸性の直交構造が形成され
た。このようにして処理された試料における光学的傾き
角は０°であった。
処理の間、電場を全く附与しなかった。マイクロ層の反
強誘電性秩序は上述したようにして形成された。表面分
極を持たない、光学的に一軸性の直交構造が形成され
た。このようにして処理された試料における光学的傾き
角は０°であった。
【００２９】
【実施例２】 フェリ誘電性配向ガラスの調製 ガラス相にするための冷却処理の間において、上述の液
晶材料を充填したセルには、電場が附与された。この電
場の強さは、遷移電場強さＥt ( これ以上で強誘電性秩
序を形成する）よりも小さいものであった。マイクロ層
のフェリ誘導性秩序は上述したように形成された。光学
的に双軸性の傾斜構造が形成された。このようにして処
理された試料の傾き角、従って双曲子密度は、附与され
た電場強さＥに対応する。表面分極の符号は電場の方向
により影響される。
晶材料を充填したセルには、電場が附与された。この電
場の強さは、遷移電場強さＥt ( これ以上で強誘電性秩
序を形成する）よりも小さいものであった。マイクロ層
のフェリ誘導性秩序は上述したように形成された。光学
的に双軸性の傾斜構造が形成された。このようにして処
理された試料の傾き角、従って双曲子密度は、附与され
た電場強さＥに対応する。表面分極の符号は電場の方向
により影響される。
【００３０】 附与された電場 傾き角 表面分極符号 ＋２５Ｖ／μｍ １０° ＋ ＋３７ 〃 １５° ＋ −２５ 〃 １０° − −３７ 〃 １５° −
【００３１】
【実施例３】 強誘電性配向ガラスの調製 ガラス相にするための冷却作用の間、上述液晶材料を充
填したセルに電場が附与された。この電場強さは、遷移
電場強さＥt （これ以上で強誘電性秩序を形成する）よ
り大きい。
填したセルに電場が附与された。この電場強さは、遷移
電場強さＥt （これ以上で強誘電性秩序を形成する）よ
り大きい。
【００３２】光学的に双軸性の傾斜構造が形成された。
このようにして処理された試料の双極子密度は、附与さ
れた電場強さＥと無関係に定常的であり、表面分極符号
は電場方向により影響される。
このようにして処理された試料の双極子密度は、附与さ
れた電場強さＥと無関係に定常的であり、表面分極符号
は電場方向により影響される。
【００３３】
【実施例４】 反強誘電性構造における短かい応答時間 本実施例においては、以下の液晶材料が使用された。
【００３４】
【化２】 この材料物質の相順序はＧｌ ４５ Ｓ* CA １６０ Ｓ
A １８５ Ｉであった。この試料をセルに導入し、上述
の方法で配向した。応答時間実験を１４０℃における液
晶相で行なった。応答時間は１０Ｖ／μｍおよび１７．
５Ｖ／μｍの電場強さで測定したところ、コントラスト
１０％からコントラスト９０％までの応答時間は、１０
Ｖ／μｍの電場強さ（フェリ誘電性配向）で４０μ・
ｓ、１７．５Ｖ／μｍの電場強さ（強誘電性配向）でコ
ントラスト１０％からコントラスト９０％までの応答時
間は１１５μｓであった。
A １８５ Ｉであった。この試料をセルに導入し、上述
の方法で配向した。応答時間実験を１４０℃における液
晶相で行なった。応答時間は１０Ｖ／μｍおよび１７．
５Ｖ／μｍの電場強さで測定したところ、コントラスト
１０％からコントラスト９０％までの応答時間は、１０
Ｖ／μｍの電場強さ（フェリ誘電性配向）で４０μ・
ｓ、１７．５Ｖ／μｍの電場強さ（強誘電性配向）でコ
ントラスト１０％からコントラスト９０％までの応答時
間は１１５μｓであった。
【００３５】
【実施例５】 ガラス状態における安定性 同様の材料を使用し実施例１から３におけると同様にし
て試料を調製した。２０Ｖ／μｍの電場を附与してガラ
ス状態となるまで徐々に冷却した。３ケ月以上にわたり
試料に変化が認められず、凍結ガラス状態が維持され
た。凍結後の傾き角１０°、６ヶ月後の傾き角１０°で
あった。
て試料を調製した。２０Ｖ／μｍの電場を附与してガラ
ス状態となるまで徐々に冷却した。３ケ月以上にわたり
試料に変化が認められず、凍結ガラス状態が維持され
た。凍結後の傾き角１０°、６ヶ月後の傾き角１０°で
あった。
フロントページの続き (72)発明者 カール−ハインツ、エツバッハ ドイツ連邦共和国、6710、フランケンター ル、カール−ボッシュ−リング、55 (72)発明者 カール、ズィーメンスマイャー ドイツ連邦共和国、6710、フランケンター ル、エルンスト−ルートヴィヒ−キルヒナ ー−シュトラーセ、14 (72)発明者 ゲールハルト、ヴァーゲンブラスト ドイツ連邦共和国、6719、ヴァイゼンハイ ム、バッハヴェーク、８
Claims (8)
- 【請求項１】 メソーゲン基化合物をガラス転移点以
上、一般的に２５℃以上、好ましくは３５℃以上、こと
に４５℃以上の温度に加熱し、次いでこの化合物をガラ
ス転位点以下に冷却することを特徴とする、ガラス様に
固化する液晶において強誘電性、反強誘電性あるいはフ
ェリ誘電性秩序を形成する方法。 - 【請求項２】 請求項（１）による方法において、ガラ
ス様に固化している液晶秩序相上に反強誘電性のスメク
チック液晶挙動を有する材料を使用することを特徴とす
る方法。 - 【請求項３】 請求項（１）による方法において、冷却
処理の間に３から４０Ｖ／μｍ、好ましくは３から２
５、ことに３から１５Ｖ／μｍの臨界的電場強さより大
きい強さを有する電場を附与し、これにより分子双極子
モーメントに巨視的に強誘電性の秩序をもたらし、その
成分が個々の層（この層中において分子またはメソーゲ
ン単位が層法線に対し傾き角を成して配向されている）
内の分子長軸に対して直交し、これにより外部に作用す
る巨視的双極子モーメントを形成することを特徴とする
方法。 - 【請求項４】 請求項（１）による方法において、電場
の符号は正でも負でもよく、スメクチック液晶相のマイ
クロ層中における各化合物分子の横方向双極子モーメン
トが、電場方向に平行に整列しており、従って巨視的双
極子モーメントの整列方向に影響を与えることを特徴と
する方法。 - 【請求項５】 請求項（１）による方法において、冷却
処理の間に電場を附与せず、あるいはメソーゲン基化合
物分子の横方向双極子モーメントに、その双極子モーメ
ントが巨視的に加算して零または実質的に零となり、従
って零または実質的に零の巨視的双極子モーメントがも
たらされるように小さな電場を附与することを特徴とす
る方法。 - 【請求項６】 請求項（１）による方法において、冷却
処理の間に臨界的電場強さ以下であって、従って完全な
強誘電性秩序を形成しない、２から４０Ｖ／μｍ、好ま
しくは２から２５、ことに２から１５Ｖ／μｍの電場強
さの電場を附与し、これにより分子の双極子モーメント
に充分な秩序を形成しないが、もたらされた電場に比例
する巨視的双極子モーメントを生起させることを特徴と
する方法。 - 【請求項７】 請求項（１）による方法において、電場
の符号は正でも負でもよく、スメクチック液晶相のマイ
クロ層中における各化合物分子の横方向双極子モーメン
トが、附与される電場に対応して、電場方向に平行に、
部分的に整列せしめられ、これにより附与された電場の
方向に対応して、巨視的双極子モーメントの整列方向に
影響を及ぼすことを特徴とする方法。 - 【請求項８】 請求項（１）の方法で処理された、ガラ
ス様に固化する液晶材料を、強誘電性層もしくは反強誘
電性層の利用により、光学的記憶媒体、電気／磁気的記
憶媒体、電子写真法、エレクトロニック素子、電気／光
学的素子ないし集合体あるいは印刷方法に使用する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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