JPH0523579A - Surface processing and its device - Google Patents

Surface processing and its device

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JPH0523579A
JPH0523579A JP3208570A JP20857091A JPH0523579A JP H0523579 A JPH0523579 A JP H0523579A JP 3208570 A JP3208570 A JP 3208570A JP 20857091 A JP20857091 A JP 20857091A JP H0523579 A JPH0523579 A JP H0523579A
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plasma
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insulator container
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行弘 草野
Masahito Yoshikawa
雅人 吉川
Toshio Naito
壽夫 内藤
Sachiko Okazaki
幸子 岡崎
Masuhiro Kokoma
益弘 小駒
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Abstract

PURPOSE:To perform surface processing such as coating or etching on various materials efficiently in an atmosphere and further apply local processing by converting an atmospheric pressure glow plasma as a dot or a linear plasma by a simple technique. CONSTITUTION:A gas introduction orifice 2 to which a means for supplying gas is provided on the base end side of an insulator container 1 of glass with a tapered tip or a linear thin tip, and at the same time, a gas release orifice 3 is provided on the tip end side with an electrode 4 arranged inside. In addition, an alternating current voltage is applied from an AC power supply 7 connected to the electrode 4, and the surface of a material to be processed 6 is subjected to processes to make it hydrophilic and water-repellent as well as surface processes such as etching and coating using a clot or a linear plasma ejected from the gas release orifice 3 by a gas flow. In this case, the gas pressure becomes high near the tip opening as the tip of the insulator container 1 is tapered or linearly thin. Subsequently, it is possible to eject the dot or linear plasma efficiently.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマにより各種材
料にコーティング、エッチングなどの表面処理を施す表
面処理方法及び装置に関し、特に被処理物を大気中に配
置した状態でしかも被処理物表面の局所的な処理を行う
ことが可能な表面処理方法及びその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment method and apparatus for subjecting various materials to surface treatment such as coating and etching by plasma, and more particularly to a surface treatment method in which the object to be treated is placed in the atmosphere. The present invention relates to a surface treatment method and apparatus capable of performing local treatment.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
基材表面を処理して親水性、撥水性等を与えるための表
面改質方法(表面処理方法)として、いくつかの方法が
知られているが、このうちコロナ放電処理、低圧グロー
プラズマ表面処理などの放電処理方法は、乾式でクリー
ンな処理方法として注目されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, the problems to be solved by the invention
Several methods are known as surface modification methods (surface treatment methods) for treating the surface of the base material to impart hydrophilicity, water repellency, etc. Among them, corona discharge treatment, low-pressure glow plasma surface treatment The electric discharge treatment method such as has attracted attention as a dry and clean treatment method.

【0003】コロナ放電処理は、大気圧において、主に
空気,窒素等の雰囲気中で行われ、放電処理の中でも安
価で簡便な処理方法である。しかし、コロナ放電では電
子がビーム状に放電されるため、被処理物表面に処理む
らができてしまい、また、ガス温度が低温プラズマにお
けるガス温度に比べてかなり高いので、親水化以外の表
面処理が極めて難しいという問題点がある。また、コロ
ナ放電処理による親水化の度合いは、プラズマ処理によ
る場合に比べて一般に不十分である。
Corona discharge treatment is performed at atmospheric pressure mainly in an atmosphere of air, nitrogen, etc., and is a cheap and simple treatment method among discharge treatments. However, in corona discharge, electrons are discharged in a beam shape, which causes uneven treatment on the surface of the object to be treated, and since the gas temperature is considerably higher than the gas temperature in low temperature plasma, surface treatment other than hydrophilization is performed. Is extremely difficult. Further, the degree of hydrophilization by corona discharge treatment is generally insufficient as compared with the case of plasma treatment.

【0004】一方、低圧グロープラズマ処理では、処理
むらの少ない均一な表面処理ができる上に、雰囲気ガス
種や、入力電力、周波数、圧力などを変えて処理を行う
ことにより、様々な高機能表面を得ることが可能であ
る。しかし、低圧グロープラズマ処理は通常10Tor
r以下の低圧において行われるため、これを工業的に実
施する場合、大型の真空装置が必要となり、設備費や処
理コストが大きくなる。更に、被処理物が水分やガス可
塑剤などを多く含む場合は、これらが減圧雰囲気中で気
化し、被処理物表面から放出され、このためプラズマ処
理において目的とする性能や機能が得られない場合もあ
る。しかも、このようなプラズマ処理では、処理中に熱
が発生しやすく、このため低融点物質からなる被処理物
には適用し難いという問題点がある。
On the other hand, in the low-pressure glow plasma treatment, a uniform surface treatment with less treatment unevenness can be performed, and various high-performance surfaces can be obtained by changing the atmospheric gas species, input power, frequency, pressure, etc. It is possible to obtain However, low pressure glow plasma treatment is usually 10 Tor
Since it is carried out at a low pressure of r or less, a large vacuum device is required when this is industrially carried out, and the equipment cost and the processing cost increase. Furthermore, when the object to be processed contains a large amount of water, gas plasticizer, etc., these are vaporized in a reduced pressure atmosphere and released from the surface of the object to be processed, so that the desired performance and function in plasma processing cannot be obtained. In some cases. Moreover, such a plasma treatment has a problem that heat is easily generated during the treatment, and thus it is difficult to apply it to an object to be treated which is made of a low melting point substance.

【0005】また、上記両処理方法の問題点を同時に解
決した表面処理方法として、大気圧において安定してグ
ロープラズマを得、これを用いて基材の表面を処理する
方法(大気圧グロープラズマ処理法)が提案されている
(特開平1−306569号、同2−15171号公報
等)。
Further, as a surface treatment method which solves the problems of both treatment methods at the same time, a method of stably obtaining glow plasma at atmospheric pressure and treating the surface of a substrate using the glow plasma (atmospheric pressure glow plasma treatment) Method) has been proposed (JP-A-1-306569, JP-A-2-15171, etc.).

【0006】この大気圧グロープラズマ法による表面処
理は、大気圧付近の圧力で実施されるため大型の真空装
置を必要とせず、また、水分やガス可塑剤などを多く含
む基材にも良好に対応し得、しかも処理時の発熱もほと
んど生じることがない。このため、低融点の基材にも適
応可能であるといった特徴を有する上、2つの電極で挟
まれた部分からの放電された電子はほとんど拡がらない
ので、ある程度局所的な処理が可能で、部材の所定の部
分だけを処理することもできる。
Since the surface treatment by the atmospheric pressure glow plasma method is carried out at a pressure near the atmospheric pressure, a large vacuum device is not required, and a substrate containing a large amount of water, a gas plasticizer, etc. can be satisfactorily used. It can be dealt with and almost no heat is generated during processing. Therefore, it has a feature that it can be applied to a base material having a low melting point, and the electrons discharged from the portion sandwiched by the two electrodes hardly spread, so that local treatment can be performed to some extent. It is also possible to treat only certain parts of the part.

【0007】しかし、この大気圧グロープラズマ法で
は、放電を安定化させるため、処理室を例えばヘリウ
ム、ネオン、アルゴン、窒素等の不活性なガス、酸素、
水素等の汎用ガスなどをはじめとした大気圧中でグロー
放電しやすいガス雰囲気とする必要があり、このため大
気中に配置した基材を処理することは不可能であった。
その上、上記のようにある程度局所的な処理は可能であ
るが、レーザープロセスのように更に狭い範囲における
局所的な処理は困難である。
However, in this atmospheric pressure glow plasma method, in order to stabilize the discharge, the processing chamber is provided with an inert gas such as helium, neon, argon, nitrogen, oxygen, etc.
It is necessary to create a gas atmosphere that facilitates glow discharge under atmospheric pressure including general-purpose gases such as hydrogen, and thus it has been impossible to treat the substrate placed in the atmosphere.
Moreover, although local treatment is possible to some extent as described above, local treatment in a narrower range such as a laser process is difficult.

【0008】このような問題点を解決する方法として、
マイクロビームプラズマ法(1991年春季第38回応
用物理学会講演会講演予稿集,28p−ZE−13,1
4)があり、この方法では大気圧グロープラズマ放電を
用い、直径2mm以下のビーム状放電とすることによ
り、ポンプフリーで、かつ、大気圧中で各種基材にコー
ティング、エッチングなどの表面処理を局所的に施すこ
とができる。
As a method for solving such a problem,
Microbeam Plasma Method (Proceedings of the 38th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics 1991, 28p-ZE-13, 1
4), and in this method, atmospheric pressure glow plasma discharge is used, and by using beam discharge with a diameter of 2 mm or less, pump-free and surface treatment such as coating and etching on various substrates at atmospheric pressure is possible. Can be applied locally.

【0009】しかし、この方法においては、金属製フレ
ーム等の形態のアノードが必要であること、異常放電を
抑え、ガス使用効率を高めるため、絶縁材料としてテフ
ロンを使用することなど、装置構成上いくつかの制約が
あり、装置の簡素化の点で不十分であった。更に、この
方法においては、表面処理に際してカソードと上記アノ
ードとの間の放電を効率的に使うことができず、経済的
に不利であった。
However, in this method, an anode in the form of a metal frame or the like is required, and Teflon is used as an insulating material in order to suppress abnormal discharge and improve gas use efficiency. However, there was a limitation, and it was insufficient in terms of simplification of the device. Further, in this method, the discharge between the cathode and the anode cannot be efficiently used in the surface treatment, which is economically disadvantageous.

【0010】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
グロープラズマを用いて、大気中においても各種材料の
コーティング、エッチングなどの表面処理を効率よく行
うことができ、しかも局所的な表面処理を良好に行うこ
とができる表面処理方法及びその装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances.
(EN) A surface treatment method and apparatus capable of efficiently performing surface treatment such as coating and etching of various materials even in the atmosphere using glow plasma and satisfactorily performing local surface treatment. The purpose is to

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、ガス導入口
を有すると共に、先端開口部をガス放出口とした絶縁体
容器内部に電極を配置し、前記絶縁体容器内部にガス導
入口から所定のガスを導入フローさせると共に、前記電
極に電圧を印加して前記先端開口部にプラズマを発生さ
せ、該プラズマを前記絶縁体容器のガス放出口から外部
に射出させ、各種材料の表面処理コーティング、エッチ
ングなどを効率よく行うことができることを見い出し、
本発明を完成させた。
Means for Solving the Problems and Actions The inventors of the present invention have conducted extensive studies to achieve the above object, and as a result, have an electrode inside the insulator container having a gas introduction port and a gas discharge port at the tip opening. And a flow of a predetermined gas is introduced into the insulator container from a gas inlet, and a voltage is applied to the electrode to generate plasma in the tip opening, and the plasma is supplied to the insulator container gas. We found that it is possible to efficiently perform surface treatment coating of various materials, etching, etc. by injecting from the discharge port to the outside,
The present invention has been completed.

【0012】従って、本発明は、ガス導入口を有すると
共に、先端開口部をガス放出口とした絶縁体容器内部に
電極を配置し、前記絶縁体容器内部にガス導入口から所
定のガスを導入フローさせると共に、前記電極に電圧を
印加して前記先端開口部にプラズマを発生させ、該プラ
ズマを前記絶縁体容器のガス放出口から外部に射出さ
せ、かつ該プラズマが射出される位置に被処理物を配置
して被処理物を表面処理することを特徴とする表面処理
方法、及び、ガス導入口を有すると共に、先端開口部を
ガス放出口とした絶縁体容器と、該絶縁体容器内部に配
置される電極と、該電極に電圧を印加するための電源
と、前記絶縁体容器内部に所定のガスを供給するガス供
給手段とを具備し、上記に記載の方法で被処理物を表面
処理するようにしたことを特徴とする表面処理装置を提
供する。
Therefore, according to the present invention, the electrode is disposed inside the insulator container having the gas inlet and the tip opening being the gas outlet, and a predetermined gas is introduced into the insulator container from the gas inlet. While flowing, a voltage is applied to the electrode to generate plasma in the tip opening, the plasma is emitted to the outside from the gas discharge port of the insulator container, and the plasma is emitted at a position to be treated. A surface treatment method characterized by arranging an object to surface-treat an object to be treated, and an insulator container having a gas inlet and having a tip opening as a gas outlet, and inside the insulator container. Surface treatment of the object to be processed by the method described above, comprising an electrode to be arranged, a power supply for applying a voltage to the electrode, and a gas supply means for supplying a predetermined gas into the insulator container. I tried to do it To provide a surface treatment apparatus according to claim.

【0013】以下、本発明を更に詳細に説明すると、本
発明に係る表面処理方法は、図1〜15に示すように、
ガス導入口2を有すると共に、先端開口部をガス放出口
3とした絶縁体容器1の内部に電極4を配置し、前記絶
縁体容器1の内部にガス導入口2から所定のガスを導入
フローさせると共に、電極4に電圧を印加してガス放出
口3にプラズマを発生させ、該プラズマを絶縁体容器1
のガス放出口3から外部に射出させ、点状或いは線状の
プラズマ5により、上記ガス放出口3の外方に配置した
被処理物6の表面に親水化処理,撥水化処理、エッチン
グ、コーティングなどの表面処理を施すものである。本
発明に係る方法においては、放電が極めて安定に発生す
るため、大気中に放電を発生させることも可能である。
なおこの場合、電極先端は容器1の先端開口部近傍内部
又は近傍外部に配置させることが好適である。
The present invention will be described in more detail below. The surface treatment method according to the present invention is as shown in FIGS.
An electrode 4 is arranged inside an insulator container 1 having a gas inlet 2 and having a tip opening as a gas outlet 3, and a flow of introducing a predetermined gas into the inside of the insulator container 1 from the gas inlet 2. At the same time, a voltage is applied to the electrode 4 to generate plasma at the gas discharge port 3 and the plasma is generated.
From the gas discharge port 3 to the outside, and by the spot-like or linear plasma 5, the surface of the object to be treated 6 arranged outside the gas discharge port 3 is made hydrophilic, water-repellent, and etched. The surface treatment such as coating is performed. In the method according to the present invention, since discharge is extremely stable, it is possible to generate discharge in the atmosphere.
In this case, it is preferable that the tip of the electrode is disposed inside or outside the tip opening of the container 1.

【0014】ここで、絶縁体容器の材料としてはガラ
ス、セラミック、プラスチック、ゴムなど、絶縁体で所
定の形状になりさえすれば、特に制限はない。絶縁体容
器としてはプラズマを発生させることができるものであ
れば制限はなく、大きさ、形状等いかなるものも使用す
ることができるが、被処理物に局所的な表面処理を効率
よく行う場合は、ノズル形状であることが好ましく、特
にノズル先端部の直径を数mm以下とすることが好まし
い。
Here, the material of the insulator container is not particularly limited as long as it is made of glass, ceramic, plastic, rubber or the like and has a predetermined shape. The insulator container is not limited as long as it can generate plasma, and any size, shape, or the like can be used. It is preferable that the nozzle has a nozzle shape, and it is particularly preferable that the diameter of the nozzle tip portion is several mm or less.

【0015】絶縁体容器内部に配置され、電圧が印加さ
れる電極は、プラズマを発生させることができ、かつ、
絶縁体容器内部に配置することができるものであれば、
大きさ、形状等いかなるものも使用することができる
が、プラズマを発生させる部分は、とがっているほうが
放電しやすく、また、安定した放電を得ることができる
ため、ワイヤー状とすることが有効である。なお、電極
の材料としてはタングステン、ステンレススチールなど
の金属、ワイヤなどの導電性物質を挙げることができる
が、導電性物質であればこれらに制限されるものではな
い。
The electrode, which is arranged inside the insulator container and to which a voltage is applied, can generate plasma, and
If it can be placed inside the insulator container,
Any size, shape, etc. can be used, but the point where plasma is generated is easier to discharge when it is sharp, and since stable discharge can be obtained, it is effective to make it wire-shaped. is there. The material of the electrode may be a metal such as tungsten or stainless steel, or a conductive substance such as a wire, but is not limited thereto as long as it is a conductive substance.

【0016】本発明に係る表面処理方法において用いる
ことができるガスは、まず、大気圧グロープラズマを安
定的に得るための大気圧グロー放電しやすいガスであ
り、このガスが絶縁体容器内をフローすることにより絶
縁体容器のガス放出口からプラズマを射出することがで
きる。また、これと同時に処理の種類により必要に応じ
て適宜選定されるガスを用いることができ、具体的に
は、従来大気圧グロープラズマ処理、低圧グロープラズ
マ処理等で用いられるすべてのガスを用途に応じて使用
することができる。
The gas that can be used in the surface treatment method according to the present invention is a gas that is easily subjected to atmospheric pressure glow discharge for stably obtaining atmospheric pressure glow plasma, and this gas flows in the insulator container. By doing so, plasma can be emitted from the gas discharge port of the insulator container. At the same time, a gas that is appropriately selected depending on the type of treatment can be used, and specifically, all gases conventionally used in atmospheric pressure glow plasma treatment, low pressure glow plasma treatment, etc. are used. Can be used accordingly.

【0017】大気圧グロープラズマを安定的に得るため
には、前者の不活性ガス等の大気圧グロー放電しやすい
ガスで処理の種類に応じて選定されたガスを希釈するこ
とが好ましい。具体的には、ヘリウム,ネオン,アルゴ
ン,窒素等の不活性なガス、酸素,水素等の汎用ガスな
どをはじめとした大気圧グロー放電しやすい物質の1種
又は2種以上の混合ガスを用いることができるが、特に
ヘリウム、ネオン等が好ましい。
In order to stably obtain the atmospheric pressure glow plasma, it is preferable to dilute the gas selected according to the type of treatment with a gas such as the former inert gas which easily causes the atmospheric pressure glow discharge. Specifically, one or a mixture of two or more kinds of substances, such as an inert gas such as helium, neon, argon, or nitrogen, a general-purpose gas such as oxygen or hydrogen, which easily causes an atmospheric pressure glow discharge, is used. However, helium, neon and the like are particularly preferable.

【0018】これらのガスは必ずしも常温でガス状であ
る必要はなく、供給の方法は放電領域の温度や、常温で
の状態(固体、液体、気体)などにより選定される。即
ち、放電領域の温度や常温においてガス状である場合
は、これをそのまま処理容器内へ流入させることがで
き、また、液状である場合には、蒸気圧が比較的高けれ
ばその蒸気をそのまま流入してもよいし、その液体を不
活性ガス等でバブリングして流入してもよい。一方、ガ
ス状でなく、しかも蒸気圧が比較的低い場合には、加熱
することによりガス状又は蒸気圧が高い状態にして用い
ることができる。
These gases do not necessarily have to be gaseous at room temperature, and the supply method is selected depending on the temperature of the discharge region, the state at room temperature (solid, liquid, gas). That is, when it is gaseous at the temperature of the discharge region or at room temperature, it can be flowed into the processing container as it is, and when it is liquid, if the vapor pressure is relatively high, the vapor can flow in as it is. Alternatively, the liquid may be bubbled with an inert gas or the like to flow in. On the other hand, when it is not in a gaseous state and has a relatively low vapor pressure, it can be used in a state of being in a gaseous state or a high vapor pressure by heating.

【0019】また、更に効率良くガス供給を行うため
に、大気圧グロー放電しやすいガスと処理の種類に応じ
て選定されるガスとを別々に供給することも可能であ
る。即ち、大気圧グロー放電しやすいガスは絶縁体容器
内をフローさせ、一方、処理の種類に応じて適宜選定さ
れるガスは、絶縁体容器の先端開口部(ガス放出口)か
ら吹き付けるか又はプラズマ放電中に別のガス供給口か
ら吹き付けるという方法も採用することができる。この
方法により、大気圧グロー放電しやすいガスで効率良く
容易に安定したプラズマを発生させることができると共
に、表面処理の種類に応じたガスをプラズマにより励起
させることができる。
In order to supply gas more efficiently, it is also possible to separately supply a gas that is susceptible to atmospheric pressure glow discharge and a gas selected according to the type of treatment. That is, a gas that is easily subjected to atmospheric pressure glow discharge is caused to flow in the insulator container, while a gas appropriately selected according to the type of treatment is sprayed from the tip opening (gas discharge port) of the insulator container or plasma. A method of spraying from another gas supply port during discharge can also be adopted. By this method, a stable plasma can be efficiently and easily generated with a gas that is easily subjected to atmospheric pressure glow discharge, and a gas corresponding to the type of surface treatment can be excited by the plasma.

【0020】本発明に係るプラズマの発生方法として
は、絶縁体容器内の先端部付近にプラズマを発生させ得
る方法であればいかなる方法も採用することができる。
電圧の印加方法は、大きく分けて直流、交流の2通りあ
り、直流、交流いずれの場合も絶縁体容器内の電極に電
圧を印加するが、工業的には交流放電の方が容易であ
る。
As the plasma generating method according to the present invention, any method can be adopted as long as it is a method capable of generating plasma in the vicinity of the tip end portion in the insulator container.
There are roughly two types of voltage application methods, direct current and alternating current. In both direct current and alternating current, voltage is applied to the electrodes in the insulator container, but alternating current discharge is industrially easier.

【0021】直流の場合、接地側の電極が必要であり、
この場合、接地電極には直流電流が流れ込むため、接地
電極を絶縁体で被覆するのは好ましくない。接地電極を
絶縁体容器先端開口部近傍に配置することにより、絶縁
体容器内部に配置された電極と接地電極との間にプラズ
マが発生する。ここで、導電性材料からなる被処理物を
表面処理する際には、被処理物を接地電極の上にそのま
ま置けばよい(図5参照)。また、被処理物が非導電性
材料からなる場合には、接地電極全体を被処理物で完全
には覆わずに、電流の逃げ道を残しておくことが必要で
ある(図6参照)。
In the case of direct current, an electrode on the ground side is required,
In this case, since a DC current flows into the ground electrode, it is not preferable to cover the ground electrode with an insulator. By arranging the ground electrode near the opening of the tip of the insulator container, plasma is generated between the electrode arranged inside the insulator container and the ground electrode. Here, when the surface treatment is performed on the object to be processed made of a conductive material, the object to be processed may be placed on the ground electrode as it is (see FIG. 5). Further, when the object to be processed is made of a non-conductive material, it is necessary not to completely cover the ground electrode with the object to be processed but to leave an escape path for the electric current (see FIG. 6).

【0022】一方、交流の場合、接地電極なしでもプラ
ズマを発生させることができる。即ち、浮遊容量により
放電し得る。この場合、周波数は通常の交流放電に用い
られる数Hz以上のあらゆる周波数を使用することがで
きるが、マッチングのとりやすさ、ビームののびやすさ
の点から数百〜数万Hz程度の周波数が特に好適に用い
られる。
On the other hand, in the case of alternating current, plasma can be generated without the ground electrode. That is, it can be discharged by the floating capacitance. In this case, the frequency can be any frequency of several Hz or higher used for normal AC discharge, but a frequency of several hundreds to tens of thousands Hz is preferable from the viewpoint of easy matching and beam spreading. Particularly preferably used.

【0023】このようにして発生したプラズマは、磁石
を用いて絶縁体容器の開口部近傍に磁場を形成すること
によりプラズマ放電を制御活性化したり(図2参照)、
絶縁体容器の先端開口部から射出されたプラズマに対し
て磁石を用いることによりプラズマの引き出し量を向上
させたり(図3参照)、プラズマの方向を制御すること
ができる(図4参照)。
The plasma thus generated controls the plasma discharge by forming a magnetic field in the vicinity of the opening of the insulator container by using a magnet (see FIG. 2).
By using a magnet for the plasma emitted from the tip opening of the insulator container, the amount of plasma drawn can be improved (see FIG. 3) and the direction of the plasma can be controlled (see FIG. 4).

【0024】本発明の表面処理法においては、絶縁体容
器中に1本の電極を配置した装置を用いた場合は局所的
な処理を行うことができるが、複数本の電極を所望の形
状に配置することにより所望の範囲の処理を行うことが
できる(図10,図12参照)。また、1本の電極が配
置された絶縁体容器を複数個接続することにより、所望
の範囲の処理を行うこともできる(図14参照)。更に
電極の形状をナイフエッジ型とすることにより線状に処
理することもできる(図15参照)。
In the surface treatment method of the present invention, when an apparatus in which one electrode is arranged in an insulator container is used, local treatment can be performed, but a plurality of electrodes are formed into a desired shape. By arranging them, processing in a desired range can be performed (see FIGS. 10 and 12). Further, by connecting a plurality of insulator containers in each of which one electrode is arranged, treatment in a desired range can be performed (see FIG. 14). Further, by making the shape of the electrode a knife edge type, it is possible to perform linear treatment (see FIG. 15).

【0025】本発明による表面処理方法では、撥水化処
理,親水化処理等の表面処理だけではなく、エッチン
グ、コーティング等を行うことができる。
In the surface treatment method of the present invention, not only surface treatment such as water repellent treatment and hydrophilic treatment but also etching, coating and the like can be performed.

【0026】本発明による処理は処理室を用いることな
しに大気中においても可能であり、この場合、被処理物
の形状は球状、ブロック状、板状、棒状等のいかなる形
状であってもよく、また大きさの制限もない。
The treatment according to the present invention can be carried out in the atmosphere without using a treatment chamber, and in this case, the shape of the object to be treated may be any shape such as spherical, block-shaped, plate-shaped or rod-shaped. Also, there is no size limit.

【0027】次に、本発明の上記した表面処理の実施に
用いる好適な装置例を図1〜15を参照して説明する。
図1はガラス製の先細の絶縁体容器1の基端側にガス供
給手段(図示せず)が連結されているガス導入口2を設
けると共に、先端側にガス放出口3を設け、内部に電極
4を配置した例であり、電極4に接続された交流電源7
から交流電圧が印加され、ガスフローによりガス放出口
3から射出した点状(ビーム状)のプラズマ5により被
処理物6の表面処理を行うものである。この装置におい
ては絶縁体容器1の形状が先細りになっているため先端
開口部付近でのガスの圧力が大きくなり、このため点状
のプラズマを効率良く射出することができる。
Next, an example of a suitable apparatus used for carrying out the above-mentioned surface treatment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 shows that a gas inlet 2 to which a gas supply means (not shown) is connected is provided at the base end side of a glass-made tapered insulator container 1, and a gas discharge port 3 is provided at the tip end side. This is an example in which the electrode 4 is arranged, and an AC power source 7 connected to the electrode 4
AC voltage is applied to the surface of the object 6 to be processed by the point-shaped (beam-shaped) plasma 5 emitted from the gas discharge port 3 by the gas flow. In this device, since the shape of the insulator container 1 is tapered, the gas pressure in the vicinity of the opening at the tip end is increased, and therefore point plasma can be efficiently emitted.

【0028】図2は図1と同様の装置において、絶縁体
容器1のガス放出口3に磁石8を配置して磁場を形成す
ることにより、プラズマの発生部分Aの放電を制御活性
化した例である(磁場形成によりプラズマの発生部分A
の発生強度は増大する)。
FIG. 2 shows an example in which the discharge of the plasma generating portion A is controlled and activated by arranging a magnet 8 at the gas discharge port 3 of the insulator container 1 to form a magnetic field in the same apparatus as in FIG. (Where plasma is generated by magnetic field formation A
Intensity increases.)

【0029】図3は図1と同様の装置において、磁石9
の上に被処理物6を置くことにより点状のプラズマ5の
引き出し量を向上させた例である。
FIG. 3 shows a device similar to that of FIG.
This is an example in which the amount of the point-like plasma 5 drawn out is improved by placing the object 6 to be processed on top.

【0030】図4は図1と同様の装置において、磁石9
を絶縁体容器1に対して斜め下に配置することによりマ
イクロビームプラズマの方向制御を行った例である。
FIG. 4 shows a device similar to that of FIG.
Is an example in which the direction control of the microbeam plasma is performed by arranging the obliquely below the insulator container 1.

【0031】図5は図1における交流電源7の代わりに
直流電源10を用いて放電させた例であり、この場合、
接地電極11が必要である。導電性材料からなる被処理
物又は導電性材料を含む被処理物12を表面処理する場
合は接地電極11上に被処理物12を置くだけでよい。
FIG. 5 shows an example in which a DC power source 10 is used instead of the AC power source 7 in FIG. 1 for discharging. In this case,
The ground electrode 11 is required. When the object to be processed made of the conductive material or the object to be processed 12 containing the conductive material is subjected to the surface treatment, it is only necessary to place the object to be processed 12 on the ground electrode 11.

【0032】一方、非導電性材料からなる被処理物13
を処理する場合は、図6のように、接地電極11全体を
被処理物12で完全には覆わず、電流が接地電極11に
逃げる電流の逃げ道Bを作る必要がある。なお、直流放
電の場合も図2〜図4に示したような磁石によるビーム
制御が可能である。
On the other hand, the object to be processed 13 made of a non-conductive material
In the case of processing, the ground electrode 11 as a whole must not be completely covered with the object to be processed 12 as shown in FIG. 6, and a current escape path B for the current to escape to the ground electrode 11 must be created. Even in the case of direct current discharge, beam control with a magnet as shown in FIGS. 2 to 4 is possible.

【0033】図7は大気圧グロー放電しやすいガスのみ
をガス導入口2からフローさせてプラズマ5を発生さ
せ、プラズマ5の横から表面処理の種類に応じたガスを
ガス供給管14から供給する例である。
In FIG. 7, only a gas that is apt to undergo atmospheric pressure glow discharge is caused to flow from the gas inlet 2 to generate plasma 5, and a gas corresponding to the type of surface treatment is supplied from the side of the plasma 5 through the gas supply pipe 14. Here is an example.

【0034】図8は絶縁体容器1のガス放出口3の近傍
に金属等の材料15を置き、これをエッチングして被処
理物6上に堆積させる例であり、この処理により被処理
物6上に材料15の薄膜が形成される。
FIG. 8 shows an example in which a material 15 such as a metal is placed in the vicinity of the gas discharge port 3 of the insulator container 1 and is etched and deposited on the object 6 to be processed. A thin film of material 15 is formed on top.

【0035】図9は非導電性材料からなる被処理物13
を導電性のホルダー16の上に置いて表面処理する例で
ある。この方法ではプラズマがより活性化し、効率良い
処理が可能である。
FIG. 9 shows an object to be processed 13 made of a non-conductive material.
Is an example in which is placed on a conductive holder 16 and surface-treated. In this method, plasma is more activated and efficient processing is possible.

【0036】なお、図1〜9において絶縁体容器1内部
の電極4は、ガス放出口3の付近又はそれより外側まで
突き出してもよい。
In FIGS. 1 to 9, the electrode 4 inside the insulator container 1 may protrude to the vicinity of the gas discharge port 3 or to the outside thereof.

【0037】図10はガス導入口17、ガス放出口18
が設けられた絶縁体容器19の内部に櫛形の電極20を
配置し、直線上に並んだ複数の箇所の処理を行う例であ
る。図11は図10の装置を下から見た図である。
FIG. 10 shows a gas inlet 17 and a gas outlet 18.
This is an example in which the comb-shaped electrode 20 is arranged inside the insulator container 19 in which is provided, and the treatment is performed at a plurality of points arranged in a straight line. FIG. 11 is a view of the apparatus of FIG. 10 as seen from below.

【0038】図12はガス導入口21、ガス放出口22
が設けられた円筒形の絶縁体容器23の内部にブラシ状
の電極24を配置し、図13(図12を下から見た図)
のように並んだ箇所の処理を行う例である。
FIG. 12 shows a gas inlet 21 and a gas outlet 22.
The brush-shaped electrode 24 is arranged inside the cylindrical insulator container 23 provided with the structure shown in FIG. 13 (a view of FIG. 12 seen from below).
This is an example of processing the parts arranged in line.

【0039】なお、図10〜13で、ガス放出口18及
び22は図のように電極一本ずつに対応しないで、1つ
の大きい放出口となっていてもかまわない。
It should be noted that, in FIGS. 10 to 13, the gas discharge ports 18 and 22 do not correspond to the electrodes one by one as shown in the drawing, but may be one large discharge port.

【0040】図14は図1に示した装置の複数個を一列
に接続した例であり、このような接続により図10に示
した装置と同様の処理を行うことができる。
FIG. 14 shows an example in which a plurality of the devices shown in FIG. 1 are connected in a line, and the same processing as that of the device shown in FIG. 10 can be performed by such connection.

【0041】図15は先端が線状に開口した絶縁体容器
25の内部にナイフエッジ型電極26を配置した例であ
り、この装置を用いると線状のプラズマ27を得ること
ができ、従って被処理物の表面を線状に処理することが
できる。
FIG. 15 shows an example in which a knife-edge type electrode 26 is arranged inside an insulator container 25 whose tip is linearly opened. Using this device, a linear plasma 27 can be obtained, and therefore the target plasma can be obtained. The surface of the processed product can be processed into a linear shape.

【0042】[0042]

【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、以下の実施例において、被処理物はすべて大
気中に置かれている。
EXAMPLES The present invention will now be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples. In the following examples, all the objects to be treated were placed in the atmosphere.

【0043】[実施例1]図1に示す装置において、ガ
ス導入口2から流すガスはヘリウム(2リットル/分)
とした。電極4として直径0.5mmのタングステンワ
イヤーを用いた。絶縁体容器1は内径が5mm、ガス放
出口3の内径が2mmのものを用いた。交流電源7から
周波数5kHzの交流電圧を印加したとき、長さが2c
m程度で、ビーム径が約1mmのマイクロビームプラズ
マ5を得ることができた。
Example 1 In the apparatus shown in FIG. 1, the gas flowing from the gas inlet 2 is helium (2 liters / minute).
And A tungsten wire having a diameter of 0.5 mm was used as the electrode 4. The insulator container 1 used had an inner diameter of 5 mm and the gas discharge port 3 had an inner diameter of 2 mm. When an AC voltage with a frequency of 5 kHz is applied from the AC power supply 7, the length is 2c
It was possible to obtain the micro-beam plasma 5 having a beam diameter of about 1 mm at about m.

【0044】被処理物6として、ETFE(エチレンテ
トラフルオロエチレン共重合体)樹脂シートを用い、上
記のビームで1分間親水化処理し、被処理物の周方向の
表面処理の度合を表面の水滴接触角の測定によって調べ
た。水滴接触角が小さい程被処理物の表面の親水化処理
の度合が高いことを示す。ETFE樹脂シート表面の水
滴接触角は処理前後でそれぞれ98度、60度であり、
この結果から、本発明に係る表面処理方法を用いた場
合、良好な親水化処理が行われていることがわかる。
An ETFE (ethylene tetrafluoroethylene copolymer) resin sheet is used as the object 6 to be treated, which is subjected to a hydrophilic treatment with the above beam for 1 minute, and the degree of surface treatment in the circumferential direction of the object is treated with water droplets on the surface. It was examined by measuring the contact angle. The smaller the contact angle of water droplets, the higher the degree of hydrophilic treatment of the surface of the object to be treated. The water droplet contact angles on the surface of the ETFE resin sheet are 98 degrees and 60 degrees before and after the treatment,
From these results, it can be seen that when the surface treatment method according to the present invention is used, good hydrophilic treatment is performed.

【0045】次に、図1と同じ条件で更に図2,3のよ
うに磁石を配置してETFEの親水化処理を行った。図
2,3の場合、処理後の水滴接触角はそれぞれ55度、
40度であり、図2,3のように磁石でプラズマを制御
活性化すると、更に優れた親水化処理を行い得ることが
わかる。
Next, under the same conditions as in FIG. 1, magnets were further arranged as shown in FIGS. 2 and 3 to make ETFE hydrophilic. In the case of FIGS. 2 and 3, the contact angle of water droplets after treatment is 55 degrees,
It is 40 degrees, and it can be seen that a more excellent hydrophilic treatment can be performed by controlling and activating plasma with a magnet as shown in FIGS.

【0046】[実施例2]図6に示した装置を用い、直
流電圧を印加した。印加電圧1.5kV以上で点状のマ
イクロビームプラズマが発生した。次に、接地電極11
上にETFE樹脂13を置き、ETFE樹脂13の表面
のうち、ビーム状のプラズマに1分間さらされた部分の
水滴接触角を測定したところ、42度であった。このよ
うに、直流放電による場合も交流の場合と同様に良好な
処理が可能であることがわかる。
Example 2 A DC voltage was applied using the apparatus shown in FIG. Point-like microbeam plasma was generated at an applied voltage of 1.5 kV or higher. Next, the ground electrode 11
When the ETFE resin 13 was placed on the surface of the ETFE resin 13 and the surface of the ETFE resin 13 that had been exposed to the beam-shaped plasma for 1 minute was measured for a water droplet contact angle, it was 42 degrees. As described above, it can be seen that good processing can be performed by direct current discharge as in the case of alternating current.

【0047】[実施例3]図7に示した装置を用い、実
施例1同様の条件でヘリウムガスをガス導入口2から供
給し、電極4に交流電圧を印加し、ビーム状のマイクロ
ビームプラズマ5を得た。ガス供給口13から、重合性
ガス(ブタジエン)を供給速度50ml/分で供給した
ところ、被処理物6上にブタジエンの重合膜が見られ
た。
[Embodiment 3] Using the apparatus shown in FIG. 7, helium gas was supplied from the gas inlet 2 under the same conditions as in Embodiment 1, an AC voltage was applied to the electrode 4, and a beam-shaped microbeam plasma was obtained. Got 5. When a polymerizable gas (butadiene) was supplied from the gas supply port 13 at a supply rate of 50 ml / min, a polymerized film of butadiene was found on the object to be treated 6.

【0048】[実施例4]図8に示した装置において、
ガス放出口3の近傍に材料15としてアルミ箔を取り付
け、ガス導入口2からヘリウムガス(2リットル/分)
とCF4(50ml/分)との混合ガスを供給した。電
極4に周波数5Hzの交流電圧を印加し、点状のマイク
ロビームプラズマ5を形成させたところ、アルミ箔14
がエッチングされ、被処理物6上にアルミ薄膜が見られ
た。
[Embodiment 4] In the apparatus shown in FIG.
An aluminum foil is attached as a material 15 near the gas outlet 3, and helium gas (2 liters / minute) is supplied from the gas inlet 2.
And a mixed gas of CF 4 (50 ml / min) was supplied. An AC voltage having a frequency of 5 Hz was applied to the electrode 4 to form a dot-shaped microbeam plasma 5.
Was etched, and an aluminum thin film was seen on the object 6 to be processed.

【0049】実施例3,4から、本発明に係る表面処理
方法によりコーティング及びエッチングが可能であるこ
とが確かめられた。
From Examples 3 and 4, it was confirmed that coating and etching were possible by the surface treatment method according to the present invention.

【0050】[実施例5]図1に示す装置で被処理物6
として導電性材料(アルミ板)を置いたところ、マイク
ロビームプラズマ5は著しく活性化された。また、被処
理物6として、導電性材料を含有する材料(カーボンブ
ラックを含む加硫ゴム)を置いたところ、やはり、マイ
クロビームプラズマは著しく活性化された。
[Embodiment 5] The object to be treated 6 is processed by the apparatus shown in FIG.
When a conductive material (aluminum plate) was placed as, the microbeam plasma 5 was remarkably activated. Further, when a material containing a conductive material (vulcanized rubber containing carbon black) was placed as the object 6 to be treated, the microbeam plasma was remarkably activated.

【0051】[実施例6]図9に示す装置で導電性材料
16を非導電性フィルム13(ETFE)のホルダーと
して用い、非導電性フィルム13をビーム状のプラズマ
で処理したところ、導電性材料ホルダー16を用いなか
った場合に比べてマイクロビームプラズマ5が著しく活
性化された。
Example 6 In the apparatus shown in FIG. 9, the conductive material 16 was used as a holder for the non-conductive film 13 (ETFE), and the non-conductive film 13 was treated with beam-shaped plasma. The microbeam plasma 5 was remarkably activated as compared with the case where the holder 16 was not used.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば大
気圧グロープラズマを極めて簡単な方法で点状或いは線
状のプラズマとすることにより、各種材料のコーティン
グ、エッチングなどの表面処理を大気中で効率よく行う
ことができ、更に局所的な処理を行うこともできる。
As described above, according to the present invention, the atmospheric pressure glow plasma is formed into a spot-like or linear plasma by an extremely simple method, so that surface treatment such as coating and etching of various materials can be performed in the atmosphere. It can be carried out efficiently inside, and local processing can also be carried out.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の表面処理装置の第1の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a surface treatment apparatus of the present invention.

【図2】本発明の表面処理装置の第2の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図3】本発明の表面処理装置の第3の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a third embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図4】本発明の表面処理装置の第4の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a fourth embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図5】本発明の表面処理装置の第5の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a fifth embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図6】本発明の表面処理装置の第6の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a sixth embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図7】本発明の表面処理装置の第7の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing a seventh embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図8】本発明の表面処理装置の第8の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 8 is a schematic sectional view showing an eighth embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図9】本発明の表面処理装置の第9の実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 9 is a schematic sectional view showing a ninth embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図10】本発明の表面処理装置の第10の実施例を示
す概略断面図である。
FIG. 10 is a schematic sectional view showing a tenth embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図11】図10に示した装置の底面図である。11 is a bottom view of the device shown in FIG.

【図12】本発明の表面処理装置の第11の実施例を示
す概略断面図である。
FIG. 12 is a schematic sectional view showing an eleventh embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図13】図12に示した装置の底面図である。13 is a bottom view of the device shown in FIG.

【図14】本発明の表面処理装置の第12の実施例を示
す概略断面図である。
FIG. 14 is a schematic sectional view showing a twelfth embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【図15】本発明の表面処理装置の第13の実施例を示
す概略斜視図である。
FIG. 15 is a schematic perspective view showing a thirteenth embodiment of the surface treatment apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,25 絶縁体容器 2,17 ガス導入口 3,22 ガス放出口 4,26 電極 5 マイクロビームプラズマ 6,13 被処理物 7 交流電源 10 直流電源 11 接地電極 1,25 Insulator container 2,17 gas inlet 3,22 Gas outlet 4,26 electrodes 5 Microbeam plasma 6,13 Objects to be processed 7 AC power supply 10 DC power supply 11 Ground electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 14/12 8414−4K 16/12 7325−4K (72)発明者 吉川 雅人 東京都小平市小川東町3−5−9−202 (72)発明者 内藤 壽夫 神奈川県川崎市宮前区馬絹969−1 (72)発明者 岡崎 幸子 東京都杉並区高井戸東2−20−11 (72)発明者 小駒 益弘 埼玉県和光市下新倉843−15─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Internal reference number in the agency FI Technical indication C23C 14/12 8414-4K 16/12 7325-4K (72) Inventor Masato Yoshikawa Ogawa, Kodaira-shi, Tokyo 3-5-9-202 Higashimachi (72) Inventor Toshio Naito 969-1 Makinagi, Miyamae-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture (72) Inventor Sachiko Okazaki 2-20-11, Takaido East, Suginami-ku, Tokyo (72) Inventor Masuhiro Ogoma 843-15 Shimoshinkura, Wako City, Saitama Prefecture

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガス導入口を有すると共に、先端開口部
をガス放出口とした絶縁体容器内部に電極を配置し、前
記絶縁体容器内部にガス導入口から所定のガスを導入フ
ローさせると共に、前記電極に電圧を印加して前記先端
開口部にプラズマを発生させ、該プラズマを前記絶縁体
容器のガス放出口から外部に射出させ、かつ該プラズマ
が射出される位置に被処理物を配置して被処理物を表面
処理することを特徴とする表面処理方法。
1. An electrode is arranged inside an insulator container having a gas inlet and a tip opening being a gas outlet, and a predetermined gas is introduced into the insulator container through a gas inlet flow. A voltage is applied to the electrode to generate plasma in the tip opening, the plasma is emitted to the outside from the gas discharge port of the insulator container, and the object to be processed is placed at the position where the plasma is emitted. A surface treatment method comprising the step of surface-treating an object to be treated.
【請求項2】 電極の先端を絶縁体容器の先端開口部近
傍内部又は外部に配置した請求項1記載の方法。
2. The method according to claim 1, wherein the tip of the electrode is disposed inside or outside the tip opening of the insulator container.
【請求項3】 ガス導入口を有すると共に、先端開口部
をガス放出口とした絶縁体容器と、該絶縁体容器内部に
配置される電極と、該電極に電圧を印加するための電源
と、前記絶縁体容器内部に所定のガスを供給するガス供
給手段とを具備し、請求項1に記載の方法で被処理物を
表面処理するようにしたことを特徴とする表面処理装
置。
3. An insulator container having a gas inlet and having a tip opening as a gas outlet, an electrode arranged inside the insulator container, and a power supply for applying a voltage to the electrode. A surface treatment apparatus comprising: a gas supply unit that supplies a predetermined gas into the inside of the insulator container, and the object to be processed is surface-treated by the method according to claim 1.
【請求項4】 電極の先端を絶縁体容器の先端開口部近
傍内部又は外部に配置した請求項3記載の装置。
4. The device according to claim 3, wherein the tip of the electrode is arranged inside or outside the tip opening of the insulator container.
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