JPH05235606A - Microwave circuit - Google Patents

Microwave circuit

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JPH05235606A
JPH05235606A JP4033183A JP3318392A JPH05235606A JP H05235606 A JPH05235606 A JP H05235606A JP 4033183 A JP4033183 A JP 4033183A JP 3318392 A JP3318392 A JP 3318392A JP H05235606 A JPH05235606 A JP H05235606A
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microwave circuit
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Morishige Hieda
護重 檜枝
Kenji Suematsu
憲治 末松
Akio Iida
明夫 飯田
Shuji Urasaki
修治 浦崎
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Abstract

PURPOSE:To obtain the microwave circuit in which a control signal is easily applied to control elements even when number of the control elements is high. CONSTITUTION:Light control element switches 70a, 70c pass a signal wave when a light whose wavelength is lambda1, irradiates to the switches and light control element switches 70b, 70d pass the signal wave when a light whose wavelength is lambda2, irradiates to the switches, and the difference of the length between microstrip lines 3a and 3b is set L in the microwave circuit (phase shifter). A phase of the output signal wave with respect to a same input signal wave is changed by an electric length of the line length difference L with the case that the light whose wavelength is lambda1, is emitted but the light whose wavelength is lambda2 is not emitted, as the control signal and the case that the light whose wavelength is lambda1, is not emitted but the light whose wavelength is lambda2, is emitted as the control signal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波またはミリ
波帯の電波の伝送回路において、その伝送特性を光の照
射により制御するマイクロ波回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave or millimeter wave band radio wave transmission circuit for controlling its transmission characteristics by irradiating light.

【0002】[0002]

【従来の技術】図14は1991年電子情報通信学会春
季全国大会論文集,C−49に示された従来の制御素子
を備えたマイクロ波回路のディジタル移相器を示す構成
図である。図において、1は一方の面に地導体を有する
誘電体基板、3a〜3cはマイクロストリップ線路のス
トリップ導体、4は入力端子、5は出力端子、7はスル
ーホール、8は制御信号線、9a及び9bは制御信号入
力端子、16a〜16cは電界効果トランジスタ(以
下、FETと呼ぶ)である。また、図15は図14に示
すマイクロ波回路の等価回路図である。図15におい
て、70a〜70cは図14のFET16a〜16cを
等価的に表すスイッチ、71a〜71cはストリップ導
体3a〜3cを等価的に表すに電気長λ/4(λ:信号
波の波長)の伝送線路、72a〜72bはスルーホール
による接地を等価的に表している。スイッチ70a〜7
0cは制御信号が入力するとき接続状態となり、制御信
号が入力しないときに遮断状態となる。
2. Description of the Related Art FIG. 14 is a block diagram showing a digital phase shifter of a microwave circuit provided with a conventional control element shown in C-49 of the 1991 Spring National Conference of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. In the figure, 1 is a dielectric substrate having a ground conductor on one surface, 3a to 3c are strip conductors of a microstrip line, 4 is an input terminal, 5 is an output terminal, 7 is a through hole, 8 is a control signal line, and 9a. Reference numerals 9b and 9b are control signal input terminals, and 16a to 16c are field effect transistors (hereinafter referred to as FETs). 15 is an equivalent circuit diagram of the microwave circuit shown in FIG. 15, 70a to 70c are switches equivalently representing the FETs 16a to 16c of FIG. 14, and 71a to 71c are electrical lengths λ / 4 (λ: wavelength of a signal wave) equivalently representing the strip conductors 3a to 3c. The transmission lines 72a and 72b are equivalent to the grounding through the through holes. Switches 70a-7
0c is in the connected state when the control signal is input, and is in the disconnected state when the control signal is not input.

【0003】次に、マイクロ波回路の動作について図1
5,16を参照して説明する。図16は制御信号入力端
子9aに制御信号が入力し、制御信号入力端子9bに制
御信号が入力しない場合、即ち、スイッチ70a,70
bは接続状態、スイッチ70cは遮断状態にある場合を
示す等価回路図である。図16において、入力端子4に
入力した信号波は長さλ/4の伝送線路71bを介して
90度位相遅れで出力端子5に出力される。ここで、伝
送線路71a,71cはそれぞれ一端が接地された長さ
λ/4の伝送線路であるため、それぞれ他端の伝送線路
71bとの接続点から見た伝送線路71a,71cは開
放とみなせる。
Next, the operation of the microwave circuit is shown in FIG.
This will be described with reference to FIGS. In FIG. 16, when the control signal is input to the control signal input terminal 9a and the control signal is not input to the control signal input terminal 9b, that is, the switches 70a and 70
FIG. 5B is an equivalent circuit diagram showing a case where the connection state b and the switch 70c are in the disconnection state. In FIG. 16, the signal wave input to the input terminal 4 is output to the output terminal 5 via the transmission line 71b having a length of λ / 4 with a phase delay of 90 degrees. Here, since the transmission lines 71a and 71c are transmission lines having a length λ / 4 with one end grounded, the transmission lines 71a and 71c viewed from the connection point with the transmission line 71b at the other end can be regarded as open. ..

【0004】一方、図17は制御信号入力端子9aに制
御信号が入力せず、制御信号入力端子9bに制御信号が
入力する場合、即ち、スイッチ70a,70bは遮断、
スイッチ70cは接続状態にある場合を示す等価回路図
である。図17において、入力端子4に入力した信号波
は長さλ/4の伝送線路71a及び71cを介して18
0度位相遅れで出力端子5に出力される。ここで、伝送
線路71bは一端が接地された長さλ/4の伝送線路で
あるため他端の伝送線路71b,71cの接続点から見
た伝送線路71bは開放とみなせる。
On the other hand, in FIG. 17, when the control signal is not input to the control signal input terminal 9a and the control signal is input to the control signal input terminal 9b, that is, the switches 70a and 70b are cut off.
The switch 70c is an equivalent circuit diagram showing a case where the switch 70c is in a connected state. In FIG. 17, the signal wave input to the input terminal 4 is transmitted through the transmission lines 71a and 71c having a length of λ / 4 to 18
It is output to the output terminal 5 with a phase delay of 0 degree. Here, since the transmission line 71b is a transmission line having a length λ / 4 with one end grounded, the transmission line 71b viewed from the connection point of the transmission lines 71b and 71c at the other end can be regarded as an open line.

【0005】以上のように、制御信号が制御信号入力端
子9aに入力して、制御信号入力端子9bに入力しない
ときと、制御信号が制御信号入力端子9aに入力せず、
制御信号入力端子9bに入力するときとでは、信号波が
通過する伝送線路の長さがλ/4異なるために、位相を
90度変化させることが出来る。
As described above, when the control signal is input to the control signal input terminal 9a and is not input to the control signal input terminal 9b, and when the control signal is not input to the control signal input terminal 9a,
Since the length of the transmission line through which the signal wave passes differs from that when input to the control signal input terminal 9b by λ / 4, the phase can be changed by 90 degrees.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の制御素子を備え
たマイクロ波回路は以上のように構成されているので、
制御素子数を多数備えるマイクロ波回路の場合、制御信
号線が多数必要となり、回路の実装配置上、小形化する
上で制約が生ずるという課題があった。
Since the conventional microwave circuit having the control element is constructed as described above,
In the case of a microwave circuit having a large number of control elements, a large number of control signal lines are required, which poses a problem in that there are restrictions in terms of circuit layout and miniaturization.

【0007】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、制御素子数が多数の場合でも制御
信号を容易に供給でき、小形化できるマイクロ波回路を
得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a microwave circuit which can easily supply a control signal and can be miniaturized even when the number of control elements is large. ..

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明に係わるマイクロ波回路は、マイクロ波
の伝送特性を光の照射により制御する光制御素子を複数
個備えたマイクロ波回路であって、上記光制御素子のう
ち、少なくとも2素子の受光感度の波長特性が異なるよ
うにしたものである。
In order to achieve the above object, a microwave circuit according to the present invention comprises a plurality of light control elements for controlling microwave transmission characteristics by irradiating light. Of the above light control elements, at least two elements have different wavelength characteristics of light receiving sensitivity.

【0009】[0009]

【作用】上記のように構成されたこの発明に係るマイク
ロ波回路では、制御信号として、波長の異なる複数の光
を用いることにより、マイクロ波回路上の制御信号線を
なくすことができる。
In the microwave circuit according to the present invention configured as described above, the control signal line on the microwave circuit can be eliminated by using a plurality of lights having different wavelengths as the control signal.

【0010】[0010]

【実施例】実施例1.図1はこの発明のマイクロ波回路
の実施例1を示す構成図である。図2は図1に示すマイ
クロ波回路80と制御信号光源6の関係を説明する図で
ある。図3は図1の等価回路図である。図4は図1に示
すマイクロ波回路の光制御素子を示す構成図である。図
において、1は一方の面に地導体を有する誘電体基板、
3はマイクロストリップ線路のストリップ導体、4は入
力端子、5は出力端子、6は波長の異なる複数の光をい
ずれか一つ、もしくは複数同時に出力できる制御信号光
源、10a,10bは光制御素子、80はマイクロ波回
路全体を示す。
EXAMPLES Example 1. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of a microwave circuit according to the present invention. FIG. 2 is a diagram for explaining the relationship between the microwave circuit 80 and the control signal light source 6 shown in FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of FIG. FIG. 4 is a configuration diagram showing an optical control element of the microwave circuit shown in FIG. In the figure, 1 is a dielectric substrate having a ground conductor on one surface,
3 is a strip conductor of a microstrip line, 4 is an input terminal, 5 is an output terminal, 6 is a control signal light source capable of outputting any one of a plurality of lights having different wavelengths, or a plurality of lights at the same time, 10a and 10b are light control elements, Reference numeral 80 denotes the entire microwave circuit.

【0011】次に動作について説明する。図3の等価回
路図に示すように、スイッチ70a,70cは波長λ1
の光の照射により信号波を通過し、スイッチ70b,7
0dは波長λ2 の光の照射により信号波を通過する構成
となっている。
Next, the operation will be described. As shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 3, the switches 70a and 70c have wavelengths λ 1
The signal waves are passed by the irradiation of the light of the switch 70b, 7
0d is configured to pass a signal wave by irradiation with light of wavelength λ 2 .

【0012】まず、波長λ1 の光を照射して波長λ2
光を照射しない場合、スイッチ70a,70cは信号波
を通過し、スイッチ70b,70dは遮断状態となる。
入力端子4に入力した信号波はスイッチ70a、マイク
ロストリップ線路3a及びスイッチ70cを通過して出
力端子5から出力される。
First, when the light of the wavelength λ 1 is irradiated and the light of the wavelength λ 2 is not irradiated, the switches 70a and 70c pass the signal wave, and the switches 70b and 70d are turned off.
The signal wave input to the input terminal 4 passes through the switch 70a, the microstrip line 3a and the switch 70c and is output from the output terminal 5.

【0013】次に、波長λ1 の光を照射せず波長λ2
光を照射する場合、スイッチ70a,70cは信号波を
遮断し、スイッチ70b,70dは信号波を通過する。
入力端子4に入力した信号波はスイッチ70b、マイク
ロストリップ線路3b及びスイッチ70dを通過して出
力端子5から出力される。
Next, when the light of the wavelength λ 2 is irradiated without irradiating the light of the wavelength λ 1 , the switches 70a and 70c block the signal wave and the switches 70b and 70d pass the signal wave.
The signal wave input to the input terminal 4 passes through the switch 70b, the microstrip line 3b and the switch 70d and is output from the output terminal 5.

【0014】ここで、マイクロストリップ線路3aと3
bの長さの差をLとすると、制御信号として波長λ1
光を照射して波長λ2 の光を照射しない時と、波長λ2
の光を照射して波長λ1 の光を照射しない時では、同一
入力信号波に対する出力の信号波の位相を線路差Lの電
気長分だけ変化させることができる。
Here, the microstrip lines 3a and 3
When b of the difference in length is L, and when not irradiated with light of wavelength lambda 2 by irradiating light of wavelength lambda 1 as the control signal, the wavelength lambda 2
When the light having the wavelength λ 1 is not emitted and the light having the wavelength λ 1 is emitted, the phase of the output signal wave with respect to the same input signal wave can be changed by the electrical length of the line difference L.

【0015】ここでは、単ビットの移相器を例に説明し
たが、受光感度の波長特性が異なるスイッチ及び移相量
の異なる素子を複数個、直列に接続することにより、多
ビット移相器を実現することができる。
Although a single-bit phase shifter has been described as an example here, a multi-bit phase shifter is formed by connecting in series a plurality of switches having different wavelength characteristics of photosensitivity and elements having different phase shift amounts. Can be realized.

【0016】図4は図1に示すマイクロ波回路の光制御
素子を示す構成図である。図において、1は一方の面に
地導体を有する誘電体基板、3はマイクロストリップ線
路のストリップ導体、81は特定波長の光の照射により
導電率が変化する半導体膜である。光を照射しない時、
半導体膜81は非導通状態となるために、スイッチは遮
断状態になる。一方、光を照射する時、半導体膜81は
導通状態になるために、スイッチは接続状態になる。ス
イッチ70aと70bの半導体膜81の種類を変えるこ
とにより波長選択性が変わる。
FIG. 4 is a block diagram showing an optical control element of the microwave circuit shown in FIG. In the figure, 1 is a dielectric substrate having a ground conductor on one surface, 3 is a strip conductor of a microstrip line, and 81 is a semiconductor film whose conductivity changes by irradiation with light of a specific wavelength. When not illuminated
Since the semiconductor film 81 is in a non-conducting state, the switch is in a cutoff state. On the other hand, when the semiconductor film 81 is irradiated with light, the semiconductor film 81 is in a conductive state, so that the switch is in a connected state. The wavelength selectivity is changed by changing the type of the semiconductor film 81 of the switches 70a and 70b.

【0017】実施例2.実施例1では図1のマイクロ波
回路(移相器)の光制御素子(スイッチ)として、図4
に示すように特定波長の光の照射により導電率が変化す
る半導体膜81の種類を変えて光選択性をもたせたが、
半導体膜81の種類を一定にして、上記半導体膜上に特
定波長のみを通過する膜を配置したもの同様の効果を奏
する。図5はこの発明のマイクロ波回路の光制御素子
(スイッチ)の実施例2を示す構成図である。図におい
て、81aは光の照射により導電率が変化する半導体
膜、82は特定波長の光のみを通過する膜である。膜8
2を通過する光を照射したときに、半導体膜81aは導
通状態になりスイッチは通過状態になる。一方、膜82
を通過しない光を照射した時、及び光を照射しない時
に、半導体膜81aは非導通状態になりスイッチは遮断
状態になる。
Embodiment 2. In Example 1, as an optical control element (switch) of the microwave circuit (phase shifter) of FIG.
As shown in (4), the type of the semiconductor film 81 whose conductivity changes by irradiation with light of a specific wavelength is changed to provide photoselectivity.
The same kind of semiconductor film 81 is provided, and the same effect is obtained by disposing a film passing only a specific wavelength on the semiconductor film. FIG. 5 is a configuration diagram showing a second embodiment of the light control element (switch) of the microwave circuit according to the present invention. In the figure, 81a is a semiconductor film whose conductivity changes by irradiation with light, and 82 is a film which passes only light of a specific wavelength. Membrane 8
When the light passing through 2 is irradiated, the semiconductor film 81a becomes conductive and the switch becomes in the passing state. On the other hand, the membrane 82
The semiconductor film 81a is in a non-conductive state and the switch is in a cutoff state when the light which does not pass through the light is irradiated and when the light is not irradiated.

【0018】実施例3.実施例1では、マイクロ波回路
として移相器を単体もしくは複数個備えたものについて
説明したが、さらに、アンテナやミクサ等のマイクロ波
回路と組み合わせて同一基板上に構成したマイクロ波回
路の例について説明する。図6,図7はこの発明のマイ
クロ波回路の実施例3を示す構成図である。図6は実施
例3の光制御素子実装面を示す構成図であり、図7は図
6の裏面を示す図である。図6,図7において、1Aは
誘電体基板、2は地導体、3はマイクロストリップ線路
のストリップ導体、5は出力端子、7はスルーホール、
11はマイクロストリップアンテナの放射導体、80a
〜80hは図1に示したマイクロ波回路(移相器)80
と同様である。
Example 3. In the first embodiment, the microwave circuit including a single phase shifter or a plurality of phase shifters has been described. Further, an example of the microwave circuit configured on the same substrate in combination with the microwave circuit such as the antenna and the mixer is described. explain. 6 and 7 are configuration diagrams showing a third embodiment of the microwave circuit according to the present invention. 6 is a configuration diagram showing the light control element mounting surface of Example 3, and FIG. 7 is a diagram showing the back surface of FIG. 6 and 7, 1A is a dielectric substrate, 2 is a ground conductor, 3 is a strip conductor of a microstrip line, 5 is an output terminal, 7 is a through hole,
11 is a radiation conductor of the microstrip antenna, 80a
80h is the microwave circuit (phase shifter) 80 shown in FIG.
Is the same as.

【0019】次に、動作についてマイクロ波回路(移相
器)80aに注目して説明する。図7のマイクロストリ
ップアンテナの放射導体11に入射した信号波は、スル
ーホール7及びストリップ導体3と地導体2とからなる
マイクロストリップ線路を介して、光制御マイクロ波回
路80aに入力する。マイクロ波回路(移相器)80a
において、所定の位相変化した信号波は、ストリップ導
体3と地導体2とからなるマイクロストリップ線路を介
して出力端子5に出力される。
Next, the operation will be described focusing on the microwave circuit (phase shifter) 80a. The signal wave incident on the radiation conductor 11 of the microstrip antenna of FIG. 7 is input to the light control microwave circuit 80a via the through hole 7 and the microstrip line including the strip conductor 3 and the ground conductor 2. Microwave circuit (phase shifter) 80a
In, the signal wave having a predetermined phase change is output to the output terminal 5 via the microstrip line including the strip conductor 3 and the ground conductor 2.

【0020】ここで、マイクロ波回路80a〜80hの
光制御素子の受光感度の波長特性をそれぞれ変えておく
と、制御信号光源6が照射する光の波長により、マイク
ロ波回路80a〜80hを各々独立に制御することがで
きる。従って、放射導体11の集合からなるアンテナの
ビーム方向を制御信号光源6により所定の方向に変える
ことができる。
Here, if the wavelength characteristics of the light receiving sensitivity of the light control elements of the microwave circuits 80a to 80h are changed, the microwave circuits 80a to 80h are independently set according to the wavelength of the light emitted by the control signal light source 6. Can be controlled. Therefore, the beam direction of the antenna composed of the radiating conductors 11 can be changed to a predetermined direction by the control signal light source 6.

【0021】実施例4.図8,図9は、この発明のマイ
クロ波回路の実施例4を示す構成図である。実施例3を
示す図6,図7と同一部分については同一符号を付し既
に説明済みなので省略する。図8は実施例4の光制御素
子実装面を示す構成図である。図9は図8の裏面を示す
図である。図8,図9において、6は波長の異なる複数
の光をいずれか一つ、もしくは複数同時に出力できる制
御信号光源、91は局発信号により変調された光を発生
する光源である。80は図1に示したと同様の制御信号
光源6により制御されるマイクロ波回路(移相器)、9
0は変調された光により局発信号を供給されるミクサ回
路である。
Example 4. 8 and 9 are configuration diagrams showing a fourth embodiment of the microwave circuit according to the present invention. The same parts as those in FIGS. 6 and 7 showing the third embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted because they have already been described. FIG. 8 is a configuration diagram showing the light control element mounting surface of the fourth embodiment. FIG. 9 is a view showing the back surface of FIG. 8 and 9, 6 is a control signal light source capable of outputting any one of a plurality of lights having different wavelengths or a plurality of lights at the same time, and 91 is a light source for generating light modulated by a local oscillation signal. 80 is a microwave circuit (phase shifter) controlled by the same control signal light source 6 as shown in FIG.
Reference numeral 0 is a mixer circuit to which a local oscillation signal is supplied by the modulated light.

【0022】次に動作について説明する。図9のマイク
ロストリップアンテナの放射導体11に入射した信号波
は、スルーホール7及びストリップ導体3と地導体2か
らなるマイクロストリップ線路を介して、マイクロ波回
路(移相器)80に入力し、それぞれ位相調整される。
次いで、ミクサ回路90において、局発信号により変調
された光源91の照射により供給される局発信号とミク
シングされ、中間周波信号を発生する。ミクサ回路90
で発生した中間周波信号は、ストリップ導体3と地導体
2とからなるマイクロストリップ線路を介して出力端子
5に出力される。
Next, the operation will be described. The signal wave incident on the radiation conductor 11 of the microstrip antenna of FIG. 9 is input to the microwave circuit (phase shifter) 80 via the through hole 7 and the microstrip line including the strip conductor 3 and the ground conductor 2, Each phase is adjusted.
Next, the mixer circuit 90 mixes with the local oscillation signal supplied by the irradiation of the light source 91 which is modulated by the local oscillation signal to generate an intermediate frequency signal. Mixer circuit 90
The intermediate frequency signal generated in 1 is output to the output terminal 5 via the microstrip line including the strip conductor 3 and the ground conductor 2.

【0023】実施例5.実施例1ではマイクロストリッ
プ線路を用いて構成したマイクロ波回路(移相器)80
の光制御素子(スイッチ)について説明したが、コプレ
ーナ線路、スロット線路を用いて構成したマイクロ波回
路の光制御素子(スイッチ)について説明する。図10
はこの発明のマイクロ波回路の光制御素子(スイッチ)
の実施例5を示す構成図である。図において、1Aは誘
電体基板、2は地導体、20はコプレーナ線路の中心導
体、81aは特定波長の光の照射により導電率が変化す
る半導体膜である。いま、特定波長の光を照射して半導
体膜81aが導通状態のとき、コプレーナ線路の中心導
体20が接地され、コプレーナ線路を伝搬してきた信号
波は全反射される。一方、特定波長の光を照射せず半導
体膜81aが非導通状態になると、コプレーナ線路は信
号波を通過することができる。
Example 5. In the first embodiment, a microwave circuit (phase shifter) 80 configured by using a microstrip line
The optical control element (switch) of the above has been described, but the optical control element (switch) of the microwave circuit configured by using the coplanar line and the slot line will be described. Figure 10
Is an optical control element (switch) of the microwave circuit of the present invention
It is a block diagram which shows Example 5 of. In the figure, 1A is a dielectric substrate, 2 is a ground conductor, 20 is a center conductor of a coplanar line, and 81a is a semiconductor film whose conductivity changes by irradiation with light of a specific wavelength. Now, when the semiconductor film 81a is irradiated with light of a specific wavelength and the semiconductor film 81a is in a conductive state, the center conductor 20 of the coplanar line is grounded, and the signal wave propagating through the coplanar line is totally reflected. On the other hand, when the semiconductor film 81a is brought into a non-conducting state without being irradiated with light of a specific wavelength, the coplanar line can pass a signal wave.

【0024】実施例6.図11はこの発明のマイクロ波
回路の光制御素子(移相器)の実施例6を示す構成図で
ある。図11において、2は地導体、20はコプレーナ
線路の中心導体、81bは光の照射により誘電率が変化
する半導体素子からなる光制御素子、83は半絶縁性G
aAs基板である。上記の光制御素子に光を照射する
と、光制御素子の半導体素子81bにおいて、プラズマ
が発生し、半導体素子81bの誘電率が変化する。誘電
率が変化するとコプレーナ線路の波長短縮率が変化し、
通過位相を変えることができる。
Example 6. 11 is a configuration diagram showing a sixth embodiment of an optical control element (phase shifter) of a microwave circuit according to the present invention. In FIG. 11, reference numeral 2 is a ground conductor, 20 is a central conductor of a coplanar line, 81b is a light control element formed of a semiconductor element whose permittivity changes by irradiation of light, and 83 is a semi-insulating G layer.
It is an aAs substrate. When the light control element is irradiated with light, plasma is generated in the semiconductor element 81b of the light control element, and the dielectric constant of the semiconductor element 81b changes. When the permittivity changes, the wavelength shortening rate of the coplanar line changes,
The passing phase can be changed.

【0025】実施例7.図12,13は、この発明のマ
イクロ波回路(多ビット移相器)の実施例7を示す構成
図である。図11に示した照射する光の波長によって移
相量を変えることのできる光制御素子(単ビット移相
器)を複数個、直列に接続することにより多ビット移相
器を構成することができる。図12は多ビット移相器の
実施例7を示す構成図(平面図)である。図13は図1
2のA−A′断面図である。図12,13において、2
は地導体、20はコプレーナ線路の中心導体、81b,
81c,81dはそれぞれ図11に示した光制御素子と
同様であり、光の照射により誘電率が変化する半導体素
子、83は半絶縁性GaAs基板である。異なる波長の
光で誘電率が変化する3種類の半導体素子81b,81
c,81dを一つのコプレーナ線路に用い、それぞれ半
導体素子の長さを変えることにより、移相量を変えるこ
とができる。これにより、3ビット移相器を実現するこ
とができる。
Example 7. 12 and 13 are configuration diagrams showing a seventh embodiment of the microwave circuit (multi-bit phase shifter) of the present invention. A multi-bit phase shifter can be configured by connecting in series a plurality of light control elements (single-bit phase shifters) whose amount of phase shift can be changed according to the wavelength of the irradiation light shown in FIG. .. FIG. 12 is a configuration diagram (plan view) showing a seventh embodiment of the multi-bit phase shifter. FIG. 13 shows FIG.
2 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. In FIGS. 12 and 13, 2
Is a ground conductor, 20 is a center conductor of a coplanar line, 81b,
Reference numerals 81c and 81d are the same as those of the light control element shown in FIG. 11, respectively, and semiconductor elements whose permittivity is changed by irradiation of light, and 83 are semi-insulating GaAs substrates. Three types of semiconductor elements 81b, 81 whose permittivity changes with light of different wavelengths
The amount of phase shift can be changed by using c and 81d for one coplanar line and changing the length of each semiconductor element. This makes it possible to realize a 3-bit phase shifter.

【0026】実施例8.実施例1,2,3,4,5に示
したマイクロ波回路において、光制御素子のばらつきを
抑えるために、誘電体基板1を半導体基板にして構成す
る、即ちモノリシック化したものであっても同様の効果
を奏する。
Example 8. In the microwave circuits shown in Examples 1, 2, 3, 4, and 5, the dielectric substrate 1 may be a semiconductor substrate, that is, a monolithic structure, in order to suppress variations in the light control elements. Has the same effect.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、マイク
ロ波の伝送特性を光の照射により制御する光制御素子の
うち、少なくとも2素子の受光感度の波長特性を異なる
ようにし、波長の異なる複数の光を制御信号として用い
ることにより、制御素子数が多数の場合においても、制
御信号を容易に供給できる、小形のマイクロ波回路を得
ることができる。
As described above, according to the present invention, among the optical control elements for controlling the transmission characteristics of microwaves by irradiating light, at least two elements have different wavelength characteristics of the light receiving sensitivity so that the wavelengths are different. By using a plurality of lights as the control signal, it is possible to obtain a small microwave circuit that can easily supply the control signal even when the number of control elements is large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明のマイクロ波回路の実施例1を示す構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of a microwave circuit according to the present invention.

【図2】図1に示すマイクロ波回路と制御信号光源の関
係を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a relationship between the microwave circuit shown in FIG. 1 and a control signal light source.

【図3】図1の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of FIG.

【図4】図1に示すマイクロ波回路の光制御素子(スイ
ッチ)を示す構成図である。
4 is a configuration diagram showing an optical control element (switch) of the microwave circuit shown in FIG.

【図5】この発明のマイクロ波回路の光制御素子(スイ
ッチ)の実施例2を示す構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a second embodiment of an optical control element (switch) of the microwave circuit of the present invention.

【図6】この発明のマイクロ波回路の実施例3を示す構
成図(光制御素子実装面)である。
FIG. 6 is a configuration diagram (light control element mounting surface) showing a third embodiment of the microwave circuit according to the present invention.

【図7】図6の裏面を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the back surface of FIG.

【図8】この発明のマイクロ波回路の実施例4を示す構
成図(光制御素子実装面側)である。
FIG. 8 is a configuration diagram (light control element mounting surface side) showing a fourth embodiment of the microwave circuit of the present invention.

【図9】図8の裏面を示す図である。9 is a diagram showing the back surface of FIG.

【図10】この発明のマイクロ波回路の光制御素子(ス
イッチ)の実施例5を示す構成図である。
FIG. 10 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of an optical control element (switch) of a microwave circuit according to the present invention.

【図11】この発明のマイクロ波回路の光制御素子(移
相器)の実施例6を示す構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram showing a sixth embodiment of an optical control element (phase shifter) of a microwave circuit according to the present invention.

【図12】この発明のマイクロ波回路の光制御素子(移
相器)の実施例7を示す構成図である。
FIG. 12 is a configuration diagram showing a seventh embodiment of an optical control element (phase shifter) of a microwave circuit according to the present invention.

【図13】図12のA−A′断面図である。13 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.

【図14】従来のマイクロ波回路を示す構成図である。FIG. 14 is a configuration diagram showing a conventional microwave circuit.

【図15】図14の等価回路図である。FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of FIG.

【図16】図14の動作を説明する等価回路図である。16 is an equivalent circuit diagram for explaining the operation of FIG.

【図17】図14の動作を説明する等価回路図である。FIG. 17 is an equivalent circuit diagram illustrating the operation of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誘電体基板 2 地導体 3 マイクロストリップ線路のストリップ導体 3a〜3c マイクロストリップ線路のストリップ導体 4 入力端子 5 出力端子 6 制御信号光源 7 スルーホール 10a〜10b 光制御素子 11 放射導体 20 コプレーナ線路の中心導体 70a〜70d スイッチ 80 光制御素子を有するマイクロ波回路 80a〜80h 光制御素子を有するマイクロ波回路 81 半導体膜 81a,81b,81c,81d 半導体膜 82 特定波長の光を通過する膜 83 半絶縁性GaAs基板 90 ミクサ回路 91 局発信号により変調された光を発生する光源 1 Dielectric Substrate 2 Ground Conductor 3 Microstrip Line Strip Conductor 3a to 3c Microstrip Line Strip Conductor 4 Input Terminal 5 Output Terminal 6 Control Signal Light Source 7 Through Hole 10a to 10b Light Control Element 11 Radiation Conductor 20 Coplanar Line Center Conductors 70a to 70d Switch 80 Microwave circuit having light control element 80a to 80h Microwave circuit having light control element 81 Semiconductor film 81a, 81b, 81c, 81d Semiconductor film 82 Film that transmits light of specific wavelength 83 Semi-insulating property GaAs substrate 90 Mixer circuit 91 Light source for generating light modulated by local signal

フロントページの続き (72)発明者 浦崎 修治 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株式 会社電子システム研究所内Front page continuation (72) Inventor Shuji Urasaki 5-1, 1-1 Ofuna, Kamakura-shi Electronic Systems Research Center, Mitsubishi Electric Corporation

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マイクロ波の伝送特性を光の照射により
制御する光制御素子を複数個備えたマイクロ波回路であ
って、上記光制御素子のうち、少なくとも2素子の受光
感度の波長特性が異なることを特徴とするマイクロ波回
路。
1. A microwave circuit comprising a plurality of light control elements for controlling microwave transmission characteristics by irradiating light, wherein at least two of the light control elements have different light receiving sensitivity wavelength characteristics. A microwave circuit characterized in that.
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