JPH05232536A - Wavelength conversion device - Google Patents

Wavelength conversion device

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JPH05232536A
JPH05232536A JP6919292A JP6919292A JPH05232536A JP H05232536 A JPH05232536 A JP H05232536A JP 6919292 A JP6919292 A JP 6919292A JP 6919292 A JP6919292 A JP 6919292A JP H05232536 A JPH05232536 A JP H05232536A
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JP
Japan
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wavelength
temperature
light source
fundamental wave
laser diode
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Application number
JP6919292A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeyoshi Misawa
成嘉 三澤
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH05232536A publication Critical patent/JPH05232536A/en
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Abstract

PURPOSE:To constitute a small-sized, lightweight, and inexpensive light source even when variation in the wavelength of a fundamental wave is suppressed within the permissible wavelength width of a wavelength converting element at all times by precisely varying the wavelength of the light source or varying temperature of the wavelength converting element if the wavelength of the fundamental wave emitted by the light source is different from designed wavelength owing to variation in ambient temperature, etc.. CONSTITUTION:A wavelength-stabilized laser diode in structure which generates no mode pop nearby the set wavelength of the fundamental wave of the wavelength converting element when the oscillation wavelength varies with temperature is used as the light source 1 which excites a converted wave by guiding the fundamental wave to the optical waveguide G2 of the wavelength converting element 8. Consequently, the wavelength of the fundamental wave is precisely controlled or the element temperature is adjusted so that the variation in the wavelength of the fundamental wave in the wavelength converting element 8 is suppressed within the permissible wavelength width at all times.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、所定波長を有する光源
からの光を波長変換素子に入射させて基本波として導波
させ、該基本波に基づきその波長よりも短かい波長の光
に変換する波長変換装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to light from a light source having a predetermined wavelength, which is incident on a wavelength conversion element to be guided as a fundamental wave, and is converted into light having a shorter wavelength than the fundamental wave based on the fundamental wave. Wavelength converter.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、波長変換素子として、例えば図
9,図10に示すような構造の第2高調波発生素子が知
られている(特開平2−242236参照)。図9,図
10の高調波発生素子では、非線形光学効果をもつ光透
過性の強誘電体基板(LiTaO3,LiNbO3等)1
01の+C面に、Ti拡散によって高調波の位相を反転
させるための周期的な分極反転層ZD1乃至ZDnを設
け、さらに、各分極反転層ZD1乃至ZDnと交差させ
て、3次元光導波路G1がプロトン交換等のドーピング
により形成されている。この高調波発生素子では、所定
波長を有する光源からの光を入射させて基本波として光
導波路G1の一端面から他端面まで導波させると、この
導波過程において、光導波路G1中に第2高調波が励起
される。この際、分極反転層ZD1乃至ZDnが光導波
路G1にコヒーレント長の偶数倍の周期で形成されてい
るときには、励起された第2高調波と基本波との擬似的
な位相整合をとることができて、第2高調波を光導波路
G1の他端から効率良く出射させることができる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a wavelength conversion element, for example, a second harmonic generation element having a structure as shown in FIGS. 9 and 10 has been known (see Japanese Patent Laid-Open No. 2-242236). In the harmonic generating elements shown in FIGS. 9 and 10, a light transmissive ferroelectric substrate (LiTaO 3 , LiNbO 3 etc.) 1 having a nonlinear optical effect is used.
On the + C plane of 01, periodic domain-inverted layers ZD1 to ZDn for inverting the phase of higher harmonics by Ti diffusion are provided, and further, the domain-inverted layers ZD1 to ZDn are crossed to form a three-dimensional optical waveguide G1. It is formed by doping such as proton exchange. In this harmonic generating element, when light from a light source having a predetermined wavelength is incident and guided as a fundamental wave from one end surface to the other end surface of the optical waveguide G1, in the guiding process, the second wave is introduced into the optical waveguide G1. Harmonics are excited. At this time, when the polarization inversion layers ZD1 to ZDn are formed in the optical waveguide G1 with a period of an even multiple of the coherent length, pseudo phase matching between the excited second harmonic wave and the fundamental wave can be achieved. Thus, the second harmonic can be efficiently emitted from the other end of the optical waveguide G1.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、第2高調波
発生素子では、この素子の設計された光源波長(基本波
の波長)に対する実際の光源の波長許容幅Δλは0.2
〜0.3nmと非常に小さく、光源の温度等の状態が変
化し光源波長が変化するか素子温度が変化することによ
り、基本波の波長と設計波長とが異なり、基本波の波長
が波長許容幅Δλから外れると、第2高調波の変換効率
は著しく低下してしまう。従って、第2高調波発生素子
に用いられる光源としては、光源波長を精密に変化させ
ることの可能なTi:Al23レーザ等のコヒーレント
光源が使用されていた。
By the way, in the second harmonic generation element, the wavelength allowable width Δλ of the actual light source with respect to the designed light source wavelength (fundamental wavelength) of this element is 0.2.
It is as small as ~ 0.3 nm, and the wavelength of the fundamental wave is different from the design wavelength due to changes in the light source wavelength or changes in the light source wavelength or the element temperature. If it deviates from the width Δλ, the conversion efficiency of the second harmonic wave will be significantly reduced. Therefore, as a light source used for the second harmonic generation element, a coherent light source such as a T i : Al 2 O 3 laser capable of precisely changing the light source wavelength has been used.

【0004】このように、従来では、光源波長変動や素
子温度の変動に対して光源波長を精密に変化させて、基
本波の波長の変化が素子の波長許容幅Δλ内に常に収ま
るようにするため、光源としては、大規模な波長可変固
体レーザ,色素レーザ等が必要となり、これによって、
光源が大型化し、また重量化し、さらには高コストのも
のになってしまうという問題があった。
As described above, conventionally, the light source wavelength is precisely changed with respect to the light source wavelength variation and the element temperature variation so that the variation of the fundamental wave wavelength is always within the wavelength allowable width Δλ of the element. Therefore, as a light source, a large-scale tunable solid-state laser, dye laser, etc. are required.
There is a problem that the light source becomes large in size, heavy in weight, and high in cost.

【0005】本発明は、周囲温度の変化等により光源か
ら出射する基本波の波長が設計波長と異なった場合、光
源波長を精密に変化させるか波長変換素子の温度を変化
させて基本波の波長の変化が波長変換素子の波長許容幅
内に常に収まるようにするときにも光源を小型軽量かつ
安価な構成のものにすることの可能な波長変換装置を提
供することを目的としている。
According to the present invention, when the wavelength of the fundamental wave emitted from the light source is different from the design wavelength due to changes in ambient temperature, the wavelength of the fundamental wave is changed by changing the wavelength of the light source precisely or by changing the temperature of the wavelength conversion element. It is an object of the present invention to provide a wavelength conversion device that allows a light source to have a small size, a light weight, and an inexpensive structure even when the change in the above is always within the wavelength allowable width of the wavelength conversion element.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1記載の波長変換装置は、非線形光学媒質によ
り形成された光導波路を有する波長変換素子と、所定波
長の光を出射し、前記波長変換素子の光導波路に基本波
として導波させて変換波を励起させるための光源とを有
し、前記光源には、発振波長が温度変化するときに、波
長変換素子における基本波の設定波長の付近でモードポ
ップを生じない構造の波長安定化レーザダイオードが用
いられることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a wavelength converter according to a first aspect of the present invention emits light of a predetermined wavelength and a wavelength conversion element having an optical waveguide formed of a non-linear optical medium. A light source for guiding the converted wave by guiding it as a fundamental wave in the optical waveguide of the wavelength conversion element, and setting the fundamental wave in the wavelength conversion element in the light source when the oscillation wavelength changes in temperature. It is characterized in that a wavelength-stabilized laser diode having a structure that does not cause mode pop near the wavelength is used.

【0007】また、請求項2記載の波長変換装置では、
波長変換素子内で基本波の波長が設定波長から長波長側
にずれるときに前記光源の温度を下降させて発振波長を
短波長側にシフトし、また基本波の波長が設定波長から
短波長側にずれるときに前記光源の温度を上昇させて発
振波長を長波長側にシフトする温度制御手段が設けられ
ていることを特徴としている。
Further, in the wavelength converter according to claim 2,
When the wavelength of the fundamental wave shifts from the set wavelength to the long wavelength side in the wavelength conversion element, the temperature of the light source is lowered to shift the oscillation wavelength to the short wavelength side, and the wavelength of the fundamental wave changes from the set wavelength to the short wavelength side. It is characterized in that a temperature control means for increasing the temperature of the light source to shift the oscillation wavelength to the long wavelength side is provided when the temperature shifts.

【0008】また、請求項3記載の波長変換装置では、
前記光源には、特に複合共振器をもつ波長安定化レ−ザ
ダイオ−ドが用いられることを特徴としている。
Further, in the wavelength conversion device according to claim 3,
A wavelength stabilizing laser diode having a complex resonator is used as the light source.

【0009】[0009]

【作用】本発明では、波長変換素子の光導波路に基本波
として導波させて変換波を励起させるための光源とし
て、発振波長が温度変化するときに、波長変換素子にお
ける基本波の設定波長の付近でモードポップを生じない
構造の波長安定化レーザダイオードを用いている。これ
により、波長変換素子内における基本波の波長の変化が
波長許容幅内に常に収まるよう基本波の波長を精度良く
制御したり素子温度を調節したりすることができる。
In the present invention, as the light source for guiding the converted wave by guiding it as the fundamental wave in the optical waveguide of the wavelength conversion element, when the oscillation wavelength changes in temperature, the set wavelength of the fundamental wave in the wavelength conversion element is changed. A wavelength-stabilized laser diode with a structure that does not cause mode pop in the vicinity is used. As a result, the wavelength of the fundamental wave can be accurately controlled and the element temperature can be adjusted so that the change in the wavelength of the fundamental wave in the wavelength conversion element is always within the wavelength allowable width.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明に係る波長変換装置の一実施例の構
成図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a wavelength conversion device according to the present invention.

【0011】本実施例の波長変換装置は、波長変換素子
8と、波長変換素子8に基本波を導波させるための所定
波長の光を出射する光源1と、光源1の温度を変化させ
る温度制御素子2と、光源1からの光を波長変換素子8
に集光させる集光レンズ3とを有している。この実施例
では、波長変換素子8は第2高調波発生素子として構成
されており、非線形光学効果をもつ光透過性の基板(例
えばLiTaO3)4に埋込まれる形で周期的な分極反
転層RD1乃至RDnがプロトン交換およびアニーリン
グ等によって形成され、さらに、各分極反転層RD1乃
至RDnと交差させて、プロトン交換等により3次元光
導波路G2が形成されている。
The wavelength conversion device of this embodiment comprises a wavelength conversion element 8, a light source 1 for emitting light of a predetermined wavelength for guiding a fundamental wave to the wavelength conversion element 8, and a temperature for changing the temperature of the light source 1. The wavelength conversion element 8 for controlling the light from the light source 1 and the control element 2
And a condenser lens 3 for condensing light. In this embodiment, the wavelength conversion element 8 is configured as a second harmonic generation element, and is embedded in a light transmissive substrate (for example, LiTaO 3 ) 4 having a non-linear optical effect so as to be a periodically poled layer. RD1 to RDn are formed by proton exchange, annealing, etc. Further, three-dimensional optical waveguide G2 is formed by proton exchange and the like by intersecting each of the polarization inversion layers RD1 to RDn.

【0012】各分極反転層RD1乃至RDnのピッチΛ
は、図8,図9に示した高調波発生素子の分極反転層Z
D1乃至ZDnのピッチと同様に、次式に従って、コヒ
ーレント長lcの偶数倍に予め設定されている。
The pitch Λ of the polarization inversion layers RD1 to RDn
Is the polarization inversion layer Z of the harmonic generating element shown in FIGS.
Similar to the pitches of D1 to ZDn, it is preset to an even multiple of the coherent length lc according to the following equation.

【0013】[0013]

【数1】Λ=2m1c (m=1,2,3…)[Formula 1] Λ = 2m1c (m = 1, 2, 3 ...)

【0014】ここで、コヒーレント長lcは、次式で与
えられる。
Here, the coherent length lc is given by the following equation.

【0015】[0015]

【数2】lc=λ/〔4×|neff(SHG)−neff(F)|〕[Equation 2] lc = λ / [4 × | n eff (SHG) −n eff (F) |]

【0016】但し、mが奇数の場合は、各分極反転層R
D1乃至RDnの層の幅は、ピッチΛの半分で良いが、
mが偶数の場合は、それ以外の幅であることが望まし
い。なお、数2において、neff(F),neff(SHG)は各
々、基本波,第2高調波の光導波路G2における等価屈
折率であり、λは基本波の真空中での波長である。
However, when m is an odd number, each polarization inversion layer R
The width of the layers D1 to RDn may be half the pitch Λ,
When m is an even number, it is desirable that the width is other than that. In Equation 2, n eff (F) and n eff (SHG) are the equivalent refractive indices of the fundamental wave and the second harmonic in the optical waveguide G2, respectively, and λ is the wavelength of the fundamental wave in vacuum. ..

【0017】ここでは、コヒーレント長lcに対し、数
1に従うピッチΛで分極反転層RD1乃至RDnを形成
することによって、基本波と第2高調波との擬似的な位
相整合の条件を満たすようにしている。
Here, for the coherent length lc, the polarization inversion layers RD1 to RDn are formed at the pitch Λ according to the equation 1 so that the pseudo phase matching condition between the fundamental wave and the second harmonic wave is satisfied. ing.

【0018】また、温度制御素子2は、例えばヒーター
やペルチエ素子であって、この温度制御素子2によって
光源1の温度を変化させ、光源1の発振波長を制御する
ようにしている。すなわち、本実施例においては、光源
1として小型軽量かつ安価なレーザダイオードを用いる
ことを意図しており、この場合、一般にレーザダイオー
ドは、温度の上昇によって発振波長が長波長側にシフト
し、また温度を下降させると発振波長が短波長側にシフ
トする特性を有していることに着目し、レーザダイオー
ドの発振波長を変化させて、これを波長変換素子8の設
計波長(位相整合波長)に合わせるために温度制御素子
2を用いている。
The temperature control element 2 is, for example, a heater or a Peltier element, and the temperature control element 2 changes the temperature of the light source 1 to control the oscillation wavelength of the light source 1. That is, in the present embodiment, it is intended to use a small, lightweight and inexpensive laser diode as the light source 1. In this case, in general, the laser diode has an oscillation wavelength shifted to a long wavelength side due to a rise in temperature, and Paying attention to the fact that the oscillation wavelength shifts to the short wavelength side when the temperature is lowered, the oscillation wavelength of the laser diode is changed to be the design wavelength (phase matching wavelength) of the wavelength conversion element 8. The temperature control element 2 is used for matching.

【0019】ところで、通常のファブリペロー共振器を
もつレーザダイオードの発振波長と温度との関係は図2
(a)のようになる。すなわち、レーザダイオードの共
振器長をLとし、発振中心波長をλ0とし、実効屈折率
をneff’とするとき、レーザダイオードの縦モード間
隔Δλ’は次式により与えられる。
By the way, the relationship between the oscillation wavelength and the temperature of a laser diode having a normal Fabry-Perot resonator is shown in FIG.
It becomes like (a). That is, when the resonator length of the laser diode is L, the oscillation center wavelength is λ 0 , and the effective refractive index is n eff ′, the longitudinal mode interval Δλ ′ of the laser diode is given by the following equation.

【0020】[0020]

【数3】 Δλ’=−λ0 2/(2neff’・L) neff’=neq{1−(λ0/neq)・(dneq/dλ0)}## EQU3 ## Δλ '=-λ 0 2 / (2n eff ' .L ) n eff '= n eq {1- (λ 0 / n eq ). (Dn eq / dλ 0 )}

【0021】ここで、neqはレーザダイオードの活性層
を含む光導波層の等価屈折率である。ファブリペロー共
振器をもつレーザダイオードの場合、共振器長Lが通常
300μm程度のため、発振波長が0.8μm近くで
は、縦モード間隔Δλ’が0.3nm程度となり、レー
ザダイオードの素子温度を変化させていくと、発振波長
には0.3nmの間隔Δλ’で縦モードのモード飛び
(モードポップ)が生じ、発振波長は図2(a)のよう
に段階状に変化する。また、図2(a)からわかるよう
に、このレーザダイオードの発振波長は、同じ温度で
も、昇温時と冷却時とで異なりヒステリシスが生じる。
Here, n eq is the equivalent refractive index of the optical waveguide layer including the active layer of the laser diode. In the case of a laser diode having a Fabry-Perot resonator, since the resonator length L is usually about 300 μm, the longitudinal mode interval Δλ ′ becomes about 0.3 nm when the oscillation wavelength is near 0.8 μm, and the element temperature of the laser diode changes. As a result, the oscillation wavelength causes mode jumps (mode pops) in the longitudinal mode at intervals Δλ ′ of 0.3 nm, and the oscillation wavelength changes stepwise as shown in FIG. Further, as can be seen from FIG. 2A, the oscillation wavelength of this laser diode differs between the time of temperature increase and the time of cooling even at the same temperature, so that hysteresis occurs.

【0022】一方、波長変換素子8(いまの場合、第2
高調波発生素子)については、変換波(SH光)を効率
良く発生させるためには、前述のように、基本波の波長
のずれの許容幅Δλが0.2nm程度であるとされてい
る。従って、ファブリペロー共振器をもつ通常のレーザ
ダイオードを光源1として用いる場合、波長変換素子8
の光導波路G2を導波する基本波の波長のずれが上記許
容幅Δλ(≒0.2nm程度)以内に収まるように光源
1の温度を変化させ発振波長を変化させると、発振波長
に上記許容幅Δλ以上のモードポップ(Δλ’=0.3
nm程度)が生じてしまい、基本波の波長のずれが許容
幅Δλ以内に収まるように発振波長を設定制御すること
はできない。また、波長変換素子8の温度を変化させて
基本波の波長ずれを許容幅Δλ以内に収まるようにして
も周囲の温度変化等により光源1がモードポップを生じ
てしまうと、安定して変換波を発生させることができな
い。
On the other hand, the wavelength conversion element 8 (in the present case, the second
In order to efficiently generate the converted wave (SH light), the harmonic generation element) is said to have a permissible width Δλ of the wavelength shift of the fundamental wave of about 0.2 nm as described above. Therefore, when using a normal laser diode having a Fabry-Perot resonator as the light source 1, the wavelength conversion element 8
When the temperature of the light source 1 is changed and the oscillation wavelength is changed so that the wavelength shift of the fundamental wave guided through the optical waveguide G2 falls within the allowable width Δλ (≈0.2 nm), Mode pops with a width of Δλ or more (Δλ '= 0.3
However, the oscillation wavelength cannot be set and controlled so that the deviation of the wavelength of the fundamental wave falls within the allowable width Δλ. Even if the temperature of the wavelength conversion element 8 is changed so that the wavelength shift of the fundamental wave is within the allowable width Δλ, if the light source 1 causes a mode pop due to a change in ambient temperature, the converted wave is stably generated. Cannot be generated.

【0023】小型軽量,安価であって、かつ、上記のよ
うな問題を克服するため、本願の発明者は、各種のレー
ザダイオードの中から所定の構造,特性をもつものを波
長安定化レーザダイオードとして選択し、これを光源1
として波長変換装置に適用した。以下、この種の波長安
定化レーザダイオード,並びに波長変換装置への適用に
ついて説明する。
In order to overcome the problems as described above, the inventor of the present application has selected a laser diode having a predetermined structure and characteristics from among various laser diodes, which is wavelength-stabilized laser diode. And select this as the light source 1
Was applied to the wavelength converter. The application to this type of wavelength-stabilized laser diode and wavelength conversion device will be described below.

【0024】図3はDFB(ディストリビューテッド
フィードバック)レーザダイオードの構成例を示す図で
ある。このDFBレーザダイオードは、半導体基板10
上に活性層を含む光導波層11,ギャップ層および電極
12が結晶成長等によって形成され、さらに、活性層の
近くに、あるいは活性層そのものに、光導波層の等価屈
折率を変調する波形のグレーティング構造13が形成さ
れており、単一モードあるいは2モードで発振する。こ
のDFBレーザダイオードでは、その発振波長と温度と
の関係が図2(b)のようにほぼ単調に増加あるいは減
少し、ファブリペロー共振器を用いる通常のレーザダイ
オードのようなモード飛び(モードポップ)やヒステリ
シスは生じない。従って、このDFBレーザダイオード
を光源1として用いると、温度制御素子2によってこの
光源1の温度を上昇あるいは下降させても、モード飛び
やヒステリシスを生じずに温度とともに発振波長がほぼ
リニアに変化するので、波長変換素子8内において、こ
のDFBレーザダイオードの発振波長範囲内(発振可能
な温度範囲に対応)に基本波の設計波長を設定すれば、
DFBレーザダイオードの温度を変化させることで、波
長変換素子8内,より詳しくしは光導波路G2で基本波
と変換波(いまの場合、第2高調波)とを正確に位相整
合させることができる。これによって、変換波を常に安
定して効率良く変換発生させることが可能となる。
FIG. 3 shows DFB (Distributed)
(Feedback) It is a figure which shows the structural example of a laser diode. This DFB laser diode has a semiconductor substrate 10
An optical waveguide layer 11 including an active layer, a gap layer, and an electrode 12 are formed on the upper surface by crystal growth or the like, and a waveform for modulating the equivalent refractive index of the optical waveguide layer is formed near the active layer or in the active layer itself. The grating structure 13 is formed and oscillates in a single mode or two modes. In this DFB laser diode, the relationship between the oscillation wavelength and the temperature increases or decreases almost monotonously as shown in FIG. 2B, and the mode jumps like a normal laser diode using a Fabry-Perot resonator. And no hysteresis occurs. Therefore, when this DFB laser diode is used as the light source 1, even if the temperature of the light source 1 is raised or lowered by the temperature control element 2, the oscillation wavelength changes substantially linearly with temperature without causing mode jump or hysteresis. In the wavelength conversion element 8, if the design wavelength of the fundamental wave is set within the oscillation wavelength range of this DFB laser diode (corresponding to the temperature range in which oscillation is possible),
By changing the temperature of the DFB laser diode, the fundamental wave and the converted wave (in this case, the second harmonic) can be accurately phase-matched in the wavelength conversion element 8, more specifically, in the optical waveguide G2. .. As a result, the converted wave can always be stably and efficiently converted and generated.

【0025】なお、DFBレーザダイオードがGaAs
/AlGaAs系である場合には、発振波長λが0.8
μm付近で等価屈折率neqが約3.5〜3.6程度とな
り、実効屈折率neff’は数3によって約4.3程度と
なる。このときには、単一モード発振で、発振波長λの
温度変化dλ/dTは、0.07nm/℃程度の割合と
なる。一方、通常のファブリペロー共振器をもつレーザ
ダイオードのマルチモード発振時には、発振波長λの温
度変化dλ/dTは2.3〜3Å/℃程度の割合いとな
る。
The DFB laser diode is GaAs
/ AlGaAs system, the oscillation wavelength λ is 0.8
In the vicinity of μm, the equivalent refractive index n eq is about 3.5 to 3.6, and the effective refractive index n eff ′ is about 4.3 according to Formula 3. At this time, in the single mode oscillation, the temperature change dλ / dT of the oscillation wavelength λ becomes a ratio of about 0.07 nm / ° C. On the other hand, during multimode oscillation of a laser diode having a normal Fabry-Perot resonator, the temperature change dλ / dT of the oscillation wavelength λ is about 2.3 to 3Å / ° C.

【0026】図4は他の波長安定型レーザダイオード,
すなわちDBR(ディストリビューテッド ブラッグ反
射型)レーザダイオードの構成例を示す図である。この
DBRレーザダイオードは、半導体基板20上に、活性
層25を含む光導波層21,ギャップ層および電極22
が結晶成長等によって形成され、さらに、活性層25の
活性領域(電流が流れる領域)を除く前後の光導波層2
1上あるいはその付近にグレーティング構造23が形成
されている。このグレーティング構造23がレーザダイ
オードのミラーとして機能し、グレーティングの周期を
選ぶことにより、前述のDFBレーザダイオードと同様
に、単一モードで発振し、かつ温度変化による発振波長
のモードポップを抑え、図2(b)と同様の温度変化特
性を得ることができ、DFBレーザダイオードを用いた
場合と同様の効果を得ることができる。
FIG. 4 shows another wavelength stable laser diode,
That is, it is a diagram showing a configuration example of a DBR (Distributed Bragg reflection type) laser diode. This DBR laser diode includes an optical waveguide layer 21 including an active layer 25, a gap layer and an electrode 22 on a semiconductor substrate 20.
Are formed by crystal growth or the like, and the optical waveguide layer 2 before and after the active region of the active layer 25 (region where current flows) is removed.
A grating structure 23 is formed on or near 1. This grating structure 23 functions as a mirror of the laser diode, and by selecting the grating period, it oscillates in a single mode and suppresses mode pop of the oscillation wavelength due to temperature change, as in the above-mentioned DFB laser diode. It is possible to obtain the same temperature change characteristic as that of 2 (b), and it is possible to obtain the same effect as when the DFB laser diode is used.

【0027】図5はさらに他の波長安定型レーザダイオ
ードの構成例を示す図である。このレーザダイオード
は、ヒートシンク30上に、通常のファブリペロー共振
器をもつレーザダイオード31とブロック32とが所定
間隔d(数μm〜数10μm程度の間隔)を隔てて設け
られている(例えばヒートシンク30上にボンディング
されて設けられている)。レーザダイオード31は、基
板33上に、活性層を含む光導波層34と、ギャップ層
および電極35とが形成されており、光の出射端面36
に低反射コーティング層(反射率を下げるコーティング
層)が設けられている。また、レーザダイオード31と
対向するブロック32の端面38には、金属コーティン
グ等による光学的に鏡面の高反射層が設けられている。
FIG. 5 is a diagram showing a structural example of still another wavelength stable laser diode. In this laser diode, a laser diode 31 having a normal Fabry-Perot resonator and a block 32 are provided on a heat sink 30 with a predetermined distance d (several micrometers to several tens of micrometers) (for example, the heat sink 30). It is provided by being bonded on top). In the laser diode 31, an optical waveguide layer 34 including an active layer, a gap layer and an electrode 35 are formed on a substrate 33, and a light emitting end face 36 is formed.
Is provided with a low-reflection coating layer (coating layer that reduces reflectance). In addition, an end surface 38 of the block 32 facing the laser diode 31 is provided with an optically highly reflective layer having a mirror surface by metal coating or the like.

【0028】図5の波長安定型レーザダイオードでは、
レーザダイオード31自体が通常のファブリペロー共振
器として機能するとともに、レーザダイオード31の端
面36とブロック35の端面38との間がこの間隔dで
定まる別の共振器として機能し、従って、全体で2つの
共振器を有する複合共振器レーザとして構成されてい
る。これにより、発振モードの縦モード間隔Δλ’は、
共振器長Lの短かい共振器(すなわち、間隔dで定まる
共振器)の縦モード間隔でほぼ決定され、縦モード間隔
Δλ’を数3に従って、通常のファブリペロー共振器だ
けの場合の約10倍以上に大きくすることができる。こ
の結果、この波長安定型レーザダイオードの発振波長を
図2(c)のように温度変化させることができ、波長変
換素子8の設定波長の付近において十分広い波長範囲
(波長変換素子8の波長許容幅Δλの少なくとも数倍程
度)でモードポップを生じさせずに済む。従って、この
波長安定型レーザダイオードの温度を変化させ発振波長
を変化させることにより、図3,図4のレーザダイオー
ドと同様に、波長変換素子8の光導波路G2において、
基本波と第2高調波とを正確に位相整合させることがで
き、変換波を常に安定して効率良く変換発生させること
ができる。なお、上述の例では、2つの共振器をもたせ
たが、これのかわりに、1つの共振器とエタロンの組合
せ等でもこの種の複合共振器レーザを構成することもで
きる。
In the wavelength stable laser diode shown in FIG.
The laser diode 31 itself functions as a normal Fabry-Perot resonator, and also functions as another resonator between the end surface 36 of the laser diode 31 and the end surface 38 of the block 35, which is defined by the distance d, and thus the total of 2 It is constructed as a compound-cavity laser with two resonators. As a result, the longitudinal mode interval Δλ ′ of the oscillation mode is
It is almost determined by the longitudinal mode interval of the short resonator having the resonator length L (that is, the resonator determined by the interval d), and the longitudinal mode interval Δλ ′ is calculated according to the equation 3 to be about 10 in the case of only the ordinary Fabry-Perot resonator. It can be more than doubled. As a result, the oscillation wavelength of this wavelength stable laser diode can be changed in temperature as shown in FIG. 2C, and a sufficiently wide wavelength range (wavelength tolerance of the wavelength conversion element 8 is allowed in the vicinity of the set wavelength of the wavelength conversion element 8. It is not necessary to cause a mode pop in the width Δλ of at least several times. Therefore, by changing the temperature of the wavelength stable laser diode and changing the oscillation wavelength, the optical waveguide G2 of the wavelength conversion element 8 can be changed in the same manner as the laser diode of FIGS.
The fundamental wave and the second harmonic can be accurately phase-matched, and the converted wave can always be stably and efficiently converted and generated. In the above example, two resonators are provided, but instead of this, a combination of one resonator and an etalon or the like can also constitute a compound resonator laser of this kind.

【0029】図6はさらに他の波長安定型レーザダイオ
ード,すなわちGC(溝結合型)レーザダイオードの構
成例を示す図である。このGCレーザダイオードは、基
板40,活性層を含む光導波層41,ギャップ層および
電極42を有する通常のレーザダイオードの1箇所にド
ライエッチング等によって溝43が形成され、これによ
り、実質上、2つの共振器,すなわち2つのレーザダイ
オード44,45をもつ複合共振器レーザの一種となっ
ている。この際、溝43の幅wは、波長オーダー程度と
小さいので、2つの共振器44,45は互いに結合し、
短かい方の共振器長をもつレーザダイオード45の縦モ
ード間隔Δλ’で発振することになる。この結果、発振
波長の温度変化を図2(b)に示すような特性のものに
することができ、図3,図4のレーザダイオードと同様
の効果を得ることができる。なお、上述の例では、通常
のレーザダイオードの1箇所に溝43を形成したが、こ
れのかわりに、長短2つの共振器長をそれぞれもつファ
ブリペロー共振器型の2つのレーザダイオードを互いに
接近させて配置して構成しても良い。
FIG. 6 is a diagram showing an example of the structure of another wavelength stable laser diode, that is, a GC (groove coupling type) laser diode. In this GC laser diode, a groove 43 is formed by dry etching or the like at one place of a normal laser diode having a substrate 40, an optical waveguide layer 41 including an active layer, a gap layer and an electrode 42, and thus, substantially 2 is formed. It is a kind of compound resonator laser having one resonator, that is, two laser diodes 44 and 45. At this time, since the width w of the groove 43 is as small as about the order of wavelength, the two resonators 44 and 45 are coupled to each other,
The laser diode 45 having the shorter cavity length oscillates at the longitudinal mode interval Δλ ′. As a result, the temperature change of the oscillation wavelength can be made to have the characteristic shown in FIG. 2B, and the same effect as that of the laser diode of FIGS. 3 and 4 can be obtained. In the above example, the groove 43 is formed at one location of the ordinary laser diode, but instead of this, two Fabry-Perot resonator type laser diodes each having two cavity lengths, short and long, are placed close to each other. You may arrange | position and be comprised.

【0030】図7はさらに他の波長安定型レーザダイオ
ード,すなわちITG(インテグレイテッド ツイン
ガイド)レーザダイオードの構成例を示す図である。こ
のITGレーザダイオードは、活性層を含む光導波層5
1と光出射用の光導波層52とが並行して配置され、互
いにカップリング結合している。このような構成では、
短かい共振器長の光導波層と長い共振器長の光導波層の
縦および横モードにおいて、共通のモードあるいはそれ
に近い実効屈折率をもつモードだけが励起されるので、
実際には短かい共振器長の場合の縦モ−ド間隔となり、
発振波長は、温度変化に対し、図2(c)あるいは図2
(b)のようになる。これによって、図5あるいは図
3,図4,図6と同様の効果を得ることができる。
FIG. 7 shows another wavelength-stabilized laser diode, that is, ITG (Integrated Twin).
(Guide) It is a figure which shows the structural example of a laser diode. This ITG laser diode has an optical waveguide layer 5 including an active layer.
1 and the optical waveguide layer 52 for emitting light are arranged in parallel, and are coupled and coupled to each other. In such a configuration,
In the longitudinal and transverse modes of the optical waveguide layer with a short cavity length and the optical waveguide layer with a long cavity length, only the common mode or a mode having an effective refractive index close to it is excited,
Actually, it becomes the vertical mode interval when the resonator length is short,
The oscillation wavelength is shown in FIG. 2 (c) or FIG.
It becomes like (b). As a result, the same effect as in FIG. 5 or FIGS. 3, 4, and 6 can be obtained.

【0031】図8はさらに他の波長安定型レーザダイオ
ードの構成例を示す図である。図8のレーザダイオード
は、面発光型レーザダイオードと呼ばれ、基板60に対
し垂直方向に光を出射するものである。この種のレーザ
ダイオードは、通常のファブリペロー型の他にもDBR
等の型式のものとして作製することもできるが、通常
は、基板60上に形成された活性層61の厚さ方向に、
膜厚オーダー(数μm)程度の短共振器が形成される。
これにより、縦モード間隔を十分広くすることができ、
図2(b)あるいは図2(c)のような発振波長の温度
変化特性を得ることができて、上述した各波長安定型レ
ーザダイオードと同様な効果を得ることができる。
FIG. 8 is a diagram showing a structural example of still another wavelength stable laser diode. The laser diode shown in FIG. 8 is called a surface emitting laser diode and emits light in a direction perpendicular to the substrate 60. This type of laser diode is used for DBR in addition to the usual Fabry-Perot type.
It is also possible to manufacture the active layer 61 formed on the substrate 60 in the thickness direction, although
A short resonator having a film thickness order (several μm) is formed.
This allows the longitudinal mode interval to be wide enough,
The temperature change characteristic of the oscillation wavelength as shown in FIG. 2B or FIG. 2C can be obtained, and the same effect as that of each wavelength stable laser diode described above can be obtained.

【0032】なお、上述の実施例においては、波長変換
素子8の基板4に例えばLiTaO3を用いたが、これ
に限らず、LiNbO3,KTP等の非線形光学材料を
用いることもできる。LiNbO3,KTP等の材料を
基板4に用いるときには、基板4に周期的な分極反転層
RD1〜RDnを必ずしも形成せずとも良く、基板4に
光導波路G2を形成するだけで、基本波の導波モードと
変換波の導波モードとの間の位相整合をとることもでき
る。さらには、LiTaO3,LiNbO3等以外の材料
で基板を形成し、この基板の上に、LiTaO3,Li
NbO3等の材料をスパッタリング,液層成長等で形成
しこれを光導波路として機能させることもできる。
In the above-mentioned embodiment, for example, LiTaO 3 is used for the substrate 4 of the wavelength conversion element 8, but the present invention is not limited to this, and a nonlinear optical material such as LiNbO 3 or KTP can be used. When a material such as LiNbO 3 or KTP is used for the substrate 4, it is not always necessary to form the periodic domain-inverted layers RD1 to RDn on the substrate 4, and it is only necessary to form the optical waveguide G2 on the substrate 4 to guide the fundamental wave. It is also possible to achieve phase matching between the wave mode and the guided mode of the converted wave. Further, a substrate is formed of a material other than LiTaO 3 , LiNbO 3, etc., and LiTaO 3 , Li
It is also possible to form a material such as NbO 3 by sputtering, liquid layer growth, etc., and make it function as an optical waveguide.

【0033】上記いずれの場合にも、光源1として上述
した各波長安定型レーザダイオードを用いることがで
き、上述したと同様の効果を得ることができる
In any of the above cases, the wavelength stable laser diode described above can be used as the light source 1, and the same effect as described above can be obtained.

【0034】このように、本実施例では、発振波長が温
度変化するときに波長変換素子8の設定波長の付近の所
定の波長範囲(波長許容幅Δλの少なくとも数倍程度)
でモードポップを生じない構造の波長安定型レーザダイ
オードを光源1として用いているので、発振波長を温度
変化させることによって、波長変換素子8内において基
本波の波長を精度良く制御でき、また、周囲温度が変化
した場合でも発振波長がモードポップなしにスム−ズに
変化するため、波長変換素子8の温度を変化させて設定
波長を発振波長の付近に変化させることができる。これ
により、その発振波長と設定波長との差を許容幅Δλ
(≒0.2nm程度)以内に抑えて基本波と変換波との
擬似的な位相整合を常に良好にとることができて、これ
により、変換波への変換効率を常に安定させ、かつ高め
ることができる。
As described above, in this embodiment, when the oscillation wavelength changes with temperature, a predetermined wavelength range near the set wavelength of the wavelength conversion element 8 (at least several times the wavelength allowable width Δλ).
Since a wavelength stable laser diode having a structure that does not cause mode popping is used as the light source 1, the wavelength of the fundamental wave can be accurately controlled in the wavelength conversion element 8 by changing the oscillation wavelength with temperature. Even if the temperature changes, the oscillation wavelength changes smoothly without mode pop, so that the temperature of the wavelength conversion element 8 can be changed to change the set wavelength to the vicinity of the oscillation wavelength. This allows the difference between the oscillation wavelength and the set wavelength to be within the allowable width Δλ.
It is possible to always keep good pseudo-phase matching between the fundamental wave and the converted wave by suppressing it within (≈0.2 nm), thereby always stabilizing and increasing the conversion efficiency to the converted wave. You can

【0035】すなわち、波長変換素子8内で基本波の波
長が設定波長から長波長側にずれるときには、温度制御
素子2により、光源1の温度を下降させて発振波長を短
波長側にシフトさせ、また、基本波の波長が設定波長か
ら短波長側にずれるときには、温度制御素子2により、
光源の温度を上昇させて発振波長を長波長側にシフトさ
せるが、このような温度の上昇,下降時に、発振波長に
はモードポップが生じないので、基本波の波長の変化が
波長許容幅内に常に収まるよう基本波の波長を精度良く
制御することができる。また、図1には温度制御手段と
して温度制御素子2のみが示されているが、波長変換素
子内での基本波の変化を自動感知し、その変化に応じて
温度制御素子2をコントロールするような温度制御装置
として温度制御手段を構成することもできる。
That is, when the wavelength of the fundamental wave shifts from the set wavelength to the long wavelength side in the wavelength conversion element 8, the temperature control element 2 lowers the temperature of the light source 1 to shift the oscillation wavelength to the short wavelength side. When the wavelength of the fundamental wave deviates from the set wavelength to the short wavelength side, the temperature control element 2 causes
Although the temperature of the light source is raised to shift the oscillation wavelength to the long wavelength side, mode pop does not occur in the oscillation wavelength when the temperature rises and falls, and therefore the change in the fundamental wavelength is within the wavelength tolerance range. The wavelength of the fundamental wave can be accurately controlled so that Further, although only the temperature control element 2 is shown as the temperature control means in FIG. 1, it is possible to automatically detect the change of the fundamental wave in the wavelength conversion element and control the temperature control element 2 according to the change. The temperature control means may be configured as a simple temperature control device.

【0036】また、周囲温度等が変化して光源1の発振
波長と波長変換素子8の設定波長にずれが生じた場合、
光源1を温度変化させるのではなく、波長変換素子8の
温度を変化させて、高調波の発生する設定波長(位相整
合波長)を光源1の発振波長に合わせることができる。
なお、この場合、レーザダイオードの温度変化とは逆
に、通常は温度を上昇させると位相整合する波長は短か
くなり、温度を下降させると位相整合する波長は長くな
る傾向がある。
When the oscillation temperature of the light source 1 is deviated from the set wavelength of the wavelength conversion element 8 due to changes in the ambient temperature and the like,
Instead of changing the temperature of the light source 1, the temperature of the wavelength conversion element 8 can be changed to match the set wavelength (phase matching wavelength) at which the harmonic is generated with the oscillation wavelength of the light source 1.
In this case, conversely to the temperature change of the laser diode, when the temperature is raised, the wavelength for phase matching tends to be short, and when the temperature is lowered, the wavelength for phase matching tends to be long.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上に説明したように請求項1記載の発
明によれば、波長変換素子の光導波路に基本波として導
波させて変換波を励起させるための光源に、発振波長が
温度変化するときに、波長変換素子における基本波の設
定波長の付近でモードポップを生じない構造の波長安定
化レーザダイオードを用いているので、小型軽量かつ安
価な光源で済む一方で、周囲温度等が変化した場合でも
発振波長がモードポップなしにスム−ズに変化するた
め、波長変換素子の温度を変化させて設定波長を発振波
長の付近に精度良く追随させて合わせることができ、変
換波への変換効率を常に安定させ高めることができる。
As described above, according to the first aspect of the invention, the oscillation wavelength of the light source for guiding the converted wave by guiding it as the fundamental wave in the optical waveguide of the wavelength conversion element changes with temperature. When using a wavelength-stabilized laser diode with a structure that does not cause mode pop near the set wavelength of the fundamental wave in the wavelength conversion element, a compact, lightweight, and inexpensive light source can be used, while the ambient temperature changes. Even if the oscillation wavelength changes smoothly without mode pop, the temperature of the wavelength conversion element can be changed and the set wavelength can be accurately tracked to the vicinity of the oscillation wavelength and converted into a converted wave. Efficiency can always be stabilized and increased.

【0037】また、請求項2記載の発明によれば、上記
光源に温度制御手段が設けられているので、波長変換素
子内における基本波の波長の変化が波長許容幅内に常に
収まるよう基本波の波長をより精度良く制御することが
でき、変換波への変換効率を常に安定させかつ高めるこ
とができる。
Further, according to the second aspect of the present invention, since the temperature control means is provided in the light source, the fundamental wave is kept so that the change of the wavelength of the fundamental wave in the wavelength conversion element is always within the allowable wavelength range. The wavelength can be controlled more accurately, and the conversion efficiency of the converted wave can be constantly stabilized and increased.

【0038】また、請求項3記載の発明によれば、上記
光源に、特に複合共振器をもつ波長安定化レーザダイオ
ードを用いるので、光源が比較的簡単な構造であり作製
も低コストで可能であることから、安価な光源で済ます
ことができる。
According to the third aspect of the invention, since the wavelength-stabilized laser diode having a complex resonator is used as the light source, the light source has a relatively simple structure and can be manufactured at low cost. Therefore, an inexpensive light source can be used.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る波長変換装置の一実施例の構成図
である。
FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of a wavelength conversion device according to the present invention.

【図2】(a),(b),(c)は光源の発振波長の温
度変化を示す図である。
2 (a), (b) and (c) are diagrams showing a temperature change of an oscillation wavelength of a light source.

【図3】DFBレーザダイオードの構成例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a DFB laser diode.

【図4】DBRレーザダイオードの構成例を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a DBR laser diode.

【図5】複合共振器レーザの構成例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of a composite resonator laser.

【図6】GCレーザダイオードの構成例を示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of a GC laser diode.

【図7】ITGレーザダイオードの構成例を示す図であ
FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of an ITG laser diode.

【図8】面発光型レーザダイオードの構成例を示す図で
ある。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of a surface emitting laser diode.

【図9】従来の高調波発生素子の斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a conventional harmonic wave generating element.

【図10】図9の高調波発生素子の平面図である。FIG. 10 is a plan view of the harmonic generating element of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光源 2 温度制御素子 4 基板 8 波長変換素子 RD1乃至RDn 分極反転層 G2 光導波路 Λ 分極反転層のピッチ 1 light source 2 temperature control element 4 substrate 8 wavelength conversion element RD1 to RDn polarization inversion layer G2 optical waveguide Λ polarization inversion layer pitch

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非線形光学媒質により形成された光導波
路を有する波長変換素子と、所定波長の光を出射し、前
記波長変換素子の光導波路に基本波として導波させて変
換波を励起させるための光源とを有し、前記光源には、
発振波長が温度変化するときに、波長変換素子における
基本波の設定波長の付近でモードポップを生じない構造
の波長安定化レーザダイオードが用いられることを特徴
とする波長変換装置。
1. A wavelength conversion element having an optical waveguide formed of a non-linear optical medium, and for emitting light of a predetermined wavelength and guiding the light as a fundamental wave in the optical waveguide of the wavelength conversion element to excite the converted wave. And a light source of,
A wavelength conversion device characterized in that a wavelength-stabilized laser diode having a structure that does not cause mode pop near the set wavelength of the fundamental wave in the wavelength conversion element when the oscillation wavelength changes with temperature.
【請求項2】 請求項1記載の波長変換装置において、
波長変換素子内で基本波の波長が設定波長から長波長側
にずれるときに前記光源の温度を下降させて発振波長を
短波長側にシフトし、また基本波の波長が設定波長から
短波長側にずれるときに前記光源の温度を上昇させて発
振波長を長波長側にシフトする温度制御手段が設けられ
ていることを特徴とする波長変換装置。
2. The wavelength conversion device according to claim 1, wherein
When the wavelength of the fundamental wave shifts from the set wavelength to the long wavelength side in the wavelength conversion element, the temperature of the light source is lowered to shift the oscillation wavelength to the short wavelength side, and the wavelength of the fundamental wave changes from the set wavelength to the short wavelength side. The wavelength conversion device is provided with temperature control means for increasing the temperature of the light source and shifting the oscillation wavelength to the long wavelength side when the temperature shifts.
【請求項3】 請求項1または2記載の波長変換装置に
おいて、前記光源には、特に複合共振器をもつ波長安定
化レ−ザダイオ−ドが用いられることを特徴とする波長
変換装置。
3. The wavelength conversion device according to claim 1, wherein the light source is a wavelength stabilization laser diode having a complex resonator, in particular.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0784881A1 (en) * 1994-10-03 1997-07-23 SDL, Inc. Tunable blue laser diode
US6914918B2 (en) 1995-06-02 2005-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0784881A1 (en) * 1994-10-03 1997-07-23 SDL, Inc. Tunable blue laser diode
EP0784881A4 (en) * 1994-10-03 1997-09-17 Sdl Inc Tunable blue laser diode
US6914918B2 (en) 1995-06-02 2005-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device
US7101723B2 (en) 1995-06-02 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device
US7295583B2 (en) 1995-06-02 2007-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device
US7339960B2 (en) 1995-06-02 2008-03-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device
US7382811B2 (en) 1995-06-02 2008-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device
US7570677B2 (en) 1995-06-02 2009-08-04 Panasonic Corporation Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device
US7623559B2 (en) 1995-06-02 2009-11-24 Panasonic Corporation Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device

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