JPH05225924A - Ion beam generator - Google Patents

Ion beam generator

Info

Publication number
JPH05225924A
JPH05225924A JP4023901A JP2390192A JPH05225924A JP H05225924 A JPH05225924 A JP H05225924A JP 4023901 A JP4023901 A JP 4023901A JP 2390192 A JP2390192 A JP 2390192A JP H05225924 A JPH05225924 A JP H05225924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
ion beam
generation chamber
plasma generation
beam generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4023901A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadahide Shirakawa
忠秀 白川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Original Assignee
IHI Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IHI Corp filed Critical IHI Corp
Priority to JP4023901A priority Critical patent/JPH05225924A/en
Publication of JPH05225924A publication Critical patent/JPH05225924A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an ion beam generator which alone can generate plural ion beams with high efficiency. CONSTITUTION:A cylindrical anode 3, a first extracting-electrode 4 and a second extracting electrode 5 are concentrically arranged one by one from inside, placing a hot cathode 2 in the center. Radiation holes 11, 12, and 13 boring through them in the same rows are established at plural places in their circumferential direction, and the inside of the cylindrical anode 3 in the center is formed into the plasma producing chamber 10 of target gas, to which lines of magnetic force are applied by an external magnet 8 so as to confine the plasma to the chamber. Target ions are extracted out of the plasma through the radiation holes 11, 12, and 13 as ion beams by the first extracting electrode 4 and the second extracting electrode 5. The plasma can be produced also by microwave.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、表層改質、表層処理、
薄膜形成装置等に有用なイオンビーム発生装置に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to surface layer modification, surface treatment,
The present invention relates to an ion beam generator useful as a thin film forming apparatus and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、イオンビームは、被加工物に当
てるとイオンビームの遊動エネルギーが熱エネルギーに
変わり、被加工物面で溶解,蒸発が起こるので、誘導、
研磨,エッチング,表層処理等の被加工物の加工に用い
られており、また近年は、IC回路等の半導体への不純
物の注入、金属表層へのイオン注入による表層改質、酸
化膜や窒化膜の作成等の表層処理などに用いられてい
る。
2. Description of the Related Art In general, when an ion beam is applied to a workpiece, the floating energy of the ion beam changes to thermal energy, and melting and evaporation occur on the surface of the workpiece.
It is used for processing of workpieces such as polishing, etching, surface treatment, etc., and in recent years, impurity injection into semiconductors such as IC circuits, surface modification by ion implantation into metal surface, oxide film and nitride film. It is used for surface layer processing such as creation of.

【0003】従来、イオンビーム発生装置には、熱陰極
を設けた空間を陽極で囲み、その陽極の囲繞する空間
(プラズマ生成室)を放電させて目的イオンを含んだプ
ラズマを生成する熱陰極放電形と、上記熱陰極及び陽極
を設ける代りに、導電体が囲繞する空間(プラズマ生成
室)にマイクロ波を導入してプラズマを生成するマイク
ロ波形とがあり、例えば負のバイアス電圧を与えた引出
し電極により、上記プラズマ中から正のイオンだけを取
り出し、高圧で加速することによりイオンビームを作る
ように構成されている。目的のイオン源としては、ガス
イオン専用イオン源や、ルツボ内の金属等の物質を蒸発
させ、これをプラズマ生成室でプラズマ化するタイプの
ものがある。
Conventionally, in an ion beam generator, a space provided with a hot cathode is surrounded by an anode, and a space (plasma generating chamber) surrounded by the anode is discharged to generate plasma containing target ions. Shape, and instead of providing the above-mentioned hot cathode and anode, there is a microwave waveform that introduces a microwave into a space (plasma generation chamber) surrounded by a conductor to generate plasma. For example, an extraction with a negative bias voltage applied. Only positive ions are taken out from the plasma by the electrodes and accelerated by high pressure to form an ion beam. As an ion source of interest, there are an ion source dedicated to gas ions and a type of vaporizing a substance such as a metal in a crucible and turning it into a plasma in a plasma generation chamber.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のイオン
ビーム発生装置は1台の装置から1つのイオンビームを
放射する構成であった。このため、同時に複数個の被処
理材をイオン注入により表層改質したり、成膜によって
表層処理を行うためには、被処理材に対応する数のビー
ム発生装置を必要とし、イオンビームの発生効率及び1
台のイオンビーム発生装置からみた単位時間当りの処理
個数つまり生産性が低かった。
However, the conventional ion beam generator has a structure in which one ion beam is emitted from one device. For this reason, in order to simultaneously modify the surface layer of a plurality of materials to be processed by ion implantation or perform surface layer processing by film formation, a number of beam generators corresponding to the materials to be processed are required, and the ion beam generation is required. Efficiency and 1
The number of units processed per unit time, that is, the productivity, was low when viewed from the ion beam generators on the table.

【0005】そこで、本発明は、上記課題を解決すべく
なされたもので、1台を構成する共通の構成要素で複数
のイオンビームを発生させることができ、従ってイオン
ビームの発生効率が高く、装置からみた単位時間当りの
処理個数を高めることができるイオンビーム発生装置を
提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a plurality of ion beams can be generated by a common constituent element constituting one unit, and therefore, the ion beam generation efficiency is high, An object of the present invention is to provide an ion beam generator capable of increasing the number of treatments per unit time viewed from the apparatus.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のイオンビーム発生装置の第1の形態は、熱
陰極を中心として同心的に順次内側から筒状の陽極及び
引出し電極を配置し、これらの陽極及び引出し電極には
その周方向の複数箇所において半径方向に同列的に貫く
放射孔を設け、中央の筒状陽極内の空間を放電させて目
的とするイオン化ガスをプラズマ化するプラズマ生成室
とすると共に、該プラズマ生成室内に磁力線を与えてプ
ラズマを閉じ込める外部マグネットを設け、プラズマ生
成室内のプラズマ中から目的イオンを上記放射孔からイ
オンビームとして引き出す構成としたものである。
In order to achieve the above object, the first embodiment of the ion beam generator of the present invention comprises a cylindrical anode and an extraction electrode which are concentrically and sequentially arranged from the inside centering on a hot cathode. These anodes and extraction electrodes are provided with radiation holes penetrating in the same direction in the radial direction at a plurality of locations in the circumferential direction, and the space in the central cylindrical anode is discharged to plasmanize the target ionized gas. In addition to the above-mentioned plasma generation chamber, an external magnet for confining the plasma by providing magnetic lines of force is provided in the plasma generation chamber, and target ions are extracted from the plasma in the plasma generation chamber as ion beams from the radiation holes.

【0007】また第2の形態は、マイクロ波を導入し目
的とするイオン化ガスをプラズマ化するプラズマ生成室
を中心とし、同心的に順次内側から筒状のプラズマ生成
室及び引出し電極を配置し、これらプラズマ生成室及び
引出し電極にはその周方向の複数箇所において半径方向
に同列的に貫く放射孔を設けると共に、中央のプラズマ
生成室内に磁力線を与えてプラズマを閉じ込める外部マ
グネットを設け、プラズマ生成室内でプラズマ化された
原子を上記放射孔からイオンビームとして引き出す構成
としたものである。
In the second embodiment, a plasma generation chamber for introducing microwaves into a desired ionized gas to form a plasma is centered, and a cylindrical plasma generation chamber and an extraction electrode are concentrically and sequentially arranged from the inside. The plasma generation chamber and the extraction electrode are provided with radial holes penetrating in the same direction in the radial direction at a plurality of locations in the circumferential direction, and an external magnet for confining the plasma by giving magnetic lines of force is provided in the central plasma generation chamber. The structure is such that the atoms turned into plasma by (1) are extracted as an ion beam from the radiation hole.

【0008】[0008]

【作用】目的とするイオン化ガスは、中央の筒状陽極内
の放電により又はプラズマ生成室に導入されるマイクロ
波によりプラズマ化し、外部マグネットにより作られる
磁場内に閉じ込められ、その中から目的イオンだけが周
囲の引出し電極によって引き出される。このとき、陽極
及び引出し電極にはその周方向の複数箇所において半径
方向に同列的に貫く放射孔が設けてあるので、これらの
放射孔からイオンビームが放射状に放射される。
The target ionized gas is turned into plasma by the discharge in the central cylindrical anode or by the microwave introduced into the plasma generation chamber and is confined in the magnetic field created by the external magnet. Are drawn by the surrounding extraction electrodes. At this time, since the anode and the extraction electrode are provided with radial holes penetrating in the same direction in the radial direction at a plurality of positions in the circumferential direction, the ion beam is radially radiated from these radial holes.

【0009】これら複数のイオンビームを発生させるに
際し、プラズマ形成室は1個であり、また周囲の引出し
電極も共通であるため、イオンビームの発生効率が高
く、装置からみた単位時間当りの処理個数を高めること
ができる。また、周囲に放射状にイオンビームを発生さ
せることから、パイプ,軸受等の筒体状の被処理材の内
面処理等に適する。
When generating a plurality of these ion beams, the number of plasma forming chambers is one, and the extraction electrodes in the periphery are also common, so that the ion beam generation efficiency is high, and the number of treatments per unit time seen from the apparatus is high. Can be increased. Further, since an ion beam is radially generated in the surroundings, it is suitable for the inner surface treatment of a tubular material such as a pipe and a bearing.

【0010】[0010]

【実施例】本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明
する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0011】図1及び図2は、イオンビーム発生装置1
が熱陰極放電形の実施例である。イオンビーム発生装置
1は、熱陰極2を中心として、同心円的に順次内側から
円筒状の陽極3,第1引出し電極4及び第2引出し電極
5を配置した構成を有する。これら陽極3,引出し電極
4及び5の円筒形の両端面は、絶縁環6で支持されてお
り、該絶縁環上には、熱陰極2を中央に支持する絶縁板
7が載置され固定されている。従って、熱陰極2は両絶
縁板7に支持されて円筒形陽極3の両端面側から1個づ
つ垂下され、計2個設けられている。8は磁力線により
プラズマを閉じ込める外部マグネットであり、上記陽極
3,引出し電極4,5及び絶縁板7で形成される円筒形
の空間(チャンバ)を、これと直交的に囲繞する形で配
設されている。9は陽極3及び絶縁板7で形成される円
筒形の放電空間(プラズマ生成室)10へAr等の作動
ガス(ここでは放電ガス)及び目的とするイオン化ガス
を導入するガス導入口を示す。
1 and 2 show an ion beam generator 1
Is an embodiment of the hot cathode discharge type. The ion beam generator 1 has a configuration in which a cylindrical anode 3, a first extraction electrode 4, and a second extraction electrode 5 are concentrically and sequentially arranged from the inner side around a hot cathode 2. Both end faces of the cylindrical shape of the anode 3, the extraction electrodes 4 and 5 are supported by an insulating ring 6, and an insulating plate 7 for supporting the hot cathode 2 in the center is placed and fixed on the insulating ring 6. ing. Therefore, the hot cathodes 2 are supported by both insulating plates 7 and hang down one by one from both end surfaces of the cylindrical anode 3, so that a total of two hot cathodes are provided. Reference numeral 8 is an external magnet for confining plasma by magnetic lines of force, which is arranged so as to surround a cylindrical space (chamber) formed by the anode 3, the extraction electrodes 4, 5 and the insulating plate 7 orthogonally thereto. ing. Reference numeral 9 denotes a gas inlet for introducing a working gas (here, discharge gas) such as Ar and a target ionized gas into a cylindrical discharge space (plasma generation chamber) 10 formed by the anode 3 and the insulating plate 7.

【0012】導入口9から入れられたイオン化ガスは、
熱陰極2及び正電圧を印加した陽極3間の放電により、
プラズマ生成室10内でプラズマ化(イオン化)し、か
つ、マグネット8により形成されるミラー磁場内に閉じ
込められる。このプラズマ中から目的とする正のイオン
だけをビームとして放射させるため、陽極3,引出し電
極4及び5には、その円周方向の複数箇所において半径
方向に同列的に貫く放射孔11,12,13が、軸方向
に適当な数だけ設けてあり、また引出し電極5には負の
バイアス電圧が印加されて引出し電極4と共にプラズマ
グリットとして機能するようになっている。このため、
上記イオンは放射孔11,12,13を通過し、ビーム
引出電極4,5により収束され更に加速されて、チャン
バ外にイオンビーム14として引き出される。
The ionized gas introduced through the inlet 9 is
By the discharge between the hot cathode 2 and the anode 3 to which a positive voltage is applied,
It is plasmatized (ionized) in the plasma generation chamber 10 and is confined in the mirror magnetic field formed by the magnet 8. In order to radiate only the desired positive ions as a beam from this plasma, the anodes 3, the extraction electrodes 4 and 5 have the radiation holes 11, 12 penetrating in the same radial direction at a plurality of positions in the circumferential direction. 13 are provided in an appropriate number in the axial direction, and a negative bias voltage is applied to the extraction electrode 5 so that the extraction electrode 5 functions as a plasma grid together with the extraction electrode 4. For this reason,
The ions pass through the radiation holes 11, 12 and 13, are focused by the beam extraction electrodes 4 and 5 and are further accelerated, and are extracted as an ion beam 14 out of the chamber.

【0013】尚、実施例では2つの引出し電極4,5を
設けたが、引出し電極の数1又は2以上の任意の必要数
とすることができる。また、マグネット8は、プラズマ
生成室10内にプラズマを閉じ込め得る磁場が形成され
るならば、どのように配設してもよく、例えばカスプ磁
場を形成するようにしてもよい。
Although the two extraction electrodes 4 and 5 are provided in the embodiment, the number of extraction electrodes may be one or two or more and any desired number may be provided. Further, the magnet 8 may be arranged in any way as long as a magnetic field capable of confining the plasma is formed in the plasma generation chamber 10, and for example, a cusp magnetic field may be formed.

【0014】図1で説明したイオンビーム発生装置1
は、プラズマ生成室10で生成したイオンを、プラズマ
生成室10の外側の引出し電極4,5により放射状に放
射する構成であり、その特長を生かして、種々の用途に
適用することができる。
The ion beam generator 1 described with reference to FIG.
Has a configuration in which the ions generated in the plasma generation chamber 10 are radially radiated by the extraction electrodes 4 and 5 outside the plasma generation chamber 10, and by utilizing the characteristics thereof, it can be applied to various uses.

【0015】図3は、パイプ,軸受等の筒体状の被処理
材の内部にイオンビーム発生装置1を直接に配設し得る
という特長を生かした応用例である。即ち、パイプ,軸
受等の筒体状被処理材15をロータリーテーブル16上
に乗せて回転するようになし、この筒体状被処理材15
内にイオンビーム発生装置1を軸受17を介して配設し
て、イオン注入による内層改質処理を行う装置を構成し
たものである。筒体状被処理材17はロータリーテーブ
ル16と共にイオンビーム発生装置1の周りを回転し、
イオンビーム発生装置1から放射される複数本のイオン
ビームにより、その内面にイオンが注入される。尚、筒
体状被処理材17をロータリーテーブル16と共にイオ
ンビーム発生装置1に対し軸方向に移動させる移動装置
を設ければ、被処理材15をその一端付近から他端付近
に移動させることで、被処理材15の軸方向内面全てに
イオンを注入することができる。注入イオンとしては、
耐摩耗性或いは耐腐蝕性を高めるために、例えば窒素
(N),酸化クロムなどを用いる。
FIG. 3 shows an application example which makes the best use of the feature that the ion beam generator 1 can be directly arranged inside a tubular material to be treated such as a pipe and a bearing. That is, the tubular material 15 such as a pipe and a bearing is placed on the rotary table 16 so as to rotate, and the tubular material 15 is processed.
The ion beam generator 1 is disposed inside the bearing 17 to configure an apparatus for performing an inner layer reforming process by ion implantation. The tubular material 17 is rotated around the ion beam generator 1 together with the rotary table 16,
Ions are implanted into the inner surface of the ion beam generator 1 by a plurality of ion beams emitted from the ion beam generator 1. By providing a moving device that moves the tubular material 17 to be processed in the axial direction with respect to the ion beam generator 1 together with the rotary table 16, the material to be processed 15 can be moved from near one end to near the other end. Ions can be implanted into the entire inner surface of the material 15 to be processed in the axial direction. As the implanted ions,
To improve wear resistance or corrosion resistance, for example, nitrogen (N), chromium oxide or the like is used.

【0016】スパッタリングによる表面処理装置へ適用
する場合には、例えば、1台のイオンビーム発生装置1
から発生される複数本のイオンビームを、各ビーム毎に
用意した各パイプ内に軸方向から入射させ、それらパイ
プ内に設けたスパッタ材に照射させる構成とすることが
できる。ここで、パイプの内面に窒化チタン(TiN)
膜を生成させるものとすると、イオンビーム発生装置1
のイオン種に窒素(N)を用いると共に、チタン(T
i)からなるスパッタ材を用いる。スパッタ材からたた
き出されたチタン原子が窒素と反応を起こし、この反応
生成物(TiN)がパイプの内面に付着してTiN膜が
コーティングされることになる。TiN膜が耐摩耗性及
び耐腐蝕性に優れるために、TiN膜をプラント等の腐
蝕性流体が流れる配管及び原子炉内の配管等の内面に生
成させることで、プラントや原子炉等の配管の安全性の
向上を図り得る。
When applied to a surface treatment apparatus by sputtering, for example, one ion beam generator 1
It is possible to adopt a configuration in which a plurality of ion beams generated from the above are made to enter the respective pipes prepared for the respective beams from the axial direction, and the sputtering material provided in these pipes is irradiated. Here, titanium nitride (TiN) is applied to the inner surface of the pipe.
If a film is to be generated, the ion beam generator 1
Nitrogen (N) is used as the ionic species of
The sputter material consisting of i) is used. Titanium atoms knocked out from the sputter material react with nitrogen, and the reaction product (TiN) adheres to the inner surface of the pipe to coat the TiN film. Since the TiN film is excellent in wear resistance and corrosion resistance, the TiN film is generated on the inner surface of the pipe or the like in which the corrosive fluid such as the plant flows and the pipe in the reactor. The safety can be improved.

【0017】上記実施例では熱陰極形の場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上
記熱陰極形の実施例と同様にして、マイクロ波形のイオ
ンビーム発生装置を構成することもできる。即ち、図4
に示すように、図1の熱陰極2及び陽極3によるプラズ
マ生成室10の代わりに、筒状の導電体が囲繞する空間
によってプラズマ生成室を形成し、これにマイクロ波1
8を導入し、放電に代わってマイクロ波18で目的とす
るイオン化ガスをプラズマ化する。そして、このプラズ
マ生成室を中心とし、同心的に順次外側に筒状の第1引
出し電極及び第2引出し電極を配置し、筒形チャンバの
外部に、プラズマ生成室内に磁力線を与えてプラズマを
閉じ込める外部マグネット8を設ける。この場合、外部
マグネット8は図1と同じ位置に配置する場合は、チャ
ンバと同軸方向に孔の開いた環状コイルで構成し、この
環状コイルに対し同軸方向からイオン化ガス及びマイク
ロ波18を導入すればよい。プラズマ生成室,第1引出
し電極及び第2引出し電極には、図2の場合と同様に、
周方向の複数箇所において半径方向に同列的に貫く放射
孔を設けておき、この放射孔を通して、プラズマ生成室
内のプラズマ中から目的イオンだけを、第1引出し電極
及び第2引出し電極によってイオンビームとして引き出
す。
In the above embodiment, the case of the hot cathode type has been described, but the present invention is not limited to this, and a micro-waveform ion beam generator is constructed in the same manner as the hot cathode type embodiment. You can also do it. That is, FIG.
As shown in FIG. 1, a plasma generation chamber is formed by a space surrounded by a cylindrical conductor, instead of the plasma generation chamber 10 by the hot cathode 2 and the anode 3 in FIG.
8 is introduced, and the target ionized gas is turned into plasma by the microwave 18 instead of the discharge. Then, a cylindrical first extraction electrode and a second extraction electrode are arranged concentrically and sequentially outwardly around the plasma generation chamber, and magnetic lines of force are applied to the plasma generation chamber outside the cylindrical chamber to confine the plasma. An external magnet 8 is provided. In this case, when the external magnet 8 is arranged at the same position as in FIG. 1, it is composed of an annular coil having a hole coaxial with the chamber, and the ionized gas and the microwave 18 are introduced into the annular coil coaxially. Good. In the plasma generation chamber, the first extraction electrode and the second extraction electrode, as in the case of FIG. 2,
Radiation holes penetrating in the same direction in the radial direction are provided at a plurality of positions in the circumferential direction, and only the target ions in the plasma in the plasma generation chamber are ionized by the first extraction electrode and the second extraction electrode as ion beams through the emission holes. Withdraw.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上要するに本発明のイオンビーム発生
装置によれば、目的とするイオンビームを放射状に放出
させることができる。これら複数のイオンビームを発生
させるに際し、プラズマ形成室は1個であり、また周囲
の引出し電極も共通であるため、イオンビームの発生効
率が高く、装置からみた単位時間当りの処理個数を高め
ることができる。また、周囲に放射状にイオンビームを
発生させることから、パイプ,軸受等の筒体状の被処理
材の内面処理等に適する。
In summary, according to the ion beam generator of the present invention, the desired ion beam can be emitted radially. When generating a plurality of these ion beams, the number of plasma forming chambers is one and the surrounding extraction electrodes are also common, so the ion beam generation efficiency is high and the number of treatments per unit time viewed from the device is increased. You can Further, since an ion beam is radially generated in the surroundings, it is suitable for the inner surface treatment of a tubular material such as a pipe and a bearing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示すイオンビーム発生装置
の縦断面図である。
FIG. 1 is a vertical sectional view of an ion beam generator showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1のイオンビーム発生装置のII−II断面図で
ある。
2 is a sectional view taken along the line II-II of the ion beam generator of FIG.

【図3】筒体状の被処理材の内面処理への応用例を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of application to an inner surface treatment of a cylindrical material to be treated.

【図4】本発明の他の実施例を示すイオンビーム発生装
置の概略図である。
FIG. 4 is a schematic view of an ion beam generator showing another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 イオンビーム発生装置 2 熱陰極 3 陽極 4 第1引出し電極 5 第2引出し電極 6 絶縁環 7 絶縁板 8 外部マグネット 9 ガス導入口 10 プラズマ生成室 11,12,13 放射孔 14 イオンビーム 15 筒体状被処理材 16 ロータリーテーブル 17 軸受 18 マイクロ波 1 Ion Beam Generator 2 Hot Cathode 3 Anode 4 First Extraction Electrode 5 Second Extraction Electrode 6 Insulating Ring 7 Insulating Plate 8 External Magnet 9 Gas Inlet 10 Plasma Generation Chamber 11, 12, 13 Radiating Hole 14 Ion Beam 15 Cylindrical Body Material 16 rotary table 17 bearing 18 microwave

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 熱陰極を中心として同心的に順次内側か
ら筒状の陽極及び引出し電極を配置し、これらの陽極及
び引出し電極にはその周方向の複数箇所において半径方
向に同列的に貫く放射孔を設け、中央の筒状陽極内の空
間を放電させて目的とするイオン化ガスをプラズマ化す
るプラズマ生成室とすると共に、該プラズマ生成室内に
磁力線を与えてプラズマを閉じ込める外部マグネットを
設け、プラズマ生成室内のプラズマ中から目的イオンを
上記放射孔からイオンビームとして引き出すことを特徴
とするイオンビーム発生装置。
1. A cylindrical anode and an extraction electrode are concentrically and sequentially arranged from the inside centering on a hot cathode, and the anode and the extraction electrode are radiated through a plurality of circumferential positions in the same radial direction. A hole is provided to form a plasma generation chamber that discharges the space inside the central cylindrical anode to turn the target ionized gas into plasma, and an external magnet that provides magnetic lines of force to confine the plasma inside the plasma generation chamber is provided. An ion beam generator characterized in that target ions are extracted from the plasma in the generation chamber as an ion beam from the radiation hole.
【請求項2】 マイクロ波を導入し目的とするイオン化
ガスをプラズマ化するプラズマ生成室を中心とし、同心
的に順次内側から筒状のプラズマ生成室及び引出し電極
を配置し、これらプラズマ生成室及び引出し電極にはそ
の周方向の複数箇所において半径方向に同列的に貫く放
射孔を設けると共に、中央のプラズマ生成室内に磁力線
を与えてプラズマを閉じ込める外部マグネットを設け、
プラズマ生成室内のプラズマ中から目的イオンを上記放
射孔からイオンビームとして引き出すことを特徴とする
イオンビーム発生装置。
2. A cylindrical plasma generation chamber and an extraction electrode are concentrically and sequentially arranged from the inside centering on a plasma generation chamber that introduces microwaves into a desired ionized gas to form a plasma. The extraction electrode is provided with radial holes penetrating in the same direction in the radial direction at a plurality of positions in the circumferential direction thereof, and an external magnet for confining the plasma by providing magnetic field lines in the central plasma generation chamber is provided.
An ion beam generator characterized in that target ions are extracted from the plasma in a plasma generation chamber as an ion beam from the radiation hole.
JP4023901A 1992-02-10 1992-02-10 Ion beam generator Pending JPH05225924A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4023901A JPH05225924A (en) 1992-02-10 1992-02-10 Ion beam generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4023901A JPH05225924A (en) 1992-02-10 1992-02-10 Ion beam generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05225924A true JPH05225924A (en) 1993-09-03

Family

ID=12123373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4023901A Pending JPH05225924A (en) 1992-02-10 1992-02-10 Ion beam generator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05225924A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011524326A (en) * 2008-06-12 2011-09-01 コリア アトミック エナジー リサーチ インスティチュート Method for producing color-adjusted sapphire

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011524326A (en) * 2008-06-12 2011-09-01 コリア アトミック エナジー リサーチ インスティチュート Method for producing color-adjusted sapphire

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100917463B1 (en) Magnetron cathode and magnetron sputtering apparatus
KR100846484B1 (en) Rotation magnetron in magnetron electrode and method of manufacturing the same and sputtering apparatus with the same
US6933508B2 (en) Method of surface texturizing
US7078862B2 (en) Beam source and beam processing apparatus
US3669871A (en) Sputtering apparatus having a concave source cathode
JP2007510258A (en) Plasma immersion ion implantation using conductive mesh
JPH07176399A (en) Plasma processing device
JP7357474B2 (en) Plasma passage for large capacity plasma CVD processing
JPH04129133A (en) Ion source and plasma device
US6761804B2 (en) Inverted magnetron
KR20120023035A (en) Film-forming method and film-forming apparatus
JP2004162138A (en) Plasma assisted sputtering film-forming apparatus
US3998718A (en) Ion milling apparatus
JPH07169746A (en) Micromachining device using low-energy neutral particle beam
JPH05225924A (en) Ion beam generator
JP2018193580A (en) Formation method of carbon electrode film
JPH0774115A (en) Plasma treatment system
JP3064214B2 (en) Fast atom beam source
JPH01302645A (en) Discharging device
WO2021055095A1 (en) Plasma processing apparatuses including multiple electron sources
JP4251817B2 (en) Magnet arrangement and plasma processing apparatus for generating point cusp magnetic field for plasma generation
JPS62235484A (en) Thin film device
KR20040012264A (en) High effective magnetron sputtering apparatus
JP3100242B2 (en) Plasma processing equipment
JP2000353693A (en) Plasma processing system