JPH05215985A - Scanning optical system - Google Patents
Scanning optical systemInfo
- Publication number
- JPH05215985A JPH05215985A JP5434392A JP5434392A JPH05215985A JP H05215985 A JPH05215985 A JP H05215985A JP 5434392 A JP5434392 A JP 5434392A JP 5434392 A JP5434392 A JP 5434392A JP H05215985 A JPH05215985 A JP H05215985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical lens
- optical system
- hologram
- focal length
- scanned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、光源の波長変動に伴
う色収差を補正する機構を有する走査光学系に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning optical system having a mechanism for correcting chromatic aberration associated with wavelength fluctuation of a light source.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より周知のように、走査光学系は半
導体レーザー等の光源から出射された光ビームをポリゴ
ンミラーで偏向し、走査レンズを介して被走査面を光ビ
ームにより走査するものであり、良好な走査を行うため
にはポリゴンミラーの面倒れを補正する必要がある。そ
こで、従来の走査光学系では、ポリゴンミラーと被走査
面との間に、例えば図10に示すシリンドリカルレンズ
1を配置して、ポリゴンミラーの反射面と被走査面(像
面)が、走査面と直交する面(図10のxz面)で共役
となるように構成している。2. Description of the Related Art As is well known in the art, a scanning optical system deflects a light beam emitted from a light source such as a semiconductor laser by a polygon mirror and scans a surface to be scanned with the light beam through a scanning lens. Therefore, in order to perform good scanning, it is necessary to correct the surface tilt of the polygon mirror. Therefore, in the conventional scanning optical system, for example, the cylindrical lens 1 shown in FIG. 10 is arranged between the polygon mirror and the surface to be scanned, and the reflection surface and the surface to be scanned (image surface) of the polygon mirror are the scanning surface. A plane (xz plane in FIG. 10) orthogonal to is conjugated.
【0003】しかしながら、図10のシリンドリカルレ
ンズ1を用いた場合には、次の問題が生じる。すなわ
ち、図10に示すように、yz平面にありながらz軸に
対し角度θをなす平行光束L′がシリンドリカルレンズ
1に入射した場合、シリンドリカルレンズ1のシリンド
リカル面の曲率半径が見かけ上小さくなり、焦線FL′
はガウス像面よりも−Z側に形成されてしまう。このた
め、像面が湾曲するという問題が生じる。なお、以下の
説明においては、上記のようにz軸に対し角度θ(θ≠
0°)で入射する光を「斜入射光」と称する。However, when the cylindrical lens 1 shown in FIG. 10 is used, the following problems occur. That is, as shown in FIG. 10, when a parallel light beam L ′ that is on the yz plane and forms an angle θ with respect to the z-axis enters the cylindrical lens 1, the radius of curvature of the cylindrical surface of the cylindrical lens 1 is apparently small, Focus line FL '
Is formed on the −Z side of the Gaussian image plane. Therefore, there is a problem that the image surface is curved. In the following description, the angle θ (θ ≠
Light incident at 0 ° is referred to as “oblique incident light”.
【0004】この問題の解決策として、図11に示すシ
リンドリカルレンズ10が、本出願人により、提案され
ている。このシリンドリカルレンズ10では、同図に示
すように、回折素子として機能するリニアゾーンプレー
ト(以下「LZP」と称する)11が−Z側に設けられ
る一方、凹シリンドリカル面12が像側(同図のZ側)
に設けられている。As a solution to this problem, a cylindrical lens 10 shown in FIG. 11 has been proposed by the present applicant. In this cylindrical lens 10, a linear zone plate (hereinafter referred to as “LZP”) 11 functioning as a diffractive element is provided on the −Z side, while a concave cylindrical surface 12 is on the image side (see FIG. Z side)
It is provided in.
【0005】ここで、シリンドリカルレンズ10の作用
効果の説明に先立って、まずLZP11の特性について
簡単に説明する。図12に示すように、同図の−Z側か
ら平面波が入射し、不等間隔直線帯LBよりなるLZP
11によって1次回折波が円筒波に変換される場合を考
える。光軸OA(z軸)からk番目の帯LBを出た光線
と光軸を通る光線との光路差が波長の整数倍であれば2
つの光は互いに強めあう。すなわちk番目の直線帯のx
座標Xk は、Here, before explaining the function and effect of the cylindrical lens 10, first, the characteristics of the LZP 11 will be briefly described. As shown in FIG. 12, a plane wave is incident from the −Z side of FIG.
Consider the case where the first-order diffracted wave is converted into a cylindrical wave by 11. 2 if the optical path difference between the ray exiting the k-th band LB from the optical axis OA (z axis) and the ray passing through the optical axis is an integral multiple of the wavelength
The two lights strengthen each other. That is, x of the k-th linear band
The coordinate Xk is
【0006】[0006]
【数1】 [Equation 1]
【0007】で与えられる。ここで、fH はこのLZP
11の焦点距離、λは光の波長である。したがって、原
点Oからx座標の絶対値が増すにつれて帯密度が増すよ
うに、y軸と平行に不等間隔直線帯LBを形成すること
によって、凸シリンドリカルレンズと同等の機能をもた
すことができる。Is given by Where fH is this LZP
The focal length of 11, and λ is the wavelength of light. Therefore, by forming the unequal-spaced linear bands LB parallel to the y-axis so that the band density increases as the absolute value of the x-coordinate increases from the origin O, it is possible to provide a function equivalent to that of the convex cylindrical lens. it can.
【0008】より一般的には、直線帯の位置は次式によ
って定義される位相差が2πの整数倍となる等位相直線
として表現できる。More generally, the position of the straight line band can be expressed as an equiphase line in which the phase difference defined by the following equation is an integral multiple of 2π.
【0009】[0009]
【数2】 [Equation 2]
【0010】ただし、A,Bは定数である。However, A and B are constants.
【0011】数1においてk=1とすれば、If k = 1 in equation 1,
【0012】[0012]
【数3】 [Equation 3]
【0013】となり、1番目の帯の座標X1 が得られ
る。fH >>λであるから、数3をThen, the coordinate X1 of the first band is obtained. Since fH >> λ
【0014】[0014]
【数4】 [Equation 4]
【0015】のように、整理することができる。It can be organized as follows.
【0016】ところで、1番目の帯の位置は数2の右辺
が2πになるときであり、またxの値は小さいことから
4次の項を無視してBy the way, the position of the first band is when the right side of Equation 2 is 2π, and since the value of x is small, the fourth-order term is ignored.
【0017】[0017]
【数5】 [Equation 5]
【0018】が得られる。そして、数4を数5に代入す
ることによってIs obtained. And by substituting equation 4 into equation 5,
【0019】[0019]
【数6】 [Equation 6]
【0020】が得られ、さらにこの数6を変形して[Mathematical formula-see original document]
【0021】[0021]
【数7】 [Equation 7]
【0022】が得られる。Is obtained.
【0023】したがって、シリンドリカルレンズ10に
おいては、定数Aを適当に設定することによってLZP
11の焦点距離fH は正の値となり、LZP11の斜入
射光に対する特性が凹シリンドリカル面12のそれとま
ったく逆の特性となる。その結果、それぞれの特性が相
殺され、斜入射光に対する焦線位置がガウス像面にほぼ
一致する。Therefore, in the cylindrical lens 10, the LZP is set by setting the constant A appropriately.
The focal length fH of 11 has a positive value, and the characteristics of the LZP 11 with respect to obliquely incident light are completely opposite to those of the concave cylindrical surface 12. As a result, the respective characteristics are canceled out, and the focal line position for obliquely incident light substantially matches the Gaussian image plane.
【0024】なお、この提案にかかるシリンドリカルレ
ンズ10(図11)を従来のシリンドリカルレンズ1
(図10)と区別するために、以下においては、図11
のシリンドリカルレンズ10を「ホログラムシリンドリ
カルレンズ」と称する。The cylindrical lens 10 (FIG. 11) according to this proposal is replaced with the conventional cylindrical lens 1
In order to distinguish it from FIG.
The cylindrical lens 10 is referred to as a "hologram cylindrical lens".
【0025】[0025]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ホログラム
シリンドリカルレンズ10では、回折効果を用いている
ため色収差が大きくなる。そのため、半導体レーザー
(光源)の発振波長が周辺温度に応じて変動すると、像
点が光軸方向zに移動する。典型的な例では、半導体レ
ーザーの波長が1nm長くなると、0.5mmだけ焦点
距離が短くなる。一方、30μmのスポット径をもつ走
査光学系の焦点深度は±0.5mm程度であるため、波
長が±1nm以上変動すると、被走査面(像面)でのピ
ントずれが生じてしまう。By the way, since the hologram cylindrical lens 10 uses the diffraction effect, the chromatic aberration becomes large. Therefore, when the oscillation wavelength of the semiconductor laser (light source) changes according to the ambient temperature, the image point moves in the optical axis direction z. In a typical example, when the wavelength of the semiconductor laser increases by 1 nm, the focal length decreases by 0.5 mm. On the other hand, since the depth of focus of a scanning optical system having a spot diameter of 30 μm is about ± 0.5 mm, if the wavelength fluctuates by ± 1 nm or more, defocus occurs on the surface to be scanned (image surface).
【0026】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、斜入射光に対しても焦線位置がガウス像
面とほぼ一致し、しかも光源の発振波長が変動しても、
被走査面(像面)でのピントずれが生じない走査光学系
を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the focal line position substantially coincides with the Gaussian image plane even with respect to obliquely incident light, and even if the oscillation wavelength of the light source fluctuates,
It is an object of the present invention to provide a scanning optical system in which no focus shift occurs on the surface to be scanned (image surface).
【0027】[0027]
【課題を解決するための手段】この発明にかかる走査光
学系は、光源からの光ビームを、アナモルフィック面を
含む第1結像光学系によって回転多面鏡の回転軸方向に
のみ集光させ、その回転多面鏡によって反射偏向された
光ビームにより、第2結像光学系を介して被走査面上を
前記回転軸方向に対しほぼ直交する主走査方向に走査す
る光ビーム走査装置であって、上記目的を達成するため
に、前記第2結像光学系が、前記主走査方向に伸びた複
数の直線帯を前記回転軸方向に不等間隔に配置してな
り、焦点距離fH の回折素子として機能するリニアゾー
ンプレートと、前記第1の方向に平行な対称軸を有する
焦点距離fG の凹シリンドリカル面とを含むとともに、
次の不等式 fH >0 fG <0 を満足するシリンドリカルレンズを備えており、さらに
前記光源の波長変動量に応じて前記シリンドリカルレン
ズあるいは前記アナモルフィック面を光軸方向に移動す
る機構を備えている。In the scanning optical system according to the present invention, the light beam from the light source is condensed only in the rotational axis direction of the rotary polygon mirror by the first imaging optical system including the anamorphic surface. A light beam scanning device for scanning the surface to be scanned in a main scanning direction substantially orthogonal to the rotation axis direction by a light beam reflected and deflected by the rotating polygon mirror. In order to achieve the above object, the second imaging optical system has a plurality of linear bands extending in the main scanning direction arranged at unequal intervals in the rotation axis direction, and has a focal length fH. And a concave cylindrical surface having a focal length fG having an axis of symmetry parallel to the first direction, and
A cylindrical lens satisfying the following inequalities fH> 0 fG <0 is provided, and further a mechanism for moving the cylindrical lens or the anamorphic surface in the optical axis direction according to the wavelength variation of the light source is provided. ..
【0028】[0028]
【作用】この発明にかかる走査光学系では、第2結像光
学系にシリンドリカルレンズが設けられている。このシ
リンドリカルレンズを構成するリニアゾーンプレートの
焦点距離fH は正の値である一方、凹シリンドリカル面
の焦点距離fG は負の値であるため、リニアゾーンプレ
ートの斜入射光に対する特性が凹シリンドリカル面のそ
れとまったく逆の特性となる。その結果、それぞれの特
性が相殺され、斜入射光に対する焦線位置がガウス像面
にほぼ一致する。しかも、光源の波長変動量に応じて前
記シリンドリカルレンズあるいは前記アナモルフィック
面が光軸方向に移動されて、波長変動にともなう像点変
位が調整されて、像点が被走査面に一致する。In the scanning optical system according to the present invention, the second image forming optical system is provided with the cylindrical lens. The focal length fH of the linear zone plate that constitutes this cylindrical lens has a positive value, while the focal length fG of the concave cylindrical surface has a negative value, so the characteristics of the linear zone plate for obliquely incident light are those of the concave cylindrical surface. It has the opposite characteristics. As a result, the respective characteristics are canceled out, and the focal line position for obliquely incident light substantially matches the Gaussian image plane. Moreover, the cylindrical lens or the anamorphic surface is moved in the optical axis direction according to the wavelength variation amount of the light source, the image point displacement due to the wavelength variation is adjusted, and the image point coincides with the scanned surface.
【0029】[0029]
A.第1実施例 図1はこの発明にかかる走査光学系の第1実施例を示す
図である。また、図2はその部分断面図である。なお、
これらの図において、ポリゴンミラー50の回転軸50
aと平行に伸びるx軸と、光軸OAと一致するz軸と、
これらx軸及びz軸に対し直行するy軸とで構成される
3次元空間を用いて説明する。A. First Embodiment FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the scanning optical system according to the present invention. Further, FIG. 2 is a partial sectional view thereof. In addition,
In these figures, the rotation axis 50 of the polygon mirror 50
an x-axis extending parallel to a, a z-axis coinciding with the optical axis OA,
Description will be made using a three-dimensional space composed of the x-axis and the y-axis orthogonal to the z-axis.
【0030】この走査光学系には、光源たる半導体レー
ザー30がアルミニウム製のベース20上に固定されて
いる。この半導体レーザー30は例えばGaAlAs系
のものであり、その発振中心波長は780nmである。
但し、発振波長は環境温度に対する依存性を有してお
り、例えば図3に示すように、環境温度がほぼ5゜C上
昇するごとに1nm長くなる。In this scanning optical system, a semiconductor laser 30 as a light source is fixed on a base 20 made of aluminum. The semiconductor laser 30 is of the GaAlAs type, for example, and its oscillation center wavelength is 780 nm.
However, the oscillation wavelength has a dependency on the environmental temperature, and for example, as shown in FIG. 3, it increases by 1 nm for every 5 ° C. increase in the environmental temperature.
【0031】この半導体レーザー30からの光ビーム
は、シリンドリカルレンズ41と、コリメートレンズ4
2よりなる第1結像光学系40を介してポリゴンミラー
50の反射面上に線状に結像される。The light beam from this semiconductor laser 30 is transmitted through a cylindrical lens 41 and a collimating lens 4.
A linear image is formed on the reflecting surface of the polygon mirror 50 via the first image forming optical system 40 composed of two.
【0032】また、ポリゴンミラー50と被走査面(像
面)70との間に第2結像光学系60が配置されてお
り、ポリゴンミラー50の反射面によって偏向された偏
向光ビームを被走査面70に結像する。この第2結像光
学系60は、4枚のレンズ61a〜61dからなるfθ
レンズ61と、図11と同一構成のホログラムシリンド
リカルレンズ62とで構成されている。A second imaging optical system 60 is arranged between the polygon mirror 50 and the surface (image surface) 70 to be scanned, and the deflected light beam deflected by the reflecting surface of the polygon mirror 50 is scanned. An image is formed on the surface 70. The second image forming optical system 60 is composed of four lenses 61a to 61d, fθ.
It is composed of a lens 61 and a hologram cylindrical lens 62 having the same structure as in FIG.
【0033】なお、図1への図示は省略されているが、
各レンズは適当なホルダによってベース20に固定され
ている。表1は上記走査光学系のレンズデータを示すも
のである。Although not shown in FIG. 1,
Each lens is fixed to the base 20 by a suitable holder. Table 1 shows lens data of the scanning optical system.
【0034】[0034]
【表1】 同表において、屈折率は波長780nmに対するもので
ある。第1面は半導体レーザー30を示している。第1
結像光学系の光源側のNAは0.1である。第2面及び
第16面はシリンドリカル面であり、y方向の曲率半径
はともに無限大である。第3面はシリンドリカル非球面
であり、[Table 1] In the table, the refractive index is for a wavelength of 780 nm. The first surface shows the semiconductor laser 30. First
The NA on the light source side of the imaging optical system is 0.1. The second surface and the sixteenth surface are cylindrical surfaces, and the radii of curvature in the y direction are both infinite. The third surface is a cylindrical aspherical surface,
【0035】[0035]
【数8】 [Equation 8]
【0036】ただし、K=−0.868 Cx =1/rx で表される。第7面はポリゴンミラー面であり、その有
効回転角は25°である。第15面はLZPであり、直
線帯の位置は Φ(x)= 2πAx2 ただし、A=19.68 の右辺が2πの整数倍になる場所に設けられている。However, it is expressed by K = -0.868 Cx = 1 / rx. The seventh surface is a polygon mirror surface, and its effective rotation angle is 25 °. The fifteenth surface is LZP, and the position of the straight line band is Φ (x) = 2πAx 2 , provided that the right side of A = 19.68 is an integral multiple of 2π.
【0037】数7より、LZPの焦点距離fH は32.
57mmとなり、表1より凹シリンドリカル面の焦点距
離fG は−38.8mmである。従ってfH >0,fG
<0となっている。From Equation 7, the focal length fH of LZP is 32.
57 mm, and from Table 1, the focal length fG of the concave cylindrical surface is -38.8 mm. Therefore fH> 0, fG
<0.
【0038】また、この走査光学系では、被走査面70
側のNAは0.023であり、30μmのスポットで3
50mmを走査するように構成されている。Further, in this scanning optical system, the surface to be scanned 70
NA on the side is 0.023, and it is 3 at a spot of 30 μm.
It is configured to scan 50 mm.
【0039】このように走査光学系を構成することによ
って、y方向について、ポリゴンミラー50の反射面が
被走査面70と光学的に共役となり、ポリゴンミラー5
0の面倒れが補正され、被走査面70に記録される画像
が高品質に保たれる。しかも、第2結像光学系60にホ
ログラムシリンドリカルレンズ62を設けているので、
前述のごとく斜入射光に対する焦線位置をガウス像面に
一致させることができる。By configuring the scanning optical system in this manner, the reflecting surface of the polygon mirror 50 becomes optically conjugate with the surface to be scanned 70 in the y direction, and the polygon mirror 5
The surface misalignment of 0 is corrected, and the image recorded on the scanned surface 70 is maintained in high quality. Moreover, since the hologram cylindrical lens 62 is provided in the second imaging optical system 60,
As described above, the focal line position for obliquely incident light can be matched with the Gaussian image plane.
【0040】ところで、上述したように、ホログラムシ
リンドリカルレンズ62の色収差は大きく、波長変動に
対する色収差の変化率は、−0.42×106 である。
つまり、図4に示すように、環境温度が約5゜Cだけ上
昇して、半導体レーザー30の発振波長λが中心波長λ
0 (=780nm)から1nm長くなると、焦点距離は
0.42mmだけ短くなる。なお、同図において、実線
は中心波長λ0 (=780nm)の光ビームL0 の軌跡
を、また点線は波長λ(=781nm)の光ビームLの
軌跡をそれぞれ示している。By the way, as described above, the chromatic aberration of the hologram cylindrical lens 62 is large, and the rate of change of the chromatic aberration with respect to wavelength fluctuation is -0.42 × 10 6 .
That is, as shown in FIG. 4, the ambient temperature rises by about 5 ° C. and the oscillation wavelength λ of the semiconductor laser 30 becomes the central wavelength λ.
When 0 nm (= 780 nm) increases by 1 nm, the focal length decreases by 0.42 mm. In the figure, the solid line shows the locus of the light beam L0 having the central wavelength λ0 (= 780 nm), and the dotted line shows the locus of the light beam L having the wavelength λ (= 781 nm).
【0041】そこで、この実施例では、像点調整機構を
設け、環境温度の5゜C上昇に対し0.42mmの割合
で、ホログラムシリンドリカルレンズ62を被走査面7
0側に移動している。すなわち、図1及び図2に示すよ
うに、ベース20の凹部にz方向に伸びた長尺の高膨張
材21が嵌挿されている。この高膨張材21の半導体レ
ーザー30側(図1の−Z側)の端部が接着剤によって
ベース20に固定される一方、他方端部はフリーとなっ
ているため、z方向に伸縮自在となっている。高膨張材
21としては、例えばポリプラスチックス株式会社製の
ポリアセタール樹脂を用いることができ、この場合ベー
ス(アルミニウム製)20との線膨張率の差は11×1
0-5(/K)となる。したがって、ポリアセタール樹脂
製の高膨張材21の長さを760mmとすれば、環境温
度が5゜C上昇するごとに0.42mmずつの割合で伸
びて、高膨張材21上のホルダ22によって保持された
ホログラムシリンドリカルレンズ62が被走査面70側
に移動される。その結果、高膨張材21の伸縮によっ
て、発振波長の変化による像点の移動がキャンセルされ
て、環境温度の変化にかかわらず、像点が被走査面70
と一致する。なお、像点を被走査面70と完全一致させ
ることが最適であるが、焦点深度の範囲内であれば、像
点が被走査面70からずれても問題とならない。したが
って、この範囲内で像点を被走査面70にほぼ一致させ
れば足りる。Therefore, in this embodiment, an image point adjusting mechanism is provided, and the hologram cylindrical lens 62 is attached to the surface 7 to be scanned at a ratio of 0.42 mm with respect to an increase of the ambient temperature by 5 ° C.
It has moved to the 0 side. That is, as shown in FIGS. 1 and 2, a long high-expansion material 21 extending in the z direction is fitted into the recess of the base 20. The end of the high expansion material 21 on the semiconductor laser 30 side (-Z side in FIG. 1) is fixed to the base 20 by an adhesive, while the other end is free, so that it can be expanded and contracted in the z direction. Is becoming As the high expansion material 21, for example, polyacetal resin manufactured by Polyplastics Co., Ltd. can be used. In this case, the difference in linear expansion coefficient from the base (made of aluminum) 20 is 11 × 1.
It becomes 0 -5 (/ K). Therefore, if the length of the high-expansion material 21 made of polyacetal resin is set to 760 mm, the high-expansion material 21 is extended by 0.42 mm each time the environmental temperature rises by 5 ° C and is held by the holder 22 on the high-expansion material 21. The hologram cylindrical lens 62 is moved to the scanned surface 70 side. As a result, the expansion and contraction of the high expansion material 21 cancels the movement of the image point due to the change of the oscillation wavelength, so that the image point is not affected by the change of the environmental temperature.
Matches It is optimal to make the image point completely coincide with the surface to be scanned 70, but if the image point is within the range of the depth of focus, there is no problem even if the image point deviates from the surface to be scanned 70. Therefore, it suffices that the image point substantially coincides with the scanned surface 70 within this range.
【0042】ところで、像点調整機構の構造について
は、上記に限定されるものではなく、例えばベース20
そのものを高膨張材で作成してもよい。その場合、ベー
ス20は光軸方向zだけではなく、主走査方向yへも伸
縮するために方向yへのベース20の伸縮によってホロ
グラムシリンドリカルレンズ62に無用の応力がかかる
おそれがある。したがって、この応力を避けるため、ホ
ログラムシリンドリカルレンズ62とホルダー22の間
に間隙を設け、主走査方向yについてはホログラムシリ
ンドリカルレンズ62とホルダー22とを相対的に移動
自在に構成するのが好適である。また、半導体レーザー
30と第1結像光学系40との間隔およびfθレンズ6
1の各レンズ61a〜61dの間隔は一定であることが
望ましく、半導体レーザー30、第1結像光学系40お
よびfθレンズ61は、低膨脹材のプレートに固定した
上で、ベース20に取付けるのが良い。Incidentally, the structure of the image point adjusting mechanism is not limited to the above, and for example, the base 20 is used.
It may be made of a high expansion material. In that case, since the base 20 expands and contracts not only in the optical axis direction z but also in the main scanning direction y, expansion and contraction of the base 20 in the direction y may apply unnecessary stress to the hologram cylindrical lens 62. Therefore, in order to avoid this stress, it is preferable to provide a gap between the hologram cylindrical lens 62 and the holder 22 so that the hologram cylindrical lens 62 and the holder 22 are relatively movable in the main scanning direction y. .. The distance between the semiconductor laser 30 and the first imaging optical system 40 and the fθ lens 6
It is desirable that the intervals between the lenses 61a to 61d of No. 1 are constant, and the semiconductor laser 30, the first imaging optical system 40, and the fθ lens 61 are fixed to a plate of a low expansion material and then attached to the base 20. Is good.
【0043】B.第2実施例 また、像点調整機構を以下に説明するように構成しても
よい。すなわち、ホログラムシリンドリカルレンズ62
を光軸方向zに駆動するために、第1実施例ではベース
20と高膨張材21の間における線膨張率の差を利用し
ているが、第2実施例では、図5に示すように、アリ溝
を有するホルダーガイド23がベース20に固定される
とともに、そのアリ溝でホルダー22がホルダーガイド
23に連結されて、方向zに移動自在となっている。ま
た、ホルダー22にバイメタル24の一方端が、またベ
ース20から突設されたバイメタルホルダー25にその
他方端がそれぞれ連結されている。なお、バイメタルと
しては公知の各種のものが利用でき、温度5°Cあたり
0.42mmの割合でホログラムシリンドリカルレンズ
62が被走査面(像面)70側に押し出されるようにな
っていればよい。B. Second Embodiment Further, the image point adjusting mechanism may be configured as described below. That is, the hologram cylindrical lens 62
In the first embodiment, the difference in the coefficient of linear expansion between the base 20 and the high expansion material 21 is used to drive the laser beam in the optical axis direction z, but in the second embodiment, as shown in FIG. A holder guide 23 having a dovetail groove is fixed to the base 20, and the dovetail groove connects the holder 22 to the holder guide 23 so that the holder guide 23 can move in the direction z. Further, one end of the bimetal 24 is connected to the holder 22, and the other end is connected to the bimetal holder 25 protruding from the base 20. Various kinds of known bimetals can be used, and it is sufficient that the hologram cylindrical lens 62 is pushed toward the surface to be scanned (image surface) 70 at a rate of 0.42 mm per 5 ° C.
【0044】C.第3実施例 また、上記実施例ではホログラムシリンドリカルレンズ
62周辺の温度に応じてホログラムシリンドリカルレン
ズ62を光軸方向zに移動させて像点を調整する場合に
ついて説明したが、環境温度変化以外の原因で半導体レ
ーザー30の発振波長が変化することもある。そこで、
図6に示す第3実施例では、半導体レーザー30の発振
波長を直接測定して、それに応じてホログラムシリンド
リカルレンズ62を移動させて、このような事態にも好
適に対応させている。以下、図6を参照しつつ詳細に説
明する。C. Third Embodiment Further, in the above-described embodiment, the case where the hologram cylindrical lens 62 is moved in the optical axis direction z to adjust the image point according to the temperature around the hologram cylindrical lens 62 has been described. Therefore, the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30 may change. Therefore,
In the third embodiment shown in FIG. 6, the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30 is directly measured, and the hologram cylindrical lens 62 is moved in accordance therewith, so that such a situation can be appropriately dealt with. Hereinafter, a detailed description will be given with reference to FIG.
【0045】この第3実施例では、ホログラムシリンド
リカルレンズ62を光軸方向zに移動するための駆動源
として、バイメタル24の代わりにバイモルフ型のピエ
ゾ素子26が用いられている。また、このピエゾ素子2
6を制御するための制御ユニット(次に説明する)が設
けられている。なお、その他の構成は第2実施例(図
5)と同一であるので、ここではその説明を省略する。In the third embodiment, a bimorph type piezo element 26 is used instead of the bimetal 24 as a drive source for moving the hologram cylindrical lens 62 in the optical axis direction z. Also, this piezo element 2
A control unit (described next) for controlling 6 is provided. Since the other structure is the same as that of the second embodiment (FIG. 5), its explanation is omitted here.
【0046】制御ユニットでは、シリンドリカルレンズ
41とコリメートレンズ42との間に反射回折素子81
が設けられており、シリンドリカルレンズ41を透過し
た光ビームのうち大部分はポリゴンミラー50側に透過
し、残りの一部だけが反射される。そして、反射した光
ビームは分光され、さらにレンズ82によってPSD等
のポジションセンサー83上に集光される。したがっ
て、半導体レーザー30の発振波長が変化すると、その
波長変化に応じてポジションセンサー83上の集光位置
が変化するので、半導体レーザー30の波長変化を知る
ことができる。なお、反射回折素子81の配設位置は上
記に限定されるものではなく、第1結像光学系40のい
ずれの位置に配置してもよいし、あるいは第1結像光学
系40とポリゴンミラー50との間に配置してもよい。In the control unit, a reflective diffraction element 81 is provided between the cylindrical lens 41 and the collimating lens 42.
Most of the light beam that has passed through the cylindrical lens 41 is transmitted to the polygon mirror 50 side, and only the remaining part is reflected. Then, the reflected light beam is dispersed and further condensed by the lens 82 on the position sensor 83 such as PSD. Therefore, when the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30 changes, the focus position on the position sensor 83 changes according to the change in wavelength, so that the change in wavelength of the semiconductor laser 30 can be known. The arrangement position of the reflection diffraction element 81 is not limited to the above, and it may be arranged at any position of the first image forming optical system 40, or the first image forming optical system 40 and the polygon mirror. You may arrange | position between 50.
【0047】そして、このポジションセンサー83から
半導体レーザー30の発振波長に関する信号S1 がデー
タ処理部84に出力される。このデータ処理部84で
は、信号S1 に基づき半導体レーザー30の発振波長に
応じたホログラムシリンドリカルレンズ62の最適位置
を算出し、ピエゾドライバー85に制御信号を与える。
そして、このピエゾドライバー85によってピエゾ素子
26が駆動されて、像点が被走査面70にほぼ一致する
ように、ホログラムシリンドリカルレンズ62が光軸方
向zに位置決めされる。こうして、ホログラムシリンド
リカルレンズ62を、半導体レーザー30の発振波長に
応じて、常に適切な位置に配置することができ、ピント
ずれを防止することができる。Then, the position sensor 83 outputs a signal S1 relating to the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30 to the data processing section 84. The data processing unit 84 calculates the optimum position of the hologram cylindrical lens 62 according to the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30 based on the signal S1 and gives a control signal to the piezo driver 85.
Then, the piezo element 26 is driven by the piezo driver 85, and the hologram cylindrical lens 62 is positioned in the optical axis direction z so that the image point substantially coincides with the scanned surface 70. In this way, the hologram cylindrical lens 62 can be always arranged at an appropriate position according to the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30, and the focus shift can be prevented.
【0048】D.第4実施例 また、第3実施例の変形例(第4実施例)として、半導
体レーザー30の発振波長の直接測定に代えて、その温
度検出を行うようにしてもよい。図7はこの発明にかか
る走査光学系の第4実施例を示す図である。同図に示す
ように、半導体レーザー30に熱伝対86が当接されて
いる。そして、熱伝対86からの信号S2 が温度測定部
87に与えられ、半導体レーザー30の温度が算出され
る。また、温度測定部87からの信号に基づきデータ処
理部84で、半導体レーザー30の発振波長が間接的に
求められ、それに応じたホログラムシリンドリカルレン
ズ62の最適位置が算出される。その後、データ処理部
84からピエゾドライバー85に制御信号が出力され、
その信号に基づきピエゾ素子26が駆動され、その結
果、ホログラムシリンドリカルレンズ62が好適な位置
に配置される。D. Fourth Example Further, as a modified example (fourth example) of the third example, the temperature may be detected instead of the direct measurement of the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30. FIG. 7 is a diagram showing a fourth embodiment of the scanning optical system according to the present invention. As shown in the figure, a thermocouple 86 is in contact with the semiconductor laser 30. Then, the signal S2 from the thermocouple 86 is given to the temperature measuring section 87, and the temperature of the semiconductor laser 30 is calculated. Further, the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30 is indirectly obtained by the data processing unit 84 based on the signal from the temperature measuring unit 87, and the optimum position of the hologram cylindrical lens 62 is calculated in accordance therewith. After that, a control signal is output from the data processing unit 84 to the piezo driver 85,
The piezo element 26 is driven based on the signal, and as a result, the hologram cylindrical lens 62 is arranged at a suitable position.
【0049】上記のように、この第4実施例では半導体
レーザー30の発振波長を直接的に測定するわけではな
いので、第3実施例(図6)に比べて信頼性は落ちる
が、低コストで実施できるというメリットを有してい
る。As described above, since the oscillation wavelength of the semiconductor laser 30 is not directly measured in the fourth embodiment, the reliability is lower than that in the third embodiment (FIG. 6), but the cost is low. It has the advantage that it can be implemented in.
【0050】なお、上記第1ないし第4実施例では、ホ
ログラムシリンドリカルレンズ62がLZP11とシリ
ンドリカル面12で構成された場合(図11)について
説明したが、図8に示すように、一方側にLZP11が
設けられるとともに他方側がxy面に平行な平面13に
仕上げられた第1の光学素子62aと、一方側に凹シリ
ンドリカル面12が設けられるとともに他方側にxy面
に平行な平面14が設けられた第2の光学素子62bと
を組み合わせたホログラムシリンドリカルレンズ62′
においても上記と同様の効果が得られる。In the first to fourth embodiments, the case where the hologram cylindrical lens 62 is composed of the LZP 11 and the cylindrical surface 12 (FIG. 11) has been described, but as shown in FIG. 8, the LZP 11 is formed on one side. Is provided and the other side is provided with a first optical element 62a finished to a plane 13 parallel to the xy plane, and the concave cylindrical surface 12 is provided on one side and the plane 14 parallel to the xy plane is provided on the other side. Hologram cylindrical lens 62 'in combination with second optical element 62b
Also in, the same effect as described above can be obtained.
【0051】例えば、光学素子62aを表1に示された
第15面のLZP11と同じものにし、光学素子62b
を表1に示された第16面の凹シリンドリカル面と同じ
ものにすると、光学素子62aの焦点距離は32.57
mm、光学素子62bの焦点距離は−38.8mmであ
る。光学素子62a,62bの光学的間隔を6.62m
mとすると、合成焦点距離は98.34mmになり、光
学素子62aのみを光軸方向Zに55μm移動すると、
合成焦点距離は0.42mm変化する。2つの分離され
た光学素子62a,62bによってホログラムシリンド
リカルレンズを形成し、一方のみを移動させる構成とす
れば、移動量を約1/8に低減することができる。For example, the optical element 62a is the same as the LZP11 of the fifteenth surface shown in Table 1, and the optical element 62b is
Is the same as the concave cylindrical surface of the 16th surface shown in Table 1, the focal length of the optical element 62a is 32.57.
mm, and the focal length of the optical element 62b is −38.8 mm. The optical distance between the optical elements 62a and 62b is set to 6.62 m.
m, the combined focal length is 98.34 mm, and when only the optical element 62a is moved in the optical axis direction Z by 55 μm,
The combined focal length changes 0.42 mm. If a hologram cylindrical lens is formed by the two separated optical elements 62a and 62b and only one of them is moved, the moving amount can be reduced to about 1/8.
【0052】以上のように、光学素子62a,62bの
うちの一方を動してもよいし、両者を独立して光軸方向
zに移動自在に構成してもよい。As described above, one of the optical elements 62a and 62b may be moved, or both may be independently movable in the optical axis direction z.
【0053】また、上記第1ないし第4実施例では、半
導体レーザー30側にLZP11を、また被走査面70
側に凹シリンドリカル面12を配置した場合について説
明したが、半導体レーザー30側に凹シリンドリカル面
12を、また被走査面70側にLZP11を配置しても
よいし、また図8の実施例におけるLZP11,凹シリ
ンドリカル面12および平行平面13,14の配列順序
は任意である。In the first to fourth embodiments, the LZP 11 is provided on the side of the semiconductor laser 30 and the surface to be scanned 70.
Although the case where the concave cylindrical surface 12 is disposed on the side has been described, the concave cylindrical surface 12 may be disposed on the semiconductor laser 30 side and the LZP11 may be disposed on the scanned surface 70 side, and the LZP11 in the embodiment of FIG. The arrangement order of the concave cylindrical surface 12 and the parallel planes 13 and 14 is arbitrary.
【0054】E.第5実施例 また、第1ないし第4実施例では、像点調整機構によっ
てホログラムシリンドリカルレンズ62を移動させる場
合について説明したが、第1結像光学系40中のアナモ
ルフィックな面を含む素子、つまりシリンドリカルレン
ズ41を移動させるようにしてもよい。以下、第1実施
例(図1)と比較しながら、この第5実施例について説
明する。E. Fifth Example Further, in the first to fourth examples, the case where the hologram cylindrical lens 62 is moved by the image point adjusting mechanism has been described, but the element including the anamorphic surface in the first imaging optical system 40. That is, the cylindrical lens 41 may be moved. The fifth embodiment will be described below in comparison with the first embodiment (FIG. 1).
【0055】第1実施例ではホログラムシリンドリカル
レンズ62に像点調整機構(高膨張材21)が設けられ
ているのに対し、この第5実施例ではシリンドリカルレ
ンズ41に像点調整機構(図9)が設けられている点で
大きく相違しており、その他の構成は同一である。In the first embodiment, the hologram cylindrical lens 62 is provided with an image point adjusting mechanism (high expansion material 21), whereas in the fifth embodiment, the cylindrical lens 41 is provided with an image point adjusting mechanism (FIG. 9). Are largely different in that they are provided, and other configurations are the same.
【0056】次に、具体的な構成について説明する。図
9に示すように、ベース20に支持部材91が固定され
ている。そして、この支持部材91から光軸方向zに伸
びるように低膨張材92が設けられ、この低膨張材92
によって半導体レーザー30が固定されている。また、
低膨張材92と同様にして、高膨張材93が低膨張材9
2から光軸方向zに伸びて、その先端部にシリンドリカ
ルレンズ41が取り付けられている。ここで、高膨張材
93として長さ40mmのポリアセタール樹脂(線膨張
係数=13×10-5)を使用する一方、低膨張材92と
して長さ33mmのアルミニウム(膨張係数=2.3×
10-5)を使用した場合、温度が5゜C上昇するごとに
22μmの割合で、シリンドリカルレンズ41が半導体
レーザー30から遠ざかる。これによって、被走査面7
0上のピントずれを補償することができる。ここで、注
目すべきことは、第1ないし第4実施例ではピントずれ
を補償するためには、温度が5゜C上昇するごとに0.
42mmの割合で、ホログラムシリンドリカルレンズ6
2を被走査面70側に移動させる必要があったが、この
第5実施例ではシリンドリカルレンズ41をわずかな距
離だけ移動させれば足りる点である。というのも、光学
系の光源(半導体レーザー30)側のNAはx方向,y
方向とも0.1であり、被走査面70側のNAはx方
向,y方向とも0.023であることから、全系の角倍
率は0.23である。したがって、全系の縦倍率は19
であり、像点調整のためのシリンドリカルレンズ41の
移動量は第1実施例でのホログラムシリンドリカルレン
ズ62の移動量の1/19だけすむ。Next, a specific structure will be described. As shown in FIG. 9, a support member 91 is fixed to the base 20. Then, the low expansion material 92 is provided so as to extend from the support member 91 in the optical axis direction z.
The semiconductor laser 30 is fixed by. Also,
Similar to the low expansion material 92, the high expansion material 93 is the low expansion material 9
2 extends in the optical axis direction z, and a cylindrical lens 41 is attached to its tip. Here, a 40 mm long polyacetal resin (linear expansion coefficient = 13 × 10 −5 ) is used as the high expansion material 93, while a 33 mm long aluminum (expansion coefficient = 2.3 ×) is used as the low expansion material 92.
When 10 −5 ) is used, the cylindrical lens 41 moves away from the semiconductor laser 30 at a rate of 22 μm every 5 ° C. increase in temperature. As a result, the scanned surface 7
A focus shift on 0 can be compensated. Here, it should be noted that, in the first to fourth embodiments, in order to compensate for the focus shift, the temperature of 0.
Hologram cylindrical lens 6 at a ratio of 42 mm
It was necessary to move 2 to the side of the surface to be scanned 70, but in the fifth embodiment, it is sufficient to move the cylindrical lens 41 by a slight distance. This is because the NA on the light source (semiconductor laser 30) side of the optical system is in the x direction and y.
Since the direction is 0.1 and the NA on the surface to be scanned 70 is 0.023 in both the x direction and the y direction, the angular magnification of the entire system is 0.23. Therefore, the vertical magnification of the whole system is 19
Therefore, the movement amount of the cylindrical lens 41 for adjusting the image point is only 1/19 of the movement amount of the hologram cylindrical lens 62 in the first embodiment.
【0057】なお、この第5実施例ではホログラムシリ
ンドリカルレンズ62の焦点距離変化に伴い、ポリゴン
ミラー50の反射面と被走査面70の共役性はくずれる
ため、ポリゴンミラー50の面倒れ補正効果の低減は補
償できない。しかし、他の実施例に比べて最も低コスト
で実現できるという効果がある。Incidentally, in the fifth embodiment, the conjugate property between the reflecting surface of the polygon mirror 50 and the surface to be scanned 70 collapses as the focal length of the hologram cylindrical lens 62 changes, so that the effect of correcting the surface tilt of the polygon mirror 50 is reduced. Cannot be compensated. However, there is an effect that it can be realized at the lowest cost as compared with the other embodiments.
【0058】[0058]
【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
走査光学系によれば、リニアゾーンプレートの焦点距離
fH が正の値である一方、凹シリンドリカル面の焦点距
離fGが負の値であるように構成し、リニアゾーンプレ
ートの斜入射光に対する特性が凹シリンドリカル面のそ
れとまったく逆の特性となるようにしているので、斜入
射光に対する焦線位置をガウス像面にほぼ一致させるこ
とができる。しかも、光源からの光ビームの波長変動量
に応じてシリンドリカルレンズあるいはアナモルフィッ
ク面を光軸方向に移動して、波長変動にともなう像点変
位を調整するようにしているので、光源の発振波長が変
動しても、被走査面(像面)でのピントずれを防止する
ことができる。As described above, according to the scanning optical system of the present invention, the focal length fH of the linear zone plate has a positive value, while the focal length fG of the concave cylindrical surface has a negative value. Since the characteristic of the linear zone plate for obliquely incident light is the opposite of that of the concave cylindrical surface, the focal line position for obliquely incident light can be made to substantially coincide with the Gaussian image plane. .. In addition, the cylindrical lens or anamorphic surface is moved in the optical axis direction according to the wavelength variation of the light beam from the light source to adjust the image point displacement due to the wavelength variation. Even if fluctuates, it is possible to prevent focus deviation on the surface to be scanned (image surface).
【図1】この発明にかかる走査光学系の第1実施例を示
す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of a scanning optical system according to the present invention.
【図2】図1の部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of FIG.
【図3】環境温度に対する半導体レーザーの発振波長を
示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing an oscillation wavelength of a semiconductor laser with respect to ambient temperature.
【図4】光ビームの波長と像点との関係を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a wavelength of a light beam and an image point.
【図5】この発明にかかる走査光学系の第2実施例を示
す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a second embodiment of the scanning optical system according to the present invention.
【図6】この発明にかかる走査光学系の第3実施例を示
す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a third embodiment of the scanning optical system according to the present invention.
【図7】この発明にかかる走査光学系の第4実施例を示
す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a fourth embodiment of the scanning optical system according to the present invention.
【図8】ホログラムシリンドリカルレンズの変形例を示
す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a modified example of the hologram cylindrical lens.
【図9】この発明にかかる走査光学系の第5実施例を示
す部分断面図である。FIG. 9 is a partial sectional view showing a fifth embodiment of the scanning optical system according to the present invention.
【図10】従来の走査光学系におけるシリンドリカルレ
ンズと像点との関係を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing a relationship between a cylindrical lens and an image point in a conventional scanning optical system.
【図11】走査光学系におけるホログラムシリンドリカ
ルレンズと像点との関係を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a relationship between a hologram cylindrical lens and an image point in a scanning optical system.
【図12】LZPの特性を説明するための斜視図であ
る。FIG. 12 is a perspective view for explaining the characteristics of LZP.
11 リニアゾーンプレート(LZP) 12 凹シリンドリカル面 30 半導体レーザー 40 第1結像光学系 50 ポリゴンミラー 50a 回転軸 60 第2結像光学系 62、62′ ホログラムシリンドリカルレンズ 70 被走査面 OA 光軸 11 Linear Zone Plate (LZP) 12 Concave Cylindrical Surface 30 Semiconductor Laser 40 First Imaging Optical System 50 Polygon Mirror 50a Rotation Axis 60 Second Imaging Optical System 62, 62 'Hologram Cylindrical Lens 70 Scanned Surface OA Optical Axis
Claims (1)
ク面を含む第1結像光学系によって回転多面鏡の回転軸
方向にのみ集光させ、その回転多面鏡によって反射偏向
された光ビームにより、第2結像光学系を介して被走査
面上を前記回転軸方向に対しほぼ直交する主走査方向に
走査する光ビーム走査装置において、前記第2結像光学
系が、前記主走査方向に伸びた複数の直線帯を前記回転
軸方向に不等間隔に配置してなり、焦点距離fH の回折
素子として機能するリニアゾーンプレートと、前記第1
の方向に平行な対称軸を有する焦点距離fG の凹シリン
ドリカル面とを含むとともに、次の不等式 fH >0 fG <0 を満足するシリンドリカルレンズを備えており、さらに
前記光源の波長変動量に応じて前記シリンドリカルレン
ズあるいは前記アナモルフィック面を光軸方向に移動す
る機構を備えたことを特徴とする走査光学系。1. A light beam from a light source is condensed by a first imaging optical system including an anamorphic surface only in a rotation axis direction of a rotary polygon mirror, and is reflected and deflected by the rotary polygon mirror. A light beam scanning device that scans a surface to be scanned in a main scanning direction substantially orthogonal to the rotation axis direction via a second imaging optical system, wherein the second imaging optical system is arranged in the main scanning direction. A linear zone plate having a plurality of extended linear bands arranged at unequal intervals in the rotation axis direction and functioning as a diffractive element having a focal length fH;
And a concave cylindrical surface having a focal length fG having a symmetry axis parallel to the direction of, and a cylindrical lens satisfying the following inequality fH> 0 fG <0, and further according to the wavelength fluctuation amount of the light source. A scanning optical system comprising a mechanism for moving the cylindrical lens or the anamorphic surface in the optical axis direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5434392A JPH05215985A (en) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Scanning optical system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5434392A JPH05215985A (en) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Scanning optical system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05215985A true JPH05215985A (en) | 1993-08-27 |
Family
ID=12967976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5434392A Pending JPH05215985A (en) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Scanning optical system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05215985A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001324691A (en) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Canon Inc | Optical scanner and image forming device using the same |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP5434392A patent/JPH05215985A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001324691A (en) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Canon Inc | Optical scanner and image forming device using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5838480A (en) | Optical scanning system with diffractive optics | |
US4815059A (en) | Temperature-compensated optical pick-up device | |
US5410563A (en) | Laser beam optical system capable of compensating focal length changes thereof | |
US4915484A (en) | Anamorphic single lens | |
US5870133A (en) | Laser scanning device and light source thereof having temperature correction capability | |
US5751463A (en) | Optical scanner | |
JP3467193B2 (en) | Refractive / reflective fθ optical element and scanning optical system | |
JP3222498B2 (en) | Scanning optical system | |
US4818046A (en) | Light beam scanning device | |
KR0137218B1 (en) | Optical pick-up with astigmatism lens | |
JP2928552B2 (en) | Scanning optical device | |
JP3559711B2 (en) | Scanning optical device and multi-beam scanning optical device | |
JPH10333070A (en) | Scanning optical system and image forming device using the same | |
US5134511A (en) | Optical unit for use in laser beam printer or the like | |
US5477372A (en) | Optical scanner | |
US5159193A (en) | Optical unit for use in laser beam printer or the like with temperature expansion compensation | |
US5267075A (en) | Optical unit for use in laser beam printer apparatus | |
JPH05215985A (en) | Scanning optical system | |
US5966232A (en) | Scanning optical system | |
US5877883A (en) | Optical scanner | |
JP2005084359A (en) | Lens | |
JPS63253916A (en) | Optical scanner | |
JP2001125025A (en) | Scanning optical system | |
JPH1010453A (en) | Laser beam optical device | |
JPH0980330A (en) | Multibeam scanning optical system |