JPH052134B2 - - Google Patents

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JPH052134B2
JPH052134B2 JP60043886A JP4388685A JPH052134B2 JP H052134 B2 JPH052134 B2 JP H052134B2 JP 60043886 A JP60043886 A JP 60043886A JP 4388685 A JP4388685 A JP 4388685A JP H052134 B2 JPH052134 B2 JP H052134B2
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JP
Japan
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type
polydiacetylene
bond
optical
recording
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Eiichi Hanamura
Yoshinori Tokura
Akio Takada
Akira Itsubo
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/245Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 3−1 産業上の利用分野 本発明は光記録媒体に関するものであり、光学
的外場を印加して情報を記録してなる光記録媒体
に関する。
Detailed Description of the Invention 3-1 Field of Industrial Application The present invention relates to an optical recording medium, and more particularly, to an optical recording medium on which information is recorded by applying an optical external field.

3−2 従来技術 光学的性質の変化を利用する光記録媒体には、
一般に次のような性質が要求される。(i)記録に要
するエネルギーが小さく、高速にできること、(ii)
高密度に記録ができること、(ii)記録部と未記録部
の光学的コントラストが大きいこと、(iv)書換がで
きること、(v)媒体が安定で長時間の保存や使用に
耐えること、(vi)毒性や危険性のないこと、などで
ある。
3-2 Prior Art Optical recording media that utilize changes in optical properties include:
Generally, the following properties are required. (i) The energy required for recording is small and it can be done at high speed; (ii)
(ii) high optical contrast between recorded and unrecorded areas; (iv) rewritable; (v) stable medium that can withstand long-term storage and use; (vi) ) No toxicity or danger, etc.

現在までに検討されている光記録媒体には次の
ようなものがある。(i)Te、Seなどの低融点金属
及びそれらの合金薄膜(ii)TeOxなどの金属化合物
薄膜(iii)フルオレセイン、シアニンなどの染料・色
素等の有機薄膜(iv)フオトクロミツク化合物薄膜な
どである。
Optical recording media that have been considered so far include the following. (i) thin films of low melting point metals such as Te and Se and their alloys; (ii) thin films of metal compounds such as TeOx; (iii) thin films of organic materials such as dyes and pigments such as fluorescein and cyanine; and (iv) thin films of photochromic compounds.

有機物系においては有機色素を用いるヒートモ
ード型、あるいはフオトクロミツク化合物を用い
るホトンモード型のものなど多数提案されてい
る。しかしながら、感度が不充分であり、コント
ラストも小さくS/N比を向上させることも困難
であり、また記録後の安定性を欠くなどの欠点を
有し実用上満足しうるものではない。非有機物系
においても多数提案されているが、その中でTe
−C、TeOxなどのTe系化合物を用いる追記型
光デイスクメモリの実用化が開始されている。さ
らに最近ではTeOxの結晶・非晶間の相転移を利
用するなどの書換型光デイスクメモリの開発も活
発である。
In the organic system, many proposals have been made, including a heat mode type using an organic dye and a photon mode type using a photochromic compound. However, this method has drawbacks such as insufficient sensitivity, low contrast, and difficulty in improving the S/N ratio, and lack of stability after recording, so that it is not practically satisfactory. Many proposals have been made for non-organic systems, among which Te
Practical use of write-once optical disk memories using Te-based compounds such as -C and TeOx has begun. Furthermore, recently there has been active development of rewritable optical disk memories that utilize the phase transition between crystalline and amorphous TeOx.

しかしながら、例えばTeOxの結晶・非晶間の
相転移を利用する場合、未記録部の反射率は約15
〜20%で、記録部は約30〜40%である。その差は
約15〜20%であり充分とはいえない。またこのよ
うな相転移を利用する場合には記録の高速化には
限界がある。さらにTe系媒体は毒性に関し問題
があり、低毒化・無毒化が望まれる。
However, for example, when using the phase transition between crystal and amorphous TeOx, the reflectance of the unrecorded area is approximately 15
~20%, and the recording section is about 30-40%. The difference is about 15 to 20%, which is not sufficient. Furthermore, when utilizing such a phase transition, there is a limit to the speed-up of recording. Furthermore, there are problems with the toxicity of Te-based media, and it is desirable to make them less toxic and non-toxic.

今後は、上述の(i)〜(v)の性質を飛躍的に向上さ
せた媒体を開発し、いつそうの大容量化、記録の
高速化、S/N比の本質的向上によるエラー率の
減少などが強く望まれる。
In the future, we will develop media with dramatically improved properties (i) to (v) above, and aim to reduce the error rate by increasing capacity, speeding up recording, and essentially improving the S/N ratio. A reduction is strongly desired.

3−3 目的 光学的外場を印加により高速に高密度に情報を
記録してなる記録部と未記録部の光学的コントラ
ストの大きい有機系光記録媒体を提供することを
目的とする。本発明においては光記録とは記録さ
れた情報を光学的に読み取ることを総称する。従
つて、光記録媒体とは、光学的読み取りが可能な
状態に記録された媒体を意味する。
3-3 Purpose It is an object of the present invention to provide an organic optical recording medium in which information is recorded at high speed and with high density by applying an optical external field, and the optical contrast between the recorded portion and the unrecorded portion is large. In the present invention, optical recording is a general term for reading recorded information optically. Therefore, an optical recording medium means a medium recorded in an optically readable state.

3−4 発明の具体的説明 本発明者らは鋭意技術的検討を行つた結果、ポ
リジアセチレンの光学的外場の印加による主鎖構
造の変化を利用して情報を記録しうることを見い
出し本発明に至つた。本発明でいうポリジアセチ
レンの主鎖構造には、A型結合とB型結合があ
り、A型結合はアセチレン結合、B型結合はブタ
トリエン型結合であると推定され(第1図参照)、
各型には夫々平面型と非平面型の立体配置があ
る。
3-4 Specific Description of the Invention As a result of intensive technical studies, the present inventors discovered that information can be recorded by utilizing changes in the main chain structure of polydiacetylene due to the application of an optical external field. This led to an invention. The main chain structure of polydiacetylene as used in the present invention has A-type bonds and B-type bonds, and it is presumed that the A-type bonds are acetylene bonds and the B-type bonds are butatriene-type bonds (see Figure 1).
Each type has planar and non-planar configurations.

本発明は、A型結合とB型結合間の構造変化を
主体とし、これに平面、非平面が加わつて光記録
が生じるものと推定される。
It is presumed that the present invention mainly involves structural changes between A-type bonds and B-type bonds, and that optical recording occurs when planar and non-planar structures are added to this.

なお、本光記録媒体は、読み取りの他、追記
型、及び書換型として利用できるものも得ること
ができる。
Note that this optical recording medium can be used not only for reading, but also for write-once type and rewritable type.

以下第一にポリジアセチレン、第二にポリジア
セチレン薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸
収スペクトル及び反射スペクトル、第五に外場印
加、第六に記録・再生・消去について具体的に説
明する。
Below, first, polydiacetylene, second, polydiacetylene thin film, third, changes in main chain structure, fourth, absorption spectrum and reflection spectrum, fifth, external field application, and sixth, recording/reproduction/erasing. Explain.

3−4−1 ポリジアセチレン 本発明に用いるポリジアセチレンは、ジアセチ
レンモノマーの重合体であつて、外場の印加によ
り主鎖構造にA型結合とB型結合間の変化を生じ
させ得るものであれば特に限定するものではな
い。ただし、ジアセチレンモノマーとは共役ジア
セチレン結合を有する化合物の総称であつて、そ
の各種誘導体を含む。
3-4-1 Polydiacetylene The polydiacetylene used in the present invention is a polymer of diacetylene monomers, and can cause a change in the main chain structure between A-type bonds and B-type bonds by applying an external field. If so, it is not particularly limited. However, diacetylene monomer is a general term for compounds having a conjugated diacetylene bond, and includes various derivatives thereof.

好ましいポリジアセチレンは、カルボン酸、ス
ルホン酸などの酸類及びこれらのエステル、アミ
ド並びに塩類、アルコール類及びこれらのカルボ
ン酸、スルホン酸、スルフイン酸、イソシアン酸
並びにカルバミン酸等のエステル類を側鎖に有す
るジアセチレンモノマーの重合体である。例えば
一般式が次のように表されるジアセチレンモノマ
ーの重合体を用いることができる。
Preferred polydiacetylenes include acids such as carboxylic acid and sulfonic acid, and their esters, amides, and salts; alcohols and their esters such as carboxylic acid, sulfonic acid, isocyanic acid, and carbamic acid in the side chain. It is a polymer of diacetylene monomer. For example, a polymer of diacetylene monomers having the general formula shown below can be used.

CH3(CH2n-1−C≡C−C≡C−(CH2
nCOOH RNHOCO(CH2n−C≡C−C≡C−(CH2
nOCONHR RSO3O(OH2n−C≡C−C≡C−(CH2
nOSO2R (置換基Rは特に限定するものではない) 本発明に用いるポリジアセチレンは必要に応じ
て二種以上のジアセチレンモノマーの共重合体、
あるいは二種以上のポリジアセチレンの混合物で
あつてもよい。さらにポリジアセチレンと低分子
量または高分子量の有機物との混合物であつても
よい。
CH 3 (CH 2 ) n-1 −C≡C−C≡C−(CH 2 )
nCOOH RNHOCO(CH 2 ) n −C≡C−C≡C−(CH 2 )
nOCONHR RSO 3 O(OH 2 ) n −C≡C−C≡C−(CH 2 )
nOSO 2 R (The substituent R is not particularly limited.) The polydiacetylene used in the present invention may optionally be a copolymer of two or more diacetylene monomers,
Alternatively, it may be a mixture of two or more types of polydiacetylenes. Furthermore, it may be a mixture of polydiacetylene and a low molecular weight or high molecular weight organic substance.

3−4−2 ポリジアセチレン薄膜 本発明に用いるポリジアセチレン薄膜は次の方
法で形成する。第一にジアセチレンモノマーを真
空蒸着法溶液塗布法などにより基板上に薄膜を形
成し、熱、光、ガンマ線等で重合する。膜厚は特
に限定するものではないが、通常100Å〜10μm
である。
3-4-2 Polydiacetylene thin film The polydiacetylene thin film used in the present invention is formed by the following method. First, a thin film of diacetylene monomer is formed on a substrate by vacuum evaporation, solution coating, or the like, and then polymerized using heat, light, gamma rays, or the like. The film thickness is not particularly limited, but is usually 100 Å to 10 μm.
It is.

〔基板〕〔substrate〕

基板としては、所望の光源の光波特性に適した
透明性を有するものが感度の向上をはかるうえで
好ましい。この際、入射光の約90%以上の透過率
を一応の透明性の目安とすることができる。かか
る基板としてはガラスなどの無機材料またはポリ
エステル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、ポ
リメチルメタクレートなどのポリマーあるいはこ
れらの変成ポリマー、コポリマー、ブレンド物な
どの有機材料からなる円板状、テープ状、フイル
ム状またはシート状などをあげることができる。
一方基板の反対側から情報記録光を入射させて記
録する場合には、上記の透明基板の外に、その無
機材料または有機材料に色素、染料、顔料、強化
剤などを添加した円板状、テープ状、フイルム状
またはシート状など、あるいはアルミニウム合金
などの金属板を基板として用いることができる。
As the substrate, it is preferable to use one having transparency suitable for the light wave characteristics of the desired light source in order to improve sensitivity. At this time, a transmittance of approximately 90% or more of incident light can be used as a rough standard for transparency. Such substrates include inorganic materials such as glass, polyester, polypropylene, polycarbonate,
Examples include a disc, tape, film, or sheet made of organic materials such as polymers such as polyvinyl chloride, polyamide, polystyrene, and polymethyl methacrylate, or modified polymers, copolymers, and blends thereof.
On the other hand, when recording information by entering information recording light from the opposite side of the substrate, in addition to the above-mentioned transparent substrate, a disc-shaped disk made of an inorganic or organic material to which pigments, dyes, pigments, reinforcing agents, etc. are added, A tape, film, or sheet shape, or a metal plate such as an aluminum alloy can be used as the substrate.

〔真空蒸着法〕[Vacuum evaporation method]

真空蒸着は、一般的な方法に準拠し次のように
行う。ジアセチレンモノマーをW、Mo、Taなど
のコイルあるいはボートで直接加熱して蒸発させ
るか、石英、アルミナ、ベリリアなどのルツボ中
で間接加熱して蒸発させる。この時、加熱法とし
て抵抗加熱、高周波加熱などを用いて、ジアセチ
レンモノマーの特性により選定される温度、通常
は融点以上に加熱する。また圧力は通常10-3torr
以下とする。
Vacuum deposition is performed in accordance with a general method as follows. Diacetylene monomer is evaporated by direct heating in a coil or boat made of W, Mo, Ta, etc., or by indirect heating in a crucible made of quartz, alumina, beryllia, etc. At this time, resistance heating, high frequency heating, or the like is used as a heating method to heat the diacetylene monomer to a temperature selected depending on its characteristics, usually above its melting point. Also the pressure is usually 10 -3 torr
The following shall apply.

〔塗布法〕[Coating method]

ジアセチレンモノマーの溶液からスプレー法、
スピンナー法等により基板へ塗布する。この時用
いる溶媒、濃度は特に限定するものではない。薄
膜の均一性を考慮すると溶解度の高い溶媒を用い
るのが望ましく、代表的なものとしてはアセト
ン、メチルエチルケトンのごときケトン類、クロ
ロホルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合
物、酢酸エチルのごときエステル類、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル
−2ピロリドンのごときアミド類、アセトニトリ
ルのごときニトリル類である。
Spray method from a solution of diacetylene monomer,
Apply to the substrate using a spinner method or the like. The solvent and concentration used at this time are not particularly limited. Considering the uniformity of the thin film, it is desirable to use a solvent with high solubility; typical examples include acetone, ketones such as methyl ethyl ketone, chloroform, halogen compounds such as methylene chloride, esters such as ethyl acetate, dimethylacetamide, Amides such as dimethylformamide and N-methyl-2-pyrrolidone, and nitrites such as acetonitrile.

本発明のポリジアセチレン薄膜に保護層を設け
たり、二枚貼り合わせたりする公知の技術の適用
は可能である。
It is possible to apply known techniques for providing a protective layer on the polydiacetylene thin film of the present invention or bonding two films together.

3−4−3 主鎖構造の変化 ポリジアセチレンの主鎖構造にはA型結合とB
型結合などの結合構造(第1図)があり、さらに
これらに対応して平面型と非平面型などの立体配
置の存在が推定される。またはこれらの主鎖構造
はブルー型、レツド型またはイエロー型などと呼
ばれることもある。これらの主鎖構造は吸収スペ
クトル、反射スペクトル、共鳴ラマンスペクト
ル、X線回折などによつて固定される(Gregory
J.Exarhosetal、J.A.C.S.、98 481(1976))。
3-4-3 Changes in main chain structure The main chain structure of polydiacetylene has A-type bonds and B-type bonds.
There are bond structures such as type bonds (Fig. 1), and corresponding to these, the existence of planar and non-planar configurations is presumed. Alternatively, these main chain structures are sometimes called blue type, red type, or yellow type. These main chain structures are fixed by absorption spectra, reflection spectra, resonance Raman spectra, X-ray diffraction, etc. (Gregory
J. Exarhosetal, JACS, 98 481 (1976)).

従来、A型結合とB型結合間の変化について
は、TCDU(ポリ(5,7−ドデカジイン−1,
12−ジオール−ビス・フエニル・ウレタン)単結
が応力に誘起されてB型結合よりA型結合への変
化が生じること(H.Mu‥ller et al.、Mol.
Cryst.Liq.Cryst.、45、313(1978))、ETCD(ポリ
(5,7−ドデカジイン−1,12−ジオールビ
ス・エチル・ウレタン)単結晶(側鎖=−
(CH24−OCONH−C2H5)が約70℃以下でA型
結合を、約120℃以上でB型結合を有し、その中
間温度でヒステレシスを有するサーモクロニズム
を示すこと(R.R.Chance et al.、J.Chem.
Phys.、67、3616(1977))などが報告されている。
Conventionally, changes between A-type and B-type bonds have been described using TCDU (poly(5,7-dodecadiyne-1,
12-diol-bis phenyl urethane) single crystal is induced by stress and changes from B-type bond to A-type bond (H.Muller et al., Mol.
Cryst.Liq.Cryst., 45, 313 (1978)), ETCD (poly(5,7-dodecadiine-1,12-diol bis ethyl urethane) single crystal (side chain = -
(CH 2 ) 4 -OCONH-C 2 H 5 ) has an A-type bond at about 70°C or below, a B-type bond at about 120°C or above, and exhibits thermochronism with hysteresis at an intermediate temperature ( RRChance et al., J. Chem.
Phys., 67, 3616 (1977)).

本発明はポリジアセチレン薄膜に局部的に光学
的外場を印加し、主鎖構造の変化、例えばA型結
合とB型結合間に変化を生じせしめて情報の記録
を行つてなる光記録媒体に係る。
The present invention provides an optical recording medium in which information is recorded by locally applying an external optical field to a polydiacetylene thin film to cause a change in the main chain structure, for example, a change between A-type bonds and B-type bonds. Related.

本発明においては、この主鎖構造の変化の程度
を印加外場の制御により変えることもできる。例
えばA型結合とB型結合間の変化の程度は照射す
る光学的エネルギーの制御によつて変えることが
できる。(第6図、第7図)この制御法を利用す
れば、1ビツト内において例えばA型結合とB型
結合とを“0”“1”に対応させる通常の一次元
記録の他に、さらに多次元記録も可能である。例
えばA型結合、A−B型混合結合(n個)とB型
結合とのn+2個の結合状態を“n+2個の配
列”に対応させるような多次元記録も可能であ
る。n=2の場合にはA型結合、A−B型混合結
合(1)、A−B型混合結合(2)及びB型結合を用いて
4進法表記することができる。
In the present invention, the degree of change in the main chain structure can also be changed by controlling the applied external field. For example, the degree of change between the A-type bond and the B-type bond can be changed by controlling the irradiated optical energy. (Figures 6 and 7) If this control method is used, in addition to the usual one-dimensional recording in which A-type bonds and B-type bonds correspond to "0" and "1" within one bit, Multidimensional recording is also possible. For example, multidimensional recording is also possible in which n+2 bond states of A-type bonds, A-B-type mixed bonds (n pieces), and B-type bonds are made to correspond to "n+2 arrays." When n=2, it can be expressed in quaternary notation using an A type bond, an A-B type mixed bond (1), an A-B type mixed bond (2), and a B type bond.

なお、多次元性を利用して書き換えを行うこと
もできる。例えば上記のn=2の場合、A型結
合、A−B型混合結合(1)を“0”“1”に当てて
2進法記録を行い、書き換えは書き換え部分全体
をA型結合、A−B型混合結合(1)又はA−B型混
合結合(2)とした後にA−B型混合結合(2)又はB型
結合で再度書き込みを行うことができる。
Note that rewriting can also be performed using multidimensionality. For example, in the case of n=2 above, binary recording is performed by assigning the A type bond and A-B type mixed bond (1) to "0" and "1", and the rewriting is performed using the A type bond and the A-B type mixed bond (1). After setting -B type mixed coupling (1) or A-B type mixed coupling (2), writing can be performed again with A-B type mixed coupling (2) or B type coupling.

ポリジアセチレンのA型結合とB型結合間の変
化を例にとつて記録の機構を説明する。
The recording mechanism will be explained by taking as an example the change between the A-type bond and the B-type bond of polydiacetylene.

ポリジアセチレンのA型結合とB型結合に関す
るポテンシヤルエネルギー曲線は第2図イのよう
に想定できる。図中の曲線gは基低状態を、曲線
a及びbは電子励起状態を、ΔEa及びΔEbはそれ
ぞれg→a、g→bへの励起エネルギーを、ΔEA
及びΔEB *はそれぞれA→B、B→Aへの変化の
活性化エネルギーを表わす。
The potential energy curve for the A-type bond and B-type bond of polydiacetylene can be assumed as shown in FIG. 2A. Curve g in the figure represents the ground state, curves a and b represent the electronic excited state, ΔEa and ΔEb represent the excitation energy from g→a and g→b, respectively, and ΔE A
* and ΔE B * represent the activation energy of the change from A→B and B→A, respectively.

使用温度(記録の保存、再生を行うときの光記
録媒体の温度を云う。A型結合とB型結合間の変
化が起きるエネルギー照射部位の温度は一般的に
使用温度より高い)にて安定にA型結合を有する
ポリジアセチレンに、ΔEbのエネルギーを有する
光を照射するとg状態よりb状態へ励起する。曲
線bに沿つて振動緩和しつつb状態におけるB型
結合に達する。次に再びg状態に戻り使用温度に
て安定なB型結合への変化(破線)を完了する。
また光学的外場印加により局所的ひずみを介して
A型結合とB型結合の安定、準安定状態を入れか
えることによりB型結合へ変化する。このような
過程を記録に利用することができる。
Stable at operating temperature (refers to the temperature of the optical recording medium when storing and reproducing records. The temperature of the energy irradiated area where the change between A-type bond and B-type bond occurs is generally higher than the operating temperature). When polydiacetylene having an A-type bond is irradiated with light having an energy of ΔEb, it is excited from the g state to the b state. B-type coupling in the b state is reached while vibrationally relaxing along the curve b. Next, it returns to the g state again and completes the change to a stable B-type bond (dashed line) at the operating temperature.
Furthermore, by applying an optical external field, the stable and metastable states of the A-type bond and B-type bond are switched through local strain, thereby changing to the B-type bond. Such a process can be used for recording.

また使用温度にて安定にB型結合を有する記録
部にΔEaのエネルギーを有する光を照射すればg
状態よりa状態へ励起する。曲線aに沿つて振動
緩和しつつa状態におけるA型結合に達する。次
に再びg状態に戻り使用温度にて安定なA型結合
へ変化(実線)を完了する。あるいは、ΔEB *
上の熱エネルギーを照射すると、又は冷却すると
曲線gに沿つてA型結合へ変化(破線)する。ま
た、光学的な外場の印加により局所的歪を介して
B型結合とA型結合の安定、準安定を入れかえる
ことによりA型結合へ変化する。このような過程
を記録の消去に利用することができる。
Furthermore, if a recording section having stable B-type bonds at the operating temperature is irradiated with light having an energy of ΔEa, g
state is excited to the a state. The A-type bond in the a-state is reached while vibrationally relaxing along the curve a. Next, it returns to the g state again and completes the change to a stable A-type bond (solid line) at the operating temperature. Alternatively, when it is irradiated with thermal energy of ΔE B * or more, or when it is cooled, it changes to an A-type bond (dashed line) along the curve g. Furthermore, by applying an optical external field, the stable and metastable bonds of the B-type bond and the A-type bond are exchanged through local strain, thereby changing to the A-type bond. Such a process can be used to erase records.

本発明において電子励起状態bを使用する場合
には非晶・結晶間層転移を利用する場合に比べて
極めて高速に記録できる。
In the present invention, when electronically excited state b is used, recording is possible at a much higher speed than when using amorphous/intercrystalline transition.

本発明は第2図イに限定するものではない。例
えばA型とB型のポテンシヤルエネルギー曲線の
大小関係がA>B、A=Bにあるものであつて
も、上述の説明のAとBを入れ換えても同様に説
明できる。
The present invention is not limited to FIG. 2A. For example, even if the magnitude relationship between the potential energy curves of type A and type B is A>B and A=B, the same explanation can be given by replacing A and B in the above explanation.

3−4−4 吸収スペクトル・反射スペクトル ポリジアセチレンのA型結合及びB型結合の紫
外から近赤外領域におけるA型結合とB型結合の
スペクトルはそれぞれ638nm、535nm付近にピ
ークを有し、その差は約103nmと大きく、スペ
クトル間の重なりも小さい。それ故A型結合とB
型結合間の変化による光学的コントラスト(吸収
係数、反射率)の変化も極めて大きく記録・再生
におけるS/N比向上にとつて極めて有利であ
る。反射スペクトルについても同様である。
3-4-4 Absorption spectrum/reflection spectrum The spectra of A-type bonds and B-type bonds of polydiacetylene in the ultraviolet to near-infrared region have peaks around 638 nm and 535 nm, respectively. The difference is large, about 103 nm, and the overlap between spectra is small. Therefore, A-type bond and B
Changes in optical contrast (absorption coefficient, reflectance) due to changes in type bonding are also extremely large, which is extremely advantageous for improving the S/N ratio in recording and reproduction. The same applies to the reflection spectrum.

他の主鎖構造に関する吸収スペクトル、反射ス
ペクトルについても同様に測定できる。
Absorption spectra and reflection spectra related to other main chain structures can be similarly measured.

3−4−5 外場印加 光学的エネルギーを用いる場合、記録のための
光の波長は、ΔEA *以上のエネルギーを与える必
要がある。好ましくは、180nm〜12μmの波長光
を用いて1×10-13ジユール/μm2以上を照射す
る。
3-4-5 External field application When using optical energy, the wavelength of light for recording needs to provide energy of ΔE A * or more. Preferably, irradiation of 1×10 −13 joule/μm 2 or more is performed using light with a wavelength of 180 nm to 12 μm.

再生用にはB型結合スペクトルの短波長側のス
ペクトル端以上で、A型結合スペクトルの長波長
側のスペクトル端以下の波長域の光を使用する。
このましくは350nm以上、700nm以下の波長域
の光である。
For reproduction, light in a wavelength range above the short wavelength end of the B-type coupled spectrum and below the long wavelength end of the A-type coupled spectrum is used.
Preferably, it is light in a wavelength range of 350 nm or more and 700 nm or less.

消去用光源としては、第2図イののΔEaのエネ
ルギーを有する光を用いることができる。
As the erasing light source, light having energy ΔEa shown in FIG. 2A can be used.

具体的光源としては、Arレーザー、He−Ne
レーザー、He−Cdレーザー、色素レーザー、半
導体レーザーなどの紫外、可視、赤外領域に発振
波長をもつレーザーや、キセノンフラツシユラン
プなどの各種短パルス発生ランプなどを用いるこ
とができる。
Specific light sources include Ar laser, He-Ne
Lasers with oscillation wavelengths in the ultraviolet, visible, and infrared regions, such as lasers, He-Cd lasers, dye lasers, and semiconductor lasers, and various short pulse generating lamps such as xenon flash lamps can be used.

3−4−6 記録・再生・消去 光学式の情報記録再生装置については公知であ
る。
3-4-6 Recording/Reproducing/Erasing Optical information recording/reproducing devices are well known.

記録は、通常情報信号に対応して光の強度を変
調して附与することにより行なう。照射部の反射
率、吸収計数の光学的特性の変化として記録す
る。光の照射はポリジアセチレン薄膜の表面側、
あるいは透明基板を通して薄膜の裏側からのいず
れからも可能である。
Recording is usually performed by modulating and imparting the intensity of light in accordance with the information signal. It is recorded as changes in the optical characteristics of the irradiated area, such as reflectance and absorption coefficient. Light is irradiated on the surface side of the polydiacetylene thin film,
Alternatively, it is possible to do so from either side of the thin film through a transparent substrate.

再生に際しては反射率の変化を読みとる反射式
の光信号再生により行う。また読み取り側の反対
の薄膜側に反射膜を設けて、この反射膜からの光
量変化を読み取る方式の再生も可能である。この
光量変化は薄膜の吸収係数(光学密度)の変化に
基づくものである。
Reproduction is performed by reflective optical signal reproduction that reads changes in reflectance. It is also possible to perform reproduction by providing a reflective film on the thin film side opposite to the reading side and reading changes in the amount of light from this reflective film. This change in light amount is based on a change in the absorption coefficient (optical density) of the thin film.

消去は光学的、熱的または力学的な外場印加に
より行う。例えば、光照射または薄膜全体の温度
変化(冷却)により行う。光照射は薄膜の表面
側、あるいは透明基板を通して裏側からのいずれ
からも可能である。
Erasing is performed by applying an optical, thermal or mechanical external field. For example, this is performed by light irradiation or temperature change (cooling) of the entire thin film. Light irradiation can be performed either from the front side of the thin film or from the back side through a transparent substrate.

次に実施例を挙げて本発明を説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to Examples.

3−4−7 実施例 実施例 1 ジアセチレンモノマーとして、10,12−ジイン
ペンタコサ酸〔CH3−(CH211−C≡C−C≡C
−(CH28−COOH〕を用いた。蒸着膜を真空蒸
着装置を用いて次のように作製した。ジアセチレ
ンモノマー約50mgをモリブデンボートに入れ2×
10-5torrの真空下で80℃に加熱し、25mm×25mmの
石英ガラスに蒸着し、厚み1.0μmのジアセチレン
モノマー蒸着膜を作製した。
3-4-7 Examples Example 1 As a diacetylene monomer, 10,12-diinpentacosacic acid [CH 3 -(CH 2 ) 11 -C≡C-C≡C
−(CH 2 ) 8 −COOH] was used. A deposited film was produced using a vacuum evaporation apparatus as follows. Approximately 50 mg of diacetylene monomer was placed in a molybdenum boat 2x
It was heated to 80° C. under a vacuum of 10 -5 torr and deposited on a 25 mm x 25 mm quartz glass to produce a diacetylene monomer vapor deposited film with a thickness of 1.0 μm.

この蒸着膜に高圧水銀ランプにバンドバスフイ
ルター(UV−D33S)を用いて得られる紫外光
(240〜240nm)を20mW/cm2、30分間照射し、
モノマーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜
を形成した。このポリジアセチレンの吸収スペク
トル及び共鳴ラマンスペクトルを第3図に線aで
示す。スペクトルよりこのポリジアセチレンはA
型結合であつた。
This vapor-deposited film was irradiated with ultraviolet light (240 to 240 nm) obtained using a high-pressure mercury lamp and a bandpass filter (UV-D33S) at 20 mW/cm 2 for 30 minutes.
The monomer was polymerized to form a blue polydiacetylene film. The absorption spectrum and resonance Raman spectrum of this polydiacetylene are shown by line a in FIG. From the spectrum, this polydiacetylene is A
It was a type combination.

次いで紫外光(240〜240nm)を、さらにポリ
ジアセチレン薄膜に照射した。3×10-6ジユー
ル/μm2のエネルギーを照射したポリジアセチレ
ンは第3図に線bで示すようにB型結合へ変化し
ていた。A型結合よりB型結合への変化は、照射
エネルギーに依存することがわかつた。7.0×
10-7ジユール/μm2より変化が開始し、2.6×
10-6ジユール/μm2で終了した(第6図)。この
時の光学密度の変化は640nmにおいて1.1〜0.2、
552nmにおいて0.6〜1.1であつた。
The polydiacetylene thin film was then further irradiated with ultraviolet light (240-240 nm). The polydiacetylene irradiated with energy of 3×10 −6 Joule/μm 2 changed to a B-type bond as shown by line b in FIG. 3. It was found that the change from A-type bond to B-type bond depends on irradiation energy. 7.0×
Change starts from 10 -7 Joule/μm 2 , 2.6×
It was finished at 10 -6 Joule/μm 2 (Figure 6). The change in optical density at this time is 1.1 to 0.2 at 640 nm,
It was 0.6 to 1.1 at 552 nm.

1.0μm径の紫外光(240〜400nm)のビームを
ポリジアセチレンに走査しつつ照射したところほ
ぼ1.0μm幅の明瞭なパターンが形成された。
When polydiacetylene was scanned and irradiated with a beam of ultraviolet light (240 to 400 nm) with a diameter of 1.0 μm, a clear pattern with a width of approximately 1.0 μm was formed.

実施例 2 実施例1と同様にして、10,12−ジインペンタ
コサ酸〔CH3−(CH211−C≡C−C≡C−
(CH28−COOH〕の蒸着膜を重合したポリジア
セチレン薄膜を形成した。第4図に線aで示すよ
うにこのポリジアセチレンA型結合であつた。ま
た、ヒステレシスを示すことを確認した。ただし
昇温、冷却は1.0℃/minで行つた(第7図)。
Example 2 In the same manner as in Example 1, 10,12-diimpentacosaic acid [CH 3 -(CH 2 ) 11 -C≡C-C≡C-
( CH2 ) 8 -COOH] was polymerized to form a polydiacetylene thin film. As shown by line a in FIG. 4, this polydiacetylene was A type bond. It was also confirmed that hysteresis was exhibited. However, the temperature was raised and cooled at a rate of 1.0°C/min (Figure 7).

Arレーザー光(488nm)をポリジアセチレン
薄膜に照射した。1×10-6W/μm2を照射したポ
リジアセチレンは第4図に線bで示すようにA型
結合よりB型結合へ変化していた。この時の光学
密度の変化は0.52であつた。1.0μm径のArレーザ
ー光(5145Å)ビームをポリジアセチレン薄膜に
走査しつつ照射したところほぼ1.0μm幅の領域が
B型結合に変化した明瞭なパターンが形成され
た。
The polydiacetylene thin film was irradiated with Ar laser light (488 nm). Polydiacetylene irradiated with 1×10 -6 W/μm 2 had a change from A-type bond to B-type bond, as shown by line b in FIG. The change in optical density at this time was 0.52. When a polydiacetylene thin film was scanned and irradiated with an Ar laser beam (5145 Å) with a diameter of 1.0 μm, a clear pattern was formed in which a region approximately 1.0 μm wide was converted into B-type bonds.

3−5 発明の効果 本発明の効果は次の通りである。3-5 Effects of invention The effects of the present invention are as follows.

(i) 高速で書込(記録)できる。(i) Can write (record) at high speed.

(ii) 高密度に、二次元または多次元に記録でき
る。
(ii) can be recorded in two or multiple dimensions with high density;

室温にて記録を安定に保存できる。 Records can be stored stably at room temperature.

(ii) 記録部と未記録部の光学的コントラストが大
きい。
(ii) The optical contrast between recorded and unrecorded areas is large.

(iv) 書換ができる。(iv) Can be rewritten.

(v) 無毒性である。(v) Non-toxic.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はアセチレン型結合とブタトリエン型結
合を示す説明図、第2図はポテンシヤルエネルギ
ー曲線とヒステレシス曲線を示す説明図、第3
図、第4図は夫々実施例1、実施例2で得られた
本発明の光吸収スペクトル図、第5図は実施例1
で得られた本発明の共鳴ラマン散乱スペクトル
図、第6図は照射エネルギーによるA型よりB型
への変化の様子を示すグラフ、第7図は加熱によ
るA型よりB型への変化及びそのヒステレシスを
示すグラフである。
Figure 1 is an explanatory diagram showing an acetylene type bond and a butatriene type bond, Figure 2 is an explanatory diagram showing a potential energy curve and a hysteresis curve, and Figure 3 is an explanatory diagram showing a potential energy curve and a hysteresis curve.
Figure 4 is a light absorption spectrum diagram of the present invention obtained in Example 1 and Example 2, respectively, and Figure 5 is a diagram of the light absorption spectrum of the present invention obtained in Example 1.
Fig. 6 is a graph showing the change from type A to type B due to irradiation energy, and Fig. 7 is a graph showing the change from type A to type B due to heating and its change. It is a graph showing hysteresis.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 基板上に蒸着又は溶液塗布によつてジアセチ
レンモノマー薄層を形成し、重合せしめたポリジ
アセチレン薄膜に光学的局部的に印加することに
より、ポリジアセチレンの主鎖構造に局部的に変
化を生じせしめて情報を記録してなる光記録媒
体。
1 Forming a diacetylene monomer thin layer on a substrate by vapor deposition or solution coating, and locally applying optical power to the polymerized polydiacetylene thin film to cause local changes in the main chain structure of polydiacetylene. An optical recording medium that records information.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2004030919A1 (en) * 2002-09-30 2006-02-02 松下電器産業株式会社 Optical information record carrier and recording / reproducing apparatus using the same
JP5104532B2 (en) * 2008-05-12 2012-12-19 ソニー株式会社 Optical information recording medium and two-photon absorption material

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5642229A (en) * 1979-06-25 1981-04-20 University Patents Inc New photooresist composition
JPS58111029A (en) * 1981-12-24 1983-07-01 Kureha Chem Ind Co Ltd Manufacture of built-up film of diacetylene compound
JPS5984909A (en) * 1982-09-29 1984-05-16 チバ−ガイギ−・アクチエンゲゼルシヤフト Polymerizable composition, material coated therewith and use
JPS61137781A (en) * 1984-12-10 1986-06-25 Agency Of Ind Science & Technol Recording medium
JPS61138236A (en) * 1984-12-10 1986-06-25 Agency Of Ind Science & Technol Display element

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5642229A (en) * 1979-06-25 1981-04-20 University Patents Inc New photooresist composition
JPS58111029A (en) * 1981-12-24 1983-07-01 Kureha Chem Ind Co Ltd Manufacture of built-up film of diacetylene compound
JPS5984909A (en) * 1982-09-29 1984-05-16 チバ−ガイギ−・アクチエンゲゼルシヤフト Polymerizable composition, material coated therewith and use
JPS61137781A (en) * 1984-12-10 1986-06-25 Agency Of Ind Science & Technol Recording medium
JPS61138236A (en) * 1984-12-10 1986-06-25 Agency Of Ind Science & Technol Display element

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