JPH05197994A - Noise reduction circuit for semiconductor laser and optical disk device - Google Patents

Noise reduction circuit for semiconductor laser and optical disk device

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JPH05197994A
JPH05197994A JP4028847A JP2884792A JPH05197994A JP H05197994 A JPH05197994 A JP H05197994A JP 4028847 A JP4028847 A JP 4028847A JP 2884792 A JP2884792 A JP 2884792A JP H05197994 A JPH05197994 A JP H05197994A
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JP
Japan
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semiconductor laser
focus
high frequency
circuit
frequency current
Prior art date
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Application number
JP4028847A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuaki Sakurai
樹明 桜井
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a stable light source even against the fluctuation in the quantity of return light by increasing the superposed quantity of high-frequency currents by a high-frequency superposing circuit at the time of focus control setting by a focus servo system. CONSTITUTION:A control signal is outputted from a CPU 22 to light a laser 1 while the laser 1 is not lighted. The high-frequency currents are so controlled that the amplitude thereof increases by applying data from the CPU 22 to a D/A converter 24. A focus control circuit 19 is controlled by the CPU 22 in the state, by which focus setting is executed and the focus control is turned on. The data is again transferred to the converter 24 and the amplitude of the high-frequency currents is decreased. The track control is thereafter turned on and is operated, by which the amplitude of the high-frequency currents is controlled. Namely, the superposing quantity of the high-frequency currents is increased only at the time of the focus setting and, therefore, the unnecessary heat generation of the high-frequency superposing circuit 23 is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク装置やレ
ーザプリンタ、光カードドライブ装置等の光源として半
導体レーザを備えた電子装置における半導体レーザのノ
イズ低減回路および光ディスク装置に係り、特に、フォ
ーカス引き込み動作中や、引き込み後のトラックをまた
ぐことによって生じる大幅な戻り光量の変動に対しても
十分に安定した半導体レーザの発光パワーが得られるよ
うにした半導体レーザのノイズ低減回路および光ディス
ク装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser noise reduction circuit and an optical disk device in an electronic device having a semiconductor laser as a light source for an optical disk device, a laser printer, an optical card drive device, and the like, and more particularly to a focus pull-in operation. The present invention relates to a noise reduction circuit for a semiconductor laser and an optical disk device, which can obtain a sufficiently stable emission power of a semiconductor laser even when a large amount of return light changes due to crossing a track after being pulled in.

【0002】[0002]

【従来の技術】光源として半導体レーザを備えた電子装
置においては、情報記録媒体から反射光(戻り光)によ
って半導体レーザのノイズが著しく増加する場合があ
る。半導体レーザの場合、戻り光によって常にノイズが
増大するとは限らない。例えば、ディスクの反射率、周
囲温度、半導体レーザの発光パワー、半導体レーザの特
性のバラつき等の種々の条件で、ノイズが増大したり、
しなかったりするので、一様ではない。
2. Description of the Related Art In an electronic device having a semiconductor laser as a light source, the noise of the semiconductor laser may remarkably increase due to reflected light (return light) from an information recording medium. In the case of a semiconductor laser, the returned light does not always increase noise. For example, the noise increases under various conditions such as the reflectance of the disk, the ambient temperature, the emission power of the semiconductor laser, the variations in the characteristics of the semiconductor laser,
It doesn't do so, so it's not uniform.

【0003】そして、半導体レーザのノイズが増大する
と、情報記録媒体に記録された信号を正しく読出すこと
ができなくなる。ここで、従来の半導体レーザの出射パ
ワーと、戻り光に対する発光パワーの変動について説明
する。
When the noise of the semiconductor laser increases, it becomes impossible to correctly read the signal recorded on the information recording medium. Here, the emission power of the conventional semiconductor laser and the variation of the emission power with respect to the return light will be described.

【0004】半導体レーザを定電流によって駆動した場
合に、温度に変化がなければ、一定パワーで点灯する。
なお、実際上は、寿命による劣化も影響するが、ここで
は考慮しない場合である。図5は、半導体レーザの出射
パワーと、戻り光に対する発光パワーの関係の一例を示
す図である。図の横軸は出射パワー、縦軸はパワー増加
率を示す。
When the semiconductor laser is driven by a constant current, if the temperature does not change, the semiconductor laser is turned on with a constant power.
It should be noted that in reality, deterioration due to life has an influence, but this is not taken into consideration here. FIG. 5 is a diagram showing an example of the relationship between the emission power of the semiconductor laser and the emission power for the return light. The horizontal axis of the figure shows the emission power, and the vertical axis shows the power increase rate.

【0005】この図5では、一例として、出射光量に対
する戻り光量が4%の場合を示しており、横軸は、戻り
光がないときの半導体レーザ出射パワーである。また、
縦軸は、戻り光があるときのパワー増加率である。
In FIG. 5, as an example, the case where the amount of return light with respect to the amount of emitted light is 4% is shown, and the horizontal axis represents the semiconductor laser emission power when there is no returned light. Also,
The vertical axis represents the power increase rate when there is return light.

【0006】このように、半導体レーザの戻り光によっ
て、発光パワーが変動すると、例えばフォーカス引き込
み動作が困難になる。ここでは、非点収差法によるフォ
ーカス信号の検出について説明する。
If the emission power fluctuates due to the return light of the semiconductor laser, for example, the focus pull-in operation becomes difficult. Here, detection of the focus signal by the astigmatism method will be described.

【0007】図6は、非点収差法によるフォーカス信号
検出系と検出回路、およびその動作を説明する図で、
(1) は合焦位置よりも近い場合、(2) は合焦位置の場
合、(3)は合焦位置よりも遠い場合、(4) は合焦位置よ
りも近い場合の受光素子上のスポット、(5) は合焦位置
の場合の受光素子上のスポット、(6) は合焦位置よりも
遠い場合の受光素子上のスポットを示す。図において、
31は円筒レンズ、32は検出レンズ、33は対物レン
ズ、34はディスク、35は受光素子で、A〜Dはその
各4分割受光素子、36と37は加算回路、38は減算
回路を示し、また、Sは検出レンズ32と円筒レンズ3
1の合成焦点、Mは検出レンズ32の焦点、Fは4分割
受光素子の位置、S′,M′,F′は合焦位置よりも近
い場合のS,M,F、S″,M″,F″は合焦位置より
も遠い場合のS,M,Fを示す。
FIG. 6 is a diagram for explaining the focus signal detection system and the detection circuit by the astigmatism method, and the operation thereof.
If (1) is closer to the focus position, (2) is the focus position, (3) is farther than the focus position, and (4) is closer to the focus position on the light receiving element. The spot, (5) indicates the spot on the light receiving element at the focus position, and (6) indicates the spot on the light receiving element at a position farther from the focus position. In the figure,
Reference numeral 31 is a cylindrical lens, 32 is a detection lens, 33 is an objective lens, 34 is a disk, 35 is a light receiving element, A to D are each four-division light receiving elements, 36 and 37 are addition circuits, and 38 is a subtraction circuit, Further, S is the detection lens 32 and the cylindrical lens 3
1 is the combined focus, M is the focus of the detection lens 32, F is the position of the 4-division light receiving element, and S ', M', F'are S, M, F, S ", M" when they are closer than the in-focus position. , F ″ represent S, M and F when the focus position is farther.

【0008】非点収差法によるフォーカス信号の検出系
は、この図6(1) 〜(3) に示すような構成であり、その
検出回路は、図6(4) に示すような構成である。この図
6(1) 〜(6) のようなフォーカス信号検出系と検出回路
によって、フォーカス信号Fe=(A+B)−(C+
D)の他に、フォーカス信号の和信号を検出する。
The focus signal detection system by the astigmatism method has the structure shown in FIGS. 6 (1) to 6 (3), and its detection circuit has the structure shown in FIG. 6 (4). .. With the focus signal detection system and the detection circuit as shown in FIGS. 6 (1) to 6 (6), the focus signal Fe = (A + B)-(C +
In addition to D), the sum signal of the focus signals is detected.

【0009】図7は、非点収差法によるフォーカス信号
検出系における和信号とフォーカス信号のS字曲線とを
示す図である。図の横軸は焦点ずれ(μm)、縦軸は焦
点信号(V)を示す。
FIG. 7 is a diagram showing the sum signal and the S-shaped curve of the focus signal in the focus signal detection system by the astigmatism method. In the figure, the horizontal axis represents defocus (μm) and the vertical axis represents the focus signal (V).

【0010】非点収差法によるフォーカス信号の検出系
では、この図7に示すように、焦点が合焦位置からずれ
ると、フォーカス信号がS字状に変化する。実際にフォ
ーカス引き込みを行う場合には、このようなフォーカス
信号Feの他に、4分割受光素子の和信号を検出し、こ
の和信号が所定値以上になったときに、フォーカスサー
ボを引き込むようにしている。
In the focus signal detection system based on the astigmatism method, as shown in FIG. 7, when the focus deviates from the in-focus position, the focus signal changes into an S shape. When actually performing the focus pull-in, in addition to such a focus signal Fe, a sum signal of the four-division light receiving element is detected, and the focus servo is pulled in when the sum signal exceeds a predetermined value. ing.

【0011】ところが、この和信号は、ディスク34の
ガラス表面でも生じるので、先の図6に示したように、
戻り光によって半導体レーザの発光パワー(出射パワ
ー)が増大すると、ディスク34の表面にフォーカス引
き込みを行ってしまう、という恐れがある。また、も
し、ディスク表面でのフォーカス信号の和信号が十分に
小さくても、実際の記録面にフォーカスしたときには、
半導体レーザの発光パワーの増大を生じるので、図7に
示したS字曲線の傾きが変動するので、結果としてフォ
ーカスサーボ系のゲイン変動が発生し、フォーカス引き
込みが困難になる、という恐れもある。
However, since this sum signal also occurs on the glass surface of the disk 34, as shown in FIG.
If the light emission power (emission power) of the semiconductor laser increases due to the return light, there is a fear that the surface of the disk 34 may be focused. In addition, even if the sum signal of the focus signals on the disc surface is sufficiently small, when focusing on the actual recording surface,
Since the emission power of the semiconductor laser increases, the slope of the S-shaped curve shown in FIG. 7 changes, and as a result, the gain of the focus servo system changes, which may make it difficult to pull in the focus.

【0012】このような問題を解決するために、従来の
半導体レーザのノイズ低減方法として、例えば、高周波
電流重畳法による半導体レーザ搭載ビデオディスクプレ
ーヤのノイズ低減化方式が提案されている(学会誌「光
学」第14巻第5号,1985年10月号,377〜3
84頁)。
In order to solve such a problem, as a conventional noise reduction method for a semiconductor laser, for example, a noise reduction method for a semiconductor laser-mounted video disk player by a high frequency current superposition method has been proposed (Journal of the Society). Optics "Vol. 14, No. 5, October 1985, 377-3
84).

【0013】しかし、この高周波電流重畳法では、重畳
する電流の周波数が数百MHzと高くする必要があるの
で、高周波電流を重畳するための回路をシールドケース
内に入れたり、半導体レーザまでの配線の距離を極力短
くするために、回路のすぐ近くに半導体レーザを配置し
なけれなならない。したがって、高周波重畳回路におい
て発生した熱が、半導体レーザに伝わってその温度が上
昇し、通常の動作温度に比べて半導体レーザの寿命が短
くなる、という不都合を生じる。
However, in this high-frequency current superposition method, the frequency of the superposed current needs to be as high as several hundred MHz, so a circuit for superposing the high-frequency current is put in a shield case, or wiring to the semiconductor laser is performed. In order to minimize the distance between the two, the semiconductor laser must be placed in the immediate vicinity of the circuit. Therefore, the heat generated in the high-frequency superposition circuit is transmitted to the semiconductor laser and its temperature rises, which causes a disadvantage that the life of the semiconductor laser becomes shorter than the normal operating temperature.

【0014】以上のような理由によって、高周波電流と
して半導体レーザに重畳する電流振幅は可能な限り小さ
い方が好ましいが、変調度依存性から、所定のノイズ特
性を得るためには、所定の電流振幅が必要であることが
知られている。ところが、以上に述べた問題点は、いず
れも静的なノイズの評価によるものである。
For the above reasons, it is preferable that the current amplitude superimposed on the semiconductor laser as a high frequency current is as small as possible. However, due to the modulation degree dependency, in order to obtain a predetermined noise characteristic, a predetermined current amplitude is obtained. Are known to be necessary. However, the problems described above are all due to static noise evaluation.

【0015】このように、従来の半導体レーザのノイズ
低減方法では、フォーカス引き込み動作中や、引き込み
後のトラックをまたぐことによって生じる大幅な戻り光
量の変化に対する発光パワーの変動については、何ら考
慮されておらず、実際のフォーカス引き込み時には、安
定な動作が行えない、という不都合があった。
As described above, in the conventional semiconductor laser noise reduction method, no consideration is given to the fluctuation of the emission power with respect to a large change in the amount of return light which occurs during the focus pull-in operation or when the track is crossed after the pull-in operation. However, there is an inconvenience that stable operation cannot be performed when the focus is actually drawn.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】この発明では、従来の
半導体レーザのノイズ低減方法におけるこれらの不都合
を解決し、フォーカス引き込み動作中や、引き込み後の
トラックをまたぐことによって生じる大幅な戻り光量の
変動に対しても十分に安定した半導体レーザの発光パワ
ーが得られるように、高周波電流の重畳を行い、かつ、
トラックサーボが動作した後は、発熱の少ない高周波重
畳回路が実現されるようにした半導体レーザのノイズ低
減回路および光ディスク装置を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In the present invention, these disadvantages of the conventional semiconductor laser noise reduction method are solved, and a large fluctuation in the amount of return light that occurs during focus pull-in operation or when crossing over a track after pull-in is performed. In order to obtain a sufficiently stable semiconductor laser emission power, a high frequency current is superposed, and
It is an object of the present invention to provide a noise reduction circuit for a semiconductor laser and an optical disc device, which realizes a high frequency superposition circuit that generates less heat after the track servo operates.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】この発明は、第1に、光
ディスク装置の光源である半導体レーザのノイズ低減回
路において、前記半導体レーザに高周波電流を重畳する
電流を可変制御する高周波重畳回路と、前記半導体レー
ザから出射された光を光ディスク上に集光するフォーカ
スサーボ系、とを備え、該フォーカスサーボ系によるフ
ォーカス制御引き込み時には、前記高周波重畳回路によ
る高周波電流の重畳量を多くするように構成している。
According to a first aspect of the present invention, in a noise reduction circuit of a semiconductor laser which is a light source of an optical disk device, a high frequency superimposing circuit for variably controlling a current for superimposing a high frequency current on the semiconductor laser, A focus servo system for condensing light emitted from the semiconductor laser on an optical disk, and configured to increase a superposition amount of a high frequency current by the high frequency superposition circuit when pulling in focus control by the focus servo system. ing.

【0018】第2に、光ディスク装置の光源である半導
体レーザのノイズ低減回路において、前記半導体レーザ
に高周波電流を重畳する電流を可変制御する高周波電流
重畳回路と、前記半導体レーザから出射された光を光デ
ィスク上のトラックに追従させるトラックサーボ系、と
を備え、該トラックサーボ系によるトラック制御状態以
外の状態では、前記高周波重畳回路による高周波電流の
重畳量を多くするように構成している。
Secondly, in a noise reduction circuit of a semiconductor laser which is a light source of an optical disk device, a high frequency current superimposing circuit for variably controlling a current for superimposing a high frequency current on the semiconductor laser, and a light emitted from the semiconductor laser. A track servo system that follows tracks on the optical disk is provided, and in a state other than the track control state by the track servo system, the superposition amount of the high frequency current by the high frequency superposition circuit is increased.

【0019】第3に、光ディスク装置において、光源で
ある半導体レーザに高周波電流を重畳する電流を可変制
御する高周波電流重畳回路と、前記半導体レーザから出
射された光を光ディスク上に集光するフォーカスサーボ
系、とを備え、該フォーカスサーボ系によるフォーカス
制御引き込み時のエラーが生じたときは、前記高周波重
畳回路による高周波電流の重畳量を多くするように構成
している。
Thirdly, in the optical disk device, a high frequency current superimposing circuit for variably controlling a current for superimposing a high frequency current on a semiconductor laser as a light source, and a focus servo for condensing the light emitted from the semiconductor laser on the optical disk. And a system for increasing the superposition amount of the high frequency current by the high frequency superposition circuit when an error occurs when the focus control system pulls in the focus control system.

【0020】[0020]

【作用】この発明では、高周波電流の振幅を大きくした
とき、発光パワーの変動が小さくなるように制御すれ
ば、実質的なノイズを減少することができる、という点
に着目している。次に、その原理を説明する。
In the present invention, attention is paid to the point that substantial noise can be reduced by controlling so that the fluctuation of the light emission power becomes small when the amplitude of the high frequency current is increased. Next, the principle will be described.

【0021】先の図5に示したように、半導体レーザの
戻り光に対する発光パワーの変動状態は、発光パワーが
大きくなるほど少なくなる。ここで、半導体レーザの電
流−発光特性(I−L特性)について説明する。
As shown in FIG. 5, the fluctuation state of the emission power with respect to the return light of the semiconductor laser decreases as the emission power increases. Here, the current-light emission characteristics (IL characteristics) of the semiconductor laser will be described.

【0022】図2は、半導体レーザの電流−発光特性の
一例を示す図である。図の横軸は電流、縦軸は発光パワ
ーを示す。
FIG. 2 is a diagram showing an example of current-light emission characteristics of a semiconductor laser. In the figure, the horizontal axis represents current and the vertical axis represents emission power.

【0023】この図2では、高周波電流I1 とI2 の場
合を示しており、I1 <I2 の関係であるとする。そし
て、高周波電流I1 のとき、図2の平均パワー〔P〕と
なるように、直流電流I(dc1)を設定すると、そのピー
クパワーはP1 になる。
FIG. 2 shows the case of high-frequency currents I 1 and I 2 , and the relationship of I 1 <I 2 is assumed. Then, when the direct current I (dc1) is set so as to have the average power [P] of FIG. 2 at the high frequency current I 1 , the peak power becomes P 1 .

【0024】次に、高周波電流I2 のときも、同じ平均
パワー〔P〕となるように、直流電流I(dc2)を設定す
れば、そのピークパワーのP2 が得られる。この場合の
電流制御、すなわち、直流電流I(dc1)とI(dc2)との
変化は、半導体レーザ制御回路(後出の図1の6)の制
御によって行われる。
Next, when the direct current I (dc2) is set so that the average power [P] is the same even at the high frequency current I 2 , the peak power P 2 can be obtained. The current control in this case, that is, the change of the direct currents I (dc1) and I (dc2) is performed by the control of the semiconductor laser control circuit (6 in FIG. 1 described later).

【0025】このように、高周波電流の振幅を大きくす
ると、発光パワーのピーク値が大きくなり、かつ、実際
に発光している時間も減少する制御が可能になる。すな
わち、実際の発光パワーは大きくなり、しかも、戻り光
に対する影響も少なくなると共に、発光時間も短くな
る。
As described above, when the amplitude of the high frequency current is increased, the peak value of the light emission power is increased and the time during which light is actually emitted can be reduced. That is, the actual light emission power is increased, the influence on the return light is reduced, and the light emission time is shortened.

【0026】したがって、平均パワーとしての変動量が
小さくなり、同時にノイズも、平均的に少なくなる。こ
の発明の半導体レーザのノイズ低減回路では、以上のよ
うな点に着目している。
Therefore, the fluctuation amount as the average power becomes small, and at the same time, the noise also becomes small on average. The semiconductor laser noise reduction circuit of the present invention pays attention to the above points.

【0027】[0027]

【実施例1】この発明の半導体レーザのノイズ低減回路
について、図面を参照しながら、その実施例を詳細に説
明する。この実施例は、請求項1と請求項2の発明に対
応している。
First Embodiment A semiconductor laser noise reduction circuit of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. This embodiment corresponds to the inventions of claims 1 and 2.

【0028】図1は、この発明の半導体レーザのノイズ
低減回路について、その要部構成の一実施例を示す機能
ブロック図である。図において、1は半導体レーザ、2
はカップリングレンズ、3はビームスプリッタ、4は第
1の集光レンズ、5はパワーモニタ用受光素子、6は半
導体レーザ制御回路、7は半導体レーザ駆動回路、8は
対物レンズ、9は光磁気ディスク、10は第2の集光レ
ンズ、11は1/2λ板、12は偏光ビームスプリッ
タ、13はトランジスタ用受光素子、14はトラック制
御回路、15はトラック用駆動回路、16はトラッキン
グ・アクチュエータ、17はシリンドリカルレンズ、1
8はフォーカス用受光素子、19はフォーカス制御回
路、20はフォーカス用駆動回路、21はフォーカス・
アクチュエータ、22はCPU、23は高周波重畳回路
で、23aはその高周波発振回路、23bは増幅回路、
24はD/A変換器、25はコンデンサを示す。
FIG. 1 is a functional block diagram showing an embodiment of the main configuration of a noise reduction circuit for a semiconductor laser according to the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor laser, 2
Is a coupling lens, 3 is a beam splitter, 4 is a first condenser lens, 5 is a light receiving element for power monitoring, 6 is a semiconductor laser control circuit, 7 is a semiconductor laser drive circuit, 8 is an objective lens, and 9 is magneto-optical. Disk 10, 10 is a second condenser lens, 11 is a 1 / 2λ plate, 12 is a polarization beam splitter, 13 is a light receiving element for a transistor, 14 is a track control circuit, 15 is a track drive circuit, 16 is a tracking actuator, 17 is a cylindrical lens, 1
8 is a light receiving element for focus, 19 is a focus control circuit, 20 is a drive circuit for focus, 21 is a focus
An actuator, 22 is a CPU, 23 is a high-frequency superimposing circuit, 23a is its high-frequency oscillation circuit, 23b is an amplifying circuit,
24 is a D / A converter, and 25 is a capacitor.

【0029】最初に、従来と共通する動作から説明す
る。半導体レーザ1から出射された光は、カップリング
レンズ2によって平行光とされ、ビームスプリッタ3に
より分離される。そして、一方の光は、第1の集光レン
ズ4によって、パワーモニタ用受光素子5に集光され
る。
First, the operation common to the conventional one will be described. The light emitted from the semiconductor laser 1 is collimated by the coupling lens 2 and separated by the beam splitter 3. Then, one of the lights is condensed by the first condenser lens 4 on the power monitor light-receiving element 5.

【0030】パワーモニタ用受光素子5の出力は、半導
体レーザ制御回路6へ与えられ、半導体レーザ駆動回路
7を介して、半導体レーザ1の光量を制御する。また、
ビームスプリッタ3によって分離された他方の光は、対
物レンズ8によって集光され、情報記録媒体である光磁
気ディスク9に照射される。
The output of the light receiving element 5 for power monitor is given to the semiconductor laser control circuit 6, and the light quantity of the semiconductor laser 1 is controlled via the semiconductor laser drive circuit 7. Also,
The other light separated by the beam splitter 3 is condensed by the objective lens 8 and applied to the magneto-optical disk 9 which is an information recording medium.

【0031】この光磁気ディスク9からの反射光は、再
び、対物レンズ8、ビームスプリッタ3を通って、第2
の集光レンズ10で集光され、1/2λ板11を介して
偏光ビームスプリッタ12へ入射される。そして、偏光
ビームスプリッタ12により、P偏光成分とS偏光成分
とに分離される。
The reflected light from the magneto-optical disk 9 again passes through the objective lens 8 and the beam splitter 3 and is then returned to the second
The light is condensed by the condenser lens 10 and is incident on the polarization beam splitter 12 through the 1 / 2λ plate 11. Then, the polarization beam splitter 12 separates the P-polarized component and the S-polarized component.

【0032】偏光ビームスプリッタ12によって分離さ
れた一方の光は、トランジスタ用受光素子13へ入射さ
れ、その検出出力が、トラック制御回路14、トラック
用駆動回路15を介して、トラッキング・アクチュエー
タ16へ与えられる。このような動作によって、トラッ
キング・アクチュエータ16が駆動され、トラッキング
制御が行われる。
One of the lights separated by the polarization beam splitter 12 is incident on a light receiving element 13 for a transistor, and its detection output is given to a tracking actuator 16 via a track control circuit 14 and a track driving circuit 15. Be done. By such an operation, the tracking actuator 16 is driven and tracking control is performed.

【0033】また、偏光ビームスプリッタ12により分
離された他方の光は、シリンドリカルレンズ17を介し
て、フォーカス用受光素子18へ入射される。この検出
出力が、フォーカス制御回路19、フォーカス用駆動回
路20を介して、フォーカス・アクチュエータ21へ与
えられ、フォーカス・アクチュエータ21が駆動され
て、フォーカス制御が行われる。
The other light separated by the polarization beam splitter 12 is incident on the light receiving element 18 for focusing through the cylindrical lens 17. This detection output is given to the focus actuator 21 via the focus control circuit 19 and the focus drive circuit 20, and the focus actuator 21 is driven to perform focus control.

【0034】この場合に、トラック制御回路14とフォ
ーカス制御回路19は、CPU22によってコントロー
ルされ、トラック制御のオン/オフや、フォーカス制御
のオン/オフ、フォーカス引き込みなどの動作が行われ
る。また、半導体レーザ1は、光磁気ディスク9からの
反射光が戻り、発光出力にノイズが乗るので、これを防
止するために、再生パワー出力時には、高周波重畳回路
23から高周波電流が重畳される。
In this case, the track control circuit 14 and the focus control circuit 19 are controlled by the CPU 22 to perform operations such as turning on / off the track control, turning on / off the focus control, and pulling the focus. Further, in the semiconductor laser 1, reflected light from the magneto-optical disk 9 returns and noise is added to the light emission output. Therefore, in order to prevent this, at the time of reproducing power output, a high frequency current is superposed from the high frequency superposing circuit 23.

【0035】この高周波重畳回路23は、高周波発振回
路23aと増幅回路23bとから構成されており、増幅
回路23bは、D/A変換器24の出力によって増幅度
が制御され、半導体レーザ1に重畳する高周波電流の振
幅がコントロールされる。このD/A変換器24は、C
PU22に接続されており、CPU22によって高周波
電流の振幅がコントロールされる。
The high frequency superimposing circuit 23 is composed of a high frequency oscillating circuit 23a and an amplifying circuit 23b. The amplifying circuit 23b has its amplification degree controlled by the output of the D / A converter 24 and is superposed on the semiconductor laser 1. The amplitude of the high frequency current is controlled. This D / A converter 24 is C
It is connected to the PU 22, and the CPU 22 controls the amplitude of the high frequency current.

【0036】なお、コンデンサ25は、半導体レーザ駆
動回路7の出力を、D/A変換器24へ供給するための
カップリングコンデンサである。以上の動作は、基本的
に従来の装置と同様である。
The capacitor 25 is a coupling capacitor for supplying the output of the semiconductor laser driving circuit 7 to the D / A converter 24. The above operation is basically the same as that of the conventional device.

【0037】この発明の半導体レーザのノイズ低減回路
では、CPU22による高周波電流の振幅のコントロー
ルに特徴を有している。次に、フローチャートによっ
て、その動作を説明する。
The semiconductor laser noise reduction circuit of the present invention is characterized in that the CPU 22 controls the amplitude of the high frequency current. Next, the operation will be described with reference to a flowchart.

【0038】図3は、この発明の半導体レーザのノイズ
低減回路における高周波電流の振幅制御の主要な処理の
流れを示すフローチャートである。図において、#1〜
#5はステップを示す。
FIG. 3 is a flow chart showing the main processing flow of the amplitude control of the high frequency current in the semiconductor laser noise reduction circuit of the present invention. In the figure, # 1
# 5 indicates a step.

【0039】まず、ステップ#1で、半導体レーザ1が
点灯していない状態で、CPU22からコントロール信
号を出力して、半導体レーザ1を点灯する。次のステッ
プ#2で、CPU22からD/A変換器24へデータを
与えて、高周波電流の振幅が大きくなるように制御す
る。
First, in step # 1, while the semiconductor laser 1 is not turned on, the CPU 22 outputs a control signal to turn on the semiconductor laser 1. In the next step # 2, data is given from the CPU 22 to the D / A converter 24 and controlled so that the amplitude of the high frequency current becomes large.

【0040】この状態で、ステップ#3へ進み、CPU
22によってフォーカス制御回路19をコントロール
し、フォーカス引き込みを行って、フォーカス制御をオ
ンにする。次のステップ#4で、D/A変換器24へ再
度データを転送して、高周波電流の振幅を小さくする。
In this state, the process proceeds to step # 3 and the CPU
The focus control circuit 19 is controlled by 22 to perform focus pull-in, and the focus control is turned on. In the next step # 4, the data is transferred again to the D / A converter 24 to reduce the amplitude of the high frequency current.

【0041】その後、ステップ#5で、トラック制御を
オンにして動作させて、次のステップへ進む。以上のス
テップ#1〜#5の処理によって、高周波電流の振幅が
制御される。すなわち、高周波電流の重畳量を多くする
のはフォーカス引き込み時のみとしているので、高周波
重畳回路の不要な発熱が防止されると共に、フォーカス
引き込み時の戻り光の光量の変動に対しても安定な光源
が得られる。
After that, in step # 5, the track control is turned on and operated, and the process proceeds to the next step. The amplitude of the high frequency current is controlled by the processing of steps # 1 to # 5 described above. That is, since the superposition amount of the high-frequency current is increased only when the focus is pulled in, unnecessary heat generation of the high-frequency superposition circuit is prevented, and the light source that is stable against fluctuations in the amount of return light when the focus is pulled in is also provided. Is obtained.

【0042】また、この図3のフローでは、フォーカス
引き込み時のみ、高周波電流の振幅を増加させている場
合であるが、トラック制御がオンになるまで、高周波電
流の振幅を大きくしておくことも可能である。この場合
には、図3のステップ#4とステップ#5とを入れ換え
ればよい。
In the flow of FIG. 3, the amplitude of the high frequency current is increased only when the focus is pulled in. However, the amplitude of the high frequency current may be increased until the track control is turned on. It is possible. In this case, step # 4 and step # 5 in FIG. 3 may be exchanged.

【0043】[0043]

【実施例2】この発明の光ディスク装置について、その
実施例を説明する。この実施例は、請求項3の発明に対
応している。この実施例でも、そのハード構成は、基本
的に先の図1と同様である。
[Embodiment 2] An embodiment of the optical disk device of the present invention will be described. This embodiment corresponds to the invention of claim 3. Also in this embodiment, the hardware configuration is basically the same as that in FIG.

【0044】図4は、この発明の光ディスク装置におけ
る高周波電流の振幅制御の主要な処理の流れを示すフロ
ーチャートである。図において、#11〜#20はステ
ップを示す。
FIG. 4 is a flow chart showing the main processing flow of the amplitude control of the high frequency current in the optical disk device of the present invention. In the figure, # 11 to # 20 indicate steps.

【0045】まず、ステップ#11で、エラーフラグを
リセットする。次のステップ#12で、半導体レーザ1
を点灯する。ステップ#13へ進み、CPU22からD
/A変換器24へデータを与えて、高周波電流の振幅が
小さくなるように制御する。
First, in step # 11, the error flag is reset. In the next step # 12, the semiconductor laser 1
Lights up. Go to step # 13
Data is supplied to the A / A converter 24 so that the amplitude of the high frequency current is controlled to be small.

【0046】ステップ#14で、フォーカス引き込みを
行い、次のステップ#15で、フォーカス引き込みエラ
ーが発生したかどうかチェックする。フォーカス引き込
みエラーが発生したときは、ステップ#16へ進み、エ
ラーフラグをセットする。
In step # 14, focus pull-in is performed, and in the next step # 15, it is checked whether or not a focus pull-in error has occurred. When a focus pull-in error occurs, the process proceeds to step # 16 and the error flag is set.

【0047】ステップ#17で、D/A変換器24へ再
度データを転送して、高周波電流の振幅を大きくする。
その後、再び先のステップ#14へ戻って、フォーカス
引き込みを行う。そして、ステップ#15で、フォーカ
ス引き込みエラーが発生したかチェックした結果、エラ
ーが発生していないときは、次のステップ#18へ進
む。
In step # 17, the data is transferred again to the D / A converter 24 to increase the amplitude of the high frequency current.
After that, the process returns to the previous step # 14 to perform focus pull-in. Then, as a result of checking whether a focus pull-in error has occurred in step # 15, if no error occurs, the process proceeds to the next step # 18.

【0048】ステップ#18で、トラック制御を動作さ
せ、次のステップ#19で、エラーフラグがセットされ
ているかどうかチェックする。もし、エラーフラグがセ
ットされていれば、ステップ#20で、再び、D/A変
換器24へデータを転送して、高周波電流の振幅を小さ
くして、次のステップへ進んで、この図4のフローを終
了する。
In step # 18, the track control is operated, and in the next step # 19, it is checked whether or not the error flag is set. If the error flag is set, in step # 20, the data is transferred again to the D / A converter 24 to reduce the amplitude of the high frequency current, and the process proceeds to the next step. The flow ends.

【0049】また、エラーフラグがセットされていない
ときも、次のステップへ進んで、この図4のフローを終
了する。以上のステップ#11〜#20の処理によっ
て、フォーカス引き込み時にエラーが発生した場合の
み、高周波電流の振幅を大きくすることが可能となり、
高周波電流の無用な増大が防止される。
Also, when the error flag is not set, the process proceeds to the next step and the flow of FIG. 4 is ended. With the above processing of steps # 11 to # 20, it is possible to increase the amplitude of the high frequency current only when an error occurs during focus pull-in.
Unnecessary increase of high frequency current is prevented.

【0050】なお、この第2の実施例では、トラック制
御を動作させた後は、エラーが発生しない限り(エラー
フラグがセットされていないときは常に)、高周波電流
の振幅を小さくしているが、トラックジャンプ等の動作
時に、高周波電流の振幅を増加させることも可能である
から、この発明の光ディスク装置は、これらの場合も包
含するものである。
In the second embodiment, after the track control is operated, the amplitude of the high frequency current is reduced unless an error occurs (when the error flag is not set). Since it is possible to increase the amplitude of the high frequency current during the operation such as track jump, the optical disk device of the present invention includes these cases.

【0051】[0051]

【発明の効果】請求項1の発明では、高周波電流の重畳
量を多くするのはフォーカス引き込み時のみとしている
ので、高周波重畳回路の不要な発熱が防止されると共
に、フォーカス引き込み時の戻り光の光量の変動に対し
ても安定な光源が得られる。
According to the first aspect of the present invention, the amount of superposition of the high frequency current is increased only when the focus is pulled in. Therefore, unnecessary heat generation of the high frequency superposition circuit is prevented and the return light when the focus is pulled in is increased. A stable light source can be obtained even when the light amount changes.

【0052】請求項2の発明では、高周波電流の重畳量
を多くするのはトラック制御状態以外の状態としている
ので、高周波重畳回路の不要な発熱が防止されると共
に、フォーカス引き込み時や、トラック制御前のトラッ
クまたぎ、トラックジャンプの戻り光の光量の変動に対
しても安定な光源が得られる。
According to the second aspect of the present invention, the amount of superposition of the high frequency current is increased in a state other than the track control state. Therefore, unnecessary heat generation of the high frequency superposition circuit is prevented and at the time of focus pull-in and track control. It is possible to obtain a stable light source even with respect to variations in the amount of return light from the previous track straddling or track jumping.

【0053】請求項3の発明では、フォーカス引き込み
時のエラーに応じて、高周波電流の重畳量を変化させる
ので、高周波重畳回路の不要な発熱が先の請求項1の発
明に比べてより少なくなり、しかも、フォーカス引き込
み時やトラック制御前のトラックまたぎの戻り光の光量
の変動に対しても安定な光源が得られる。
In the invention of claim 3, since the amount of superposition of the high frequency current is changed according to the error at the time of pulling in the focus, unnecessary heat generation of the high frequency superposition circuit is reduced as compared with the invention of the first aspect. Moreover, a stable light source can be obtained even when the focus is pulled in or when the amount of return light across the tracks before the track control is changed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の半導体レーザのノイズ低減回路につ
いて、その要部構成の一実施例を示す機能ブロック図で
ある。
FIG. 1 is a functional block diagram showing an embodiment of a main part configuration of a noise reduction circuit for a semiconductor laser according to the present invention.

【図2】半導体レーザの電流−発光特性の一例を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of current-light emission characteristics of a semiconductor laser.

【図3】この発明の半導体レーザのノイズ低減回路にお
ける高周波電流の振幅制御の主要な処理の流れを示すフ
ローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a main processing flow of amplitude control of a high frequency current in the noise reduction circuit for a semiconductor laser according to the present invention.

【図4】この発明の光ディスク装置における高周波電流
の振幅制御の主要な処理の流れを示すフローチャートで
ある。
FIG. 4 is a flowchart showing a main processing flow of amplitude control of a high frequency current in the optical disc device of the present invention.

【図5】半導体レーザの出射パワーと、戻り光に対する
発光パワーの関係の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of the relationship between the emission power of a semiconductor laser and the emission power of return light.

【図6】非点収差法によるフォーカス信号検出系と検出
回路、およびその動作を説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a focus signal detection system and a detection circuit by the astigmatism method, and the operation thereof.

【図7】非点収差法によるフォーカス信号検出系におけ
る和信号とフォーカス信号のS字曲線とを示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a sum signal and an S-shaped curve of a focus signal in a focus signal detection system by the astigmatism method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 カップリングレンズ 3 ビームスプリッタ 4 第1の集光レンズ 5 パワーモニタ用受光素子 6 半導体レーザ制御回路 7 半導体レーザ駆動回路 8 対物レンズ 9 光磁気ディスク 10 第2の集光レンズ 11 1/2λ板 12 偏光ビームスプリッタ 13 トランジスタ用受光素子 14 トラック制御回路 15 トラック用駆動回路 16 トラッキング・アクチュエータ 17 シリンドリカルレンズ 18 フォーカス用受光素子 19 フォーカス制御回路 20 フォーカス用駆動回路 21 フォーカス・アクチュエータ 22 CPU 23 高周波重畳回路 23a 高周波発振回路 23b 増幅回路 24 D/A変換器 1 semiconductor laser 2 coupling lens 3 beam splitter 4 first condensing lens 5 light receiving element for power monitor 6 semiconductor laser control circuit 7 semiconductor laser drive circuit 8 objective lens 9 magneto-optical disk 10 second condensing lens 11 1 / 2λ plate 12 Polarization beam splitter 13 Transistor light receiving element 14 Track control circuit 15 Track driving circuit 16 Tracking actuator 17 Cylindrical lens 18 Focus light receiving element 19 Focus control circuit 20 Focus driving circuit 21 Focus actuator 22 CPU 23 High frequency superposition Circuit 23a High frequency oscillation circuit 23b Amplification circuit 24 D / A converter

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ディスク装置の光源である半導体レー
ザのノイズ低減回路において、 前記半導体レーザに高周波電流を重畳する電流を可変制
御する高周波重畳回路と、 前記半導体レーザから出射された光を光ディスク上に集
光するフォーカスサーボ系、とを備え、 該フォーカスサーボ系によるフォーカス制御引き込み時
には、前記高周波重畳回路による高周波電流の重畳量を
多くすることを特徴とするノイズ低減回路。
1. A noise reduction circuit for a semiconductor laser which is a light source of an optical disk device, wherein a high frequency superimposing circuit for variably controlling a current for superimposing a high frequency current on the semiconductor laser, and light emitted from the semiconductor laser on an optical disk. A noise reduction circuit comprising: a focus servo system for condensing; and a high frequency current superposition amount of the high frequency superposition circuit is increased when the focus control system is pulled in by the focus servo system.
【請求項2】 光ディスク装置の光源である半導体レー
ザのノイズ低減回路において、 前記半導体レーザに高周波電流を重畳する電流を可変制
御する高周波電流重畳回路と、 前記半導体レーザから出射された光を光ディスク上のト
ラックに追従させるトラックサーボ系、とを備え、 該トラックサーボ系によるトラック制御状態以外の状態
では、前記高周波重畳回路による高周波電流の重畳量を
多くすることを特徴とするノイズ低減回路。
2. A noise reduction circuit for a semiconductor laser which is a light source of an optical disk device, wherein a high frequency current superimposing circuit for variably controlling a current for superimposing a high frequency current on the semiconductor laser, and light emitted from the semiconductor laser on an optical disk. And a track servo system that follows the track, and in a state other than the track control state by the track servo system, the superposition amount of the high frequency current by the high frequency superposition circuit is increased.
【請求項3】 光ディスク装置において、 光源である半導体レーザに高周波電流を重畳する電流を
可変制御する高周波電流重畳回路と、 前記半導体レーザから出射された光を光ディスク上に集
光するフォーカスサーボ系、とを備え、 該フォーカスサーボ系によるフォーカス制御引き込み時
のエラーが生じたときは、前記高周波重畳回路による高
周波電流の重畳量を多くしてリトライすることを特徴と
する光ディスク装置。
3. In an optical disk device, a high-frequency current superimposing circuit for variably controlling a current for superimposing a high-frequency current on a semiconductor laser as a light source, a focus servo system for condensing light emitted from the semiconductor laser on an optical disk, And an optical disc device, wherein when an error occurs when pulling in the focus control by the focus servo system, the amount of superposition of the high frequency current by the high frequency superposition circuit is increased and the optical disc device is retried.
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