JPH05195221A - Vacuum film forming device - Google Patents
Vacuum film forming deviceInfo
- Publication number
- JPH05195221A JPH05195221A JP25463592A JP25463592A JPH05195221A JP H05195221 A JPH05195221 A JP H05195221A JP 25463592 A JP25463592 A JP 25463592A JP 25463592 A JP25463592 A JP 25463592A JP H05195221 A JPH05195221 A JP H05195221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- film thickness
- thin film
- roll
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は真空成膜装置に関する。
更に詳しくは、珪素酸化物、マグネシウム酸化物、アル
ミニウム酸化物等の透明化合物の薄膜を透明プラスチッ
クフィルム上に成膜するに際し、成膜された薄膜の膜厚
をリアルタイムに確認しながら成膜する装置と所望の膜
厚を成膜できる装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum film forming apparatus.
More specifically, a device for forming a thin film of a transparent compound such as silicon oxide, magnesium oxide, or aluminum oxide on a transparent plastic film while confirming the thickness of the formed thin film in real time. And an apparatus capable of forming a desired film thickness.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から長尺の透明プラスチックフィル
ムを真空系内に走行させながらその表面に一酸化珪素、
酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物の
透明化合物の薄膜を成膜する方法は良く知られており、
得られる透明フィルムは酸素等の各種の気体に対して遮
断性を有することから、食品用の包装材料等に使用され
ている。この金属酸化物の透明な薄膜はその膜厚によっ
て物性が異なることから、真空系内で成膜すると共に、
その同じ真空系内に膜厚検出装置を設けてリアルタイム
に膜厚を測定し、仮に所望の膜厚が得られていない場合
には長尺の透明プラスチックフィルムの走行速度等を変
更している。2. Description of the Related Art Conventionally, while running a long transparent plastic film in a vacuum system, silicon monoxide on its surface,
A method for forming a thin film of a transparent compound of a metal oxide such as magnesium oxide or aluminum oxide is well known,
The obtained transparent film has a property of blocking various gases such as oxygen, and thus is used as a packaging material for foods and the like. Since the transparent thin film of this metal oxide has different physical properties depending on its thickness, it is formed in a vacuum system.
A film thickness detection device is provided in the same vacuum system to measure the film thickness in real time, and if the desired film thickness is not obtained, the running speed of the long transparent plastic film is changed.
【０００３】上記一酸化珪素は、透明とはいうものの僅
かに可視光線の短波長側に吸収があって着色している。
このため、この吸収波長の光線を照射してその透過率を
測定することにより上記膜厚が算出できる。しかし、こ
の吸収は、一酸化珪素の最大吸収波長を有する特性吸収
域ではないため、透過率から精度よく膜厚を算出できて
いるとは言い難い。Although the above-mentioned silicon monoxide is transparent, it slightly absorbs visible light on the short wavelength side and is colored.
Therefore, the film thickness can be calculated by irradiating the light having the absorption wavelength and measuring the transmittance thereof. However, since this absorption is not in the characteristic absorption region having the maximum absorption wavelength of silicon monoxide, it cannot be said that the film thickness can be accurately calculated from the transmittance.
【０００４】一方、マグネシウム酸化物やアルミニウム
酸化物の薄膜は、その無色透明な性質のために可視光線
による膜厚測定ができず、一旦真空系内で成膜した後、
真空系内から大気中に取り出して膜厚測定していた。こ
のため、仮に所望の膜厚と異なる薄膜が成膜されていた
場合でも、リアルタイムにその事実を把握することがで
きず、大量の不良品を製造する結果となっていた。On the other hand, thin films of magnesium oxide and aluminum oxide cannot be measured in visible light because of their colorless and transparent properties, and once formed in a vacuum system,
The film thickness was measured by taking out from the vacuum system into the atmosphere. Therefore, even if a thin film different from the desired film thickness is formed, the fact cannot be grasped in real time, resulting in the production of a large amount of defective products.
【０００５】以上の様に、一酸化珪素はリアルタイムで
精度の良い膜厚測定が行なわれている訳ではなく、ま
た、マグネシウム酸化物、アルミニウム酸化物ではリア
ルタイムで膜厚測定する手段がない。よって薄膜の品質
管理において大きな問題となっており、リアルタイムで
精度良く薄膜の膜厚を測定する手段が望まれていた。As described above, the film thickness of silicon monoxide is not accurately measured in real time, and there is no means for measuring the film thickness of magnesium oxide and aluminum oxide in real time. Therefore, it has become a big problem in the quality control of the thin film, and a means for accurately measuring the film thickness of the thin film in real time has been desired.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は珪素
酸化物、マグネシウム酸化物及びアルミニウム酸化物等
の透明な薄膜の膜厚をリアルタイムに確認しながら成膜
する装置と所望の膜厚を成膜できる装置を提供すること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, according to the present invention, an apparatus for forming a film while confirming the film thickness of a transparent thin film of silicon oxide, magnesium oxide, aluminum oxide or the like in real time and a desired film thickness are formed. An object is to provide a device capable of forming a membrane.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係わる真空蒸着装置は、真空装置内に、長
尺フィルムの走行経路に沿って配置された巻き出しロー
ル、冷却ロール及び巻取りロールを有し、この冷却ロー
ルの下方に可視光線に対して透明で赤外域で吸収のある
化合物を収容するソースと、このソース内部の透明化合
物を加熱して蒸発させる加熱源を有する真空成膜装置に
おいて、長尺フィルムの走行経路に沿って冷却ロールと
巻取りロールの中間に、上記化合物の薄膜に赤外線を照
射する赤外線照射部と、薄膜を透過する赤外線量を測定
する透過率測定部及び赤外線透過率より薄膜の膜厚を算
出する算出部とからなる膜厚検出手段を有する。In order to achieve this object, a vacuum vapor deposition apparatus according to the present invention comprises an unwinding roll, a cooling roll, and a winding roll which are arranged in the vacuum apparatus along the running path of a long film. A vacuum having a take-up roll, a source containing a compound transparent to visible light and absorbing in the infrared region below the cooling roll, and a heating source for heating and evaporating the transparent compound inside the source. In a film-forming apparatus, an infrared irradiation unit that irradiates infrared rays to a thin film of the above compound, and a transmittance measurement that measures the amount of infrared rays that pass through the thin film, between the cooling roll and the winding roll along the running path of the long film. And a calculation unit for calculating the film thickness of the thin film from the infrared transmittance.
【０００８】更に、前記膜厚検出手段から算出された膜
厚が所望の膜厚と異なる場合に、フィルムの走行速度若
しくは加熱源の温度を調節することも含まれる。Further, when the film thickness calculated by the film thickness detecting means is different from the desired film thickness, adjusting the running speed of the film or the temperature of the heating source is also included.
【０００９】[0009]
【作用】珪素酸化物、マグネシウム酸化物、アルミニウ
ム酸化物の薄膜は可視領域に特性吸収域がないが、赤外
線領域に最大吸収波長を有する特性吸収域を有してい
る。よって、各々についてこの付近の波長を持つ赤外線
を照射し、赤外線透過率を測定すれば膜厚検出が可能と
なる。また、最大吸収波長付近の波長を持つ赤外線にお
いて、赤外線の透過率と膜厚は比例関係にあるとみなせ
るので、容易に膜厚を求めることができる。The thin films of silicon oxide, magnesium oxide, and aluminum oxide have no characteristic absorption region in the visible region, but have a characteristic absorption region having the maximum absorption wavelength in the infrared region. Therefore, it is possible to detect the film thickness by irradiating each with an infrared ray having a wavelength around this and measuring the infrared transmittance. Further, in the case of infrared rays having a wavelength near the maximum absorption wavelength, the infrared transmittance and the film thickness can be considered to be in a proportional relationship, so that the film thickness can be easily obtained.
【００１０】さらに、求められた膜厚が所望のものでな
かった場合、フィルムの走行速度若しくは加熱源の温度
を調節することにより、所望の膜厚を成膜することがで
きる。Further, when the obtained film thickness is not the desired film thickness, the film thickness can be formed by adjusting the running speed of the film or the temperature of the heating source.
【００１１】[0011]
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例を説明
する。図１は本発明に係る真空成膜装置の説明図であ
る。図２は本発明に係る膜厚検出手段の説明図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram of a vacuum film forming apparatus according to the present invention. FIG. 2 is an explanatory view of the film thickness detecting means according to the present invention.
【００１２】図１において、装置全体は真空ポンプによ
り真空吸引可能であり、またこの真空ポンプによる真空
吸引孔９を除き、密閉されている。真空ポンプは、その
薄膜形成材料である化合物の種類等に応じ、１０-3〜１
０-6Ｔｏｒｒの真空度に維持できる油拡散ポンプ等を使
用すれば良い。In FIG. 1, the entire apparatus can be vacuum-sucked by a vacuum pump, and is closed except for a vacuum suction hole 9 by this vacuum pump. The vacuum pump is 10 −3 to 1 depending on the type of compound that is the thin film forming material.
An oil diffusion pump or the like that can maintain a vacuum of 0 -6 Torr may be used.
【００１３】密閉されることにより真空状態に維持され
る空間内には、長尺の透明プラスチックフィルム８を連
続的に走行できる設備が設けられており、この設備は巻
き出しロール３、冷却ロール２、巻取りロール４と必要
に応じて適宜これらのロール２、３、４の間に設けられ
た案内ロールやテンションロールのためのダンサーロー
ル等から成る。図１には、巻き出しロール３に透明プラ
スチックフィルム８の巻取りが装着され、この走行経路
に従って走行して、巻取りロール４に巻取りつつある状
態を示している。A facility for continuously running a long transparent plastic film 8 is provided in a space which is maintained in a vacuum state by being hermetically sealed, and the facility includes an unwinding roll 3 and a cooling roll 2. , A winding roll 4 and, if necessary, a guide roll provided between these rolls 2, 3, 4 and a dancer roll for a tension roll. FIG. 1 shows a state in which the unwinding roll 3 is mounted with a winding of the transparent plastic film 8, travels along this traveling path, and is being wound around the winding roll 4.
【００１４】冷却ロール２の下方には、薄膜を構成する
化合物を収容したソース１が配置されており、この化合
物としては可視領域に特性吸収を示さず、赤外線の照射
により吸収がある珪素酸化物、マグネシウム酸化物、ア
ルミニウム酸化物等が使用できる。ソース１には図示し
ない加熱源が設けられており、ソース１に収容された化
合物を加熱して、蒸発させる。加熱源としては電気抵抗
によるヒーター、電子線等が使用できる。化合物蒸気は
冷却ロール２表面を走行する透明プラスチックフィルム
８と接触してこの表面に堆積する。A source 1 containing a compound forming a thin film is arranged below the cooling roll 2. As this compound, a silicon oxide which does not exhibit characteristic absorption in the visible region but is absorbed by infrared irradiation. , Magnesium oxide, aluminum oxide and the like can be used. The source 1 is provided with a heating source (not shown), and the compound contained in the source 1 is heated and evaporated. As a heating source, a heater by electric resistance, an electron beam or the like can be used. The compound vapor comes into contact with the transparent plastic film 8 traveling on the surface of the cooling roll 2 and is deposited on this surface.
【００１５】また、冷却ロール２は適当な冷却設備によ
り冷却されている。加熱されて蒸発した化合物の蒸気は
高温であることから、この蒸気が透明プラスチックフィ
ルム８に接触した時に冷却させて固化させ、この透明プ
ラスチックフィルム８上に化合物を堆積させてその薄膜
を成膜させるためである。また、透明プラスチックフィ
ルム８は高温の化合物蒸気の接触により損傷を受けるこ
とがあるから、この損傷を防ぐためにも冷却ロール２を
冷却しておくことが望ましい。冷却は、例えば、冷却ロ
ール２内部に設けられた空洞に冷媒を循環することによ
り可能である。The cooling roll 2 is cooled by a suitable cooling facility. Since the vapor of the compound that is heated and evaporated is at a high temperature, when the vapor comes into contact with the transparent plastic film 8, it is cooled and solidified, and the compound is deposited on the transparent plastic film 8 to form a thin film thereof. This is because. Further, since the transparent plastic film 8 may be damaged by the contact with the high temperature compound vapor, it is desirable to cool the cooling roll 2 in order to prevent the damage. The cooling can be performed, for example, by circulating a refrigerant in a cavity provided inside the cooling roll 2.
【００１６】成膜された薄膜の膜厚をリアルタイムに測
定するため、透明プラスチックフィルム８の走行に沿っ
てこの冷却ロール２と巻取りロール４の中間にいわゆる
赤外線を利用した膜厚検出手段が設けられている。この
膜厚検出手段の周辺は図２に示されている。すなわち、
膜厚検出手段は透明プラスチックフィルム８の薄膜に赤
外線を照射する赤外線照射部５を有しており、この赤外
線照射部５は赤外線を発生させる光源５１、光を目的の
場所まで希望する状態で導くミラー５２・非軸パラボリ
ックリフレクタ５０及び５３・凸面ミラー５４・スリッ
ト５７・ピンホール５８・パラボリックミラー５５、必
要な波長だけを選択的に分離する回折格子５６、２つの
光束に分離するチョツパー５９より成る。光源５１とし
ては鉄製コアを用いた黒体炉等が使用できる。赤外域に
おける吸収は物質特有ものであり、その最大吸収波長に
おける透過率は膜厚に依存する。In order to measure the film thickness of the formed thin film in real time, a film thickness detecting means utilizing so-called infrared rays is provided between the cooling roll 2 and the winding roll 4 along the running of the transparent plastic film 8. Has been. The periphery of this film thickness detecting means is shown in FIG. That is,
The film thickness detecting means has an infrared irradiating section 5 for irradiating the thin film of the transparent plastic film 8 with infrared rays. The infrared irradiating section 5 guides the light source 51 for generating infrared rays to a desired place in a desired state. A mirror 52, non-axial parabolic reflectors 50 and 53, a convex mirror 54, a slit 57, a pinhole 58, a parabolic mirror 55, a diffraction grating 56 for selectively separating only necessary wavelengths, and a chopper 59 for separating into two light beams. . As the light source 51, a black body furnace or the like using an iron core can be used. Absorption in the infrared region is peculiar to a substance, and its transmittance at the maximum absorption wavelength depends on the film thickness.
【００１７】また、膜厚検出手段は透明プラスチックフ
ィルム８を透過した赤外線量を測定する透過率測定部６
を有しており、この透過率測定部６は検出素子６０及び
６１まで光を導く非軸パラボリックリフレクター６３・
ミラー６２、透過率を測定する検出素子６０及び６１か
ら成る。検出素子６１としてはリチウムタンタレートの
単結晶でできた焦電素子等が使用できる。また、膜厚検
出手段は透過率測定部に信号ケーブル１０を介して接続
し、測定した赤外線透過率から膜厚を算出する算出部７
を有する。算出部７としては周知のＣＰＵ等が使用でき
る。The film thickness detecting means is a transmittance measuring section 6 for measuring the amount of infrared rays transmitted through the transparent plastic film 8.
The transmittance measuring unit 6 has a non-axial parabolic reflector 63 that guides light to the detection elements 60 and 61.
It comprises a mirror 62 and detection elements 60 and 61 for measuring the transmittance. As the detecting element 61, a pyroelectric element made of a lithium tantalate single crystal or the like can be used. Further, the film thickness detecting means is connected to the transmittance measuring unit via the signal cable 10 and calculates the film thickness from the measured infrared transmittance.
Have. A well-known CPU or the like can be used as the calculation unit 7.
【００１８】膜厚検出手段は上記の他に干渉光から赤外
線透過率を求める手段でもよい。つまり、光を２分して
一方の光の位相をずらした後、再び合成し干渉光（イン
ターフェログラム）を作る。この干渉光を透明プラスチ
ックフィルムの薄膜に照射し、透過させる。さらに透明
プラスチックの薄膜を透過した干渉光をフーリエ変換す
ると赤外線透過率が得られるので、この赤外線透過率よ
り膜厚を算出してもよい。In addition to the above, the film thickness detecting means may be a means for obtaining the infrared transmittance from the interference light. That is, the light is divided into two, the phase of one light is shifted, and then the light is synthesized again to create an interference light (interferogram). This thin film of transparent plastic film is irradiated with this interference light and transmitted. Further, since the infrared transmittance is obtained by Fourier transforming the interference light transmitted through the transparent plastic thin film, the film thickness may be calculated from this infrared transmittance.
【００１９】この真空成膜装置は、巻き出しロール３か
ら長尺の透明プラスチックフィルム８を巻き出し、その
走行経路に従って冷却ロール２を通過し、巻取りロール
４に巻き取られる。透明プラスチックフィルム８の表面
に、冷却ロール２の位置で薄膜が成膜される。次いで冷
却ロール２と巻取りロール４の中間で膜厚検出手段より
赤外線透過率を測定し、薄膜の膜厚を検出する。仮に検
出された膜厚が所望の膜厚と異なる場合には、透明プラ
スチックフィルム８の走行速度を調節して、若しくは加
熱源の温度を調節して所望の膜厚の薄膜を形成すること
が可能となる。In this vacuum film forming apparatus, a long transparent plastic film 8 is unwound from an unwinding roll 3, passes through a cooling roll 2 along its traveling path, and is wound up by a winding roll 4. A thin film is formed on the surface of the transparent plastic film 8 at the position of the cooling roll 2. Next, the infrared transmittance is measured by the film thickness detecting means between the cooling roll 2 and the winding roll 4 to detect the film thickness of the thin film. If the detected film thickness is different from the desired film thickness, the running speed of the transparent plastic film 8 or the temperature of the heating source can be adjusted to form a thin film of the desired film thickness. Becomes
【００２０】装置は図１及び図２に示す装置を使用し
た。透明プラスチックフィルムとしては、長尺の厚さ１
２μｍのポリエステルフィルムを使用し、ソースとして
はマグネシウム酸化物（ＭｇＯ）を使用した。尚、マグ
ネシウム酸化物（ＭｇＯ）の最大吸収波長は２５μｍ
（波数は４００ｃｍ-1）である。As the apparatus, the apparatus shown in FIGS. 1 and 2 was used. As a transparent plastic film, long thickness 1
A 2 μm polyester film was used, and magnesium oxide (MgO) was used as a source. The maximum absorption wavelength of magnesium oxide (MgO) is 25 μm.
(Wave number is 400 cm −1 ).
【００２１】薄膜の膜厚（Å）と２５μｍでの赤外線透
過率（％）の関係を示した校正曲線を図３に示す。薄膜
の膜厚は、蛍光Ｘ線法より求めたものである。FIG. 3 shows a calibration curve showing the relationship between the film thickness (Å) of the thin film and the infrared transmittance (%) at 25 μm. The film thickness of the thin film is obtained by the fluorescent X-ray method.
【００２２】蛍光Ｘ線法より求めた薄膜の膜厚が９７３
Åのものの赤外線透過率を測定すると６１．４％とな
り、図３の校正曲線より膜厚を求めると９７０Åとな
り、蛍光Ｘ線法より求めた膜厚とほぼ一致する。The film thickness of the thin film obtained by the fluorescent X-ray method is 973.
The infrared transmittance of Å was 61.4%, and the film thickness obtained from the calibration curve in FIG. 3 was 970Å, which is almost the same as the film thickness obtained by the fluorescent X-ray method.
【００２３】また、参考データとして最大吸収波長付近
の赤外吸収スペクトルを図４及び図５に示す。図４は、
ポリエステルフィルムにマグネシウム酸化物が成膜され
た状態の赤外吸収スペクトルを示したもので、４−１が
ポリエステルフィルム１２μｍ、４−２が膜厚５００Å
のもの、４−３が膜厚１１００Åのもの、４−４が膜厚
１８００Åのもの、４−５が膜厚２５００Åのものの赤
外吸収スペクトルである。また、図５は、ポリエステル
フィルムの吸収を差し引いた赤外吸収スペクトルで、５
−１がポリエステルフィルム１２μｍ、５−２が膜厚５
００Åのもの、５−３が膜厚１１００Åのもの、５−４
が膜厚１８００Åのもの、５−５が膜厚２５００Åのも
のの赤外吸収スペクトルである。As reference data, infrared absorption spectra near the maximum absorption wavelength are shown in FIGS. 4 and 5. Figure 4
Infrared absorption spectrum of magnesium oxide film formed on polyester film. 4-1: polyester film 12 μm, 4-2: film thickness 500Å
4-3 is an infrared absorption spectrum of a film thickness of 1100Å, 4-4 is a film thickness of 1800Å, and 4-5 is an infrared absorption spectrum of a film thickness of 2500Å. FIG. 5 is an infrared absorption spectrum obtained by subtracting the absorption of the polyester film.
-1 is a polyester film 12 μm, 5-2 is a film thickness 5
00Å, 5-3 is film thickness 1100Å, 5-4
Is the infrared absorption spectrum of the film having a thickness of 1800Å, and 5-5 is the infrared absorption spectrum of the film having a thickness of 2500Å.
【００２４】なお、本実施例ではソースとしてマグネシ
ウム酸化物を用いたため、波長２５μｍ（波数４００ｃ
ｍ-1）赤外線を用いて膜厚を測定したが、ソースとして
アルミニウム酸化物を用いた場合は、波長１６．７μｍ
（波数６００ｃｍ-1）の赤外線を用いるとよい。Since magnesium oxide is used as the source in this embodiment, the wavelength is 25 μm (wavenumber 400 c
m -1 ) The film thickness was measured using infrared rays, but when aluminum oxide was used as the source, the wavelength was 16.7 μm.
It is preferable to use infrared rays having a wave number of 600 cm -1 .
【００２５】通常、可視光の短波長側で膜厚を測定する
一酸化珪素をソースとして用いた場合でも、一酸化珪素
は、約９〜１０μｍ帯（１０００〜１１００ｃｍ-1）の
赤外領域に特性吸収域を有しており、この吸収域の赤外
線透過率を測定することにより、一酸化珪素の膜厚測定
が可能である。Usually, even when silicon monoxide whose film thickness is measured on the short wavelength side of visible light is used as a source, the silicon monoxide is in the infrared region of about 9 to 10 μm band (1000 to 1100 cm −1 ). It has a characteristic absorption region, and the film thickness of silicon monoxide can be measured by measuring the infrared transmittance in this absorption region.
【００２６】[0026]
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、真空系内
で透明プラスチックフィルムを連続的に走行させて薄膜
を成膜しながら、リアルタイムで膜厚を測定することが
できる。According to the invention described in claim 1, the film thickness can be measured in real time while the transparent plastic film is continuously run in a vacuum system to form a thin film.
【００２７】請求項２，３記載の発明によれば、透明プ
ラスチックフィルム上に所望の膜厚を成膜した透明遮断
性フィルムを得ることができる。According to the inventions of claims 2 and 3, it is possible to obtain a transparent barrier film having a desired film thickness formed on a transparent plastic film.
【００２８】[0028]
【図１】本発明に係る真空成膜装置の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a vacuum film forming apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る膜厚検出手段の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a film thickness detecting means according to the present invention.
【図３】薄膜の膜厚と赤外線透過率の関係を示した校正
曲線を示すグラフ図である。FIG. 3 is a graph showing a calibration curve showing the relationship between the film thickness of a thin film and infrared transmittance.
【図４】基材の吸収を含むスペクトルを示すグラフ図で
ある。FIG. 4 is a graph showing a spectrum including absorption of a base material.
【図５】基材の吸収を差し引いたスペクトルを示すグラ
フ図である。FIG. 5 is a graph showing a spectrum obtained by subtracting the absorption of a base material.
１ ソース ２ 冷却ロール ３ 巻き出しロール ４ 巻き取りロール ５ 赤外線照射部 ６ 透過率測定部 ７ 算出部 ８ 透明プラスチックフィルム ９ 真空吸引孔 １０ 信号ケーブル ５０，５３ 非軸パラボリックリフレクター ５１ 光源 ５２ ミラー ５４ 凸面ミラー ５５ パラボリックミラー ５６ 回折格子 ５７ スリット ５８ ピンホール ５９ チョッパー ６０，６１ 検出素子 ６２ ミラー ６３ 非軸パラボリックリフレクター 1 Source 2 Cooling Roll 3 Unwinding Roll 4 Winding Roll 5 Infrared Irradiation Section 6 Transmittance Measurement Section 7 Calculation Section 8 Transparent Plastic Film 9 Vacuum Suction Hole 10 Signal Cable 50, 53 Non-Axis Parabolic Reflector 51 Light Source 52 Mirror 54 Convex Mirror 55 Parabolic Mirror 56 Diffraction Grating 57 Slit 58 Pinhole 59 Chopper 60, 61 Detection Element 62 Mirror 63 Non-Axis Parabolic Reflector
Claims (3)
沿って配置された巻き出しロール、冷却ロール及び巻取
りロールを有し、この冷却ロールの下方に可視光線に対
して透明で赤外域で吸収のある化合物を収容するソース
と、このソース内部の透明化合物を加熱して蒸発させる
加熱源を有する真空成膜装置において、長尺フィルムの
走行経路に沿って冷却ロールと巻取りロールの中間に、
上記化合物の薄膜に赤外線を照射する赤外線照射部と、
薄膜を透過する赤外線量を測定する透過率測定部及び赤
外線透過率より薄膜の膜厚を算出する算出部とからなる
膜厚検出手段を有することを特徴とする真空成膜装置。1. A vacuum device is provided with an unwinding roll, a cooling roll and a winding roll, which are arranged along a running path of a long film, and below the cooling roll, transparent to visible light and red. In a vacuum film forming apparatus having a source for accommodating a compound having absorption in the outer region and a heating source for heating and evaporating the transparent compound inside the source, a cooling roll and a winding roll are provided along the running path of the long film. In the middle,
An infrared irradiation unit for irradiating the compound thin film with infrared rays,
A vacuum film forming apparatus comprising: a film thickness detecting unit including a transmittance measuring unit that measures an amount of infrared light that passes through the thin film and a calculating unit that calculates the film thickness of the thin film from the infrared transmittance.
望の膜厚と異なる場合に、フィルムの走行速度を調節す
ることを特徴とする請求項１記載の真空成膜装置。2. The vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the traveling speed of the film is adjusted when the film thickness calculated by the film thickness detecting means is different from a desired film thickness.
望の膜厚と異なる場合に、加熱源の温度を調節すること
を特徴とする請求項１又は２いずれか記載の真空成膜装
置。3. The vacuum film formation according to claim 1, wherein the temperature of the heating source is adjusted when the film thickness calculated by the film thickness detecting means is different from the desired film thickness. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25463592A JPH05195221A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-24 | Vacuum film forming device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24861991 | 1991-09-27 | ||
| JP3-248619 | 1991-09-27 | ||
| JP25463592A JPH05195221A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-24 | Vacuum film forming device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05195221A true JPH05195221A (en) | 1993-08-03 |
Family
ID=26538868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25463592A Pending JPH05195221A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-24 | Vacuum film forming device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05195221A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006283173A (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment method, and substrate treatment apparatus |
| JP2011510176A (en) * | 2008-01-25 | 2011-03-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Vacuum coating apparatus and method |
| US8988858B2 (en) | 2010-10-15 | 2015-03-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrode for electrochemical capacitor and electrochemical capacitor using same |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP25463592A patent/JPH05195221A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006283173A (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment method, and substrate treatment apparatus |
| US8124168B2 (en) | 2005-04-04 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2011510176A (en) * | 2008-01-25 | 2011-03-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Vacuum coating apparatus and method |
| US8988858B2 (en) | 2010-10-15 | 2015-03-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrode for electrochemical capacitor and electrochemical capacitor using same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fisher et al. | A CALORIMETRIC DETERMINATION OF THE QUANTUM YIELD FOR THE JONIZATION OF MALACHITE GREEN CYANIDE BY ULTRAVIOLET RADIATION | |
| US3994586A (en) | Simultaneous determination of film uniformity and thickness | |
| Griffiths | Infrared emission spectroscopy. I. Basic considerations | |
| US4085326A (en) | Radiation reflection method and apparatus particularly for gauging materials exhibiting broadband absorption or scattering, or similar effects | |
| US6082892A (en) | Temperature measuring method and apparatus | |
| JPH05195221A (en) | Vacuum film forming device | |
| US3245261A (en) | Temperature measurement of plastic film | |
| US3437811A (en) | Method and apparatus for measuring the thickness of a film | |
| Chamberlain et al. | The spectral transmission at infra-red wave-lengths of michelson interferometers with dielectric film beam-dividers | |
| JPH10206125A (en) | Apparatus and method for measurement of thickness of oxide film | |
| Roess et al. | The Design and Construction of Rapid‐Response Thermocouples for Use as Radiation Detectors in Infra‐Red Spectrographs | |
| JP3106845B2 (en) | Apparatus and method for measuring film thickness and method for producing film | |
| CN113639891A (en) | High-speed optical fiber temperature sensing demodulation method based on equivalent wavelength | |
| US5434032A (en) | Infrared imaging methods and systems | |
| JPS6217166B2 (en) | ||
| Conroy et al. | An infrared accessory for studying the emissivity of aluminum surfaces | |
| Choi et al. | Silver as a soft X-ray filter for plasma diagnostics | |
| JP2005520132A (en) | Method and apparatus for polarization measurement of sample characteristic parameters | |
| JPH07103724A (en) | Apparatus for measuring film thickness and apparatus for forming film in vacuum | |
| Lu et al. | A simple in situ calibration technique for soft x‐ray film | |
| JPS58162805A (en) | Method for monitoring vapor deposited film optically | |
| JPH04183864A (en) | Vacuum film forming device and production of vapor deposited film | |
| JP2004108808A (en) | Wavelength correcting method for spectroscope | |
| JPH02115766A (en) | Method for measuring coated amount of adhesive agent on adhesive sheet | |
| Peršin et al. | Effect of thermal treatment on the characteristics of interference Fabry-Perot filters |