JPH05190079A - Transparent cold cathode and its manufacture and cold cathode discharge tube - Google Patents

Transparent cold cathode and its manufacture and cold cathode discharge tube

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JPH05190079A
JPH05190079A JP2476192A JP2476192A JPH05190079A JP H05190079 A JPH05190079 A JP H05190079A JP 2476192 A JP2476192 A JP 2476192A JP 2476192 A JP2476192 A JP 2476192A JP H05190079 A JPH05190079 A JP H05190079A
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light
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Abstract

PURPOSE:To materialize a transparent cold cathode which does not absorb the ingredients having entered cold cathode, among luminous fluxes generated by negative glow, and enables it to be effectively made use of for indication or illumination, and can elevate the emission efficiency of the cold cathode discharge tube. CONSTITUTION:A transparent cold cathode 1 is provided with a cathode substrate 3 consisting of a transparent conductive film, an amorphous semiconductor layer 4 equipped with transparency covering the surface of the cathode substrate 3, and an amorphous emitter layer 5 equipped with transparency covering the surface of that semiconductor layer 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、透明冷陰極及びその
製造方法並びに冷陰極放電管に係り、特に、透明導電膜
によって形成した陰極基体と、透光性を備えたアモルフ
ァス状の半導体層と、同じく透光性を備えたアモルファ
ス状のエミッタ層からなる透明冷陰極、及び該透明冷陰
極の製造方法、並びに該透明冷陰極を用いた冷陰極放電
管に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent cold cathode, a method of manufacturing the same, and a cold cathode discharge tube, and more particularly, to a cathode substrate formed of a transparent conductive film and an amorphous semiconductor layer having a light transmitting property. The present invention also relates to a transparent cold cathode composed of an amorphous emitter layer having a light-transmitting property, a method for producing the transparent cold cathode, and a cold cathode discharge tube using the transparent cold cathode.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、直流型プラズマディスプレイパネ
ル等の冷陰極放電管における冷陰極aは、図8に示すよ
うに、セラミックやガラス等からなる背面基板bの内面
に形成される陰極基体cと、該陰極基体cの表面を被覆
するエミッタ層dとから構成されていた。このエミッタ
層dは、放電電圧の低下、及び耐スパッタ性の向上のた
めに形成されるものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG. 8, a cold cathode a in a cold cathode discharge tube of a DC type plasma display panel and a cathode substrate c formed on an inner surface of a back substrate b made of ceramic or glass. , An emitter layer d covering the surface of the cathode substrate c. The emitter layer d is formed to reduce the discharge voltage and improve the sputtering resistance.

【0003】上記冷陰極aは、図示しないスペーサー等
により、透光性を備えた前面基板eの内面に被着形成さ
れた透明陽極fと、所定の放電間隙gを隔てて対向する
ように配置される。そして、背面基板bと前面基板eと
の周縁を図示しない封着材等によって気密封止し、上記
放電間隙gにNe,Ar等の放電ガスを充填することに
よって、冷陰極放電管hが形成される。
The cold cathode a is arranged so as to face a transparent anode f adhered and formed on the inner surface of a front substrate e having a light-transmitting property by a spacer or the like (not shown) with a predetermined discharge gap g therebetween. To be done. Then, the peripheral edges of the rear substrate b and the front substrate e are hermetically sealed with a sealing material or the like not shown, and the discharge gap g is filled with a discharge gas such as Ne or Ar to form a cold cathode discharge tube h. To be done.

【0004】しかして、上記冷陰極aと透明陽極fとの
間に直流電圧が印加されると、上記放電間隙gにおいて
放電による負グローが生じ、該負グローによる光束が上
記透明陽極fを透過して前面基板eから前方(図におい
て上方)に放射され、該放射光束が各種の表示や照明に
利用される。
However, when a DC voltage is applied between the cold cathode a and the transparent anode f, a negative glow is generated by the discharge in the discharge gap g, and the luminous flux due to the negative glow passes through the transparent anode f. Then, it is radiated forward (upward in the figure) from the front substrate e, and the radiated luminous flux is used for various displays and illuminations.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の冷陰極放電管hにあっては、上記冷陰極aの陰極基
体cがNi,Cu,W,Moなど透光性を有しない材料
で構成されていたため、放電間隙gで発生した光束のう
ち、冷陰極aに入射した成分は該冷陰極aによって吸収
されてしまい、表示用或いは照明用として利用できず、
発光効率が低いものであった。
However, in the above-mentioned conventional cold cathode discharge tube h, the cathode substrate c of the cold cathode a is made of a material having no light-transmitting property such as Ni, Cu, W and Mo. Therefore, of the luminous flux generated in the discharge gap g, the component incident on the cold cathode a is absorbed by the cold cathode a and cannot be used for display or illumination.
The luminous efficiency was low.

【0006】本発明は、上記した従来例の問題点に鑑み
てなされたものであり、負グローにより発生した光束の
うち、冷陰極に入射した成分が該冷陰極によって吸収さ
れることがなく、したがってこれを表示用或いは照明用
として有効に利用でき、冷陰極放電管の発光効率を高め
ることができる透明冷陰極を実現することを目的とす
る。また、かかる透明冷陰極を用いた冷陰極放電管を実
現することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional example, and in the luminous flux generated by the negative glow, the component incident on the cold cathode is not absorbed by the cold cathode. Therefore, it is an object of the present invention to realize a transparent cold cathode which can be effectively used for display or illumination and which can enhance the luminous efficiency of the cold cathode discharge tube. Another object is to realize a cold cathode discharge tube using such a transparent cold cathode.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る透明冷陰極は、透明導電膜からなる陰
極基体と、該陰極基体の表面を被覆する透光性を備えた
アモルファス状の半導体層と、該半導体層の表面を被覆
する透光性を備えたアモルファス状のエミッタ層とを有
してなるよう構成した。上記半導体層は、例えば、Ni
O、Cu2O、MoO2、W23よりなる群から選定され
る一種類以上の金属酸化物を含む半導体物質を、透光性
を備えたアモルファス状に形成してなる。また、上記エ
ミッタ層は、例えば、アルカリ土類金属元素の酸化物、
アルカリ金属元素の酸化物、希土類元素の酸化物よりな
る群から選定される一種類以上の金属酸化物を含むエミ
ッタ材(BaO・La23等)を、透光性を備えたアモ
ルファス状に形成してなる。
In order to achieve the above object, a transparent cold cathode according to the present invention comprises a cathode substrate made of a transparent conductive film and an amorphous material having a light-transmitting property for coating the surface of the cathode substrate. And a light-transmissive amorphous emitter layer that covers the surface of the semiconductor layer. The semiconductor layer is, for example, Ni.
A semiconductor material containing one or more kinds of metal oxides selected from the group consisting of O, Cu 2 O, MoO 2 and W 2 O 3 is formed in a transparent amorphous state. The emitter layer is, for example, an oxide of an alkaline earth metal element,
An emitter material (BaO.La 2 O 3 etc.) containing one or more kinds of metal oxides selected from the group consisting of oxides of alkali metal elements and oxides of rare earth elements is formed into an amorphous state having a light-transmitting property. Formed.

【0008】上記透明冷陰極は、例えば、透明導電膜を
形成して陰極基体となし、該陰極基体の表面に、酸化に
よって半導体となる性質を有する金属のアルコキシド及
びカルボン酸塩よりなる群から選定される一種類以上の
有機金属を含む材料を付着させ、これを上記有機金属の
分解温度以上、結晶化温度未満の温度で加熱することに
より、上記有機金属を分解して金属酸化物を含む半導体
物質を透光性を備えたアモルファス状に形成し、もって
陰極基体の表面を被覆する半導体層を形成すると共に、
該半導体層の表面に、アルカリ土類金属元素、アルカリ
金属元素または希土類元素を含む金属のアルコキシド及
びカルボン酸塩よりなる群から選定される一種類以上の
有機金属を含む材料を付着させ、これを上記有機金属の
分解温度以上、結晶化温度未満の温度で加熱することに
より、上記有機金属を分解してアルカリ土類金属元素の
酸化物、アルカリ金属元素の酸化物及び希土類元素の酸
化物よりなる群から選定される一種類以上の金属酸化物
を含むエミッタ材を透光性を備えたアモルファス状に形
成し、もって上記半導体層の表面を被覆するエミッタ層
を形成することによって製造される。
The transparent cold cathode is formed, for example, by forming a transparent conductive film to form a cathode substrate, and the surface of the cathode substrate is selected from the group consisting of metal alkoxides and carboxylates having the property of becoming semiconductors by oxidation. A material containing one or more kinds of organic metal is attached and heated at a temperature not lower than the decomposition temperature of the organic metal and lower than the crystallization temperature to decompose the organic metal and thereby a semiconductor containing a metal oxide. The substance is formed into an amorphous state having a light-transmitting property, so that a semiconductor layer that covers the surface of the cathode substrate is formed, and
A material containing at least one organic metal selected from the group consisting of alkaline earth metal elements, alkoxides of metals containing alkali metal elements or rare earth elements, and carboxylates is attached to the surface of the semiconductor layer, By heating at a temperature not lower than the decomposition temperature of the organic metal and lower than the crystallization temperature, the organic metal is decomposed to be an oxide of an alkaline earth metal element, an oxide of an alkali metal element and an oxide of a rare earth element. It is manufactured by forming an emitter material containing one or more kinds of metal oxides selected from the group into an amorphous state having a light-transmitting property, and thereby forming an emitter layer covering the surface of the semiconductor layer.

【0009】本発明に係る冷陰極放電管は、第1の基板
と第2の基板とを、所定の放電間隙を隔てて対向配置
し、上記第1の基板の第2の基板との対向面に冷陰極を
形成すると共に、上記第2の基板の第1の基板との対向
面に陽極を形成し、上記両基板の周縁を気密封止して外
囲器となし、該外囲器内に放電ガスを封入してなる冷陰
極放電管において、上記第1の基板及び第2の基板を透
光性絶縁材によって形成すると共に、上記冷陰極を透明
導電膜からなる陰極基体と、該陰極基体の表面を被覆す
る透光性を備えたアモルファス状の半導体層と、該半導
体層の表面を被覆する透光性を備えたアモルファス状の
エミッタ層とを有してなる透明冷陰極によって構成し、
上記陽極を透明導電膜からなる透明陽極によって構成
し、上記第1の基板及び第2の基板の何れか一方の外面
に反射層を形成してなる。
In the cold cathode discharge tube according to the present invention, a first substrate and a second substrate are arranged so as to face each other with a predetermined discharge gap therebetween, and a surface of the first substrate facing the second substrate. A cold cathode is formed on the substrate, and an anode is formed on the surface of the second substrate facing the first substrate, and the peripheral edges of the two substrates are hermetically sealed to form an envelope. In a cold cathode discharge tube in which a discharge gas is filled in, the first substrate and the second substrate are formed of a translucent insulating material, and the cold cathode is a cathode substrate made of a transparent conductive film, and the cathode is made of a transparent conductive film. A transparent cold cathode having a translucent amorphous semiconductor layer that covers the surface of the substrate and a translucent amorphous emitter layer that covers the surface of the semiconductor layer. ,
The anode is composed of a transparent anode made of a transparent conductive film, and a reflective layer is formed on the outer surface of either one of the first substrate and the second substrate.

【0010】また、透光性絶縁材よりなる第1の基板と
第2の基板とを所定の放電間隙を隔てて対向配置し、両
基板の周縁を気密封止して外囲器となし、該外囲器内に
放電ガスを封入し、上記第1の基板の第2の基板との対
向面に複数の反射部材を所定の間隔をおいて形成すると
共に、該反射部材間に透光性絶縁材からなる電極支持板
を立設し、該電極支持板の両面に冷陰極及び陽極のいず
れか一方を被着形成して第1の電極となし、上記第1の
基板の第2の基板との対向面に上記冷陰極及び陽極のい
ずれか他方を被着形成して上記第1の電極に対応する第
2の電極となした冷陰極放電管であって、上記冷陰極を
透明導電膜からなる陰極基体と、該陰極基体の表面を被
覆する透光性を備えたアモルファス状の半導体層と、該
半導体層を被覆する透光性を備えたアモルファス状のエ
ミッタ層とからなる透明冷陰極によって構成すると共
に、上記陽極を透明導電膜からなる透明陽極によって構
成してなる。
Further, a first substrate and a second substrate made of a translucent insulating material are opposed to each other with a predetermined discharge gap, and the peripheral edges of both substrates are hermetically sealed to form an envelope. A discharge gas is sealed in the envelope, and a plurality of reflecting members are formed on the surface of the first substrate facing the second substrate at predetermined intervals, and the light transmitting property is provided between the reflecting members. An electrode supporting plate made of an insulating material is erected, and either one of a cold cathode and an anode is adhered and formed on both surfaces of the electrode supporting plate to form a first electrode. A second substrate of the first substrate. A cold cathode discharge tube in which one of the cold cathode and the other anode is formed on the surface opposite to the above to form a second electrode corresponding to the first electrode, wherein the cold cathode is a transparent conductive film. A cathode substrate, an amorphous semiconductor layer having a light-transmitting property that covers the surface of the cathode substrate, and a semiconductor layer that covers the semiconductor layer. Together constituting a transparent cold cathode consisting of amorphous emitter layer having translucency, comprising constituted by a transparent anode made of the anode of a transparent conductive film.

【0011】さらに、透光性絶縁材よりなる複数の基板
の一面に、それぞれ櫛歯状の冷陰極と陽極とを、両電極
の櫛歯部が所定の間隙を隔てて互い違いに並ぶように被
着形成し、各基板をそれぞれの電極形成面と電極非形成
面とが所定の放電間隙を隔てて対向するように並設し、
該基板の周囲を反射手段によって、光の放射部を残して
取り囲み、これを気密容器内に放電ガスと共に収納して
なる冷陰極放電管であって、上記冷陰極を、透明導電膜
からなる陰極基体と、該陰極基体の表面を被覆する透光
性を備えたアモルファス状の半導体層と、該半導体層を
被覆する透光性を備えたアモルファス状のエミッタ層と
からなる透明冷陰極によって構成すると共に、上記陽極
を透明導電膜からなる透明陽極によって構成してなる。
Furthermore, a comb-teeth-shaped cold cathode and an anode are respectively provided on one surface of a plurality of substrates made of a translucent insulating material so that the comb-teeth portions of both electrodes are alternately arranged with a predetermined gap. And the electrodes are formed side by side so that the electrode-formed surface and the electrode-unformed surface face each other with a predetermined discharge gap.
What is claimed is: 1. A cold cathode discharge tube in which a light emitting portion is surrounded by a reflecting means to surround the substrate and is housed together with a discharge gas in an airtight container, the cold cathode being a cathode made of a transparent conductive film. A transparent cold cathode including a substrate, a light-transmissive amorphous semiconductor layer that covers the surface of the cathode substrate, and a light-transmissive amorphous emitter layer that covers the semiconductor layer. At the same time, the anode is formed of a transparent anode made of a transparent conductive film.

【0012】[0012]

【作用】本発明に係る透明冷陰極は、上記のように透明
導電膜からなる陰極基体と、透光性を備えたアモルファ
ス状の半導体層及びエミッタ層とを積層してなるため、
陰極全体として透光性を備える。したがって、放電によ
り発生した負グローの光束のうち、冷陰極に入射した成
分が該冷陰極に吸収されることはない。そこで、上記の
ように、冷陰極放電管の冷陰極として本発明に係る透明
冷陰極を採用し、これに適当な反射手段(反射層、反射
部材)を組み合わせることにより、負グローによる光束
のほとんどを表示用或いは照明用として有効に利用する
ことができ、冷陰極放電管の発光効率を高めることがで
きる。
Since the transparent cold cathode according to the present invention is formed by laminating the cathode substrate made of the transparent conductive film as described above, and the amorphous semiconductor layer and the emitter layer having a light transmitting property,
The entire cathode has translucency. Therefore, of the luminous flux of negative glow generated by the discharge, the component incident on the cold cathode is not absorbed by the cold cathode. Therefore, as described above, by adopting the transparent cold cathode according to the present invention as the cold cathode of the cold cathode discharge tube and combining it with an appropriate reflection means (reflection layer, reflection member), most of the luminous flux due to negative glow is obtained. Can be effectively used for display or illumination, and the luminous efficiency of the cold cathode discharge tube can be improved.

【0013】上記エミッタ層は、仕事関数が小さく、イ
オン衝撃に強いという特徴を有していおり、放電電圧を
低下させると共に、耐スパッタ性を向上させる得る。な
お、上記陰極基体とエミッタ層との間に半導体層を形成
するのは、以下の理由による。すなわち、最下層の陰極
基体は良導体であり、最上層のエミッタ層は絶縁体であ
るため、陰極基体上に直接エミッタ層を形成すると、両
者間の仕事関数すなわち電子の移動度が極端に異り、放
電特性が低下することとなる。そこで、本発明に係る透
明冷陰極においては、両者間に半導体層を介在させて、
透明冷陰極全体の仕事関数が、その上層部から下層部に
かけて段階的に高まるように形成している。
The above-mentioned emitter layer has a feature that it has a small work function and is strong against ion bombardment, so that it can reduce discharge voltage and improve spatter resistance. The reason for forming the semiconductor layer between the cathode substrate and the emitter layer is as follows. That is, since the cathode substrate of the lowermost layer is a good conductor and the emitter layer of the uppermost layer is an insulator, if the emitter layer is formed directly on the cathode substrate, the work function between them, that is, the electron mobility is extremely different. However, the discharge characteristics are deteriorated. Therefore, in the transparent cold cathode according to the present invention, the semiconductor layer is interposed between the two,
The work function of the entire transparent cold cathode is formed so as to gradually increase from the upper layer portion to the lower layer portion.

【0014】[0014]

【実施例】以下に本発明を、図示の実施例に基づいて説
明する。図1は本発明に係る透明冷陰極1を示す概略断
面図であり、該透明冷陰極1は、ガラス等の透光性を有
する絶縁材で形成された基板2の一面に被着形成された
陰極基体3と、該陰極基体3の表面に被着形成された半
導体層4と、該半導体層4の表面に被着形成されたエミ
ッタ層5とを備えた3層構造をなしている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the illustrated embodiments. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a transparent cold cathode 1 according to the present invention. The transparent cold cathode 1 is adhered and formed on one surface of a substrate 2 formed of a translucent insulating material such as glass. It has a three-layer structure including a cathode substrate 3, a semiconductor layer 4 deposited on the surface of the cathode substrate 3, and an emitter layer 5 deposited on the surface of the semiconductor layer 4.

【0015】上記陰極基体3は、NESA膜(Sn
2)やITO膜(In23・SnO2)などの透明導電
膜によって形成される。また、上記半導体層4は、Ni
Oなどを透光性を備えたアモルファス状に形成した、透
明半導体膜によって形成される。さらに、上記エミッタ
層5は、BaO・La23などを透光性を備えたアモル
ファス状に形成した、エミッタ材によって形成される。
The cathode substrate 3 is a NESA film (Sn
It is formed of a transparent conductive film such as O 2 ) or an ITO film (In 2 O 3 .SnO 2 ). The semiconductor layer 4 is made of Ni.
It is formed of a transparent semiconductor film in which O or the like is formed in a light-transmitting amorphous state. Further, the emitter layer 5 is formed of an emitter material in which BaO.La 2 O 3 or the like is formed in an amorphous state having a light transmitting property.

【0016】つぎに、上記透明冷陰極1の製造方法につ
いて説明する。まず、基板2の表面に、エッチング、印
刷、メッキあるいは蒸着など従来一般に行われている方
法により、NESA膜やITO膜などの透明導電膜を被
着し、陰極基体3を形成する。
Next, a method for manufacturing the transparent cold cathode 1 will be described. First, a transparent conductive film such as a NESA film or an ITO film is deposited on the surface of the substrate 2 by a conventionally-used method such as etching, printing, plating or vapor deposition to form the cathode substrate 3.

【0017】つぎに、上記陰極基体3の表面に、酸化に
よって半導体となる性質を有する金属のアルコキシド及
びカルボン酸塩よりなる群から選定される一種類以上の
有機金属を含む材料を付着させ、これを上記有機金属の
分解温度以上、結晶化温度未満の温度で加熱することに
より、上記有機金属を分解して金属酸化物を含む半導体
物質を透光性を備えたアモルファス状に形成し、もって
上記陰極基体3の表面を被覆する半導体層4を形成す
る。
Next, a material containing at least one kind of organic metal selected from the group consisting of alkoxides and carboxylates of metals having the property of becoming semiconductors by oxidation is attached to the surface of the cathode substrate 3, and By heating at a temperature not lower than the decomposition temperature of the organic metal and lower than the crystallization temperature to decompose the organic metal to form a semiconductor material containing a metal oxide in an amorphous state having a light-transmitting property. The semiconductor layer 4 that covers the surface of the cathode substrate 3 is formed.

【0018】上記陰極基体3の表面に付着させる材料と
して、具体的には、カプリン酸ニッケル10%(重量
比、以下同様)と、ブチルアルコール77%と、ステア
リルアルコール10%、ステアリン酸2%及びロジン1
%とを混合した液体を用い、これを陰極基体3上に印
刷、吹き付け、ディップ、塗布等の手段で付着させ、次
いでこれを上記カプリン酸ニッケルの分解温度以上でか
つ結晶化温度未満の温度である、冷陰極放電管の製造工
程中の作業温度(400〜600゜C)で加熱分解し、
透光性を備えたアモルファス状のNiOを陰極基体3の
表面に固着させ、もって半導体層4を形成する。
As the material to be attached to the surface of the cathode substrate 3, specifically, nickel caprate 10% (weight ratio, the same hereinafter), butyl alcohol 77%, stearyl alcohol 10%, stearic acid 2% and Rosin 1
% Of the liquid, which is applied onto the cathode substrate 3 by means of printing, spraying, dipping, coating, etc., and then at a temperature above the decomposition temperature of nickel caprate and below the crystallization temperature. It decomposes by heating at a working temperature (400-600 ° C) during the manufacturing process of a cold cathode discharge tube.
Amorphous NiO having a light-transmitting property is fixed to the surface of the cathode substrate 3 to form the semiconductor layer 4.

【0019】最後に、上記半導体層4の表面に、アルカ
リ土類金属元素、アルカリ金属元素または希土類元素を
含む金属のアルコキシド及びカルボン酸塩よりなる群か
ら選定される一種類以上の有機金属を含む材料を付着さ
せ、これを上記有機金属の分解温度以上、結晶化温度未
満の温度で加熱することにより上記有機金属を分解し、
アルカリ土類金属元素の酸化物、アルカリ金属元素の酸
化物及び希土類元素の酸化物よりなる群から選定される
一種類以上の金属酸化物を含む、透光性を備えたアモル
ファス状のエミッタ材を半導体層4の表面に固着させ、
もってエミッタ層5を形成する。
Finally, the surface of the semiconductor layer 4 contains at least one kind of organic metal selected from the group consisting of alkali earth metal elements, alkoxides of metals containing alkali metal elements or rare earth elements, and carboxylates. Decompose the organic metal by attaching a material and heating it at a temperature not lower than the decomposition temperature of the organic metal and lower than the crystallization temperature,
A light-transmitting amorphous emitter material containing one or more kinds of metal oxides selected from the group consisting of oxides of alkaline earth metal elements, oxides of alkali metal elements and oxides of rare earth elements. Fixed to the surface of the semiconductor layer 4,
Thus, the emitter layer 5 is formed.

【0020】上記半導体層4の表面に付着させる材料と
して、具体的には、酪酸バリウム3%及び酪酸ランタン
8%と、ブチルアルコール75%と、セチルアルコール
10%及びステアリン酸4%との混合物を用い、これを
陰極基体3上に印刷、吹き付け、ディップ、塗布等の手
段で付着させて、上記酪酸バリウム及び酪酸ランタンの
分解温度以上でかつ結晶化温度未満の温度である、冷陰
極放電管の製造工程中の作業温度(400〜600゜
C)で加熱分解し、透光性を備えたアモルファス状のB
aO・La23を半導体層4の表面に固着させてエミッ
タ層5を形成する。
As a material to be adhered to the surface of the semiconductor layer 4, specifically, a mixture of 3% barium butyrate and 8% lanthanum butyrate, 75% butyl alcohol, 10% cetyl alcohol and 4% stearic acid is used. Of the cold cathode discharge tube having a temperature not lower than the decomposition temperature of barium butyrate and lanthanum butyrate and lower than the crystallization temperature by adhering it onto the cathode substrate 3 by means such as printing, spraying, dipping, and coating. Amorphous B that is transparent and decomposes by heating at the working temperature (400-600 ° C) during the manufacturing process.
The emitter layer 5 is formed by fixing aO.La 2 O 3 on the surface of the semiconductor layer 4.

【0021】上記においては、半導体層4としてNiO
を用いたが、これに限られず、Cu2O,MoO2,W2
3等によって半導体層4を形成しても良い。また、B
aO・La23によってエミッタ層5を形成した場合
が、最も放電電圧が低く良好な結果が得られたが、もち
ろんこれに限定されず、MgO,CaO,SrO,Ba
O(アルカリ土類金属元素の酸化物)、Cs2O,Na2
O,K2O(アルカリ金属元素の酸化物)、CeO2,Y
23,Gd23(希土類元素の酸化物)、BaO・Sr
O,BaLa2O,CsLaO2(上記金属酸化物の複合
化したもの)、BaO・Al23,NiO・BaO(上
記金属酸化物と他の金属酸化物との複合金属酸化物)等
によってエミッタ層5を形成しても良い。
In the above, NiO is used as the semiconductor layer 4.
However, the present invention is not limited to this, and Cu 2 O, MoO 2 , W 2
The semiconductor layer 4 may be formed of O 3 or the like. Also, B
When the emitter layer 5 was formed of aO.La 2 O 3 , the discharge voltage was the lowest and good results were obtained, but of course the invention is not limited to this, and MgO, CaO, SrO, Ba
O (oxide of alkaline earth metal element), Cs 2 O, Na 2
O, K 2 O (oxide of alkali metal element), CeO 2 , Y
2 O 3 , Gd 2 O 3 (oxides of rare earth elements), BaO · Sr
O, BaLa 2 O, CsLaO 2 ( obtained by conjugation of the metal oxide), the BaO · Al 2 O 3, NiO · BaO ( composite metal oxide of the metal oxide and other metal oxides), etc. The emitter layer 5 may be formed.

【0022】上記のように、半導体層4及びエミッタ層
5の形成に必要な加熱分解処理には、冷陰極放電管の製
造工程中の作業温度(400〜600゜C)を利用でき
るため、なんら特別な高温加熱装置を使用する必要がな
い。
As described above, since the thermal decomposition treatment required for forming the semiconductor layer 4 and the emitter layer 5 can utilize the working temperature (400 to 600 ° C.) during the manufacturing process of the cold cathode discharge tube, there is nothing. There is no need to use a special high temperature heating device.

【0023】つぎに、図2に基づいて、上記冷陰極1を
用いた第1の冷陰極放電管10を説明する。図に於いて、
直流型のプラズマディスプレイとしての第1の冷陰極放
電管10は、ガラス等の透光性を有する絶縁材によって形
成された背面基板11と、該背面基板11の内面に形成した
透明冷陰極1と、ガラス等の透光性有する絶縁材によっ
て形成された前面基板12と、該前面基板12の内面に形成
した透明陽極13とを有してなる。
Next, the first cold cathode discharge tube 10 using the cold cathode 1 will be described with reference to FIG. In the figure,
The first cold cathode discharge tube 10 as a direct current type plasma display comprises a rear substrate 11 formed of a translucent insulating material such as glass, and a transparent cold cathode 1 formed on the inner surface of the rear substrate 11. A front substrate 12 formed of a translucent insulating material such as glass, and a transparent anode 13 formed on the inner surface of the front substrate 12.

【0024】上記透明冷陰極1は、NESA膜やITO
膜などの透明導電膜で形成された陰極基体3と、該陰極
基体3の表面を被覆するNiO等の透光性を備えたアモ
ルファスの半導体層4と、該半導体層4を被覆するBa
O・La23等の透光性を備えたアモルファス状のエミ
ッタ層5とを有してなる。また、上記透明陽極13は、N
ESA膜やITO膜などの透明導電膜によって形成され
る。
The transparent cold cathode 1 is made of a NESA film or ITO.
A cathode base 3 formed of a transparent conductive film such as a film, an amorphous semiconductor layer 4 such as NiO that covers the surface of the cathode base 3, and Ba that covers the semiconductor layer 4.
It has an amorphous emitter layer 5 having a light-transmitting property such as O · La 2 O 3 . The transparent anode 13 is made of N
It is formed of a transparent conductive film such as an ESA film or an ITO film.

【0025】上記背面基板11と前面基板12は、図示しな
いスペーサ等によって、上記透明冷陰極1と透明陽極13
とが所定の放電間隙を隔てて対向するように配置され、
両基板11,13の周縁は、図示しない封着材によって気密
封止され、もって外囲器が形成される。この外囲器内部
に形成された放電空間14内には、Ne,Ar,He,X
e等の希ガスを主体とした放電ガスが封入される。
The rear substrate 11 and the front substrate 12 are provided on the transparent cold cathode 1 and the transparent anode 13 by a spacer (not shown) or the like.
And are arranged so as to face each other with a predetermined discharge gap,
The peripheral edges of the two substrates 11 and 13 are hermetically sealed by a sealing material (not shown) to form an envelope. Ne, Ar, He, X are contained in the discharge space 14 formed inside the envelope.
A discharge gas mainly containing a rare gas such as e is filled.

【0026】なお、上記背面基板11の外面には、アルミ
ニウム箔やアルミニウム蒸着膜等からなる第1の反射層
15が形成される。
On the outer surface of the back substrate 11, a first reflective layer made of aluminum foil, aluminum vapor deposition film or the like is provided.
15 are formed.

【0027】しかして、上記透明陽極13及び透明冷陰極
1間に直流電圧を印加すると、上記放電空間14内に於い
て放電が発生し、該放電による負グロー16が生じる。そ
して、該負グロー16による光束のうち、透明陽極13側に
放射された成分は、そのまま透明陽極13及び前面基板12
を透過して、第1の冷陰極放電管10の光の放射方向であ
る表示側17に放射される。一方、上記光束のうち、透明
冷陰極1側に放射された成分は、該透明冷陰極1及び背
面基板11を透過して第1の反射層15に達し、そこで反射
され、再度背面基板11及び透明冷陰極1を透過して放電
空間14に達し、そのまま透明陽極13及び前面基板12を透
過して表示側17に放射される。
When a DC voltage is applied between the transparent anode 13 and the transparent cold cathode 1, a discharge is generated in the discharge space 14 and a negative glow 16 is generated by the discharge. Then, of the light flux from the negative glow 16, the component radiated to the transparent anode 13 side is as it is, the transparent anode 13 and the front substrate 12
And is emitted to the display side 17 in the light emission direction of the first cold cathode discharge tube 10. On the other hand, of the luminous flux, the component radiated to the transparent cold cathode 1 side passes through the transparent cold cathode 1 and the rear substrate 11 and reaches the first reflective layer 15, where it is reflected and again reflected on the rear substrate 11 and The light passes through the transparent cold cathode 1 and reaches the discharge space 14, and then passes through the transparent anode 13 and the front substrate 12 and is emitted to the display side 17.

【0028】このように、上記第1の冷陰極放電管10に
於いては、放電空間14に於いて発生した負グロー16によ
る光束のほとんどを表示用に利用できるため、第1の冷
陰極放電管10の発光効率を高めることができる。なお、
本実施例においては、透明冷陰極1を背面基板11の内面
に形成したが、これに限られるものではない。すなわ
ち、前面基板12の内面に透明冷陰極1を形成すると共
に、背面基板11の内面に透明陽極13を形成しても同様の
効果を得られる。
As described above, in the first cold cathode discharge tube 10, since most of the luminous flux due to the negative glow 16 generated in the discharge space 14 can be utilized for display, the first cold cathode discharge tube 10 can be used. The luminous efficiency of the tube 10 can be increased. In addition,
Although the transparent cold cathode 1 is formed on the inner surface of the rear substrate 11 in this embodiment, the present invention is not limited to this. That is, the same effect can be obtained by forming the transparent cold cathode 1 on the inner surface of the front substrate 12 and the transparent anode 13 on the inner surface of the rear substrate 11.

【0029】つぎに、図3及び図4に基づいて、本発明
に係る第2の冷陰極放電管20を説明する。該第2の冷陰
極放電管20は、背面基板11と、該背面基板11の内面に被
着形成された帯状の透明陽極13と、該透明陽極13の表面
上に形成され、断面三角形状を呈する複数の反射部材2
1,21と、同じく上記透明陽極13の表面上に立設され、
上記反射部材21,21の中間に位置する電極支持板22と、
該電極支持板22の左面及び右面それぞれに被着形成され
た帯状の透明冷陰極1,1と、図示しないスペーサ等に
よって、上記背面基板11と所定の放電間隙を隔てて対向
配置された前面基板12とを有してなる。上記背面基板1
1,前面基板12及び電極支持板22は、ともにガラス等の
透光性を有する絶縁材にて形成される。また、上記反射
部材21,21の側面には、アルミニウム箔やアルミニウム
蒸着膜等からなり、上記透明冷陰極1,1と対向する第
2の反射層23,23が形成されている。また、上記背面基
板11と前面基板12の周縁は、図示しない封着材等によっ
て気密封止されて外囲器となされ、該外囲器内に形成さ
れる放電空間14内には、Ne,Ar,He,Xe等の希
ガスを主体とした放電ガスが封入される。
Next, the second cold cathode discharge tube 20 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. The second cold cathode discharge tube 20 is formed on the back substrate 11, a band-shaped transparent anode 13 adhered to the inner surface of the back substrate 11, and a transparent anode 13 formed on the surface of the back electrode 11, and has a triangular cross section. Multiple reflective members to present 2
1, 21 and also standing on the surface of the transparent anode 13,
An electrode support plate 22 located between the reflection members 21 and 21,
Strip-shaped transparent cold cathodes 1 and 1 formed on the left and right surfaces of the electrode support plate 22 and a front substrate which is arranged to face the rear substrate 11 with a predetermined discharge gap by a spacer or the like (not shown). 12 and. Back substrate 1 above
1, the front substrate 12 and the electrode support plate 22 are both formed of a translucent insulating material such as glass. Further, on the side surfaces of the reflecting members 21, 21, second reflecting layers 23, 23 made of aluminum foil, an aluminum vapor deposition film or the like and facing the transparent cold cathodes 1, 1 are formed. Further, the peripheral edges of the back substrate 11 and the front substrate 12 are hermetically sealed with a sealing material (not shown) or the like to form an envelope. In the discharge space 14 formed in the envelope, Ne, A discharge gas mainly containing a rare gas such as Ar, He, Xe is filled.

【0030】しかして、上記透明陽極13及び透明冷陰極
1,1間に直流電圧を印加すると、各透明冷陰極1,1
と透明陽極13間で放電が発生し、該放電によって上記放
電空間14内に負グロー16,16が生じる。この負グロー1
6,16による光束のうち、前面基板12側に放射された成
分は、そのまま前面基板12を透過して表示側17に進行す
る。また、反射部材21,21側に放射された成分は、反射
部材21,21側面の第2の反射層23,23で反射され、前面
基板12を透過して表示側17に進行する。一方、透明冷陰
極1,1側に放射された成分は、そのまま透明冷陰極1
及び電極支持板22を透過し、さらに反対側の透明冷陰極
1をも透過して反対側の反射部材21に入射し、その反射
層23で反射されて前面基板12を透過し、表示側17へと進
行する。
However, when a DC voltage is applied between the transparent anode 13 and the transparent cold cathodes 1, 1, the transparent cold cathodes 1, 1 are cooled.
A discharge is generated between the transparent anode 13 and the transparent anode 13, and negative glows 16, 16 are generated in the discharge space 14 by the discharge. This negative glow 1
The components of the light fluxes 6 and 16 emitted to the front substrate 12 side pass through the front substrate 12 as they are and proceed to the display side 17. The components radiated to the reflecting members 21, 21 side are reflected by the second reflecting layers 23, 23 on the side surfaces of the reflecting members 21, 21 and pass through the front substrate 12 to proceed to the display side 17. On the other hand, the components radiated to the transparent cold cathodes 1 and 1 side are as they are.
And through the electrode support plate 22, further through the transparent cold cathode 1 on the opposite side, and enters the reflecting member 21 on the opposite side, and is reflected by the reflecting layer 23 to pass through the front substrate 12 and the display side 17 Proceed to.

【0031】このように、本実施例によれば、負グロー
16,16からの光束を広い範囲で捕らえて、これを表示用
に利用できる。なお、図示は省略したが、上記実施例と
同様に、上記背面基板11の外側に反射層を形成すれば、
透明陽極13側に入射した光束をも表示用として利用でき
る。
As described above, according to this embodiment, the negative glow
The light flux from 16, 16 can be captured in a wide range and used for display. Although not shown, if a reflective layer is formed on the outer side of the back substrate 11 as in the above embodiment,
The luminous flux incident on the transparent anode 13 side can also be used for display.

【0032】なお、図示の便宜上、図3及び図4におい
ては、2つの反射部材21,21と、該反射部材21,21間に
設けられた1つの電極支持板22のみを記載したが、これ
らによって最小単位である1放電セルが形成されるもの
であり、実際には該放電セルがドットマトリクス状に必
要個数形成される。また、上記透明陽極13,13間に隔壁
を設けることにより、各放電セル間の境界を明確化して
も良い。本実施例においては、透明陽極13を背面基板11
上に形成すると共に、透明冷陰極1,1を電極支持板22
の両面に形成したが、反対に、透明冷陰極1を背面基板
11上に形成し、透明陽極13を電極支持板22の両面に形成
するよう構成しても、同様の効果を得られる。
3 and 4, only two reflecting members 21 and 21 and one electrode supporting plate 22 provided between the reflecting members 21 and 21 are shown for convenience of illustration. One discharge cell, which is the minimum unit, is formed by the above, and the required number of discharge cells are actually formed in a dot matrix. Further, a boundary between the discharge cells may be clarified by providing a partition wall between the transparent anodes 13 and 13. In this embodiment, the transparent anode 13 is connected to the rear substrate 11
The transparent cold cathodes 1 and 1 are formed on the electrode support plate 22.
The transparent cold cathode 1 was formed on both sides of the back substrate.
The same effect can be obtained by forming the transparent anode 13 on the upper surface of the electrode support plate 22 and forming the transparent anode 13 on both surfaces of the electrode support plate 22.

【0033】つぎに、図5〜図7に基づいて、本発明に
係る冷陰極放電管の他の実施例たる表示放電ランプ30に
ついて説明する。該表示放電ランプ30は、気密容器31
と、該気密容器31内に封入された発光ブロック32とを有
してなり、該気密容器31は、光の放射方向となる上方に
集光用の凸レンズ部33を有すると共に、下方が開口した
カップ形状を呈する本体部34と、該本体部34の開口を閉
塞する蓋部35とから構成される。
Next, a display discharge lamp 30 as another embodiment of the cold cathode discharge tube according to the present invention will be described with reference to FIGS. The display discharge lamp 30 includes an airtight container 31.
And a light-emitting block 32 enclosed in the airtight container 31, the airtight container 31 has a convex lens portion 33 for condensing light in the upper direction, which is the direction of light emission, and has a lower opening. The main body 34 has a cup shape, and the lid 35 closes the opening of the main body 34.

【0034】また、上記発光ブロック32は、図6に示す
ように、上記蓋部35の上面に形成されたステム36上に固
着される底面反射板37と、該底面反射板37の上面に立設
された第1、第2、第3、第4、第5の各透光性絶縁基
板38,39,40,41,42と、これらを囲む前面反射板43、
背面反射板44及び側面反射板45とからなる。これらの底
面反射板37、前面反射板43、背面反射板44及び側面反射
板45は、それぞれアルミニウム等の薄板にて構成され
る。また、上記第1の透光性絶縁基板38の左側面には、
アルミニウム箔やアルミニウム蒸着膜からなる第3の反
射層46が形成される。したがって、上記第1〜第5の各
透光性絶縁基板38〜42は、光の放射部たる上部側47を除
いて、その周囲を底面反射板37、前面反射板43、背面反
射板44、側面反射板45及び上記第3の反射層46によって
取り囲まれる。
Further, as shown in FIG. 6, the light emitting block 32 is provided with a bottom reflection plate 37 fixed on a stem 36 formed on the top surface of the lid 35 and a top reflection plate 37. 1st, 2nd, 3rd, 4th, and 5th translucent insulating substrates 38, 39, 40, 41, 42 provided, and a front reflector 43 surrounding them.
It comprises a back reflector 44 and a side reflector 45. The bottom reflection plate 37, the front reflection plate 43, the back reflection plate 44, and the side reflection plate 45 are each made of a thin plate such as aluminum. In addition, on the left side surface of the first translucent insulating substrate 38,
A third reflective layer 46 made of aluminum foil or aluminum vapor deposition film is formed. Therefore, each of the first to fifth translucent insulating substrates 38 to 42 has a bottom reflection plate 37, a front reflection plate 43, a back reflection plate 44, around its periphery except for the upper side 47 which is a light emitting portion. It is surrounded by the side reflector 45 and the third reflective layer 46.

【0035】図7に示すように、上記第2の透光性絶縁
基板39の一面には、櫛歯状透明冷陰極48と櫛歯状透明陽
極49とが、それぞれの櫛歯部が放電間隙を隔てて互い違
いに並列するように被着形成される。この櫛歯状透明冷
陰極48は、図示は省略するが、上記透明冷陰極1と同様
に、NESA膜やITO膜などの透明導電膜によって形
成された陰極基体と、透光性を備えたアモルファス状の
半導体層と、透光性を備えたアモルファス状のエミッタ
層とから構成され、その下端部にはリード線接続部50が
形成される。また上記櫛歯状透明陽極49は、NESA膜
やITO膜などの透明導電膜よりなり、その下端部には
リード線接続部51が形成される。上記第3、第4、第5
の透光性絶縁基板40,41,42も、この第2の透光性絶縁
基板39と同様の構成を有する。また、上記第1の透光性
絶縁基板38も、その左側面に上記第3の反射層46が形成
される以外は、第2の透光性絶縁基板39と同様の構成を
有する。
As shown in FIG. 7, a comb-teeth-shaped transparent cold cathode 48 and a comb-teeth-shaped transparent anode 49 are formed on one surface of the second light-transmissive insulating substrate 39. Are formed so as to be alternately arranged side by side. Although not shown, the comb-teeth-shaped transparent cold cathode 48 is, like the transparent cold cathode 1, a cathode substrate formed of a transparent conductive film such as a NESA film or an ITO film, and an amorphous material having a light-transmitting property. A semiconductor layer and an amorphous emitter layer having a light-transmitting property, and a lead wire connecting portion 50 is formed at the lower end thereof. The comb-shaped transparent anode 49 is made of a transparent conductive film such as a NESA film or an ITO film, and a lead wire connecting portion 51 is formed at the lower end thereof. The above third, fourth and fifth
The translucent insulating substrates 40, 41, 42 also have the same configuration as the second translucent insulating substrate 39. The first translucent insulating substrate 38 also has the same configuration as the second translucent insulating substrate 39 except that the third reflective layer 46 is formed on the left side surface thereof.

【0036】上記第1〜第5の透光性絶縁基板39〜42
は、上記底面反射板37上に、それぞれ一定の間隔をおい
て、各電極形成面と電極非形成面とが対向するように立
設される。また、上記側面反射板45も、該底面反射板37
上に、第5の透光性絶縁基板42との間に一定の間隔をお
いて立設される。
The above first to fifth translucent insulating substrates 39 to 42
Are erected on the bottom reflection plate 37 such that the electrode-formed surface and the electrode-unformed surface are opposed to each other at regular intervals. In addition, the side reflector 45 is also the bottom reflector 37.
The fifth light-transmissive insulating substrate 42 and the fifth light-transmissive insulating substrate 42 are erected on the upper side thereof with a constant space.

【0037】上記各櫛歯状透明冷陰極48のリード線接続
部50には、ステム36内に配設された第1のリード線52が
それぞれ接続され、該第1のリード線52は第1の外部端
子53に接続される。また、上記各櫛歯状透明陽極49のリ
ード線接続部51にも、同じくステム36内に配設された第
2のリード線54がそれぞれ接続され、該第2のリード線
54は第2の外部端子55に接続される。なお、上記気密容
器31の蓋部35に設けられた排気管56を通じて気密容器31
内の空気が排気された後、同排気管56を通じてNe,A
r,He,Xe等の放電ガスが封入され、その後上記排
気管56は焼き切られる。
A first lead wire 52 provided in the stem 36 is connected to the lead wire connecting portion 50 of each of the comb-shaped transparent cold cathodes 48, and the first lead wire 52 is the first lead wire 52. Connected to the external terminal 53 of. In addition, the lead wire connecting portions 51 of the respective comb-teeth-shaped transparent anodes 49 are also connected to the second lead wires 54 also arranged in the stem 36, and the second lead wires are also connected.
54 is connected to the second external terminal 55. Note that the airtight container 31 is exhausted through the exhaust pipe 56 provided in the lid portion 35 of the airtight container 31.
After the air inside is exhausted, Ne, A
A discharge gas such as r, He, or Xe is filled, and then the exhaust pipe 56 is burnt off.

【0038】しかして、上記第1の外部端子53及び第2
の外部端子55を介して上記櫛歯状透明冷陰極48及び櫛歯
状透明陽極49間に直流電圧を印加すると、第1〜第5の
各透光性絶縁基板38〜42の側方に形成された放電間隙に
おいて放電が生じ、該放電による負グローが発生する。
該負グローによる光束のうち、気密容器31の上方に進む
成分は、そのまま凸レンズ部33を通過して外部に放射さ
れる。また、それ以外の方向に進んだ成分は、上記櫛歯
状透明冷陰極48、櫛歯状透明陽極49、及び第1〜第5の
各透光性絶縁基板38〜42の全てが透光性を有することか
ら、上記底面反射板37、前面反射板43、背面反射板44、
側面反射板45及び第3の反射層46のいずれかに到達し、
そこで反射されて、最終的には発光ブロック32の上部側
47を通って気密容器31の凸レンズ部33に入射し、そこか
ら外部に放射されることとなる。したがって、負グロー
によって発生した光束を無駄に漏洩させることなく、有
効に表示用或いは照明用として利用できる。
Thus, the first external terminal 53 and the second external terminal 53
When a DC voltage is applied between the comb-teeth-shaped transparent cold cathode 48 and the comb-teeth-shaped transparent anode 49 via the external terminal 55, the light-transmissive insulating substrates 38 to 42 are formed on the sides of the first to fifth translucent insulating substrates 38 to 42. Discharge occurs in the generated discharge gap, and negative glow is generated by the discharge.
A component of the light flux due to the negative glow that travels above the airtight container 31 passes through the convex lens portion 33 and is emitted to the outside. In addition, the components that proceed in the other directions are transparent to the comb-shaped transparent cold cathode 48, the comb-shaped transparent anode 49, and the first to fifth transparent insulating substrates 38 to 42. From the above, the bottom reflection plate 37, the front reflection plate 43, the back reflection plate 44,
Reach either the side reflector 45 or the third reflector layer 46,
There, it is reflected, and finally the upper side of the light emitting block 32.
The light enters the convex lens portion 33 of the airtight container 31 through 47 and is emitted to the outside from there. Therefore, the luminous flux generated by the negative glow can be effectively used for display or illumination without wasting.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明に係る透明冷陰極は、上記のよう
に透明導電膜からなる陰極基体と、透光性を備えたアモ
ルファス状の半導体層と、透光性を備えたアモルファス
状のエミッタ層とを積層してなり、陰極全体として透光
性を備えるため、放電により発生した負グローの光束の
うち、透明冷陰極に入射した成分が該透明冷陰極自体に
吸収されることがない。
As described above, the transparent cold cathode according to the present invention comprises a cathode substrate made of a transparent conductive film, an amorphous semiconductor layer having a light transmitting property, and an amorphous emitter having a light transmitting property. Since the cathode as a whole has a light-transmitting property, the components of the negative glow light flux generated by the discharge that have entered the transparent cold cathode are not absorbed by the transparent cold cathode itself.

【0040】したがって、この透明冷陰極を用いて冷陰
極放電管を形成すれば、透明冷陰極に入射した光束を、
そのまま表示用或いは照明用として利用することが可能
であり、或いは、適当な反射手段を介して冷陰極放電管
の光の放射方向に導くことにより、表示用或いは照明用
に利用することができ、冷陰極放電管の発光効率を高め
ることができる。
Therefore, if a cold cathode discharge tube is formed using this transparent cold cathode, the luminous flux incident on the transparent cold cathode is
It can be used as it is for display or illumination, or it can be used for display or illumination by guiding it in the light emission direction of the cold cathode discharge tube through an appropriate reflection means. The luminous efficiency of the cold cathode discharge tube can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る透明冷陰極を示す概略断面図であ
る。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a transparent cold cathode according to the present invention.

【図2】本発明に係る冷陰極放電管の一実施例を示す概
略断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing an embodiment of a cold cathode discharge tube according to the present invention.

【図3】本発明に係る冷陰極放電管の他の実施例を示す
概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing another embodiment of the cold cathode discharge tube according to the present invention.

【図4】上記実施例の概略斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view of the above embodiment.

【図5】本発明に係る冷陰極放電管の他の実施例を示す
概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the cold cathode discharge tube according to the present invention.

【図6】上記実施例に係る発光ブロックを示す概略斜視
図である。
FIG. 6 is a schematic perspective view showing a light emitting block according to the above embodiment.

【図7】上記発光ブロックを構成する透光性絶縁基板を
示す概略斜視図である。
FIG. 7 is a schematic perspective view showing a translucent insulating substrate that constitutes the light emitting block.

【図8】従来例に係る冷陰極放電管を示す概略斜視図で
ある。
FIG. 8 is a schematic perspective view showing a cold cathode discharge tube according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明冷陰極 2 基板 3 陰極基体 4 半導体層 5 エミッタ層 10 第1の冷陰極放電管 11 背面基板 12 前面基板 13 透明陽極 14 放電空間 15 第1の反射層 16 負グロー 20 第2の冷陰極放電管 21 反射部材 22 電極支持板 23 第2の反射層 30 表示放電ランプ 31 気密容器 37 底面反射板 38 第1の透光性絶縁基板 39 第2の透光性絶縁基板 40 第3の透光性絶縁基板 41 第4の透光性絶縁基板 42 第5の透光性絶縁基板 43 前面反射板 44 背面反射板 45 側面反射板 46 第3の反射層 47 上部側 48 櫛歯状透明冷陰極 49 櫛歯状透明陽極 1 Transparent Cold Cathode 2 Substrate 3 Cathode Base 4 Semiconductor Layer 5 Emitter Layer 10 First Cold Cathode Discharge Tube 11 Rear Substrate 12 Front Substrate 13 Transparent Anode 14 Discharge Space 15 First Reflection Layer 16 Negative Glow 20 Second Cold Cathode Discharge tube 21 Reflective member 22 Electrode support plate 23 Second reflective layer 30 Display discharge lamp 31 Airtight container 37 Bottom reflector 38 First translucent insulating substrate 39 Second translucent insulating substrate 40 Third translucent substrate Insulating substrate 41 4th translucent insulating substrate 42 5th translucent insulating substrate 43 Front reflector 44 Back reflector 45 Side reflector 46 Third reflector 47 Upper side 48 Comb-shaped transparent cold cathode 49 Comb-shaped transparent anode

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明導電膜からなる陰極基体と、該陰極
基体の表面を被覆する透光性を備えたアモルファス状の
半導体層と、該半導体層の表面を被覆する透光性を備え
たアモルファス状のエミッタ層とを有してなる透明冷陰
極。
1. A cathode substrate made of a transparent conductive film, a light-transmissive amorphous semiconductor layer that covers the surface of the cathode substrate, and a light-transmissive amorphous layer that covers the surface of the semiconductor layer. Cold cathode having a striped emitter layer.
【請求項2】 上記半導体層は、NiO、Cu2O、M
oO2、W23よりなる群から選定される一種類以上の
金属酸化物を含む半導体物質を、透光性を備えたアモル
ファス状に形成してなることを特徴とする、請求項1に
記載の透明冷陰極。
2. The semiconductor layer comprises NiO, Cu 2 O, M
The semiconductor material containing at least one kind of metal oxide selected from the group consisting of oO 2 and W 2 O 3 is formed in an amorphous state having a light-transmitting property. The transparent cold cathode described.
【請求項3】 上記エミッタ層は、アルカリ土類金属元
素の酸化物、アルカリ金属元素の酸化物、希土類元素の
酸化物よりなる群から選定される一種類以上の金属酸化
物を含むエミッタ材を、透光性を備えたアモルファス状
に形成してなることを特徴とする、請求項1または2に
記載の透明冷陰極。
3. The emitter layer comprises an emitter material containing at least one metal oxide selected from the group consisting of oxides of alkaline earth metal elements, oxides of alkali metal elements and oxides of rare earth elements. The transparent cold cathode according to claim 1 or 2, wherein the transparent cold cathode is formed in an amorphous state having a light-transmitting property.
【請求項4】 上記エミッタ層は、BaO・La23
透光性を備えたアモルファス状に形成してなることを特
徴とする、請求項3に記載の透明冷陰極。
4. The transparent cold cathode according to claim 3, wherein the emitter layer is formed by forming BaO.La 2 O 3 in an amorphous state having a light transmitting property.
【請求項5】 透明導電膜を形成して陰極基体となし、
該陰極基体の表面に、酸化によって半導体となる性質を
有する金属のアルコキシド及びカルボン酸塩よりなる群
から選定される一種類以上の有機金属を含む材料を付着
させ、これを上記有機金属の分解温度以上、結晶化温度
未満の温度で加熱することにより、上記有機金属を分解
して金属酸化物を含む半導体物質を透光性を備えたアモ
ルファス状に形成し、もって陰極基体の表面を被覆する
半導体層を形成すると共に、該半導体層の表面に透光性
を備えたアモルファス状のエミッタ材を固着させて、上
記半導体層の表面を被覆するエミッタ層を形成すること
を特徴とする透明冷陰極の製造方法。
5. A transparent conductive film is formed to form a cathode substrate,
A material containing one or more kinds of organic metal selected from the group consisting of alkoxides and carboxylates of metals having the property of becoming semiconductors by oxidation is adhered to the surface of the cathode substrate, and this is attached at the decomposition temperature of the above-mentioned organic metals. As described above, by heating at a temperature lower than the crystallization temperature, the organic metal is decomposed to form a semiconductor material containing a metal oxide in an amorphous state having a light-transmitting property, and thus a surface of the cathode substrate is covered with a semiconductor. A transparent cold cathode characterized by forming a layer and fixing an amorphous emitter material having a light-transmitting property to the surface of the semiconductor layer to form an emitter layer covering the surface of the semiconductor layer. Production method.
【請求項6】 透明導電膜を形成して陰極基体となし、
該陰極基体の表面に透光性を備えたアモルファス状の半
導体物質を固着させて、上記陰極基体の表面を被覆する
半導体層を形成し、該半導体層の表面に、アルカリ土類
金属元素、アルカリ金属元素または希土類元素を含む金
属のアルコキシド及びカルボン酸塩よりなる群から選定
される一種類以上の有機金属を含む材料を付着させ、こ
れを上記有機金属の分解温度以上、結晶化温度未満の温
度で加熱することにより、上記有機金属を分解してアル
カリ土類金属元素の酸化物、アルカリ金属元素の酸化物
及び希土類元素の酸化物よりなる群から選定される一種
類以上の金属酸化物を含むエミッタ材を透光性を備えた
アモルファス状に形成し、もって上記半導体層の表面を
被覆するエミッタ層を形成することを特徴とする透明冷
陰極の製造方法。
6. A transparent conductive film is formed to form a cathode substrate,
An amorphous semiconductor substance having a light-transmitting property is fixed to the surface of the cathode substrate to form a semiconductor layer covering the surface of the cathode substrate, and an alkaline earth metal element, an alkali is formed on the surface of the semiconductor layer. A material containing one or more kinds of organic metals selected from the group consisting of alkoxides and carboxylates of metals containing metal elements or rare earth elements is attached, and this is attached at a temperature not lower than the decomposition temperature of the above-mentioned organic metals and lower than the crystallization temperature. By heating to decompose the organic metal to include one or more metal oxides selected from the group consisting of oxides of alkaline earth metal elements, oxides of alkali metal elements and oxides of rare earth elements. A method for producing a transparent cold cathode, which comprises forming an emitter material in an amorphous state having a light-transmitting property, and thereby forming an emitter layer covering the surface of the semiconductor layer.
【請求項7】 第1の基板と第2の基板とを、所定の放
電間隙を隔てて対向配置し、上記第1の基板の第2の基
板との対向面に冷陰極を形成すると共に、上記第2の基
板の第1の基板との対向面に陽極を形成し、上記両基板
の周縁を気密封止して外囲器となし、該外囲器内に放電
ガスを封入してなる冷陰極放電管において、上記第1の
基板及び第2の基板を透光性絶縁材によって形成すると
共に、上記冷陰極を透明導電膜からなる陰極基体と、該
陰極基体の表面を被覆する透光性を備えたアモルファス
状の半導体層と、該半導体層の表面を被覆する透光性を
備えたアモルファス状のエミッタ層とを有してなる透明
冷陰極によって構成し、上記陽極を透明導電膜からなる
透明陽極によって構成し、上記第1の基板及び第2の基
板の何れか一方の外面に反射層を形成することを特徴と
する冷陰極放電管。
7. A first substrate and a second substrate are arranged to face each other with a predetermined discharge gap, and a cold cathode is formed on a surface of the first substrate facing the second substrate, and An anode is formed on the surface of the second substrate facing the first substrate, the peripheral edges of the two substrates are hermetically sealed to form an envelope, and a discharge gas is enclosed in the envelope. In the cold cathode discharge tube, the first substrate and the second substrate are formed of a translucent insulating material, and the cold cathode is a cathode substrate made of a transparent conductive film, and a light transmissive material covering the surface of the cathode substrate. Composed of a transparent cold cathode having a transparent amorphous semiconductor layer and a light-transmitting amorphous emitter layer for covering the surface of the semiconductor layer, wherein the anode is made of a transparent conductive film. Which is a transparent anode, and is provided outside either one of the first substrate and the second substrate. A cold cathode discharge tube, characterized in that a reflective layer is formed on the surface thereof.
【請求項8】 透光性絶縁材よりなる第1の基板と第2
の基板とを所定の放電間隙を隔てて対向配置し、両基板
の周縁を気密封止して外囲器となし、該外囲器内に放電
ガスを封入し、上記第1の基板の第2の基板との対向面
に複数の反射部材を所定の間隔をおいて形成すると共
に、該反射部材間に透光性絶縁材からなる電極支持板を
立設し、該電極支持板の両面に冷陰極及び陽極のいずれ
か一方を被着形成して第1の電極となし、上記第1の基
板の第2の基板との対向面に上記冷陰極及び陽極のいず
れか他方を被着形成して上記第1の電極に対応する第2
の電極となした冷陰極放電管であって、上記冷陰極を透
明導電膜からなる陰極基体と、該陰極基体の表面を被覆
する透光性を備えたアモルファス状の半導体層と、該半
導体層を被覆する透光性を備えたアモルファス状のエミ
ッタ層とからなる透明冷陰極によって構成すると共に、
上記陽極を透明導電膜からなる透明陽極によって構成す
ることを特徴とする冷陰極放電管。
8. A first substrate and a second substrate made of a translucent insulating material.
Of the first substrate and the first substrate of the first substrate, which are opposed to each other with a predetermined discharge gap, and hermetically seal the peripheral edges of both substrates to form an envelope. A plurality of reflecting members are formed on the surface facing the second substrate at predetermined intervals, and an electrode supporting plate made of a translucent insulating material is erected between the reflecting members, and both sides of the electrode supporting plate are provided. One of the cold cathode and the anode is adhered to form the first electrode, and the other of the cold cathode and the anode is adhered to the surface of the first substrate facing the second substrate. The second electrode corresponding to the first electrode
A cold cathode discharge tube serving as an electrode of the above, wherein the cold cathode is a cathode substrate made of a transparent conductive film, a translucent amorphous semiconductor layer covering the surface of the cathode substrate, and the semiconductor layer And a transparent cold cathode consisting of a light-transmitting amorphous emitter layer for covering
A cold cathode discharge tube, characterized in that the anode is constituted by a transparent anode made of a transparent conductive film.
【請求項9】 透光性絶縁材よりなる複数の基板の一面
に、それぞれ櫛歯状の冷陰極と陽極とを、両電極の櫛歯
部が所定の間隙を隔てて互い違いに並ぶように被着形成
し、各基板をそれぞれの電極形成面と電極非形成面とが
所定の放電間隙を隔てて対向するように並設し、該基板
の周囲を反射手段によって、光の放射部を残して取り囲
み、これを気密容器内に放電ガスと共に収納してなる冷
陰極放電管であって、上記冷陰極を、透明導電膜からな
る陰極基体と、該陰極基体の表面を被覆する透光性を備
えたアモルファス状の半導体層と、該半導体層を被覆す
る透光性を備えたアモルファス状のエミッタ層とからな
る透明冷陰極によって構成すると共に、上記陽極を透明
導電膜からなる透明陽極によって構成することを特徴と
する冷陰極放電管。
9. A comb-teeth-shaped cold cathode and an anode are respectively provided on one surface of a plurality of substrates made of a translucent insulating material so that the comb-teeth portions of both electrodes are arranged alternately with a predetermined gap. Then, the substrates are arranged side by side so that the electrode-formed surface and the electrode-unformed surface face each other with a predetermined discharge gap therebetween, and a light emitting portion is left around the substrate by a reflecting means. A cold cathode discharge tube which is surrounded and is housed together with a discharge gas in an airtight container, wherein the cold cathode has a cathode base made of a transparent conductive film and a light-transmitting property for coating the surface of the cathode base. And a transparent cold cathode composed of an amorphous semiconductor layer and a light-transmitting amorphous emitter layer covering the semiconductor layer, and the anode is composed of a transparent anode composed of a transparent conductive film. A cold cathode discharge tube characterized by.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100293834B1 (en) * 1995-07-31 2001-09-17 가시오 가즈오 Electron emitting electrode, method of manufacturing the same, and electron emitting device
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