JPH05186884A - Metallic conductive foil or metallic alloy conductive foil and manufacture thereof - Google Patents

Metallic conductive foil or metallic alloy conductive foil and manufacture thereof

Info

Publication number
JPH05186884A
JPH05186884A JP28691891A JP28691891A JPH05186884A JP H05186884 A JPH05186884 A JP H05186884A JP 28691891 A JP28691891 A JP 28691891A JP 28691891 A JP28691891 A JP 28691891A JP H05186884 A JPH05186884 A JP H05186884A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
foil
lead
thickness
solder film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28691891A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Mori
暁 森
Shigeru Yamamoto
山本  茂
Junichi Oda
淳一 小田
Naoki Uchiyama
直樹 内山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP28691891A priority Critical patent/JPH05186884A/en
Publication of JPH05186884A publication Critical patent/JPH05186884A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide conductive foil high in the joining strength of a solder joint part and free from the generation of soldering balls. CONSTITUTION:In the objective metallic conductive foil or metallic alloy conductive foil, a solder film 50 with 1 to 50mum thickness constituted in such a manner that plural lead layers 31 and 32 and tin layers 41 and 42 are alternately laminated is formed on the surface 21 of foil body 20 constituted of metal or alloy essentially consisting of the metal. At the time of using one kind selected from gold, silver, platinum and palladium as the above-mentioned metal, the thickness of the solder film is regulated to 3 to 50mum, and at the time of using lead as the above-mentioned metal, the thickness of the solder film is regulated to l to 30mum as well as the thickness of the layer constituted of the adjacent one lead layer and tin layer is regulated to <=8mum. Moreover, the objective conductive foil is manufactured by a vacuum deposition method.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばトランジスタ等
の素子のための導体として用いて好適な金属製導体箔ま
たは金属合金製導体箔およびその製造方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal conductor foil or metal alloy conductor foil suitable for use as a conductor for devices such as transistors, and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば、比較的大きな電流の流れ
るパワートランジスタや光電変換素子において使用さ
れ、かつ、振動を受けやすい環境下で使用される導体と
しては、比抵抗を低下させると共に可撓性を持たせるた
めに、メッシュや導体の途中に曲げ加工を入れた構造と
された金属または金属合金製の導体箔(以下「導体箔」
と略称する。)がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, as a conductor used in a power transistor or a photoelectric conversion element through which a relatively large current flows, and used in an environment susceptible to vibration, a specific resistance is lowered and flexibility is obtained. Conductive foil made of metal or metal alloy with a structure in which a bending process is inserted in the middle of the mesh or conductor in order to have
Is abbreviated. ).

【0003】この導体箔の一面側には、通常、鉛ー錫系
合金からなるはんだ膜が形成されており、該導体箔を素
子にはんだ付けする場合、このはんだ膜を素子に当接さ
せた状態ではんだ膜の他面側からヒートブロックを押し
当てることにより、はんだ膜を溶解させて接続すること
ができるようになっている。
A solder film made of a lead-tin alloy is usually formed on one surface of the conductor foil. When the conductor foil is soldered to an element, the solder film is brought into contact with the element. By pressing the heat block from the other surface side of the solder film in this state, the solder film can be melted and connected.

【0004】ところで、前記導体箔にはんだ膜を形成す
る方法としては、溶融はんだ浴中にはんだ付けする部分
を侵漬してはんだ膜を形成する侵漬法や、導体箔にマス
キングしてはんだ膜を付着させる部分のみを露出させた
後にはんだをメッキし、その後マスクを除去するメッキ
法や、スパッタリングによってはんだ膜を形成するスパ
ッタ法などがある。
By the way, as a method of forming a solder film on the conductor foil, an immersion method of forming a solder film by immersing a portion to be soldered in a molten solder bath, or a solder film by masking the conductor foil is used. There are a plating method in which only a portion to which is attached is exposed and then a solder is plated, and then the mask is removed, and a sputtering method in which a solder film is formed by sputtering.

【0005】しかしながら、前記侵漬法では、製品間に
おけるはんだ膜厚のバラツキが大きいために、膜厚不足
によるはんだ付け不良や、過剰に塗布されたはんだによ
る他の接合部とのショートや、箔材の断線が発生し易い
という不都合がある。また、特に、導体箔の材質が鉛ま
たは鉛合金の場合には、導体箔が溶融はんだ中に溶解し
てしまうという不都合も生じる。
However, in the dipping method, there is a large variation in the solder film thickness between products, so that soldering failure due to insufficient film thickness, short-circuit with other joints due to excessively applied solder, and foil. There is an inconvenience that the material is easily broken. Further, in particular, when the material of the conductor foil is lead or a lead alloy, there is a disadvantage that the conductor foil is melted in the molten solder.

【0006】また、前記メッキ法では、製品間における
はんだの厚みや組成のバラツキが大きいために、はんだ
不足によるはんだ付け不良や、はんだ過多による箔材の
断線が発生し易いという不具合がある。また、例えば、
メッシュにはんだをメッキした導体箔においては、はん
だメッキ終了後にマスクを除去すると該導体箔に形成さ
れたメッシュ内にマスクの残渣が残り、この残渣が、は
んだの濡れ広がりを阻害するためにはんだ付け不良の原
因となるという不都合がある。
Further, in the above-mentioned plating method, since there are large variations in the thickness and composition of the solder between products, there is a problem that soldering failure due to insufficient solder and breakage of the foil material due to excessive solder are likely to occur. Also, for example,
In the conductor foil with the mesh plated with solder, when the mask is removed after the solder plating is completed, the residue of the mask remains in the mesh formed on the conductor foil. There is the inconvenience of causing defects.

【0007】また、スパッタ法では、成膜速度が遅いた
めに実用上必要とされる1μm以上のはんだ膜を形成す
るには極めて長時間を必要とし、実用として用いるには
不適当である。そこで、真空蒸着装置を用い、鉛ー錫系
合金からなるはんだ合金を蒸発源として導体箔の表面に
はんだ膜を形成する方法が提案され実用に供されてい
る。この真空蒸着法によれば、上述した不都合等を解消
することができるという利点がある。
Further, the sputtering method requires a very long time to form a solder film having a thickness of 1 μm or more, which is required for practical use, because the film forming speed is slow, and is not suitable for practical use. Therefore, a method of forming a solder film on the surface of the conductor foil by using a solder alloy composed of a lead-tin alloy as an evaporation source using a vacuum vapor deposition apparatus has been proposed and put into practical use. This vacuum vapor deposition method has an advantage that the above-mentioned inconveniences and the like can be eliminated.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
真空蒸着法においては、同一の温度では錫よりも鉛の蒸
気圧の方が遥に高い(例えば、1000℃の下では、鉛
の方が錫より約10000倍も高い)ために、図2に示
す様に、この方法により得られるはんだ膜1は、箔本体
2側に形成された極めて鉛に富んだ鉛基合金層3と、こ
の層3の表面側に形成された極めて錫に富んだ錫基合金
層4とから構成されることになる。このため、はんだ付
けの際には、鉛基合金層3および錫基合金層4の双方を
同時に溶融して均一な合金相とする必要がある。
However, in the conventional vacuum vapor deposition method, the vapor pressure of lead is much higher than that of tin at the same temperature (for example, at 1000 ° C., lead is less tin). 2), the solder film 1 obtained by this method has an extremely lead-rich lead-based alloy layer 3 formed on the foil main body 2 side and this layer 3 as shown in FIG. And a tin-based alloy layer 4 which is extremely rich in tin and is formed on the surface side of. Therefore, at the time of soldering, it is necessary to melt both the lead-based alloy layer 3 and the tin-based alloy layer 4 simultaneously to form a uniform alloy phase.

【0009】前記はんだ膜1の場合、鉛および錫単体の
それぞれの融点は、はんだ合金の融点よりも高温である
ために、はんだ合金のみからはんだ膜を構成した場合に
比較して、はんだ付け温度を高くしなければならず、は
んだ付けされる素子にダメージを与え、素子の信頼性を
低下させてしまうという不都合がある。特に、導体箔に
鉛または鉛を主成分とする合金を用いた場合、はんだ付
けのために該導体箔が高温に長時間さらされることにな
り、該導体箔の機械的強度が低下するという不都合もあ
る。
In the case of the solder film 1, since the melting points of lead and tin alone are higher than the melting point of the solder alloy, the soldering temperature is higher than that when the solder film is composed of only the solder alloy. Has to be increased, which damages the element to be soldered and reduces the reliability of the element. In particular, when lead or an alloy containing lead as a main component is used for the conductor foil, the conductor foil is exposed to a high temperature for a long time for soldering, which lowers the mechanical strength of the conductor foil. There is also.

【0010】そこで、本発明者等が、これらの不都合を
解決するために種々研究した結果、複数の鉛層および錫
層を交互に積層することにより、鉛層と錫層との相互拡
散が容易となり、層全体の融点をはんだ合金の融点に近
づけることができ、したがって、はんだ付け温度を低下
させることができることが判明した。
Therefore, as a result of various studies conducted by the present inventors in order to solve these disadvantages, the mutual diffusion of the lead layer and the tin layer is facilitated by alternately laminating a plurality of lead layers and tin layers. It was found that the melting point of the entire layer can be brought close to the melting point of the solder alloy, and therefore the soldering temperature can be lowered.

【0011】また、複数の鉛層および錫層の各層の厚み
を一定の厚み以下に制御すれば、層全体の融点をはんだ
合金の融点にさらに近づけることができ、したがって、
はんだ付け温度をさらに低下させることができることも
判明した。
Further, if the thickness of each of the plurality of lead layers and the tin layer is controlled to be equal to or less than a certain thickness, the melting point of the entire layer can be brought closer to the melting point of the solder alloy, and therefore,
It has also been found that the soldering temperature can be further reduced.

【0012】また、真空蒸着法において、複数の蒸発源
を順次蒸発させることにより、複数の鉛層および錫層が
交互に積層されたはんだ膜を形成することができること
も判明した。
It has also been found that in the vacuum vapor deposition method, a solder film in which a plurality of lead layers and tin layers are alternately laminated can be formed by sequentially evaporating a plurality of evaporation sources.

【0013】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
もので、真空蒸着法による利点を保ちつつ、はんだ付け
温度を低くすることのできる金属製導体箔または金属合
金製導体箔およびその製造方法を提供することを目的と
するものである。
The present invention has been made on the basis of the above findings, and a metal conductive foil or a metal alloy conductive foil capable of lowering the soldering temperature while maintaining the advantages of the vacuum deposition method, and a method for manufacturing the same. It is intended to provide.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な金属製導体箔または金属合金製導
体箔およびその製造方法を採用した。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs the following metal conductor foil or metal alloy conductor foil and its manufacturing method.

【0015】すなわち、請求項1記載の金属製導体箔ま
たは金属合金製導体箔は、金属または当該金属を主成分
とする合金からなる箔本体の表面に、複数の鉛層および
錫層を交互に積層してなるはんだ膜が形成され、このは
んだ膜の厚みが1μm以上50μm以下とされているこ
とを特徴とする。
That is, in the metal conductor foil or the metal alloy conductor foil according to the first aspect, a plurality of lead layers and tin layers are alternately formed on the surface of the foil body made of a metal or an alloy containing the metal as a main component. A laminated solder film is formed, and the thickness of the solder film is 1 μm or more and 50 μm or less.

【0016】ここで、はんだ膜の厚みを1μm以上50
μm以下に限定した理由は、はんだ膜の厚みが1μm以
下であると、はんだ不足のために素子と導体箔との接合
不良が発生するおそれがあり、また、はんだ膜の厚みが
50μmを超えると、余分なはんだが隣接する電極に流
れ込んでショートしたり、接合部からはみ出たはんだが
ボール状となって他の電極等に接触し、ショートの原因
になるという不都合があるためである。
Here, the thickness of the solder film is 1 μm or more and 50
The reason for limiting the thickness to μm or less is that if the thickness of the solder film is 1 μm or less, there is a risk of defective joint between the element and the conductor foil due to insufficient solder, and if the thickness of the solder film exceeds 50 μm. This is because excess solder flows into the adjacent electrodes to cause a short circuit, or the solder protruding from the joint forms a ball shape and contacts another electrode or the like, which causes a short circuit.

【0017】また、請求項2記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔は、請求項1記載の金属製導体箔また
は金属合金製導体箔において、前記金属は、金(A
u)、銀(Ag)、白金(Pt)及びパラジウム(P
d)から選択された1種からなり、前記はんだ膜の厚み
が3μm以上50μm以下とされていることを特徴とす
る。
The metal conductor foil or metal alloy conductor foil according to claim 2 is the metal conductor foil or metal alloy conductor foil according to claim 1, wherein the metal is gold (A
u), silver (Ag), platinum (Pt) and palladium (P
The solder film is made of one kind selected from d) and has a thickness of 3 μm or more and 50 μm or less.

【0018】ここで、はんだ膜の厚みを3μm以上50
μm以下に限定した理由は、箔本体の主成分が金(A
u)、銀(Ag)、白金(Pt)及びパラジウム(P
d)から選択された1種である場合に、はんだ膜の厚み
が3μm以下であると、はんだ不足のために素子と導体
箔との接合不良が発生するおそれがあり、また、はんだ
膜の厚みが50μmを超えると、余分なはんだが隣接す
る電極に流れ込んでショートしたり、接合部からはみ出
たはんだがボール状となって他の電極等に接触し、ショ
ートの原因になるという不都合があるためである。
Here, the thickness of the solder film is 3 μm or more and 50
The reason for limiting to less than μm is that the main component of the foil body is gold (A
u), silver (Ag), platinum (Pt) and palladium (P
When the thickness of the solder film is 3 μm or less in the case of one kind selected from d), there is a risk of defective bonding between the element and the conductor foil due to insufficient solder, and the thickness of the solder film. Is more than 50 μm, excess solder may flow into the adjacent electrodes to cause a short circuit, or the solder protruding from the joint may become balls and contact other electrodes, causing a short circuit. Is.

【0019】また、請求項3記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔は、請求項1記載の金属製導体箔また
は金属合金製導体箔において、前記金属は、鉛(Pb)
からなり、前記はんだ膜の厚みが1μm以上30μm以
下、かつ、隣接する1つの鉛層と錫層からなる層の厚み
が8μm以下とされていることを特徴とする。
The metal conductor foil or metal alloy conductor foil according to claim 3 is the metal conductor foil or metal alloy conductor foil according to claim 1, wherein the metal is lead (Pb).
And the thickness of the solder film is 1 μm or more and 30 μm or less, and the thickness of one adjacent lead layer and tin layer is 8 μm or less.

【0020】ここで、鉛合金とは、例えば、錫(S
n)、インジウム(In)、銀(Ag)等の元素を副成
分として含み、融点が蒸着により形成されるはんだ膜よ
り高い合金をいうものである。
Here, the lead alloy is, for example, tin (S
n), indium (In), silver (Ag), and other elements as subcomponents, and having a melting point higher than that of the solder film formed by vapor deposition.

【0021】また、はんだ膜の厚みを1μm以上30μ
m以下に限定した理由は、箔本体の主成分が鉛(Pb)
である場合に、はんだ膜の厚みが1μm以下であると、
はんだ不足のために素子と前記金属からなる導体箔との
接合不良が発生するおそれがあり、また、はんだ膜の厚
みが30μmを超えると、余分なはんだが隣接する電極
に流れ込んでショートしたり、接合部からはみ出たはん
だがボール状となって他の電極等に接触し、ショートの
原因になるという不都合があり、さらに、該導体箔が断
線したり、接合部の機械的強度が低下したり等の不具合
が生じるためである。
Further, the thickness of the solder film is 1 μm or more and 30 μm.
The reason for limiting to m or less is that the main component of the foil body is lead (Pb).
When the thickness of the solder film is 1 μm or less,
There is a risk of defective joint between the element and the conductor foil made of the metal due to insufficient solder, and if the thickness of the solder film exceeds 30 μm, excess solder will flow into an adjacent electrode to cause a short circuit, There is an inconvenience that the solder protruding from the joint becomes a ball shape and contacts other electrodes or the like, causing a short circuit, and further, the conductor foil is broken or the mechanical strength of the joint is lowered. This is because problems such as

【0022】また、隣接する1つの鉛層と錫層からなる
層の厚みを8μm以下に限定した理由は、層の厚みが8
μm以上であると、当該層を溶融して均一なはんだ膜と
するには、加熱温度を更に高くしたり、または加熱時間
を延長したりする必要が生じ、ひいてはPbを主成分と
する導体箔の機械的強度が低下したり、はんだ付けされ
る素子の機能が劣化したり等の不具合が生じるためであ
る。
The reason why the thickness of the layer composed of one lead layer and tin layer adjacent to each other is limited to 8 μm or less is that the layer thickness is 8 μm.
If the thickness is at least μm, it is necessary to further raise the heating temperature or extend the heating time in order to melt the layer to form a uniform solder film, and consequently, the conductor foil containing Pb as a main component. This is because the mechanical strength of the device is deteriorated and the function of the element to be soldered is deteriorated.

【0023】また、請求項4記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法は、真空蒸着法により、金
属または当該金属を主成分とする合金からなる箔本体の
表面に鉛−錫系のはんだ膜を形成するようにした金属製
導体箔または金属合金製導体箔の製造方法であって、複
数の蒸発源を順次蒸発させることにより、複数の鉛層お
よび錫層を交互に積層したはんだ膜を形成することを特
徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a metal conductive foil or a metal alloy conductive foil, wherein lead-tin is formed on a surface of a foil body made of a metal or an alloy containing the metal as a main component by a vacuum deposition method. A method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil, which is configured to form a solder film of a system, wherein a plurality of lead layers and tin layers are alternately laminated by sequentially evaporating a plurality of evaporation sources. It is characterized in that a solder film is formed.

【0024】また、請求項5記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法は、請求項4記載の金属製
導体箔または金属合金製導体箔の製造方法において、前
記金属は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)及び
パラジウム(Pd)から選択された1種からなることを
特徴とする。
The method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil according to claim 5 is the method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil according to claim 4, wherein the metal is gold. It is characterized by being composed of one kind selected from (Au), silver (Ag), platinum (Pt) and palladium (Pd).

【0025】また、請求項6記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法は、請求項4記載の金属製
導体箔または金属合金製導体箔の製造方法において、前
記金属は、鉛(Pb)からなることを特徴とする。
The method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil according to claim 6 is the same as the method for producing a metal conductor foil or metal alloy conductor foil according to claim 4, wherein the metal is lead. (Pb).

【0026】[0026]

【実施例】本発明に係る導体箔の各実施例を図面に基づ
いて説明する。
Embodiments of the conductor foil according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0027】〔第1実施例〕図1は、本発明の第1実施
例である金属製導体箔または金属合金製導体箔(以下、
単に導体箔と略称する)10の部分拡大断面図である。
[First Embodiment] FIG. 1 shows a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil (hereinafter, referred to as a first embodiment of the present invention.
It is a partial enlarged sectional view of abbreviated as a conductor foil) 10.

【0028】この導体箔10は、シート状に形成された
箔本体20の表面21に、はんだ膜50が形成され、該
はんだ膜50は、2層の鉛層31,32および錫層4
1,42が交互に積層されている。そして、このはんだ
膜50の厚みDは、3μm以上50μm以下である。
In this conductor foil 10, a solder film 50 is formed on the surface 21 of a foil body 20 formed in a sheet shape. The solder film 50 is composed of two lead layers 31, 32 and a tin layer 4.
1, 42 are alternately laminated. The thickness D of the solder film 50 is 3 μm or more and 50 μm or less.

【0029】箔本体20は、金(Au)、銀(Ag)、
白金(Pt)及びパラジウム(Pd)から選択された1
種からなる貴金属または当該貴金属を主成分とする貴金
属合金からなるものである。また、前記鉛層および錫層
の数は2層以上であればよく、要は、交互に積層されて
おり、かつ、全体の厚みが3μm以上50μm以下であ
ればよい。
The foil body 20 is made of gold (Au), silver (Ag),
1 selected from platinum (Pt) and palladium (Pd)
It is made of a precious metal consisting of a seed or a precious metal alloy containing the precious metal as a main component. Further, the number of the lead layers and the number of the tin layers may be two or more, and in short, the lead layers and the tin layers may be alternately laminated and the total thickness may be 3 μm or more and 50 μm or less.

【0030】次に、本実施例に係る導体箔10の製造方
法について説明する。まず、2つの蒸発源を備えた真空
蒸着装置を用意する。次いで、これらの蒸発源のうち1
つの蒸発源を加熱し、箔本体20の表面21に鉛層31
および錫層41を順次積層させる。ついで、もう一方の
蒸発源を加熱し、箔本体20の錫層41の表面に鉛層3
2および錫層42を順次積層させる。このようにして、
2層の鉛層31,32および錫層41,42を交互に積
層したはんだ膜50を形成することができる。
Next, a method of manufacturing the conductor foil 10 according to this embodiment will be described. First, a vacuum vapor deposition apparatus provided with two evaporation sources is prepared. Then one of these evaporation sources
The two evaporation sources are heated to form a lead layer 31 on the surface 21 of the foil body 20.
And the tin layer 41 is sequentially laminated. Then, the other evaporation source is heated to form the lead layer 3 on the surface of the tin layer 41 of the foil body 20.
2 and tin layer 42 are sequentially laminated. In this way
A solder film 50 in which two lead layers 31 and 32 and tin layers 41 and 42 are alternately laminated can be formed.

【0031】なお、3層以上の鉛層および錫層を形成す
る場合には、3つ以上の蒸発源を順次加熱することによ
りそれぞれの層を順次積層させればよい。
When three or more lead layers and tin layers are formed, three or more evaporation sources may be sequentially heated to sequentially stack the respective layers.

【0032】表1は、上記実施例の導体箔及び比較例と
して作成された導体箔それぞれの構造を比較したもので
ある。
Table 1 compares the structures of the conductor foils of the above-mentioned examples and the conductor foils prepared as comparative examples.

【0033】[0033]

【表1】 [Table 1]

【0034】また、表2は、上記実施例及び比較例のそ
れぞれの導体箔の機械的強度の評価結果を示したもので
ある。
Table 2 shows the evaluation results of the mechanical strength of the conductor foils of the above-mentioned examples and comparative examples.

【0035】[0035]

【表2】 [Table 2]

【0036】ここでは、上記実施例及び比較例のそれぞ
れの導体箔及び評価用サンプルは下記の様にして作成し
た。 (実施例1〜6)まず、図3に示す様に、幅(W)5m
m、長さ(L1)10mm、厚み(t)30μmのシー
ト状の全面に内径0.5mmの多数の貫通穴22が形成
された箔本体20を用意した。この箔本体20の材質は
銀(Ag)と白金(Pt)の2種類とした。
Here, the conductor foils and evaluation samples of the above Examples and Comparative Examples were prepared as follows. (Examples 1 to 6) First, as shown in FIG. 3, the width (W) is 5 m.
A foil body 20 was prepared in which a large number of through holes 22 having an inner diameter of 0.5 mm were formed on the entire surface of a sheet having m, a length (L1) of 10 mm, and a thickness (t) of 30 μm. The material of the foil body 20 was two kinds, silver (Ag) and platinum (Pt).

【0037】ついで、上記実施例の方法に従って、この
箔本体20の一面側端部に、長さ(L2)1mmにわた
って、はんだ膜50を形成した。このはんだ膜50は、
組成がSn60重量%ーPb40重量%となるように鉛
層31,32および錫層41,42のそれぞれの厚みを
設定し、これら鉛層31,32および錫層41,42を
交互に積層した。この様にして、導体箔10を作成し
た。
Then, according to the method of the above-described embodiment, the solder film 50 was formed on the one surface side end portion of the foil main body 20 over the length (L2) of 1 mm. This solder film 50 is
The respective thicknesses of the lead layers 31 and 32 and the tin layers 41 and 42 were set so that the composition was Sn 60 wt% -Pb 40 wt%, and the lead layers 31 and 32 and the tin layers 41 and 42 were alternately laminated. In this way, the conductor foil 10 was prepared.

【0038】一方、図4に示す様に、1辺が20mm、
厚みが0.5mmの正方形のシリコン(Si)板60の
表面に、通常のスパッタ法により、厚み0.1μmのチ
タン(Ti)層、厚み1μmのパラジウム(Pd)層、
厚み1μmの銀(Ag)層を順次積層した。
On the other hand, as shown in FIG. 4, one side is 20 mm,
On the surface of a square silicon (Si) plate 60 having a thickness of 0.5 mm, a titanium (Ti) layer having a thickness of 0.1 μm, a palladium (Pd) layer having a thickness of 1 μm, and
A silver (Ag) layer having a thickness of 1 μm was sequentially laminated.

【0039】ついで、このシリコン板60の表面に導体
箔10のはんだ膜50を当接させ、ついで、210〜2
50℃に加熱したヒートブロックを大気中において導体
箔10に押し付け、はんだ膜50を溶融させてはんだ付
けを行った。この様にして、評価用サンプルを作成し
た。
Next, the solder film 50 of the conductor foil 10 is brought into contact with the surface of the silicon plate 60, and then 210-2.
A heat block heated to 50 ° C. was pressed against the conductor foil 10 in the atmosphere to melt the solder film 50 and perform soldering. In this way, an evaluation sample was prepared.

【0040】破断強度および破断場所の評価について
は、導体箔10の自由端11に、シリコン板60に対し
て垂直方向(図4中上方)に静かに引張り力を加え、破
断強度および破断場所を調べることにより行った。ま
た、はんだ付けの際にボールが形成されたか否かについ
ても調査した。なお、サンプル数は各実施例についてそ
れぞれ100個とした。
Regarding the evaluation of the breaking strength and the breaking place, a gentle pulling force is applied to the free end 11 of the conductor foil 10 in the direction perpendicular to the silicon plate 60 (upward in FIG. 4) to determine the breaking strength and the breaking place. It went by investigating. In addition, it was investigated whether or not balls were formed during soldering. The number of samples was 100 for each example.

【0041】(比較例1〜9)従来の浸漬法、メッキ
法、真空蒸着法により作成した1層のはんだ膜を有する
導体箔を比較例とした。また、上記実施例に係る真空蒸
着法において、はんだ膜の厚みが3μm未満であるも
の、及び50μmを超えるものをそれぞれ作成し、比較
例とした。これらの導体箔においては、上述した以外の
他の構成要素については、前記実施例1〜6と同様であ
るので、詳細についての説明を省略する。
(Comparative Examples 1 to 9) A conductor foil having a single-layer solder film formed by a conventional dipping method, plating method, or vacuum evaporation method was used as a comparative example. Further, in the vacuum vapor deposition method according to the above-described example, a solder film having a thickness of less than 3 μm and a solder film having a thickness of more than 50 μm were prepared, respectively, and used as comparative examples. In these conductor foils, the constituent elements other than those described above are the same as those in the first to sixth embodiments, so the detailed description will be omitted.

【0042】前記比較例1〜9のそれぞれの導体箔につ
いて、実施例1〜6と同様にして、破断強度、破断場
所、はんだボールの発生の有無についての評価を行っ
た。また、サンプル数は、前記各実施例と同様に、各比
較例についてそれぞれ100個とした。
With respect to each of the conductor foils of Comparative Examples 1 to 9, the breaking strength, the breaking place, and the presence or absence of generation of solder balls were evaluated in the same manner as in Examples 1 to 6. Further, the number of samples was set to 100 for each comparative example, as in the above-mentioned examples.

【0043】表1及び表2より、本実施例の導体箔で
は、はんだ付けした部分から破断したものは皆無であり
接合強度が高いことが判る。また、はんだボールの発生
したものは皆無であり、他の接点に対してショートを引
き起こす惧れがないことは明らかである。
From Tables 1 and 2, it can be seen that in the conductor foil of this example, there were no fractures from the soldered portion and the joint strength was high. Further, it is clear that none of the solder balls were generated and there was no fear of causing a short circuit with respect to other contacts.

【0044】これらの実施例に対して、比較例1・2に
係る導体箔では、はんだ膜の膜厚にバラつきがあるた
め、はんだ接合部分で破断するものとはんだボールが発
生するものとが混在していることが判る。また、比較例
3・4に係る導体箔では、メッキの残渣の影響のために
はんだの接合強度が不十分であることが判る。また、比
較例5〜7に係る導体箔では、はんだ層を十分に溶融す
ることができず、はんだ部分の接合強度が不十分である
ことが判る。さらに、比較例8に係る導体箔では、はん
だ膜の厚さが不十分であるために、はんだ部分の接合強
度が不足し、比較例9に係る導体箔では、破断強度は十
分であるものの、はんだボールが発生してしまい、ショ
ート等を引き起こすという不都合が発生することが判
る。
In contrast to these examples, in the conductor foils according to Comparative Examples 1 and 2, there were variations in the thickness of the solder film, and therefore, some of the conductor foils broke at solder joints and some of which produced solder balls. You can see that It is also found that the conductor foils of Comparative Examples 3 and 4 have insufficient solder joint strength due to the influence of the plating residue. Further, in the conductor foils according to Comparative Examples 5 to 7, the solder layer could not be sufficiently melted, and it was found that the joint strength of the solder portion was insufficient. Furthermore, in the conductor foil according to Comparative Example 8, since the solder film is insufficient in thickness, the joint strength of the solder portion is insufficient, and in the conductor foil according to Comparative Example 9, the breaking strength is sufficient, It can be seen that solder balls are generated, which causes a short circuit or the like.

【0045】以上、詳細に説明した様に、上記実施例の
導体箔10によれば、銀(Ag)、白金(Pt)等から
なる貴金属または該貴金属を主成分とする合金からなる
箔本体20の表面21に、複数の鉛層31,32および
錫層41,42を交互に積層してなるはんだ膜50が形
成され、このはんだ膜50の厚みが3μm以上50μm
以下とされていることとしたので、該導体箔のはんだ付
け温度を低下させることができ、はんだ接合部分の接合
強度が高く、しかもはんだボールが発生することがない
導体箔を提供することができる。したがって、はんだ付
けされる素子にダメージを与えることがなく、素子の信
頼性を低下させる惧れもなくなる。
As described above in detail, according to the conductor foil 10 of the above embodiment, the foil body 20 is made of the noble metal such as silver (Ag) or platinum (Pt) or the alloy containing the noble metal as a main component. A solder film 50 formed by alternately stacking a plurality of lead layers 31 and 32 and tin layers 41 and 42 is formed on the surface 21 of the solder film 50. The solder film 50 has a thickness of 3 μm or more and 50 μm or more.
Since the following is adopted, the soldering temperature of the conductor foil can be lowered, the joint strength of the solder joint portion is high, and a conductor foil in which solder balls are not generated can be provided. .. Therefore, the element to be soldered is not damaged and the reliability of the element is not likely to be deteriorated.

【0046】また、本上記実施例の導体箔の製造方法に
よれば、複数の蒸発源を順次蒸発させることにより、箔
本体20の表面21に複数の鉛層31,32および錫層
41,42を交互に積層することとしたので、箔本体2
0の表面21に、はんだ膜50を構成する複数の鉛層3
1,32および錫層41,42の厚みを精度よく制御す
ることができるはんだ膜50を形成することができる。
したがって、接合強度が高く、かつ、はんだボールの発
生のない導体箔を製造することができる。
Further, according to the method for manufacturing the conductor foil of this embodiment, the plurality of lead layers 31, 32 and the tin layers 41, 42 are formed on the surface 21 of the foil body 20 by sequentially evaporating the plurality of evaporation sources. Since it was decided to stack alternately, the foil main body 2
A plurality of lead layers 3 forming the solder film 50 on the surface 21 of 0.
It is possible to form the solder film 50 capable of accurately controlling the thicknesses of the tin layers 1, 32 and the tin layers 41, 42.
Therefore, it is possible to manufacture a conductor foil having high bonding strength and free of solder balls.

【0047】〔第2実施例〕図5は、本発明の第2実施
例である導体箔70の部分拡大断面図である。
[Second Embodiment] FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of a conductor foil 70 according to a second embodiment of the present invention.

【0048】この導体箔70は、シート状に形成された
箔本体71の表面72に、はんだ膜73が形成され、該
はんだ膜73は、3層の鉛層81〜83および錫層91
〜93が交互に積層されている。そして、このはんだ膜
73の厚みDは、1μm以上30μm以下であり、か
つ、隣接する鉛層81(82,83)と錫層91(9
2,93)からなる層の厚みが7μm以下である。
In the conductor foil 70, a solder film 73 is formed on a surface 72 of a foil body 71 formed in a sheet shape. The solder film 73 has three lead layers 81 to 83 and a tin layer 91.
~ 93 are alternately stacked. The thickness D of the solder film 73 is 1 μm or more and 30 μm or less, and the adjacent lead layer 81 (82, 83) and tin layer 91 (9
2, 93) has a thickness of 7 μm or less.

【0049】箔本体71は、鉛(Pb)単体、または鉛
(Pb)を主成分とし、錫(Sn)、インジウム(I
n)、銀(Ag)等の元素を副成分として含み、融点が
蒸着により形成されるはんだ膜73より高い合金であ
る。また、前記鉛層および錫層の数は2層以上であれば
よく、要は、交互に積層されており、全体の厚みが1μ
m以上30μm以下、かつ、隣接する鉛層と錫層からな
る層の厚みが8μm以下であればよい。
The foil main body 71 contains lead (Pb) alone or is mainly composed of lead (Pb), and contains tin (Sn), indium (I).
n), an element such as silver (Ag) as a sub-component, and a melting point higher than that of the solder film 73 formed by vapor deposition. The number of lead layers and tin layers may be two or more, and in short, the lead layers and tin layers are alternately laminated, and the total thickness is 1 μm.
It is sufficient if the thickness of the lead layer and the tin layer adjacent to each other is 8 μm or less.

【0050】次に、本実施例に係る導体箔70の製造方
法について説明する。まず、3つの蒸発源を備えた真空
蒸着装置を用意する。次いで、これらの蒸発源のうち1
つの蒸発源を加熱し、箔本体71の表面72に鉛層81
および錫層91を順次積層させる。次いで、残る2つの
蒸発源のうち一方の蒸発源を加熱し、錫層91の表面に
鉛層82および錫層92を順次積層させる。次いで、も
う一方の蒸発源を加熱し、錫層92の表面に鉛層83お
よび錫層93を順次積層させる。このようにして、3層
の鉛層81〜83および錫層91〜93を交互に積層し
たはんだ膜73を形成することができる。
Next, a method for manufacturing the conductor foil 70 according to this embodiment will be described. First, a vacuum vapor deposition apparatus equipped with three evaporation sources is prepared. Then one of these evaporation sources
The two evaporation sources are heated to form a lead layer 81 on the surface 72 of the foil body 71.
And the tin layer 91 is sequentially laminated. Next, one of the remaining two evaporation sources is heated to sequentially stack the lead layer 82 and the tin layer 92 on the surface of the tin layer 91. Next, the other evaporation source is heated to sequentially stack the lead layer 83 and the tin layer 93 on the surface of the tin layer 92. In this way, the solder film 73 in which the three lead layers 81 to 83 and the tin layers 91 to 93 are alternately laminated can be formed.

【0051】なお、4層以上の鉛層および錫層を形成す
る場合には、4つ以上の蒸発源を順次加熱することによ
りそれぞれの層を順次積層させればよい。
When four or more lead layers and tin layers are formed, the four or more evaporation sources may be sequentially heated to sequentially stack the layers.

【0052】表3は、上記実施例の導体箔及び比較例と
して作成された導体箔それぞれの構造を比較したもので
ある。
Table 3 compares the structures of the conductor foils of the above-mentioned examples and the conductor foils prepared as comparative examples.

【0053】[0053]

【表3】 [Table 3]

【0054】また、表4は、上記実施例及び比較例のそ
れぞれの導体箔の機械的強度の評価結果を示したもので
ある。
Table 4 shows the evaluation results of the mechanical strength of the conductor foils of the above Examples and Comparative Examples.

【0055】[0055]

【表4】 [Table 4]

【0056】ここでは、上記実施例及び比較例のそれぞ
れの導体箔及び評価用サンプルは下記の様にして作成し
た。 (実施例1〜6)まず、図3に示す様に、幅(W)5m
m、長さ(L1)10mm、厚み(t)30μmのシー
ト状の全面に内径0.5mmの多数の貫通穴22が形成
された箔本体71を用意した。この箔本体71の材質は
Pb、Pbー1重量%Sn、Pbー5重量%Snの3種
類とした。また、同一形状で貫通穴22の無い箔本体も
同じ数の種類だけ用意した。
Here, the respective conductor foils and evaluation samples of the above-mentioned Examples and Comparative Examples were prepared as follows. (Examples 1 to 6) First, as shown in FIG. 3, the width (W) is 5 m.
A foil main body 71 was prepared in which a large number of through holes 22 having an inner diameter of 0.5 mm were formed on the entire surface of a sheet having m, a length (L1) of 10 mm, and a thickness (t) of 30 μm. The material of the foil body 71 was Pb, Pb-1 wt% Sn, and Pb-5 wt% Sn. In addition, the same number of types of foil bodies having the same shape and having no through holes 22 were prepared.

【0057】ついで、上記実施例の方法に従って、この
箔本体71の一面側端部に、長さ(L2)1mmにわた
って、はんだ膜73を形成した。このはんだ膜73は、
組成がSn60重量%ーPb40重量%となるように鉛
層81(82,83)および錫層91(92,93)の
それぞれの厚みを設定し、これら鉛層81(82,8
3)および錫層91(92,93)を交互に積層した。
この様にして、導体箔70を作成した。
Then, according to the method of the above-mentioned embodiment, the solder film 73 was formed at the one surface side end portion of the foil main body 71 over the length (L2) of 1 mm. This solder film 73 is
The respective thicknesses of the lead layer 81 (82, 83) and the tin layer 91 (92, 93) are set so that the composition is Sn 60 wt% -Pb 40 wt%, and these lead layers 81 (82, 8)
3) and tin layers 91 (92, 93) were alternately laminated.
In this way, the conductor foil 70 was prepared.

【0058】一方、図4に示す様に、1辺が20mm、
厚みが0.5mmの正方形のシリコン(Si)板60の
表面に、通常のスパッタ法により、厚み0.1μmのチ
タン(Ti)層、厚み1μmのパラジウム(Pd)層、
厚み1μmの銀(Ag)層を順次積層した。
On the other hand, as shown in FIG. 4, one side is 20 mm,
On the surface of a square silicon (Si) plate 60 having a thickness of 0.5 mm, a titanium (Ti) layer having a thickness of 0.1 μm, a palladium (Pd) layer having a thickness of 1 μm, and
A silver (Ag) layer having a thickness of 1 μm was sequentially laminated.

【0059】ついで、このシリコン板60の表面に導体
箔70のはんだ膜73を当接させ、ついで、210〜2
50℃に加熱したヒートブロックを大気中において導体
箔70に押し付け、はんだ膜73を溶融させてはんだ付
けを行った。この様にして、評価用サンプルを作成し
た。
Then, the solder film 73 of the conductor foil 70 is brought into contact with the surface of the silicon plate 60, and then 210-2.
A heat block heated to 50 ° C. was pressed against the conductor foil 70 in the atmosphere to melt the solder film 73 and perform soldering. In this way, an evaluation sample was prepared.

【0060】破断強度および破断場所の評価について
は、導体箔70の自由端75に、シリコン板60に対し
て垂直方向(図4中上方)に静かに引張り力を加え、破
断強度および破断場所を調べることにより行った。ま
た、はんだ付けの際にボールが形成されたか否かについ
ても調査した。なお、サンプル数は各実施例についてそ
れぞれ100個とした。
Regarding the evaluation of the breaking strength and the breaking place, a pulling force is gently applied to the free end 75 of the conductor foil 70 in the direction perpendicular to the silicon plate 60 (upward in FIG. 4) to determine the breaking strength and the breaking place. It went by investigating. In addition, it was investigated whether or not balls were formed during soldering. The number of samples was 100 for each example.

【0061】(比較例1〜7)従来の浸漬法、メッキ
法、真空蒸着法により作成した1層のはんだ膜を有する
導体箔を比較例とした。また、上記実施例に係る真空蒸
着法において、はんだ膜の厚みが1μm未満であるも
の、及び30μmを超えるもの、さらに隣接する鉛層と
錫層からなる層の厚みが8μmを越えるものをそれぞれ
作成し、比較例とした。これらの導体箔においては、上
述した以外の他の構成要素については、前記実施例1〜
6と同様であるので、詳細についての説明を省略する。
(Comparative Examples 1 to 7) A conductive foil having a single-layer solder film prepared by the conventional dipping method, plating method and vacuum deposition method was used as a comparative example. In addition, in the vacuum vapor deposition method according to the above-described example, a solder film having a thickness of less than 1 μm, a solder film having a thickness of more than 30 μm, and a layer of adjacent lead layers and tin layers having a thickness of more than 8 μm are prepared. As a comparative example. In these conductor foils, the constituent elements other than those described above are the same as those in the first to third embodiments.
Since it is the same as 6, the detailed description will be omitted.

【0062】前記比較例1〜7のそれぞれの導体箔につ
いて、実施例1〜6と同様にして、破断強度、破断場
所、はんだボールの発生の有無についての評価を行っ
た。また、サンプル数は、前記各実施例と同様に、各比
較例についてそれぞれ100個とした。
With respect to each of the conductor foils of Comparative Examples 1 to 7, the breaking strength, the breaking place, and the presence or absence of generation of solder balls were evaluated in the same manner as in Examples 1 to 6. Further, the number of samples was set to 100 for each comparative example, as in the above-mentioned examples.

【0063】表3及び表4より、本実施例の導体箔では
比較例と比べて、はんだ膜と箔本体の界面、及びはんだ
付けした部分から破断したものは皆無であり接合強度が
高いことが判る。また、はんだボールの発生したものは
皆無であり、他の接点に対してショートを引き起こす惧
れがないことは明らかである。
As can be seen from Tables 3 and 4, in the conductor foil of this example, there were no fractures from the interface between the solder film and the foil body and from the soldered portion, and the joint strength was higher than in the comparative example. I understand. Further, it is clear that none of the solder balls were generated and there was no fear of causing a short circuit with respect to other contacts.

【0064】以上、詳細に説明した様に、上記実施例の
導体箔70によれば、鉛(Pb)単体または該鉛を主成
分とする合金からなる箔本体71の表面72に、複数の
鉛層81(82,83)および錫層91(92,93)
を交互に積層してなるはんだ膜73が形成され、このは
んだ膜73の全体の厚みが1μm以上30μm以下、か
つ、隣接する鉛層と錫層からなる層の厚みが8μm以下
とされていることとしたので、該導体箔のはんだ付け温
度を低下させることができ、はんだ接合部分の接合強度
が高く、しかもはんだボールが発生することがない導体
箔を提供することができる。したがって、はんだ付けさ
れる素子にダメージを与えることがなく、素子の信頼性
を低下させる惧れもなくなる。
As described in detail above, according to the conductor foil 70 of the above-mentioned embodiment, a plurality of leads are formed on the surface 72 of the foil body 71 made of lead (Pb) alone or an alloy containing lead as a main component. Layer 81 (82, 83) and tin layer 91 (92, 93)
The solder film 73 is formed by alternately laminating the solder film 73, the total thickness of the solder film 73 is 1 μm or more and 30 μm or less, and the thickness of the adjacent lead layer and tin layer is 8 μm or less. Therefore, the soldering temperature of the conductor foil can be lowered, the joint strength of the solder joint portion is high, and a conductor foil in which solder balls are not generated can be provided. Therefore, the element to be soldered is not damaged and the reliability of the element is not likely to be deteriorated.

【0065】また、本上記実施例の導体箔の製造方法に
よれば、複数の蒸発源を順次蒸発させることにより、箔
本体71の表面72に複数の鉛層81(82,83)お
よび錫層91(92,93)を交互に積層することとし
たので、箔本体71の表面72に、はんだ膜73を構成
する複数の鉛層81(82,83)および錫層91(9
2,93)の厚みを精度よく制御することができるはん
だ膜73を形成することができる。したがって、接合強
度が高く、かつ、はんだボールの発生のない導体箔を製
造することができる。
Further, according to the method for manufacturing the conductor foil of this embodiment, the plurality of lead layers 81 (82, 83) and the tin layer are formed on the surface 72 of the foil body 71 by sequentially evaporating the plurality of evaporation sources. Since 91 (92, 93) are alternately laminated, a plurality of lead layers 81 (82, 83) and tin layers 91 (9) forming the solder film 73 are formed on the surface 72 of the foil body 71.
It is possible to form the solder film 73 whose thickness can be controlled accurately. Therefore, it is possible to manufacture a conductor foil having high bonding strength and free of solder balls.

【0066】[0066]

【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明の請
求項1記載の金属製導体箔または金属合金製導体箔によ
れば、金属または当該金属を主成分とする合金からなる
箔本体の表面に、複数の鉛層および錫層を交互に積層し
てなるはんだ膜が形成され、このはんだ膜の厚みが1μ
m以上50μm以下とされていることとしたので、はん
だ接合部分の接合強度が高く、しかもはんだボールが発
生することがない導体箔を提供することができる。
As described above in detail, according to the metal conductor foil or metal alloy conductor foil of claim 1 of the present invention, a foil body made of a metal or an alloy containing the metal as a main component is used. A solder film formed by alternately stacking a plurality of lead layers and tin layers is formed on the surface of, and the thickness of this solder film is 1 μm.
Since the thickness is set to m or more and 50 μm or less, it is possible to provide a conductor foil having a high bonding strength at the solder bonding portion and in which solder balls are not generated.

【0067】また、請求項2記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔によれば、請求項1記載の金属製導体
箔または金属合金製導体箔において、前記金属は、金
(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)及びパラジウム
(Pd)から選択された1種からなり、前記はんだ膜の
厚みが3μm以上50μm以下とされていることとした
ので、該導体箔のはんだ付け温度を低下させることがで
き、はんだ接合部分の接合強度が高く、しかもはんだボ
ールが発生することがない導体箔を提供することができ
る。したがって、はんだ付けされる素子にダメージを与
えることがなく、素子の信頼性を低下させる惧れもなく
なる。
According to the metal conductor foil or metal alloy conductor foil of claim 2, in the metal conductor foil or metal alloy conductor foil according to claim 1, the metal is gold (Au), Since the solder film is made of one kind selected from silver (Ag), platinum (Pt), and palladium (Pd), and the thickness of the solder film is 3 μm or more and 50 μm or less, the soldering temperature of the conductor foil is It is possible to provide a conductor foil that can be reduced in strength, has a high bonding strength at the solder bonding portion, and does not generate solder balls. Therefore, the element to be soldered is not damaged and the reliability of the element is not likely to be deteriorated.

【0068】また、請求項3記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔によれば、請求項1記載の金属製導体
箔または金属合金製導体箔において、前記金属は、鉛
(Pb)からなり、前記はんだ膜の厚みが1μm以上3
0μm以下、かつ、隣接する1つの鉛層と錫層からなる
層の厚みが8μm以下とされていることとしたので、該
導体箔のはんだ付け温度を低下させることができ、はん
だ接合部分の接合強度が高く、しかもはんだボールが発
生することがない導体箔を提供することができる。した
がって、はんだ付けされる素子にダメージを与えること
がなく、素子の信頼性を低下させる惧れもなくなる。
According to the metal conductor foil or metal alloy conductor foil of claim 3, in the metal conductor foil or metal alloy conductor foil according to claim 1, the metal is lead (Pb). And the thickness of the solder film is 1 μm or more 3
Since the thickness of the adjacent lead layer and tin layer is set to 0 μm or less and 8 μm or less, the soldering temperature of the conductor foil can be lowered, and the joining of the solder joints can be achieved. It is possible to provide a conductor foil that has high strength and does not generate solder balls. Therefore, the element to be soldered is not damaged and the reliability of the element is not likely to be deteriorated.

【0069】また、請求項4記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法によれば、真空蒸着法によ
り、金属または当該金属を主成分とする合金からなる箔
本体の表面に鉛−錫系のはんだ膜を形成するようにした
金属製導体箔または金属合金製導体箔の製造方法であっ
て、複数の蒸発源を順次蒸発させることにより、複数の
鉛層および錫層を交互に積層したはんだ膜を形成するこ
ととしたので、箔本体の表面に、複数の鉛層および錫層
を交互に積層してなるはんだ膜を形成することができ
る。したがって、はんだ膜の厚さを制御して形成するこ
とにより、接合強度が高くてはんだボールの発生がない
導体箔を製造することができる。
Further, according to the method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil according to claim 4, lead is formed on the surface of the foil body made of a metal or an alloy containing the metal as a main component by a vacuum deposition method. A method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil, which is configured to form a tin-based solder film, wherein a plurality of evaporation sources are sequentially evaporated to alternately form a plurality of lead layers and tin layers. Since the laminated solder film is formed, the solder film can be formed by alternately laminating a plurality of lead layers and tin layers on the surface of the foil body. Therefore, by controlling the thickness of the solder film, it is possible to manufacture a conductor foil having high bonding strength and free of solder balls.

【0070】また、請求項5記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法によれば、請求項4記載の
金属製導体箔または金属合金製導体箔の製造方法におい
て、前記金属は、金(Au)、銀(Ag)、白金(P
t)及びパラジウム(Pd)から選択された1種からな
ることとしたので、箔本体の表面に、はんだ膜を構成す
る複数の鉛層および錫層の厚みを精度よく制御すること
ができるはんだ膜を形成することができる。したがっ
て、接合強度が高く、かつ、はんだボールの発生のない
導体箔を製造することができる。
According to the method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil according to claim 5, in the method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil according to claim 4, the metal is , Gold (Au), silver (Ag), platinum (P
Since it is made of one selected from t) and palladium (Pd), it is possible to accurately control the thicknesses of a plurality of lead layers and tin layers forming the solder film on the surface of the foil body. Can be formed. Therefore, it is possible to manufacture a conductor foil having high bonding strength and free of solder balls.

【0071】また、請求項6記載の金属製導体箔または
金属合金製導体箔の製造方法によれば、請求項4記載の
金属製導体箔または金属合金製導体箔の製造方法におい
て、前記金属は、鉛(Pb)からなることとしたので、
箔本体の表面に、はんだ膜を構成する複数の鉛層および
錫層の厚みを精度よく制御することができるはんだ膜を
形成することができる。したがって、接合強度が高く、
かつ、はんだボールの発生のない導体箔を製造すること
ができる。
According to the method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil according to claim 6, in the method for producing a metal conductor foil or a metal alloy conductor foil according to claim 4, the metal is Since it is decided to consist of lead (Pb),
It is possible to form a solder film on the surface of the foil body, which can control the thicknesses of a plurality of lead layers and tin layers forming the solder film with high accuracy. Therefore, the bonding strength is high,
In addition, it is possible to manufacture a conductor foil without generation of solder balls.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る導体箔を示す部分拡
大断面図である。
FIG. 1 is a partially enlarged sectional view showing a conductor foil according to a first embodiment of the present invention.

【図2】従来の導体箔を示す部分拡大断面図である。FIG. 2 is a partially enlarged sectional view showing a conventional conductor foil.

【図3】本発明の第1及び第2実施例に係る導体箔の斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view of a conductor foil according to first and second embodiments of the present invention.

【図4】本発明の第1及び第2実施例に係る導体箔をシ
リコン板にはんだ付けした状態を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a state in which conductor foils according to the first and second embodiments of the present invention are soldered to a silicon plate.

【図5】本発明の第2実施例に係る導体箔を示す部分拡
大断面図である。
FIG. 5 is a partially enlarged sectional view showing a conductor foil according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 導体箔 20 箔本体 21 箔本体の表面 31,32 鉛層 41,42 錫層 50 はんだ膜 D はんだ膜の厚み 70 導体箔 71 箔本体 72 箔本体の表面 73 はんだ膜 81〜83 鉛層 91〜93 錫層 10 conductor foil 20 foil body 21 foil body surface 31,32 lead layer 41,42 tin layer 50 solder film D solder film thickness 70 conductor foil 71 foil body 72 foil body surface 73 solder film 81-83 lead layer 91 to 93 Tin layer

フロントページの続き (72)発明者 内山 直樹 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内Front Page Continuation (72) Inventor Naoki Uchiyama Inside Mita Plant, Mitsunori Material Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属または当該金属を主成分とする合金
からなる箔本体の表面に、複数の鉛層および錫層を交互
に積層してなるはんだ膜が形成され、このはんだ膜の厚
みが1μm以上50μm以下とされていることを特徴と
する金属製導体箔または金属合金製導体箔。
1. A solder film formed by alternately laminating a plurality of lead layers and tin layers is formed on the surface of a foil body made of a metal or an alloy containing the metal as a main component, and the thickness of the solder film is 1 μm. The metal conductor foil or the metal alloy conductor foil is characterized by being 50 μm or less.
【請求項2】 前記金属は、金(Au)、銀(Ag)、
白金(Pt)及びパラジウム(Pd)から選択された1
種からなり、 前記はんだ膜の厚みが3μm以上50μm以下とされて
いることを特徴とする請求項1記載の金属製導体箔また
は金属合金製導体箔。
2. The metal is gold (Au), silver (Ag),
1 selected from platinum (Pt) and palladium (Pd)
The metal conductive foil or the metal alloy conductive foil according to claim 1, wherein the solder film has a thickness of 3 μm or more and 50 μm or less.
【請求項3】 前記金属は、鉛(Pb)からなり、 前記はんだ膜の厚みが1μm以上30μm以下、かつ、
隣接する1つの鉛層と錫層からなる層の厚みが8μm以
下とされていることを特徴とする請求項1記載の金属製
導体箔または金属合金製導体箔。
3. The metal is lead (Pb), and the solder film has a thickness of 1 μm or more and 30 μm or less, and
The metal conductive foil or the metal alloy conductive foil according to claim 1, wherein the thickness of a layer composed of one lead layer and a tin layer adjacent to each other is 8 μm or less.
【請求項4】 真空蒸着法により、金属または当該金属
を主成分とする合金からなる箔本体の表面に鉛−錫系の
はんだ膜を形成するようにした金属製導体箔または金属
合金製導体箔の製造方法であって、複数の蒸発源を順次
蒸発させることにより、複数の鉛層および錫層を交互に
積層したはんだ膜を形成することを特徴とする金属製導
体箔または金属合金製導体箔の製造方法。
4. A metal-made conductor foil or a metal-alloy conductor foil in which a lead-tin solder film is formed on the surface of a foil body made of a metal or an alloy containing the metal as a main component by a vacuum deposition method. The method for manufacturing a metal foil or a metal alloy foil, wherein a plurality of lead layers and tin layers are alternately laminated to form a solder film by sequentially evaporating a plurality of evaporation sources. Manufacturing method.
【請求項5】 前記金属は、金(Au)、銀(Ag)、
白金(Pt)及びパラジウム(Pd)から選択された1
種からなることを特徴とする請求項4記載の金属製導体
箔または金属合金製導体箔の製造方法。
5. The metal is gold (Au), silver (Ag),
1 selected from platinum (Pt) and palladium (Pd)
The method for producing a metal-made conductor foil or a metal alloy-made conductor foil according to claim 4, wherein the metal-made conductor foil is made of a seed.
【請求項6】 前記金属は、鉛(Pb)からなることを
特徴とする請求項4記載の金属製導体箔または金属合金
製導体箔の製造方法。
6. The method for producing a metal conductive foil or a metal alloy conductive foil according to claim 4, wherein the metal is lead (Pb).
JP28691891A 1991-03-19 1991-10-31 Metallic conductive foil or metallic alloy conductive foil and manufacture thereof Pending JPH05186884A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28691891A JPH05186884A (en) 1991-03-19 1991-10-31 Metallic conductive foil or metallic alloy conductive foil and manufacture thereof

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3-55157 1991-03-19
JP5515791 1991-03-19
JP28691891A JPH05186884A (en) 1991-03-19 1991-10-31 Metallic conductive foil or metallic alloy conductive foil and manufacture thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05186884A true JPH05186884A (en) 1993-07-27

Family

ID=26396018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28691891A Pending JPH05186884A (en) 1991-03-19 1991-10-31 Metallic conductive foil or metallic alloy conductive foil and manufacture thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05186884A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7459794B2 (en) 2003-08-26 2008-12-02 Tokuyama Corporation Substrate for device bonding, device bonded substrate, and method for producing same
US7626264B2 (en) 2004-03-24 2009-12-01 Tokuyama Corporation Substrate for device bonding and method for manufacturing same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7459794B2 (en) 2003-08-26 2008-12-02 Tokuyama Corporation Substrate for device bonding, device bonded substrate, and method for producing same
US7626264B2 (en) 2004-03-24 2009-12-01 Tokuyama Corporation Substrate for device bonding and method for manufacturing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006011232B4 (en) Substrate for mounting an electronic component and electronic component
JPH10149943A (en) Ceramic capacitor
JP2007043144A (en) Electronic component, mounting structure thereof, and manufacturing method thereof
JP3998703B2 (en) Lead frame for semiconductor devices
TWI395233B (en) Resistive metal plate low resistance chip resistor and its manufacturing method
USH498H (en) Electronic component including soldered electrical leads
JP4720425B2 (en) Electronic components
JP3682227B2 (en) Electrode formation method
JP2006310277A (en) Chip type fuse
JPH05186884A (en) Metallic conductive foil or metallic alloy conductive foil and manufacture thereof
JP4817043B2 (en) Ceramic substrate, electronic component using ceramic substrate, and method for manufacturing ceramic substrate
KR100438124B1 (en) Ceramic electronic component
JP2003109838A (en) Ceramic electronic part
JP2004200644A (en) Wiring board
JPS5936425B2 (en) Lead frame structure with intermediate layer
JP2817873B2 (en) Hybrid integrated circuit board and method of manufacturing the same
JP2001274037A (en) Ceramic electronic part
JP2000340596A (en) Manufacture of semiconductor device
JP3792642B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
JP2730173B2 (en) Manufacturing method of chip parts
JPS6227733B2 (en)
US20150239070A1 (en) Joining material
JP3857219B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
JP2976048B2 (en) Manufacturing method of chip-type ceramic electronic component
JPH02244530A (en) Base board type thermo-fuse and manufacture thereof