JPH05182887A - Method and apparatus for inspection of pattern - Google Patents

Method and apparatus for inspection of pattern

Info

Publication number
JPH05182887A
JPH05182887A JP4000585A JP58592A JPH05182887A JP H05182887 A JPH05182887 A JP H05182887A JP 4000585 A JP4000585 A JP 4000585A JP 58592 A JP58592 A JP 58592A JP H05182887 A JPH05182887 A JP H05182887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
pattern
image sensor
detected
dimensional image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4000585A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3257010B2 (en
Inventor
Shunji Maeda
俊二 前田
Hitoshi Kubota
仁志 窪田
Hiroshi Makihira
坦 牧平
Takashi Hiroi
高志 広井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP00058592A priority Critical patent/JP3257010B2/en
Publication of JPH05182887A publication Critical patent/JPH05182887A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3257010B2 publication Critical patent/JP3257010B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an outward-appearance inspection method and its apparatus wherein an inspection operation can be performed by discriminating a detected defect from a foreign body. CONSTITUTION:A pattern inspection apparatus which detects the defect of a pattern to be inspected is provided with a defect detection means 60, a defect- information storage means and a foreign-body detection means 62. In the apparatus, after a defect has been detected, a foreign body is detected in a position where the defect has been detected, and the foreign body is sorted from others. Thereby, the detected defect can be inspected while it is discriminated from the foreign body, and more appropriate measures can be taken in order to prevent the defect from being caused.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は被検査パターンの欠陥を
検出する外観検査装置に係り、特に半導体ウェハや液晶
ディスプレイなどのパターンの外観検査に好適なパター
ン検出、比較方法、及び装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a visual inspection apparatus for detecting defects in a pattern to be inspected, and more particularly to a pattern detection and comparison method and apparatus suitable for visual inspection of patterns such as semiconductor wafers and liquid crystal displays.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の検査装置は特開昭59−
192943号に記載のように、被検査パターンを等速
度で移動させつつ、ラインセンサ等の撮像素子により被
検査パターンの画像を検出し、検出した画像信号と一定
の時間遅らせた画像信号との位置ずれを定めた時間ごと
に補正してこれらを比較することにより、不一致を欠陥
として認識するものであった。ラインセンサとしては、
1次元のCCDラインセンサや最近では時間遅延積分型
(Time Delay Integration)CCDイメージセンサが
使われており、比較的高い倍率の対物レンズを介して対
象パターンの像を検出している。なお、TDIイメージ
センサは、複数の1次元イメージセンサを2次元に配列
した構造を有し、各1次元イメージセンサの出力を定め
た時間遅延しては対象の同一位置を撮像した隣接する1
次元イメージセンサの出力と加算していくことにより、
検出光量の増加を図ったものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, an inspection device of this kind has been disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 59-59.
As described in No. 192943, while moving the pattern to be inspected at a constant speed, an image of the pattern to be inspected is detected by an image sensor such as a line sensor, and the position of the detected image signal and the image signal delayed for a certain period of time. The misalignment is recognized as a defect by correcting the deviation at predetermined time intervals and comparing them. As a line sensor,
One-dimensional CCD line sensor and recently a time delay integration type
A (Time Delay Integration) CCD image sensor is used to detect an image of a target pattern through an objective lens having a relatively high magnification. The TDI image sensor has a structure in which a plurality of one-dimensional image sensors are two-dimensionally arrayed, and the output of each one-dimensional image sensor is delayed by a predetermined time and adjacent ones of the same position of the target imaged.
By adding the output of the 3D image sensor,
This is intended to increase the amount of detected light.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成では、不一致として検出した欠陥が異物なのか、また
は形状欠陥など異物以外なのかを判断することができな
い。検出欠陥が異物ならば装置の清掃など異物発生に適
切に対応した対策が打てるが、判断できなければ適切な
対策も実施できない。
However, with such a configuration, it is not possible to determine whether the defect detected as a mismatch is a foreign substance or a defect other than a foreign substance such as a shape defect. If the detected defect is a foreign substance, appropriate measures can be taken to cope with the occurrence of the foreign substance, such as cleaning the device, but if the judgment cannot be made, appropriate measures cannot be taken.

【0004】また、対象とするパターンが多層パターン
である場合は、各層が重なりあい、高段差や凹凸を有す
る結果、高倍の対物レンズでは焦点深度が不足し、イメ
ージセンサに結像する狭い範囲のパターンしか像として
検出されず、ほかの大部分はぼけてしまうという欠点が
あった。従って、従来法では焦点が合った1部のパター
ンしか正確に検査されず、焦点が合わないほかの大部分
のパターンは欠陥の検出感度が低く、信頼性の高い検査
を実現することはできなかった。
When the target pattern is a multi-layered pattern, the layers are overlapped with each other and have high steps or irregularities. As a result, the objective lens of high magnification lacks the depth of focus, and the narrow range of image formation on the image sensor. Only the pattern is detected as an image, and most of the others are blurred. Therefore, according to the conventional method, only a part of the pattern that is in focus can be accurately inspected, and most of the other patterns that are not in focus have low defect detection sensitivity, and a highly reliable inspection cannot be realized. It was

【0005】本発明の目的は、検出した欠陥を異物かど
うか識別して検査可能な外観検査方法及び装置を提供す
ることにある。
An object of the present invention is to provide a visual inspection method and apparatus capable of inspecting a detected defect by identifying it as a foreign substance.

【0006】また、本発明の他の目的は、1層或いは多
層パターンを対象に信頼性の高い検査を行うため、高段
差のパターンでも正確に焦点の合った高精度な画像検
出、及び高感度な比較を実現する外観検査方法及び装置
を提供することにある。
Another object of the present invention is to perform a highly reliable inspection for a single-layer or multi-layer pattern, so that even a pattern with a high level difference can be accurately focused, highly accurate image detection, and high sensitivity. An object of the present invention is to provide a visual inspection method and apparatus that realize various comparisons.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】このため、本発明では次
のような考えを実現することで上記目的を達成した。
Therefore, the present invention has achieved the above object by realizing the following idea.

【0008】欠陥検出後、検出した欠陥位置を異物検
出手段で検査する。この検出結果を基に欠陥が異物かど
うかを識別する。
After the defect is detected, the detected defect position is inspected by the foreign matter detecting means. Based on this detection result, it is identified whether the defect is a foreign matter.

【0009】欠陥検出は、複数の1次元イメージセン
サを2次元に配列した構造を有し、各1次元イメージセ
ンサの出力を定めた時間遅延しては対象の同一位置を撮
像した隣接する1次元イメージセンサの出力と加算して
いく機能を有するTDIイメージセンサと称されるイメ
ージセンサを使用する。イメージセンサは斜めに傾けて
配置し、共焦点の結像光学系によりパターンをイメージ
センサに結像させ、この出力信号を基準信号と比較す
る。
Defect detection has a structure in which a plurality of one-dimensional image sensors are arranged two-dimensionally, and the output of each one-dimensional image sensor is delayed for a predetermined time, and adjacent one-dimensional images of the same position of an object are picked up. An image sensor called a TDI image sensor having a function of adding the output of the image sensor is used. The image sensor is obliquely arranged, a pattern is formed on the image sensor by a confocal imaging optical system, and this output signal is compared with a reference signal.

【0010】上記及び(或いは)により高精度な画
像を検出して欠陥を検出し、検出した位置で異物かどう
かの識別を行う。
As described above and / or, a highly accurate image is detected to detect a defect, and it is discriminated whether or not it is a foreign matter at the detected position.

【0011】[0011]

【作用】上記した手段によれば、欠陥検出だけでなく
異物検出も行うので、異物のみを抽出して検出できる。
従って、欠陥が異物かどうか判断できる。さらに、異物
検出は検出した欠陥位置でのみ行うので、従来の試料面
全面に対して行う異物検査に比べ、検出条件などを最適
化でき、より高精度に異物のみを検出できる。従って、
異物かどうかの判断もより信頼性高く行うことが可能に
なる。
According to the above-mentioned means, not only the defect detection but also the foreign matter detection is performed, so that only the foreign matter can be extracted and detected.
Therefore, it can be determined whether the defect is a foreign matter. Further, since the foreign matter detection is performed only at the detected defect position, the detection conditions and the like can be optimized and only the foreign matter can be detected with higher accuracy than in the conventional foreign matter inspection performed on the entire surface of the sample. Therefore,
It is also possible to more reliably determine whether or not a foreign object.

【0012】上記したによれば、TDIイメージセン
サ内部の各1次元イメージセンサは光軸に垂直な方向で
少しづつ異なる位置(Z位置)に結像する。このため、対
象に高段差や凹凸があってもいずれかの1次元イメージ
センサ面に対象が結像し、その結果鮮明な、大きな振幅
の信号出力が得られる。欠陥の有無は、いずれかの1次
元イメージセンサ出力の値に反映される。TDIイメー
ジセンサのもつ信号の加算機能によって、この鮮明な大
振幅の信号と他のぼけた小振幅の信号が加算される。こ
れらの加算信号が比較されるが、欠陥を捕らえたいずれ
かの1次元イメージセンサ出力信号はぼけることなく振
幅が大きく、正常部との違いが大きいため、加算された
信号を比較すれば欠陥の存在を検出することが可能であ
る。これらの結果として、各層が重なって凹凸のできた
多層パターンでも、各層に焦点の合った高精度なパター
ン検出と高い感度の比較が短時間でできる。従って、従
来にくらべ飛躍的に欠陥検出性能を向上させることがで
きる。
According to the above, each one-dimensional image sensor inside the TDI image sensor forms an image at a slightly different position (Z position) in the direction perpendicular to the optical axis. Therefore, even if the object has a high step or unevenness, the object is imaged on any one-dimensional image sensor surface, and as a result, a sharp signal output with a large amplitude can be obtained. The presence or absence of a defect is reflected in the value of any one-dimensional image sensor output. Due to the signal addition function of the TDI image sensor, this clear large-amplitude signal and other blurred small-amplitude signals are added. Although these added signals are compared, any one-dimensional image sensor output signal that has captured the defect has a large amplitude without blurring and has a large difference from the normal part. It is possible to detect the presence. As a result of these, even in a multilayer pattern in which each layer is overlapped to form irregularities, highly accurate pattern detection focused on each layer and high sensitivity comparison can be performed in a short time. Therefore, it is possible to dramatically improve the defect detection performance as compared with the related art.

【0013】[0013]

【実施例】以下本発明の実施例を説明する。図10は本
発明の1実施例を示すパターン検査装置である。図10
において、被検査パターンであるLSIウェハ1を対物
レンズ4を介してイメージセンサ5及び54により検出
可能にするとともに、XYテーブル6によりLSIウェ
ハ1をイメージセンサ5及び54の走査と直交する方
向、即ちX方向に移動させることによって被検査パター
ンを2次元の画像として検出可能にしている。なお、L
SIウェハ1は照明用ランプ3により照明されている。
イメージセンサ5の出力画像信号は、後で詳述する欠陥
検出手段60に入力され、ウェハ上の欠陥が検出され
る。欠陥検出手段60の出力は、欠陥位置などの欠陥情
報である。欠陥が検出されると、欠陥の位置情報をもと
に欠陥位置にXYテーブル6を位置決めする。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. FIG. 10 shows a pattern inspection apparatus showing one embodiment of the present invention. Figure 10
In the above, the LSI wafer 1, which is the pattern to be inspected, can be detected by the image sensors 5 and 54 via the objective lens 4, and the XY table 6 allows the LSI wafer 1 to be in a direction orthogonal to the scanning of the image sensors 5 and 54, that is, By moving in the X direction, the pattern to be inspected can be detected as a two-dimensional image. Note that L
The SI wafer 1 is illuminated by the illumination lamp 3.
The output image signal of the image sensor 5 is input to the defect detection means 60, which will be described in detail later, and the defect on the wafer is detected. The output of the defect detection means 60 is defect information such as a defect position. When a defect is detected, the XY table 6 is positioned at the defect position based on the defect position information.

【0014】欠陥位置では、後で詳述する異物検出手段
62により、検出した欠陥位置で異物検出を行う。異物
が検出されると、先に検出した欠陥は異物であったと判
断される。また、異物が検出されなければ、先に検出し
た欠陥は形状欠陥や変色であったと判断される。上記例
では、欠陥検出と異物検出を共通のXYテーブル6によ
り行ったが、異なるXYテーブルにより別個に行っても
よい。
At the defect position, foreign matter detection means 62, which will be described in detail later, detects foreign matter at the detected defect position. When the foreign matter is detected, it is judged that the previously detected defect is the foreign matter. If no foreign matter is detected, it is determined that the previously detected defect is a shape defect or discoloration. In the above example, the defect detection and the foreign matter detection are performed using the common XY table 6, but they may be performed separately using different XY tables.

【0015】図11は、本発明の欠陥検出に関して、そ
の構成と動作を詳しく説明する図である。同図におい
て、S偏光レーザ52a,52bにより、S偏光レーザ
光をウェハ1上に角度ψで照射する。ψは約1度であ
る。ここで、照射レーザ光とウェハ法線のなす面に、垂
直に振動する偏光をS偏光、平行に振動する偏光をP偏
光と呼ぶ。このとき、ウェハ上の回路パターンのうち低
段差のものは、その散乱光は偏光方向が変化せず、実戦
で示すS偏光のまま対物レンズ4のほうに進むが、異物
或いは高段差の回路パターンに当たったレーザ光は偏光
方向が変化するため、点線で示すP偏光成分を多く含ん
でいる。そこで、対物レンズ4の後方にS偏光を遮断す
る偏光板53を設け、これを通過した光をイメージセン
サ54で検出することにより、異物及び高段差の回路パ
ターンエッジからの散乱光を検出する。この散乱光信号
をA/D変換器55によりディジタル信号に変換する。
検出した信号と、隣のチップの対応する箇所の信号を検
出し画像メモリ56に記憶してこの信号と比較する。位
置合わせ回路57でこれらの信号を位置合わせし、差信
号検出回路58で差信号を検出する。高段差の回路パタ
ーンエッジからの散乱光信号は二つの信号に共通に含ま
れるので、差信号には異物からの散乱光信号だけが含ま
れる。この差信号を2値化回路59により2値化するこ
とにより異物が検出できる。従って、欠陥検出だけでな
く異物検出も行うので、異物のみを抽出して検出でき
る。これにより、欠陥が異物かどうか判断できる。さら
に、異物の検出は検出した欠陥位置でのみ行うので、従
来の試料面全面に対して行う異物検査に比べ、検出条
件、例えば上記角度ψなどを最適化でき、より高精度に
異物のみを検出できる。上記例では、欠陥と判明した位
置と正常であると判明した位置での比較になるので、異
物かどうかの判断をより信頼性高く行うことが可能にな
る。
FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration and operation of the defect detection of the present invention in detail. In the figure, the S-polarized laser beams 52a and 52b irradiate the wafer 1 with S-polarized laser light at an angle ψ. ψ is about 1 degree. Here, the polarized light that vibrates perpendicularly to the plane formed by the irradiation laser beam and the wafer normal is called S-polarized light, and the polarized light that vibrates in parallel is called P-polarized light. At this time, in the circuit pattern on the wafer having a low step, the scattered light does not change its polarization direction and advances toward the objective lens 4 as it is in the S-polarized light shown in the actual battle. Since the polarization direction of the laser light hitting the light changes, it contains a large amount of P-polarized light component indicated by the dotted line. Therefore, a polarizing plate 53 that blocks S-polarized light is provided behind the objective lens 4, and light passing through the polarizing plate 53 is detected by the image sensor 54 to detect scattered light from a foreign substance and a circuit pattern edge with a high step. This scattered light signal is converted into a digital signal by the A / D converter 55.
The detected signal and the signal at the corresponding portion of the adjacent chip are detected, stored in the image memory 56, and compared with this signal. The alignment circuit 57 aligns these signals, and the difference signal detection circuit 58 detects the difference signal. Since the scattered light signal from the circuit pattern edge having the high step is included in both signals in common, the difference signal includes only the scattered light signal from the foreign matter. By binarizing this difference signal by the binarizing circuit 59, a foreign substance can be detected. Therefore, not only the defect detection but also the foreign matter detection is performed, so that only the foreign matter can be extracted and detected. This makes it possible to determine whether the defect is a foreign substance. Further, since the foreign matter is detected only at the detected defect position, it is possible to optimize the detection condition, for example, the angle ψ and the like, as compared with the conventional foreign matter inspection performed on the entire surface of the sample, and detect only the foreign matter with higher accuracy. it can. In the above example, since the position where the defect is found is compared with the position where the position is found to be normal, it is possible to more reliably determine whether or not there is a foreign substance.

【0016】図1は本発明の欠陥検出に関して、その構
成と動作を詳しく説明する図である。同図において、5
は時間遅延積分型(Time Delay Integration)CCD
イメージセンサであり、このTDIイメージセンサは複
数の1次元イメージセンサを2次元に配列した構造を有
し、各1次元イメージセンサの出力を定めた時間遅延し
ては対象の同一位置を撮像した隣接する1次元イメージ
センサの出力と加算していくことにより、検出光量の増
加を図ったものである。この種のTDIイメージセンサ
としてカナダ国のダルサ社製のものや米国レチコン社の
ものがある。このTDIイメージセンサ5を、同図に示
すように光軸に垂直な面に対しθだけ傾けて配置する。
傾ける向きは、TDIイメージセンサの中心を支点にし
て内部の複数1次元イメージセンサの長手方向(Y方向)
と直交する方向とする。傾ける量は対象の凹凸に対応す
る量とする。このように傾けて配置したTDIイメージ
センサのたとえば内部の1次元イメージセンサの走査を
Y方向の走査に一致させ、これにより、被検査パターン
であるLSIウェハ1を対物レンズ4を介して1次元に
検出可能にするとともに、XYテーブル6によりLSI
ウェハ1を上記TDIイメージセンサ5の主走査と直交
する方向、即ちX方向に移動させることによって被検査
パターンを2次元の画像として検出可能にしている。X
Yテーブル6にはリニアスケール8が搭載されており、
ウェハの実際の位置を正確に検出できる。タイミング発
生回路9によりリニアスケール8の出力信号から画素を
示すスタートタイミング信号を発生し、TDIイメージ
センサ5はこのスタートタイミング信号により一定距離
移動するたびに駆動される。例えば、画素寸法が0.1
5μmである場合、ウェハがX方向に0.15μmだけ
移動するたびにスタートタイミング信号を発生させ、イ
メージセンサを駆動する。
FIG. 1 is a diagram for explaining the configuration and operation of the defect detection of the present invention in detail. In the figure, 5
Is a time delay integration type CCD
This TDI image sensor has a structure in which a plurality of one-dimensional image sensors are arranged two-dimensionally, and the outputs of the respective one-dimensional image sensors are delayed by a predetermined time and the same position of the target is imaged adjacent to each other. The amount of detected light is increased by adding the output of the one-dimensional image sensor. As this kind of TDI image sensor, there are those manufactured by Darusa of Canada and those of Reticon of the United States. The TDI image sensor 5 is arranged at an angle of θ with respect to a plane perpendicular to the optical axis as shown in FIG.
The tilt direction is the longitudinal direction (Y direction) of the multiple one-dimensional image sensors inside with the center of the TDI image sensor as the fulcrum.
The direction is orthogonal to. The amount of tilt is an amount corresponding to the unevenness of the target. The scanning of, for example, the internal one-dimensional image sensor of the TDI image sensor arranged so as to be inclined is made to coincide with the scanning in the Y direction, whereby the LSI wafer 1 as the pattern to be inspected is made one-dimensional through the objective lens 4. Detectable and LSI by XY table 6
By moving the wafer 1 in the direction orthogonal to the main scanning of the TDI image sensor 5, that is, in the X direction, the pattern to be inspected can be detected as a two-dimensional image. X
A linear scale 8 is mounted on the Y table 6,
The actual position of the wafer can be accurately detected. The timing generation circuit 9 generates a start timing signal indicating a pixel from the output signal of the linear scale 8, and the TDI image sensor 5 is driven by this start timing signal every time it moves a certain distance. For example, if the pixel size is 0.1
In the case of 5 μm, a start timing signal is generated every time the wafer moves in the X direction by 0.15 μm to drive the image sensor.

【0017】上記した構成において、図2に位置関係を
示すようにTDIイメージセンサ内部の各1次元イメー
ジセンサ5-1〜5-mは光軸に垂直な方向で少しづつ異
なる位置(Z位置)に結像させるべくTDIイメージセン
サを傾けて配置する。このとき、TDIイメージセンサ
の前方にピンホールを有する回転ディスク35及び光路
長変換素子36を配置する。回転ディスク35にはピン
ホールが多数、例えば20万個あけられており、ディス
クを高速に回転させる。ピンホールの径は例えば20ミ
クロンである。このピンホールは、共焦点の作用をす
る。即ち、ピンホールを通った照明光はパターン上に結
像し、パターンからの反射光はピンホールに焦点を結
ぶ。ディスクが高速に回転することにより、TDIイメ
ージセンサ上のすべての位置にパターンが結像する。光
路長変換素子36は、TDIイメージセンサ内部の各1
次元イメージセンサに対して異なる光路長を与えるもの
である。回転ディスク35及び光路長変換素子36によ
って、1次元イメージセンサ5-kは時刻TiでA層上
面に結像する。LSIウェハ1がX方向に移動すると、
時刻Tjでは隣接する1次元イメージセンサに上記A層
上面からZ方向にずれた位置、即ち焦点がはずれて結像
する。この場合、共焦点の作用により検出される光量は
ピンホールに焦点を結ばず、ピンホールにさえぎられて
僅かになる。このように各1次元イメージセンサに対象
の同一位置(X位置)が少しずつZ方向にずれた位置で検
出され、焦点のあっていないパターンは検出信号に寄与
しない。対象に高段差や凹凸がある場合、いずれかの1
次元イメージセンサ面に対象が結像するので、その結
果、鮮明な大きな振幅の信号出力が得られ、欠陥の有無
はいずれかの1次元イメージセンサ出力の値に反映され
る。TDIイメージセンサのもつ信号の加算機能によっ
て、これらすべての信号が加算される。図3(a)に示す
ように対象が3層のパターンの場合、最も下層にパター
ン欠陥があった場合、従来は例えば中間層のみに焦点が
合っており、図3(b)のように中間層のパターンのみが
検出信号波形のコントラストがおおきかったが、本発明
では3層すべてが同等のコントラストを示す。従って、
下層に欠陥がある場合、従来は図3(b)のようにコント
ラストが小さく正常部との違いが明確でなかったが、本
発明では図3(c)のように正常部との違いを明確にする
ことができる。
In the above structure, as shown in the positional relationship in FIG. 2, the one-dimensional image sensors 5-1 to 5-m inside the TDI image sensor are located at slightly different positions (Z positions) in the direction perpendicular to the optical axis. The TDI image sensor is arranged so as to be tilted so as to form an image. At this time, the rotary disk 35 having a pinhole and the optical path length conversion element 36 are arranged in front of the TDI image sensor. The rotating disk 35 has a large number of pinholes, for example, 200,000, so that the disk can be rotated at high speed. The diameter of the pinhole is, for example, 20 μm. This pinhole acts as a confocal point. That is, the illumination light that has passed through the pinhole forms an image on the pattern, and the reflected light from the pattern focuses on the pinhole. The high speed rotation of the disk images the pattern at all positions on the TDI image sensor. The optical path length conversion element 36 is provided for each one inside the TDI image sensor.
It provides different optical path lengths to the two-dimensional image sensor. The one-dimensional image sensor 5-k forms an image on the upper surface of the layer A at time Ti by the rotating disk 35 and the optical path length conversion element 36. When the LSI wafer 1 moves in the X direction,
At time Tj, an image is formed on the adjacent one-dimensional image sensor at a position deviated from the upper surface of the layer A in the Z direction, that is, out of focus. In this case, the amount of light detected by the effect of confocal does not focus on the pinhole but is interrupted by the pinhole and becomes small. In this way, the same position (X position) of the object is detected in each one-dimensional image sensor at a position slightly shifted in the Z direction, and the pattern without the focus does not contribute to the detection signal. If the target has high steps or unevenness, either 1
Since the object is imaged on the surface of the one-dimensional image sensor, a sharp signal output having a large amplitude is obtained, and the presence or absence of a defect is reflected in the value of any one-dimensional image sensor output. All of these signals are added by the signal addition function of the TDI image sensor. As shown in FIG. 3 (a), when the target is a pattern of three layers, if there is a pattern defect in the lowermost layer, conventionally, for example, only the intermediate layer is focused, and as shown in FIG. The contrast of the detection signal waveform was large only in the layer pattern, but in the present invention, all three layers show the same contrast. Therefore,
When there is a defect in the lower layer, the contrast is small and the difference from the normal part is not clear as in the prior art as shown in FIG. 3B, but in the present invention, the difference from the normal part is clear as shown in FIG. 3C. Can be

【0018】図1において、上記TDIイメージセンサ
5は例えば8個の複数画像信号を並列に出力する。これ
らの複数の出力信号は遅延メモリ7によりウェハ1を1
チップ分移動する時間だけ遅らせる。これにより、TD
Iイメージセンサ5の出力信号と遅延メモリ7の出力信
号は、隣接するチップ2aと2bの画像信号に相当す
る。これらの複数の出力信号を、並列に各Channelごと
に比較し、欠陥を高速に検出する。次に、1channel分
の処理内容を説明する。画像信号をエッジ検出回路11
a、11bに入力し被検査パターンのパターンエッジを検出
する。エッジ検出回路11a、11bは、例えば暗いパターン
エッジを検出する微分オペレータが搭載される。そし
て、2値化回路12a、12bで上記検出されたパターンエッ
ジが2値化される。次に、22は不一致検出回路であり、
図4に示す如き構成をしている。即ち、不一致検出回路
22は、一方の2値化回路12aの出力から画像信号をTD
Iイメージセンサの1走査分遅延させるシフトレジスタ
26a〜26f及びシリアルイン・パラレルアウトのシフト
レジスタ27a〜27gにより7×7画素(範囲は任意)の2
次元局部画像を切り出す。また他方の2値化回路12bの
出力は、上記と同様のシフトレジスタ28a〜28c、及び2
9により遅延させ、その出力を上記2次元局部画像の中
心位置と同期させている。ついで、上記シフトレジスタ
29の出力と、上記局部画像の各ビット出力をEXOR回
路30a〜30nで排他的論理和をとって不一致画素を検出
し、カウンタ31a〜30nでこの不一致画素の個数を計算
する。またこのカウンタ31a〜31nは上記TDIイメー
ジセンサ5のN走査毎にゼロクリアして、その直前に値
を読み出して上記TDIイメージセンサ5の画素数Mと
走査数Nとの相乗積のエリアM×N内での不一致画素が
わかるようにしている。上記局部画像の各ビット出力は
上記シフトレジスタ29の出力に対してX、Y方向に±3
画素の範囲で、1画素毎にシフトされたものであるか
ら、上記カウンタ31a〜31nではX、Y方向に±3画素
入力パターンをシフトしたときの、各シフト量における
不一致画素数がカウントされる。従って、最小値や極小
値など不一致画素数が特徴的な値をもつカウンタがどれ
かを調べれば、画像の不一致が小さい最適な位置合せが
可能になる。勿論、不一致画素数が定めた値より小さい
カウンタを求め、満たすものを最適な位置としてもよ
い。
In FIG. 1, the TDI image sensor 5 outputs, for example, eight plural image signals in parallel. These plural output signals are transferred to the wafer 1 by the delay memory 7.
Delay by the time to move the chip. This makes TD
The output signal of the I image sensor 5 and the output signal of the delay memory 7 correspond to the image signals of the adjacent chips 2a and 2b. These multiple output signals are compared in parallel for each channel to detect defects at high speed. Next, the processing content for one channel will be described. Image signal edge detection circuit 11
Input to a and 11b to detect the pattern edge of the pattern to be inspected. The edge detection circuits 11a and 11b are equipped with, for example, a differential operator that detects a dark pattern edge. Then, the detected pattern edges are binarized by the binarization circuits 12a and 12b. Next, 22 is a mismatch detection circuit,
It has a structure as shown in FIG. That is, the mismatch detection circuit
Reference numeral 22 denotes a TD that outputs an image signal from the output of one of the binarization circuits 12a.
Shift register for delaying one scan of I image sensor
26a to 26f and serial-in / parallel-out shift registers 27a to 27g provide 7 × 7 pixel (range is arbitrary) 2
Cut out a three-dimensional local image. The output of the other binarization circuit 12b is the same as the above shift registers 28a to 28c and 2
The output is delayed by 9 and its output is synchronized with the center position of the two-dimensional local image. Then, the shift register
The EXOR circuits 30a to 30n take an exclusive OR between the output of 29 and each bit output of the local image to detect a mismatched pixel, and the counters 31a to 30n calculate the number of the mismatched pixels. The counters 31a to 31n are cleared to zero every N scans of the TDI image sensor 5, and the value is read immediately before that to obtain an area M × N of the product of the number of pixels M of the TDI image sensor 5 and the number of scans N. The inconsistent pixels in the area are identified. Each bit output of the local image is ± 3 in the X and Y directions with respect to the output of the shift register 29.
Since each pixel is shifted in the pixel range, the counters 31a to 31n count the number of mismatched pixels in each shift amount when the ± 3 pixel input pattern is shifted in the X and Y directions. .. Therefore, by checking which of the counters has a characteristic value such as the minimum value or the minimum value for the number of mismatched pixels, it is possible to perform optimum alignment with a small mismatch of images. Of course, it is possible to obtain a counter in which the number of mismatched pixels is smaller than a predetermined value and set the satisfied one as the optimum position.

【0019】上記のようにしてカウンタ31a〜31nがX、
Y方向に±3画素入力パターンをシフトしたときの各シ
フト量における不一致画素数をカウントしたとき、最小
値検出回路32がカウントした値を読み出し、最小値や極
小値をもつカウンタを選択して、上記TDIイメージセ
ンサ5がY方向に走査するシフト量34a、34bと、これと
直角なX方向に走査するシフト量33a、33bとを出力す
る。
As described above, the counters 31a to 31n are set to X,
When counting the number of mismatched pixels in each shift amount when the ± 3 pixel input pattern is shifted in the Y direction, the value counted by the minimum value detection circuit 32 is read, and the counter having the minimum value or the minimum value is selected, The TDI image sensor 5 outputs the shift amounts 34a and 34b for scanning in the Y direction and the shift amounts 33a and 33b for scanning in the X direction at right angles thereto.

【0020】23a、23bは遅延回路であり、上記TDIイ
メージセンサ5の内部1次元イメージセンサの画素数M
と位置合せに要する上記TDIイメージセンサ5の走査
回数Nとの相乗積に相当するエリアM×N内の上記レジ
スタにより構成され、上記2値化回路12a、12bよりの出
力を遅延させるようにしている。
Reference numerals 23a and 23b denote delay circuits, which have the number M of pixels of the internal one-dimensional image sensor of the TDI image sensor 5 described above.
And the number of scans N of the TDI image sensor 5 required for alignment, which is constituted by the registers in the area M × N corresponding to the product, and delays the outputs from the binarization circuits 12a and 12b. There is.

【0021】24は位置合せ回路であり、図5に示すよう
に、上記最小値検出回路32から上記TDIイメージセン
サ5のX方向に走査するときのシフト量33a、33bが選択
回路35に入力されたとき、該選択回路35が上記一方の遅
延回路23a及び上記TDIイメージセンサ5の一走査分
だけ遅延させるシフトレジスタ36a〜36fの出力から、最
適なシフト位置を選択してレジスタ37a、37bに入力され
る。選択回路38a、38b、が上記最小検出回路32からの上
記TDIイメージセンサ5のY方向に走査するときのシ
フト量34a、34bにより、上記TDIイメージセンサ5の
Y方向の最適なシフト位置を選択する。従って、上記選
択回路38a、38bの出力には、不一致量が最小或いは極小
になるシフト位置に対する局部画像が抽出される。上記
他方の遅延回路23bの出力からも、上記シフトレジスタ3
9a〜39c及び40の出力を用いて、上記シフトレジスタ29
(図4参照)の出力と同一量だけ遅延させた位置に画像を
同期抽出する。この状態では上記選択回路38a、38bから
出力される局部画像は、上記シフトレジスタ40から出力
される局部画像に対し、位置ズレのない最適なシフト位
置になっている。
Reference numeral 24 is an alignment circuit, and as shown in FIG. 5, shift amounts 33a and 33b when the TDI image sensor 5 is scanned in the X direction are input to the selection circuit 35 from the minimum value detection circuit 32. Then, the selection circuit 35 selects an optimum shift position from the outputs of the one delay circuit 23a and the shift registers 36a to 36f which delays by one scan of the TDI image sensor 5 and inputs it to the registers 37a and 37b. To be done. The optimum shift position in the Y direction of the TDI image sensor 5 is selected by the shift amounts 34a and 34b when the selection circuits 38a and 38b scan from the minimum detection circuit 32 in the Y direction of the TDI image sensor 5. .. Therefore, the local images for the shift positions where the mismatch amount is the minimum or the minimum are extracted from the outputs of the selection circuits 38a and 38b. Also from the output of the other delay circuit 23b, the shift register 3
Using the outputs of 9a-39c and 40, the shift register 29
The image is synchronously extracted at a position delayed by the same amount as the output (see FIG. 4). In this state, the local images output from the selection circuits 38a and 38b are at optimal shift positions with no positional deviation with respect to the local images output from the shift register 40.

【0022】このようにして最適なシフト位置が決定さ
れると、欠陥判定回路25が共通に表れる不一致を欠陥と
する。図6は上記欠陥判定回路25を示す。同図は2点の
シフト位置の場合を示すが、上記選択回路38aの出力と
上記シフトレジスタ40の出力との不一致をEXOR回路
が検出し、同時に、上記選択回路38bの出力シフトレジ
スタ40の出力との不一致をEXOR回路43が検出し、上
記EXOR回路42の出力の論理積をAND回路44により
とる。そして判定器45が上記AND回路44の出力信号を
サイズにより欠陥かどうかを判定して出力する。
When the optimum shift position is determined in this manner, the non-coincidence which the defect judgment circuit 25 commonly appears is regarded as a defect. FIG. 6 shows the defect determination circuit 25. The figure shows the case of two shift positions, but the EXOR circuit detects a mismatch between the output of the selection circuit 38a and the output of the shift register 40, and at the same time, the output of the output shift register 40 of the selection circuit 38b. The EXOR circuit 43 detects the disagreement with the above, and the AND circuit 44 calculates the logical product of the outputs of the EXOR circuit 42. Then, the determiner 45 determines whether or not the output signal of the AND circuit 44 is defective according to the size and outputs it.

【0023】このように、エッジ検出回路11、2値化
回路12、不一致検出回路22、遅延回路23、位置合
せ回路24、欠陥判定回路25等により、各Channel毎
に欠陥を検出することが可能である。この実施例では各
Channel毎に完全に独立に処理したが、共通化ができ
る。位置合せを共通化した検査装置の例を図7に示す。
図7に示したパターン検査装置において、Channel2か
ら8は各Channelごとに不一致画素数検出回路48にお
いて図9に示すようにカウンタ31により各Channel毎
の不一致画素数を算出し、Channel1の不一致検出回路
47において、図8に示すようにこれらを加算器46に
より合計し、この加算器46の出力を最小値検出回路で
処理する。このようにすれば、より広い範囲の画像を取
り扱えるため位置ずれ補正の精度が向上する。これはパ
ターン密度の小さい場所を検査するためには特に有効で
ある。また、Channel1、2、7、8は上記のような構
成にし、それ以外は遅延回路23、位置合せ回路24、
欠陥判定回路25のみとして不一致検出を省略してもよ
い。
As described above, the edge detection circuit 11, the binarization circuit 12, the mismatch detection circuit 22, the delay circuit 23, the alignment circuit 24, the defect determination circuit 25 and the like can detect a defect for each channel. Is. In this example,
Although it was processed completely independently for each channel, it can be shared. FIG. 7 shows an example of an inspection device in which alignment is standardized.
In the pattern inspection apparatus shown in FIG. 7, in the channels 2 to 8 in each channel, the mismatch pixel number detection circuit 48 calculates the number of mismatch pixels in each channel by the counter 31 as shown in FIG. At 47, these are summed by the adder 46 as shown in FIG. 8, and the output of the adder 46 is processed by the minimum value detection circuit. In this way, a wider range of images can be handled, and the accuracy of positional deviation correction is improved. This is particularly effective for inspecting a place having a low pattern density. Channels 1, 2, 7, and 8 are configured as described above, and other than that, the delay circuit 23, the alignment circuit 24,
The mismatch detection may be omitted with only the defect determination circuit 25.

【0024】上記実施例では、2値化回路12を用いて2
値化した画像を使用した欠陥検出について説明したが、
図1、図7においては2値化回路12をthruにし濃淡
画像そのものを用いて欠陥検出してもよい。(図1、7
では点線のように結線される。この場合、2値化回路12
の出力は不一致検出回路22にのみ結線される。)この場
合、濃淡の違いが大きい領域を欠陥とすることになる。
このような構成にすれば、正常部と異なる欠陥の信号を
より精度良く検出できる。また、実際には、各1次元イ
メージセンサは移動方向と直行する方向で、像の結像に
起因して若干の倍率誤差(Y位置)が生じるが、これも比
較により相殺されるので問題にならない。このように、
TDIイメージセンサは検出光量を増加することを目的
とするものであるが、焦点深度を増加させることに極め
て有効であり、その結果として、各層が重なって凹凸の
できた多層パターンでも、各層に焦点の合った高精度な
パターン検出と高い感度の比較ができる。特に、微細な
欠陥がどの層にあってもこれを検出できる。従って、従
来にくらべ飛躍的に欠陥検出性能を向上させることがで
きる。
In the above embodiment, the binarization circuit 12 is used to
I explained defect detection using a binarized image,
In FIGS. 1 and 7, the binarization circuit 12 may be set to thru to detect a defect by using the grayscale image itself. (Figs. 1, 7
Then it is connected like a dotted line. In this case, the binarization circuit 12
Output is connected only to the mismatch detection circuit 22. ) In this case, a region having a large difference in light and shade is regarded as a defect.
With such a configuration, a signal of a defect different from that of a normal portion can be detected more accurately. Further, in reality, each one-dimensional image sensor causes a slight magnification error (Y position) due to the image formation in the direction orthogonal to the moving direction, but this also cancels out due to the comparison, which causes a problem. I won't. in this way,
The TDI image sensor is intended to increase the amount of detected light, but it is extremely effective in increasing the depth of focus. As a result, even if a multilayer pattern in which each layer is overlapped to form unevenness Highly accurate pattern detection that matches and high sensitivity can be compared. In particular, it is possible to detect fine defects in any layer. Therefore, it is possible to dramatically improve the defect detection performance as compared with the related art.

【0025】以上実施例を用いて詳細を述べたが、個々
の構成要素は既存の技術で実現可能である。異物検出手
段は、異物が検出できるならば実施例以外の方法でもよ
い。また、2つのTDIイメージセンサを用いて検査す
る方式について述べたが、2つのTDIイメージセンサ
を用いて同時に検出した画像を比較検査する方式にも適
用できる。
Although the details have been described above using the embodiments, the individual constituent elements can be realized by the existing technology. The foreign matter detecting means may be a method other than the embodiment as long as the foreign matter can be detected. Further, although the method of inspecting by using two TDI image sensors has been described, the method of comparing and inspecting images simultaneously detected by using two TDI image sensors can also be applied.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上述べたように、欠陥検出だけでなく
異物検出も行うので、欠陥から異物のみを抽出して検出
できる。従って、欠陥が異物かどうか判断できる。さら
に、異物検出は検出した欠陥位置でのみ行うので、従来
の試料面全面に対して行う異物検査に比べ、検出条件な
どを最適化でき、より高精度に異物のみを検出できる。
従って、異物かどうかの判断もより信頼性高く行うこと
が可能になる。
As described above, since not only the defect detection but also the foreign matter detection is performed, only the foreign matter can be extracted and detected from the defects. Therefore, it can be determined whether the defect is a foreign matter. Further, since the foreign matter detection is performed only at the detected defect position, the detection conditions and the like can be optimized and only the foreign matter can be detected with higher accuracy than in the conventional foreign matter inspection performed on the entire surface of the sample.
Therefore, it becomes possible to more reliably determine whether or not the foreign matter.

【0027】また、各層が重なって凹凸のできた多層パ
ターンでも、焦点が合った高精度なパターン検出と高感
度の比較ができ、従来にくらべ飛躍的に欠陥検出性能を
向上した外観検査方法及び装置を提供することが可能に
なる。特に、微細な欠陥がどの層にあってもこれを検出
できる。
Further, even in the case of a multilayer pattern in which each layer is overlapped to form irregularities, highly accurate pattern detection in focus and comparison of high sensitivity can be performed, and a visual inspection method and apparatus in which defect detection performance is dramatically improved as compared with the conventional method. It becomes possible to provide. In particular, it is possible to detect fine defects in any layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の欠陥検出の構成と動作を説明するため
の図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining the configuration and operation of defect detection of the present invention.

【図2】TDIイメージセンサによる共焦点結像関係を
示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a confocal imaging relationship by a TDI image sensor.

【図3】検出信号波形の例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a detection signal waveform.

【図4】不一致検出回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a mismatch detection circuit.

【図5】位置合せ回路を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an alignment circuit.

【図6】欠陥判定回路を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a defect determination circuit.

【図7】他の実施例を示すパターン検査装置を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a pattern inspection apparatus showing another embodiment.

【図8】不一致検出回路を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a mismatch detection circuit.

【図9】不一致画素数検出回路を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a mismatch pixel number detection circuit.

【図10】本発明の実施例を示すパターン検査装置を示
す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a pattern inspection apparatus showing an embodiment of the present invention.

【図11】本発明の異物検出の構成と動作を説明するた
めの図である。
FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration and operation of foreign matter detection of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ウェハ、 2…チップ、 3…照明光、 4…対物レンズ、 5…TDIイメージセンサ、 6…ステージ、 7…遅延メモリ、 8…リニアスケール、 9…タイミング発生回路、 11…エッジ検出回路、 12…2値化回路、 22…不一致検出回路、 23…遅延回路、 24…位置合せ回路、 25…欠陥判定回路、 26〜29…シフトレジスタ、 30…EXOR回路、 31…カウンタ、 32…最小値検出回路、 35…ピンホール、 36…光路長変換素子、 36、37、39、40…シフトレジスタ、 45…判定器、 46…加算器、 47…不一致検出回路、 48…不一致検出画素数検出回路 52…S偏光レーザ、 53…偏光板、 54…イメージセンサ、 55…A/D変換器、 56…画像メモリ、 57…位置合わせ回路、 58…差信号検出回路、 59…2値化回路、 60…欠陥検出手段、 62…異物検出手段。 1 ... Wafer, 2 ... Chip, 3 ... Illumination light, 4 ... Objective lens, 5 ... TDI image sensor, 6 ... Stage, 7 ... Delay memory, 8 ... Linear scale, 9 ... Timing generation circuit, 11 ... Edge detection circuit, 12 ... Binarization circuit, 22 ... Mismatch detection circuit, 23 ... Delay circuit, 24 ... Alignment circuit, 25 ... Defect determination circuit, 26 ... 29 ... Shift register, 30 ... EXOR circuit, 31 ... Counter, 32 ... Minimum value Detection circuit, 35 ... Pinhole, 36 ... Optical path length conversion element, 36, 37, 39, 40 ... Shift register, 45 ... Judgment device, 46 ... Adder, 47 ... Mismatch detection circuit, 48 ... Mismatch detection pixel number detection circuit 52 ... S-polarized laser, 53 ... Polarizing plate, 54 ... Image sensor, 55 ... A / D converter, 56 ... Image memory, 57 ... Positioning circuit, 58 ... Difference signal Detection circuit, 59 ... binarization circuit, 60 ... defect detecting means, 62 ... foreign substance detecting means.

フロントページの続き (72)発明者 広井 高志 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内Front Page Continuation (72) Inventor Takashi Hiroi 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Stock Engineering Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被検査パターンの欠陥を検出するパターン
検査において、欠陥検出後に、欠陥として検出した位置
で異物検出を行い、欠陥を異物とそれ以外に分類するこ
とを特徴とするパターン検査方法。
1. A pattern inspecting method for detecting a defect in a pattern to be inspected, which comprises detecting a foreign substance at a position detected as a defect and then classifying the defect into a foreign substance and a defect other than the defect.
【請求項2】パターン検出器として複数の1次元イメー
ジセンサを2次元に配列した構造を有し、各1次元イメ
ージセンサの出力を定めた時間遅延しては、対象の同一
位置を撮像した隣接する1次元イメージセンサの出力と
加算する機能を有するイメージセンサを斜めに傾けて配
置し、共焦点の結像光学系によりイメージセンサにパタ
ーンを結像させることを特徴とする画像検出方法。
2. A pattern detector having a structure in which a plurality of one-dimensional image sensors are two-dimensionally arranged, and the outputs of the respective one-dimensional image sensors are delayed by a predetermined time, and the same position of an object is adjacently imaged. An image detecting method, wherein an image sensor having a function of adding the output of the one-dimensional image sensor is obliquely arranged, and a pattern is formed on the image sensor by a confocal image forming optical system.
【請求項3】パターン検出器として複数の1次元イメー
ジセンサを2次元に配列した構造を有し、各1次元イメ
ージセンサの出力を定めた時間遅延しては、対象の同一
位置を撮像した隣接する1次元イメージセンサの出力と
加算する機能を有するイメージセンサを斜めに傾けて配
置し、共焦点の結像光学系によりイメージセンサにパタ
ーンを結像させ、この出力信号を基準の信号と比較する
ことにより被検査パターンの画像の不一致を欠陥として
検出することを特徴とするパターン検査方法。
3. A pattern detector having a structure in which a plurality of one-dimensional image sensors are arranged two-dimensionally, and the outputs of the respective one-dimensional image sensors are delayed by a predetermined time, and the same position of an object is imaged adjacent to each other. The image sensor having a function of adding to the output of the one-dimensional image sensor is obliquely arranged, a pattern is formed on the image sensor by a confocal image forming optical system, and the output signal is compared with a reference signal. Accordingly, the pattern inspection method is characterized in that the mismatch of the images of the pattern to be inspected is detected as a defect.
【請求項4】被検査パターンの欠陥を検出するパターン
検査装置において、欠陥検出手段と欠陥情報(位置など)
記憶手段と異物検出手段を有し、欠陥検出後に、検出し
た欠陥位置で異物検出を行い、欠陥を異物とそれ以外に
分類することを特徴とするパターン検査装置。
4. A pattern inspection apparatus for detecting defects in a pattern to be inspected, the defect detecting means and defect information (position etc.).
A pattern inspection apparatus having a storage unit and a foreign matter detection unit, wherein after the defect is detected, the foreign matter is detected at the detected defect position to classify the defect into a foreign matter and other types.
【請求項5】被検査パターンの画像を検出し、この画像
を比較して不一致を欠陥と判定する手段を有し、パター
ン検出器として複数の1次元イメージセンサを2次元に
配列した構造を有し、各1次元イメージセンサの出力を
定めた時間遅延しては対象の同一位置を撮像した隣接す
る1次元イメージセンサの出力と加算する機能を有する
イメージセンサを斜めに傾けて配置し、共焦点の結像光
学系によりイメージセンサにパターンを結像させること
を特徴とする画像検出装置。
5. A means for detecting an image of a pattern to be inspected, comparing the images and determining a mismatch as a defect, and having a structure in which a plurality of one-dimensional image sensors are two-dimensionally arranged as a pattern detector. Then, an image sensor having a function of delaying the output of each one-dimensional image sensor for a predetermined time and adding it to the output of an adjacent one-dimensional image sensor that images the same position of the target is arranged at an angle and confocal. An image detecting apparatus, wherein a pattern is formed on an image sensor by the image forming optical system.
【請求項6】被検査パターンの画像を検出し、この画像
を比較して不一致を欠陥と判定する手段を有し、パター
ン検出器として複数の1次元イメージセンサを2次元に
配列した構造を有し、各1次元イメージセンサの出力を
定めた時間遅延しては対象の同一位置を撮像した隣接す
る1次元イメージセンサの出力と加算する機能を有する
イメージセンサを斜めに傾けて配置し、共焦点の結像光
学系によりイメージセンサにパターンを結像させ、この
出力信号を基準の信号と比較することにより欠陥を検出
することを特徴とするパターン検査装置。
6. A structure having a structure in which a plurality of one-dimensional image sensors are two-dimensionally arranged as a pattern detector has means for detecting an image of a pattern to be inspected and comparing the images to determine a mismatch as a defect. Then, an image sensor having a function of delaying the output of each one-dimensional image sensor for a predetermined time and adding it to the output of an adjacent one-dimensional image sensor that images the same position of the target is arranged at an angle and confocal. A pattern inspection apparatus characterized in that a pattern is formed on an image sensor by the image forming optical system, and a defect is detected by comparing the output signal with a reference signal.
JP00058592A 1992-01-07 1992-01-07 Pattern inspection method and apparatus Expired - Fee Related JP3257010B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00058592A JP3257010B2 (en) 1992-01-07 1992-01-07 Pattern inspection method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00058592A JP3257010B2 (en) 1992-01-07 1992-01-07 Pattern inspection method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05182887A true JPH05182887A (en) 1993-07-23
JP3257010B2 JP3257010B2 (en) 2002-02-18

Family

ID=11477800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00058592A Expired - Fee Related JP3257010B2 (en) 1992-01-07 1992-01-07 Pattern inspection method and apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3257010B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004150895A (en) * 2002-10-29 2004-05-27 Natl Inst Of Radiological Sciences Sample image data processing method and sample examination system
WO2008068896A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Tokyo Electron Limited Defect detecting device, defect detecting method, information processing device, information processing method, and program therefor
WO2008068895A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Tokyo Electron Limited Defect detecting device, defect detecting method, information processing device, information processing method, and program therefor
JP2008309532A (en) * 2007-06-13 2008-12-25 Lasertec Corp Three-dimensional measuring apparatus and inspection apparatus
JP2011091398A (en) * 2009-10-21 2011-05-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying pattern to substrate
US8077306B2 (en) 2006-08-25 2011-12-13 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection apparatus

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5532792B2 (en) * 2009-09-28 2014-06-25 富士通株式会社 Surface inspection apparatus and surface inspection method
CN102320614B (en) * 2011-09-01 2013-01-16 浙江矽昶绿能源有限公司 Production method of high-purity silicon dioxide

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004150895A (en) * 2002-10-29 2004-05-27 Natl Inst Of Radiological Sciences Sample image data processing method and sample examination system
US8077306B2 (en) 2006-08-25 2011-12-13 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection apparatus
WO2008068896A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Tokyo Electron Limited Defect detecting device, defect detecting method, information processing device, information processing method, and program therefor
WO2008068895A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Tokyo Electron Limited Defect detecting device, defect detecting method, information processing device, information processing method, and program therefor
JP2008139203A (en) * 2006-12-04 2008-06-19 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for detecting defect, apparatus and method for processing information, and its program
JP2008139202A (en) * 2006-12-04 2008-06-19 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for detecting defect, apparatus and method for processing information, and its program
US7783102B2 (en) 2006-12-04 2010-08-24 Tokyo Electron Limited Defect detecting apparatus, defect detecting method, information processing apparatus, information processing method, and program therefor
US7783104B2 (en) 2006-12-04 2010-08-24 Tokyo Electron Limited Defect detecting apparatus, defect detecting method, information processing apparatus, information processing method, and program therefor
JP2008309532A (en) * 2007-06-13 2008-12-25 Lasertec Corp Three-dimensional measuring apparatus and inspection apparatus
JP2011091398A (en) * 2009-10-21 2011-05-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying pattern to substrate
US8773637B2 (en) 2009-10-21 2014-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method of applying a pattern to a substrate using sensor and alignment mark
US9658541B2 (en) 2009-10-21 2017-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP3257010B2 (en) 2002-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6317512B1 (en) Pattern checking method and checking apparatus
KR930008773B1 (en) Method and apparatus for detecting circuit pattern detect
US7953567B2 (en) Defect inspection apparatus and defect inspection method
EP0124113B1 (en) Method of detecting pattern defect and its apparatus
JP4183492B2 (en) Defect inspection apparatus and defect inspection method
US6141038A (en) Alignment correction prior to image sampling in inspection systems
JP2771190B2 (en) Method and apparatus for inspecting filling state of through hole
JP2002014057A (en) Defect checking device
JP4387089B2 (en) Defect inspection apparatus and defect inspection method
JPH0437922B2 (en)
JP3257010B2 (en) Pattern inspection method and apparatus
JP4822103B2 (en) Inspection apparatus, inspection method, and pattern substrate manufacturing method
JP2954381B2 (en) Pattern inspection method and apparatus
JPH09210656A (en) Inspection system
JP3189796B2 (en) Defect inspection method and device
JP3078784B2 (en) Defect inspection equipment
JPH04174348A (en) Method and device for inspecting defect
JP2525261B2 (en) Mounted board visual inspection device
JPH0652244B2 (en) Through-hole filling state inspection method
JPH08226900A (en) Inspecting method of state of surface
JPH0682729B2 (en) Surface condition inspection method and surface condition inspection device
JPH0545303A (en) Defect inspecting apparatus
JPH0624215B2 (en) Pattern defect detection method and device
JPH02173873A (en) Defect discriminating device
JPH0516585B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071207

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081207

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081207

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091207

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees