JPH0518220B2 - - Google Patents

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JPH0518220B2
JPH0518220B2 JP59149935A JP14993584A JPH0518220B2 JP H0518220 B2 JPH0518220 B2 JP H0518220B2 JP 59149935 A JP59149935 A JP 59149935A JP 14993584 A JP14993584 A JP 14993584A JP H0518220 B2 JPH0518220 B2 JP H0518220B2
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JP
Japan
Prior art keywords
state
substance
ion beam
synchrotron radiation
electric field
Prior art date
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Application number
JP59149935A
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Japanese (ja)
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JPS6127043A (en
Inventor
Yoshihiro Ueda
Koichi Ono
Tatsuo Oomori
Shigeto Fujita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP14993584A priority Critical patent/JPS6127043A/en
Publication of JPS6127043A publication Critical patent/JPS6127043A/en
Publication of JPH0518220B2 publication Critical patent/JPH0518220B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/24Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質、
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関
するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to semiconductor processing equipment, material modification,
This relates to ion beam generators used for materials synthesis, etc.

〔従来技術〕[Prior art]

従来、イオンビーム発生装置によるイオン発生
方法としては、種々の手法が考えられ実用化され
て来た。その大部分は放電を利用したものであつ
たが、近年レーザ光を使つたイオン源が考え出さ
れて来ている。このレーザ光等の光を使つた方式
には2つあり、1つは光を金属等の固体に照射し
てそのプラズマをイオン源として使つたり、レー
ザ光を集光して気体、液体に照射してプラズマを
作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の1つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等
の単一波長を対象とするイオン化されるべき物質
のエネルギ準位に共鳴させて該物質をイオン化さ
せるものである(特開昭50−22999号公報参照)。
本発明は後者に関するものであり、光源としてレ
ーザ光でなくシンクロトロン放射光を使うもので
ある。
Conventionally, various methods have been considered and put into practical use as ion generation methods using ion beam generators. Most of them used electric discharge, but in recent years ion sources using laser light have been devised. There are two methods of using light such as laser light. One is to irradiate a solid such as a metal with light and use the resulting plasma as an ion source, and the other is to focus the laser light and convert it into gas or liquid. irradiation to create plasma, which is used as an ion source.
The other method uses a variable wavelength light source to ionize a substance by resonating a single wavelength such as a laser beam with the energy level of the substance to be ionized (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 1989-1992). -Refer to Publication No. 22999).
The present invention relates to the latter, and uses synchrotron radiation rather than laser light as a light source.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、イオン化されるべき物質をガス放電
によりその比較的下位の励起状態に励起し、シン
クロトロン放射光の照射により該励起状態からリ
ユードベルグ状態に共鳴光励起し、さらに上記物
質を上記シンクロトロン放射光に同期したパルス
電界の印加により該物質の電離限界に近いリユー
ドベルグ状態(Rydberg level)からイオン状態
にすることにより、従来の共鳴光励起、イオン化
方式に比べ入力光エネルギに対するイオン化効率
を4桁以上向上でき、選択イオン化における選択
性に優れたコンパクトな低エネルギーイオンビー
ム発生装置を提供することを目的としている。
The present invention excites a substance to be ionized to a relatively lower excited state by gas discharge, resonantly optically excites the substance to be ionized from the excited state to a Lyudberg state by irradiation with synchrotron radiation, and furthermore, the substance is excited by the synchrotron radiation. By applying a pulsed electric field synchronized with light to change the material from Rydberg level, which is close to the ionization limit, to an ion state, the ionization efficiency for input light energy is improved by more than four orders of magnitude compared to conventional resonant optical excitation and ionization methods. The purpose of the present invention is to provide a compact low-energy ion beam generator with excellent selectivity in selective ionization.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

まず本発明装置におけるイオン化方法をベリリ
ウムイオンビームを発生する場合を例にとつて従
来の方法と比較しつつ説明する。第1図はベリリ
ウム中性原子のエネルギ準位図である。
First, the ionization method used in the apparatus of the present invention will be explained, taking as an example the case of generating a beryllium ion beam, and comparing it with a conventional method. FIG. 1 is an energy level diagram of beryllium neutral atoms.

従来のイオン化方法は、例えば波長が2349Å及
び3000Åの2本のレーザビームB1,B2をイオ
ン化させたいベリリウム蒸気に照射する方法であ
り、即ち基底状態2s(1S)にあるベリリウム原子
をまず2349ÅのレーザビームB1により第1励起
状態2p(1P0)に共鳴励起し、その後3000Åのレー
ザビームB2によりイオン化させるものである。
The conventional ionization method is, for example, to irradiate beryllium vapor to be ionized with two laser beams B1 and B2 with wavelengths of 2349 Å and 3000 Å. In other words, beryllium atoms in the ground state 2s ( 1 S) are first ionized into 2349 Å wavelengths. It is resonantly excited to the first excited state 2p ( 1 P 0 ) by the laser beam B1, and then ionized by the laser beam B2 of 3000 Å.

本発明装置におけるイオン化方法が上記従来の
イオン化方法と異なるのは、励起用の光源として
シンクロトロン放射光、特に相対論的シンクロト
ロン放射光を使用する点にある。シンクロトロン
放射光はレーザ光と同様に方向性を有し、かつレ
ーザ光よりはるかに大強度、高エネルギ光子であ
り、そのため第1図に示すように1本の光子によ
りベリリウム蒸気を比較的下位の励起状態からリ
ユードベルグ状態に励起できる。また、本発明方
法の従来方法と根本的に異なる点はこの最終的励
起状態としてリユードベルグ状態にすることであ
り、該励起状態からのイオン化は次式に示す電界
の印加により行なう。
The ionization method in the apparatus of the present invention differs from the conventional ionization method described above in that synchrotron radiation, particularly relativistic synchrotron radiation, is used as an excitation light source. Synchrotron synchrotron radiation has directionality similar to laser light, and has far greater intensity and energy than laser light. Therefore, as shown in Figure 1, a single photon can destroy beryllium vapor at a relatively low level. can be excited from the excited state to the Ryudberg state. The fundamental difference between the method of the present invention and the conventional method is that the final excited state is the Ryudberg state, and ionization from the excited state is performed by applying an electric field as shown in the following equation.

E(V/cm)≧0.3125×109・n*-4 ここでn*はリユードベルグ状態の有効主量子
数であり、第5図にこの関係を示す。リユードベ
ルグ状態とは、一般に、基底状態に比べ10程度以
上大きな主量子数nをもつ原子の高励起状態のこ
とをいう。ベリリウム中性原子の場合、基底状態
は2s(1S)、n=2であり、リユードベルグ状態は
n≧12程度の高励起状態のことを示す。
E (V/cm)≧0.3125×10 9 ·n* -4 where n* is the effective principal quantum number of the Rydberg state, and this relationship is shown in FIG. The Ryudberg state generally refers to a highly excited state of an atom that has a principal quantum number n that is about 10 or more larger than the ground state. In the case of beryllium neutral atoms, the ground state is 2s ( 1 S), n=2, and the Ryudberg state is a highly excited state of about n≧12.

ベリリウム中性原子の12d(3D)準位について
は、n*=12.04であり、従つて、リユードベル
グ状態12d(3D)のイオン化に必要な電界強度は
E≧1.487×104V/cmとなる。また、より高い、
即ちより電離限界に近いリユードベルグ状態、例
えば30d(3D)準位を選んだ場合、そのイオン化
に必要な電界強度はE≧3.858×102V/cmとより
小さくなる。一方、第1励起状態2p(1P0)につい
てはn*=1.83であり、もしこの2p(1P0)準位を
電界によつて直接電離しようとすると、そのイオ
ン化にはE≧2.786×107V/cmと極めて大きい電
界強度が必要になる。
For the 12d ( 3D ) level of beryllium neutral atoms, n* = 12.04, and therefore the electric field strength required for ionization of the Ryudberg state 12d ( 3D ) is E≧1.487×10 4 V/cm. Become. Also, higher,
That is, if a Ryudberg state closer to the ionization limit is selected, for example, the 30d ( 3D ) level, the electric field strength required for ionization becomes smaller, E≧3.858×10 2 V/cm. On the other hand, for the first excited state 2p ( 1 P 0 ), n * = 1.83, and if we attempt to directly ionize this 2p ( 1 P 0 ) level by an electric field, the ionization requires E ≥ 2.786 × An extremely large electric field strength of 10 7 V/cm is required.

ところで、有効主量子n*のリユードベルグ状
態の放射による寿命はτr∝n*3であり、衝突が
無視できる程度の低いガス圧力のもとでは、n*
が大きい高励起状態であるほど放射寿命τrが長く
なる。第6図に、ベリリウム中性原子のd状態に
ついての放射寿命 τr(ns)=1.38×(n*−0.0144)3 の関係を示す。ベリリウム中性原子のリユードベ
ルグ状態12d(3D)に関してはτr〜2.4μs程度であ
るが、より高い、即ちより電離限界に近いリユー
ドベルグ状態 例えば30d(3D)準位に関しては
τr〜37μsとより長くなる。一方、第1励起状態2p
1P0)については、τr〜8ns程度であり、リユー
ドベルグ状態と比較して放射寿命は極めて短い。
By the way, the radiative lifetime of the Lyudberg state of effective principal quantum n* is τ r ∝n* 3 , and under gas pressure so low that collisions can be ignored, n*
The higher the excited state is, the longer the radiative lifetime τ r becomes. Figure 6 shows the relationship of the radiative lifetime τ r (ns) = 1.38 x (n * - 0.0144) 3 for the d-state of beryllium neutral atoms. For the Ryudberg state 12d ( 3D ) of a neutral beryllium atom, τ r ~2.4 μs, but for a Ryudberg state that is higher, that is, closer to the ionization limit, such as the 30d ( 3 D) level, τ r ~37 μs. becomes longer. On the other hand, the first excited state 2p
For ( 1 P 0 ), τ r is about 8 ns, and the radiative lifetime is extremely short compared to the Ryudberg state.

従つて、ベリリウム中性原子の基底状態2s(1S)
をガス放電によつて準安定状態2p(3P0)に励起
し、更にこの2p(3P0)準位を波長λ2=1907Åのシ
ンクロトロン放射光によつてリユードベルグ状態
12d(3D)に励起し、この12d(3D)準位を電界E
>1.487×104V/cmによつてイオン化する本発明
装置におけるイオン化方法の例の場合、放電下の
ベリリウム蒸気をシンクロトロン放射光λ1にいよ
つて共鳴励起した後、リユードベルグ状態12d
3D)の放射寿命τr〜2.4μs程度の間に電界を印加
して該準位をイオン化すればよく、>10kV程度の
電圧を立上り・立下り時間<1μs程度で発生可能
な通常のパルス電圧発生装置を用いることができ
る。
Therefore, the ground state of beryllium neutral atom 2s ( 1 S)
is excited to the metastable state 2p ( 3 P 0 ) by gas discharge, and then this 2p ( 3 P 0 ) level is brought to the Lyudberg state by synchrotron radiation with wavelength λ 2 = 1907 Å.
12d ( 3D ), and this 12d ( 3D ) level is exposed to the electric field E.
>1.487×10 4 V/cm In the case of the ionization method in the device of the present invention, the beryllium vapor under discharge is resonantly excited by synchrotron radiation λ 1 , and then the Ryudberg state 12d is generated.
It is sufficient to ionize the level by applying an electric field during the radiation lifetime τ r of ( 3D ) ~ 2.4 μs, and it is possible to generate a voltage of >10 kV with a rise/fall time of <1 μs. A pulsed voltage generator can be used.

従来のイオン化方法に従う一例である基底状態
2s(1S)から直接に光イオン化する場合、その光
電離断面積はσ1=4.10×10-27[λ1(Å)]3cm2であ
り、
従つてその電離速度はW=2.06×10-12[λ1(Å)]4I
(W/cm2)sec-1となる。ここで、シンクロトロン
放射光波長λ1は、電離限界を超えるためλ1<1329
Åである必要がある。第7図はこの電離速度Wを
放射光波長λ1の関数として色々な放射光強度Iに
対して示す。図示のように、ある一定の放射光強
度において波長λ1を変化させると電離速度Wは連
続的に変化する。
Ground state, an example of following traditional ionization methods
When photoionizing directly from 2s ( 1 S), its photoionization cross section is σ 1 = 4.10×10 -271 (Å)] 3 cm 2 ,
Therefore, the ionization rate is W=2.06×10 -121 (Å)] 4 I
(W/cm 2 )sec -1 . Here, the synchrotron radiation wavelength λ 1 exceeds the ionization limit, so λ 1 <1329
It needs to be . FIG. 7 shows this ionization rate W as a function of the radiation wavelength λ 1 for various radiation intensities I. As shown in the figure, when the wavelength λ 1 is changed at a certain emitted light intensity, the ionization rate W changes continuously.

また、従来のイオ化方法として、ガス放電によ
つて準安定状態2p(3P0)に励起したベリリウム中
性原子を、直接に光イオン化する方法も考えられ
る。この場合、この光電離断面積はσi=1.73×
10-27[λ2(Å)]3cm2であり、従つてその電離速度は
W=8.70×10-13[λ2(Å)]4I(W/cm2)sec-1とな
る。ここで、シンクロトロン放射光波長λ2は、電
離限界を超えるためλ2<1879Åである必要があ
る。第8図はこの電離速度Wを放射光波長λ2の関
数として色々な放射光強度Iに対して示す。図示
のように、この場合も、ある一定の放射光強度に
おいて波長λ2を変化させると電離速度Wは連続的
に変化する。
Another possible conventional ionization method is to directly photoionize beryllium neutral atoms excited to the metastable state 2p ( 3 P 0 ) by gas discharge. In this case, this photoionization cross section is σi=1.73×
10 -272 (Å)] 3 cm 2 , and therefore the ionization rate is W=8.70×10 -132 (Å)] 4 I (W/cm 2 ) sec -1 . Here, since the synchrotron radiation wavelength λ 2 exceeds the ionization limit, it is necessary that λ 2 <1879 Å. FIG. 8 shows this ionization rate W as a function of the radiation wavelength λ 2 for various radiation intensities I. As shown in the figure, in this case as well, when the wavelength λ 2 is changed at a certain emitted light intensity, the ionization rate W changes continuously.

一方、この発明装置におけるイオン化方法の場
合、波長λ2=1907Åのシンクロトロン放射光によ
る準安定状態2p(3P0)からリユードベルグ状態
12d(3D)への光励起断面積σex=1.28×10-22[λ2
(Å)]3cm2であり、従つてその励起速度は放射光高
度をIとするとW=6.47×10-8[λ1(Å)]4I(W/
cm2)sec-1となる。但し、上記の値は、準安定状
態2p(3P0)からリユードベルグ状態12d(3D)へ
の光吸収スペクトルは室温でのドツプラー広がり
を有し、放射光のスペクトル幅をドツプラー広が
りの10倍程度として計算したものである。このよ
うなリユードベルグ状態12d(3D)を電界により
イオン化する場合、電界強度を、イオン化に必要
な電界のしきい値Ecr=0.3125×109・n*-4
1.487×104V/cmより1割程度高くすると、
1012sec-1以上の速い速度でイオンと電子とに分
離する。従つて、この励起速度Wを準安定状態
2p(3P0)の波長1907Åの放射光によるリユードベ
ルグ状態12d(3D)を経由しての電界電離速度と
することができる。
On the other hand, in the case of the ionization method in the device of this invention, synchrotron radiation with wavelength λ 2 = 1907 Å changes from the metastable state 2p ( 3 P 0 ) to the Ryudberg state.
Photoexcitation cross section to 12d ( 3D ) σ ex = 1.28×10 -222
(Å)] 3 cm 2 , and therefore its excitation rate is W=6.47×10 -81 (Å)] 4 I(W/
cm 2 ) sec -1 . However, the above value indicates that the optical absorption spectrum from the metastable state 2p ( 3P 0 ) to the Lyudberg state 12d ( 3D ) has a Doppler broadening at room temperature, and the spectral width of the emitted light is 10 times the Doppler broadening. It is calculated as a degree. When such Ryudberg state 12d ( 3D ) is ionized by an electric field, the electric field strength is changed to the electric field threshold required for ionization E cr = 0.3125×10 9・n * -4 =
If it is about 10% higher than 1.487×10 4 V/cm,
Separates into ions and electrons at a high speed of 10 12 sec -1 or more. Therefore, this excitation rate W is in a metastable state.
It can be expressed as the field ionization rate via the Lyudberg state 12d ( 3D ) due to synchrotron radiation of 2p ( 3P 0 ) with a wavelength of 1907 Å.

第9図にこの電離速度Wをいくつかのリユード
ベルグ状態nd(3D)(n=12〜15、20、30)に関
して色々な放射光強度Iに対して示す。ある一定
の放射光強度において放射光波長λ2を変化させる
と、準安定状態2p(3P0)からリユードベルグ状態
nd(3D)への遷移2p(3P0)−nd(3D)に共鳴する
波長λ2においてのみ電離速度Wは有限の値を示
し、それ以外の波長においてはW=0となる。
FIG. 9 shows this ionization rate W for various synchrotron radiation intensities I for several Ryudberg states nd( 3D ) (n=12-15, 20, 30). When the synchrotron wavelength λ 2 is changed at a certain synchrotron radiation intensity, the transition from the metastable state 2p ( 3 P 0 ) to the Ryudberg state
The ionization rate W exhibits a finite value only at the wavelength λ 2 that resonates with the transition 2p ( 3 P 0 )−nd ( 3 D) to nd ( 3 D), and W=0 at other wavelengths.

第7図、第8と第9図を比較すると、リユード
ベルグ状態を経由してイオン化の電離速度Wは、
従来の光イオン化より4桁以上大きいことがわか
る。
Comparing Figures 7, 8 and 9, the ionization rate W of ionization via the Ryudberg state is:
It can be seen that this is more than four orders of magnitude larger than conventional photoionization.

ところで、従来のイオン化方法として、ガス波
長λ1=2349Åのシンクロトロン放射光によつて基
底状態2s(1S)から第1励起状態2p(1P0)に励起
したベリリウム中性原子を、電界によつて直接電
離するイオン化方法も考えられる。この場合に
は、上記のように、E≧2.786×107V/cmと極め
て大きい電界強度が必要になる。また、2p(1P0
準位の放射寿命がτr〜8ns程度と極めて短いため、
放射光λ1を照射した後〜8nsと極めて短い時間の
間に電離のための電界を印加させる必要がある。
従つて、このイオン化方法には、>10MV程度の
超高電圧を〜10nsの超短時間の間に発生すること
が可能な特殊な高電圧短パルス発生装置が必要と
なる。これと比較して、本発明装置のイオン化方
法に係るリユードベルグ状態の電界電離のための
電圧発生は、極めてコンパクトで安価な通常の装
置で達成できる。
By the way, as a conventional ionization method, beryllium neutral atoms excited from the ground state 2s ( 1 S) to the first excited state 2p ( 1 P 0 ) by synchrotron radiation with a gas wavelength λ 1 = 2349 Å are subjected to an electric field. An ionization method in which direct ionization is also considered. In this case, as mentioned above, an extremely large electric field strength of E≧2.786×10 7 V/cm is required. Also, 2p ( 1 P 0 )
Since the radiative lifetime of the level is extremely short, approximately τ r ~8 ns,
It is necessary to apply an electric field for ionization within an extremely short time of ~8 ns after irradiation with synchrotron radiation λ1 .
Therefore, this ionization method requires a special high-voltage short pulse generator capable of generating an ultra-high voltage of about >10 MV in an ultra-short time of ~10 ns. In comparison, voltage generation for field ionization of the Ryudberg state according to the ionization method of the apparatus of the present invention can be achieved with an extremely compact and inexpensive ordinary apparatus.

従つて、この発明におけるイオン化方法の場
合、従来の共鳴光励起、イオン化方法に比べ、入
力光エネルギに対するイオン化効率が4桁以上高
くなり、また基底状態からではなく準安定状態か
らの励起であるので光子の波長は短くてすみ、し
かも完全に共鳴のみを使うためシンクロトロン放
射光の波長を不純物原子のエネルギ準位と一致し
ないように選択すればイオン化させたい物質のみ
をイオン化でき、しかも純度の高いものができ
る。
Therefore, in the case of the ionization method of the present invention, the ionization efficiency with respect to the input light energy is more than four orders of magnitude higher than that of conventional resonant optical excitation and ionization methods, and since the ionization method is excitation from a metastable state rather than from the ground state, photons are The wavelength of synchrotron radiation is short, and since only resonance is used, if the wavelength of the synchrotron radiation light is selected so that it does not match the energy level of the impurity atoms, only the substance to be ionized can be ionized, and moreover, it is highly pure. I can do it.

更に、この発明におけるイオン化方法の場合、
リユードベルグ状態よりも遥かに低い励起状態を
電界電離によりイオン化する方式と比較しても、
特殊で高価な高電圧短パルス発生装置を用いるこ
となく、従来のコンパクトで安価な電圧発生装置
によつて達成できる利点がある。
Furthermore, in the case of the ionization method in this invention,
Even compared to the method of ionizing the excited state, which is much lower than the Ryudberg state, by field ionization,
There are advantages that can be achieved using conventional compact and inexpensive voltage generators without the need for specialized and expensive high voltage short pulse generators.

また上記シンクロトロン放射光の波長や電界強
度を変えることにより、容易に他種の物質のイオ
ン化ビームを発生することができ、この場合イオ
ン化される多種の物質を前もつてイオンビーム発
生容器内に導入しておいても良い。このように発
生するイオンビームの種類を容易に変えることが
できる本発明の手法は従来の方法にないものであ
り、イオンビームで処理する2つ以上の行程を連
続して行なうことができる利点がある。
In addition, by changing the wavelength and electric field strength of the synchrotron radiation, it is possible to easily generate ionization beams of other types of substances. You can also introduce it. The method of the present invention, which allows the type of ion beam generated to be easily changed, is different from conventional methods, and has the advantage of being able to perform two or more processing steps using an ion beam in succession. be.

次にこの発明の実施例を図について説明する。 Next, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.

第2図は本発明の第1の実施例を示し、図にお
いて、1はイオン化されるべき物質が導入される
容器、1aは上記物質を該容器1内に導入するた
めのガス導入孔、1bは上記容器1を真空にする
ための真空排気装置(図示せず)に接続された排
気通路、1cはスリツト、3は1907のÅの波長幅
の狭いシンクロトロン放射光B3を発生するシン
クロトロン放射光発生部である。
FIG. 2 shows a first embodiment of the present invention, in which 1 is a container into which a substance to be ionized is introduced, 1a is a gas introduction hole for introducing the substance into the container 1, and 1b is 1c is a slit, and 3 is synchrotron radiation that generates synchrotron radiation B3 with a narrow wavelength width of 1907 Å. This is the light generating part.

また5,6は上記シンクロトロン放射光B3を
挟んで配置された電極、5a,6aは上記電極
5,6に電圧を印加する端子であり、これらによ
り上記容器1内において上記物質に電界を印加す
る電界発生部15が達成されている。また11は
上記物質雰囲気中でRF放電を発生するRF放電発
生部である誘導コイルである。なお、上記イオン
化されるべき物質が化合物又は分子状態のガスと
して上記容器1内に導入される場合は、上記励起
用ガス放電が上記物質を中性原子状態にするため
のガス放電を兼ねるようにしてもよい。
Further, 5 and 6 are electrodes arranged to sandwich the synchrotron radiation light B3, and 5a and 6a are terminals for applying a voltage to the electrodes 5 and 6, which apply an electric field to the substance in the container 1. The electric field generating section 15 has been achieved. Further, 11 is an induction coil which is an RF discharge generating section that generates RF discharge in the above-mentioned material atmosphere. Note that when the substance to be ionized is introduced into the container 1 as a gas in a compound or molecular state, the excitation gas discharge also serves as a gas discharge to bring the substance into a neutral atomic state. It's okay.

8は試料、8aは該試料8を保持する試料台で
あり、該試料台8aと上記電極6との間には直流
電圧が印加され、これによりイオン化された物質
をイオンビームとして引き出すための引き出し電
界が発生される。なお、上記イオン化電界が上記
引き出し電界を兼ねるようにしてもよい。
8 is a sample, and 8a is a sample stand that holds the sample 8. A direct current voltage is applied between the sample stand 8a and the electrode 6, and a drawer is used to extract the ionized substance as an ion beam. An electric field is generated. Note that the ionization electric field may also serve as the extraction electric field.

次に動作について説明する。 Next, the operation will be explained.

本実施例装置により、ベリリウムのイオンビー
ムを発生する場合を考える。まず容器1にガス導
入孔1aからベリリウム蒸気10を導入する。そ
して上記誘導コイル11によりRF放電が発生し、
またこれと同期してシンクロトロン放射光発生部
3が発振し、さらに該発振と時間的に同期して電
極5と電極6の各々に端子5a,6aから電圧が
印加される。するとこれにより、上記基底状態2s
1S)にあるベリリウム蒸気10にRF放電による
電子が衝突し、その結果該ベリリウム蒸気10は
準安定状態2p(3P0)に励起される。また上記シン
クロトロン放射光発生部3の発振により1907Åの
シンクロトロン放射光B3がスリツト1cを介し
て容器1内に導入され、これにより上記ベリリウ
ム蒸気10は準安定状態2p(3P0)からリユードベ
ルグ状態12d(3D)に共鳴励起され、最後に該励
起蒸気は上記電界発生部15からの電界によりイ
オン化される。ここで、前述のように、リユード
ベルグ状態12d(3D)のイオン化に必要な電界強
度はE>1.487×104V/cmとなる。従つて、電極
5と電極6との間隔をd(cm)とすると、この電
極間に印加される電圧はVr>1.487×104dVであ
る必要がある。また、上記電極6と試料台8aと
の間には直流電圧が印加されており、これにより
上記イオン化されたベリリウム蒸気10はベリリ
ウムのイオンのみからなるイオンビーム9として
引き出され、該イオンビーム9は上記試料8に照
射される。
Let us consider the case where a beryllium ion beam is generated by the apparatus of this embodiment. First, beryllium vapor 10 is introduced into the container 1 through the gas introduction hole 1a. Then, RF discharge is generated by the induction coil 11,
Further, in synchronization with this, the synchrotron radiation light generating section 3 oscillates, and voltage is applied to each of the electrodes 5 and 6 from the terminals 5a and 6a in temporal synchronization with the oscillation. Then, due to this, the above ground state 2s
Electrons from the RF discharge collide with the beryllium vapor 10 at ( 1 S), and as a result, the beryllium vapor 10 is excited to a metastable state 2p ( 3 P 0 ). Further, due to the oscillation of the synchrotron radiation generating section 3, the synchrotron radiation B3 of 1907 Å is introduced into the container 1 through the slit 1c, and as a result, the beryllium vapor 10 changes from the metastable state 2p ( 3 P 0 ) to the Ryudberg state. The vapor is resonantly excited to state 12d ( 3D ), and finally the excited vapor is ionized by the electric field from the electric field generator 15. Here, as mentioned above, the electric field strength required for ionization of the Ryudberg state 12d ( 3D ) is E>1.487×10 4 V/cm. Therefore, assuming that the distance between electrode 5 and electrode 6 is d (cm), the voltage applied between the electrodes needs to be Vr>1.487×10 4 dV. Further, a DC voltage is applied between the electrode 6 and the sample stage 8a, so that the ionized beryllium vapor 10 is extracted as an ion beam 9 consisting only of beryllium ions. The sample 8 is irradiated.

イオンビーム9のエネルギーViは、電極5と
電極6との間に印加される電圧Vr及び電極6と
試料台8aとの間に印加される電圧Vaによつて
決まる。例えば、電極5と電極6との間における
シンクロトロン放射光照射領域を電極5と電極6
の中間d/2、d=1cmとすると、リユードベル
グ状態として12d(3D)を選んだ場合、得られる
イオンビームのエネルギーはVi=Vr/2+Va>
0.744×104+VaVとなる。従つて、電極6と試料
台8aとの間に電圧を印加しないとすると(Va
=0)、エネルギー7000V程度のイオンビームを
得ることができる。ここで、イオンビームのエネ
ルギは、より高い、即ちより電離限界に近いリユ
ードベルグ状態を選ぶとより低くなる。例えば、
30d(3D)の場合には、Vi=Vr/2+Va>0.192×
103+VaVとなり、Va=0とすると、200V程度
の低いエネルギのイオンビームを得ることができ
る。
The energy Vi of the ion beam 9 is determined by the voltage Vr applied between the electrodes 5 and 6 and the voltage Va applied between the electrodes 6 and the sample stage 8a. For example, the synchrotron radiation irradiation area between electrode 5 and electrode 6 is
If d/2 is the middle of , and d = 1 cm, if 12d ( 3 D) is selected as the Ryudberg state, the energy of the resulting ion beam is Vi = V r/2 + Va >
It becomes 0.744×10 4 +VaV. Therefore, if no voltage is applied between the electrode 6 and the sample stage 8a (Va
= 0), it is possible to obtain an ion beam with an energy of about 7000V. Here, the energy of the ion beam becomes lower when a higher Rydberg state is selected, that is, closer to the ionization limit. for example,
In the case of 30d ( 3D ), Vi=V r/2 + Va>0.192×
10 3 +VaV, and if Va=0, an ion beam with a low energy of about 200V can be obtained.

以上の動作説明における本実施例の特徴を示す
と、まず第1に本実施例は完全に共鳴のみを用い
て選択イオン化を行なうものであるので、上記容
器1内にイオン化させるべき物質、この場合ベリ
リウム、以外の不純物、酸素、窒素、炭素、水素
等が含まれていて、しかもその量がベリリウムよ
り多くても、シンクロトロン放射光の波長を上記
不純物原子のエネルギ準位と一致させないように
して希望の元素、この場合はベリリウム、のみが
イオン化された純粋なベリリウムイオンビームが
得られる。
The characteristics of this embodiment in the above operation description are as follows: First of all, since this embodiment performs selective ionization completely using only resonance, the substance to be ionized in the container 1, in this case, Even if it contains impurities other than beryllium, such as oxygen, nitrogen, carbon, hydrogen, etc., and even if the amount is greater than beryllium, the wavelength of the synchrotron radiation light should not be made to match the energy level of the impurity atoms. A pure beryllium ion beam is obtained in which only the desired element, in this case beryllium, is ionized.

第2に本実施例は上述のとおり、選択イオン化
を行なうものであり、かつ共鳴光励起によるイオ
ン化を行なうものであるので、電子や他の元素が
励起されたり、エネルギ吸収により温度上昇した
りすることはなく、その結果イオンビームを照射
する対象試料8、例えば半導体の場合は基板、の
温度を上昇させることはなく、低温処理ができ
る。
Second, as mentioned above, this embodiment performs selective ionization and ionization by resonant optical excitation, so there is no possibility that electrons or other elements will be excited or that the temperature will rise due to energy absorption. As a result, low-temperature processing can be performed without increasing the temperature of the target sample 8 to be irradiated with the ion beam, such as a substrate in the case of a semiconductor.

第3に本実施例は上述のとおり、リユードベル
グ状態を電界によりイオン化する際の印加電圧に
よりイオンビームのエネルギを制御することがで
き、低いエネルギのイオンビームを得ることがで
きる。従つて、該イオンビームを照射する対象試
料8、例えば半導体基板に損傷を与えることなく
表面を処理することができる。また、このような
低いエネルギのイオンビームは、ビームを引き出
した後更に加速することによつて高いエネルギの
イオンビームとして用いることもできる。従つ
て、本実施例におけるイオンビームは、100V以
下の低エネルギから1MV以上の高エネルギまで、
広いエネルギ範囲のイオンビームに対応できるイ
オン源となる。
Thirdly, as described above, in this embodiment, the energy of the ion beam can be controlled by the applied voltage when the Ryudberg state is ionized by an electric field, and an ion beam with low energy can be obtained. Therefore, the surface of the target sample 8 to be irradiated with the ion beam, such as a semiconductor substrate, can be treated without damaging it. Further, such a low energy ion beam can be used as a high energy ion beam by further accelerating the beam after extraction. Therefore, the ion beam in this example ranges from low energy of 100V or less to high energy of 1MV or more.
This is an ion source that can handle ion beams with a wide energy range.

第4にイオンビームの種類や特性を変える場合
は分光された単一波長のシンクロトロン放射光の
波長、印加電圧を変えれば良く、従来のような試
料を取り出したり、イオン源部を交換するために
容器を開閉したりする必要はなく、従つて、イオ
ン注入とアニーリング等の連続動作が容易にでき
る。
Fourth, if you want to change the type or characteristics of the ion beam, you just need to change the wavelength of the spectroscopic single-wavelength synchrotron radiation light and the applied voltage. There is no need to open and close the container, and therefore continuous operations such as ion implantation and annealing can be easily performed.

第3図は本発明の第2の実施例を示す。図にお
いて、第2図と同一符号は同一又は相当部分を示
し、13はイオン化させるべき物質12を収容す
る容器、13aは上記容器13の外周に設けられ
たヒータであり、これにより上記容器13は上記
物質12を蒸発せしめるオーブンとなつている。
また14はベリリウム蒸気10をイオンビーム9
として引き出す引き出し電極である。
FIG. 3 shows a second embodiment of the invention. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same or equivalent parts, 13 is a container containing the substance 12 to be ionized, 13a is a heater provided on the outer periphery of the container 13, and the container 13 is thereby It serves as an oven in which the substance 12 is evaporated.
In addition, 14 is a beryllium vapor 10 and an ion beam 9
This is an extraction electrode that can be extracted as a.

次に動作について説明する。 Next, the operation will be explained.

オーブン13内にイオン化させる物質であるベ
リリウム12を入れ、ヒータ13aによりオーブ
ン13を加熱すると上記ベリリウム12が溶融、
気化してベリリウム蒸気10が発生する。そして
誘導コイル11によりRF放電が発生し、またこ
れと同期して1907Åのシンクロトロン放射光B3
がスリツト1cを介して、上記オーブン13内に
導入され、さらに電極5,6に電圧が印加されて
電界が発生し、これによりこれにより蒸気10は
基底状態2s(1S)から励起状態2p(3P0)を経てリ
ユードベルグ状態12d(3D)に励起され、さらに
該リユードベルグ状態12d(3D)にあるベリリウ
ム蒸気10の電子が自由電子となり、これにより
オーブン13内にベリリウムイオンが生成され、
該ベリリウムイオンは引き出し電極14によつて
イオンビーム9として放出される。
When beryllium 12, which is a substance to be ionized, is placed in the oven 13 and the oven 13 is heated by the heater 13a, the beryllium 12 is melted.
Beryllium vapor 10 is generated by vaporization. Then, RF discharge is generated by the induction coil 11, and in synchronization with this, synchrotron radiation B3 of 1907 Å is generated.
is introduced into the oven 13 through the slit 1c, and a voltage is applied to the electrodes 5 and 6 to generate an electric field, which causes the vapor 10 to change from the ground state 2s ( 1 S) to the excited state 2p ( 3 P 0 ) and is excited to the Ryudberg state 12d ( 3 D), and the electrons of the beryllium vapor 10 in the Ryudberg state 12d ( 3 D) become free electrons, thereby generating beryllium ions in the oven 13.
The beryllium ions are emitted as an ion beam 9 by the extraction electrode 14.

ここで、前述のように、リユードベルグ状態
12d(3D)のイオン化に必要な電界強度はE>
1.487×104V/cmとなる。従つて、電極5と電極
6との間隔をd(cm)とすると、この電極間に印
加される電圧はVr>1.487×104dVである必要が
ある。
Here, as mentioned above, the Lyudberg state
The electric field strength required for ionization of 12d ( 3D ) is E>
It becomes 1.487×10 4 V/cm. Therefore, assuming that the distance between electrode 5 and electrode 6 is d (cm), the voltage applied between the electrodes needs to be Vr>1.487×10 4 dV.

第4図は本発明に用いるシンクロトロン放射光
発生装置の構成例である。図において、21は線
形加速蒸気、22は電子蓄積リング、24は分光
系であり、これらによりシンクロトロン放射光発
生装置20が構成されている。33は該発生装置
20からのシンクロトロン放射光が照射される容
器である。
FIG. 4 shows an example of the configuration of a synchrotron radiation generator used in the present invention. In the figure, 21 is linearly accelerated steam, 22 is an electron storage ring, and 24 is a spectroscopic system, which constitute a synchrotron radiation light generating device 20. 33 is a container to which synchrotron radiation light from the generator 20 is irradiated.

上記容器33に導入されるシンクロトロン放射
光は、まず線形加速器21により電子が加速され
て電子蓄積リング22に打ち込まれ、該リング2
2において相対論的速度になつた電子からシンク
ロトロン放射光が放出され、さらに該放射光が分
光系24に導入されてここで単一波長にされた光
である。
In the synchrotron radiation introduced into the container 33, electrons are first accelerated by the linear accelerator 21 and are driven into the electron storage ring 22.
2, synchrotron radiation is emitted from the electrons that have reached relativistic speed, and the synchrotron radiation is further introduced into the spectroscopic system 24, where it is made into a single wavelength.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

このように、本発明に係るイオンビーム発生装
置によれば、イオン化されるべき物質をガス放電
によりその比較的下位の励起状態に励起し、シン
クロトロン放射光の照射により該励起状態からリ
ユードベルグ状態に共鳴光励起し、さらに上記物
質を上記シンクロトロン放射光に同期したパルス
電界の印加により該リユードベルグ状態からイオ
ン状態にするようにしたので、イオンの選択性に
優れ、従来の共鳴光励起、イオン化方式に比べ、
入力光エネルギに対するイオ化効率を4桁以上向
上でき、しかもコンパクトな低エネルギイオンビ
ーム発生装置が得られる効果がある。
As described above, according to the ion beam generator of the present invention, a substance to be ionized is excited to a relatively lower excited state by gas discharge, and then changed from the excited state to the Ryudberg state by irradiation with synchrotron radiation light. By resonant optical excitation and applying a pulsed electric field synchronized with the synchrotron radiation, the substance is changed from the Ryudberg state to the ionic state, resulting in superior ion selectivity and superior ionization compared to conventional resonant optical excitation and ionization methods. ,
The ionization efficiency with respect to input optical energy can be improved by four orders of magnitude or more, and there is an effect that a compact low-energy ion beam generator can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はベリリウム中性原子のエネルギ状態
図、第2図は本発明の第1の実施例によるシヤワ
ー型イオンビーム発生装置の概略図、第3図は本
発明の第2の実施例による集束型イオンビーム発
生装置の概略構成図、第4図は本発明に用いるシ
ンクロトロン放射光発生部の概略構成図、第5図
は有効主量子数n*の励起状態にある原子を電界
によりイオン化するのに必要な電界強度を示す状
態図、第6図はベリリウム中性原子のd状態にあ
る有効主量子数n*の励起状態の放射寿命を示す
状態図、第7図はベリリウム中性原子の基底状態
2s(1S)における光電離速度の波長依存性を示す
状態図、第8図はベリリウム中性原子の準安定状
態2p(3P0)における光電離速度の波長依存性を示
す状態図、第9図はベリリウム中性原子の準安定
状態2p(3P0)におけるリユードベルグ状態nd
3D)(n=12〜15、20、30)を経由しての電界
電離速度の波長依存性を示す状態図である。 1,13,33……容器、3,20……シンク
ロトロン放射光発生部、11……ガス放電発生
部、15……電界発生部、B3……シンクロトロ
ン放射光。なお図中同一符号は同一又は相当部分
を示す。
FIG. 1 is an energy phase diagram of beryllium neutral atoms, FIG. 2 is a schematic diagram of a shower type ion beam generator according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a focusing diagram according to the second embodiment of the present invention. Figure 4 is a schematic diagram of a synchrotron radiation generator used in the present invention, and Figure 5 is a schematic diagram of a synchrotron radiation generator used in the present invention. Figure 6 is a phase diagram showing the radiative lifetime of the excited state with effective principal quantum number n* in the d state of beryllium neutral atoms, and Figure 7 is the phase diagram showing the electric field strength required for beryllium neutral atoms. ground state
Figure 8 is a phase diagram showing the wavelength dependence of the photoionization rate in the metastable state 2p ( 3 P 0 ) of beryllium neutral atoms. Figure 9 shows the Lyudberg state nd in the metastable state 2p ( 3 P 0 ) of beryllium neutral atoms.
( 3D ) (n=12 to 15, 20, 30) is a phase diagram showing the wavelength dependence of field ionization rate. 1, 13, 33... Container, 3, 20... Synchrotron radiation light generating section, 11... Gas discharge generating section, 15... Electric field generating section, B3... Synchrotron radiation light generating section. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 イオン化されるべき物質を収容する容器と、
該容器内の上記物質をシンクロトロン放射光を照
射するシンクロトロン放射光発生部と、上記容器
内の上記物質に電界を印加する電界発生部と、上
記容器内の上記物質雰囲気中でガス放電を発生す
るガス放電発生部とを備え、上記物質のイオンビ
ームを発生する装置において、上記ガス放電発生
部はガス放電により上記物質をエネルギ準位の基
底状態から比較的下位の励起状態に励起するもの
であり、上記シンクロトロン放射光発生部は上記
物質を上記比較的下位の励起状態からリユードベ
ルグ状態に共鳴光励起するような波長を有するシ
ンクロトロン放射光を発生するものであり、上記
電界発生部は上記物質をリユードベルグ状態から
イオン状態とする上記シンクロトロン放射光に同
期したパルス電界を発生するものであることを特
徴とするイオンビーム発生装置。 2 シンクロトロン放射光発生部は、物質を比較
的下位の励起状態から中間状態を経てリユードベ
ルグ状態に階段状に共鳴励起するような同期した
波長の異なる複数のシンクロトロン放射光を発生
するものであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のイオンビーム発生装置。 3 シンクロトロン放射光発生部は、加速器及び
分光器又は分光系を有し、加速器からの出力を分
光器又は分光系を通過させた線幅の狭い線スペク
トルにした光を発生するものであること特徴とす
る特許請求の範囲第1項又は第2項記載のイオン
ビーム発生装置。 4 加速器として、電子蓄積リング又は電子サイ
クロトロンのいずれか一方又は両方を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第3項記載のイオン
ビーム発生装置。 5 比較的下位の励起状態が準安定状態であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4
項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。 6 電界発生部の電界がイオンをビームとして引
き出す引き出し電界を兼ねていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項ないし第5項のいずれか
に記載のイオンビーム発生装置。 7 ガス放電発生部は、高周波(RF)放電を発
生せしめるものであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載のイ
オンビーム発生装置。 8 物質は、化合物又は分子状態のガスとして容
器内に導入され、ガス放電は、上記容器内に導入
された物質を中性原子状態にするためのガス放電
を兼ねていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項ないし第7項のいずれかに記載のイオンビー
ム発生装置。 9 ガス放電は、シンクロトロン放射光及び電界
との位相が時間的に同期したものであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項ないし第8項のい
ずれかに記載のイオンビーム発生装置。 10 物質は、固体又は液体の物質を加熱気化し
て生成された蒸気として上記容器内に導入される
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
9項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。
[Claims] 1. A container containing a substance to be ionized;
a synchrotron radiation light generation unit that irradiates the substance in the container with synchrotron radiation light; an electric field generation unit that applies an electric field to the substance in the container; and a gas discharge in the atmosphere of the substance in the container. an apparatus for generating an ion beam of the substance, wherein the gas discharge generation unit excites the substance from a ground state of energy level to a relatively lower excited state by gas discharge; The synchrotron radiation generating section generates synchrotron radiation having a wavelength that resonantly excites the substance from the relatively lower excited state to the Lyudberg state, and the electric field generating section An ion beam generator, characterized in that it generates a pulsed electric field synchronized with the synchrotron radiation light that changes a substance from a Ryudberg state to an ion state. 2. The synchrotron radiation generator generates multiple synchrotron radiation beams with different synchronized wavelengths that resonantly excite matter stepwise from a relatively lower excited state to an intermediate state to a Lyudberg state. An ion beam generator according to claim 1, characterized in that: 3. The synchrotron radiation light generating section shall have an accelerator and a spectrometer or spectroscopic system, and generate light with a narrow line spectrum obtained by passing the output from the accelerator through the spectrometer or spectroscopic system. An ion beam generator according to claim 1 or 2, characterized in that: 4. The ion beam generation device according to claim 3, characterized in that one or both of an electron storage ring and an electron cyclotron is used as the accelerator. 5 Claims 1 to 4 characterized in that the relatively lower excited state is a metastable state.
2. The ion beam generator according to any one of paragraphs. 6. The ion beam generator according to any one of claims 1 to 5, wherein the electric field of the electric field generator also serves as an extraction electric field for extracting ions as a beam. 7. The ion beam generating device according to any one of claims 1 to 6, wherein the gas discharge generating section generates radio frequency (RF) discharge. 8. A patent characterized in that the substance is introduced into a container as a gas in a compound or molecular state, and the gas discharge also serves as a gas discharge to bring the substance introduced into the container into a neutral atomic state. An ion beam generator according to any one of claims 1 to 7. 9. The ion beam generator according to any one of claims 1 to 8, wherein the gas discharge is temporally synchronized in phase with the synchrotron radiation light and the electric field. 10. The ion beam according to any one of claims 1 to 9, wherein the substance is introduced into the container as a vapor generated by heating and vaporizing a solid or liquid substance. Generator.
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