JPH0518185B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0518185B2 JPH0518185B2 JP60207987A JP20798785A JPH0518185B2 JP H0518185 B2 JPH0518185 B2 JP H0518185B2 JP 60207987 A JP60207987 A JP 60207987A JP 20798785 A JP20798785 A JP 20798785A JP H0518185 B2 JPH0518185 B2 JP H0518185B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current source
- output
- semiconductor laser
- current
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 23
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 4
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<技術分野>
本発明は半導体レーザから出た光を光記録媒体
に照射することで情報の記録・再生・消去等を実
行する光学的記録再生装置において利用される半
導体レーザの光量制御装置に関する。[Detailed Description of the Invention] <Technical Field> The present invention relates to a semiconductor used in an optical recording/reproducing device that records, reproduces, erases, etc. information by irradiating an optical recording medium with light emitted from a semiconductor laser. The present invention relates to a laser light amount control device.
<従来技術>
従来の光学的記録再生装置において利用される
半導体レーザの光量制御装置を、光学的記録再生
装置として光磁気デイスクシステムを例に挙げて
説明する。<Prior Art> A light amount control device for a semiconductor laser used in a conventional optical recording/reproducing device will be described using a magneto-optical disk system as an example of the optical recording/reproducing device.
光磁気デイスクの既に公知な構造は、ガラス基
板等の基体上に希土類−鉄合金の非晶質薄膜をス
パツタリングにて成膜して膜面に垂直な方向に磁
化容易軸を有する磁性膜を被覆して構成されるも
のであり、この光磁気デイスクに対面させて半導
体レーザビームを照射する光学ヘツドを配置する
ことで情報の記録・再生・消去を行なう光磁気デ
イスクシステムが構成される。 The already known structure of a magneto-optical disk is to deposit an amorphous thin film of a rare earth-iron alloy by sputtering on a substrate such as a glass substrate, and cover it with a magnetic film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. A magneto-optical disk system for recording, reproducing, and erasing information is constructed by arranging an optical head that irradiates a semiconductor laser beam facing the magneto-optical disk.
この光磁気デイスクシステムにおいて情報の記
録はレーザビームを約1μmφ程度に集光したも
のを上記磁性膜面に照射して該磁性膜の温度を局
所的に上昇させてその温度上昇部分の保持力を減
少させ同時に外部より補助磁場を印加することで
磁化の向きを反転させて行なう(消去も同様の方
法で可能である。)。又、記録された情報の再生は
記録された磁性膜面に記録時より弱い光量の半導
体レーザによる直線偏光を照射してその反射した
光の磁場の影響による偏光面の傾きを利用して光
の強弱に変え、それを光検出器で検出して行な
う。 In this magneto-optical disk system, information is recorded by irradiating the surface of the magnetic film with a laser beam focused to a diameter of approximately 1 μm to locally increase the temperature of the magnetic film, thereby increasing the coercive force of the temperature-increased portion. At the same time, by applying an auxiliary magnetic field from the outside, the direction of magnetization is reversed (erasing can also be done by the same method). In addition, to reproduce recorded information, the surface of the recorded magnetic film is irradiated with linearly polarized light from a semiconductor laser with a weaker light intensity than during recording, and the reflected light is reproduced by utilizing the tilt of the polarization plane due to the influence of the magnetic field. This is done by changing the strength of the light and detecting it with a photodetector.
以上の構造から、半導体レーザには記録時に高
出力のレーザ光を、再生時に低出力のレーザ光を
射出する構成が必要となり、これらの2つのレベ
ルの出力を速やかなる手段により切換えること
が、その駆動装置に要求される。 From the above structure, the semiconductor laser needs to be configured to emit high-power laser light during recording and low-power laser light during playback, and it is important to quickly switch between these two levels of output by some means. required for the drive unit.
また半導体レーザの光出力は温度特性を有し、
周囲温度によりそのしきい値電流値及びしきい値
以上の線型部分における傾きが変動するため、温
度により駆動電流値に対するレーザ発振の出力強
度が変化する。その為記録時のレーザの高出力発
振時に出力光強度が変動し、記録媒体に対して情
報の書き込み不足や過多を生じさせ、システム全
体の情報処理の誤り率が劣化した。この事は再生
時のレーザの低出力発振時(情報の再生時)にお
いても同様で、出力光強度が変動すればそれは再
生信号のS/N比の劣化として現われてくる。 Furthermore, the optical output of a semiconductor laser has temperature characteristics.
Since the threshold current value and the slope in the linear portion above the threshold value vary depending on the ambient temperature, the output intensity of laser oscillation with respect to the drive current value changes depending on the temperature. As a result, the output light intensity fluctuates during high-output oscillation of the laser during recording, causing insufficient or excessive writing of information to the recording medium, and the error rate of information processing of the entire system deteriorates. This is also true when the laser oscillates at low output during reproduction (when reproducing information), and if the output light intensity fluctuates, this will appear as a deterioration in the S/N ratio of the reproduced signal.
以上の理由で高・低の両出力レベルにおいてレ
ーザ光を安定発振させることが必要不可欠である
ことが明白である。 For the above reasons, it is clear that it is essential to stably oscillate laser light at both high and low output levels.
以上の点に鑑みて、半導体レーザの光量制御装
置として、第4図に示す如き構成のものが既に提
案された。同図の装置は半導体レーザに駆動電流
を供給する2つの電流源が設けられ、記録媒体か
ら情報を再生する場合は低出力分電流源1による
駆動電流I1のみにより半導体レーザ4を駆動する
ものである。また記録媒体に情報を記録する際に
は、もう1つの電流源である高出力分電流源2か
らの駆動電流I2を駆動電流I1に付加することによ
り高出力のレーザ光を得るものである。 In view of the above points, a structure as shown in FIG. 4 has already been proposed as a light amount control device for a semiconductor laser. The device shown in the figure is provided with two current sources that supply driving current to the semiconductor laser, and when reproducing information from a recording medium, the semiconductor laser 4 is driven only by the driving current I1 from the low-output current source 1. It is. Furthermore, when recording information on a recording medium, a high-output laser beam is obtained by adding the drive current I2 from another current source, high-output current source 2, to the drive current I1 . be.
ここで低出力分電流源1に対しては半導体レー
ザ4の出力光の強度を光検知器5により検出し、
プリアンプ6を通してサンプルホールド回路7に
導入する。サンプルホールド回路7はホールドタ
イミング信号S4がハイレベルの時はデータを保持
し、ローレベルではデータをそのまま通過させ
る。このデータを基準電圧源9と比較器8におい
て比較し、ローパスフイルタ10を通過後の低域
周波数成分をパワーアンプ11に入力し、低出力
分電流源1の出力電流I1を制御する。ホールドタ
イミング信号S4が常時ローレベルであれば、この
制御により低出力光強度は半導体レーザの温度特
性に関係なく常に一定に保持されることになる。
尚、この様な一定強度の出力光を得るための自動
光出力制御をAPCと呼ぶ。 Here, for the low output current source 1, the intensity of the output light of the semiconductor laser 4 is detected by the photodetector 5,
The signal is introduced into a sample hold circuit 7 through a preamplifier 6. The sample and hold circuit 7 holds data when the hold timing signal S4 is at a high level, and passes the data as is when it is at a low level. This data is compared with a reference voltage source 9 in a comparator 8, and the low frequency component after passing through a low-pass filter 10 is input to a power amplifier 11 to control the output current I1 of the low output current source 1. If the hold timing signal S4 is always at a low level, this control will always keep the low output light intensity constant regardless of the temperature characteristics of the semiconductor laser.
Note that automatic light output control for obtaining such output light with a constant intensity is called APC.
次に高出力発振時(情報記録時)にはまずホー
ルドタイミング信号S4をハイレベルにして、デー
タを保持する。即ちAPCを凍結させる。アンド
ゲート20においてホールドタイミング信号S4を
利用して、記録時のみ記録データ信号SDをスイツ
チング回路19に送る。記録データ信号SDに従つ
て、高出力分電流(記録電流)I2が低出力分電流
I1に付加され、媒体への記録が行なわれる。APC
を凍結させるのは高出力発振に応答して出力強度
を下げてしまうのを避けるためである。凍結時間
を半導体レーザの温度特性の変化の時間と比べて
十分小さくすることによつてAPCは実用上差し
仕えなく作動する。 Next, during high output oscillation (when recording information), the hold timing signal S4 is first set to high level to hold data. That is, APC is frozen. The AND gate 20 uses the hold timing signal S4 to send the recording data signal SD to the switching circuit 19 only during recording. According to the recording data signal S D , the high output current (recording current) I 2 changes to the low output current
It is added to I1 and recorded on the medium. APC
The purpose of freezing is to avoid lowering the output intensity in response to high-output oscillation. By making the freezing time sufficiently short compared to the time for changes in the temperature characteristics of the semiconductor laser, APC can operate without any problems in practice.
さて以上の光量制御装置における情報記録時の
発振動作制御の特徴は、半導体レーザの温度特性
において発振しきい値のみが変動し、半導体レー
ザの駆動電流−光出力カーブにおけるしきい値以
上の線型部分の傾きは変化しない、という前提条
件の下で制御している点である。 Now, the characteristics of the oscillation operation control during information recording in the light amount control device described above are that only the oscillation threshold changes due to the temperature characteristics of the semiconductor laser, and the linear portion above the threshold in the drive current vs. optical output curve of the semiconductor laser The point is that control is performed under the assumption that the slope of does not change.
このことを第5図を用いて以下に説明する。同
図で周囲温度の違いにより、状態AとBの2つの
光出力カーブが存在するものと考える。まず状態
Aでは低出力光強度P1に対して低出力分電流源
より駆動電流I1Aが出力される。周囲温度が変化
してしきい値のみが変化し状態Aから状態Bへ移
つたとする。するとAPCにより低出力光強度P1
を一定に保とうとする制御が働き、低出力分電流
源からの駆動電流はI1AからI1Bに変化する。そ
こで記録時に高出力分電流源より定電流源I2を付
加すれば、しきい値以上の線型部分の傾きが一定
であるから状態Aにおいても状態Bにおいても一
定の高出力光強度P1+P2が得られる。即ち低出
力光強度のAPCを行えば、高出力光強度に対す
るAPCも同時に疑似的に実現されるはずである。 This will be explained below using FIG. In the figure, it is assumed that two optical output curves, states A and B, exist due to differences in ambient temperature. First, in state A, a drive current I 1 A is output from a low output current source for a low output light intensity P 1 . Assume that only the threshold value changes due to a change in the ambient temperature, and the state moves from state A to state B. Then, the low output light intensity P 1 due to APC
Control works to keep constant, and the drive current from the low output current source changes from I 1 A to I 1 B. Therefore, if a constant current source I 2 is added to the high output current source during recording, the slope of the linear portion above the threshold value is constant, so the high output light intensity P 1 +P is constant in both state A and state B. 2 is obtained. That is, if APC for low output light intensity is performed, APC for high output light intensity should be simultaneously realized in a pseudo manner.
しかし上記の従来の光量制御装置では高出力強
度を一定に保つことができない。なぜならば半導
体レーザの駆動電流−光出力におけるしきい値以
上の線型部分における傾きはレーザの経時変化及
び周囲温度によつて変化してしまうからである。
即ち高出力分の第2の電流源2による一定電流I2
のみの付加では、上記の理由により高出力光強度
P2は変化してしまい、結果的に良好な記録(消
去)特性を得ることはできない。 However, the conventional light amount control device described above cannot maintain a constant high output intensity. This is because the slope of the linear portion of the drive current vs. optical output of the semiconductor laser above the threshold value changes depending on the aging of the laser and the ambient temperature.
In other words, constant current I 2 from the second current source 2 for high output
Only the addition of high output light intensity due to the above reasons
P2 changes, and as a result, good recording (erasing) characteristics cannot be obtained.
従つて所定の高出力光強度を得るために高出力
分電流源2の出力電流値I2を、低出力分電流源と
は別個に制御する必要がある。またこの制御の方
法も低出力光強度のAPCと同様、半導体レーザ
の温度特性変化よりも十分小さい時間間隔で常時
制御すれば、高出力発振から次の高出力発振まで
の時間間隔が温度特性変化を招くぐらい長くと
も、瞬時に安定した高出力発振が得られることに
なり好ましい。 Therefore, in order to obtain a predetermined high output light intensity, it is necessary to control the output current value I 2 of the high output current source 2 separately from that of the low output current source. In addition, this control method is similar to APC with low output light intensity, and if it is constantly controlled at a time interval sufficiently smaller than the change in temperature characteristics of the semiconductor laser, the time interval from one high output oscillation to the next high output oscillation will change due to the change in temperature characteristics. Even if the length is so long as to cause , stable high-output oscillation can be obtained instantaneously, which is preferable.
<発明の目的>
本発明の目的は上述の従来技術における問題点
に鑑み、安定した低出力光及び高出力光の夫々を
必要に応じて瞬時に得ることが可能な半導体レー
ザの光量制御装置を提供することにある。<Object of the Invention> In view of the problems in the prior art described above, the object of the present invention is to provide a light amount control device for a semiconductor laser that can instantaneously obtain both stable low-output light and high-output light as needed. It is about providing.
<実施例>
以下、本発明に係る半導体レーザの光量制御装
置を光磁気デイスク装置に適用した場合を例に挙
げて詳細に説明する。<Example> Hereinafter, a case in which the light amount control device for a semiconductor laser according to the present invention is applied to a magneto-optical disk device will be described in detail as an example.
第1図は本発明の一実施例による光量制御装置
を示すブロツク図である。第2図は第1図の装置
の動作のための駆動電流−光出力カーブ及び波形
図である。第3図は第1図の装置に必要なタイミ
ング波形を示している。 FIG. 1 is a block diagram showing a light amount control device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a drive current-optical output curve and waveform diagram for the operation of the device of FIG. 1. FIG. 3 shows the timing waveforms required for the apparatus of FIG.
第1図において半導体レーザ4は記録(消去)、
再生の動作に関して低出力分電流源1と高出力分
電流源2により駆動されるが、高出力光強度の制
御のために、試射を行なう試射分電流源3が新た
に設けられる。つまり記録媒体から情報を再生す
る場合は低出力分電流源1の出力電流I1のみを流
し、情報を記録する場合は高出力分電流源2の出
力電流I2を、試射を行なう場合は試射分電流源3
の出力電流I3を、それぞれ低出力分電流I1に付加
して半導体レーザを駆動する。尚、第4図に示し
た従来の光量制御装置と比較すると、高出力分電
流源2の出力電流I2を制御するループが新たに加
えられている。 In FIG. 1, the semiconductor laser 4 records (erases);
The reproduction operation is driven by a low output current source 1 and a high output current source 2, but in order to control the high output light intensity, a test shot current source 3 for test firing is newly provided. In other words, when reproducing information from a recording medium, only the output current I1 of the low-output current source 1 is applied, when recording information, the output current I2 of the high-output current source 2 is applied, and when performing a test firing, the output current I2 of the high output current source 2 is applied. Branch current source 3
The output current I 3 is added to the low output current I 1 to drive the semiconductor laser. Note that, compared to the conventional light amount control device shown in FIG. 4, a new loop for controlling the output current I 2 of the high output current source 2 is added.
第1図の光量制御装置において低出力発振時の
低出力分電流源1に対するAPCは以下のように
して実現される。まず半導体レーザ4の出力光の
強度は光検知器5により検出され、この検出出力
はプリアンプ6を通してサンプルホールド回路7
に導入される。ここでサンプルホールド回路7及
び13はホールドタイミング信号S1,S4及びS3が
ハイレベルの時データを保持し、ローレベルの時
はデータをそのまま通過させる。次にサンプルホ
ールド回路7の出力は基準電圧源9の基準電圧
V1と比較器8において比較され、ローパスフイ
ルタ10を通過して直接パワーアンプ11に導入
され、この出力によつて低出力分電流源1の出力
電流I1は制御される。この制御により低出力光強
度は半導体レーザの温度特性に関係なく一定に保
持される。 In the light amount control device shown in FIG. 1, APC for the low output current source 1 during low output oscillation is realized as follows. First, the intensity of the output light of the semiconductor laser 4 is detected by a photodetector 5, and this detection output is passed through a preamplifier 6 to a sample hold circuit 7.
will be introduced in Here, the sample and hold circuits 7 and 13 hold data when the hold timing signals S 1 , S 4 and S 3 are at high level, and pass the data as is when they are at low level. Next, the output of the sample and hold circuit 7 is the reference voltage of the reference voltage source 9.
It is compared with V 1 in a comparator 8, passes through a low-pass filter 10 and is directly introduced into a power amplifier 11, and the output current I 1 of the low output current source 1 is controlled by this output. This control keeps the low output light intensity constant regardless of the temperature characteristics of the semiconductor laser.
一方高出力発振時の高出力電流源2に対する
APCは以下の様にして実現される。まずホール
ドタイミング信号S1をハイレベルにして低出力発
振時のAPC(サンプルホールド回路7)を凍結さ
せる。次に試射分電流源3の出力電流I3がスイツ
チング回路12に加わる試射信号S2のタイミング
で低出力分電流I1に付加され、この付加後の電流
によつて駆動され、半導体レーザ4の試射が行な
われる。そしてこの試射出力の光強度を光検知器
5で検知しプリアンプ6を通してサンプルホール
ド回路13に入力する。ここでホールドタイミン
グ信号S3によつてデータが保持され、この出力
V3と試射分電流I3から割算器14によつて、半導
体レーザのしきい値からの駆動電流−光出力カー
ブの傾きと等価なV3/I3が出力される。次に割算
器15においてこの値と基準電圧源16の出力
V2を用いて駆動電流と等価なV2/(V3/I3)が
算出されローパスフイルタ17を通してパワーア
ンプ18に入力され、このパワーアンプ18の出
力を用いて高出力分電流源2の出力電流値I2を制
御する。 On the other hand, for high output current source 2 during high output oscillation,
APC is realized as follows. First, the hold timing signal S1 is set to a high level to freeze the APC (sample and hold circuit 7) during low output oscillation. Next, the output current I3 of the test shot current source 3 is added to the low output current I1 at the timing of the test shot signal S2 applied to the switching circuit 12 , and is driven by this added current to drive the semiconductor laser 4. A test shot will be conducted. The light intensity of this test output is detected by a photodetector 5 and inputted to a sample and hold circuit 13 through a preamplifier 6. Here, the data is held by the hold timing signal S3 , and this output
A divider 14 outputs V 3 /I 3 which is equivalent to the slope of the drive current-optical output curve from the threshold value of the semiconductor laser from V 3 and the test emission current I 3 . Next, in the divider 15, this value is combined with the output of the reference voltage source 16.
Using V 2 , V 2 /(V 3 /I 3 ), which is equivalent to the drive current, is calculated and input to the power amplifier 18 through the low-pass filter 17. Controls the output current value I2 .
以上の様に高出力発振のためのAPCが実現さ
れた後、アンドゲーム20において、ホールドタ
イミング信号S4を記録可能信号として併用し、記
録データ信号SDとを用いてスイツチング回路19
を動作させ高出力分電流I2を低出力分電流I1に付
加する。 After the APC for high-output oscillation is realized as described above, in the AND game 20, the hold timing signal S4 is also used as a recordable signal, and the switching circuit 19 is activated using the recording data signal SD .
The high output current I2 is added to the low output current I1 .
ここで以上の光量制御装置の駆動電流の制御に
ついて第2図を用いて説明する。 Control of the drive current of the light amount control device described above will now be explained using FIG. 2.
第2図において曲線A,Bで示すように半導体
レーザのしきい値及びしきい値からの駆動電流−
光出力カーブの傾きは半導体レーザの温度特性及
び経時変化によつて変化する。低出力発振時には
APCの作用で出力光強度P1を常に保持しようと
するので、状態Aでの駆動電流はI1Aであり、状
態BではI1Bとなる。また高出力発振時には低出
力光強度P1へ付加される高出力光強度P2を一定
に保持すればよい。即ち高出力光強度P2を実現
するために高出力分電流源2の出力電流値は状態
AではI2Aであるが、状態BではI2Bとなる。 As shown by curves A and B in Figure 2, the threshold value of the semiconductor laser and the driving current from the threshold value -
The slope of the optical output curve changes depending on the temperature characteristics of the semiconductor laser and changes over time. During low output oscillation
Since the output light intensity P 1 is always maintained by the action of APC, the drive current in state A is I 1 A, and in state B it is I 1 B. Furthermore, during high-output oscillation, the high-output light intensity P 2 added to the low-output light intensity P 1 may be kept constant. That is, in order to realize high output light intensity P 2 , the output current value of the high output current source 2 is I 2 A in state A, but becomes I 2 B in state B.
このように低出力発振時及び高出力発振時の光
強度を一定に保つためには、低出力電流源の出力
電流I1A,I1B及び高出力電流源の出力電流I2A,
I2Bをそれぞれ制御する必要がある。 In this way, in order to keep the light intensity constant during low-output oscillation and high-output oscillation, the output currents I 1 A, I 1 B of the low-output current sources and the output currents I 2 A, I 2 A,
It is necessary to control each of I 2 B.
次に高出力電流源2の出力電流の制御について
状態Aのみについて以下に説明する。状態Bでも
同様である。まず試射分電流源3の出力電流I3A
を低出力分電流I1Aに付加することによつて試射
分の出力光強度P3Aが光検知器5で検知される。
これによりしきい値からの駆動電流−光出力カー
ブの傾きP3A/I3Aが判明する。高出力光強度P2
を得るためには次の条件を満足する高出力分電流
I2Aを低出力分電流I1Aに付加すればよい。 Next, regarding the control of the output current of the high-output current source 2, only state A will be described below. The same applies to state B. First, the output current I 3 A of the test firing current source 3
By adding P 3 A to the low output current I 1 A, the output light intensity P 3 A of the trial shot is detected by the photodetector 5.
This determines the slope P 3 A/I 3 A of the drive current vs. optical output curve from the threshold value. High output light intensity P2
In order to obtain a high output current that satisfies the following conditions:
Just add I 2 A to the low output current I 1 A.
P2=P3A/I3AI2A ……(1)
高出力分光強度P2と試射出力分光強度P3Aに対
する光検知器5の出力をそれぞれV2,V3Aとす
ると、(1)式は次のように書き換えられる。 P 2 = P 3 A / I 3 AI 2 A ... (1) If the outputs of the photodetector 5 for the high output spectral intensity P 2 and the test output spectral intensity P 3 A are respectively V 2 and V 3 A, ( 1) Equation can be rewritten as follows.
V2=V3A/I3AI2A ……(2)
従つて高出力分電流源2の出力電流値I2Aは(2)
式より
I2A=V2/V3A/I3A ……(3)
同様に状態Bでは、
I2B=V2/V3A/I3A ……(4)
(3)式、(4)式で示されたように基準電圧V2と駆
動電流−光出力カーブの傾きV3A/I3A,
(V3B/I3B)のみによつて高出力発振時の駆動電
流I2A(I2B)を制御することができる。 V 2 = V 3 A/I 3 AI 2 A ……(2) Therefore, the output current value I 2 A of high output current source 2 is (2)
From the formula, I 2 A=V 2 /V 3 A/I 3 A ……(3) Similarly, in state B, I 2 B=V 2 /V 3 A/I 3 A ……(4) Formula (3) , as shown in equation (4), the reference voltage V 2 and the slope of the drive current vs. optical output curve V 3 A/I 3 A,
The drive current I 2 A (I 2 B) during high output oscillation can be controlled only by (V 3 B/I 3 B).
このように構成された本発明による半導体レー
ザの光量制御装置の動作タイミングについて以下
に説明する。第3図aにおいて光磁気デイスク円
板22上の1トラツク当りに複数のヘツダー部2
3が存在する。ヘツダー部23へは情報の記録は
行なわれない。試射はデータ部24とデータ部2
4にはさまれたこのヘツダー部23ごとに行なわ
れる。まず試射によつて低出力分電流源のAPC
が応答しないように、ヘツダー部23では第3図
bに示すようにホールド信号S1の発生により低出
力分電流源1のAPCを凍結させる。この凍結の
間に試射信号S2により試射を行ない、この時の出
力光強度のデータをホールドタイミング信号S3で
保持する。以上のタイミングによつて常時高出力
分電流源2の出力電流を制御することができる。
情報記録時は高出力発振が低出力分電流源の
APCに応答しないように、記録可能信号S4がホ
ールドタイミング信号S1と共にサンプルホールド
回路7に加えられる。そして記録データ信号SDに
よつて情報が書き込まれる。 The operation timing of the semiconductor laser light amount control device according to the present invention configured as described above will be explained below. In FIG. 3a, there are a plurality of header sections 2 per track on the magneto-optical disk disk 22.
3 exists. No information is recorded in the header section 23. Test firing is data part 24 and data part 2
This is carried out for each header section 23 sandwiched between the sections 4 and 4. First, we tested the APC of the low output current source by test firing.
In order to prevent the APC from responding, the header section 23 freezes the APC of the low output current source 1 by generating a hold signal S1 as shown in FIG. 3B. During this freezing period, a test shot is performed using a test shot signal S2 , and data on the output light intensity at this time is held using a hold timing signal S3 . The output current of the high output current source 2 can be controlled at all times using the above timing.
When recording information, high output oscillation is caused by low output current source.
A record enable signal S 4 is applied to the sample and hold circuit 7 together with a hold timing signal S 1 so as not to respond to APC. Information is then written using the recording data signal SD .
以上の構成の半導体レーザの光量制御装置で
は、試射による高出力分電流源のAPCがヘツダ
ー部23ごとに行なわれるので、高出力発振(情
報記録)時には瞬時にして安定した光出力光強度
の制御が行なわれる。 In the semiconductor laser light quantity control device with the above configuration, APC of the high-output current source by test firing is performed for each header section 23, so the control of the optical output light intensity is instantaneous and stable during high-output oscillation (information recording). will be carried out.
以上の構成において試射分電流源3を半導体レ
ーザ4に対する第3の電流源として設けたが、こ
の試射分電流源3を別個に設けず、高出力分電流
源2を一時的に試射分電流源として用いることで
部品点数の減少化を計ることも可能である。 In the above configuration, the test shot current source 3 is provided as the third current source for the semiconductor laser 4, but the test shot current source 3 is not provided separately, and the high output current source 2 is temporarily used as the test shot current source 3. It is also possible to reduce the number of parts by using it as a
<発明の効果>
以上の本発明においては、試射によつて絶えず
高出力発振時のAPCが実現でき、加えて高出力
発振時には低出力発振のAPCを凍結することに
よつて高出力のレーザ光強度を安定化することが
できる。従つて光磁気デイスク等を記録媒体とし
て使用した情報記録再生装置に良好な特性の半導
体レーザ光量制御装置を得ることができる。<Effects of the Invention> In the present invention as described above, it is possible to constantly achieve high-output oscillation APC by test firing, and in addition, by freezing the low-output oscillation APC during high-output oscillation, high-output laser light is generated. Strength can be stabilized. Therefore, it is possible to obtain a semiconductor laser light amount control device with good characteristics for an information recording/reproducing apparatus using a magneto-optical disk or the like as a recording medium.
第1図は本発明の一実施例による光量制御装置
を示すブロツク図、第2図は第1図の装置の動作
を説明するための駆動電流−光出力カーブ及び波
形図、第3図aはデイスク構成図、第3図bは第
1図の装置の動作に必要なタイミング波形図、第
4図は従来の半導体レーザの光量制御装置のブロ
ツク図、第5図は第4図の装置の動作を説明する
ための駆動電流−光出力カーブ及び波形図であ
る。
図中、1……低出力分電流源、2……高出力分
電流源、3……試射分電流源、4……半導体レー
ザ、5……光検知器、6……プリアンプ、7……
サンプルホールド回路、8……比較器、9……基
準電圧源、10……ローパスフイルタ、11……
パワーアンプ、12……スイツチング回路、13
……サンプルホールド回路、14,15……割算
器、16……基準電圧源、17……ローパスフイ
ルタ、18……パワーアンプ、19……スイツチ
ング回路、20……アンドゲート、21……オア
ゲート、22……デイスク、23……ヘツダー
部、24……データ部、31……第1の制御回
路、32……第2の制御回路。
FIG. 1 is a block diagram showing a light amount control device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a drive current-light output curve and waveform diagram for explaining the operation of the device in FIG. 1, and FIG. 3b is a diagram of the timing waveform necessary for the operation of the device shown in FIG. 1, FIG. 4 is a block diagram of a conventional semiconductor laser light amount control device, and FIG. 5 is the operation of the device shown in FIG. 4. FIG. 2 is a drive current-light output curve and waveform diagram for explaining. In the figure, 1...low output current source, 2...high output current source, 3...test shot current source, 4...semiconductor laser, 5...photodetector, 6...preamplifier, 7...
Sample and hold circuit, 8... Comparator, 9... Reference voltage source, 10... Low pass filter, 11...
Power amplifier, 12...Switching circuit, 13
... Sample hold circuit, 14, 15 ... Divider, 16 ... Reference voltage source, 17 ... Low pass filter, 18 ... Power amplifier, 19 ... Switching circuit, 20 ... AND gate, 21 ... OR gate , 22... disk, 23... header section, 24... data section, 31... first control circuit, 32... second control circuit.
Claims (1)
ーザ4の光量制御装置であつて、 記録媒体から情報を再生するのに必要なレベル
まで半導体レーザ4を発振するための第1の電流
源1と、 第1の電流源1に対する電流付加によつて記録
媒体に情報を記録又は消去するのに必要なレベル
まで半導体レーザ4を発振するための第2の電流
源2と、 第1の電流源1に対する電流付加によつて第2
の電流源2を制御するための試射に必要なレベル
まで半導体レーザ4を発振せしめる第3の電流源
3と、 半導体レーザ4の出力光強度を検出する検出器
5と、 再生時の検出器5の検出結果に応じて第1の電
流源1の出力電流値を制御する第1の制御回路3
1と、 記録媒体への情報の記録又は消去時及び試射時
に、第1の電流源1によつて駆動される半導体レ
ーザ4の出力光強度を検出した検出器5の検出結
果を保持する第1の保持回路21と、 第3の電流源3によつて駆動される試射時の半
導体レーザ4の出力光強度を検出した検出器5の
検出結果を保持する第2の保持回路13と、 第2の保持回路13の保持データから付加電流
に対する半導体レーザ4の出力光強度の比を算出
する割算回路14と、 割算回路14によつて算出された比の値に応じ
て情報の記録又は消去時における第2の電流源2
の出力電流を制御する第2の制御回路32とを具
備したことを特徴とする光量制御装置。 2 特許請求の範囲第1項において、 第3の電流源を第2の電流源にて兼用したこと
を特徴とする光量制御装置。[Scope of Claims] 1. A light amount control device for a semiconductor laser 4 incorporated in an optical recording/reproducing device, which comprises a first light amount control device for oscillating the semiconductor laser 4 to a level necessary for reproducing information from a recording medium. a current source 1; a second current source 2 for oscillating the semiconductor laser 4 to a level necessary for recording or erasing information on a recording medium by applying current to the first current source 1; By adding current to current source 1 of
a third current source 3 that causes the semiconductor laser 4 to oscillate to a level necessary for test firing to control the current source 2 of the semiconductor laser 4; a detector 5 that detects the output light intensity of the semiconductor laser 4; and a detector 5 during reproduction. A first control circuit 3 that controls the output current value of the first current source 1 according to the detection result of
1, and a first detector 5 that retains the detection result of the detector 5 which detects the output light intensity of the semiconductor laser 4 driven by the first current source 1 when recording or erasing information on the recording medium and during sight shooting. a second holding circuit 13 that holds the detection result of the detector 5 that detects the output light intensity of the semiconductor laser 4 during test firing driven by the third current source 3; a division circuit 14 that calculates the ratio of the output light intensity of the semiconductor laser 4 to the additional current from the data held in the holding circuit 13; and a division circuit 14 that records or erases information according to the value of the ratio calculated by the division circuit 14. Second current source 2 at time
A light amount control device comprising: a second control circuit 32 for controlling an output current of the light amount controller. 2. A light amount control device according to claim 1, characterized in that the second current source also serves as the third current source.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60207987A JPS6266424A (en) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | Light quantity control device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60207987A JPS6266424A (en) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | Light quantity control device |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6057155A Division JP2524479B2 (en) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | Optical recording medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6266424A JPS6266424A (en) | 1987-03-25 |
JPH0518185B2 true JPH0518185B2 (en) | 1993-03-11 |
Family
ID=16548804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60207987A Granted JPS6266424A (en) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | Light quantity control device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6266424A (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2838890B2 (en) * | 1987-11-27 | 1998-12-16 | オリンパス光学工業株式会社 | Optical information recording / reproducing device |
JPH0218722A (en) * | 1988-07-05 | 1990-01-23 | Sony Corp | Laser emission intensity control circuit |
US5034334A (en) * | 1989-10-13 | 1991-07-23 | At&T Bell Laboratories | Method of producing a semiconductor laser adapted for use in an analog optical communications system |
JP2525943B2 (en) * | 1990-08-02 | 1996-08-21 | 富士通株式会社 | Laser diode control system for optical recording / reproducing apparatus |
JP2835250B2 (en) * | 1992-08-10 | 1998-12-14 | シャープ株式会社 | Light amount control device in optical disk recording / reproducing device |
TW525157B (en) * | 2000-10-13 | 2003-03-21 | Sony Corp | Current generation circuit and method |
JP5207559B2 (en) | 2010-12-15 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | Optical information recording / reproducing apparatus |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60207987A patent/JPS6266424A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6266424A (en) | 1987-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4935915A (en) | Beam controller for magneto-optical disc memory system | |
KR950013701B1 (en) | Recording & reproducing apparatus of optical disk | |
JPS63103447A (en) | Laser control circuit for optical information recording and reproducing device | |
JPH0518185B2 (en) | ||
JP2557830B2 (en) | Light quantity control device in optical recording / reproducing apparatus | |
EP0292733A2 (en) | Magneto-optical disk reproduction apparatus | |
JP2706262B2 (en) | Semiconductor laser driver | |
JPS58158051A (en) | Controller for stabilizing output of semiconductor laser oscillator | |
JP2524479B2 (en) | Optical recording medium | |
JPH079710B2 (en) | Light control device for semiconductor laser | |
JP2561235B2 (en) | Semiconductor laser drive device | |
JPH0963093A (en) | Laser light output control circuit | |
JPS60239925A (en) | Semiconductor laser driving circuit | |
JPS61192043A (en) | Semiconductor laser driving device | |
KR19990060578A (en) | Method and apparatus for recording data on magneto-optical recording media | |
JP2648084B2 (en) | Semiconductor laser driver | |
JPS62129943A (en) | Sample holding circuit | |
JP2561235C (en) | ||
JPH03116554A (en) | Disk device | |
JPH06131729A (en) | Method for magnetic field modulation recording in magneto-optical recording/reproducing device | |
JP3297790B2 (en) | Optical disk recording and playback device | |
JPS61294645A (en) | Information recording and reproducing device | |
JPS63263784A (en) | Semiconductor laser driver | |
JP2002158397A (en) | Method and device for driving laser | |
JPH038133A (en) | Optical data storing and reproducing device |