JPH0517142A - バリウム化合物薄膜の製造方法 - Google Patents
バリウム化合物薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0517142A JPH0517142A JP3221721A JP22172191A JPH0517142A JP H0517142 A JPH0517142 A JP H0517142A JP 3221721 A JP3221721 A JP 3221721A JP 22172191 A JP22172191 A JP 22172191A JP H0517142 A JPH0517142 A JP H0517142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barium
- compound
- thin film
- compound containing
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】気化性、熱安定性および薄膜形成の再現性にお
いて優れた性能を持つ特定のバリウム化合物を用い、Ｃ
ＶＤ法によって高品質のバリウム元素を含む酸化物超伝
導体薄膜などの各種のバリウム化合物薄膜を製造する方
法を提供する。 【構成】化学気相成長法により、基材上にバリウム元素
を含む薄膜の製造方法において、ＢaＲ2（Ｒ：アルケニ
ル基、ベンジル基、フッ素置換ベンジル基、置換シクロ
ペンタジエニル基のうちの少なくとも１種を表わす。）
で示されるバリウム化合物もしくはこれと酸素含有化合
物、窒素含有化合物とのアダクツ化合物を用いる。 【効果】薄膜の成長再現性がよく、高品質の酸化物超伝
導体薄膜などのバリウム化合物薄膜が得られる。
いて優れた性能を持つ特定のバリウム化合物を用い、Ｃ
ＶＤ法によって高品質のバリウム元素を含む酸化物超伝
導体薄膜などの各種のバリウム化合物薄膜を製造する方
法を提供する。 【構成】化学気相成長法により、基材上にバリウム元素
を含む薄膜の製造方法において、ＢaＲ2（Ｒ：アルケニ
ル基、ベンジル基、フッ素置換ベンジル基、置換シクロ
ペンタジエニル基のうちの少なくとも１種を表わす。）
で示されるバリウム化合物もしくはこれと酸素含有化合
物、窒素含有化合物とのアダクツ化合物を用いる。 【効果】薄膜の成長再現性がよく、高品質の酸化物超伝
導体薄膜などのバリウム化合物薄膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバリウム元素を含む薄膜
の製造方法に関し、特にバリウム元素を含む酸化物超伝
導体薄膜、チタン酸バリウム等の酸化物薄膜、フッ化バ
リウム薄膜、フッ化物ガラス薄膜等の機能性薄膜の製造
方法に関する。
の製造方法に関し、特にバリウム元素を含む酸化物超伝
導体薄膜、チタン酸バリウム等の酸化物薄膜、フッ化バ
リウム薄膜、フッ化物ガラス薄膜等の機能性薄膜の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高い転移温度（Ｔc）を有する酸
化物超伝導体が発見され、液体窒素温度での利用を目指
して精力的な研究が展開されている。これらの酸化物超
伝導体には、多くの場合バリウムが必須の成分元素とし
て含まれている。バリウム元素を含むものを材料的に分
類すると、（１）ランタン（Ｌa）系超伝導体と言わ
れ、Ｔcが４０Ｋ前後のもの〔(Ｌa1_xＢax)2ＣuＯ4〕、
（２）イットリウム（Ｙ）系超伝導体と言われＴcが９
０Ｋ前後のもの〔ＹＢa2Ｃu3Ｏ7_x〕、（３）タリウム
（Ｔl）系超伝導体と言われＴcが１２５Ｋ前後のもの
〔Ｔl2Ｂa2Ｃa2Ｃu3Ｏ8〕等が知られている。今後の応
用、例えば配線やセンサへの応用を考えた場合に、単結
晶と同等の特性を持つ薄膜を作製する必要がある。ま
た、各種の薄膜材料の中で、構成元素としてバリウム
（Ｂa）を含むものは、以下に示すようにさまざまな機
能があり、従来のバルク材料の検討から現在では薄膜材
料としての検討が進められている。 （１）酸化物材料として、例えばチタン酸バリウム（Ｂ
aＴiＯ3）は、高い誘電率を持つ強誘電体材料であり、
コンデンサ、圧電素子、焦電素子、音響光学素子、ＰＴ
Ｃ（Positive Temperature Coefficient of Resistivit
y）素子などへの応用が可能であり、また最近では大容
量集積回路のキャパシタ、光記録媒体（光屈折率効果）
としての検討が進められている。また、各種の光学材料
として以下のものが着目されている。 （ａ）β−ＢaＢ2Ｏ4；非線形光学材料 （ｂ）Ｂa2ＮaＮb5Ｏ15；非線形光学材料、電気光学材
料 （ｃ）（Ｓr，Ｂa）Ｎb2Ｏ6；電気光学材料、音響光学
材料 （ｄ）Ｂa2ＬiＮb5Ｏ15；非線形光学材料 （ｅ）（Ｐb，Ｂa，Ｌa）Ｎb2Ｏ6；電気光学材料 （ｆ）（Ｐb，Ｌa)(Ｚr，Ｔi）Ｏ3；異常光起電力材料 （２）高温超伝導体材料としては、液体窒素温度で超伝
導特性を示す酸化物が発見され、配線や磁気センサへの
応用をめざして精力的な研究が進められている。こうし
た材料として、イットリウム系材料（ＹＢa2Ｃu3Ｏ7_
x）；臨界温度（Ｔc）が９０Ｋ前後のもの、ランタン
系〔（Ｌa1_xＢax)2ＣuＯ4〕；Ｔcが４５Ｋ前後のも
の、タリウム系〔Ｔl2Ｂa2Ｃa2Ｃu3Ｏ8〕；Ｔcが１２
５Ｋ前後のもの、などが知られている。 （３）フッ化バリウム（ＢaＦ2）は、窓、プリズム、レ
ンズ等の光学材料として応用可能であり、またシリコン
基材上に化合物半導体薄膜を成長させる場合のバッファ
層として有効であることが知られている。 （４）フッ化物ガラスは、２〜５μｍ帯の光伝送媒体と
して、この波長領域に吸収を持たないフッ化物ガラスが
着目されている。こうした材料として、５２モル％のＺ
rＦ4、２４モル％のＢaＦ2、２０モル％のＮaＦからな
るＺＢＮガラス（他に、４モル％のＡlＦ3を含む）があ
り、必要に応じてＬa等が添加（ＺＢＬＡＮガラス）さ
れる。 上述したＢaを含む薄膜の製造法として、酸化物薄膜お
よび高温超伝導体薄膜の場合は、主にスパッタリング法
が、フッ化バリウムバッファ層の場合にはＭＢＥ（分子
線エピタキシー法）が、またフッ化物ガラスの場合には
溶融法で作製されていた。しかしながら、従来の方法で
はそれぞれ成長速度が遅い上、薄膜の品質が悪く不純物
の混入が多い等の問題があった。こうした問題を解決す
る方法として、化学気相成長法（ＣＶＤ法）が着目され
ている。ＣＶＤ法は大面積、均質な薄膜が得られるこ
と、成長速度が早いこと、組成制御が容易であるこ
と、等の特長があり、最近多くの研究がなされている
〔応用物理、第５９巻（１９９０年）第１３４頁から第
１４４頁〕。しかしながら、現状では薄膜の成長温度を
８００℃程度にまで上げないと品質のよい薄膜が得られ
ず、例えば薄膜の平坦性が低下したり、基材と薄膜の界
面で相互拡散が起こるなどの問題があった。また、ＣＶ
Ｄ法に適用するためには蒸気圧の高いＣＶＤ原料が必要
であり、バリウム化合物薄膜の場合においては適当な原
料がいまだ見い出されていない。すなわち、従来のβ−
ジケトナト錯体である、ビス（ジピバロイルメタナト）
バリウム〔Ｂa(dpm)2〕、ビス（ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト）バリウム〔Ｂa(hfa)2〕、ビス（トリフ
ルオロアセチルアセトナト）バリウム〔Ｂa(tfa)2〕は
気化温度が２００〜２６０℃以上と高く、また加熱され
た化合物が容器内で熱分解して変質し、繰り返し使用す
る内に気化性が次第に低下するという問題があり、バリ
ウム元素源としての安定性、薄膜形成の再現性において
満足できるものではなかった。
化物超伝導体が発見され、液体窒素温度での利用を目指
して精力的な研究が展開されている。これらの酸化物超
伝導体には、多くの場合バリウムが必須の成分元素とし
て含まれている。バリウム元素を含むものを材料的に分
類すると、（１）ランタン（Ｌa）系超伝導体と言わ
れ、Ｔcが４０Ｋ前後のもの〔(Ｌa1_xＢax)2ＣuＯ4〕、
（２）イットリウム（Ｙ）系超伝導体と言われＴcが９
０Ｋ前後のもの〔ＹＢa2Ｃu3Ｏ7_x〕、（３）タリウム
（Ｔl）系超伝導体と言われＴcが１２５Ｋ前後のもの
〔Ｔl2Ｂa2Ｃa2Ｃu3Ｏ8〕等が知られている。今後の応
用、例えば配線やセンサへの応用を考えた場合に、単結
晶と同等の特性を持つ薄膜を作製する必要がある。ま
た、各種の薄膜材料の中で、構成元素としてバリウム
（Ｂa）を含むものは、以下に示すようにさまざまな機
能があり、従来のバルク材料の検討から現在では薄膜材
料としての検討が進められている。 （１）酸化物材料として、例えばチタン酸バリウム（Ｂ
aＴiＯ3）は、高い誘電率を持つ強誘電体材料であり、
コンデンサ、圧電素子、焦電素子、音響光学素子、ＰＴ
Ｃ（Positive Temperature Coefficient of Resistivit
y）素子などへの応用が可能であり、また最近では大容
量集積回路のキャパシタ、光記録媒体（光屈折率効果）
としての検討が進められている。また、各種の光学材料
として以下のものが着目されている。 （ａ）β−ＢaＢ2Ｏ4；非線形光学材料 （ｂ）Ｂa2ＮaＮb5Ｏ15；非線形光学材料、電気光学材
料 （ｃ）（Ｓr，Ｂa）Ｎb2Ｏ6；電気光学材料、音響光学
材料 （ｄ）Ｂa2ＬiＮb5Ｏ15；非線形光学材料 （ｅ）（Ｐb，Ｂa，Ｌa）Ｎb2Ｏ6；電気光学材料 （ｆ）（Ｐb，Ｌa)(Ｚr，Ｔi）Ｏ3；異常光起電力材料 （２）高温超伝導体材料としては、液体窒素温度で超伝
導特性を示す酸化物が発見され、配線や磁気センサへの
応用をめざして精力的な研究が進められている。こうし
た材料として、イットリウム系材料（ＹＢa2Ｃu3Ｏ7_
x）；臨界温度（Ｔc）が９０Ｋ前後のもの、ランタン
系〔（Ｌa1_xＢax)2ＣuＯ4〕；Ｔcが４５Ｋ前後のも
の、タリウム系〔Ｔl2Ｂa2Ｃa2Ｃu3Ｏ8〕；Ｔcが１２
５Ｋ前後のもの、などが知られている。 （３）フッ化バリウム（ＢaＦ2）は、窓、プリズム、レ
ンズ等の光学材料として応用可能であり、またシリコン
基材上に化合物半導体薄膜を成長させる場合のバッファ
層として有効であることが知られている。 （４）フッ化物ガラスは、２〜５μｍ帯の光伝送媒体と
して、この波長領域に吸収を持たないフッ化物ガラスが
着目されている。こうした材料として、５２モル％のＺ
rＦ4、２４モル％のＢaＦ2、２０モル％のＮaＦからな
るＺＢＮガラス（他に、４モル％のＡlＦ3を含む）があ
り、必要に応じてＬa等が添加（ＺＢＬＡＮガラス）さ
れる。 上述したＢaを含む薄膜の製造法として、酸化物薄膜お
よび高温超伝導体薄膜の場合は、主にスパッタリング法
が、フッ化バリウムバッファ層の場合にはＭＢＥ（分子
線エピタキシー法）が、またフッ化物ガラスの場合には
溶融法で作製されていた。しかしながら、従来の方法で
はそれぞれ成長速度が遅い上、薄膜の品質が悪く不純物
の混入が多い等の問題があった。こうした問題を解決す
る方法として、化学気相成長法（ＣＶＤ法）が着目され
ている。ＣＶＤ法は大面積、均質な薄膜が得られるこ
と、成長速度が早いこと、組成制御が容易であるこ
と、等の特長があり、最近多くの研究がなされている
〔応用物理、第５９巻（１９９０年）第１３４頁から第
１４４頁〕。しかしながら、現状では薄膜の成長温度を
８００℃程度にまで上げないと品質のよい薄膜が得られ
ず、例えば薄膜の平坦性が低下したり、基材と薄膜の界
面で相互拡散が起こるなどの問題があった。また、ＣＶ
Ｄ法に適用するためには蒸気圧の高いＣＶＤ原料が必要
であり、バリウム化合物薄膜の場合においては適当な原
料がいまだ見い出されていない。すなわち、従来のβ−
ジケトナト錯体である、ビス（ジピバロイルメタナト）
バリウム〔Ｂa(dpm)2〕、ビス（ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト）バリウム〔Ｂa(hfa)2〕、ビス（トリフ
ルオロアセチルアセトナト）バリウム〔Ｂa(tfa)2〕は
気化温度が２００〜２６０℃以上と高く、また加熱され
た化合物が容器内で熱分解して変質し、繰り返し使用す
る内に気化性が次第に低下するという問題があり、バリ
ウム元素源としての安定性、薄膜形成の再現性において
満足できるものではなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術における問題点を解決するものであって、気化
性、熱安定性および薄膜形成の再現性において優れた性
能を持つ特定のバリウム化合物を使用し、ＣＶＤ法によ
り高品質のバリウム元素を含む酸化物超伝導体薄膜をは
じめ、各種のバリウム化合物薄膜を製造する方法を提供
することにある。
従来技術における問題点を解決するものであって、気化
性、熱安定性および薄膜形成の再現性において優れた性
能を持つ特定のバリウム化合物を使用し、ＣＶＤ法によ
り高品質のバリウム元素を含む酸化物超伝導体薄膜をは
じめ、各種のバリウム化合物薄膜を製造する方法を提供
することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、気相反応容器中に、薄膜構成元素を含む各
種の化合物と、反応性ガスとして、例えば酸素、オゾン
またはその混合ガスを導入し、これらを熱分解して上記
反応容器中に設置した基材上に酸化物超伝導体薄膜を製
造する方法において、バリウム化合物として、一般式 ＢaＲ2 （式中、Ｒはアルケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベ
ンジル基、置換シクロペンタジエニル基のうちの少なく
とも１種を表わす。）で示される有機金属化合物を使用
することを特徴とするバリウム化合物薄膜の製造方法で
る。本発明のバリウム化合物薄膜の製造方法は、具体的
に、（１）酸化物超伝導体がバリウム、その他の金属お
よび酸素元素からなることを特徴とする酸化物超伝導体
薄膜の製造方法であり、（２）酸化物超伝導体がバリウ
ム元素、イットリウム元素、銅元素および酸素元素から
なることを特徴とする酸化物超伝導体薄膜の製造方法で
あり、（３）酸化物超伝導体がバリウム元素、ランタン
元素、銅元素および酸素元素からなることを特徴とする
酸化物超伝導体薄膜の製造方法であり、さらに（４）酸
化物超伝導体がバリウム元素、タリウム元素、カルシウ
ム元素、銅元素、および酸素元素からなることを特徴と
する酸化物超伝導体薄膜の製造方法に関するものであ
る。本発明のバリウム元素を含む酸化物超伝導体薄膜の
製造方法において、バリウム元素源として用いるバリウ
ム化合物は、アルケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベ
ンジル基、置換シクロペンタジエニル基等がバリウムと
結合した有機金属化合物の中から選択して使用すること
を特徴としており、従来このようなバリウム化合物を使
用することは知られていなかった。本発明は、上記の熱
的に安定で、かつ高い気化性を有するバリウム化合物を
使用することにより、低い基材温度においても基材上で
の熱分解性がよく、酸素欠陥の少ない薄膜が得られるこ
とを見い出したことによるものである。表１および表２
にバリウム元素源として使用できるバリウム化合物の具
体名を挙げるが、本発明はこれらのみに限定されるもの
ではない。
するために、気相反応容器中に、薄膜構成元素を含む各
種の化合物と、反応性ガスとして、例えば酸素、オゾン
またはその混合ガスを導入し、これらを熱分解して上記
反応容器中に設置した基材上に酸化物超伝導体薄膜を製
造する方法において、バリウム化合物として、一般式 ＢaＲ2 （式中、Ｒはアルケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベ
ンジル基、置換シクロペンタジエニル基のうちの少なく
とも１種を表わす。）で示される有機金属化合物を使用
することを特徴とするバリウム化合物薄膜の製造方法で
る。本発明のバリウム化合物薄膜の製造方法は、具体的
に、（１）酸化物超伝導体がバリウム、その他の金属お
よび酸素元素からなることを特徴とする酸化物超伝導体
薄膜の製造方法であり、（２）酸化物超伝導体がバリウ
ム元素、イットリウム元素、銅元素および酸素元素から
なることを特徴とする酸化物超伝導体薄膜の製造方法で
あり、（３）酸化物超伝導体がバリウム元素、ランタン
元素、銅元素および酸素元素からなることを特徴とする
酸化物超伝導体薄膜の製造方法であり、さらに（４）酸
化物超伝導体がバリウム元素、タリウム元素、カルシウ
ム元素、銅元素、および酸素元素からなることを特徴と
する酸化物超伝導体薄膜の製造方法に関するものであ
る。本発明のバリウム元素を含む酸化物超伝導体薄膜の
製造方法において、バリウム元素源として用いるバリウ
ム化合物は、アルケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベ
ンジル基、置換シクロペンタジエニル基等がバリウムと
結合した有機金属化合物の中から選択して使用すること
を特徴としており、従来このようなバリウム化合物を使
用することは知られていなかった。本発明は、上記の熱
的に安定で、かつ高い気化性を有するバリウム化合物を
使用することにより、低い基材温度においても基材上で
の熱分解性がよく、酸素欠陥の少ない薄膜が得られるこ
とを見い出したことによるものである。表１および表２
にバリウム元素源として使用できるバリウム化合物の具
体名を挙げるが、本発明はこれらのみに限定されるもの
ではない。
【０００５】
【表１】
【０００６】
【表２】
【０００７】また本発明は、気相反応容器中に、薄膜構
成元素を含む各種の化合物と、必要に応じて反応性ガ
ス、またはさらに他の成分を含む化合物を気相で導入
し、これらを熱分解して上記反応容器中に設置した基材
上にバリウム化合物薄膜を形成する方法において、バリ
ウム元素を含む化合物として、一般式 ＢaＲ2（式中、
Ｒは置換シクロペンタジエニル基を表わす。）で示され
るバリウム化合物、もしくは該バリウム化合物と酸素含
有化合物または窒素含有化合物とのアダクツ化合物、も
しくは上記バリウム化合物と上記アダクツ化合物を用い
ることを特徴とするバリウム化合物薄膜の製造方法であ
る。さらに本発明は、気相反応容器中に、薄膜構成元素
を含む各種の化合物と、必要に応じて反応性ガス、また
はさらに他の成分を含む化合物を気相で導入し、これら
を熱分解して上記反応容器中に設置した基材上に、バリ
ウム化合物薄膜を形成する方法において、バリウム元素
を含む化合物として、一般式 ＢaＲ2（式中、Ｒはアル
ケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベンジル基のうちの
少なくとも１種を表わす。）で示されるバリウム化合
物、もしくは該バリウム化合物と酸素含有化合物または
窒素含有化合物とのアダクツ化合物、もしくは上記バリ
ウム化合物と上記アダクツ化合物を用いることを特徴と
するバリウム化合物薄膜の製造方法である。そして、上
記の酸素含有化合物および窒素含有化合物の具体名を以
下に列記するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 水、テトラヒドロフラン（ｔｈｆ)、ジオキサン、２，
２′−ジピリジル、３，３′−ジピリジル、４，４′−
ジピリジル、ビピリミジン（ＢＰｙ)、１，２−ビス
（ジメチルアミノエタン)、ピリジン（Ｐｙ)、４−ジメ
チルアミノピリジン（ｄｍａｐｙ)、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラメチルフェニレンジアミン（ｔｍｐｄ)、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン
（ｔｍｅｎ)、２，６−キシリルイソシアニド（ｘｃ
ｙ）などが挙げられる。本発明のバリウム化合物薄膜の
製造方法は、具体的には、（１）バリウム化合物が、バ
リウムを含む酸化物薄膜であることを特徴とするバリウ
ム化合物薄膜の製造方法であり、（２）バリウム化合物
が高温超伝導体であることを特徴とするバリウム化合物
薄膜の製造方法であり、（３）バリウム化合物が、フッ
化バリウム単独であることを特徴とするバリウム化合物
薄膜の製造方法であり、（４）バリウム化合物が、Ｚr
−Ｂa系のフッ化物ガラスであることを特徴とするバリ
ウム化合物薄膜の製造方法である。本発明は、いずれも
バリウム元素源として、従来使用されていなかった新規
な化合物を使用することを特徴としており、本発明は、
このようなバリウム元素を使用すると、安定で高い気化
性を有すると共に、繰り返し加熱・気化させた場合にも
気化性の再現性が良好であり、従来の化合物を用いた場
合よりも基材上での熱分解性がよく、高品質のバリウム
化合物薄膜が得られることを見い出したことによるもの
である。表３、表４および表５にバリウム元素源として
使用できるバリウム化合物およびバリウム化合物とのア
グクツ化合物の具体名、および使用に際しての加熱温度
を示す。
成元素を含む各種の化合物と、必要に応じて反応性ガ
ス、またはさらに他の成分を含む化合物を気相で導入
し、これらを熱分解して上記反応容器中に設置した基材
上にバリウム化合物薄膜を形成する方法において、バリ
ウム元素を含む化合物として、一般式 ＢaＲ2（式中、
Ｒは置換シクロペンタジエニル基を表わす。）で示され
るバリウム化合物、もしくは該バリウム化合物と酸素含
有化合物または窒素含有化合物とのアダクツ化合物、も
しくは上記バリウム化合物と上記アダクツ化合物を用い
ることを特徴とするバリウム化合物薄膜の製造方法であ
る。さらに本発明は、気相反応容器中に、薄膜構成元素
を含む各種の化合物と、必要に応じて反応性ガス、また
はさらに他の成分を含む化合物を気相で導入し、これら
を熱分解して上記反応容器中に設置した基材上に、バリ
ウム化合物薄膜を形成する方法において、バリウム元素
を含む化合物として、一般式 ＢaＲ2（式中、Ｒはアル
ケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベンジル基のうちの
少なくとも１種を表わす。）で示されるバリウム化合
物、もしくは該バリウム化合物と酸素含有化合物または
窒素含有化合物とのアダクツ化合物、もしくは上記バリ
ウム化合物と上記アダクツ化合物を用いることを特徴と
するバリウム化合物薄膜の製造方法である。そして、上
記の酸素含有化合物および窒素含有化合物の具体名を以
下に列記するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 水、テトラヒドロフラン（ｔｈｆ)、ジオキサン、２，
２′−ジピリジル、３，３′−ジピリジル、４，４′−
ジピリジル、ビピリミジン（ＢＰｙ)、１，２−ビス
（ジメチルアミノエタン)、ピリジン（Ｐｙ)、４−ジメ
チルアミノピリジン（ｄｍａｐｙ)、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラメチルフェニレンジアミン（ｔｍｐｄ)、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン
（ｔｍｅｎ)、２，６−キシリルイソシアニド（ｘｃ
ｙ）などが挙げられる。本発明のバリウム化合物薄膜の
製造方法は、具体的には、（１）バリウム化合物が、バ
リウムを含む酸化物薄膜であることを特徴とするバリウ
ム化合物薄膜の製造方法であり、（２）バリウム化合物
が高温超伝導体であることを特徴とするバリウム化合物
薄膜の製造方法であり、（３）バリウム化合物が、フッ
化バリウム単独であることを特徴とするバリウム化合物
薄膜の製造方法であり、（４）バリウム化合物が、Ｚr
−Ｂa系のフッ化物ガラスであることを特徴とするバリ
ウム化合物薄膜の製造方法である。本発明は、いずれも
バリウム元素源として、従来使用されていなかった新規
な化合物を使用することを特徴としており、本発明は、
このようなバリウム元素を使用すると、安定で高い気化
性を有すると共に、繰り返し加熱・気化させた場合にも
気化性の再現性が良好であり、従来の化合物を用いた場
合よりも基材上での熱分解性がよく、高品質のバリウム
化合物薄膜が得られることを見い出したことによるもの
である。表３、表４および表５にバリウム元素源として
使用できるバリウム化合物およびバリウム化合物とのア
グクツ化合物の具体名、および使用に際しての加熱温度
を示す。
【０００８】
【表３】
【０００９】
【表４】
【００１０】
【表５】
【００１１】なお、アダクツ化合物はアダクツ化する前
のバリウム化合物に比較して気化性がよく、また水分や
酸素との反応も著しく低下するなどの利点があるが、反
面長期の熱安定性の点ではやや低下する傾向がある。
のバリウム化合物に比較して気化性がよく、また水分や
酸素との反応も著しく低下するなどの利点があるが、反
面長期の熱安定性の点ではやや低下する傾向がある。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ、図面を用いて
さらに詳細に説明する。 （実施例１）図１は、イットリウム系超伝導体薄膜の製
造に適用した場合の装置の構成の一例を示す系統図であ
る。図において、バリウム元素を含む原料であるジアリ
ルバリウムが封入されている有機金属化合物のバブラ容
器６内に、ガス流量コントローラ12により流量調節され
たアルゴンガスをキャリヤガス20として導入させること
により、ジアリルバリウムを所要量含有するアルゴンガ
スを形成し、同様にしてイットリウム元素を含む原料で
あるＹ(dpm)3（トリスジピバリルメタナトイットリウ
ム）を含むバブラ容器７、および銅元素を含む原料であ
るＣu(dpm)2（ビスジピバリルメタナト銅）を含むバブ
ラ容器８に流量制御されたアルゴンガスを導入する。他
方、酸素ボンベ21から所定流量の酸素ガスを供給する。
この他に、圧力調整のため流量コントローラ17、18を介
して所要量のアルゴンガスを供給する。反応容器１内に
は、チタン酸ストロンチウム（１００）基材３が基材ホ
ルダ２の上に配置されていて、高周波加熱コイル５によ
り所定の温度に加熱され、導入されたバリウム、イット
リウム、銅の有機金属化合物および酸素からなる４成分
の気相化学反応によりイットリウム系酸化物超伝導体薄
膜が基材上に形成される。なお、基材としては酸化マグ
ネシウム基材も好適に使用できる。以上説明した酸化物
超伝導体薄膜の製法を、より具体的に説明すると、温度
１０５℃（±５℃の範囲で制御、以下同様とする）のジ
アリルバリウムのバブラ容器６を通過した２５０cc（立
方センチ）／分のアルゴンガスと、温度２００℃のＹ(d
pm)2のバブラ容器７を通過した１５０cc／分のアルゴン
ガスと、温度１２０℃のＣu(dpm)2のバブラ容器８を通
過した３００cc／分のアルゴンガスと、圧力調整用の１
リットル／分のアルゴンガスを反応容器１内に導入す
る。同時に、酸素ボンベ21を通過した１リットル／分の
酸素ガス、および圧力調整用の１リットル／分のアルゴ
ンガスを反応容器１内に導き、６００℃の温度に加熱さ
れた基材上に吹き付ける。成長速度は１時間当り５.４
μｍであり、得られた単結晶薄膜の表面は、良好な鏡面
が形成され結晶性にも問題はなかった。また、この薄膜
のＴcは９０Ｋであった。
さらに詳細に説明する。 （実施例１）図１は、イットリウム系超伝導体薄膜の製
造に適用した場合の装置の構成の一例を示す系統図であ
る。図において、バリウム元素を含む原料であるジアリ
ルバリウムが封入されている有機金属化合物のバブラ容
器６内に、ガス流量コントローラ12により流量調節され
たアルゴンガスをキャリヤガス20として導入させること
により、ジアリルバリウムを所要量含有するアルゴンガ
スを形成し、同様にしてイットリウム元素を含む原料で
あるＹ(dpm)3（トリスジピバリルメタナトイットリウ
ム）を含むバブラ容器７、および銅元素を含む原料であ
るＣu(dpm)2（ビスジピバリルメタナト銅）を含むバブ
ラ容器８に流量制御されたアルゴンガスを導入する。他
方、酸素ボンベ21から所定流量の酸素ガスを供給する。
この他に、圧力調整のため流量コントローラ17、18を介
して所要量のアルゴンガスを供給する。反応容器１内に
は、チタン酸ストロンチウム（１００）基材３が基材ホ
ルダ２の上に配置されていて、高周波加熱コイル５によ
り所定の温度に加熱され、導入されたバリウム、イット
リウム、銅の有機金属化合物および酸素からなる４成分
の気相化学反応によりイットリウム系酸化物超伝導体薄
膜が基材上に形成される。なお、基材としては酸化マグ
ネシウム基材も好適に使用できる。以上説明した酸化物
超伝導体薄膜の製法を、より具体的に説明すると、温度
１０５℃（±５℃の範囲で制御、以下同様とする）のジ
アリルバリウムのバブラ容器６を通過した２５０cc（立
方センチ）／分のアルゴンガスと、温度２００℃のＹ(d
pm)2のバブラ容器７を通過した１５０cc／分のアルゴン
ガスと、温度１２０℃のＣu(dpm)2のバブラ容器８を通
過した３００cc／分のアルゴンガスと、圧力調整用の１
リットル／分のアルゴンガスを反応容器１内に導入す
る。同時に、酸素ボンベ21を通過した１リットル／分の
酸素ガス、および圧力調整用の１リットル／分のアルゴ
ンガスを反応容器１内に導き、６００℃の温度に加熱さ
れた基材上に吹き付ける。成長速度は１時間当り５.４
μｍであり、得られた単結晶薄膜の表面は、良好な鏡面
が形成され結晶性にも問題はなかった。また、この薄膜
のＴcは９０Ｋであった。
【００１３】（比較例１）ジアリルバリウムに代えてＢ
a(dpm)2を用いて、バブラ容器６の温度を２６０℃、基
材温度を７９０℃とする以外は実施例１と同様にして酸
化物薄膜を成長させたところ、成長速度は１時間当り
２.２μｍであり、また得られた単結晶薄膜の表面には
白濁した部分が認められ、明らかに実施例１で得られた
薄膜に比較して成長速度や薄膜品質の点で劣っていた。
a(dpm)2を用いて、バブラ容器６の温度を２６０℃、基
材温度を７９０℃とする以外は実施例１と同様にして酸
化物薄膜を成長させたところ、成長速度は１時間当り
２.２μｍであり、また得られた単結晶薄膜の表面には
白濁した部分が認められ、明らかに実施例１で得られた
薄膜に比較して成長速度や薄膜品質の点で劣っていた。
【００１４】（実施例２〜４）実施例１において用いた
ジアリルバリウムの代わりに、表１に示すＮo．２、
３、４の原料および加熱条件を使用する他は実施例１と
同様にしてイットリウム系超伝導体薄膜の成長を行っ
た。いずれの場合においても、実施例１と同様に優れた
特性の単結晶薄膜が得られた。
ジアリルバリウムの代わりに、表１に示すＮo．２、
３、４の原料および加熱条件を使用する他は実施例１と
同様にしてイットリウム系超伝導体薄膜の成長を行っ
た。いずれの場合においても、実施例１と同様に優れた
特性の単結晶薄膜が得られた。
【００１５】（実施例５）図２は、タリウム系超伝導体
薄膜の製造に適用した場合の装置の構成の一例を示す系
統図である。図において、有機金属化合物として、それ
ぞれＢa(ＣＨ2Ｃ6Ｈ4−２−Ｆ)2〔ビス（２−フルオロ
ベンジル）バリウム；表２のＮo．12に示す〕、Ｔｌ(Ｃ
Ｈ3)3（トリメチルタリウム)、Ｃa(dpm)2（ビスジピバ
リルメタナトカルシウム)、Ｃu(dpm)2をバブラ容器６、
７、８、９に充填した。バブラ容器の温度は、それぞれ
１７５℃、８０℃、１８０℃、１２０℃とした。また、
アルゴンガスの流量は、それぞれ２００、２５０、２２
０、３００cc／分とし、かつオゾン発生器22を用い、キ
ャリヤガス20として酸素を用いた。その他は、実施例１
と同様にして基材温度６５０℃で薄膜の成長を行ったと
ころ、１時間当り１０μｍの速度で成長できた。得られ
た単結晶薄膜の表面は、良好な鏡面が形成され結晶性に
も問題はなかった。また、この薄膜のＴcは１１２Ｋで
あった。
薄膜の製造に適用した場合の装置の構成の一例を示す系
統図である。図において、有機金属化合物として、それ
ぞれＢa(ＣＨ2Ｃ6Ｈ4−２−Ｆ)2〔ビス（２−フルオロ
ベンジル）バリウム；表２のＮo．12に示す〕、Ｔｌ(Ｃ
Ｈ3)3（トリメチルタリウム)、Ｃa(dpm)2（ビスジピバ
リルメタナトカルシウム)、Ｃu(dpm)2をバブラ容器６、
７、８、９に充填した。バブラ容器の温度は、それぞれ
１７５℃、８０℃、１８０℃、１２０℃とした。また、
アルゴンガスの流量は、それぞれ２００、２５０、２２
０、３００cc／分とし、かつオゾン発生器22を用い、キ
ャリヤガス20として酸素を用いた。その他は、実施例１
と同様にして基材温度６５０℃で薄膜の成長を行ったと
ころ、１時間当り１０μｍの速度で成長できた。得られ
た単結晶薄膜の表面は、良好な鏡面が形成され結晶性に
も問題はなかった。また、この薄膜のＴcは１１２Ｋで
あった。
【００１６】（実施例６）実施例５において、以下に示
す原料化合物を使用する他は、実施例５と同様にしてラ
ンタン系の酸化物超伝導体薄膜の成長を行った。Ｂa(Ｃ
Ｈ2Ｃ6Ｈ3−２，６−Ｆ2)2〔ビス（２，６−ジフルオロ
ベンジル）バリウム；表２のＮo．15に示す〕、Ｌa(Ｃ5
Ｈ5)3（トリシクロペンタジエニルランタン)、Ｃu(dpm)
2をバブラ容器６、７、８に充填した。容器温度は、そ
れぞれ１６５℃、３００℃、１２０℃とした。基材温度
６４０℃で成長を行ったところ、１時間当り５μｍの速
度で成長できた。得られた単結晶薄膜の表面は、良好な
鏡面が形成され結晶性にも問題はなかった。また、この
薄膜のＴcは４１Ｋであった。
す原料化合物を使用する他は、実施例５と同様にしてラ
ンタン系の酸化物超伝導体薄膜の成長を行った。Ｂa(Ｃ
Ｈ2Ｃ6Ｈ3−２，６−Ｆ2)2〔ビス（２，６−ジフルオロ
ベンジル）バリウム；表２のＮo．15に示す〕、Ｌa(Ｃ5
Ｈ5)3（トリシクロペンタジエニルランタン)、Ｃu(dpm)
2をバブラ容器６、７、８に充填した。容器温度は、そ
れぞれ１６５℃、３００℃、１２０℃とした。基材温度
６４０℃で成長を行ったところ、１時間当り５μｍの速
度で成長できた。得られた単結晶薄膜の表面は、良好な
鏡面が形成され結晶性にも問題はなかった。また、この
薄膜のＴcは４１Ｋであった。
【００１７】（実施例７）図３は、バリウム化合物薄膜
がＢaＴiＯ3薄膜である場合の薄膜製造に適用した場合
の装置の構成の一例を示す系統図である。図において、
バリウム元素を含む原料であるビス（ペンタメチルシク
ロペンタジエニル）バリウムが封入されているバブラ容
器６内に、ガス流量コントローラ12により流量調整され
たアルゴンガスをキャリヤガス20として導入することに
より、バリウム原料を所要量含有するアルゴンガスを形
成させて反応容器１に供給する。同様にして、チタンを
含む原料であるチタニウムテトライソプロポキシド、す
なわちＴi(ＯＣ3Ｈ7)4を含むバブラ容器７にガス流量コ
ントローラ13を介して反応容器１に所定流量のチタン元
素を含むアルゴンガスを供給する。他方、酸素ボンベ21
から流量コントローラ19を介して反応容器１に所定流量
の酸素ガスを供給する。この他に、圧力調整のため流量
流量コントローラ17、および18を介して所定量のアルゴ
ンガスを反応容器１に供給する。反応容器１内には、チ
タン酸ストロンチウム（ＳrＴiＯ3）からなる基材３が
基材ホルダ２の上に配置されていて、高周波加熱コイル
５により所定の温度に加熱され、導入されたバリウム、
チタンおよび酸素からなる３成分の化学気相反応により
ＢaＴiＯ3薄膜を基材上に形成する。なおバブラ容器
８、９、10は使用していない。以上説明したバリウム酸
化物薄膜の製法を、さらに具体的に説明する。すなわ
ち、２２０℃のバブラ容器６を通過した２０cc（立方セ
ンチ）／分のアルゴンガスと、温度３０℃のＴi(ＯＣ3
Ｈ7)4のバブラ容器７を通過した５０cc／分のアルゴン
ガスと、圧力調整用の２００cc／分のアルゴンガスを反
応容器１内に導く。同時に、酸素ボンベ21から供給され
る２００cc／分の酸素ガスを反応容器１内に導き、７０
０℃の温度に加熱された基材上に薄膜成長を行った。な
お、反応容器１内の圧力は５０Ｔorr（ｍｍＨg）に制御
した。得られた薄膜の成長速度は、１時間当り１.４μ
ｍであった。また、この薄膜の表面は、良好な鏡面が形
成され、オージェ元素分析により この薄膜はＢaＴiＯ
3であることが確認できた。ＲＨＥＥＤ測定により単結
晶薄膜が形成されていることが確認できた。また、Ｘ線
回折から求めた半値幅は１０分であった。さらに、上記
の薄膜成長操作を繰り返し実施した。その結果を図４に
示す。薄膜成長速度は、ほぼ一定した再現性を示す、良
好な値であり、第２回目以降に形成される薄膜も第１回
目と同等の特性を示した。
がＢaＴiＯ3薄膜である場合の薄膜製造に適用した場合
の装置の構成の一例を示す系統図である。図において、
バリウム元素を含む原料であるビス（ペンタメチルシク
ロペンタジエニル）バリウムが封入されているバブラ容
器６内に、ガス流量コントローラ12により流量調整され
たアルゴンガスをキャリヤガス20として導入することに
より、バリウム原料を所要量含有するアルゴンガスを形
成させて反応容器１に供給する。同様にして、チタンを
含む原料であるチタニウムテトライソプロポキシド、す
なわちＴi(ＯＣ3Ｈ7)4を含むバブラ容器７にガス流量コ
ントローラ13を介して反応容器１に所定流量のチタン元
素を含むアルゴンガスを供給する。他方、酸素ボンベ21
から流量コントローラ19を介して反応容器１に所定流量
の酸素ガスを供給する。この他に、圧力調整のため流量
流量コントローラ17、および18を介して所定量のアルゴ
ンガスを反応容器１に供給する。反応容器１内には、チ
タン酸ストロンチウム（ＳrＴiＯ3）からなる基材３が
基材ホルダ２の上に配置されていて、高周波加熱コイル
５により所定の温度に加熱され、導入されたバリウム、
チタンおよび酸素からなる３成分の化学気相反応により
ＢaＴiＯ3薄膜を基材上に形成する。なおバブラ容器
８、９、10は使用していない。以上説明したバリウム酸
化物薄膜の製法を、さらに具体的に説明する。すなわ
ち、２２０℃のバブラ容器６を通過した２０cc（立方セ
ンチ）／分のアルゴンガスと、温度３０℃のＴi(ＯＣ3
Ｈ7)4のバブラ容器７を通過した５０cc／分のアルゴン
ガスと、圧力調整用の２００cc／分のアルゴンガスを反
応容器１内に導く。同時に、酸素ボンベ21から供給され
る２００cc／分の酸素ガスを反応容器１内に導き、７０
０℃の温度に加熱された基材上に薄膜成長を行った。な
お、反応容器１内の圧力は５０Ｔorr（ｍｍＨg）に制御
した。得られた薄膜の成長速度は、１時間当り１.４μ
ｍであった。また、この薄膜の表面は、良好な鏡面が形
成され、オージェ元素分析により この薄膜はＢaＴiＯ
3であることが確認できた。ＲＨＥＥＤ測定により単結
晶薄膜が形成されていることが確認できた。また、Ｘ線
回折から求めた半値幅は１０分であった。さらに、上記
の薄膜成長操作を繰り返し実施した。その結果を図４に
示す。薄膜成長速度は、ほぼ一定した再現性を示す、良
好な値であり、第２回目以降に形成される薄膜も第１回
目と同等の特性を示した。
【００１８】（比較例２）ジアリルバリウムに代えてＢ
a(dpm)2を用いて、バブラ容器６の温度を２６０℃とす
る以外は、実施例７と同様にしてＢaＴiＯ3薄膜の成長
を行ったところ、成長速度は１時間当り１.２μｍであ
ったが、薄膜の表面は荒れて鏡面ではなく、また結晶性
も実施例７に比較して劣っていた。また、この薄膜成長
を繰り返し実施し、成長速度を測定した。この結果を図
４に示すが、第２回目以降の成長速度は、原料化合物自
体の劣化により、急激な低下を伴い、薄膜形成の再現性
は得られなかった。
a(dpm)2を用いて、バブラ容器６の温度を２６０℃とす
る以外は、実施例７と同様にしてＢaＴiＯ3薄膜の成長
を行ったところ、成長速度は１時間当り１.２μｍであ
ったが、薄膜の表面は荒れて鏡面ではなく、また結晶性
も実施例７に比較して劣っていた。また、この薄膜成長
を繰り返し実施し、成長速度を測定した。この結果を図
４に示すが、第２回目以降の成長速度は、原料化合物自
体の劣化により、急激な低下を伴い、薄膜形成の再現性
は得られなかった。
【００１９】（実施例８）実施例７において使用した装
置を用いて、β−ＢaＢ2Ｏ4薄膜の製造を行った。ここ
で、バブラ容器６には１５０℃に加熱されたビス（ペン
タメチルシクロペンタジエニル）バリウム−ｔｈｆアダ
クツ化合物を使用し、バブラ容器７には５０℃に保温さ
れたトリエトキシホウ素を用いた。バブラ容器８、９、
10は使用していない。また基材３として、サファイア
（Ｃ面）を使用し、基材温度は６００℃とした。薄膜の
成長速度は１μｍ／ｈであり、単結晶薄膜が得られたこ
とが、ＲＨＥＥＤ、Ｘ線回折により確認できた。成長を
繰り返し行った場合の速度の再現性は、実施例７と同様
に優れていた。また、酸素の代わりにオゾンまたは酸素
とオゾンの混合ガスを用いても同様に高品質なβ−Ｂa
Ｂ2Ｏ4薄膜を得ることができた。
置を用いて、β−ＢaＢ2Ｏ4薄膜の製造を行った。ここ
で、バブラ容器６には１５０℃に加熱されたビス（ペン
タメチルシクロペンタジエニル）バリウム−ｔｈｆアダ
クツ化合物を使用し、バブラ容器７には５０℃に保温さ
れたトリエトキシホウ素を用いた。バブラ容器８、９、
10は使用していない。また基材３として、サファイア
（Ｃ面）を使用し、基材温度は６００℃とした。薄膜の
成長速度は１μｍ／ｈであり、単結晶薄膜が得られたこ
とが、ＲＨＥＥＤ、Ｘ線回折により確認できた。成長を
繰り返し行った場合の速度の再現性は、実施例７と同様
に優れていた。また、酸素の代わりにオゾンまたは酸素
とオゾンの混合ガスを用いても同様に高品質なβ−Ｂa
Ｂ2Ｏ4薄膜を得ることができた。
【００２０】（実施例９）実施例７において使用した装
置を用いて高温超伝導体であるＹＢa2Ｃu3Ｏ7_x薄膜の
製造を行った。ここで、バブラ容器６には１００℃に加
熱されたビス（イソプロピルシクロペンタジエニル）バ
リウム−ＢＰyアダクツ化合物を使用し、バブラ容器７
には１６０℃に保温されたＹ(dpm)3を用いた。また、バ
ブラ容器８には１８０℃に保温されたＣu(dpm)2を使用
した。Ａrガス流量は、それぞれ１００cc／分、５０cc
／分、１５０cc／分とした。バブラ容器９、10は使用し
ていない。また、基材としてＳrＴiＯ3基材を使用し、
基材温度は８００℃とした。薄膜の成長速度は１μｍ／
ｈであり、単結晶薄膜がえられることが、ＲＨＥＥＤ、
Ｘ線回折により確認できた。Ｔcは、８８Ｋであった。
成長を繰り返し行った場合の速度の再現性は、実施例１
と同様に優れていた。また、酸素の代わりにオゾンまた
は酸素とオゾンの混合ガスを用いても同様に高品質なＹ
ＢＣＯ系超伝導薄膜を得ることができた。
置を用いて高温超伝導体であるＹＢa2Ｃu3Ｏ7_x薄膜の
製造を行った。ここで、バブラ容器６には１００℃に加
熱されたビス（イソプロピルシクロペンタジエニル）バ
リウム−ＢＰyアダクツ化合物を使用し、バブラ容器７
には１６０℃に保温されたＹ(dpm)3を用いた。また、バ
ブラ容器８には１８０℃に保温されたＣu(dpm)2を使用
した。Ａrガス流量は、それぞれ１００cc／分、５０cc
／分、１５０cc／分とした。バブラ容器９、10は使用し
ていない。また、基材としてＳrＴiＯ3基材を使用し、
基材温度は８００℃とした。薄膜の成長速度は１μｍ／
ｈであり、単結晶薄膜がえられることが、ＲＨＥＥＤ、
Ｘ線回折により確認できた。Ｔcは、８８Ｋであった。
成長を繰り返し行った場合の速度の再現性は、実施例１
と同様に優れていた。また、酸素の代わりにオゾンまた
は酸素とオゾンの混合ガスを用いても同様に高品質なＹ
ＢＣＯ系超伝導薄膜を得ることができた。
【００２１】（実施例10）実施例７において使用した装
置を用いてＢaＦ2薄膜の製造を行った。バブラ容器６に
は１７０℃に加熱されたビス（イソプロピルシクロペン
タジエニル）バリウムを使用し、バブラ容器７、８、
９、10は使用しなかった。酸素の代わりに、フッ化水素
が充填されたボンベ11から２００cc／分のフッ化水素を
供給した。基材３として、シリコン基材（１１１）を使
用し、基材温度は４００℃とした。薄膜の成長速度は１
時間当り１.２μｍであり、良好な鏡面が得られた。ま
た、Ｘ線回折の結果２θ＝２７.７度および５０.８度に
鋭いピークを示し、高い結晶性を有していることが判明
した。
置を用いてＢaＦ2薄膜の製造を行った。バブラ容器６に
は１７０℃に加熱されたビス（イソプロピルシクロペン
タジエニル）バリウムを使用し、バブラ容器７、８、
９、10は使用しなかった。酸素の代わりに、フッ化水素
が充填されたボンベ11から２００cc／分のフッ化水素を
供給した。基材３として、シリコン基材（１１１）を使
用し、基材温度は４００℃とした。薄膜の成長速度は１
時間当り１.２μｍであり、良好な鏡面が得られた。ま
た、Ｘ線回折の結果２θ＝２７.７度および５０.８度に
鋭いピークを示し、高い結晶性を有していることが判明
した。
【００２２】（実施例11）実施例７において使用した装
置を用いてＺr−Ｂa系フッ化物ガラス薄膜の製造を行っ
た。すなわちバブラ容器６には１３０℃に加熱されたビ
ス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）バリウム−ｔ
ｍｐｄアダクツ化合物を、バブラ容器７には５０℃に保
温されたＺr(hfa)4化合物を、バブラ容器８には１７０
℃に加熱されたＬa(ppm)3化合物を、バブラ容器９には
１７０℃に加熱されたＮa(ppm…ペンタフルオロピバリ
ルメタナト）化合物を、バブラ容器10には６０℃に保温
されたＡl(fod)3化合物を使用した。Ａr流量は、それぞ
れ２０cc／分、５０cc／分、１cc／分、２０cc／分、１
cc／分とした。フッ化水素供給量は２００cc／分とし、
Ａrガス１００cc／分を圧力調整用に供給した。反応容
器内の圧力は５０Ｔorrとした。基材としてＣaＦ2基材
を使用し、２５０℃に保温した、この条件で３μｍ／時
間の速度でフッ化物ガラス膜を得ることができた。膜表
面は鏡面であり、またＸ線回折パターンは幅広い非晶質
ハローを示し、良好なガラス状態であることが確認でき
た。
置を用いてＺr−Ｂa系フッ化物ガラス薄膜の製造を行っ
た。すなわちバブラ容器６には１３０℃に加熱されたビ
ス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）バリウム−ｔ
ｍｐｄアダクツ化合物を、バブラ容器７には５０℃に保
温されたＺr(hfa)4化合物を、バブラ容器８には１７０
℃に加熱されたＬa(ppm)3化合物を、バブラ容器９には
１７０℃に加熱されたＮa(ppm…ペンタフルオロピバリ
ルメタナト）化合物を、バブラ容器10には６０℃に保温
されたＡl(fod)3化合物を使用した。Ａr流量は、それぞ
れ２０cc／分、５０cc／分、１cc／分、２０cc／分、１
cc／分とした。フッ化水素供給量は２００cc／分とし、
Ａrガス１００cc／分を圧力調整用に供給した。反応容
器内の圧力は５０Ｔorrとした。基材としてＣaＦ2基材
を使用し、２５０℃に保温した、この条件で３μｍ／時
間の速度でフッ化物ガラス膜を得ることができた。膜表
面は鏡面であり、またＸ線回折パターンは幅広い非晶質
ハローを示し、良好なガラス状態であることが確認でき
た。
【００２３】（実施例12）図３に示した装置を用い、バ
リウム化合物薄膜がβ−ＢaＢ2Ｏ4薄膜である場合の薄
膜製造方法について説明する。図において、バリウム元
素を含む原料であるジアリルバリウムが封入されている
バブラ容器６内に、ガス流量コントローラ12により流量
調整されたアルゴンガスをキャリヤガス20として導入す
ることにより、ジアリルバリウムを所要量含有するアル
ゴンガスを形成させて反応容器１に供給する。同様にし
て、ホウ素を含む原料であるトリメトキシホウ素、すな
わちＢ(ＯＣＨ3)3を含むバブラ容器７に、ガス流量コン
トローラ13を介して反応容器１に所定流量のトリメトキ
シホウ素を含むアルゴンガスを供給する。他方、酸素ボ
ンベ21から流量コントローラ19を介して反応容器１に所
定流量の酸素ガスを供給する。この他に、圧力調整のた
め流量コントローラ17および18を介して所定量のアルゴ
ンガスを反応容器１に供給する。反応容器１内には、サ
ファイア基材（Ｃ面）３が基材ホルダ２の上に配置され
ていて、高周波加熱コイル５により所定の温度に加熱さ
れ、導入されたバリウム、ホウ素および酸素からなる３
成分の化学気相反応によりβ−ＢaＢ2Ｏ4薄膜を基材上
に形成する。なお、バブラ容器８、９、10は使用してい
ない。以上説明したバリウム酸化物薄膜の製法を、さら
に具体的に説明する。すなわち、１０５℃のバブラ容器
６を通過した２０cc（立方センチ)／分のアルゴンガス
と、温度４０℃のＢ(ＯＣＨ3)3のバブラ容器７を通過し
た５０cc／分のアルゴンガスと、圧力調整用の２００cc
／分のアルゴンガスを反応容器１内に導く。同時に、酸
素ボンベ21から供給される２００cc／分の酸素ガスを反
応容器１内に導き、６００℃の温度に加熱された基材上
に薄膜成長を行った。なお、反応容器１内の圧力は５０
Ｔorr（ｍｍＨg）に制御した。得られた薄膜の成長速度
は、１時間当り１.４μｍであった。また、この薄膜の
表面は、良好な鏡面が形成され、オージェ元素分析によ
りこの薄膜はＢaＢ2Ｏ4であることが確認できた。ＲＨ
ＥＥＤ測定により単結晶薄膜が形成されていることが確
認できた。また、Ｘ線回折から求めた半値幅は３０分で
あった。さらに、上記の薄膜成長操作を繰り返し実施し
た。その結果を図５に示す。薄膜成長速度は、ほぼ一定
した再現性を示す良好な値であり、第２回目以降に形成
される薄膜も第１回目と同等の特性を示した。
リウム化合物薄膜がβ−ＢaＢ2Ｏ4薄膜である場合の薄
膜製造方法について説明する。図において、バリウム元
素を含む原料であるジアリルバリウムが封入されている
バブラ容器６内に、ガス流量コントローラ12により流量
調整されたアルゴンガスをキャリヤガス20として導入す
ることにより、ジアリルバリウムを所要量含有するアル
ゴンガスを形成させて反応容器１に供給する。同様にし
て、ホウ素を含む原料であるトリメトキシホウ素、すな
わちＢ(ＯＣＨ3)3を含むバブラ容器７に、ガス流量コン
トローラ13を介して反応容器１に所定流量のトリメトキ
シホウ素を含むアルゴンガスを供給する。他方、酸素ボ
ンベ21から流量コントローラ19を介して反応容器１に所
定流量の酸素ガスを供給する。この他に、圧力調整のた
め流量コントローラ17および18を介して所定量のアルゴ
ンガスを反応容器１に供給する。反応容器１内には、サ
ファイア基材（Ｃ面）３が基材ホルダ２の上に配置され
ていて、高周波加熱コイル５により所定の温度に加熱さ
れ、導入されたバリウム、ホウ素および酸素からなる３
成分の化学気相反応によりβ−ＢaＢ2Ｏ4薄膜を基材上
に形成する。なお、バブラ容器８、９、10は使用してい
ない。以上説明したバリウム酸化物薄膜の製法を、さら
に具体的に説明する。すなわち、１０５℃のバブラ容器
６を通過した２０cc（立方センチ)／分のアルゴンガス
と、温度４０℃のＢ(ＯＣＨ3)3のバブラ容器７を通過し
た５０cc／分のアルゴンガスと、圧力調整用の２００cc
／分のアルゴンガスを反応容器１内に導く。同時に、酸
素ボンベ21から供給される２００cc／分の酸素ガスを反
応容器１内に導き、６００℃の温度に加熱された基材上
に薄膜成長を行った。なお、反応容器１内の圧力は５０
Ｔorr（ｍｍＨg）に制御した。得られた薄膜の成長速度
は、１時間当り１.４μｍであった。また、この薄膜の
表面は、良好な鏡面が形成され、オージェ元素分析によ
りこの薄膜はＢaＢ2Ｏ4であることが確認できた。ＲＨ
ＥＥＤ測定により単結晶薄膜が形成されていることが確
認できた。また、Ｘ線回折から求めた半値幅は３０分で
あった。さらに、上記の薄膜成長操作を繰り返し実施し
た。その結果を図５に示す。薄膜成長速度は、ほぼ一定
した再現性を示す良好な値であり、第２回目以降に形成
される薄膜も第１回目と同等の特性を示した。
【００２４】（比較例３）ジアリルバリウムに代えてＢ
a(dpm)2を用いて、バブラ容器６の温度を２６０℃とす
る以外は、実施例12と同様にしてβ−ＢaＢ2Ｏ4薄膜の
成長を行ったところ、成長速度は１時間当り１.２μｍ
であったが、薄膜の表面は荒れて鏡面ではなく、また結
晶性も実施例12に比較して劣っていた。また、この薄膜
成長を繰り返し実施し、成長速度を測定した。この結果
を図５に示すが、第２回目以降の成長速度は、原料化合
物自体の劣化により、急激な低下を伴い、薄膜形成の再
現性は得られなかった。
a(dpm)2を用いて、バブラ容器６の温度を２６０℃とす
る以外は、実施例12と同様にしてβ−ＢaＢ2Ｏ4薄膜の
成長を行ったところ、成長速度は１時間当り１.２μｍ
であったが、薄膜の表面は荒れて鏡面ではなく、また結
晶性も実施例12に比較して劣っていた。また、この薄膜
成長を繰り返し実施し、成長速度を測定した。この結果
を図５に示すが、第２回目以降の成長速度は、原料化合
物自体の劣化により、急激な低下を伴い、薄膜形成の再
現性は得られなかった。
【００２５】（実施例13）実施例12において使用した装
置を用いてＢaＴiＯ3薄膜の製造を行った。ここでバブ
ラ容器６には１６０℃に加熱されたジベンジルバリウム
−４，４′−ジピリジルアダクツ化合物を使用し、バブ
ラ容器７には３０℃に保温されたチタニウムテトライソ
プロポキシドを用いた。バブラ容器８、９、10は使用し
なかった。また、基材３としてＳrＴiＯ3（１１０）を
使用し、基材温度は７００℃とした。薄膜の成長速度は
１μｍ／ｈで、単結晶薄膜が得られたことが、ＲＨＥＥ
Ｄ、Ｘ線回折により確認できた。成長を繰り返し行った
場合の速度の再現性は、実施例１と同様優れていた。ま
た、酸素の代わりにオゾンまたは酸素とオゾンの混合ガ
スを用いても同様に高品質のＢaＴiＯ3薄膜を得ること
ができた。
置を用いてＢaＴiＯ3薄膜の製造を行った。ここでバブ
ラ容器６には１６０℃に加熱されたジベンジルバリウム
−４，４′−ジピリジルアダクツ化合物を使用し、バブ
ラ容器７には３０℃に保温されたチタニウムテトライソ
プロポキシドを用いた。バブラ容器８、９、10は使用し
なかった。また、基材３としてＳrＴiＯ3（１１０）を
使用し、基材温度は７００℃とした。薄膜の成長速度は
１μｍ／ｈで、単結晶薄膜が得られたことが、ＲＨＥＥ
Ｄ、Ｘ線回折により確認できた。成長を繰り返し行った
場合の速度の再現性は、実施例１と同様優れていた。ま
た、酸素の代わりにオゾンまたは酸素とオゾンの混合ガ
スを用いても同様に高品質のＢaＴiＯ3薄膜を得ること
ができた。
【００２６】（実施例14）実施例12において使用した装
置を使用してＢaＦ2薄膜の製造を行った。バブラ容器６
には１６５℃に加熱されたビス（２，６−ジフルオロベ
ンジル）バリウムを使用し、バブラ容器７、８、９、10
は使用しなかった。酸素の代わりに、フッ化水素ボンベ
11から２００cc／分のフッ化水素を供給した。基材３と
して、シリコン基材（１１１）を使用し、基材温度は４
００℃とした。薄膜の成長速度は１時間当り１.２μｍ
であり、良好な鏡面が得られた。また、Ｘ線回折の結果
２θ＝２７.７度および５０.８度に鋭いピークを示し、
高い結晶性を有していることが判明した。
置を使用してＢaＦ2薄膜の製造を行った。バブラ容器６
には１６５℃に加熱されたビス（２，６−ジフルオロベ
ンジル）バリウムを使用し、バブラ容器７、８、９、10
は使用しなかった。酸素の代わりに、フッ化水素ボンベ
11から２００cc／分のフッ化水素を供給した。基材３と
して、シリコン基材（１１１）を使用し、基材温度は４
００℃とした。薄膜の成長速度は１時間当り１.２μｍ
であり、良好な鏡面が得られた。また、Ｘ線回折の結果
２θ＝２７.７度および５０.８度に鋭いピークを示し、
高い結晶性を有していることが判明した。
【００２７】（実施例15）実施例12において使用した装
置を用いてＺr−Ｂa系フッ化物ガラス薄膜の製造を行っ
た。すなわち、バブラ容器６には１５０℃に加熱された
ビス（ペンタフルオロフェニル）バリウム−ｔｈｆアダ
クツ化合物を、バブラ容器７には５０℃に保温されたＺ
r(hfa)4化合物を、バブラ容器８には １７０℃に加熱
されたＬa(ppm)3化合物を、バブラ容器９には１７０℃
に加熱されたＮa(ppm）化合物を、バブラ容器10には６
０℃に保温されたＡl(fod)3化合物を使用した。Ａr流量
は、それぞれ２０cc／分、５０cc／分、１cc／分、２０
cc／分、１cc／分とした。フッ化水素供給量は２００cc
／分とし、Ａrガス１００cc／分を圧力調整用に供給し
た。反応容器内の圧力は、５０Ｔorrとした。基材とし
てＣaＦ2基材３を使用し、２５０℃に保温した。この条
件で３μｍ／時間の速度でフッ化物ガラス膜を得ること
ができた。膜表面は鏡面であり、またＸ線回折パターン
は幅広い非晶質ハローを示し、良好なガラス状態である
ことが確認できた。
置を用いてＺr−Ｂa系フッ化物ガラス薄膜の製造を行っ
た。すなわち、バブラ容器６には１５０℃に加熱された
ビス（ペンタフルオロフェニル）バリウム−ｔｈｆアダ
クツ化合物を、バブラ容器７には５０℃に保温されたＺ
r(hfa)4化合物を、バブラ容器８には １７０℃に加熱
されたＬa(ppm)3化合物を、バブラ容器９には１７０℃
に加熱されたＮa(ppm）化合物を、バブラ容器10には６
０℃に保温されたＡl(fod)3化合物を使用した。Ａr流量
は、それぞれ２０cc／分、５０cc／分、１cc／分、２０
cc／分、１cc／分とした。フッ化水素供給量は２００cc
／分とし、Ａrガス１００cc／分を圧力調整用に供給し
た。反応容器内の圧力は、５０Ｔorrとした。基材とし
てＣaＦ2基材３を使用し、２５０℃に保温した。この条
件で３μｍ／時間の速度でフッ化物ガラス膜を得ること
ができた。膜表面は鏡面であり、またＸ線回折パターン
は幅広い非晶質ハローを示し、良好なガラス状態である
ことが確認できた。
【００２８】（実施例１６）実施例７において使用した
装置を用いて、β−ＢａＢ2Ｏ4薄膜の製造を行った。こ
こで、バブラ容器６には２２０℃に加熱されたビス（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）バリウムを使用し、
バブラ容器７には１５０℃に加熱されたビス（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）バリウム−ｔｈｆアダクツ
化合物を使用し、バブラ容器８には５０℃に保温された
トリエトキシホウ素を用いた。バブラ容器９、１０は使
用していない。また、基材３として、サファイア（Ｃ
面）を使用し、基材温度を６００℃とした他は、実施例
７と同様にして薄膜の形成を行った。薄膜の成長速度は
１μｍ／ｈであり、単結晶薄膜が得られたことが、ＲＨ
ＥＥＤ、Ｘ線回折により確認できた。成長を繰り返し行
った場合の速度の再現性は、実施例７と同様にすぐれて
いた。また、酸素の代わりにオゾンまたは酸素とオゾン
の混合ガスを用いても同様に高品質なβ−ＢａＢ2Ｏ4薄
膜を得ることができた。
装置を用いて、β−ＢａＢ2Ｏ4薄膜の製造を行った。こ
こで、バブラ容器６には２２０℃に加熱されたビス（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）バリウムを使用し、
バブラ容器７には１５０℃に加熱されたビス（ペンタメ
チルシクロペンタジエニル）バリウム−ｔｈｆアダクツ
化合物を使用し、バブラ容器８には５０℃に保温された
トリエトキシホウ素を用いた。バブラ容器９、１０は使
用していない。また、基材３として、サファイア（Ｃ
面）を使用し、基材温度を６００℃とした他は、実施例
７と同様にして薄膜の形成を行った。薄膜の成長速度は
１μｍ／ｈであり、単結晶薄膜が得られたことが、ＲＨ
ＥＥＤ、Ｘ線回折により確認できた。成長を繰り返し行
った場合の速度の再現性は、実施例７と同様にすぐれて
いた。また、酸素の代わりにオゾンまたは酸素とオゾン
の混合ガスを用いても同様に高品質なβ−ＢａＢ2Ｏ4薄
膜を得ることができた。
【００２９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の酸
化物超伝導体薄膜などの各種のバリウム化合物薄膜の製
造方法によれば、バリウム元素源として、気化性、熱安
定性および薄膜形成の再現性のよい特定の有機バリウム
化合物を使用しているため、成長再現性がよく、高品質
なバリウム化合物薄膜が得られる。
化物超伝導体薄膜などの各種のバリウム化合物薄膜の製
造方法によれば、バリウム元素源として、気化性、熱安
定性および薄膜形成の再現性のよい特定の有機バリウム
化合物を使用しているため、成長再現性がよく、高品質
なバリウム化合物薄膜が得られる。
【図１】本発明の実施例１において用いたバリウム化合
物薄膜の製造装置の構成の一例を示す模式図。
物薄膜の製造装置の構成の一例を示す模式図。
【図２】本発明の実施例５において用いたバリウム化合
物薄膜の製造装置の構成の一例を示す模式図。
物薄膜の製造装置の構成の一例を示す模式図。
【図３】本発明の実施例７において用いたバリウム化合
物薄膜の製造装置の構成の一例を示す模式図。
物薄膜の製造装置の構成の一例を示す模式図。
【図４】実施例７および比較例２の薄膜形成における加
熱回数と薄膜成長速度の関係を示すグラフ。
熱回数と薄膜成長速度の関係を示すグラフ。
【図５】実施例12および比較例３の薄膜形成における加
熱回数と薄膜成長速度の関係を示すグラフ。
熱回数と薄膜成長速度の関係を示すグラフ。
１…反応容器
２…基材ホルダ
３…基材
４…熱電対
５…高周波加熱コイル
６、７、８、９、10…バブラ容器
11…フッ化水素ボンベ
12、13、14、15、16、17、18、19…ガス流量コントロー
ラ 20…キャリヤガス 21…酸素ボンベ 22…オゾン発生器（または酸素ボンベ）
ラ 20…キャリヤガス 21…酸素ボンベ 22…オゾン発生器（または酸素ボンベ）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｂ 8728−4Ｍ
// Ｈ０１Ｂ 12/06 ＺＡＡ 8936−5Ｇ
Claims (7)
- 【請求項１】気相反応容器内に所定の基材を設置し、バ
リウムを含む化合物、その他の薄膜構成元素を含む化合
物、および反応性ガスを気相で導入して、化学気相成長
法により上記基材上にバリウム元素を含む薄膜を製造す
る方法において、上記バリウム元素を含む化合物とし
て、一般式 ＢaＲ2 （式中、Ｒはアルケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベ
ンジル基、置換シクロペンタジエニル基のうちの少なく
とも１種を表わす。）で示されるバリウム化合物を用い
ることを特徴とするバリウム化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、バリウム以外の薄膜構
成元素を含む化合物が、少なくともイットリウム元素お
よび銅元素を含む化合物を用いて、イットリウム系の超
伝導体薄膜を形成することを特徴とするバリウム化合物
薄膜の製造方法。 - 【請求項３】請求項１において、バリウム以外の薄膜構
成元素を含む化合物が、少なくともランタン元素および
銅元素を含む化合物を用いて、ランタン系の超伝導体薄
膜を形成することを特徴とするバリウム化合物薄膜の製
造方法。 - 【請求項４】請求項１において、バリウム以外の薄膜構
成元素を含む化合物が、少なくともタリウム元素、カル
シウム元素および銅元素を含む化合物を用いて、タリウ
ム系の超伝導体薄膜を形成することを特徴とするバリウ
ム化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項５】高周波加熱コイルを備えた気相反応容器内
に所定の基材を設置し、酸化物超伝導体薄膜の構成元素
を含む化合物を、以下に示す（１）〜（４）の組み合わ
せで用い、 （１）ジアリルバリウムと、トリスジピバリルメタナト
イットリウムと、ビスジピバリルメタナト銅。 （２）ジプロペニルバリウムまたはビス（２−メチルプ
ロペニル）バリウムもしくはジイソプロペニルバリウム
と、トリスジピバリルメタナトイットリウムと、ビスジ
ピバリルメタナト銅。 （３）ビス（２−フルオロベンジル）バリウムと、トリ
メチルタリウムと、ビスジピバリルメタナトカルシウム
と、ビスジピバリルメタナト銅。 （４）ビス（２，６−ジフルオロベンジル）バリウム
と、トリシクロペンタジエニルランタンと、ビスジピバ
リルメタナト銅。 上記それぞれの化合物を単独のバブラ容器に封入して設
定の温度に保持し、アルゴンガスをキャリヤガスとして
上記バブラ容器に導入することにより、それぞれの化合
物を所定量含むアルゴンガスを、並列に上記反応容器に
導入する手段と、所定量の酸素またはオゾンもしくはこ
れらの混合ガスを上記反応容器に導入する手段とによっ
て、上記反応容器内の基材上に超伝導体薄膜構成元素を
含む気体を導入し、気相化学反応により上記基材上に、
イットリウム系、ランタン系もしくはタリウム系の超伝
導体薄膜を形成することを特徴とするバリウム化合物薄
膜の製造方法。 - 【請求項６】気相反応容器中に所定の基材を設置し、バ
リウムを含む化合物、その他の薄膜構成元素を含む化合
物、および反応性ガス、もしくは上記の化合物と、その
他の成分を含む化合物を気相で導入して、化学気相成長
法により上記基材上にバリウム元素を含む薄膜を製造す
る方法において、上記バリウムを含む化合物として、一
般式 ＢaＲ2 （式中、Ｒは置換シクロペンタジエニル基を表わす。）
で示されるバリウム化合物、もしくは該バリウム化合物
と酸素含有化合物または窒素含有化合物とのアダクツ化
合物、もしくは上記バリウム化合物と上記アダクツ化合
物を用いることを特徴とするバリウム化合物薄膜の製造
方法。 - 【請求項７】気相反応容器中に所定の基材を設置し、バ
リウムを含む化合物、その他の薄膜構成元素を含む化合
物および反応性ガス、もしくは上記の化合物と、その他
の成分を含む化合物を気相で導入して、化学気相成長法
により上記基材上にバリウム元素を含む薄膜を製造する
方法において、上記バリウムを含む化合物として、一般
式 ＢaＲ2 （式中、Ｒはアルケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベ
ンジル基のうちの少なくとも１種を表わす。）で示され
るバリウム化合物、もしくは該バリウム化合物と酸素含
有化合物または窒素含有化合物とのアダクツ化合物、も
しくは上記バリウム化合物と上記アダクツ化合物を用い
ることを特徴とするバリウム化合物薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221721A JPH0517142A (ja) | 1990-09-07 | 1991-09-02 | バリウム化合物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-235699 | 1990-09-07 | ||
| JP23569990 | 1990-09-07 | ||
| JP3221721A JPH0517142A (ja) | 1990-09-07 | 1991-09-02 | バリウム化合物薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517142A true JPH0517142A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=26524457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3221721A Pending JPH0517142A (ja) | 1990-09-07 | 1991-09-02 | バリウム化合物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517142A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984591B1 (en) | 2000-04-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Precursor source mixtures |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP3221721A patent/JPH0517142A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984591B1 (en) | 2000-04-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Precursor source mixtures |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6208453B1 (en) | Oriented niobate ferroelectric thin films for electrical and optical devices | |
| EP0630424B1 (en) | Ferroelectric thin films made by metalorganic chemical vapor deposition | |
| Zaldo et al. | Growth of KNbO3 thin films on MgO by pulsed laser deposition | |
| KR100343822B1 (ko) | 화학적증착법에유용한탄탈륨및니오븀시약,및상기시약을이용하여피막을침착하는방법 | |
| US5128316A (en) | Articles containing a cubic perovskite crystal structure | |
| Sakamoto et al. | Synthesis of strontium barium niobate thin films through metal alkoxide | |
| Feigelson | Epitaxial growth of lithium niobate thin films by the solid source MOCVD method | |
| Studebaker et al. | Second harmonic generation from beta barium borate (β-BaB 2 O 4) thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition | |
| US5948322A (en) | Source reagents for MOCVD formation of non-linear optically active metal borate films and optically active metal borate films formed therefrom | |
| US5852703A (en) | Ferroelectric thin film element and production method thereof | |
| JPH0517142A (ja) | バリウム化合物薄膜の製造方法 | |
| JP4399059B2 (ja) | 薄膜構造体 | |
| Sakamoto et al. | Chemical Processing of Potassium‐Substituted Strontium Barium Niobate Thin Films through Metallo‐organics | |
| Zhu et al. | Pulsed laser deposition of optical waveguiding strontium barium niobate films | |
| Wang et al. | Effect of the Pb/Ti Source Ratio on the Crystallization of PbTiO3 Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition at Low Temperature of 400oC | |
| Onoe et al. | Epitaxial growth of orientation-controlled KNbO 3 crystal films on MgO using KTa x Nb 1− x O 3 intermediate layer by metalorganic chemical vapor deposition | |
| JPH05136063A (ja) | バリウム化合物およびそれを用いた薄膜の製造法 | |
| Hirano et al. | Chemical processing of ferroelectric niobates epitaxial films | |
| JPH04260640A (ja) | バリウム化合物薄膜の製造方法 | |
| JPH0565647A (ja) | バリウム化合物薄膜の製造方法 | |
| EP0574807A1 (en) | Chemical vapor deposition of metal oxide films | |
| JPH0559553A (ja) | バリウム化合物薄膜の製造方法 | |
| JPH03174304A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| Zhang et al. | Preparation and characterization of nanocrystalline potassium lithium niobate powders and films | |
| JPH05208818A (ja) | バリウム化合物薄膜の製造方法 |