JPH0516540B2 - - Google Patents

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JPH0516540B2
JPH0516540B2 JP59202633A JP20263384A JPH0516540B2 JP H0516540 B2 JPH0516540 B2 JP H0516540B2 JP 59202633 A JP59202633 A JP 59202633A JP 20263384 A JP20263384 A JP 20263384A JP H0516540 B2 JPH0516540 B2 JP H0516540B2
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JP
Japan
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temperature
stagnation
eutectic
section
data
Prior art date
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JPS6179148A (en
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Masakazu Kitabayashi
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NAKAYAMA KK
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Publication date
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Publication of JPS6179148A publication Critical patent/JPS6179148A/en
Publication of JPH0516540B2 publication Critical patent/JPH0516540B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N25/00Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
    • G01N25/02Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating changes of state or changes of phase; by investigating sintering
    • G01N25/04Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating changes of state or changes of phase; by investigating sintering of melting point; of freezing point; of softening point

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  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、鋳鉄溶湯の炭素含有率、ケイ素含有
率、炭素当量を精度よく求めるために使用され、
鋳鉄溶湯の冷却曲線から精度よく初期温度、共晶
温度を検出できる熱分析装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is used to accurately determine the carbon content, silicon content, and carbon equivalent of molten cast iron.
This invention relates to a thermal analysis device that can accurately detect the initial temperature and eutectic temperature from the cooling curve of molten cast iron.

[従来の技術] 従来、鋳鉄溶湯の炭素含有率、ケイ素含有率、
炭素当量を求める熱分析装置として、各種の鋳鉄
溶湯の冷却曲線から得られる初晶温度及び共晶温
度と成分元素との相関関係を重回帰分析法により
予め求め、試料の溶湯の冷却曲線から得られた初
晶温度及び共晶温度から成分元素含有率、炭素当
量を求める熱分析装置が知られている。しかし、
従来の熱分析装置は、所定の温度範囲に所定時
間、冷却曲線上の温度が停滞した場合にその温度
を初晶温度又は共晶温度として判別していた。し
かし、この方法を利用した装置では初晶温度、共
晶温度の検出精度を向上させるためには設定温度
幅をできる限り狭くする必要があり、設定温度幅
が狭くすれば、それだけ停滞時間の判定条件を短
くしなければ停滞点を検出することができない。
従つて、未だ充分な精度で初晶共晶温度を検出す
ることができなかつた。
[Conventional technology] Conventionally, the carbon content, silicon content,
As a thermal analysis device for determining carbon equivalent, the correlation between the primary crystal temperature and eutectic temperature obtained from the cooling curves of various molten cast irons and the component elements is determined in advance by multiple regression analysis method, A thermal analysis device is known that determines the component element content and carbon equivalent from the primary crystal temperature and eutectic temperature obtained. but,
Conventional thermal analyzers determine that when the temperature on the cooling curve stagnates within a predetermined temperature range for a predetermined time, the temperature is determined to be the primary crystal temperature or the eutectic temperature. However, in order to improve the detection accuracy of primary crystal temperature and eutectic temperature in devices using this method, it is necessary to make the set temperature range as narrow as possible. Unless the conditions are shortened, the stagnation point cannot be detected.
Therefore, it has not yet been possible to detect the primary eutectic temperature with sufficient accuracy.

[発明の解決しようとする問題点] 本発明は、従来のこのような欠点を改良するた
めに成されたものであり、高速度で精度よく鋳鉄
溶湯の初晶温度及び共晶温度を検出することを目
的とする。
[Problems to be Solved by the Invention] The present invention has been made to improve these conventional drawbacks, and is an object of the present invention to detect the primary crystal temperature and eutectic temperature of molten cast iron at high speed and with high precision. The purpose is to

[問題点を解決するための手段及び作用] 第1図は本発明の概念を示したブロツクダイヤ
グラムである。
[Means and effects for solving the problems] FIG. 1 is a block diagram showing the concept of the present invention.

本発明の鋳鉄溶湯の熱分析装置は、溶湯の冷却
過程における温度を時系列的に測定する測温装置
10と、前記測温装置からの信号を入力してデー
タを解析し、所定の処理の後、出力装置に信号を
出力するデータ解析装置20と、該データ解析装
置からの信号を入力し、その信号によつて表示を
行う出力装置30とから成る装置であつて、 前記データ解析装置20は、 前記測温装置から出力される温度データが、予
め設定された初晶温度存在範囲にあることを検出
する初晶温度範囲判定部21と、 前記温度データが、予め設定された共晶温度存
在範囲にあることを検出する共晶温度範囲判定部
22と、 所定のサンプリング期間毎に入力される温度デ
ータの今回値と前回時との差が所定の第一の温度
低下率以下の場合に前記今回値と前記前回時との
間の期間を温度の停滞区間として検出する停滞区
間検出部23と、 前記初晶温度範囲判定部によつて検出された区
間であつて前記停滞区間が複数のサンプリング期
間にわたつて継続して生じた場合に、前記継続す
る停滞区間内の代表温度を初晶温度とする初晶温
度検出部24と、 前記共晶温度範囲判定部によつて検出された区
間であつて前記停滞区間が複数のサンプリング期
間にわたつて継続して生じ、かつ、前記継続する
停滞区間内における二サンプリング時点間の温度
傾斜が前記第一の温度低下率より小さい第二の温
度低下率以下であるときに前記二サンプリング時
点間の代表温度を共晶温度とする共晶温度検出部
25とからなることを特徴としている。
The thermal analysis device for molten cast iron of the present invention includes a temperature measuring device 10 that measures the temperature of the molten metal in time series during the cooling process, and a temperature measuring device 10 that inputs signals from the temperature measuring device, analyzes the data, and performs predetermined processing. A data analysis device 20 that outputs a signal to an output device, and an output device 30 that receives a signal from the data analysis device and displays the signal based on the signal, the data analysis device 20 includes: a primary crystal temperature range determination unit 21 that detects that the temperature data output from the temperature measuring device is within a preset primary crystal temperature existence range; a eutectic temperature range determination unit 22 that detects that the temperature is within the existing range; a stagnation area detection unit 23 that detects a period between the current value and the previous time as a stagnation area of temperature; and a stagnation area detected by the primary temperature range determination unit, where the stagnation area is a plurality of temperature stagnation areas. The section detected by the primary crystal temperature detection section 24 which takes the representative temperature in the continuous stagnation section as the primary crystal temperature when it occurs continuously over the sampling period, and the eutectic temperature range judgment section. a second temperature decrease in which the stagnation zone occurs continuously over a plurality of sampling periods, and the temperature gradient between two sampling points within the continuous stagnation zone is smaller than the first temperature decrease rate; and a eutectic temperature detection section 25 which determines the representative temperature between the two sampling times as the eutectic temperature when the temperature is less than or equal to the eutectic temperature.

初晶温度範囲判定部21は予め多数の試料につ
いて測定された初晶温度が存在する上限及び下限
の温度範囲を設定し、測定された温度データがこ
の設定された初晶温度範囲にあることを判定す
る。また、共晶温度範囲判定部22は、同じよう
に共晶温度の存在し得る温度の上限及び下限値を
設定し、測定されたデータがこの共晶温度範囲に
存在するか否涙を判定する。
The primary crystal temperature range determining unit 21 sets in advance upper and lower temperature ranges in which primary crystal temperatures measured for a large number of samples exist, and determines that the measured temperature data is within the set primary crystal temperature range. judge. In addition, the eutectic temperature range determining unit 22 similarly sets the upper and lower limits of the temperature at which the eutectic temperature can exist, and determines whether or not the measured data exists within this eutectic temperature range. .

鋳鉄溶湯の冷却曲線において、初晶温度及び共
晶温度を特徴付けるのは、冷却曲線における温度
の変化率である。即ち初晶温度又は共晶温度は、
結晶の物理化学的性質から冷却曲線の温度勾配が
小さくなる範囲に存在する。本発明では、任意の
温度データ点での温度勾配が所定の第一の温度低
下率より小さい範囲内にある場合に、その温度点
の存在する範囲が停滞区間として検出している。
In the cooling curve of molten cast iron, what characterizes the primary crystal temperature and the eutectic temperature is the rate of change in temperature in the cooling curve. That is, the primary crystal temperature or eutectic temperature is
It exists in a range where the temperature gradient of the cooling curve is small due to the physicochemical properties of the crystal. In the present invention, when the temperature gradient at any temperature data point is within a range smaller than a predetermined first temperature decrease rate, the range where that temperature point exists is detected as a stagnation area.

初晶温度は初晶温度範囲判定部によつて検出さ
れた温度区間内にあり、停滞区間検出部によつて
検出された停滞区間が所定サンプリング数継続し
て生じた時に、その停滞区間の代表点で表わされ
る。この代表点としては、停滞区間の始まり又は
終りの温度、あるいはその温度の平均値を用いれ
ばよい。
The primary crystal temperature is within the temperature range detected by the primary crystal temperature range determination section, and when the stagnation section detected by the stagnation section detection section occurs for a predetermined number of consecutive samples, the representative of the stagnation section is determined. Represented by points. As this representative point, the temperature at the beginning or end of the stagnation section, or the average value of the temperatures may be used.

共晶温度の検出は、共晶温度範囲判定部によつ
て検出された区間であつて、その区間内に停滞区
間検出部によつて検出された停滞区間が存在し、
その停滞区間長が複数サンプリング数以上であ
り、しかもその停滞区間における所定サンプリン
グ数離れた2点間の温度傾斜が第一の温度低下率
より小さい第二の温度低下率以下であるときに、
その2点間の代表点の温度を共晶温度とするもの
である。このように共晶温度の検出には、単に微
分傾斜法より求められた停滞区間のみによつて判
定するのではなく、その停滞区間のマクロ的な曲
線の傾きが所定値以下である場合に、その連続す
る停滞区間内の第二の温度低下率以下の停滞区間
における代表点の温度を共晶温度とするものであ
る。区間の代表点としては、たとえば前記2点の
うち一方、又は、その2点温度の平均値を与える
点が選択される。
The detection of the eutectic temperature is performed in an area detected by the eutectic temperature range determination unit, within which there is a stagnation area detected by the stagnation area detection unit,
When the length of the stagnation section is greater than or equal to a plurality of sampling numbers, and the temperature gradient between two points separated by a predetermined number of samples in the stagnation section is equal to or less than a second temperature reduction rate that is smaller than the first temperature reduction rate,
The temperature at the representative point between the two points is defined as the eutectic temperature. In this way, the eutectic temperature is detected not only by the stagnation section determined by the differential slope method, but also by determining when the slope of the macroscopic curve in the stagnation section is less than a predetermined value. The temperature at a representative point in the stagnation section where the rate of temperature decrease is less than or equal to the second temperature decrease rate within the continuous stagnation section is defined as the eutectic temperature. As the representative point of the section, for example, one of the two points or a point that gives the average value of the temperatures of the two points is selected.

[実施例] 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて詳し
く述べる。第2図は本発明装置の具体的な1実施
例に係る測定装置の構成を示したブロツクダイア
グラムである。2は溶湯の一部を取り出してその
冷却曲線を測定するためのカツプである。そのカ
ツプ2の底部にはアルメル−クロメルから成る熱
電対4が設けられ、熱電対4によつて発生された
電力は導線を介して温度計6に入力する。温度計
6はアナログ量の起電力を0.4秒毎にサンプリン
グし、デジタル信号に変換し、2進化10進数
(BCD)で表わされた符号化コードとしてパラレ
ル/シリアル変換器に出力する。パラレル/シリ
アル変換器8は、BCDデータをシリアルデータ
に変換し、マイクロコンピユータ10のシリアル
データ入力ポートに出力する。マイクロコンピユ
ータ10には所定の測定結果を出力するプリンタ
12及びCRT16が接続され、所定のプログラ
ムを記憶したフロツピイデイスク装置14が接続
されている。
[Examples] Hereinafter, the present invention will be described in detail based on specific examples. FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a measuring device according to a specific embodiment of the present invention. 2 is a cup for taking out a portion of the molten metal and measuring its cooling curve. A thermocouple 4 made of alumel-chromel is provided at the bottom of the cup 2, and the power generated by the thermocouple 4 is inputted to a thermometer 6 via a conductor. The thermometer 6 samples the analog electromotive force every 0.4 seconds, converts it into a digital signal, and outputs it to the parallel/serial converter as an encoded code expressed in binary coded decimal (BCD). The parallel/serial converter 8 converts the BCD data into serial data and outputs it to the serial data input port of the microcomputer 10. A printer 12 and a CRT 16 for outputting predetermined measurement results are connected to the microcomputer 10, and a floppy disk device 14 storing a predetermined program is connected thereto.

第3図は本発明装置に使用されたマイクロコン
ピユータ10の処理する過程を示したフローチヤ
ートである。ステツプ100は、各種のパラメータ
の初期値を設定するためのステツプである。ステ
ツプ102ではCRT16に測定された温度データを表
示するためのグラフの軸を表示する。ステツプ
104では温度計6から温度データを読み取る。ス
テツプ106でその測定された温度データが所定の
温度以上に達した時にはカツプ2に溶湯が注湯さ
れたとして測定が開始される。所定の温度以下の
場合には、カツプ2に未だ溶湯が注湯されてない
のでステツプ104へ戻る。
FIG. 3 is a flowchart showing the processing steps of the microcomputer 10 used in the apparatus of the present invention. Step 100 is a step for setting initial values of various parameters. In step 102, the axes of a graph for displaying the temperature data measured on the CRT 16 are displayed. step
At 104, temperature data is read from the thermometer 6. When the measured temperature data reaches a predetermined temperature or higher in step 106, it is assumed that molten metal has been poured into the cup 2, and measurement is started. If the temperature is below the predetermined temperature, the process returns to step 104 since molten metal has not yet been poured into the cup 2.

ステツプ108で測定データのサンプリング番号
を記憶するパラメータIを1更新する。ステツプ
110で温度データを読み取る。次にステツプ112で
その冷却曲線の測定が終了したかを判定する。冷
却曲線の測定の終了判定条件は、測定回数が所定
回数以上になること、又は測定温度が所定温度以
下になることとしている。ステツプ114で測定さ
れた温度データをCRT16に表示する。即ち温
度データは測温とリアルタイムでCRT16に表
示される。次にステツプ116で冷却曲線の最高温
度を検出する。冷却曲線はカツプ2に注湯された
後、最高温度迄急上昇し、その後冷却過程をたど
る。従つてその温度変化を検出することにより、
最高温度を検出することができる。ステツプ118
で最高温度が検出されない場合にはステツプ108
に戻り、そのサイクルを繰り返す。最高温度が検
出された場合にはステツプ120へ移行する。
At step 108, the parameter I that stores the sampling number of the measurement data is updated by 1. step
Read temperature data at 110. Next, in step 112, it is determined whether the measurement of the cooling curve has been completed. The conditions for determining the end of the measurement of the cooling curve are that the number of measurements is greater than or equal to a predetermined number of times, or that the measured temperature is less than or equal to a predetermined temperature. The temperature data measured in step 114 is displayed on the CRT 16. That is, temperature data is measured and displayed on the CRT 16 in real time. Next, in step 116, the maximum temperature of the cooling curve is detected. The cooling curve shows that after pouring into cup 2, the temperature rises rapidly to the maximum temperature, and then the cooling process continues. Therefore, by detecting the temperature change,
Maximum temperature can be detected. step 118
If the maximum temperature is not detected in step 108
Go back and repeat the cycle. If the maximum temperature is detected, the process moves to step 120.

ステツプ120では2点間の温度差ΔTを求める。
次にステツプ122に移行し、初晶温度の検出が完
了したかを判定し、そうでない場合にはステツプ
124に移行する。ステツプ124では初晶温度の存在
範囲を判定する。判定条件は次式である。
In step 120, the temperature difference ΔT between the two points is determined.
Next, the process moves to step 122, where it is determined whether the detection of the primary crystal temperature has been completed, and if not, the process proceeds to step 122.
Move to 124. In step 124, the range in which the primary crystal temperature exists is determined. The judgment condition is the following equation.

2070〓<T<2300〓 測定温度Tが、初晶温度範囲に存在する場合に
はステツプ140に移行する。
2070〓<T<2300〓 If the measured temperature T is within the primary crystal temperature range, the process moves to step 140.

ステツプ140、142、144は停滞区間を検出する
停滞区間検出部に相当する。ステツプ140でΔT
が1よりも小さい時、即ち温度傾斜が±2.5〓/
secの範囲(本発明でいう第一の温度低下率以下
の範囲)に存在している時に、停滞区間とする。
即ちステツプ142で停滞区間のサンプリング点の
数をカウントし停滞区間の検出を行なう。上記条
件が滞されない場合には、ステツプ144でサンプ
リング点を計数するためのレジスタをリセツトし
て、次の停滞区間が検出されるのに備える。
Steps 140, 142, and 144 correspond to a stagnation section detection section that detects stagnation sections. ΔT at step 140
is smaller than 1, that is, the temperature gradient is ±2.5〓/
sec range (range below the first temperature decrease rate in the present invention), it is defined as a stagnation zone.
That is, in step 142, the number of sampling points in the stagnation section is counted to detect the stagnation section. If the above conditions are not met, a register for counting sampling points is reset in step 144 in preparation for the detection of the next stall interval.

ステツプ144、146は、停滞区間検出部によつて
検出された停滞区間の停滞点の数が7以上の場合
には初晶温度とする初晶温度検出部に相当する。
ステツプ146で停滞点の数が7以上の場合には、
その区間の平均温度を初晶温度TLとして検出す
る。
Steps 144 and 146 correspond to a primary crystal temperature detection section which determines the primary crystal temperature when the number of stagnation points in the stagnation section detected by the stagnation section detection section is seven or more.
If the number of stagnation points is 7 or more in step 146,
The average temperature in that section is detected as the primary crystal temperature TL.

ステツプ148では、CRTに初晶温度TLを表示
する。以上の処理過程によつて初晶温度が検出さ
れたことになる。
In step 148, the primary crystal temperature TL is displayed on the CRT. The primary crystal temperature was detected through the above processing steps.

次に共晶温度の検出過程について述べる。次に
更に冷却が進行して、ステツプ128で、共晶温度
存在範囲に測定温度データが存在した場合には、
ステツプ170に移行する。この共晶温度範囲判定
部の判定条件は次式である。
Next, the process of detecting the eutectic temperature will be described. Next, cooling progresses further and in step 128, if the measured temperature data exists within the eutectic temperature range,
Move to step 170. The determination conditions of this eutectic temperature range determination section are as follows.

2028〓<T<2070〓 ステツプ170、172、174は前述したのと同一の
機能を有する停滞区間検出部である。
2028〓<T<2070〓 Steps 170, 172, and 174 are stagnation section detection units having the same functions as those described above.

ステツプ176、178、180は、共晶温度検出部で
あるステツプ176で停滞区間に存在する停滞点の
数が20以上の場合、即ち停滞時間が8秒以上の場
合にはステツプ178に移行する。ステツプ178で、
2サンプリング数離れた2点間の温度差が1〓以
下(本発明でいう第二の温度低下率以下)である
かを判定し、その条件が満された時は、ステツプ
180で、後のサンプリング点の温度を共晶温度と
して検出する。そしてステツプ182でCRTに共晶
温度TEを表示する。
Steps 176, 178, and 180 proceed to step 178 if the number of stagnation points existing in the stagnation section is 20 or more in step 176, which is the eutectic temperature detection section, that is, if the stagnation time is 8 seconds or more. In step 178,
It is determined whether the temperature difference between two points separated by two sampling numbers is 1〓 or less (lower than the second temperature decrease rate in the present invention), and when the condition is met, the step
At 180, the temperature at the later sampling point is detected as the eutectic temperature. Then, in step 182, the eutectic temperature TE is displayed on the CRT.

以上のステツプにより、冷却曲線が典型的な場
合には初晶温度TLと共晶温度TEが検出されてス
テツプ112で測定終了と判定される。
Through the above steps, if the cooling curve is typical, the primary crystal temperature TL and the eutectic temperature TE are detected, and it is determined in step 112 that the measurement is complete.

一方、冷却曲線が典型的でない場合には、例え
ばステツプ126で初晶温度が検出されていない場
合には、ステツプ127でパラメータAを1にセツ
トする。又、初晶温度は検出されたけれども、共
晶温度が検出されていない場合には、ステツプ
130でパラメータAを2にセツトする。
On the other hand, if the cooling curve is not typical, for example if no primary crystal temperature is detected in step 126, then parameter A is set to 1 in step 127. Also, if the primary crystal temperature is detected but the eutectic temperature is not detected, the step
At 130, parameter A is set to 2.

冷却曲線の測定が終了した場合には、ステツプ
190に移行する。パラメータAが0の場合には初
晶温度及び共晶温度が検出された場合であり、ス
テツプ206に移行して、ケイ素含有率、炭素含有
率及び炭素当量を計算して、それらの値をステツ
プ208で表示する。また、ステツプ210でプロツタ
に冷却曲線並びに初晶温度、共晶温度炭素含有
率、ケイ素含有率、炭素当量等を出力する。その
出力図を第5図に示す。
When the cooling curve measurement is completed, proceed to the step
Move to 190. If the parameter A is 0, this means that the primary crystal temperature and the eutectic temperature have been detected, and the process moves to step 206 to calculate the silicon content, carbon content, and carbon equivalent, and calculate these values. Display in 208. Further, in step 210, the cooling curve, primary crystal temperature, eutectic temperature, carbon content, silicon content, carbon equivalent, etc. are output to the plotter. The output diagram is shown in FIG.

一方、ステツプ192でパラメータAが1である
と判定された場合には、ステツプ194に移行する。
即ち初晶温度が検出されなかつた場合である。そ
の場合にはステツプ194で最終の測定点から最高
温度迄逆にさかのぼり、その範囲内で最長の停滞
区間を求め、その停滞区間の停滞点数を求める。
この停滞区間を求める条件は前述の停滞区間検出
部の条件と同じである。ステツプ196で停滞点の
数が27以上の場合には、ステツプ198へ移行し、
その停滞区間の代表点を共晶温度とする。さらに
ステツプ200に移行して最高温度と今求められた
共晶温度との間で最長の停滞区間をさらに求め、
その停滞区間に存在する停滞点の数を求める。ス
テツプ202でその停滞点数が5以上の場合にはス
テツプ204に移行して初晶温度TLを求める。この
ようにして前述した初晶判定条件及び共晶判定条
件では初晶温度、共晶温度が検出されなかつた場
合に、さらに別の、やや緩和された判定条件で共
晶温度及び初晶温度を検出している。
On the other hand, if it is determined in step 192 that parameter A is 1, the process moves to step 194.
That is, this is a case where the primary crystal temperature is not detected. In this case, in step 194, trace back from the final measurement point to the highest temperature, find the longest stagnation section within that range, and find the number of stagnation points in that stagnation section.
The conditions for determining this stagnation section are the same as the conditions for the stagnation section detection section described above. If the number of stagnation points is 27 or more at step 196, move to step 198,
Let the representative point of the stagnation zone be the eutectic temperature. Next, proceed to step 200 to further find the longest stagnation interval between the maximum temperature and the eutectic temperature just found.
Find the number of stagnation points that exist in that stagnation section. If the number of stagnation points is 5 or more in step 202, the process moves to step 204 to obtain the primary crystal temperature TL. In this way, when the primary crystal temperature and the eutectic temperature are not detected under the above-mentioned primary crystal determination conditions and eutectic determination conditions, the eutectic temperature and the primary crystal temperature are determined using another, somewhat relaxed, determination condition. Detected.

また、ステツプ220でAの値が2の場合には、
初晶温度は検出されたが共晶温度が検出されない
場合である。その場合にはステツプ222に移り、
ステツプ194と同じ処理が行なわれる。ステツプ
224で停滞点の数が27以上の場合にはステツプ226
でその停滞区間の平均温度を共晶温度として検出
する。この様に、本実施例では、本発明装置によ
る検出方法の他に、他の条件による検出方法を付
加し、初晶、共晶温度の検出を確実にしている。
Also, if the value of A is 2 in step 220,
This is a case where the primary crystal temperature is detected but the eutectic temperature is not detected. In that case, proceed to step 222.
The same processing as step 194 is performed. step
224 and the number of stagnation points is 27 or more, step 226
The average temperature in the stagnation zone is detected as the eutectic temperature. In this way, in this embodiment, in addition to the detection method using the device of the present invention, a detection method based on other conditions is added to ensure the detection of primary crystal and eutectic temperatures.

[発明の効果] 本発明は、冷却曲線の隣接した2点間における
温度の傾斜が所定の範囲以下である場合に、その
範囲を温度の停滞区間としている。又、初晶温度
の存在範囲、共晶温度の存在範囲を予め設定して
いる。初晶と共晶判定条件の1つである停滞時間
は、異なつている。更に共晶温度は、温度低下率
が第一の温度低下率より小さい停滞区間が複数サ
ンプリング期間継続して出現する場合にのみ、こ
の停滞区間内における第一の温度低下率より小さ
い第二の温度低下率以下の温度低下率が出現する
停滞区間内の代表温度を共晶温度として検出する
ので、たとえあるサンプリング期間の今回値と前
回値との差がなんらかの外乱で第二の温度低下率
より小さくなつても、このサンプリング期間を含
む前後の複数のサンプリング期間が継続して第一
の温度低下率以下の温度低下率となる確率は小さ
いので、このような測定エラーを排除することが
可能となり、共晶温度を高精度に検出できる。こ
のような条件を用いることによつて精度よく初晶
温度共晶温度が検出できた。又、本発明装置は、
上記の検出を自動化しているので、確実、高速
に、初晶、共晶温度を検出できる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, when the temperature gradient between two adjacent points on a cooling curve is below a predetermined range, that range is defined as a temperature stagnation zone. Furthermore, the range in which the primary crystal temperature exists and the range in which the eutectic temperature exists are set in advance. The stagnation time, which is one of the conditions for determining primary crystals and eutectics, is different. Further, the eutectic temperature is determined only when a stagnation area where the temperature reduction rate is smaller than the first temperature reduction rate continuously appears for multiple sampling periods, and a second temperature smaller than the first temperature reduction rate within this stagnation area. Since the representative temperature within the stagnation zone where the temperature decrease rate below the decrease rate appears is detected as the eutectic temperature, even if the difference between the current value and the previous value in a certain sampling period is smaller than the second temperature decrease rate due to some disturbance. Even so, the probability that multiple sampling periods before and after this sampling period will continue to have a temperature reduction rate equal to or lower than the first temperature reduction rate is small, so it is possible to eliminate such measurement errors. The eutectic temperature can be detected with high accuracy. By using such conditions, the primary crystal temperature and eutectic temperature could be detected with high accuracy. Moreover, the device of the present invention has the following features:
Since the above detection is automated, primary crystal and eutectic temperatures can be detected reliably and quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明装置の概念を示したブロツクダ
イアグラムである。第2図は本発明の具体的な1
実施例の熱分析装置の構成を示したブロツクダイ
アグラムである。第3図、第4図は同実施例装置
において使用されたマイクロコンピユータの処理
を示すフローチヤートである。第5図は本実施例
装置による出力図面である。
FIG. 1 is a block diagram showing the concept of the apparatus of the present invention. Figure 2 shows a specific example of the present invention.
1 is a block diagram showing the configuration of a thermal analysis device according to an example. FIGS. 3 and 4 are flowcharts showing the processing of the microcomputer used in the apparatus of the same embodiment. FIG. 5 is an output diagram of the apparatus of this embodiment.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 溶湯の冷却過程における温度を時系列的に測
定する測温装置と、 前記測温装置からの信号を入力してデータを解
析し、所定の処理の後、出力装置に信号を出力す
るデータ解析装置と、 該データ解析装置からの信号を入力し、その信
号によつて表示を行う出力装置とから成る装置で
あつて、 前記データ解析装置は、 前記測温装置から出力される温度データが、予
め設定された初晶温度存在範囲にあることを検出
する初晶温度範囲判定部と、 前記温度データが、予め設定された共晶温度存
在範囲にあることを検出する共晶温度範囲判定部
と、 所定のサンプリング期間毎に入力される温度デ
ータの今回値と前回時との差が所定の第一の温度
低下率以下の場合に前記今回値と前記前回時との
間の期間を温度の停滞区間として検出する停滞区
間検出部と、 前記初晶温度範囲判定部によつて検出された区
間であつて前記停滞区間が複数のサンプリング期
間にわたつて継続して生じた場合に、前記継続す
る停滞区間内の代表温度を初晶温度とする初晶温
度検出部と、 前記共晶温度範囲判定部によつて検出された区
間であつて前記停滞区間が複数のサンプリング期
間にわたつて継続して生じ、かつ、前記継続する
停滞区間内における二サンプリング時点間の温度
傾斜が前記第一の温度低下率より小さい第二の温
度低下率以下であるときに前記二サンプリング時
点間の代表温度を共晶温度とする共晶温度検出部
とからなることを特徴とする鋳鉄溶湯の熱分析装
置。
[Scope of Claims] 1. A temperature measuring device that measures the temperature in the cooling process of molten metal in time series; A signal from the temperature measuring device is input, the data is analyzed, and after predetermined processing, the data is output to an output device. A data analysis device that outputs a signal; and an output device that inputs a signal from the data analysis device and displays the signal based on the signal, the data analysis device comprising: a data analysis device that outputs a signal from the temperature measurement device; a primary crystal temperature range determining unit that detects that the temperature data is within a preset primary crystal temperature range; and a unit that detects that the temperature data is within a preset eutectic temperature range. a crystal temperature range determination unit; and when the difference between the current value and the previous time of temperature data input every predetermined sampling period is less than or equal to a predetermined first temperature reduction rate, the difference between the current value and the previous time is determined. a stagnation area detection unit that detects the period as a temperature stagnation area; and a stagnation area detected by the primary temperature range determination unit, where the stagnation area occurs continuously over a plurality of sampling periods. a primary crystal temperature detection section that takes a representative temperature within the continuous stagnation section as the primary crystal temperature; and an section detected by the eutectic temperature range determination section, where the stagnation section falls into a plurality of sampling periods. between the two sampling time points when the temperature gradient between the two sampling time points within the continuous stagnation interval is equal to or less than a second temperature reduction rate that is smaller than the first temperature reduction rate; A thermal analysis device for molten cast iron, comprising a eutectic temperature detection section whose representative temperature is a eutectic temperature.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53102096A (en) * 1977-02-18 1978-09-06 Chino Works Ltd Automatic measuring device for carbon and silicon in melt
JPS5463798A (en) * 1978-07-25 1979-05-22 Yahagi Densetsu Kk Method and device for analyzing composition of molten cast iron before furnace
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