JPH05159740A - Photomultiplier - Google Patents

Photomultiplier

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JPH05159740A
JPH05159740A JP27249091A JP27249091A JPH05159740A JP H05159740 A JPH05159740 A JP H05159740A JP 27249091 A JP27249091 A JP 27249091A JP 27249091 A JP27249091 A JP 27249091A JP H05159740 A JPH05159740 A JP H05159740A
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JP
Japan
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photoelectrons
light
photoelectron
electrode
mesh
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Application number
JP27249091A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuki Nagai
泰樹 永井
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Original Assignee
Individual
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Abstract

PURPOSE:To improve quantum efficiency by providing the first photoelectron generating means and the second photoelectron generating means for generating a photoelectron by using at least light of not contributing to generation of the photoelectron by this first means. CONSTITUTION:By radiating light passing through a light incident window 4 to the first photocathode film 7 formed in a transmitting glass plate 5, a photoelectron is generated. This photoelectron is attracted to a side of an electrode 11 by an electric field formed by the first mesh-shaped electrode 9 and the focusing electrode 11 or the like, and the photoelectron passing through a mesh of the electrode 11 is attracted to a side of the first step dynode 12 and accelerated. Light radiated through the film 7 without generating the photoelectron is incident upon the second cathode film 8, and the photoelectron is generated by probability of about several 10% the incident light. This photoelectron is attracted to sides of the second mesh-shaped electrode 10 and the electrode 11, and the photoelectron passing through the mesh of this electrode 11 is attracted to the side of the dynode 12 and accelerated. In this way, quantum efficiency can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光子検出に使われる光
電子増倍管に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a photomultiplier tube used for photon detection.

【0002】[0002]

【従来技術】近年、理工学、医学、環境、宇宙等の分野
において、高感度で光子を検出するため光電子増倍管が
広く用いられている。ところで、光電子増倍管の光電陰
極はこれに入射してきた光を光電子に変換する役割を持
っている。そしてその量子効率(光を光電子に変換する
効率)は光子を検出する感度を決定する重要な因子であ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, photomultiplier tubes have been widely used for highly sensitive detection of photons in fields such as science and engineering, medicine, environment and space. By the way, the photocathode of the photomultiplier tube has a role of converting the light incident thereon into photoelectrons. The quantum efficiency (the efficiency of converting light into photoelectrons) is an important factor that determines the sensitivity of detecting photons.

【0003】従来、この量子効率を上げるため光電陰極
の材料として仕事関数の小さい各種化合物半導体の開発
に大きな努力が払われてきた。その結果、光の波長にも
よるが、30%近い量子効率を持つ光電子増倍管が制作
されている。このように光電子増倍管の光電陰極に於け
る量子効率は光子を検出する能力を支配するほどに重要
である。例えば、量子効率が33%であるとしても、光
子が3個入射されて初めてその光子を検出できる程度で
あるため、この量子効率を大幅に向上できることが望ま
れる。
In the past, great efforts have been made to develop various compound semiconductors having a small work function as materials for photocathodes in order to increase the quantum efficiency. As a result, a photomultiplier tube with a quantum efficiency of nearly 30% has been produced, depending on the wavelength of light. Thus, the quantum efficiency at the photocathode of the photomultiplier tube is so important that it governs its ability to detect photons. For example, even if the quantum efficiency is 33%, the photon can be detected only after three photons are incident, and therefore it is desired that the quantum efficiency can be significantly improved.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする問題点】そのように量子効率
を上げるために上述した努力が行われているが、更にこ
の効率を大幅に上げたいという要求が強くなっている。
しかし従来例では大幅に向上することを実現できなかっ
た。
Although the above-mentioned efforts have been made to increase the quantum efficiency, there is a strong demand to further increase the efficiency.
However, it has not been possible to achieve a significant improvement in the conventional example.

【0005】本発明は上述した点にかんがみてなされた
ものであり、光電子増倍管の時間分解能をさほど低下す
ることなく、大きな量子効率を持つ光電子増倍管を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a photomultiplier tube having a large quantum efficiency without significantly deteriorating the time resolution of the photomultiplier tube.

【0006】[0006]

【問題点を解決する手段及び作用】本発明の光電子増倍
管は入射される入射光の照射により光電子を発生するた
めの第1の光電子発生手段と、前記第1の光電子発生手
段で光電子の発生に寄与しない光を少なくとも用い、光
電子を発生するための第2の光電子発生手段とを設ける
ことにより、入射光を第1の光電子発生手段で光電子の
発生を行うのみならず、さらに第1の光電子発生手段で
光電子の発生に寄与しない光などにより第2の光電子発
生手段で光電子を発生させるようにして高い量子効率を
持つようにしたものである。例えば、従来例における第
1の光電陰極部材を透過などした後、捨てられていた光
を光反射鏡で第1の光電陰極部材等に導いて光電子の発
生を行ったり、第1の光電陰極部材とは別の第2の光電
陰極部材等で形成した光電子発生手段により再度、光電
子を作るのに利用し、量子効率を向上している。
The photomultiplier tube of the present invention comprises a first photoelectron generating means for generating photoelectrons by irradiation of incident light, and a photoelectron generating means for generating photoelectrons by the first photoelectron generating means. By providing at least light that does not contribute to the generation and providing the second photoelectron generating means for generating photoelectrons, not only the incident light is generated by the first photoelectron generating means, but also the first photoelectron generating means is provided. The second photoelectron generating means generates photoelectrons by light that does not contribute to the generation of photoelectrons by the photoelectron generating means so as to have high quantum efficiency. For example, after passing through the first photocathode member in the conventional example, the discarded light is guided to the first photocathode member or the like by a light reflecting mirror to generate photoelectrons, or the first photocathode member. The photoelectron generating means formed of a second photocathode member or the like different from the above is used to generate photoelectrons again, and the quantum efficiency is improved.

【0007】[0007]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を具体
的に説明する。図1及び図2は本発明の第1実施例に係
り、図1は第1実施例の光電子増倍管の断面の概略を示
し、図2は第1光電陰極膜及び第2光電陰極膜が形成さ
れた透過型ガラス板を示す。
Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. 1 and 2 relate to a first embodiment of the present invention, FIG. 1 shows a schematic cross section of a photomultiplier tube of the first embodiment, and FIG. 2 shows a first photocathode film and a second photocathode film. The formed transmissive glass plate is shown.

【0008】図1に示すように第1実施例の光電子増倍
管1では、例えば円筒状で遮光性のハウジング2におけ
る一方の円状開口に例えばガラス板等の光を透過する透
明円板3を取り付けて光が入射される光入射窓4が形成
されている。この光入射窓4の内部には、該透明円板3
に対向して例えば薄い透過型ガラス板5が、例えば中心
軸Oに関して回転対称に配置され、さらにこの透過型ガ
ラス板5に対向して該透過型ガラス板5と例えばほぼ同
一サイズの円板状の光反射鏡6が配置されている。
As shown in FIG. 1, in the photomultiplier tube 1 of the first embodiment, a transparent circular plate 3 such as a glass plate for transmitting light is provided in one circular opening of a cylindrical and light-shielding housing 2, for example. Is attached to form a light incident window 4 through which light is incident. Inside the light entrance window 4, the transparent disc 3
A thin transmissive glass plate 5 is disposed, for example, in rotational symmetry with respect to the central axis O, and is opposed to the transmissive glass plate 5 and has a disk shape of, for example, substantially the same size as the transmissive glass plate 5. The light reflecting mirror 6 is arranged.

【0009】図2に示すように上記透過型ガラス板5の
両面、つまり光入射窓4に対向する面及び光反射鏡6に
対向する面にそれぞれ第1光電陰極膜7と第2光電陰極
膜8が例えば蒸着などで形成されている。これら第1光
電陰極膜7と第2光電陰極膜8は光が照射されると光電
子を発生する量子効率の高い物質で形成されている。ま
た、第1光電陰極膜7と第2光電陰極膜8は光の透過率
の高い物質で形成されている。これら第1光電陰極膜7
と第2光電陰極膜8は、例えば零の電位に設定される。
As shown in FIG. 2, the first photocathode film 7 and the second photocathode film are formed on both surfaces of the transmissive glass plate 5, that is, the surface facing the light incident window 4 and the surface facing the light reflecting mirror 6, respectively. 8 is formed by, for example, vapor deposition. The first photocathode film 7 and the second photocathode film 8 are formed of a substance having a high quantum efficiency that generates photoelectrons when irradiated with light. The first photocathode film 7 and the second photocathode film 8 are formed of a substance having a high light transmittance. These first photocathode film 7
The second photocathode film 8 is set to a zero potential, for example.

【0010】上記第1光電陰極膜7は入射光により光電
子を発生する第1の光電子発生手段を形成している。ま
た、第2光電陰極膜8は第1光電陰極膜7における光電
子の発生に寄与しない光により光電子を発生する第2の
光電子発生手段を構成している。この第1実施例では光
反射手段を設けて第2光電陰極膜8で第3の光電子発生
手段を構成し、さらに第1光電陰極膜7で第4の光電子
発生手段を構成している。
The first photocathode film 7 forms first photoelectron generating means for generating photoelectrons by incident light. Further, the second photocathode film 8 constitutes second photoelectron generation means for generating photoelectrons by light that does not contribute to the generation of photoelectrons in the first photocathode film 7. In the first embodiment, the light reflecting means is provided, the second photocathode film 8 constitutes the third photoelectron generating means, and the first photocathode film 7 constitutes the fourth photoelectron generating means.

【0011】上記透明円板3と透過型ガラス板5(つま
り第1光電陰極膜7)との間には第1メッシュ状電極9
が配置され、また透過型ガラス板5(つまり第2光電陰
極膜8)と光反射鏡6との間には第2メッシュ状電極1
0が配置されている。上記第1メッシュ状電極9及び第
2メッシュ状電極10は、例えば中心軸Oの回りに回転
対称な円錐形状である。つまり、第1メッシュ状電極9
及び第2メッシュ状電極10は中心軸Oから離れるにし
たがって、それぞれ第1光電陰極膜7および第2光電陰
極膜8からの距離が大きくなるようにしてある。
A first mesh electrode 9 is provided between the transparent disc 3 and the transmission type glass plate 5 (that is, the first photocathode film 7).
And the second mesh-shaped electrode 1 between the transmissive glass plate 5 (that is, the second photocathode film 8) and the light reflecting mirror 6.
0 is placed. The first mesh-shaped electrode 9 and the second mesh-shaped electrode 10 have, for example, a conical shape rotationally symmetrical about the central axis O. That is, the first mesh electrode 9
The second mesh electrode 10 and the second mesh electrode 10 are arranged such that the distance from the first photocathode film 7 and the second photocathode film 8 increases as the distance from the central axis O increases.

【0012】これら第1メッシュ状電極9及び第2メッ
シュ状電極10は光の進行を殆ど妨げないようなメッシ
ュにしてある。例えば、単位面積当たりにおけるメッシ
ュ部分全体の面積はメッシュ部分以外の空隙部分より十
分小さい割合となるようにメッシュの太さを細くするな
どしてある。また、メッシュの代わりに光を透過する透
明電極膜で形成しても良い。
The first mesh-shaped electrode 9 and the second mesh-shaped electrode 10 are meshes which hardly interfere with the progress of light. For example, the thickness of the mesh is reduced so that the area of the entire mesh portion per unit area is sufficiently smaller than that of the void portion other than the mesh portion. Further, instead of the mesh, a transparent electrode film that transmits light may be formed.

【0013】これら第1メッシュ状電極9及び第2メッ
シュ状電極10に負の電位に設定することにより、第1
光電陰極膜7および第2光電陰極膜8で発生した光電子
を半径方向外側に導くことができるようにしてある。ま
た、これら第1メッシュ状電極9及び第2メッシュ状電
極10における周縁を覆うように円筒状の集束電極11
が配置されている。この集束電極11もメッシュ状に形
成され、この集束電極11に正の電位に設定することに
よって、光電子をこの集束電極11側、つまり半径方向
外側に集めることができるようにしてある。この集束電
極11も光電子を余り捕獲しないようにメッシュの空隙
部分の割合をメッシュ部分より十分広くするなどしてあ
る。また、集束電極11を形成するメッシュの周囲を絶
縁体などで被覆し、集束電極11に電流が流れるのを少
なくし、衝突の後に第1ダイノード12側に導く機能が
大きくなるようにしても良い。
By setting the first mesh electrode 9 and the second mesh electrode 10 to a negative potential, the first mesh electrode 9
The photoelectrons generated in the photocathode film 7 and the second photocathode film 8 can be guided to the outside in the radial direction. Further, the cylindrical focusing electrode 11 covers the peripheral edges of the first mesh electrode 9 and the second mesh electrode 10.
Are arranged. The focusing electrode 11 is also formed in a mesh shape, and by setting the focusing electrode 11 at a positive potential, photoelectrons can be collected on the focusing electrode 11 side, that is, in the radial outside. Also in this focusing electrode 11, the ratio of the void portion of the mesh is made sufficiently wider than the mesh portion so that the photoelectrons are not captured so much. In addition, the periphery of the mesh forming the focusing electrode 11 may be covered with an insulator or the like to reduce the flow of current to the focusing electrode 11 and to increase the function of guiding the current to the first dynode 12 side after collision. ..

【0014】この集束電極11の更に外側には前方側
(入射光の進行方向側)に膨らみながら拡径になった円
筒ないしは円錐状に近い形状の第1段ダイノード12が
配置されている。また、この第1段ダイノード12に隣
接して第2段ダイノード13が配置され、この第2段ダ
イノード13は第1段ダイノード12によりガイドされ
た光電子をさらに第3段ダイノード14に導くように配
置されている。上記第1段、第2段、第3段ダイノード
12、13、14は正の電位に設定される。
A first stage dynode 12 having a shape close to a cylinder or a cone whose diameter is expanded while bulging toward the front side (the traveling direction side of incident light) is arranged further outside the focusing electrode 11. A second stage dynode 13 is arranged adjacent to the first stage dynode 12, and the second stage dynode 13 is arranged so as to further guide the photoelectrons guided by the first stage dynode 12 to the third stage dynode 14. Has been done. The first, second and third dynodes 12, 13 and 14 are set to a positive potential.

【0015】上記第1段ダイノード12は集束電極11
のメッシュの間を通り抜けた光電子の照射により、光電
子を増倍し、ほぼ90゜屈曲させるように反射させて前
方側に進行させ、第2段ダイノード13に導くためのも
のであり、第2段ダイノード13でも光電子の照射によ
り、光電子を増倍し、ほぼ90゜屈曲させるように反射
させてこの第2段ダイノード13に内側に配置された第
3段ダイノード14に導くためのものである。
The first-stage dynode 12 is a focusing electrode 11
By irradiating the photoelectrons passing through between the meshes, the photoelectrons are multiplied, reflected so that they are bent at about 90 °, advanced to the front side, and guided to the second stage dynode 13. The dynode 13 also serves to multiply photoelectrons by irradiation of photoelectrons, reflect the photoelectrons so that they are bent at about 90 °, and guide the photoelectrons to the third dynode 14 disposed inside the second dynode 13.

【0016】この第3段ダイノード14に照射され、以
下同様にして図示しない後段のダイノードにより増倍さ
れた光電子は電流測定装置等に入力され、この電流測定
装置に入力される電流値により入射させる光量を検出で
きる。なお、ハウジング2内は殆ど真空に設定されてい
る。
The photoelectrons irradiated to the third-stage dynode 14 and similarly multiplied by the latter-stage dynode (not shown) are input to a current measuring device or the like, and are made incident by the current value input to this current measuring device. The amount of light can be detected. The inside of the housing 2 is set to a vacuum.

【0017】この実施例では、第1光電陰極膜7により
第1の光電子発生手段が形成されているのみならず、こ
の第1の光電子発生手段で光電子の発生に寄与しなかっ
た光を第2の光電子発生手段としての第2光電陰極膜8
に導き、光電子を発生させるのに利用するようにしてい
る。また、第2光電陰極膜8でも光電子の発生に寄与し
ない光は反射鏡6の前面又は後面で反射し、第3の光電
子発生手段としても機能する第2光電陰極膜8に導くよ
うにしている。さらに、この第3の光電子発生手段でも
光電子の発生に寄与しない光は第4の光電子発生手段と
しても機能する第1光電陰極膜7に導くような機構にし
ている。このように構成された第1実施例の作用を以下
に説明する。
In this embodiment, not only the first photoelectron generating means is formed by the first photocathode film 7, but also the light which has not contributed to the generation of photoelectrons by the first photoelectron generating means is generated by the second photoelectron generating means. Second photocathode film 8 as a means for generating photoelectrons
And use it to generate photoelectrons. Also, light that does not contribute to the generation of photoelectrons in the second photocathode film 8 is reflected on the front surface or the rear surface of the reflecting mirror 6 and is guided to the second photocathode film 8 that also functions as the third photoelectron generating means. .. Further, the third photoelectron generating means has a mechanism in which light that does not contribute to the generation of photoelectrons is guided to the first photocathode film 7 which also functions as the fourth photoelectron generating means. The operation of the first embodiment thus constructed will be described below.

【0018】光入射窓4を通過した光は透過型ガラス板
5に形成された第1光電陰極膜7に照射されることによ
って、この第1光電陰極膜7を形成する物質に依存する
が例えば数10%程度の確率で光電子を発生する。この
光電子は第1メッシュ状電極9及び集束電極11などで
形成される電界により集束電極11側に吸引され、この
集束電極11のメッシュを通り過ぎた光電子は第1段ダ
イノード12側に吸引加速される。この光電子は第1段
ダイノード12で増倍され、さらに第2段ダイノード1
3及び第3段ダイノード14でそれぞれ増倍される。こ
の作用については従来例と同様となる。
The light passing through the light incident window 4 is irradiated on the first photocathode film 7 formed on the transmissive glass plate 5, and depends on the material forming the first photocathode film 7. Photoelectrons are generated with a probability of about several tens of percent. The photoelectrons are attracted to the focusing electrode 11 side by the electric field formed by the first mesh electrode 9 and the focusing electrode 11, and the photoelectrons passing through the mesh of the focusing electrode 11 are attracted and accelerated to the first dynode 12 side. .. The photoelectrons are multiplied by the first-stage dynode 1 and further multiplied by the second-stage dynode 1.
It is multiplied by the 3rd and 3rd stage dynodes 14, respectively. This action is similar to the conventional example.

【0019】上記第1光電陰極膜7に照射され、光電子
を発生しないままこの第1光電陰極膜7を透過した光は
少なくとも光電子の発生に寄与した光の数倍であり、こ
の光は第2光電陰極膜8に入射され、この入射された内
の例えば数10%程度の確率で光電子を発生する。この
光電子は第2メッシュ状電極10及び集束電極11など
で形成される電界により集束電極11側に吸引され、こ
の集束電極11のメッシュを通り過ぎた光電子は第1段
ダイノード12側に吸引加速される。その後の作用は上
述と同様である。この作用により、従来例よりもかなり
量子効率を向上(例えば70%程度)できることにな
る。
The light that has been applied to the first photocathode film 7 and has passed through the first photocathode film 7 without generating photoelectrons is at least several times the light that contributed to the generation of photoelectrons, and this light is the second light. It is incident on the photocathode film 8 and photoelectrons are generated with a probability of, for example, about several tens of percent of the incidence. The photoelectrons are attracted to the focusing electrode 11 side by the electric field formed by the second mesh electrode 10 and the focusing electrode 11, etc., and the photoelectrons passing through the mesh of the focusing electrode 11 are attracted and accelerated to the first dynode 12 side. .. The subsequent operation is the same as described above. By this action, the quantum efficiency can be improved considerably (for example, about 70%) as compared with the conventional example.

【0020】上記第2光電陰極膜8に照射され、光電子
を発生しないままこの第2光電陰極膜8を透過した光は
光反射鏡6で100%近くが反射され、再び第2光電陰
極膜8に照射され、例えば数10%程度の確率で光電子
を発生する。この光電子は第2メッシュ状電極10及び
集束電極11などで形成される電界により集束電極11
側に吸引され、この集束電極11のメッシュを通り過ぎ
た光電子は第1段ダイノード12側に吸引加速される。
Nearly 100% of the light which has been irradiated onto the second photocathode film 8 and which has passed through the second photocathode film 8 without generating photoelectrons is reflected by the light reflecting mirror 6 and the second photocathode film 8 again. The photoelectrons are generated with a probability of, for example, about several tens of percent. The photoelectrons are generated by the electric field formed by the second mesh-shaped electrode 10 and the focusing electrode 11, etc.
The photoelectrons that are attracted to the side and pass through the mesh of the focusing electrode 11 are attracted and accelerated toward the first-stage dynode 12 side.

【0021】上記第2光電陰極膜8に照射され、光電子
を発生しないままこの第2光電陰極膜8を透過した光は
第1光電陰極膜7に入射され、例えば数10%程度の確
率で光電子を発生する。この光電子は第1メッシュ状電
極9及び集束電極11などで形成される電界により集束
電極11側に吸引され、この集束電極11のメッシュを
通り過ぎた光電子は第1段ダイノード12側に吸引加速
される。
The light that has been applied to the second photocathode film 8 and transmitted through the second photocathode film 8 without generating photoelectrons is incident on the first photocathode film 7 and, for example, has a probability of several tens of percent. To occur. The photoelectrons are attracted to the focusing electrode 11 side by the electric field formed by the first mesh electrode 9 and the focusing electrode 11, and the photoelectrons passing through the mesh of the focusing electrode 11 are attracted and accelerated to the first dynode 12 side. ..

【0022】このように作用する第1実施例によれば、
従来例のように光入射窓4に入射された光で光電子を発
生させることを行うと共に、従来例における光電子の発
生に寄与しない光を次の(第2の)光電子発生手段に導
き、光電子を発生させるのに使用し、さらに第2の光電
子発生手段で光電子の発生に寄与しない光を光反射手段
で第2の光電子発生手段などに再び導くようにして光電
子の発生に寄与しない光を何度も光電子発生手段に導
き、光電子発生に使用しているので、従来例に比べて大
幅に量子効率を向上できる。
According to the first embodiment which operates in this way,
The photoelectrons are generated by the light incident on the light incident window 4 as in the conventional example, and the light that does not contribute to the generation of the photoelectrons in the conventional example is guided to the next (second) photoelectron generating means to generate the photoelectrons. The light that is not used to generate photoelectrons is re-introduced to the second photoelectron generating means and the like by the light reflecting means, and the light that does not contribute to photoelectron generation is reused. Since it is also used for photoelectron generation by being guided to the photoelectron generation means, the quantum efficiency can be greatly improved compared to the conventional example.

【0023】なお、最初に第1光電陰極膜7のみで光電
子を発生させる従来例に比べて、この実施例はさらに光
反射鏡6と透過型ガラス板5間を移動する光により光電
子を発生させるのであり、時間分解能の程度は従来例と
あまりかわりない、つまり時間分解能をあまり低下する
ことなく、大幅に量子効率を向上できる。
Note that, in comparison with the conventional example in which photoelectrons are first generated only by the first photocathode film 7, this embodiment further generates photoelectrons by the light moving between the light reflecting mirror 6 and the transmissive glass plate 5. Therefore, the degree of time resolution is not much different from that of the conventional example, that is, the quantum efficiency can be significantly improved without significantly lowering the time resolution.

【0024】図3は本発明の第2実施例の光電子増倍管
21を示す。この実施例では光入射窓4を形成する透明
円板3の内側の面には、図4(a)に拡大して示すよう
に第1光電陰極膜7が蒸着等で形成されており、この第
1光電陰極膜7に入射された光で光電子を発生するよう
にしている。また、この第1光電陰極膜7の前方に、こ
の第1光電陰極膜7のサイズとほぼ等しい円板状の光反
射鏡6が対向配置され、かつこの光反射鏡6の光入射窓
4側の面には、図4(b)に拡大して示すように第2光
電陰極膜8が形成されている。
FIG. 3 shows a photomultiplier tube 21 according to the second embodiment of the present invention. In this embodiment, a first photocathode film 7 is formed by vapor deposition or the like on the inner surface of the transparent disk 3 forming the light incident window 4 as shown in an enlarged view in FIG. 4 (a). Photoelectrons are generated by the light incident on the first photocathode film 7. In addition, in front of the first photocathode film 7, a disk-shaped light reflecting mirror 6 having a size substantially equal to the size of the first photocathode film 7 is disposed so as to face the light incident window 4 side of the light reflecting mirror 6. The second photocathode film 8 is formed on the surface as shown in FIG.

【0025】上記第1光電陰極膜7及び第2光電陰極膜
8の間には円錐状のメッシュ状電極9、10が配置さ
れ、それぞれ第1光電陰極膜7及び第2光電陰極膜8で
発生した光電子を半径方向外側に導き、かつこの外側に
配置された集束電極11の電界で吸引し、この集束電極
11の外側に配置した第1ダイノード12に導くように
している。その他の構成は第1実施例と同様であり、そ
の説明を省略する。この第2実施例の作用を以下に説明
する。
Conical mesh electrodes 9 and 10 are disposed between the first photocathode film 7 and the second photocathode film 8 and are generated in the first photocathode film 7 and the second photocathode film 8, respectively. The photoelectrons are guided to the outside in the radial direction, and are attracted by the electric field of the focusing electrode 11 arranged on the outside, and are guided to the first dynode 12 arranged on the outside of the focusing electrode 11. The other structure is similar to that of the first embodiment, and the description thereof is omitted. The operation of the second embodiment will be described below.

【0026】光入射窓4を透過し、第1光電陰極膜7に
入射された光は、この第1光電陰極膜7で例えば数10
%程度の確率で光電子を発生し、その光電子はメッシュ
状電極9及び集束電極11等により、第1ダイノード1
2に導かれる。この第1光電陰極膜7で光電子の発生に
寄与しないで透過した光は第2光電陰極膜8に入射さ
れ、この入射光の内の例えば数10%程度の確率で光電
子を発生し、その光電子はメッシュ状電極10及び集束
電極11等により、第1ダイノード12に導かれる。
The light that has passed through the light incident window 4 and is incident on the first photocathode film 7 is, for example, several tens at the first photocathode film 7.
%, Photoelectrons are generated with a probability of about%, and the photoelectrons are generated by the mesh-shaped electrode 9 and the focusing electrode 11 and the like.
Guided to 2. The light transmitted without contributing to the generation of photoelectrons in the first photocathode film 7 is incident on the second photocathode film 8, and photoelectrons are generated with a probability of, for example, about several tens of percent of the incident light. Is guided to the first dynode 12 by the mesh electrode 10, the focusing electrode 11 and the like.

【0027】上記第2光電陰極膜8で光電子の発生に寄
与しないで透過した光は光反射鏡6で反射され、再び第
2光電陰極膜8に戻り、その際例えば数10%程度の確
率で光電子を発生する。この第2光電陰極膜8で光電子
の発生に寄与しないで透過した光は第1光電陰極膜7側
に戻り、この第1光電陰極膜7で光電子の発生に利用さ
れる。このように作用する第2実施例は第1実施例と同
様の効果を有する。
The light transmitted without contributing to the generation of photoelectrons in the second photocathode film 8 is reflected by the light reflecting mirror 6 and returns to the second photocathode film 8 again, with a probability of, for example, about several tens of percent. Generate photoelectrons. The light transmitted without contributing to the generation of photoelectrons in the second photocathode film 8 returns to the first photocathode film 7 side and is used in the generation of photoelectrons in the first photocathode film 7. The second embodiment operating in this way has the same effect as the first embodiment.

【0028】図5は本発明の第3実施例の光電子増倍管
31を示す。この実施例は例えば図1の第1実施例にお
いて透過型ガラス板5の代わりに円錐面状の透過型ガラ
ス板5を配置し、この透過型ガラス板5はその断面部分
が光入射窓4と反対側に傾斜したような配置となってい
る。この透過型ガラス板5の両面には図6に示すよう
に、つまり第1実施例と同様に第1光電陰極膜7及び第
2光電陰極膜8が形成されている。
FIG. 5 shows a photomultiplier tube 31 according to the third embodiment of the present invention. In this embodiment, for example, a conical surface-shaped transmissive glass plate 5 is arranged in place of the transmissive glass plate 5 in the first embodiment shown in FIG. It is arranged so that it is inclined to the opposite side. As shown in FIG. 6, that is, the first photocathode film 7 and the second photocathode film 8 are formed on both surfaces of the transmissive glass plate 5, as in the first embodiment.

【0029】また、この実施例では透過型ガラス板5の
前方に第1段ダイノード12′が例えば透過型ガラス板
5と平行に配置され、さらにこの第1段ダイノード1
2′とほぼ平行で、透過型ガラス板5の外側にも第1段
ダイノード12が配置されている。この第1段ダイノー
ド12は円錐面の頂部側を切り欠いた円錐台面状であ
り、この前方に第2段ダイノード13が配置されてい
る。また、この第2段ダイノード13の内側に第3段ダ
イノード14が配置されている。
Further, in this embodiment, a first-stage dynode 12 'is arranged in front of the transmission-type glass plate 5, for example, in parallel with the transmission-type glass plate 5, and the first-stage dynode 1 is further provided.
A first-stage dynode 12 is also arranged outside the transmissive glass plate 5 substantially parallel to 2 '. The first-stage dynode 12 has a truncated conical surface shape in which the top side of the conical surface is cut out, and the second-stage dynode 13 is arranged in front of this. A third dynode 14 is arranged inside the second dynode 13.

【0030】この実施例では第1光電陰極膜7または第
2光電陰極膜8で発生した光電子は第1段ダイノード1
2または12′に吸引加速される。この場合、第1段ダ
イノード12′側に吸引された光電子は増倍された後、
第2段ダイノード13側に吸引され、さらに増倍された
後、第3段ダイノード14に進行し、さらに増倍され
る。この実施例ではメッシュ状電極と集束電極を必要と
しない。また、この実施例の効果は第1実施例とほぼ同
様である。
In this embodiment, the photoelectrons generated in the first photocathode film 7 or the second photocathode film 8 are the first stage dynode 1
The suction is accelerated to 2 or 12 '. In this case, after the photoelectrons attracted to the first-stage dynode 12 'are multiplied,
After being sucked toward the second stage dynode 13 and further multiplied, it proceeds to the third stage dynode 14 and further multiplied. This embodiment does not require a mesh electrode and a focusing electrode. The effect of this embodiment is almost the same as that of the first embodiment.

【0031】なお、この実施例において、第1段ダイノ
ード12または12′の代わりに、これらのダイノード
のような形状のメッシュ状電極9、10にしても良い。
その場合は光反射鏡6(図5にあっては点線で示してあ
る。)を取り付ける。そして光電陰極膜7及び光電陰極
膜8で発生した光電子はメッシュ状電極9及びメッシュ
状電極10により第2段ダイノード13側に吸引され
る。
In this embodiment, instead of the first-stage dynodes 12 or 12 ', mesh-shaped electrodes 9 and 10 shaped like these dynodes may be used.
In that case, the light reflecting mirror 6 (indicated by a dotted line in FIG. 5) is attached. Then, photoelectrons generated in the photocathode film 7 and the photocathode film 8 are attracted to the second dynode 13 side by the mesh electrodes 9 and 10.

【0032】図7は本発明の第4実施例の光電子増倍管
41を示す。この実施例は例えば図1の第1実施例にお
いて透過型ガラス板5の位置に光反射鏡6が配置され、
図8に示すようにこの光反射鏡6における光入射窓4に
対向する面に第1光電陰極膜7が形成され、第1実施例
における光入射窓4と光反射鏡6との間に配置されてい
る透過型ガラス板5を設けてない構成である。また、こ
の実施例は第1実施例における一方のメッシュ状電極9
を配置されている。その他の構成は第1実施例と同様の
構成である。
FIG. 7 shows a photomultiplier tube 41 according to the fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, for example, in the first embodiment of FIG. 1, the light reflecting mirror 6 is arranged at the position of the transmissive glass plate 5.
As shown in FIG. 8, a first photocathode film 7 is formed on the surface of the light reflecting mirror 6 facing the light incident window 4, and is arranged between the light incident window 4 and the light reflecting mirror 6 in the first embodiment. The transparent glass plate 5 is not provided. In addition, this embodiment is based on one mesh electrode 9 of the first embodiment.
Are arranged. Other configurations are the same as those in the first embodiment.

【0033】この実施例では入射光は光反射鏡6で反射
される前にその手前の第1光電陰極膜7で光電子を発生
し、この光電子の発生に寄与しない光が光反射鏡6で反
射された後、再び第1光電陰極膜7で光電子を発生す
る。つまり、この実施例は従来例における第1光電陰極
膜を設けたものに光反射手段を形成して、光電子の発生
に寄与しない光を再び第1光電陰極膜に導き、光電子を
発生させるものである。つまり、この実施例は第1及び
第2の光電子発生手段の機能を備えた構成になる。この
簡単な構成によって従来例よりもほぼ1、7倍近くに量
子効率を向上できるという利点を有する。
In this embodiment, incident light generates photoelectrons in the first photocathode film 7 in front of it before being reflected by the light reflecting mirror 6, and light which does not contribute to the generation of this photoelectron is reflected by the light reflecting mirror 6. After that, photoelectrons are generated again in the first photocathode film 7. That is, in this embodiment, the light reflecting means is formed on the conventional one provided with the first photocathode film, and the light not contributing to the generation of photoelectrons is guided to the first photocathode film again to generate photoelectrons. is there. That is, this embodiment has a configuration having the functions of the first and second photoelectron generating means. This simple configuration has the advantage that the quantum efficiency can be improved to approximately 1 to 7 times that of the conventional example.

【0034】図9は第4実施例の変形例の光電子増倍管
51を示す。この変形例は図7において第1光電陰極膜
7を形成した光反射鏡6を透明円板3と平行でなく、傾
斜させて第1段ダイノード12とほぼ対向するように配
置し、さらにメッシュ状電極9及び集束電極11を省略
した構成である。この変形例は第4実施例と同様に入射
光は光反射鏡6で反射される前にその手前の第1光電陰
極膜7で光電子を発生し、この光電子の発生に寄与しな
い光が光反射鏡6で反射された後、再び第1光電陰極膜
7で光電子を発生する。そして、光電子は正の電位V1
に設定された第1段ダイノード12側に進行する。第1
段ダイノード12で増倍された光電子は正の電位V2に
設定された第2段ダイノード13側に進行し、さらに第
2段ダイノード13で増倍された光電子は正の電位V3
に設定された第3段ダイノード14側に進行する。この
変形例の効果は第4実施例と同様であり、さらに構成を
簡単化できる。なお、この変形例において、第1段ダイ
ノード12ないし第3段ダイノード14の電位を共通の
電位に設定しても良い。
FIG. 9 shows a photomultiplier tube 51 which is a modification of the fourth embodiment. In this modified example, in FIG. 7, the light reflecting mirror 6 having the first photocathode film 7 formed thereon is arranged not to be parallel to the transparent disk 3 but to be inclined so as to substantially face the first-stage dynode 12, and further to have a mesh shape. The configuration is such that the electrode 9 and the focusing electrode 11 are omitted. In this modified example, as in the case of the fourth embodiment, incident light generates photoelectrons in the first photocathode film 7 in front of it before being reflected by the light reflecting mirror 6, and light that does not contribute to the generation of this photoelectron is reflected by the light. After being reflected by the mirror 6, photoelectrons are generated again by the first photocathode film 7. Then, the photoelectrons have a positive potential V1.
To the side of the first stage dynode 12 set to. First
The photoelectrons multiplied by the stage dynode 12 proceed to the side of the second stage dynode 13 set to the positive potential V2, and the photoelectrons multiplied by the second stage dynode 13 have a positive potential V3.
To the side of the third stage dynode 14 set to. The effects of this modification are similar to those of the fourth embodiment, and the configuration can be further simplified. In this modification, the potentials of the first stage dynode 12 to the third stage dynode 14 may be set to a common potential.

【0035】なお、この変形例においては、光反射鏡6
で反射され、光電子の発生に寄与しない光も第1段ダイ
ノード12側に進行するので、第1段ダイノード12の
代わりに、この第1段ダイノード12のような形状で、
第2光電陰極膜を形成した反射鏡にしても良い。この場
合、第2光電陰極膜自身またはその裏面側に電極を設
け、正の電位に設定し、ここに進行してくる光電子を反
射させて第2段ダイノード13側に導く。
In this modification, the light reflecting mirror 6
Since light that is reflected by, and does not contribute to the generation of photoelectrons also travels to the first-stage dynode 12 side, instead of the first-stage dynode 12, a shape like this first-stage dynode 12,
A reflecting mirror formed with the second photocathode film may be used. In this case, an electrode is provided on the second photocathode film itself or on the back surface side thereof and set to a positive potential, and photoelectrons advancing there are reflected and guided to the second dynode 13 side.

【0036】なお、例えば図9に示す変形例において、
光反射鏡6に設けた第1光電陰極膜7の代わりに、例え
ば光電陰極膜を表面などに設けた光学繊維などの繊維を
織るなどしたものを多層にした構造物(繊維などを織っ
て多層にしたものに後から光電陰極膜を形成したもので
も良いし、多孔質の透明部材に後から光電陰極膜を形成
したものでも良い。)にし、この構造物を通すことによ
り、入射した光は光電陰極膜を表面などに設けた繊維な
どに何回も衝突できる機構にすることによって、一回の
衝突で光電子を発生しない場合でも、複数回の衝突によ
って光電子を高い確率で発生できるようにしても良い。
In the modification shown in FIG. 9, for example,
Instead of the first photocathode film 7 provided on the light reflecting mirror 6, for example, a structure obtained by weaving a fiber such as an optical fiber having a photocathode film provided on the surface thereof is used as a multilayer structure The photocathode film may be formed later on, or the photocathode film may be formed on a porous transparent member later.), And the incident light is passed through this structure. By making the photocathode film a mechanism that can collide with fibers provided on the surface many times, it is possible to generate photoelectrons with high probability by multiple collisions, even when photoelectrons are not generated in one collision. Is also good.

【0037】この場合、発生した光電子は第1段ダイノ
ード12側に吸引される。この場合には光反射鏡6は必
ずしも必要でない。また、上記構造物の裏面側(光入射
窓4と反対側)に負の電位に設定した電極を設けても良
い。この構成によっても従来例より高い量子効率を実現
できる。この構成では上記構造物自体が複数の光電子発
生手段を構成することになる。
In this case, the generated photoelectrons are attracted to the first dynode 12 side. In this case, the light reflecting mirror 6 is not always necessary. Further, an electrode set to a negative potential may be provided on the back side of the structure (the side opposite to the light incident window 4). Also with this configuration, higher quantum efficiency than the conventional example can be realized. In this structure, the structure itself constitutes a plurality of photoelectron generating means.

【0038】また、上記構造物の代わりに光入射窓4の
透明円板3の面と平行に格子状部材を配置すると共に、
光の入射方向に一定ピッチなどで格子状部材を何枚も多
層的に配置したものにしても良い。この場合、すだれ状
或いは網目状などの格子状部材を構成する各ワイヤ状部
材の表面には光反射膜と、その光反射膜の上にさらに光
電陰極膜を形成する。また、ワイヤ状部材の断面形状と
しては例えば、光入射窓4側が頂部となる2等辺3角形
とし、光入射窓4から入射された光は(大部分が第1層
目の格子状部材を形成するワイヤ状部材の)斜面に当た
るようにし、その際光電陰極膜で光電子を発生できるよ
うにする。光電子を発生しない場合には、光反射膜で反
射され、再び光電陰極膜に当たり光電子の発生に寄与す
る。
Further, instead of the above structure, a lattice member is arranged in parallel with the surface of the transparent disc 3 of the light incident window 4, and
A plurality of lattice-shaped members may be arranged in multiple layers at a constant pitch in the light incident direction. In this case, a light-reflecting film is formed on the surface of each wire-like member that forms a grid-like member such as a comb-like or mesh-like member, and a photocathode film is further formed on the light-reflecting film. The cross-sectional shape of the wire-shaped member is, for example, an isosceles triangle whose top is on the side of the light-incident window 4, and the light incident from the light-incident window 4 (most of which forms the first-layer lattice-shaped member). The wire-like member), so that photoelectrons can be generated in the photocathode film. When photoelectrons are not generated, they are reflected by the light reflection film and hit the photocathode film again to contribute to the generation of photoelectrons.

【0039】ここでも光電子を発生しない場合には、次
の層の格子状部材に効率良く導かれ、光電子の発生に寄
与することになる。そして、これらの格子状部材の前方
に第1段ダイノードを配置し、発生した光電子をこの第
1段ダイノードに吸引するようにすればよい。なお、格
子状部材の光電陰極膜は、該格子状部材の例えば外周側
端部で導通するリード線で接地する。
Even when the photoelectrons are not generated here, the photoelectrons are efficiently guided to the lattice-like member of the next layer and contribute to the generation of photoelectrons. Then, the first-stage dynodes may be arranged in front of these grid-like members, and the generated photoelectrons may be attracted to the first-stage dynodes. The photocathode film of the grid member is grounded by a lead wire that conducts at, for example, the outer peripheral side end of the grid member.

【0040】なお、本発明は上述したものに限定される
ものでなく、例えば第1実施例において、光反射鏡6を
設けない構造にしても良い。この場合には第4実施例の
ように第1及び第2の光電子発生手段の機能を備えたも
のになる。
The present invention is not limited to the above-described one, but may be a structure in which the light reflecting mirror 6 is not provided in the first embodiment, for example. In this case, the functions of the first and second photoelectron generating means are provided as in the fourth embodiment.

【0041】また、上述では例えば第2の光電子発生手
段は第1の光電子発生手段において光電子の発生に寄与
しない光を利用して光電子を発生させると説明したが、
光電陰極膜を形成する物質として、低いエネルギでも光
電子を発生させることのできるものを使用することによ
り、第1の光電子発生手段において光電子を発生させる
ことにより、低いエネルギになった光によって次の第2
の光電子発生手段で再び光電子を発生させることができ
るようにしても良い。
Further, in the above description, for example, the second photoelectron generating means is described as generating photoelectrons by utilizing light that does not contribute to the generation of photoelectrons in the first photoelectron generating means.
By using a substance capable of generating photoelectrons even with low energy as the material forming the photocathode film, the photoelectrons are generated in the first photoelectron generating means, and the following second Two
The photoelectron generating means may be able to generate photoelectrons again.

【0042】なお、上述した各実施例などにおいて、そ
の形状などを変形しても良い。また、上述した各実施例
などを部分的などで組み合わせて異なる実施例を形成す
ることもでき、それらも本発明に属する。
In each of the above-mentioned embodiments, the shape and the like may be modified. Further, different embodiments can be formed by partially combining the above-described embodiments and the like, and these also belong to the present invention.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、入
射光の照射により光電子を発生するための第1の光電子
発生手段と、少なくとも前記第1の光電子発生手段で光
電子の発生に寄与しない光を用いて光電子を発生するた
めの第2の光電子発生手段とを設けてあるので、従来例
よりも大幅に量子効率を向上することができる。
As described above, according to the present invention, the first photoelectron generating means for generating photoelectrons by irradiation of incident light and at least the first photoelectron generating means do not contribute to the generation of photoelectrons. Since the second photoelectron generating means for generating photoelectrons by using light is provided, the quantum efficiency can be significantly improved as compared with the conventional example.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例の光電子増倍管の概略断面
図。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a photomultiplier tube according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1実施例における第1光電陰極膜及び第2光
電陰極膜が形成された透過型ガラス板を拡大した断面
図。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a transmissive glass plate on which a first photocathode film and a second photocathode film according to the first embodiment are formed.

【図3】本発明の第2実施例の光電子増倍管の概略断面
図。
FIG. 3 is a schematic sectional view of a photomultiplier tube according to a second embodiment of the present invention.

【図4】第2実施例における第1光電陰極膜及び第2光
電陰極膜が形成された部材を示す断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a member having a first photocathode film and a second photocathode film formed in a second embodiment.

【図5】本発明の第3実施例の具体的構成を示す構成
図。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a specific configuration of a third embodiment of the present invention.

【図6】第3実施例における第1光電陰極膜が形成され
た透過型ガラス板を拡大して示す断面図。
FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a transmissive glass plate on which a first photocathode film according to a third embodiment is formed.

【図7】本発明の第4実施例の光電子増倍管の概略断面
図。
FIG. 7 is a schematic sectional view of a photomultiplier tube according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】第4実施例における第1光電陰極膜が形成され
た光反射鏡を拡大して示す断面図。
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing a light reflecting mirror on which a first photocathode film according to a fourth embodiment is formed.

【図9】第4実施例の変形例の光電子増倍管の概略断面
図。
FIG. 9 is a schematic sectional view of a photomultiplier tube of a modification of the fourth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…光電子増倍管 2…ハウジング 3…透明円板 4…光入射窓 5…透過型ガラス板 6…光反射鏡 7…第1光電陰極膜 8…第2光電陰極膜 9…第1メッシュ状電極 10…第2メッシュ状電極 11…集束電極 12…第1段ダイノード 13…第2段ダイノード 14…第3段ダイノード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photomultiplier tube 2 ... Housing 3 ... Transparent disc 4 ... Light entrance window 5 ... Transmission type glass plate 6 ... Light reflecting mirror 7 ... 1st photocathode film 8 ... 2nd photocathode film 9 ... 1st mesh shape Electrode 10 ... Second mesh electrode 11 ... Focusing electrode 12 ... First stage dynode 13 ... Second stage dynode 14 ... Third stage dynode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入射光の照射により光電子を発生するた
めの第1の光電子発生手段と、前記第1の光電子発生手
段で光電子の発生に寄与しない光を少なくとも用いて光
電子を発生するための第2の光電子発生手段とを設けた
ことを特徴とする光電子増倍管。
1. A first photoelectron generating means for generating photoelectrons by irradiation of incident light, and a first photoelectron generating means for generating photoelectrons using at least light that does not contribute to the generation of photoelectrons by the first photoelectron generating means. 2. A photomultiplier tube, characterized in that it is provided with a photoelectron generating means (2).
JP27249091A 1991-10-21 1991-10-21 Photomultiplier Pending JPH05159740A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007119282A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier
JP2021002531A (en) * 2014-11-14 2021-01-07 ケーエルエー コーポレイション Photomultiplier tube and manufacturing method therefor

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