JPH0515546A - 光凝固装置 - Google Patents
光凝固装置Info
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- JPH0515546A JPH0515546A JP3201480A JP20148091A JPH0515546A JP H0515546 A JPH0515546 A JP H0515546A JP 3201480 A JP3201480 A JP 3201480A JP 20148091 A JP20148091 A JP 20148091A JP H0515546 A JPH0515546 A JP H0515546A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 赤外光ばかりでなく可視光でも照射でき、光
凝固治療の応用範囲が広いという利点をもつとともに、
小型で操作が容易な光凝固装置を提供する。 【構成】 赤外半導体レ−ザ光を光ファイバを介してデ
リバリユニットに導き患部の治療を行う光凝固装置にお
いて、単数または複数の可視半導体レ−ザ発振器と、該
可視半導体レ−ザ発振器からの光束と前記赤外半導体レ
−ザ光とを合成する光合成部材と、前記赤外半導体レ−
ザ発振器と可視半導体レ−ザ発振器の動作を制御する制
御手段を有し、赤外半導体レ−ザ光と可視半導体レ−ザ
光を治療光として使用することを特徴としている。
凝固治療の応用範囲が広いという利点をもつとともに、
小型で操作が容易な光凝固装置を提供する。 【構成】 赤外半導体レ−ザ光を光ファイバを介してデ
リバリユニットに導き患部の治療を行う光凝固装置にお
いて、単数または複数の可視半導体レ−ザ発振器と、該
可視半導体レ−ザ発振器からの光束と前記赤外半導体レ
−ザ光とを合成する光合成部材と、前記赤外半導体レ−
ザ発振器と可視半導体レ−ザ発振器の動作を制御する制
御手段を有し、赤外半導体レ−ザ光と可視半導体レ−ザ
光を治療光として使用することを特徴としている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レ−ザ光を使用
して光凝固する光凝固装置に関するものである。
して光凝固する光凝固装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在使用されている可視の光凝固光とし
ては、アルゴンレ−ザ、クリプトンレ−ザ、ダイレ−ザ
等が代表的である。また、不可視の光凝固光としては、
ヤグレ−ザや半導体レ−ザが知られている。半導体レ−
ザは小型、軽量、低消費電力、長寿命を特徴とするが、
現在、赤外半導体レ−ザをデリバリユニットへ導き、レ
−ザ光を患部に照射して凝固し治療を行う光凝固装置が
知られている。この赤外半導体レ−ザには、他の可視光
による光凝固装置と異なり、深達性に優れるという特徴
があり、眼科分野の応用に関していえば、経強膜毛様体
凝固、経強膜網膜凝固等に適しているという特性がある
ことが知られるに至った。
ては、アルゴンレ−ザ、クリプトンレ−ザ、ダイレ−ザ
等が代表的である。また、不可視の光凝固光としては、
ヤグレ−ザや半導体レ−ザが知られている。半導体レ−
ザは小型、軽量、低消費電力、長寿命を特徴とするが、
現在、赤外半導体レ−ザをデリバリユニットへ導き、レ
−ザ光を患部に照射して凝固し治療を行う光凝固装置が
知られている。この赤外半導体レ−ザには、他の可視光
による光凝固装置と異なり、深達性に優れるという特徴
があり、眼科分野の応用に関していえば、経強膜毛様体
凝固、経強膜網膜凝固等に適しているという特性がある
ことが知られるに至った。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような赤
外半導体レ−ザも万能ではなく、治療部位の性質や手術
方法によってはアルゴンレ−ザ等を使った法が好ましい
ケ−スがある。そこで、良好な手術結果を得ようとすれ
ば、術者は複数種の光凝固装置を用意して適宜選択して
使用しなければならないという不都合があった。また、
アルゴンレ−ザ等の可視光を出射する発振器はいずれも
装置が大型であり、これを組み合わせると装置全体が極
めて大きくなる他、単相あるいは三相200Vの大きな
電力を必要とする。さらには、レ−ザの組み合わせによ
っては水による冷却も必要になり、操作が不便であるば
かりでなく、メインテナンスが煩雑になってしまうとい
う欠点がある。このように、既存の可視のレ−ザ光との
組み合わせは半導体レ−ザの特長を損なう。
外半導体レ−ザも万能ではなく、治療部位の性質や手術
方法によってはアルゴンレ−ザ等を使った法が好ましい
ケ−スがある。そこで、良好な手術結果を得ようとすれ
ば、術者は複数種の光凝固装置を用意して適宜選択して
使用しなければならないという不都合があった。また、
アルゴンレ−ザ等の可視光を出射する発振器はいずれも
装置が大型であり、これを組み合わせると装置全体が極
めて大きくなる他、単相あるいは三相200Vの大きな
電力を必要とする。さらには、レ−ザの組み合わせによ
っては水による冷却も必要になり、操作が不便であるば
かりでなく、メインテナンスが煩雑になってしまうとい
う欠点がある。このように、既存の可視のレ−ザ光との
組み合わせは半導体レ−ザの特長を損なう。
【0004】本発明は、上記欠点に鑑み案出されたもの
で、赤外光ばかりでなく可視光でも照射でき、光凝固治
療の応用範囲が広いという利点をもつとともに、小型で
操作が容易な光凝固装置を提供することを技術課題とす
る。
で、赤外光ばかりでなく可視光でも照射でき、光凝固治
療の応用範囲が広いという利点をもつとともに、小型で
操作が容易な光凝固装置を提供することを技術課題とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の光凝固装置は、
上記目的を達成するために以下のような特徴を有する。
即ち、 (1) 赤外半導体レ−ザ光を光ファイバを介してデリ
バリユニットに導き患部の治療を行う光凝固装置におい
て、単数または複数の可視半導体レ−ザ発振器と、該可
視半導体レ−ザ発振器からの光束と前記赤外半導体レ−
ザ光とを合成する光合成部材と、前記赤外半導体レ−ザ
発振器と可視半導体レ−ザ発振器の動作を制御する制御
手段を有し、赤外半導体レ−ザ光と可視半導体レ−ザ光
を治療光として使用することを特徴としている。
上記目的を達成するために以下のような特徴を有する。
即ち、 (1) 赤外半導体レ−ザ光を光ファイバを介してデリ
バリユニットに導き患部の治療を行う光凝固装置におい
て、単数または複数の可視半導体レ−ザ発振器と、該可
視半導体レ−ザ発振器からの光束と前記赤外半導体レ−
ザ光とを合成する光合成部材と、前記赤外半導体レ−ザ
発振器と可視半導体レ−ザ発振器の動作を制御する制御
手段を有し、赤外半導体レ−ザ光と可視半導体レ−ザ光
を治療光として使用することを特徴としている。
【0006】(2) (1)の制御手段は、赤外半導体
レ−ザ光と可視半導体レ−ザ光との光量割合を調整する
調整手段を有し、両光を混合して治療光として使用する
ことを特徴としている。
レ−ザ光と可視半導体レ−ザ光との光量割合を調整する
調整手段を有し、両光を混合して治療光として使用する
ことを特徴としている。
【0007】(3) (2)の調整手段とは各半導体レ
−ザ発振器への電流を調整してレ−ザの出力を調整する
手段であることを特徴としている。
−ザ発振器への電流を調整してレ−ザの出力を調整する
手段であることを特徴としている。
【0008】(4) (2)の調整手段は半導体レ−ザ
光の光路に光量を減少する光学素子を配置したことを特
徴としている。
光の光路に光量を減少する光学素子を配置したことを特
徴としている。
【0009】(5) (1)の制御手段は、前記赤外半
導体レ−ザ光と可視半導体レ−ザ光とを治療光として選
択的に使用する選択手段とを有することを特徴としてい
る。
導体レ−ザ光と可視半導体レ−ザ光とを治療光として選
択的に使用する選択手段とを有することを特徴としてい
る。
【0010】(6) (5)の光凝固装置において、前
記選択手段により赤外半導体レ−ザ光が治療光として選
択されたときは前記可視半導体レ−ザ光を減光する減光
手段を設け、減光した可視半導体レ−ザ光をエイミング
光として使用することを特徴としている。
記選択手段により赤外半導体レ−ザ光が治療光として選
択されたときは前記可視半導体レ−ザ光を減光する減光
手段を設け、減光した可視半導体レ−ザ光をエイミング
光として使用することを特徴としている。
【0011】(7) (6)の減光手段とは、可視半導
体レ−ザ発振器への電流を調整してレ−ザの出力を調整
する手段であることを特徴としている。
体レ−ザ発振器への電流を調整してレ−ザの出力を調整
する手段であることを特徴としている。
【0012】(8) (7)の減光手段とは、一部の可
視半導体レ−ザ発振器を発光させ、他の可視半導体レ−
ザ発振器の発光を禁止する手段を有することを特徴とし
ている。
視半導体レ−ザ発振器を発光させ、他の可視半導体レ−
ザ発振器の発光を禁止する手段を有することを特徴とし
ている。
【0013】(9) (6)の減光手段とは半導体レ−
ザ光の光路に光量を減少する光学素子を配置したことを
特徴としている。
ザ光の光路に光量を減少する光学素子を配置したことを
特徴としている。
【0014】(10) (1)の光凝固装置において、
可視半導体レ−ザ発振器を複数とし、1/2波長板とポ
ラライザまたはダイクロイックミラ−とにより可視半導
体レ−ザ光を合成することを特徴としている。
可視半導体レ−ザ発振器を複数とし、1/2波長板とポ
ラライザまたはダイクロイックミラ−とにより可視半導
体レ−ザ光を合成することを特徴としている。
【0015】
【作 用】赤外半導体レ−ザを治療光として使用すると
きは可視半導体レ−ザを減光手段により減光して照準光
として使用し、可視半導体レ−ザを治療光として使用す
るときは赤外半導体レ−ザを遮光することにより、治療
部位により可視半導体レ−ザと赤外半導体レ−ザとを使
い分ける。また、両者の深達性の相違を利用し、両レ−
ザを混合することにより、光凝固治療の応用範囲が拡大
する。
きは可視半導体レ−ザを減光手段により減光して照準光
として使用し、可視半導体レ−ザを治療光として使用す
るときは赤外半導体レ−ザを遮光することにより、治療
部位により可視半導体レ−ザと赤外半導体レ−ザとを使
い分ける。また、両者の深達性の相違を利用し、両レ−
ザを混合することにより、光凝固治療の応用範囲が拡大
する。
【0016】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本実施例の光凝固装置の光学系配置図であ
る。1は約800nmの波長を持つ赤外半導体レ−ザであ
り、赤外光である治療光を出射する。尚、赤外半導体レ
−ザは複数であっても良く、この場合には、例えば本出
願人による特願平2−312006号のようにしてカッ
プリングする。2はコリメ−ティングレンズであり、赤
外半導体レ−ザ1からの光を平行光束にする。3は赤外
光を透過し可視光を反射するダイクロイックミラ−であ
り、ダイクロイックミラ−3を透過した赤外光は集光レ
ンズ4により、ファイバ6の端面に集光する。5はシリ
ンドリカルレンズであり半導体レ−ザ光の非点収差を補
正する。7は赤外半導体レ−ザ1からのレ−ザ光の一部
を反射させるためのビ−ムスプリッタである。ビ−ムス
プリッタ7からの反射光は、集光レンズ8によりレ−ザ
出力モニタ用の受光素子10に集光される。9はレ−ザ
光の減衰フィルタ−である。
する。図1は本実施例の光凝固装置の光学系配置図であ
る。1は約800nmの波長を持つ赤外半導体レ−ザであ
り、赤外光である治療光を出射する。尚、赤外半導体レ
−ザは複数であっても良く、この場合には、例えば本出
願人による特願平2−312006号のようにしてカッ
プリングする。2はコリメ−ティングレンズであり、赤
外半導体レ−ザ1からの光を平行光束にする。3は赤外
光を透過し可視光を反射するダイクロイックミラ−であ
り、ダイクロイックミラ−3を透過した赤外光は集光レ
ンズ4により、ファイバ6の端面に集光する。5はシリ
ンドリカルレンズであり半導体レ−ザ光の非点収差を補
正する。7は赤外半導体レ−ザ1からのレ−ザ光の一部
を反射させるためのビ−ムスプリッタである。ビ−ムス
プリッタ7からの反射光は、集光レンズ8によりレ−ザ
出力モニタ用の受光素子10に集光される。9はレ−ザ
光の減衰フィルタ−である。
【0017】11は約670nm付近に波長をもつ可視半
導体レ−ザである。12はコリメ−ティングレンズであ
り、可視半導体レ−ザ11からの光を平行光束にする。
13は約600nm付近に波長をもつ可視半導体レ−ザで
あり、コリメ−ティングレンズ14により平行光束にな
る。15は約670nm付近の波長の光を透過し、約60
0nm付近の波長の光を反射するダイクロイックミラ−
である。可視半導体レ−ザ11及び13は、ダイクロイ
ックミラ−15を透過または反射した光の偏光方向が一
致するように配置されている。16は約670nm付近に
波長をもつ可視半導体レ−ザであり、その光はコリメ−
ティングレンズ17により平行光束になる。18は約6
00nm付近に波長をもつ可視半導体レ−ザであり、19
はコリメ−ティングレンズである。20は約670nm付
近の波長の光を透過し約600nm付近の波長の光を反射
するダイクロイックミラ−である。21は偏光面を90
度回転させる1/2波長板であり、22は一定の向きの
偏光を透過しそれと直角な向きの偏光を反射するポララ
イザである。1/2波長板21及びポラライザ22によ
り可視半導体レ−ザ11,13,16及び18の光を効
率良く合成する。23は可視半導体レ−ザ11,13,
16,18からのレ−ザ光の一部を反射させるためのビ
−ムスプリッタである。ビ−ムスプリッタ23からの反
射光は集光レンズ24によりレ−ザ出力モニタ用の受光
素子26に集光される。25はレ−ザ光の減衰フィルタ
−である。
導体レ−ザである。12はコリメ−ティングレンズであ
り、可視半導体レ−ザ11からの光を平行光束にする。
13は約600nm付近に波長をもつ可視半導体レ−ザで
あり、コリメ−ティングレンズ14により平行光束にな
る。15は約670nm付近の波長の光を透過し、約60
0nm付近の波長の光を反射するダイクロイックミラ−
である。可視半導体レ−ザ11及び13は、ダイクロイ
ックミラ−15を透過または反射した光の偏光方向が一
致するように配置されている。16は約670nm付近に
波長をもつ可視半導体レ−ザであり、その光はコリメ−
ティングレンズ17により平行光束になる。18は約6
00nm付近に波長をもつ可視半導体レ−ザであり、19
はコリメ−ティングレンズである。20は約670nm付
近の波長の光を透過し約600nm付近の波長の光を反射
するダイクロイックミラ−である。21は偏光面を90
度回転させる1/2波長板であり、22は一定の向きの
偏光を透過しそれと直角な向きの偏光を反射するポララ
イザである。1/2波長板21及びポラライザ22によ
り可視半導体レ−ザ11,13,16及び18の光を効
率良く合成する。23は可視半導体レ−ザ11,13,
16,18からのレ−ザ光の一部を反射させるためのビ
−ムスプリッタである。ビ−ムスプリッタ23からの反
射光は集光レンズ24によりレ−ザ出力モニタ用の受光
素子26に集光される。25はレ−ザ光の減衰フィルタ
−である。
【0018】図2は本実施例の半導体レ−ザを制御する
制御回路図である。VR1は光凝固出力を設定する可変
抵抗器であり、31はバッファ回路である。32は赤外
光と可視光の出力の割合を調整する調整回路であり、可
変抵抗器VR3の調整により各半導体レ−ザのON・OFF
及び赤外と可視の出力の割合を定める。赤外と可視の割
合を定めた出力電圧は、それぞれSW2,SW4を経て、赤
外の比較回路33aと可視の比較回路33bに入力され
る。33aは赤外の半導体レ−ザの出力とVR1及びV
R3で設定調整された光凝固出力の比較回路である。比
較回路33aの出力は34aのレ−ザ駆動回路に入力さ
れ、赤外半導体レ−ザ1に電流を流し、赤外レ−ザ光を
出射させる。赤外半導体レ−ザ1から出たレ−ザ光の一
部をモニタ用の受光素子10で受光させ、光電変換され
た電流がレ−ザ出力検出回路36aに入力され、レ−ザ
出力に応じた出力電圧が得られる。レ−ザ出力検出回路
36aからの出力電圧は、比較回路33aに入力され光
凝固設定出力電圧と比較することにより赤外半導体レ−
ザ1の電流を制御し、光凝固設定出力に合わせるととも
にレ−ザ出力を一定に保たせる。
制御回路図である。VR1は光凝固出力を設定する可変
抵抗器であり、31はバッファ回路である。32は赤外
光と可視光の出力の割合を調整する調整回路であり、可
変抵抗器VR3の調整により各半導体レ−ザのON・OFF
及び赤外と可視の出力の割合を定める。赤外と可視の割
合を定めた出力電圧は、それぞれSW2,SW4を経て、赤
外の比較回路33aと可視の比較回路33bに入力され
る。33aは赤外の半導体レ−ザの出力とVR1及びV
R3で設定調整された光凝固出力の比較回路である。比
較回路33aの出力は34aのレ−ザ駆動回路に入力さ
れ、赤外半導体レ−ザ1に電流を流し、赤外レ−ザ光を
出射させる。赤外半導体レ−ザ1から出たレ−ザ光の一
部をモニタ用の受光素子10で受光させ、光電変換され
た電流がレ−ザ出力検出回路36aに入力され、レ−ザ
出力に応じた出力電圧が得られる。レ−ザ出力検出回路
36aからの出力電圧は、比較回路33aに入力され光
凝固設定出力電圧と比較することにより赤外半導体レ−
ザ1の電流を制御し、光凝固設定出力に合わせるととも
にレ−ザ出力を一定に保たせる。
【0019】一方、可視半導体レ−ザ側の比較回路33
bの出力は、SW4b,SW6,SW7,SW8を介して、レ−
ザ駆動回路34b,34c,34d,34eに入力さ
れ、可視半導体レ−ザ13,11,16,18を発光さ
せる。可視半導体レ−ザ13,11,16,18からの
レ−ザ光の一部はモニタ用の受光素子26に受光され、
その光電変換電流をレ−ザ出力検出回路36cに入力さ
せレ−ザ出力に応じた出力電圧を得る。レ−ザ出力検出
回路36cからの出力電圧は、比較回路33bに入力さ
れ光凝固設定出力電圧と比較して可視半導体レ−ザの出
力を一致させるとともに、レ−ザ出力を一定に保つよう
半導体レ−ザの電流を制御する。発光させる半導体レ−
ザの数は半導体レ−ザ13,11,16,18に対応し
たスイッチSW4b,SW6,SW7,SW8により選択され
る。SW1及びSW3は赤外または可視の半導体レ−ザを単
独で使用するときの選択スイッチである。赤外の半導体
レ−ザのみの場合はSW1のみ閉じ、可視の半導体レ−ザ
のみの場合は、SW3のみを閉じる。
bの出力は、SW4b,SW6,SW7,SW8を介して、レ−
ザ駆動回路34b,34c,34d,34eに入力さ
れ、可視半導体レ−ザ13,11,16,18を発光さ
せる。可視半導体レ−ザ13,11,16,18からの
レ−ザ光の一部はモニタ用の受光素子26に受光され、
その光電変換電流をレ−ザ出力検出回路36cに入力さ
せレ−ザ出力に応じた出力電圧を得る。レ−ザ出力検出
回路36cからの出力電圧は、比較回路33bに入力さ
れ光凝固設定出力電圧と比較して可視半導体レ−ザの出
力を一致させるとともに、レ−ザ出力を一定に保つよう
半導体レ−ザの電流を制御する。発光させる半導体レ−
ザの数は半導体レ−ザ13,11,16,18に対応し
たスイッチSW4b,SW6,SW7,SW8により選択され
る。SW1及びSW3は赤外または可視の半導体レ−ザを単
独で使用するときの選択スイッチである。赤外の半導体
レ−ザのみの場合はSW1のみ閉じ、可視の半導体レ−ザ
のみの場合は、SW3のみを閉じる。
【0020】VR2はエイミング光の出力を設定する可
変抵抗器であり、エイミング設定電圧はバッファ回路3
4、スイッチSW5aを介し駆動回路34bに入力して、
可視の半導体レ−ザ13を発光させエイミング光とす
る。可視半導体レ−ザ13のレ−ザ光の一部は半導体レ
−ザに内蔵されたレ−ザ出力のモニタ用受光素子27に
入射し、受光素子27の出力電圧はレ−ザ出力検出回路
36bによりレ−ザ出力に対応する電圧に変換され、SW
5bを介して比較回路を兼ねた駆動回路34bに入力さ
れレ−ザ出力をエイミング設定出力に合わせる。尚、エ
イミング光を出力させる場合は、スイッチSW5a,SW5
bを閉じ、他のスイッチはすべて開き可視の半導体レ−
ザ13のみ発光させる。これらの回路は装置内蔵のマイ
クロコンピュ−タにより制御される。
変抵抗器であり、エイミング設定電圧はバッファ回路3
4、スイッチSW5aを介し駆動回路34bに入力して、
可視の半導体レ−ザ13を発光させエイミング光とす
る。可視半導体レ−ザ13のレ−ザ光の一部は半導体レ
−ザに内蔵されたレ−ザ出力のモニタ用受光素子27に
入射し、受光素子27の出力電圧はレ−ザ出力検出回路
36bによりレ−ザ出力に対応する電圧に変換され、SW
5bを介して比較回路を兼ねた駆動回路34bに入力さ
れレ−ザ出力をエイミング設定出力に合わせる。尚、エ
イミング光を出力させる場合は、スイッチSW5a,SW5
bを閉じ、他のスイッチはすべて開き可視の半導体レ−
ザ13のみ発光させる。これらの回路は装置内蔵のマイ
クロコンピュ−タにより制御される。
【0021】以上のような光学系及び制御系をもつ光凝
固装置の動作について、図3の半導体レ−ザの動作の様
子を示すタイミングチャ−トに基づいて説明する。エイ
ミング光を出射する場合は操作盤を操作し、スイッチSW
5a,5bを閉にし、可変抵抗器VR2で設定された出
力に可視半導体レ−ザ13の出力を調整し、これを発光
させる。(T1,T3,T5,T7,T9,T11)。
レ−ザ13を出射した可視レ−ザ光はコリメ−ティング
レンズ14を通過し、ダイクロイックミラ−15で反射
し、ポラライザ22で反射してビ−ムスプリッタ23を
通過後、ダイクロイックミラ−3に進む。ダイクロイッ
クミラ−3で反射したレ−ザ13の光は集光レンズ4,
シリンドリカルレンズ5を通過してファイバ6に入光す
る。ファイバ6に入光したエイミング光は図示しないデ
リバリユニットに導かれ眼内に照射される。赤外レ−ザ
光による治療をするときは、スイッチSW1を閉じ(T
2)、赤外半導体レ−ザ1を発光する。赤外半導体レ−
ザ1を出射した赤外レ−ザ光はコリメ−ティングレンズ
2により平行光束とされ、ビ−ムスプリッタ7,ダイク
ロイックミラ−3を透過し、集光レンズ4及びシリンド
リカルレンズ5によりファイバ6に入光する。赤外レ−
ザ光はデリバリユニットにより眼内に導かれる。可視レ
−ザ光による治療をするときは、スイッチSW3及びSW4
bを閉じ(T4)、設定出力に従い、さらにスイッチSW
6、SW7及びSW8を閉じ可視半導体レ−ザ11,16,
18を発光させて必要な出力を得る(T8,T10,T
12)。それぞれの光束は前述の光学系によりポラライ
ザ22を透過または反射した後同軸となり、さらに前述
の光学部材を経てファイバ6に入光する。
固装置の動作について、図3の半導体レ−ザの動作の様
子を示すタイミングチャ−トに基づいて説明する。エイ
ミング光を出射する場合は操作盤を操作し、スイッチSW
5a,5bを閉にし、可変抵抗器VR2で設定された出
力に可視半導体レ−ザ13の出力を調整し、これを発光
させる。(T1,T3,T5,T7,T9,T11)。
レ−ザ13を出射した可視レ−ザ光はコリメ−ティング
レンズ14を通過し、ダイクロイックミラ−15で反射
し、ポラライザ22で反射してビ−ムスプリッタ23を
通過後、ダイクロイックミラ−3に進む。ダイクロイッ
クミラ−3で反射したレ−ザ13の光は集光レンズ4,
シリンドリカルレンズ5を通過してファイバ6に入光す
る。ファイバ6に入光したエイミング光は図示しないデ
リバリユニットに導かれ眼内に照射される。赤外レ−ザ
光による治療をするときは、スイッチSW1を閉じ(T
2)、赤外半導体レ−ザ1を発光する。赤外半導体レ−
ザ1を出射した赤外レ−ザ光はコリメ−ティングレンズ
2により平行光束とされ、ビ−ムスプリッタ7,ダイク
ロイックミラ−3を透過し、集光レンズ4及びシリンド
リカルレンズ5によりファイバ6に入光する。赤外レ−
ザ光はデリバリユニットにより眼内に導かれる。可視レ
−ザ光による治療をするときは、スイッチSW3及びSW4
bを閉じ(T4)、設定出力に従い、さらにスイッチSW
6、SW7及びSW8を閉じ可視半導体レ−ザ11,16,
18を発光させて必要な出力を得る(T8,T10,T
12)。それぞれの光束は前述の光学系によりポラライ
ザ22を透過または反射した後同軸となり、さらに前述
の光学部材を経てファイバ6に入光する。
【0022】さらに、赤外レ−ザ光と可視レ−ザ光を同
期的に治療光として使用するときは、スイッチSW2とス
イッチSW4及びスイッチSW4bを閉じ(T6)、調整回
路32で設定された出力割合に従いスイッチSW6、SW7
及びSW8の開閉を制御する。このように両光の出力調整
を行うのは眼底における網膜色素上皮、脈絡膜での波長
別吸収特性を考慮して、病変部の治療または凝固範囲を
選択をするためである。
期的に治療光として使用するときは、スイッチSW2とス
イッチSW4及びスイッチSW4bを閉じ(T6)、調整回
路32で設定された出力割合に従いスイッチSW6、SW7
及びSW8の開閉を制御する。このように両光の出力調整
を行うのは眼底における網膜色素上皮、脈絡膜での波長
別吸収特性を考慮して、病変部の治療または凝固範囲を
選択をするためである。
【0023】以上の実施例は、現在のところ可視半導体
レ−ザ単体では十分な出力が得られないことを考慮して
設計されたものであるが、高出力の可視半導体レ−ザの
開発やその波長特性を考慮して、可視半導体レ−ザの個
数やその種類を適宜選択し、本実施例を変容することが
できる。
レ−ザ単体では十分な出力が得られないことを考慮して
設計されたものであるが、高出力の可視半導体レ−ザの
開発やその波長特性を考慮して、可視半導体レ−ザの個
数やその種類を適宜選択し、本実施例を変容することが
できる。
【0024】また、本発明は、その半導体レ−ザのカッ
プリングの方法を本実施例のみに限定するものでなく、
種々の変容が可能であることは当業者には明らかであ
る。また、半導体レ−ザは従来のレ−ザとは異なり発光
制御が容易であるので、可視の半導体レ−ザ光をエイミ
ング光として使用するときもフィルタによる減光の方法
を採っていないが、こうした従来の方法を採用すること
もできる。
プリングの方法を本実施例のみに限定するものでなく、
種々の変容が可能であることは当業者には明らかであ
る。また、半導体レ−ザは従来のレ−ザとは異なり発光
制御が容易であるので、可視の半導体レ−ザ光をエイミ
ング光として使用するときもフィルタによる減光の方法
を採っていないが、こうした従来の方法を採用すること
もできる。
【0025】
【発明の効果】本発明の光凝固装置によれば、赤外光ば
かりでなく可視光も治療光として使用できるので、光凝
固治療の応用範囲が拡大する。また、一台の装置により
広い範囲の光凝固治療ができると共に、小型で操作が容
易である。
かりでなく可視光も治療光として使用できるので、光凝
固治療の応用範囲が拡大する。また、一台の装置により
広い範囲の光凝固治療ができると共に、小型で操作が容
易である。
【図1】実施例の光凝固装置の本体の光学系配置図であ
る。
る。
【図2】実施例の半導体レ−ザを制御する制御回路図で
ある。
ある。
【図3】半導体レ−ザの動作の様子を示すタイミングチ
ャ−トである。
ャ−トである。
1 赤外半導体レ−ザ
2,12,14,17,19 コリメ−ティングレンズ
3,15,20 ダイクロイックミラ−
4,8,24 集光レンズ
5 シリンドリカルレンズ
6 ファイバ
11,13,16,18 可視半導体レ−ザ
34a〜e レ−ザ駆動回路
32 調整回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年5月30日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項4
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項6
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項9
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】(4) (2)の調整手段は半導体レ−ザ
光の光路に光量を減少させる光学素子を配置したことを
特徴としている。
光の光路に光量を減少させる光学素子を配置したことを
特徴としている。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】(6) (5)の光凝固装置において、前
記選択手段により赤外半導体レ−ザ光が治療光として選
択されたときは前記可視半導体レ−ザ光を減光させる減
光手段を設け、減光した可視半導体レ−ザ光をエイミン
グ光として使用することを特徴としている。
記選択手段により赤外半導体レ−ザ光が治療光として選
択されたときは前記可視半導体レ−ザ光を減光させる減
光手段を設け、減光した可視半導体レ−ザ光をエイミン
グ光として使用することを特徴としている。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】(9) (6)の減光手段とは半導体レ−
ザ光の光路に光量を減少させる光学素子を配置したこと
を特徴としている。
ザ光の光路に光量を減少させる光学素子を配置したこと
を特徴としている。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】以上のような光学系及び制御系をもつ光凝
固装置の動作について、図3の半導体レ−ザの動作の様
子を示すタイミングチャ−トに基づいて説明する。エイ
ミング光を出射する場合は操作盤を操作し、スイッチsw
5a,5bを閉にし、可変抵抗器VR2で設定された出
力に可視半導体レ−ザ13の出力を調整し、これを発光
させる。(T1,T3,T5,T7,T9,T11)。
レ−ザ13を出射した可視レ−ザ光はコリメ−ティング
レンズ14を通過し、ダイクロイックミラ−15で反射
し、ポラライザ22で反射してビ−ムスプリッタ23を
通過後、ダイクロイックミラ−3に進む。ダイクロイッ
クミラ−3で反射したレ−ザ13の光は集光レンズ4、
シリンドリカルレンズ5を通過してファイバ6に入光す
る。ファイバ6に入光したエイミング光は図示しないデ
リバリユニットに導かれ眼内の患部に照射される。赤外
レ−ザ光による治療をするときは、スイッチsw1を閉じ
(T2)、赤外半導体レ−ザ1を発光する。赤外半導体
レ−ザ1を出射した赤外レ−ザ光はコリメ−ティングレ
ンズ2により平行光束とされ、ビ−ムスプリッタ7,ダ
イクロイックミラ−3を透過し、集光レンズ4及びシリ
ンドリカルレンズ5によりファイバ6に入光する。赤外
レ−ザ光はデリバリユニットにより眼内に導かれる。可
視レ−ザ光による治療をするときは、スイッチsw3及び
sw4bを閉じ(T4)、設定出力に従い、さらにスイッ
チsw6、sw7及びsw8を閉じ可視半導体レ−ザ11,1
6,18を発光させて必要な出力を得る(T8,T1
0,T12)。それぞれの光束は前述の光学系によりポ
ラライザ22を透過または反射した後同軸となり、さら
に前述の光学部材を経てファイバ6に入光する。
固装置の動作について、図3の半導体レ−ザの動作の様
子を示すタイミングチャ−トに基づいて説明する。エイ
ミング光を出射する場合は操作盤を操作し、スイッチsw
5a,5bを閉にし、可変抵抗器VR2で設定された出
力に可視半導体レ−ザ13の出力を調整し、これを発光
させる。(T1,T3,T5,T7,T9,T11)。
レ−ザ13を出射した可視レ−ザ光はコリメ−ティング
レンズ14を通過し、ダイクロイックミラ−15で反射
し、ポラライザ22で反射してビ−ムスプリッタ23を
通過後、ダイクロイックミラ−3に進む。ダイクロイッ
クミラ−3で反射したレ−ザ13の光は集光レンズ4、
シリンドリカルレンズ5を通過してファイバ6に入光す
る。ファイバ6に入光したエイミング光は図示しないデ
リバリユニットに導かれ眼内の患部に照射される。赤外
レ−ザ光による治療をするときは、スイッチsw1を閉じ
(T2)、赤外半導体レ−ザ1を発光する。赤外半導体
レ−ザ1を出射した赤外レ−ザ光はコリメ−ティングレ
ンズ2により平行光束とされ、ビ−ムスプリッタ7,ダ
イクロイックミラ−3を透過し、集光レンズ4及びシリ
ンドリカルレンズ5によりファイバ6に入光する。赤外
レ−ザ光はデリバリユニットにより眼内に導かれる。可
視レ−ザ光による治療をするときは、スイッチsw3及び
sw4bを閉じ(T4)、設定出力に従い、さらにスイッ
チsw6、sw7及びsw8を閉じ可視半導体レ−ザ11,1
6,18を発光させて必要な出力を得る(T8,T1
0,T12)。それぞれの光束は前述の光学系によりポ
ラライザ22を透過または反射した後同軸となり、さら
に前述の光学部材を経てファイバ6に入光する。
【手続補正8】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
Claims (10)
- 【請求項1】 赤外半導体レ−ザ光を光ファイバを介し
てデリバリユニットに導き患部の治療を行う光凝固装置
において、単数または複数の可視半導体レ−ザ発振器
と、該可視半導体レ−ザ発振器からの光束と前記赤外半
導体レ−ザ光とを合成する光合成部材と、前記赤外半導
体レ−ザ発振器と可視半導体レ−ザ発振器の動作を制御
する制御手段を有し、赤外半導体レ−ザ光と可視半導体
レ−ザ光を治療光として使用することを特徴とする光凝
固装置。 - 【請求項2】 請求項1の制御手段は、赤外半導体レ−
ザ光と可視半導体レ−ザ光との光量割合を調整する調整
手段を有し、両光を混合して治療光として使用すること
を特徴とする光凝固装置。 - 【請求項3】 請求項2の調整手段とは各半導体レ−ザ
発振器への電流を調整してレ−ザの出力を調整する手段
であることを特徴とする光凝固装置。 - 【請求項4】 請求項2の調整手段は半導体レ−ザ光の
光路に光量を減少する光学素子を配置したことを特徴と
する光凝固装置。 - 【請求項5】 請求項1の制御手段は、前記赤外半導体
レ−ザ光と可視半導体レ−ザ光とを治療光として選択的
に使用する選択手段とを有することを特徴とする光凝固
装置。 - 【請求項6】 請求項5の光凝固装置において、前記選
択手段により赤外半導体レ−ザ光が治療光として選択さ
れたときは前記可視半導体レ−ザ光を減光する減光手段
を設け、減光した可視半導体レ−ザ光をエイミング光と
して使用することを特徴とする光凝固装置。 - 【請求項7】 請求項6の減光手段とは、可視半導体レ
−ザ発振器への電流を調整してレ−ザの出力を調整する
手段であることを特徴とする光凝固装置。 - 【請求項8】 請求項7の減光手段とは、一部の可視半
導体レ−ザ発振器を発光させ、他の可視半導体レ−ザ発
振器の発光を禁止する手段を有することを特徴とする光
凝固装置。 - 【請求項9】 請求項6の減光手段とは半導体レ−ザ光
の光路に光量を減少する光学素子を配置したことを特徴
とする光凝固装置。 - 【請求項10】 請求項1の光凝固装置において、可視
半導体レ−ザ発振器を複数とし、1/2波長板とポララ
イザまたはダイクロイックミラ−とにより可視半導体レ
−ザ光を合成することを特徴とする光凝固装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3201480A JPH0515546A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 光凝固装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3201480A JPH0515546A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 光凝固装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0515546A true JPH0515546A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=16441770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3201480A Pending JPH0515546A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 光凝固装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0515546A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6165170A (en) * | 1998-01-29 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Laser dermablator and dermablation |
JP2017108009A (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 三菱電機株式会社 | 照明用レーザ装置 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3201480A patent/JPH0515546A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6165170A (en) * | 1998-01-29 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Laser dermablator and dermablation |
JP2017108009A (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 三菱電機株式会社 | 照明用レーザ装置 |
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