JPH05144100A

JPH05144100A - 磁気光学記録媒体

Info

Publication number: JPH05144100A
Application number: JP20999791A
Authority: JP
Inventors: Egon Dr Hellstern; エゴン、ヘルシユテルン; Horst Hilgers; ホルスト、ヒルガース
Original assignee: Hoechst AG
Current assignee: Hoechst AG
Priority date: 1990-07-27
Filing date: 1991-07-26
Publication date: 1993-06-11
Also published as: EP0468391A2; EP0468391A3; DE4023884A1

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】読取信号の強度を低下させずに記録媒体の磁
気光学記録層の耐食性が増加するようにその反射層を改
良する。【構成】磁気光学記録媒体１０は、透明基材１、少な
くとも一つの誘電層２、磁気光学記録層３および反射層
４からなる。さらに、反射層４と磁気光学記録層３との
間に別の誘電層５を配置することができる。反射層４
は、少なくとも２つの金属成分ＡおよびＢからなり、そ
れらの成分の比率は、例えば反射層の面に対して垂直方
向に、一つの成分Ｂの濃度勾配が０〜１０原子％になる
様に、反射層の厚さ全体に渡って変化する。磁気光学記
録層３に面した反射層４の内側における成分Ａの比率は
１００原子％であり、反射層４の外側に向かってゼロに
減少することができる。反射層４の成分Ａは例えば純粋
なアルミニウムであり、反射層４の成分Ｂは、Ｚｒ、Ｔ
ａ、ＴｉおよびＣｒからなるグループから選択する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、透明な基材、少なくとも一つの
誘電層、磁気光学記録層および反射層からなる磁気光学
記録媒体に関する。

【０００２】磁気光学記録媒体においては、一般に、磁
気光学記録層、または磁気光学記録層上に存在する誘電
層に、一般にアルミニウム、銅、金または銀の層である
反射層をスパッター法により施す。この反射層は２つの
重要な機能を果たす必要がある。すなわち、一方で、磁
気光学記録層における追加のファラデー回転の結果、よ
り高い信号を得るために、記録された情報を読み取るた
めの入射レーザー光を磁気光学記録層または記憶層上に
反射する必要がある。信号強度は記録媒体構造全体の反
射係数に比例するので、この反射層の反射係数は使用す
るレーザー光波長に対してできるだけ大きくすべきであ
る。他方、反射層は、すぐ下にある、または誘電層によ
り分離されている磁気光学記録層を保護する。特にアル
ミニウムの反射層の場合、不動態化する作用があり、腐
食の進行を防止するＡｌ₂Ｏ₃の層が開放側つまり外側
に生じ、その上に保護層を施す。

【０００３】しかし、アルミニウム層の腐食防止は、例
えば水や空気中に少量存在する塩化物イオンの攻撃に耐
えられない。塩素は、腐食の写真から分かる様に、アル
ミナの保護層を破壊し、アルミニウム層に特徴的な細孔
を形成する。この腐食は、反射体材料のアルミニウムに
他の元素を合金化することにより遅らせる、または防ぐ
ことができる。これらの物質には、タンタル、チタン、
ジルコニウム、クロム、等がある。

【０００４】そこで、ヨーロッパ特許出願ＥＰ−Ａ−０
２９６８８８号は、透明基材、中間層、磁気光学記録層
および反射層からなる磁気光学記録媒体を開示している
が、その反射層はアルミニウムとタンタルの合金を含
む。磁気光学記録層は反射層と中間層との間に位置して
いる。別の実施形態では、磁気光学記録媒体が透明基
材、磁気光学記録層、反射層および有機保護層からな
り、反射層は磁気光学記録層と有機保護層との間に配置
されている。保護層は同様に金属酸化物または非金属酸
化物、または金属または非金属の窒化物からなる。これ
らの物質の中で、酸化タンタルおよび窒化ケイ素が保護
層に好適である。反射層はＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＺ
ｒ、ＡｌＰｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌまたはＴａからなること
ができる。これらの金属を反射層のアルミニウムと合金
化することにより、一般に記録媒体の耐腐食性が僅かに
増加する。しかし、重大な欠点は、異なった元素を合金
化する度に、アルミニウムの反射係数および吸収係数が
低下し、そのために読み取った信号の信号／ノイズ比ま
たは信号強度が低下することである。

【０００５】米国特許第４，８６１，６７１号は、酸素
に対して不透過性の外側層および磁気光学記録層を保護
する内側層からなる、２層式保護層を有する磁気光学記
録媒体を記載している。外側層は例えばアルミナからな
り、内側層は窒化アルミニウムまたは他の非酸化物性化
合物からなる。この酸化物および非酸化物層は、不連続
層を形成する、または連続的および段階的に一方から他
方へ変化することができる。段階的な層は、酸素および
窒素の反応性ガス雰囲気中でアルミニウムの反応性スパ
ッタリングにより、その反応性ガスの流量をスパッタリ
ング中に窒素から酸素に連続的に変化させることによ
り、形成することができる。

【０００６】文献アプライドフィジックスレター５１
（７）１９８７、５４２−５４４頁には、磁気光学合金
を酸化および腐食から保護するための不連続二重被覆が
記載されている。問題の被覆は、空気中で不動態化する
クロムまたはアルミニウムの様な金属、および例えばニ
オブの拡散層からなる二重被覆フィルムである。この二
重保護フィルムは、磁気光学合金中に拡散することがあ
る不連続な不動態化した金属保護層と比較して、耐腐食
性および酸素に対する保護性が高い。

【０００７】本発明の目的は、読取り信号の信号強度を
低下させずに、記録媒体の磁気光学記録層の耐腐食性が
増加する様に、磁気光学記録媒体の反射層を改良するこ
とである。別の目的は、その様な反射層の製造方法を提
供することである。

【０００８】本発明の目的は、冒頭に記載する種類の磁
気光学記録媒体であって、反射層が少なくとも２つの金
属成分ＡおよびＢからなり、それらの成分の比率変化に
より、反射層に対して垂直方向に濃度勾配が形成される
ことを特徴とする磁気光学記録媒体により達成される。

【０００９】本発明のその他の展開では、反射層の、磁
気光学記録層に面した内側にある成分Ａの比率は１００
原子％であり、反射層の外側に向かって減少する。それ
に応じて、成分Ｂの比率は反射層の厚さと共に増加し、
反射層の外側で１０原子％に達する。

【００１０】本発明の一実施形態では、反射層の成分Ａ
は純粋なアルミニウムであり、反射層の成分ＢはＺｒ、
Ｔａ、ＴｉおよびＣｒからなるグループから選択した金
属である。

【００１１】磁気光学記録層上またはその磁気光学記録
層に施した誘電層上にターゲットの成分をイン−ライン
スパッタリングすることにより、磁気光学記録媒体の反
射層を製作する方法では、スパッタリングの際に、磁気
光学記録媒体を先ず純粋な金属成分Ａからなるターゲッ
トの第一部分を通過させ、続いて成分Ａおよび少なくと
も一つの他の金属成分Ｂからなるターゲットの第二部分
を通過させる。

【００１２】本発明に係わる方法の別の実施形態では、
希ガス雰囲気中で、磁気光学記録層上、またはその磁気
光学記録層上に施した誘電層上に成分Ａのスパッタリン
グおよび同時に成分ＡおよびＢのスパッタリングを行
う。

【００１３】本発明の利点は、反射層の厚さが非常に小
さい場合に、アルミニウムである成分Ａの優れた反射特
性が、反射層の面に対して垂直方向の２つの成分Ａおよ
びＢの濃度勾配形成により本質的に維持され、その上、
２つの成分ＡおよびＢの合金が存在する反射層の外側が
十分な腐食防止および酸化防止効果を発揮することにあ
る。

【００１４】以下に、添付の図面を参照しながら、本発
明を詳細に説明する。図１の断面図は、透明基材１、誘
電層２、磁気光学記録層３および反射層４からなる記録
媒体１０を示す。

【００１５】記録媒体１０の別の実施形態を図２の断面
図に示す。この実施形態が図１の実施形態と異なってい
る点は、基材１、誘電層２および磁気光学記録層３に加
えて、磁気光学記録層３と反射層４との間にもう一つの
誘電層５が配置されていることだけである。

【００１６】記録媒体１０の透明基材１は、ポリカーボ
ネートＰＣ、ガラスまたはポリメタクリル酸メチルＰＭ
ＭＡの様な公知の材料からなる。誘電層２または５は、
ＡｌＮ、Ｔａ₂Ｏ₃、ＳｉＯ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄等の
薄層である。磁気光学記録層には、希土類および遷移金
属の２成分、３成分、４成分または５成分合金が好適で
ある。

【００１７】反射層４は少なくとも２つの金属成分Ａお
よびＢからなり、その比率は反射層の厚さ全体に渡って
変化する、すなわち成分ＡおよびＢは、以下に詳細に説
明する様に、反射層４に対して垂直方向に濃度勾配を有
する。反射層４の成分Ａは特に純粋なアルミニウムが好
ましいが、銅、金および銀もこの目的に好適である。反
射層の成分Ｂは、ジルコニウム、タンタル、チタンおよ
びクロムからなるグループから選択された金属である。
反射層４の濃度勾配は、成分Ａ：Ｂの原子百分率が１０
０％：０％〜０％：１００％の範囲内である。成分Ａ：
Ｂの原子百分率が１００％：０％〜９０％：１０％の範
囲内の濃度勾配を使用するのが好ましい。つまり、成分
Ａは、磁気光学記録層３またはその上に存在する誘電層
５に面した反射層４の内側で１００％の比率で存在し、
反射層４の外側に向かって９０％まで減少するのに対
し、成分Ｂの比率は反射層の内側で０％であり、反射層
の外側で１０％になる。特に、反射層４の濃度勾配は、
成分Ａ：Ｂの原子百分率が１００：０〜９５．５：４．
５の範囲内である。この関係を、反射層４の成分Ｂの勾
配１１を反射層の厚さ全体に渡って示す、図３に図式的
に示す。反射層の内側、すなわち座標系の原点では成分
Ｂの比率が０原子％であるのに対し、反射層の外側では
１０原子％まで増加する。それに応じて、図１の磁気光
学記録層３または図２の誘電層５に面した反射層の内側
では、成分Ａの比率が１００原子％であり、反射層４の
外側に向かって９０原子％に減少する。成分Ａに関する
濃度勾配の変化は図３には示していない。

【００１８】反射層４の成分ＡおよびＢにさらに別の成
分Ｃを加えることができるが、該成分Ｃも同様に、Ｚ
ｒ、Ｔａ、ＴｉおよびＣｒからなるグループから選択さ
れた、ただし成分Ｂとは異なる金属、または炭素、ケイ
素、リン、ホウ素等の非金属成分でよい。成分Ｃも同様
に反射層４の面に対して垂直方向に濃度勾配を有する。

【００１９】図１および２の磁気光学記録層３は、例え
ばＴｂＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、
ＴｂＦｅＣｏＳｅ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣ
ｏＰｔ、ＤｙＴｂＦｅＣｏＳｅまたは磁気光学記録材料
として公知の合金の様な類似の多成分合金からなる。

【００２０】図４は、主成分がアルミニウムである反射
層の厚さ全体に渡るジルコニウムの原子％を示し、図５
および図６は、主成分がやはりアルミニウムである反射
層の厚さ全体に渡るタンタルの原子％を示す。これら
は、異なったターゲット形態ａ、ｂおよびｄを使用して
スパッタリング処理した反射層に対する、いわゆる「ラ
ザフォード−後方散乱」測定（ＲＢＳ）である。これら
のターゲット配置を以下に図８（ａ）−８（ｄ）を参照
しながら詳細に説明する。図４は、ＡｌＺｒの反射層に
対して、座標系の原点に位置する反射層の外側から、約
１５０nmの厚さを有する反射層の内側に向かって、ジル
コニウムの濃度勾配を示す。この反射層は、非対称構造
を有する形態ｄのターゲットを使用してスパッタリング
した。ジルコニウム濃度は反射層の内側で約１．３原子
％であり、反射層の外側では２．８原子％の値に増加す
る。図５によるＲＢＳ測定は、ＡｌＴａからなり、形態
ａのターゲットを使用してスパッタリングした反射層に
対して行う。この型のターゲットは、２つの成分アルミ
ニウムおよびタンタルの分布が対称的なので、スパッタ
リングの際に反射層の厚さ全体に渡って濃度勾配はほと
んど生じない。反射層中のタンタル比率は、約１５０nm
厚の反射層の内側および外側の両方で約７原子％であ
る。反対に、図６によるＲＢＳ測定では、ＡｌＴａの反
射層でタンタルの濃度勾配が示されている。この反射層
は、図８（ｂ）による形態ｂのターゲットを使用してス
パッタリングした。このターゲット形態ｂは、２つの成
分アルミニウムおよびタンタルの非対称配置を有し、そ
の結果、反射層の厚さ全体に渡って濃度勾配が形成され
ている。タンタルの比率は反射層の内側で約３．６原子
％であり、反射層の外側に向かって約５．７原子％の値
に増加している。

【００２１】図７は、反射層を施すための、幾つかはす
でに被覆してある多くの透明基材上にターゲット６をス
パッタリングするための方法を図式的に示す。基材はパ
レット９の上に配置され、そのパレットが矢印Ｓの方向
に複合材料ターゲットを通過する。ターゲット６は、必
須成分としてアルミニウムを含み、それにジルコニウ
ム、タンタル、チタン、クロム、等からなるグループか
ら選択した元素を加えて調製する。イン−ラインスパッ
タリングの際、パレット９は被覆すべき基材と共にこの
ターゲット６を通過する。図７に断面で示すターゲット
６は、純アルミニウムの第一部分７、およびアルミニウ
ムに加えて、Ｚｒ、Ｔａ、ＴｅまたはＣｒの様な金属
の、上記のグループの元素の一つを含む第二の部分８か
らなる。パレット９は、基材が成分Ａだけ、すなわち純
アルミニウムだけを含む第一部分７を最初に通過する様
に、ターゲット６を通過する。そのため、純アルミニウ
ム層が先ず記録媒体の磁気光学記録層上に、またはその
磁気光学記録層を覆う誘電層上に堆積する。パレット９
が移動するにつれて、基材はターゲットの第二部分８を
通過し、その結果、成分ＡおよびＢの合金層が純アルミ
ニウム層の上に堆積する。成分ＡおよびＢからなる層
が、反射層の外側、すなわち雰囲気に面している、また
はなお施すべき被覆に面している側に存在する。これに
よって、純成分Ａ、すなわちアルミニウムの層が磁気光
学記録層またはその磁気光学記録層にスパッタリングに
より施された誘電層に面する様に、反射層に対して垂直
の方向に、成分ＡおよびＢの濃度勾配が生じる。つま
り、一方で、磁気光学記録層に最も近い所にアルミニウ
ムの非常に良好な反射特性が維持され、他方、アルミニ
ウムおよび他の金属成分からなる合金層が反射層の外側
に存在し、腐食および酸化に対する保護効果を十分に発
揮する。

【００２２】上に述べた様に、図８（ａ）−８（ｄ）
は、記録媒体の反射層４を製作するための、各種のター
ゲット形態ａ〜ｄを平面図で示す。ターゲット６の２つ
の実施形態ａおよびｃは対称的である、すなわち第一部
分７および第二部分８は同じ構造を有する。これらの２
つの実施形態では、パレット９が、図７に示す様に、矢
印Ｓの方向で、あるいはその逆の方向でターゲットを通
過するかは重要ではなく、どちらの場合も、反射層に対
して垂直方向に濃度勾配は事実上生じない。図８（ａ）
および８（ｃ）における形態ａおよびｃに示す様に、タ
ーゲットの両部分とも主成分Ａ、特にアルミニウム、お
よび成分Ｂからなり、その成分Ｂはプラグ９の形でター
ゲット内に挿入された、ジルコニウム、タンタル、チタ
ンおよびクロムからなるグループから選択された金属で
ある。これに関して、注意すべきは、クロムは他の成分
であるジルコニウム、チタンまたはタンタルの様に棒状
ではなく、チップの形でこれらのターゲットの基本構造
に結合させる。図８（ａ）により、ターゲット形態ａ
は、成分Ｂの個々のプラグ９の中心線ｍに関して完全な
対称性を有する。この中心線は、この区域ではスパッタ
リングが起こらないので、ターゲット材料を節約するた
めに、その大部分がカバー１２により覆われている。図
８におけるターゲット形態ｃは、第一部分７における成
分Ｂのプラグ９が、そのターゲット６の第二部分８で隣
接する２つのプラグの間にそれぞれ位置するので、中心
線ｍに対して対称性が限られている。形態ｃと形態ａの
もう一つの違いは、形態ｃの隣接するプラグの間隔が形
態ａにおける間隔よりも大きいことである。

【００２３】図８（ｂ）および８（ｄ）に示すターゲッ
ト形態ｂおよびｄは、ターゲット５の中央線ｍに関して
非対称構造を有し、図７に断面で示すターゲット６に本
質的に対応する。パレットの移動方向Ｓで見て、図７に
おけるパレット９上の、被覆すべき基材は先ずターゲッ
ト形態ｂまたはｄの第一部分７に到達し、次いで第二部
分８を通過する。これら２つのターゲット形態の第一部
分７は、中央線まで成分Ａ、特にアルミニウムのみから
なり、第二部分８は成分Ａおよび合金成分Ｂの両方を含
む。これら２つのターゲット形態ｂおよびｄの唯一の違
いは、ターゲット形態ｂにおける成分Ｂのプラグ９の間
隔がターゲット形態ｄにおける間隔よりも小さいことで
ある。

【００２４】これらの異なったターゲット形態ａ〜ｄを
使用して、例えばアルミニウム／ジルコニウム反射層を
作製した。図８（ａ）〜８（ｄ）に示すターゲット形態
を使用してスパッタリングした反射層の信号／ノイズ比
ＣＮＲを図９に示す。この目的のために、対応する書込
み／読取り試験を反射層に行い、それぞれの場合に信号
／ノイズ比を求めた。ターゲット形態ａを使用してスパ
ッタリングした反射層の信号／ノイズ比が５４dBで最も
低くいのに対し、ターゲット形態ｄを使用して製作した
反射層の信号／ノイズ比が５６dBで最も高いことが分か
った。これらの測定は、書込みレーザー出力８mW、周波
数２．７ MHzおよびパルス持続時間ｔ＝９０ns、および
記録媒体上３５mmの半径で行った。無論、書込みレーザ
ーの他の運転データおよび組成の異なった記録媒体によ
り、より高い信号／ノイズ比の値を得ることもできる。

【００２５】図１０〜１３は、直径５．２５インチの記
録ディスクのための、アルミニウム、およびジルコニウ
ム、チタン、タンタルおよびクロムからなるグループか
ら選択した金属の反射層に対する、書込みレーザー出力
全体に渡る詳細な信号／ノイズ比ＣＮＲ(dB)を示す。書
込みレーザー出力をmWで表し、レーザーを周波数３．７
MHz およびパルス持続時間が内径で５０nsec、外径で７
０nsecで運転する。測定は、それぞれ記録ディスクの、
３０mmの内径および５９mmの外径で行った。個々の反射
層はターゲット形態ａ〜ｄを使用して作製した。書込み
が可能になるレーザー出力の限界値は、反射層中の成分
Ｂの比率が高くなるほど、低レーザー出力に移行するこ
とが明らかである。ターゲットの成分Ｂとしてジルコニ
ウム、チタン、タンタルおよびクロムを有するすべての
反射層において、ターゲット形態ａを使用して調製した
反射層はターゲット形態ｂおよびｃを使用して調製した
反射層よりも感度が高いことが分かる。これらの反射層
はターゲット形態ｄを使用して製作した反射層よりも感
度が高く、すべての反射層が純アルミニウム反射層より
も感度が高い。最も高い信号／ノイズ比ＣＮＲは、ター
ゲット形態ｄを使用してスパッタリングした反射層で得
られる。図１３（ａ）および１３（ｂ）に関して注意す
べきは、クロムは棒状ではなくチップの形でのみ製造さ
れるので、アルミニウムおよびクロム成分を含むターゲ
ットは、ターゲット形態ａ〜ｄでは製作できないことで
ある。そのため、アルミニウムおよびクロムからなり、
ターゲット形態ａ〜ｄとは異なった形態を有するアルミ
ニウムおよびクロムのターゲットを使用してスパッタリ
ングした反射層の信号／ノイズ比を測定した。このター
ゲットは、そのターゲット表面全体に渡って、２つの成
分、アルミニウムおよびクロムが一定の比率で存在する
ターゲットである。

【００２６】図１４は、成分Ａとしてアルミニウム、成
分Ｂとしてジルコニウム、チタンまたはタンタルからな
る反射層の反射率を示す。これらの反射層は、図８
（ａ）〜８（ｄ）に示すターゲット形態ａ〜ｄを使用し
てスパッタリングした。ａで表す反射層のそれぞれが最
も低い約７０〜７２％の反射率を示すのに対し、ｄで表
す反射層のそれぞれが最も高い約８０〜８６％の反射率
を示すことが明らかである。ａで表す反射層は十分に合
金化した反射層である、すなわちターゲット６の第一部
分７および第二部分８の両方が、同等の状態における成
分ＡおよびＢからなる。図５に関して上に述べた様に、
これらの反射層における濃度勾配は事実上ゼロである。
ｄで表す反射層はいわゆる準合金層である、すなわちタ
ーゲットの第一部分７が成分Ａだけを含むのに対し、第
二部分はさらに成分Ｂを含むが、その比率はｂおよびｃ
で表す反射層におけるよりも低い。ｄで表す反射層は、
すべての反射層の中で最も高い濃度勾配を有し、その
上、最も高い反射率、および反射層の外側における合金
化程度が高いために、酸化および腐食に対する高い耐性
を有する。下記の表は、ターゲット形態ａ〜ｄを使用し
てスパッタリングした各種の反射層の反射率を数値で示
す。このターゲットの成分Ａはアルミニウムであり、成
分Ｂはジルコニウム、チタンまたはタンタルである。タ
ーゲット形態ａおよびｃの場合、このターゲット６の両
部分７、８は十分に合金化され、成分Ｂの比率はそれぞ
れ９および４．５原子％であった。ターゲット形態ｂお
よびｄの場合、ターゲット６の各部分７は合金化されな
かったのに対し、ターゲット６の部分８は十分に合金化
され、成分Ｂの比率はそれぞれ９または４．５原子％ま
でであった。それに応じて、それぞれ０−９および０−
４．５原子％の範囲の濃度勾配が得られた。

【００２７】図１５は、ターゲット形態ａおよびｄを使
用してスパッタリングした各種の複合材料反射層４に対
する屈折率ｎおよび吸収係数ｋを示す。ターゲット形態
ｄを使用して調製した反射層の屈折率ｎは約１で、一般
にターゲット形態ａを使用して調製した反射層の屈折率
約１．７に比べて低いことが明らかである。各種の複合
材料反射層に対する吸収係数ｋは４．４〜４．８であ
り、低い方の値はターゲット形態ｃを使用したジルコニ
ウムおよびターゲット形態ｄを使用したチタンで得られ
ている。高い方の値ｋ＝４．８は、ジルコニウムおよび
タンタルで得られているが、どちらもターゲット形態ｂ
によるものである。

【００２８】屈折率の値はより低い方が、より高い反射
率に繋がり、したがって、記録媒体の層構造全体の反射
が大きくなるので、より有利である。

【００２９】表成分ＡＡｌ反射層のスパッタリングに使用したターゲットの成分ＢＺｒＴｉＴａターゲット形態ａ〜ｄ 70.1 71.4 70.8 ａ＝ターゲットの両部分７、８とも十分に合金化、成分Ｂは９原子％、濃度勾配ほとんど０ 79.1 78.7 78.0 ｂ＝ターゲットの部分７は合金化せず、部分８は十分に合金化、成分Ｂは９原子％まで、反射率濃度勾配０−９原子％ 79.4 78.8 77.5 ｃ＝ターゲットの両部分７、８とも十分に合金化、成分Ｂは４．５原子％、濃度勾配ほとんど０ 82.5 80.2 80.0 ｄ＝ターゲットの部分７は合金化せず、部分８は十分に合金化、成分Ｂは４．５原子％まで、濃度勾配０−４．５原子％

【図面の簡単な説明】

【図１】反射層を磁気光学記録層に直接施した記録媒体
の断面図。

【図２】磁気光学記録層に付けた誘電層に、反射層をス
パッタリングにより施した記録媒体の断面図。

【図３】反射層の厚さに対する反射層の成分Ｂの勾配を
図式的に示す図。

【図４】反射層の厚さに対するジルコニウムの原子％を
示すグラフ。

【図５】反射層の厚さに対するタンタルの原子％を示す
グラフ。

【図６】反射層の厚さに対するタンタルの原子％を示す
グラフ。

【図７】反射層のイン−ラインスパッタリングにおいて
複合材料ターゲットを通過する被覆基材の移動を図式的
に示す図。

【図８】各種のターゲット形態を示す図。

【図９】図８（ａ）〜８（ｄ）に示すターゲット形態の
スパッタリングにより施したＡｌＺｒ反射層の信号／ノ
イズ比ＣＮＲを示す図。

【図１０】光学記録ディスクの内径および外径におけ
る、アルミニウムおよびＺｒからなる反射層に対する、
書込みレーザー出力と信号／ノイズ比ＣＮＲとの関係を
示すグラフ。

【図１１】光学記録ディスクの内径および外径におけ
る、アルミニウムおよびＴｉからなる反射層に対する、
書込みレーザー出力と信号／ノイズ比ＣＮＲとの関係を
示すグラフ。

【図１２】光学記録ディスクの内径および外径におけ
る、アルミニウムおよびＴａからなる反射層に対する、
書込みレーザー出力と信号／ノイズ比ＣＮＲとの関係を
示すグラフ。

【図１３】光学記録ディスクの内径および外径におけ
る、アルミニウムおよびＣｒからなる反射層に対する、
書込みレーザー出力と信号／ノイズ比ＣＮＲとの関係を
示すグラフ。

【図１４】図８（ａ）〜８（ｄ）に示すターゲット形態
を使用してスパッタリングにより施したアルミニウム、
ジルコニウム、チタンまたはタンタルの反射層の反射率
を示す図。

【図１５】図８（ａ）〜８（ｄ）に示すターゲットを使
用してスパッタリングにより施したアルミニウムおよび
ジルコニウム、チタンまたはタンタルの反射層の屈折率
ｎおよび吸収係数ｋを示す図。

【符号の説明】

１透明な基材２誘電層３磁気光学記録層４反射層５誘電層６ターゲット７第一部分８第二部分１０磁気光学記録媒体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な基材、少なくとも一つの誘電層、磁
気光学記録層および反射層からなる磁気光学記録媒体で
あって、前記反射層（４）が少なくとも２つの金属成分
ＡおよびＢからなり、それらの成分の比率変化により、
前記反射層に対して垂直方向に濃度勾配が形成されてな
ることを特徴とする磁気光学記録媒体。
【請求項２】反射層（４）の、磁気光学記録層（３）に
面した内側における成分Ａの比率が１００原子％であ
り、反射層（４）の外側に向かって減少することを特徴
とする、請求項１に記載する磁気光学記録媒体。
【請求項３】反射層（４）の濃度勾配が、成分Ａ：Ｂの
原子百分率で１００：０〜０：１００の範囲内であるこ
とを特徴とする、請求項１に記載する磁気光学記録媒
体。
【請求項４】成分Ｂの比率が反射層（４）の厚さと共に
増加し、反射層の外側で１０原子％に達することを特徴
とする、請求項２に記載する磁気光学記録媒体。
【請求項５】反射層（４）の濃度勾配が、成分Ａ：Ｂの
原子百分率で１００：０〜９０：１０の範囲内、特に９
５．５：４．５であることを特徴とする、請求項３に記
載する磁気光学記録媒体。
【請求項６】反射層（４）の成分Ａが純粋なアルミニウ
ム、銅、銀または金であることを特徴とする、請求項１
に記載する磁気光学記録媒体。
【請求項７】反射層（４）の成分Ｂが、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔ
ｉおよびＣｒからなるグループから選択された金属であ
ることを特徴とする、請求項１に記載する磁気光学記録
媒体。
【請求項８】反射層（４）が、成分ＡおよびＢに加え
て、さらに、反射層（４）の面に対して垂直方向に濃度
勾配を有する別の成分Ｃを含み、その成分Ｃは、Ｚｒ、
Ｔａ、ＴｉおよびＣｒからなるグループから選択された
金属であるが、成分Ｂとは異なる、またはＣ、Ｓｉ、
Ｐ、Ｂ等からなるグループから選択された非金属である
ことを特徴とする、請求項１に記載する磁気光学記録媒
体。
【請求項９】反射層（４）が、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂ
Ｃｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＰｔまたはＴｂＦｅ
ＣｏＳｅからなる磁気光学記録層（３）に施されている
ことを特徴とする、請求項３に記載する磁気光学記録媒
体。
【請求項１０】反射層（４）が、磁気光学記録層（３）
を覆う、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ
ＮまたはＴａ₂Ｏ₃からなる誘電層（５）に施されてい
ることを特徴とする、請求項１に記載する磁気光学記録
媒体。
【請求項１１】磁気光学記録層上またはその磁気光学記
録層に施した誘電層上に、ターゲットの成分をイン−ラ
インスパッタリングすることにより、磁気光学記録媒体
の反射層を製作する方法であって、スパッタリングの際
に、磁気光学記録媒体（１０）を先ず純粋な金属成分Ａ
からなるターゲット（６）の第一部分（７）を通過さ
せ、続いて、別の金属成分Ｂまたは成分Ａおよび成分Ｂ
からなる、ターゲット（６）の第二部分（８）を通過さ
せることを特徴とする、方法。
【請求項１２】希ガス雰囲気中で、磁気光学記録層
（３）上、またはその磁気光学記録層（３）上に施した
誘電層（５）上に成分Ａのスパッタリングおよび同時に
成分Ｂまたは成分ＡおよびＢのスパッタリングを行うこ
とを特徴とする、請求項１１に記載する方法。
【請求項１３】スパッタリング工程が、反射層（４）の
成分Ａとしてアルミニウム、銅、金または銀をスパッタ
リングし、同時に、成分Ａとしてのこれらの金属の一
つ、およびＺｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒからなるグループか
ら選択された金属を成分Ｂとしてスパッタリングするこ
とからなることを特徴とする、請求項１２に記載する方
法。