JPH05132554A - Polyimide precursor, cured polyimide produced therefrom, and production thereof - Google Patents

Polyimide precursor, cured polyimide produced therefrom, and production thereof

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JPH05132554A
JPH05132554A JP27907290A JP27907290A JPH05132554A JP H05132554 A JPH05132554 A JP H05132554A JP 27907290 A JP27907290 A JP 27907290A JP 27907290 A JP27907290 A JP 27907290A JP H05132554 A JPH05132554 A JP H05132554A
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房次 庄子
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Abstract

PURPOSE:To prepare a polyimide precursor which gives a cured polyimide having a high heat resistance, a low dielectric constant, a high glass transition point, etc., by copolymerizing a tetracarboxylic acid dianhydride with a specific diamine component in a specific solvent and adjusting the viscosity of the resulting varnish by heating. CONSTITUTION:A tetracarboxylic acid dianhydride of formula I (where R<1> is a group of formula II or III) is copolymerized with a diamine component consisting of 30-80% diamine of formula IV and 70-20% diamine of formula V (wherein R<2> is a group of formula VI, VII, or VIII; and R<3> is a divalent group having at least two arom. rings) in a polar aprotic solvent, and heated to adjust the viscosity of the resulting varnish, thus giving the objective polyimide precursor which comprises repeating units of formulas IX and X (wherein R<1>, R<2>, and R<3> are each as defined above), has a reduced viscosity (in N- methyl-2-pyrrolidone in a concn. of 0.1g/100ml at 25 deg.C) of 0.5dl/g of higher, and gives a cured polyimide having flexibility, high heat resistance and glass transition point, and low dielectric constant and thermal expansion coefficient.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、低誘電率,低熱膨張率,耐熱性に優 れたポリイミド前駆体及びポリイミド硬化物及び これらの製造法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a polyimide precursor and a polyimide cured product having excellent low dielectric constant, low thermal expansion coefficient and heat resistance, and a method for producing these.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、耐熱性の優れた樹脂として、ポリイミド が知られている。ポリイミドは一般に、ジアミン 成分とテトラカルボン酸二無水物成分とを有機溶 媒中で重合させて、ポリアミド酸を生成し、これ を脱水閉環させる等の方法で得られている。 Heretofore, polyimide has been known as a resin having excellent heat resistance. Polyimide is generally obtained by a method in which a diamine component and a tetracarboxylic dianhydride component are polymerized in an organic solvent to produce a polyamic acid, which is dehydrated and ring-closed.

これらの例として、例えば、 (イ)一般式(1)または一般式(2) (式中R’は2価の炭化水素基を示す。)で示さ れる構造単位からを含む新規ポリイミド及びそれ らの前駆体であるポリアミド酸もしくはポリアミ ド酸エステルが知られている(特開昭62−26 5327号,特開昭63−10629号)。Examples of these include, for example, (a) general formula (1) or general formula (2) A novel polyimide containing a structural unit represented by the formula (wherein R'represents a divalent hydrocarbon group) and a polyamic acid or polyamic acid ester which is a precursor thereof are known (Japanese Patent Laid-Open Publication No. Sho. 62-26 5327, JP-A-63-10629).

又(ロ)一般式(3) (式中R”は4価の脂肪族基又は芳香族基、nは 1又は2を示す)で繰り返し単位が表わされるポ リイミドが知られている(特開昭57−1142 58号,特開昭57−188853号,特開昭6 0−250031号,特開昭60−221426 号)。Also (b) general formula (3) Polyimides in which a repeating unit is represented by the formula (wherein R is a tetravalent aliphatic group or aromatic group and n is 1 or 2) are known (JP-A-57-114258, JP-A-57-114258). 57-188883, JP-A-60-250031, JP-A-60-212426).

又(ハ)一般式(4) (式中、Yは−C(CH−,−C(CF
−, −SO−である。)で繰り返し単位が表わされる ポリイミドが知られている(特開昭62−231 935号,特開昭62−231936号,特開昭 62−231937号)。
Also (c) general formula (4) (Wherein, Y is -C (CH 3) 3 -, - C (CF 3)
3 -, -SO 2 - it is. A polyimide having a repeating unit represented by () is known (JP-A-62-231935, JP-A-62-231936, JP-A-62-231937).

(ニ)低誘電率に優れたポリイミドとして、2, 2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロ パン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカル ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン酸二無 水物と4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ) ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノ−2− トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル等の 芳香族ジアミンとから得られたポリイミドが知ら れている(特開平2−60934号)。 (D) 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propanoic acid dianhydride and 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropanoic acid as polyimides having excellent low dielectric constant. A polyimide obtained from dihydrogenate and aromatic diamine such as 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl and 4,4′-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl It is known (Japanese Patent Laid-Open No. 2-60934).

又(ホ)2,2−ビス(4−アミノフェニル) ヘキサフルオロプロパン及び2,2−ビス(3− アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパンとピロ メリット酸二無水物及びジアリール核を有する酸 二無水物からなる混合酸二無水物から得られたポ リイミド(特開平2−67320)、2,2−ビ ス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフル オロプロパン酸二無水物と2,2−ビス(4−ア ミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン及び2, 2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロ プロパンから得られたポリイミド(特開平2−8 6624)が知られている。 In addition, (e) 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane and 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane with pyromellitic dianhydride and acid dianhydride having a diaryl nucleus Obtained from the mixed acid dianhydride (JP-A-2-67320), 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropanoic acid dianhydride and 2,2-bis (4- A polyimide obtained from aminophenyl) hexafluoropropane and 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane (JP-A-2-86624) is known.

しかし、上記の(イ),(ロ),(ハ),(ニ), (ホ)のポリイミドには、高耐熱性,低誘電率, 低熱膨張率、高機械的特性(特に可とう性),高 ガラス転移温度等の諸特性が同時には考慮されて おらず、また上記の(ニ),(ホ)のポリイミド はトリフルオロメチルを基を有するため、アルカ リ性液、例えば無電解めっき液に対し耐性が低い。 However, the polyimides of (a), (b), (c), (d), and (e) above have high heat resistance, low dielectric constant, low coefficient of thermal expansion, and high mechanical properties (especially flexibility). , Various characteristics such as high glass transition temperature are not taken into consideration at the same time, and the polyimides of (d) and (e) above have a trifluoromethyl group, so they are alkaline solutions such as electroless plating solutions. Resistant to.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

上記の(イ),(ロ),(ハ),(ニ),(ホ), のポリイミドは、高耐熱性,低誘電率,低熱膨張 係数,高機械的特性(特に可とう性),高ガラス 転移温度等の諸特性が同時には考慮されていない。 The above (a), (b), (c), (d), (e) polyimides have high heat resistance, low dielectric constant, low coefficient of thermal expansion, high mechanical properties (especially flexibility), high Various characteristics such as glass transition temperature are not taken into consideration at the same time.

(イ),(ロ),(ハ)は、高耐熱性,低熱膨張 率,高ガラス転移温度では優れているが、誘電率 が高く、可とう性がない。それはポリマー中に相 れる構造単位を含むために耐熱性,ガラス転移温 度が高く、熱膨張係数は低いが誘電率が高く、可 とう性がないと考える。又(ニ),(ホ)は−CF (トリフルオロメチル基)を含み且つ−O−結合 を有するために、誘電率が低く可とう性に優れて いるが、耐熱性やガラス転移温度が低く、熱膨張 係数が高く、更には−C(CF)−結合のために アルカリ液に対しC−F結合で加水分解しやすく、 対アルカリ液耐性が低いものと考えられる。(A), (b), and (c) are excellent in high heat resistance, low thermal expansion coefficient, and high glass transition temperature, but have high dielectric constant and are not flexible. It is a phase in the polymer It has high heat resistance, high glass transition temperature, and low thermal expansion coefficient, but high dielectric constant because it contains the structural units. Further, since (d) and (e) contain -CF 3 (trifluoromethyl group) and have an -O- bond, they have a low dielectric constant and excellent flexibility, but have low heat resistance and glass transition temperature. It is considered to have low resistance to alkaline liquor because of its low thermal expansion coefficient, high thermal expansion coefficient, and further due to —C (CF 3 ) 2 — bond, it is easily hydrolyzed by C—F bond to alkaline liquor.

本発明者らは、これら従来の技術では成し得な かった諸特性、即ち高耐熱性,低誘電率,低熱膨 張率,高機械的特性(特に可とう性)、高ガラス 転移温度,高耐アルカリ性等の諸特性を兼備する ポリイミドを見出すことを目的として鋭意検討を 重ねた結果本発明に至ったものである。 The inventors of the present invention have achieved various properties that cannot be achieved by these conventional techniques, namely, high heat resistance, low dielectric constant, low thermal expansion coefficient, high mechanical properties (especially flexibility), high glass transition temperature, The present invention has been achieved as a result of intensive studies aimed at finding a polyimide having various properties such as high alkali resistance.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明は、一般式、 で表わされるテトラカルボン酸二無水物成分を、 ジアミン成分の全体を100とした場合にジアミ ン成分及びアミノシロキサン化合物が は少なくとも2個以上の芳香族環を含む2価の 基である。)で表わされるジアミン成分及び 3)必要に応じて、一般式 (式中、R,Rは、炭素数1〜9の炭化水素 基、Rは炭素数1〜3の炭化水素基、Rは必 要に応じてエーテル基を含む炭素数1〜5のア ルキル基又はトリアルキルシリル基の中から選 ばれた1種以上の基、R,Rは炭素数1〜3 のアルキル基、炭素数1〜9のアリール基、n は0,1または2、lは正の整数である。)で 表わされるモノアミノシロキサン化合物又はジ アミノシロキサン成分で、且つモノアミノシロ キサン化合物又はシロキサンジアミン成分の使 用割合がジアミン成分全体量の0.5〜10% の範囲 とからなるジアミン成分と、非プロトン極性溶剤 中で重合させ、更に加熱しワニス粘度を調整させ て、一般式、 2個以上の芳香族環を含む2価の基、必要に応じ てRであるポリマーの末端,ポリマーの主鎖が 一般式、 で表わされるケイ素原子を含む炭化水素基で、そ のRは、炭素数1〜9の炭化水素基、Rは炭素 数1〜3の炭化水素基、Rは必要に応じてエー テル基を含む炭素数1〜5のアルキル基又はトリ アルキルシリル基の中から選ばれた1種以上の基 である。nは0,1又は2、lは正の整数である。) で表わされる構造の繰返し単位からなり、且つポ リイミド前駆体の還元粘度が少なくとも0.5dl /g(溶剤N−メタル−2−ピロリドン,濃度 0.1g/100ml,温度25℃)以上であるポ リイミド前駆体を、温度100℃以上で熱硬化さ せたポリイミド硬化膜が高耐熱性,低誘電率,低 熱膨張率,高機械的特性(特に可とう性),高ガ ラス転移温度、等の諸特性を兼備するを見出した。The present invention has the general formula, When the tetracarboxylic dianhydride component represented by is the total diamine component as 100, the diamine component and the aminosiloxane compound are Is a divalent group containing at least two aromatic rings. ) A diamine component represented by 3) and 3) if necessary, a general formula (In the formulas, R 4 and R 7 are hydrocarbon groups having 1 to 9 carbon atoms, R 5 is a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and R 6 is 1 to 1 carbon atoms containing an ether group as necessary. 5 a alkyl group or one or more groups Barre selected from trialkylsilyl group, R 8, R 9 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an aryl group having 1 to 9 carbon atoms, n represents 0, 1 or 2, 1 is a positive integer.) The monoaminosiloxane compound or diaminosiloxane component represented by the formula (1) and the proportion of the monoaminosiloxane compound or siloxanediamine component used is 0.5 to 10 of the total amount of the diamine component. % In the aprotic polar solvent and further heated to adjust the viscosity of the varnish. A divalent group containing two or more aromatic rings, a polymer end which is R 3 as the case requires, a polymer main chain is represented by the general formula, A hydrocarbon group containing a silicon atom represented by R 4 , wherein R 4 is a hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms, R 5 is a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and R 6 is an ether group if necessary. And at least one group selected from the group consisting of alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms and trialkylsilyl groups. n is 0, 1 or 2, and l is a positive integer. ), And the reduced viscosity of the polyimide precursor is at least 0.5 dl / g (solvent N-metal-2-pyrrolidone, concentration 0.1 g / 100 ml, temperature 25 ° C.) or more. A polyimide cured film obtained by heat-curing a polyimide precursor at a temperature of 100 ° C or higher has high heat resistance, low dielectric constant, low thermal expansion coefficient, high mechanical properties (especially flexibility), high glass transition temperature, It has been found to combine various characteristics such as.

以下、本発明について詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明に用いられるテトラカルボン酸二無水物 としては、パラーターフェニル−3,3”,4, 4”−テトラカルボン酸二無水物、メターターフ ェニル−3,3”,4,4”−テトラカルボン酸 二無水物を用いることができる。 Examples of the tetracarboxylic acid dianhydride used in the present invention include paraterphenyl-3,3 ", 4,4" -tetracarboxylic acid dianhydride and meta-terphenyl-3,3 ", 4,4" -tetracarboxylic acid. An acid dianhydride can be used.

本発明に用いられるジアミン成分としては、4, 4”−ジアミノーパラーターフェニル、4,4” −ジアミノーパラークォーターフェニル、9,1 0−ジアミノアントラセンであり、又少なくとも 2個以上の芳香族環を含むそれ以外のジアミン成 分としては、例えば、 (式中Xは−O−,−S−,−C(CH3)2−,−CH2−, −C(CF3)2−,−C(C6H5)2−,−C(C6H5)(CH3)−, −CO−である。)が挙げられ、これらの少なく とも1種以上のモノマーを用いることができる。The diamine component used in the present invention is 4,4 "-diamino-paraterphenyl, 4,4" -diamino-para-quaterphenyl, 9,10-diaminoanthracene, and at least two or more aromatic compounds. Examples of other diamine components containing a ring include, for example, (Wherein X is -O -, - S -, - C (CH 3) 2 -, - CH 2 -, -C (CF 3) 2 -, - C (C 6 H 5) 2 -, - C ( C 6 H 5 ) (CH 3 )-, —CO—), and at least one of these monomers can be used.

又他のジアミンを、高耐熱性,低誘電率,低熱 膨張率,高ガラス転移温度,高機械的強度,可と う性を調整する場合に用いても良い。例えば、 また、一般式 (式中、Rは炭素数1から9の炭化水素基、R は炭素数1から3の炭化水素基、Rは必要に応 じてエーテル基を含む炭素数1から5のアルキル 基又はトリアルキルシリル基の中から選ばれた一 種又は2種以上の基である。nは0,1又は2、 である)で表わされるモノアミノシラン化合物、 例えば、3−アミノプロピルトリメチルシラン、 3−アミノプロピルジメチルメトキシシラン、3 −アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3− アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノ プロピルジメチルエトキシシラン、3−アミノプ ロピルメチルジエトキシシラン、3−アミノプロ ピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルジ メチルプロポキシシラン、3−アミノプロピルメ チルジプロポキシシラン、3−アミノプロピルト リプロポキシシラン、3−アミノプロピルジメチ ルブトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジ ブトキシシラン、3−アミノプロピルトリブトキ シシラン等の3−アミノプロピルジアルキルアル コキシシラン、3−アミノプロピルアルキルジア ルコキシシラン、3−アミノプロピルトリアルコ キシシラン、3−(4−アミノフェノキシ)プロ ピルジアルキルアルコキシシラン、3−(4−ア ミノフェノキシ)プロピルアルキルジアルコキシ シラン、3−(4−アミノフェノキシ)プロピル トリアルコキシシラン、3−(3−アミノフェノ キシ)プロピルジアルキルアルコキシシラン、3 −(3−アミノフェノキシ)プロピルアルキルジ アルコキシシラン、3−(3−アミノフェノキシ) プロピルトリアルコキシシラン、4−アミノブチ ルジメチルエトキシシラン、4−アミノブチルメ チルジエトキシシラン、4−アミノブチルトリエ トキシシラン等の4−アミノブチルジアルキルア ルコキシシラン、4−アミノブチルアルキルジア ルコキシシラン、4−アミノブチルトリアルコキ シシラン、3−アミノプロピルトリス(トリメチ ルシロキシ)シラン、メターアミノフェニルジメ チルメトキシシラン、メターアミノフェニルメチ ルジメトキシシラン、メターアミノフェニルトリ メトキシシラン、メターアミノフェニルジメチル エトキシシラン、メターアミノフェニルメチルジ エトキシシラン、メターアミノフェニルトリエト キシシラン、メターアミノフェニルジメチルプロ ポキシシラン、メターアミノフェニルメチルジプ ロポキシシラン、メターアミノフェニルトリプロ ポキシシラン等のメターアミノフェニルジアルキ ルアルコキシシラン、メターアミノフェニルジアル キルジアルコキシシラン、メターアミノフェニル トリアルコキシシラン、パラーアミノフェニルジ メチルメトキシシラン、パラーアミノフェニルメ チルジメトキシシラン、パラーアミノフェニルト リメトキシシラン、パラーアミノフェニルジメチ ルエトキシシラン、パラーアミノフェニルメチル ジエトキシシラン、パラーアミノフェニルトリエ トキシシラン、パラーアミノフェニルジメチルプ ロポキシシラン、パラーアミノフェニルメチルジ プロポキシシラン、パラーアミノフェニルトリプ ロポキシシラン等のパラーアミノフェニルジアル キルアルコキシシラン、パラーアミノフェニルア ルキルジアルコキシシラン、パラーアミノフェニ ルトリアルコキシシラン、メターアミノベンジル ジメチルエトキシシラン、メターアミノベンジル メチルジエトキシシラン、メターアミノベンジル トリエトキシシラン、メターアミノベンジルジメ チルプロポキシシラン、メターアミノベンジルメ チルジプロポキシシラン、メターアミノベンジル トリプロポキシシラン、メターアミノベンジルジ メチルプロポキシシラン、メターアミノベンジル メチルジプロポキシシラン、メターアミノベンジ ルトリプロポキシシラン等のメターアミノベンジ ルジアルキルアルコキシシラン、メターアミノベ ンジルアルキルジアルコキシシラン、メターアミ ノベンジルトリアルコキシシラン、パラーアミノ ベンジルジメチルプロポキシシラン、パラーアミ ノベンジルメチルジプロポキシシラン、パラーア ミノベンジルトリプロポキシシラン等のパラーア ミノベンジルジアルキルアルコキシシラン、パラ ーアミノベンジルアルキルジアルコキシシラン、 パラーアミノベンジルトリアルコキシシラン、パ ラーアミノフェネチルジメチルメトキシシラン、 パラーアミノフェネチルメチルジメトキシシラン、 パラーアミノフェネチルトリメトキシシラン等の パラーアミノフェネチルジアルキルアルコキシシ ラン、パラーアミノフェネチルアルキルジアルコ キシシラン、パラーアミノフェネチルトリアルコ キシシラン、又は上記のメター,パラー体のベン ジル,ヘェネチル系化合物の水添したものなどが 挙げられる。Other diamines may be used to adjust high heat resistance, low dielectric constant, low thermal expansion coefficient, high glass transition temperature, high mechanical strength, and flexibility. For example, Also, the general formula (In the formula, R 4 is a hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms, R 5 is a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and R 6 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and optionally an ether group. Or a monoalkylsilane compound represented by the formula (1) or a combination of two or more groups selected from trialkylsilyl groups, wherein n is 0, 1 or 2, eg, 3-aminopropyltrimethylsilane, -Aminopropyldimethylmethoxysilane, 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyldimethylethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3 -Aminopropyldimethylpropoxysilane, 3-aminopropylmethyldipropoxysilane, 3-aminopropoxy 3-Aminopropyldialkylalkoxysilane, 3-aminopropylalkyldialkoxysilane, 3-aminopropyldialkylalkoxysilane, 3-aminopropyldimethylbutoxysilane, 3-aminopropylmethyldibutoxysilane, 3-aminopropyltributoxysilane, etc. Aminopropyltrialkoxysilane, 3- (4-aminophenoxy) propyldialkylalkoxysilane, 3- (4-aminophenoxy) propylalkyldialkoxysilane, 3- (4-aminophenoxy) propyltrialkoxysilane, 3- (3-Aminophenoxy) propyldialkylalkoxysilane, 3- (3-aminophenoxy) propylalkyldialkoxysilane, 3- (3-aminophenoxy) propyltrialkoxysilane, 4 4-Aminobutyldialkylalkoxysilane, such as aminobutyldimethyldimethylsilane, 4-aminobutylmethyldiethoxysilane, and 4-aminobutyltriethoxysilane, 4-aminobutylalkyldialkoxysilane, 4-aminobutyltrialkoxysilane, 3-aminopropyl Tris (trimethylsilyloxy) silane, meta-aminophenyldimethylmethoxysilane, meta-aminophenylmethyldimethoxysilane, meta-aminophenyltrimethoxysilane, meta-aminophenyldimethylethoxysilane, meta-aminophenylmethyldiethoxysilane, meta-aminophenyltrietheo Xysilane, meta-aminophenyldimethylpropoxysilane, meta-aminophenylmethyldipropoxysilane, meta-amino Meta-aminophenyldialkoxysilanes such as phenyltripropoxysilane, meta-aminophenyldialkyldialkoxysilanes, meta-aminophenyltrialkoxysilanes, para-aminophenyldimethylmethoxysilanes, para-aminophenylmethyldimethoxysilanes, para-aminophenyltrioxysilanes. Para-aminophenyl such as methoxysilane, para-aminophenyldimethylethoxysilane, para-aminophenylmethyldiethoxysilane, para-aminophenyltriethoxysilane, para-aminophenyldimethylpropoxysilane, para-aminophenylmethyldipropoxysilane, para-aminophenyltripropoxysilane, etc. Dialkylalkoxysilane, para-aminophenylalkyldialkoxysilane , Para-aminophenyl trialkoxysilane, meta-aminobenzyl dimethylethoxysilane, meta-aminobenzyl methyldiethoxysilane, meta-aminobenzyl triethoxysilane, meta-aminobenzyl dimethylpropoxysilane, meta-aminobenzyl methyldipropoxysilane, meta-aminobenzyl Meta-aminobenzyldialkylalkoxysilane, meta-aminobenzylalkyldialkoxysilane, meta-aminobenzyltrialkoxysilane such as tripropoxysilane, meta-aminobenzyldimethylpropoxysilane, meta-aminobenzylmethyldipropoxysilane, meta-aminobenzyltripropoxysilane, etc. , Para-amino benzyl dimethyl propoxysilane, para-amino benzyl methyl dip Para-aminobenzyldialkylalkoxysilanes such as poxysilane, para-aminobenzyltripropoxysilane, para-aminobenzylalkyldialkoxysilane, para-aminobenzyltrialkoxysilane, para-aminophenethyl dimethylmethoxysilane, para-aminophenethylmethyldimethoxysilane, para-amino. Paranetaminophenethyldialkylalkoxysilanes such as phenethyltrimethoxysilane, para-aminophenethylalkyldialkoxysilanes, para-aminophenethyltrialkoxysilanes, or hydrogenated products of the above-mentioned meta- or para-form benzyl or henethyl compounds. Can be mentioned.

又本発明に用いられるシロキサンジアミン成分 として、一般式 (式中Rは炭素数1から9の2価の炭化水素基、 R,Rは炭素数1からの3のアルキル基、炭素 数1からの9のアリール基の中から選ばれた一種 又は2種以上の基である。nは0,1又は2、l は1以上の正の整数である。)で表わされるジア ミノシロキサン化合物、例えば、 等が挙げられ、上記のモノアミノシロキサン化合 物又はジアミンシロキサン成分は、接着性を向上 される目的でのモノアミノシロキサン成分又はジ アミノシロキサン成分の使用範囲は、全ジアミン 成分を100とした場合、ジアミン成分全体量の 0.5〜10%、好ましく0.5〜5%である。モ ノアミノシロキサン成分が0.5%以下では接着 性の効果が小さく、10%以上では、耐熱性や機 械的特性に悪影響を及ぼす。The siloxane diamine component used in the present invention has a general formula (In the formula, R 7 is selected from a divalent hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms, R 8 and R 9 are selected from an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and an aryl group having 1 to 9 carbon atoms. One or two or more groups, n is 0, 1 or 2, and l is a positive integer greater than or equal to 1.), for example, The above monoaminosiloxane compound or diaminesiloxane component is used in the range of use of the monoaminosiloxane component or diaminosiloxane component for the purpose of improving adhesiveness, when the total diamine component is 100, It is 0.5 to 10%, preferably 0.5 to 5% of the total amount of the diamine component. If the content of the monoaminosiloxane component is 0.5% or less, the effect of adhesiveness is small, and if it is 10% or more, the heat resistance and mechanical properties are adversely affected.

又、本発明のポリイミド前駆体及びポリイミド を製造するに当って用いられる溶剤は、例えば、 N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチル アセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、 ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルア ミド、テトラメチレンスルホン、パラークロロフ ェノール、パラーブロモフェノール等があげられ、 これらの少なくとも1種以上を用いることができ る。 The solvent used in producing the polyimide precursor and polyimide of the present invention is, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, hexamethyl. Examples thereof include phosphoramide, tetramethylene sulfone, para-chlorophenol, para-bromophenol and the like, and at least one kind of them can be used.

本発明を実施するにあたっては、ポリイミド前 駆体の場合、まずジアミン成分を上記非プロトン 極性溶剤中に溶解した後、ターフェニル−3,3”, 4,4”−テトラカルボン酸二無水物を加え、温 度を0〜30℃に保ちながら約6時間撹拌する。 In carrying out the present invention, in the case of a polyimide precursor, first, the diamine component is dissolved in the aprotic polar solvent, and then terphenyl-3,3 ", 4,4" -tetracarboxylic dianhydride is added. In addition, stir for about 6 hours while maintaining the temperature at 0 to 30 ° C.

これによって反応は次第に進行し、ワニス粘度が 上昇し、ポリイミド前駆体が生成する。更に50 〜80℃に保ちながら撹拌してワニス粘度を調整 する。但し、ジアミン成分として更にアミノシラ ン化合物を用いる場合、温度を0〜30℃に保ち ながら約1時間撹拌した後に50〜80℃に保ち ながら撹拌してワニス粘度を調整する。As a result, the reaction gradually progresses, the viscosity of the varnish increases, and the polyimide precursor is produced. Furthermore, the viscosity of the varnish is adjusted by stirring while maintaining the temperature at 50 to 80 ° C. However, when an aminosilane compound is further used as the diamine component, the viscosity of the varnish is adjusted by stirring for about 1 hour while maintaining the temperature at 0 to 30 ° C. and then at 50 to 80 ° C.

又、上記ポリイミド前駆体を経由するポリイミ ド硬化物は、温度100℃以上で加熱硬化させる と次の一般式(III)及び(IV) も2個の芳香族環を含む2価の基、及び必要に応 じてRがポリマの末端である場合、あるいはポ リマの主鎖である場合にそれぞれ一般式 で表わされるケイ素原子を含む炭化水素基で、そ のR,Rは炭素数1から9の炭化水素基、エー テル結合を含む炭素数1から7の飽和アルキル基、 Rは炭素数1から3の炭化水素基、Rは必要に 応じてエーテル結合を含む炭素数1から5のアル キル基又はトリアルキルシリル基、R、Rは炭 素数1から3のアルキル基、炭素数1から9のア リール基の中から選ばれた1種以上の基である。In addition, the polyimide cured product passing through the above polyimide precursor can be cured by heating at a temperature of 100 ° C. or higher to obtain the following general formulas (III) and (IV). Is a divalent group containing two aromatic rings and, if necessary, R 3 is a terminal of a polymer or a polymer of the general formula, respectively. A hydrocarbon group containing a silicon atom represented by, wherein R 4 and R 7 are hydrocarbon groups having 1 to 9 carbon atoms, a saturated alkyl group having 1 to 7 carbon atoms containing an ether bond, and R 5 is a carbon number. 1 to 3 hydrocarbon groups, R 6 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a trialkylsilyl group optionally containing an ether bond, R 8 and R 9 are alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms, carbon It is one or more groups selected from the aryl groups of the numbers 1 to 9.

nは0,1又は2、lは1以上の正の整数である。) で表わされる構造の繰返し単位からなり、その構 ジアミン成分と(II)の−R−で表わされる芳香 族ジアミン成分の全体を100とした場合、 〜80と−R−で表わされる芳香族ジアミン成 分が70〜20の範囲からなるジアミン成分及び /又はアミノシラン化合物或いはシロキサンジア ミンの使用範囲がジアミン成分全体量の0.5〜 10%の範囲のポリイミド硬化物になると考えら れる。n is 0, 1 or 2, and l is a positive integer of 1 or more. ) Consists of repeating units of the structure When the total amount of the diamine component and the aromatic diamine component represented by -R 3-of (II) is 100, To 80 and the aromatic diamine component represented by —R 3 — is in the range of 70 to 20 and / or the aminosilane compound or siloxane diamine is used in an amount of 0.5 to 10% of the total amount of the diamine component. It is considered to be a cured product of polyimide in the range.

−R−で表わされる芳香族ジアミン成分の全体 を100とした場合、その構成割合は、式(I) 80〜30、更に半導体装置等に応用される場合 のプロセス上の信頼性の点から好ましくは80〜 50、(II)の−R−で表わされる他の芳香族ジ アミン成分としては、20〜70、更に半導体装 置等に応用される場合のプロセス上の信頼性の点 になると生成されたポリイミド膜に可とう性が不 足し、20以下ではガラス転移温度Tgが低く、 熱膨張係数が高くなる。又(II)の−R−で表わ される芳香族ジアミン成分が50以上ではガラス 転移温度Tgが低く、熱膨張係数が高くなり、又 20以下では生成されたポリイミド膜に可とう性 が不足する。 When the total amount of the aromatic diamine component represented by —R 3 — is 100, the composition ratio is represented by the formula (I). 80 to 30, preferably 80 to 50 from the viewpoint of process reliability when applied to a semiconductor device or the like, and other aromatic diamine component represented by -R 3-of (II) is 20 ~ 70, and the point of process reliability when applied to semiconductor devices, etc. Then, the flexibility of the produced polyimide film is insufficient, and when it is 20 or less, the glass transition temperature Tg is low and the thermal expansion coefficient is high. Further, when the aromatic diamine component represented by -R 3-of (II) is 50 or more, the glass transition temperature Tg is low and the coefficient of thermal expansion is high, and when it is 20 or less, the polyimide film produced has flexibility. Run short.

〔作用〕[Action]

上記したように、本発明に依ればパラ(又はメ タ)ーターフェニルトラカルボン酸二無水物と、 ジアミン成分として性質の異なるものを複数用い ことにより、低誘電率,低熱膨張率,高耐熱性, 高ガラス転移温度,高機械的特性(可とう性)を 高度に兼備したポリイミド及びその前駆体を見い だすことが出来た。これは、本発明に依るポリイ ミドには、直線的に結合した芳香環が多く含まれ、 かつ誘電率上昇の原因となるイミド環が少ないた めに、結果として低誘電率,低熱膨張率,高耐熱 性,高ガラス転移温度を同時に備えたポリイミド が達成されたものと考えられる。また、更にジア ミン成分の一部にエーテル系のジアミンを使用す ることによって、本発明に依るポリイミドには高 機械的特性(可とう性)をも兼備させることがで きた。 As described above, according to the present invention, by using para (or meta) -terphenyltracarboxylic dianhydride and a plurality of diamine components having different properties, a low dielectric constant, a low thermal expansion coefficient, and a high thermal expansion coefficient can be obtained. We were able to find polyimides and their precursors that have a high degree of heat resistance, high glass transition temperature, and high mechanical properties (flexibility). This is because the polyimide according to the present invention contains many linearly bonded aromatic rings and few imide rings that cause an increase in the dielectric constant. As a result, a low dielectric constant, low thermal expansion coefficient, It is considered that a polyimide with high heat resistance and high glass transition temperature was achieved at the same time. Further, by using an ether-type diamine as a part of the diamine component, the polyimide according to the present invention can also have high mechanical properties (flexibility).

〔実施例〕〔Example〕

次に実施例により本発明を説明するが、本発明 によるポリイミドフィルムは、評価特性のすべて にわたって優れているので、その総合的評価を比 較例と比較するために、以下に特性値の評価基準 を示す。 Next, the present invention will be described with reference to Examples.Since the polyimide film according to the present invention is excellent in all of the evaluation characteristics, in order to compare its comprehensive evaluation with Comparative Examples, the evaluation criteria of characteristic values are as follows. Indicates.

誘電率ε≦2.7,熱分解温度Td≧520℃, ガラス転移温度Tg≧380℃,熱膨張係数α≦ 25ppm/℃,引張り強度≧15kg/mm2,ヤング 率≦700Kg/mm2,伸び≧10%。Dielectric constant ε ≦ 2.7, Thermal decomposition temperature Td ≧ 520 ° C., Glass transition temperature Tg ≧ 380 ° C., Thermal expansion coefficient α ≦ 25 ppm / ° C., Tensile strength ≧ 15 kg / mm 2 , Young's modulus ≦ 700 Kg / mm 2 , Elongation ≧ 10%.

後に示す実施例や比較例において、これらの条 件に適合する例は総合評価として、良、適合しな い例を不良とした。 In the examples and comparative examples described later, examples that meet these conditions were evaluated as good, and examples that did not meet the conditions were rated as bad.

実施例1 室温,窒素気流下、ビス[4−(4−アミノフ ェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE√H2N 074モル,ジアミン成分中50%のモル比)と パラージアミノターフェニル(DATP≡N2N ジアミン成分中50%のモル比)を、N,N−ジ メチルアセトアミド(DMAc)とN−メチル− 2−ピロリドン(NMP)の1:1の混合溶媒 53.6g(固形分濃度16%)に撹拌しつつ溶解 した。次にパラーターフェニル−3,3”,4, 4”−テトラカルボン酸二無水物(TPDA)5. 475g(0.0148モル)を窒素気流下上記溶 液に撹拌しつつ溶解した。この時溶液の温度は3 0度前後まで上昇し、その粘度は150poise となった。更にこの溶液に60〜70℃で5時間 程熱を加えてその粘度を50poiseとし、ポリ アミド酸ワニスとした。Example 1 Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether (BAPE√H 2 N at room temperature under a nitrogen stream. 074 mol, 50% mol ratio in diamine component) and paradiaminoterphenyl (DATP≡N 2 N 50% molar ratio in the diamine component) was added to 53.6 g (solid concentration 16%) of a 1: 1 mixed solvent of N, N-dimethylacetamide (DMAc) and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). It dissolved with stirring. Then paraterphenyl-3,3 ", 4,4" -tetracarboxylic dianhydride (TPDA) 5. 475 g (0.0148 mol) was dissolved in the above solution with stirring under a nitrogen stream. At this time, the temperature of the solution rose to around 30 ° C., and its viscosity became 150 poise. Further, this solution was heated at 60 to 70 ° C. for about 5 hours to adjust its viscosity to 50 poise to obtain a polyamic acid varnish.

上記ポリアミド酸ワニスをシリコンウェハ上ま たはガラス基板上にスピン塗布し、窒素気流中2 00℃で30分間、350℃で30分間キュアし 基板から剥離したところ、可とう性の良好なフィ ルムが得られた。 The polyamic acid varnish was spin-coated on a silicon wafer or a glass substrate, cured in a nitrogen stream at 200 ° C. for 30 minutes and then at 350 ° C. for 30 minutes and peeled off from the substrate. was gotten.

次にこのフィルムの諸特性を以下の試験方法に より評価した。結果を第1表に示す。 Next, various properties of this film were evaluated by the following test methods. The results are shown in Table 1.

(1)誘電率ε フィルム成形後24時間以内にYHP(横河ヒ ュウレットパッカード)社製LCZメーター,4 277Aにより測定した。測定条件:測定室湿度 60%以下、周波数10KHz,温度25℃,電極 はAl−Al、またはCr−Al。(1) Dielectric constant ε Within 24 hours after film formation, it was measured by LCHP meter, 4277A manufactured by YHP (Yokogawa Hulet Packard). Measurement conditions: humidity in the measurement room 60% or less, frequency 10 KHz, temperature 25 ° C., electrode is Al-Al or Cr-Al.

(2)熱分解温度Td 上記フィルム50mgを用い、ULVAC社製 高速示差熱測定装置TGD−5000で窒素気流 下,昇温速度5℃/minで測定した。重量減少率 3%時の温度を熱分解温度Tdとした。(2) Thermal decomposition temperature Td Using 50 mg of the above film, a high speed differential thermal analyzer TGD-5000 manufactured by ULVAC, Inc. was used to measure the temperature under a nitrogen stream at a temperature rising rate of 5 ° C./min. The temperature when the weight loss rate was 3% was defined as the thermal decomposition temperature Td.

(3)ガラス転移温度Tg 上記フィルムを5mm×25mmの短冊状の試験片 とし、ULVAC社製熱機械測定装置TM−30 00により窒素気流下その伸び率を測定した。そ の伸び率が急激に増加する時の温度をガラス転移 温度Tgとした。(3) Glass transition temperature Tg The above film was used as a strip-shaped test piece of 5 mm x 25 mm, and its elongation rate was measured by a thermomechanical measuring device TM-30000 manufactured by ULVAC under a nitrogen stream. The temperature at which the elongation rate sharply increased was defined as the glass transition temperature Tg.

(4)熱膨張係数α 上記フィルムを5mm×25mmの短冊状の試験片 とし、ULVAC社製熱機械測定装置TM−30 00により窒素気流下その伸び率を測定し、これ から熱膨張係数αを求めた。(4) Coefficient of thermal expansion α The above film was used as a strip test piece of 5 mm × 25 mm, and its elongation was measured under a nitrogen stream by a thermomechanical measuring device TM-30000 manufactured by ULVAC. I asked.

(5)引張り強度,ヤング率,および伸び 上記フィルムを5mm×45mmの短冊状の試験片 (膜厚8μm)とし、インストロン引張り試験機 を用いて伸びと応力から求めた。(5) Tensile Strength, Young's Modulus, and Elongation The film was used as a 5 mm × 45 mm strip-shaped test piece (film thickness: 8 μm), and the elongation and stress were determined using an Instron tensile tester.

実施例2〜9 第1表に示される成分を用いて実施例1と同様 の方法でポリイミド膜を作成し、実施例1と同様 の方法で諸特性を評価した。その結果を第2表に 示した。尚、得られたポリイミド膜は可とう性に 優れ、すべての特性にわたって良好なフィルムで あった。Examples 2 to 9 Polyimide films were prepared in the same manner as in Example 1 using the components shown in Table 1, and various properties were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2. The polyimide film obtained had excellent flexibility and was a good film over all properties.

比較例1〜4 第2表に示される成分を用いて実施例1と同様 の方法でポリイミド膜を作成し、実施例と同様の 方法で諸特性を評価した。その結果を第4表に示 した。得られたポリイミド膜は可とう性に優れた 良好なフィルムであったが、熱膨張係数が大きく ガラス転移温度が低かったので、多層配線構造体 等に用いた場合に信頼性の点で問題があると考え られる。Comparative Examples 1 to 4 Polyimide films were prepared in the same manner as in Example 1 using the components shown in Table 2, and various properties were evaluated in the same manner as in Examples. The results are shown in Table 4. The obtained polyimide film was a good film with excellent flexibility, but its thermal expansion coefficient was large and its glass transition temperature was low, so there was a problem in terms of reliability when it was used for multilayer wiring structures, etc. It is believed that there is.

比較例5 第2表に示される成分を用いて実施例1と同様 の方法でポリイミド膜を作成し、実施例1と同様 の方法で諸特性を評価した。その結果を第4表に 示した。得られたポリイミド膜は可とう性に非常 に乏しく、フィルムとして成膜することが不可能 であった。そのために熱膨張係数や引張り強度、 伸び等の諸特性値を測定することが出来なかった。Comparative Example 5 A polyimide film was prepared in the same manner as in Example 1 using the components shown in Table 2, and various characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 4. The obtained polyimide film was very poor in flexibility and could not be formed as a film. Therefore, it was not possible to measure various characteristic values such as thermal expansion coefficient, tensile strength and elongation.

比較例6 もう一つの比較例として、PIQ(日立化成工 業(株)登録商標)を第4表に示した。PIQの 諸特性値のうち、引張り強度,ヤング率,伸び以 外の諸特性値はすべて上記の特性値の評価基準を 満たさなかった。Comparative Example 6 PIQ (registered trademark of Hitachi Chemical Co., Ltd.) is shown in Table 4 as another comparative example. Of the various characteristic values of PIQ, all the characteristic values other than tensile strength, Young's modulus, and elongation did not satisfy the evaluation criteria for the above characteristic values.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上の実施例,比較例で説明したように、本発 明による新規なポリアミド酸もしくはポリイミド は、従来公知のポリアミド酸もしくはポリイミド に比較して、すべての特性、特に低誘電率,低熱 膨張率、高耐熱性において優れており高信頼性が 期待されるので、多層配線構造体をはじめとする あらゆる工業的用途において有用である。 As described in the above Examples and Comparative Examples, the novel polyamic acid or polyimide according to the present invention has all the characteristics, especially low dielectric constant, low thermal expansion coefficient, in comparison with the conventionally known polyamic acid or polyimide. It is excellent in high heat resistance and expected to have high reliability, so it is useful in all industrial applications including multilayer wiring structures.

第1表 ポリマーの構成 実施例1〜9 第1表 ポリマーの構成(続き) 実施例1〜9 第2表 ポリマーの構成 比較例1〜5 第3表 ポリイミド膜の諸特性 実施例1〜9 第3表 ポリイミド膜の諸特性 比較例1〜6 Table 1 Polymer composition Examples 1-9 Table 1 Polymer Configuration (continued) Examples 1-9 Table 2 Polymer composition Comparative Examples 1-5 Table 3 Various properties of polyimide film Examples 1 to 9 Table 3 Various properties of polyimide film Comparative Examples 1 to 6

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 任延 東京都新宿区西新宿2丁目1番1号 日立 化工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tonobu Sato 2-1-1 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Hitachi Chemical Co., Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式 個以上の芳香族環を含む2価の基)で表される 繰返し単位からなり、その構成割合は式(I) (II)の−R−で表わされる芳香族ジアミン成 表わされるジアミン成分が30〜80,−R− で表わされる芳香族ジアミン成分が70〜20 の範囲であり、その還元粘度が少なくとも0.5 dl/g(溶媒N−メチル−2−ピロリドン, 濃度0.1g/100ml,温度25℃)以上で あることを特徴とするポリイミド前駆体。1. A general formula A divalent group containing at least one aromatic ring) and having a constitutional ratio of formula (I) -R 3 in (II) - aromatic diamine represented by adult The diamine component represented is 30 to 80, the aromatic diamine component represented by —R 3 — is in the range of 70 to 20, and the reduced viscosity thereof is at least 0.5 dl / g (solvent N-methyl-2-pyrrolidone, concentration 0). 1 g / 100 ml, temperature 25 ° C.) or higher). 【請求項2】 一般式 個以上の芳香族環を含む2価の基、Rはその 部分がポリマの末端である場合、あるいはポリ マの主鎖である場合にそれぞれ一般式 で表わされるケイ素原子を含む炭化水素基で、 そのR,Rは炭素数1から9の炭化水素基、 エーテル結合を含む炭素数1から7の飽和アル キン基、Rは炭素数1から3の炭化水素基、 Rは必要に応じてエーテル結合を含む炭素数 1から5のアルキン基又はトリアルキルシリン 基の中から選ばれた1種以上の基、R,R10 は炭素数1から3のアルキン基、炭素数1から 9のアリール基、nは0,1又は2、lは正の 整数である。)で表わされる繰返し単位からな で表わされるジアミン成分と(II)の−R−で 表わされる芳香族ジアミン成分と(III)の−R− で表わされる芳香族ジアミン成分の全体を10 ミン成分が30〜80、−R−で表わされる 芳香族ジアミン成分が、70〜20、−R− で表わされる芳香族ジアミン成分が0.5〜10 の範囲であり、その還元粘度が少なくとも0. 5dl/g(溶媒N−メチル−2−ピロリドン, 濃度0.1g/100ml,温度25℃)以上で あることを特徴とするポリイミド前駆体。2. The general formula A divalent group containing one or more aromatic rings, R 4 has the general formula when its part is at the end of the polymer or when it is the main chain of the polymer. A hydrocarbon group containing a silicon atom represented by R 5 and R 8 are hydrocarbon groups having 1 to 9 carbon atoms, a saturated alkyne group having 1 to 7 carbon atoms containing an ether bond, and R 6 is 1 carbon atom To 3 hydrocarbon groups, R 7 is at least one group selected from the group consisting of alkyne groups having 1 to 5 carbon atoms and trialkylsilyl groups containing an ether bond, and R 9 and R 10 are carbon atoms. An alkyne group having 1 to 3 carbon atoms, an aryl group having 1 to 9 carbon atoms, n is 0, 1 or 2, and l is a positive integer. ) Is a repeating unit The total amount of the diamine component represented by, the aromatic diamine component represented by —R 3 — of (II) and the aromatic diamine component represented by —R 4 — of (III) is 10 Min components 30 to 80, -R 3 - aromatic diamine component represented by the, 70 to 20, -R 4 - is in the range aromatic diamine component is 0.5 to 10 represented by, its reduced viscosity At least 0. A polyimide precursor which is 5 dl / g (solvent N-methyl-2-pyrrolidone, concentration 0.1 g / 100 ml, temperature 25 ° C.) or higher. 【請求項3】 請求項1及び2記載の一般式(II)中−
− で表わされる芳香族ジアミンが、 で表わされる構造式の中から選ばれた1種以上 の2価の基であることを特徴とする特許請求の 範囲第1項及び第2項記載のポリイミド前駆体。
3. In the general formula (II) according to claim 1 or 2,
The aromatic diamine represented by R 3 − is The polyimide precursor according to claim 1 or 2, which is one or more divalent groups selected from the structural formulas represented by:
【請求項4】 一般式 個以上の芳香族環を含む2価の基)で表わされ 繰返し単位からなり、その構成割合は式(I) (II)の−R−で表わされる芳香族ジアミン成 表わされるジアミン成分が30〜80,−R− で表わされる芳香族ジアミン成分が70〜20 の範囲であり、その還元粘度が少なくとも0. 5dl/g(溶媒N−メチル−2−ピロリドン, 濃度0.1g/100ml,温度25℃)以上で あるポリイミド前駆体を温度100℃以上で加 熱して熱硬化させることを特徴とするポリイミ ド硬化物。4. The general formula A divalent group containing at least one aromatic ring) and a repeating unit represented by the formula (I). -R 3 in (II) - aromatic diamine represented by adult The diamine component represented is 30 to 80, the aromatic diamine component represented by -R 3- is in the range of 70 to 20, and the reduced viscosity thereof is at least 0. Polyimide curing characterized in that a polyimide precursor having a concentration of 5 dl / g (solvent N-methyl-2-pyrrolidone, concentration 0.1 g / 100 ml, temperature 25 ° C.) or higher is heated and cured at a temperature of 100 ° C. or higher. object. 【請求項5】 一般式 個以上の芳香族環を含む2価の基、Rはその 部分がポリマの末端である場合、あるいはポリ マの主鎖である場合にそれぞれ一般式 で表わされるケイ素原子を含む炭化水素基で、 そのR,Rは炭素数1から9の炭化水素基、 エーテル結合を含む炭素数1から7の飽和アル キン基、Rは炭素数1から3の炭化水素基、 Rは必要に応じてエーテル結合を含む炭素数 1から5のアルキル基又はトリアルキシリル基 の中から選ばれた1種以上の基、R,R10は炭 素数1から3のアルキル基、炭素数1から9の アリール基、nは0,1又は2、lは正の整数 である。)で表わされる繰返し単位からなり、 わされるジアミン成分と式(II)の−R−で表 わされる芳香族ジアミン成分と式(III)の−R −で表わされる芳香族ジアミン成分の全体を1 アミン成分が30〜80、−R−で表わされ る芳香族ジアミン成分が70〜20、−R− で表わされる芳香族ジアミン成分が0.5〜10 の範囲であり、その還元粘度が少なくとも0. 5dl/g(溶媒N−メチル−2−ピロリドン, 濃度0.1g/100ml,温度25℃)以上で あるポリイミド前駆体を温度100℃以上で加 熱して熱硬化させることを特徴とするポリイミ ド硬化物。5. The general formula A divalent group containing one or more aromatic rings, R 4 has the general formula when its part is at the end of the polymer or when it is the main chain of the polymer. A hydrocarbon group containing a silicon atom represented by R 5 and R 8 are hydrocarbon groups having 1 to 9 carbon atoms, a saturated alkyne group having 1 to 7 carbon atoms containing an ether bond, and R 6 is 1 carbon atom To R 3 are hydrocarbon groups, R 7 is one or more groups selected from alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms containing an ether bond or triaryl groups, and R 9 and R 10 are carbon groups. An alkyl group having a prime number of 1 to 3, an aryl group having a carbon number of 1 to 9, n is 0, 1 or 2, and l is a positive integer. ) Consists of repeating units, Diamine component is I and -R of the formula (II) 3 - -R of aromatic diamine component and an expression that I Table (III) 4 - the whole aromatic diamine component represented by 1 The amine component is in the range of 30 to 80, the aromatic diamine component represented by —R 3 — is 70 to 20, the aromatic diamine component represented by —R 4 — is in the range of 0.5 to 10, and its reduced viscosity is Is at least 0. Polyimide curing characterized in that a polyimide precursor having a concentration of 5 dl / g (solvent N-methyl-2-pyrrolidone, concentration 0.1 g / 100 ml, temperature 25 ° C) or higher is heated and cured at a temperature of 100 ° C or higher. object. 【請求項6】 請求項4及び5記載の一般式(II)中−
− で表わされる芳香族ジアミンが、 で表わされる構造式の中から選ばれた1種以上 の2価の基であることを特徴とする特許請求の 範囲第4項及び第5項記載のポリイミド硬化物。
6. In the general formula (II) according to claims 4 and 5,
The aromatic diamine represented by R 3 − is The cured polyimide composition according to claim 4 or 5, which is one or more divalent groups selected from the structural formulas represented by:
【請求項7】 ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水
物と から得られるポリイミド前躯体の製造法におい て、一般式 る。)で表わされるテトラカルボン酸二無水物 成分と、使用するジアミン成分の全体を100 とした場合に、 以上の芳香族環を含む2価の基である。)で表 わされるジアミン成分及び 3)必要に応じて、一般式、 (式中、R,Rは炭素数1から9の炭化水素 基、エーテル結合を含む炭素数1から7の飽和 アルキル基、Rは炭素数1から3の炭化水素 基、Rは必要に応じてエーテル結合を含む炭 素数1から5のアルキル基又はトリアルキルシ リル基の中から選ばれた1種以上の基、R, Rは炭素数1からの3のアルキル基、炭素数 1から9のアリール基、nは0,1又は2であ る。lは正の整数である。)で表わされるアミ ノシラン化合物又はロキサンジアミンの使用割 合がジアミン成分全体量の0.5〜10の範囲 からなるジアミン成分とを非プロトン極性溶剤 中温度0〜30℃で重合させて、更にかき混ぜ ながら50〜80℃で加熱してワニス粘度を調 整させることを特徴とするポリイミド前駆体の 製造法。
7. A method for producing a polyimide precursor obtained from a diamine component and a tetracarboxylic dianhydride, wherein It ) When the total amount of the tetracarboxylic dianhydride component represented by It is a divalent group containing the above aromatic ring. ) A diamine component represented by 3) and 3) if necessary, a general formula, (In the formula, R 4 and R 7 are hydrocarbon groups having 1 to 9 carbon atoms, saturated alkyl groups having 1 to 7 carbon atoms containing an ether bond, R 5 is a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and R 6 is If necessary, at least one group selected from an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a trialkylsilyl group containing an ether bond, R 8 and R 9 are an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a carbon number. 1 to 9 aryl groups, n is 0, 1 or 2. l is a positive integer. The proportion of the aminosilane compound or roxanediamine used is 0.5 of the total amount of the diamine component. A polyimide precursor characterized by polymerizing a diamine component in the range of 10 to 10 in an aprotic polar solvent at a temperature of 0 to 30 ° C, and further heating at 50 to 80 ° C with stirring to adjust the varnish viscosity. Manufacturing method.
【請求項8】 請求項7記載の2)の−R−で表わさ
れる芳 香族ジアミンが、 で表わされる構造式の中から選ばれた1種以上 の2価の基であることを特徴とする請求項7記 載のポリイミド前駆体の製造法。
8. The aromatic diamine represented by —R 3 — of 2) according to claim 7, 8. The method for producing a polyimide precursor according to claim 7, wherein the polyimide precursor is one or more divalent groups selected from the structural formulas represented by:
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