JPH05128915A - 電気絶縁用ポリプロピレンおよびその製造方法 - Google Patents
電気絶縁用ポリプロピレンおよびその製造方法Info
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- JPH05128915A JPH05128915A JP31836591A JP31836591A JPH05128915A JP H05128915 A JPH05128915 A JP H05128915A JP 31836591 A JP31836591 A JP 31836591A JP 31836591 A JP31836591 A JP 31836591A JP H05128915 A JPH05128915 A JP H05128915A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 平均球晶径が２０μｍ以下の球晶よりなる電
気絶縁用ポリプロピレン。 【効果】 インパルス破壊電界強度に優れた電気絶縁用
ポリプロピレンが提供され、ひいてはより高性能で信頼
性の高いケーブル絶縁体が提供される。
気絶縁用ポリプロピレン。 【効果】 インパルス破壊電界強度に優れた電気絶縁用
ポリプロピレンが提供され、ひいてはより高性能で信頼
性の高いケーブル絶縁体が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気絶縁用ポリプロピ
レンおよびその製造方法に関する。
レンおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術・発明が解決しようとする課題】ポリプロ
ピレンは単独で、または低密度架橋ポリエチレン等との
ブレンドポリマーとして、例えば高電圧用ケーブルや機
器の電気絶縁材料として使用されている。ポリプロピレ
ンは高結晶性ポリマーであり、これを溶融状態から冷
却、特に徐冷すれば、ラメラが核を中心として放射状に
成長し、１００〜２００μｍ程度の球晶が生成する。そ
して、多数の核から球晶が充分成長すると、球晶間に衝
突が起こって球晶界面が形成される。
ピレンは単独で、または低密度架橋ポリエチレン等との
ブレンドポリマーとして、例えば高電圧用ケーブルや機
器の電気絶縁材料として使用されている。ポリプロピレ
ンは高結晶性ポリマーであり、これを溶融状態から冷
却、特に徐冷すれば、ラメラが核を中心として放射状に
成長し、１００〜２００μｍ程度の球晶が生成する。そ
して、多数の核から球晶が充分成長すると、球晶間に衝
突が起こって球晶界面が形成される。
【０００３】ところが、上記の方法で得られる結晶ポリ
プロピレンはインパルス破壊電界強度が十分とはいえ
ず、これを電気絶縁材料として高電圧で使用した場合、
絶縁破壊が起こりやすい等の不都合が生じる。従って、
インパルス破壊電界強度に優れた、より高性能で信頼性
の高い電気絶縁用ポリプロピレンの出現およびその製造
方法が待望されている。
プロピレンはインパルス破壊電界強度が十分とはいえ
ず、これを電気絶縁材料として高電圧で使用した場合、
絶縁破壊が起こりやすい等の不都合が生じる。従って、
インパルス破壊電界強度に優れた、より高性能で信頼性
の高い電気絶縁用ポリプロピレンの出現およびその製造
方法が待望されている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記のよ
うにして得られたポリプロピレン結晶をインパルス破壊
させたところ、インパルス破壊は球晶界面を通ってお
り、球晶界面が電気的弱点部であること知見し、さらに
研究を重ねてきたところ、平均球晶径が２０μｍ以下、
好ましくは１０μｍ以下の球晶よりなるポリプロピレン
がインパルス破壊電界強度に優れていることを見出し
た。
うにして得られたポリプロピレン結晶をインパルス破壊
させたところ、インパルス破壊は球晶界面を通ってお
り、球晶界面が電気的弱点部であること知見し、さらに
研究を重ねてきたところ、平均球晶径が２０μｍ以下、
好ましくは１０μｍ以下の球晶よりなるポリプロピレン
がインパルス破壊電界強度に優れていることを見出し
た。
【０００５】本発明はかかる新知見に基づいて完成され
たものであり、平均球晶径が２０μｍ以下、好ましくは
１０μｍ以下の球晶よりなることを特徴とする電気絶縁
用ポリプロピレンに関する。
たものであり、平均球晶径が２０μｍ以下、好ましくは
１０μｍ以下の球晶よりなることを特徴とする電気絶縁
用ポリプロピレンに関する。
【０００６】また、本発明はポリプロピレンに造核剤を
添加して溶融した後、冷却する工程を経ることを特徴と
する上記電気絶縁用ポリプロピレンの製造方法に関す
る。本発明において、ポリプロピレンの平均球晶径は２
０μｍ以下であるが、好ましくは１０μｍ以下、より好
ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下であ
る。当該平均球晶径は、次のようにして測定することが
できる。即ち、本発明の電気絶縁用ポリプロピレンを１
μｍから５０μｍ程度にスライスして、これを偏光顕微
鏡にて観測して平均球晶径を測定することができる。
添加して溶融した後、冷却する工程を経ることを特徴と
する上記電気絶縁用ポリプロピレンの製造方法に関す
る。本発明において、ポリプロピレンの平均球晶径は２
０μｍ以下であるが、好ましくは１０μｍ以下、より好
ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下であ
る。当該平均球晶径は、次のようにして測定することが
できる。即ち、本発明の電気絶縁用ポリプロピレンを１
μｍから５０μｍ程度にスライスして、これを偏光顕微
鏡にて観測して平均球晶径を測定することができる。
【０００７】当該平均球晶径よりなるポリプロピレンの
製造方法としては、例えば次の如き方法が例示される。
ポリプロピレンに造核剤を添加して結晶化する方法。当
該方法において、造核剤としては次の如き特性を有する
ものが好ましい。 ポリプロピレンと相溶性の良好なもの。ここにポリプ
ロピレンとの相溶性の良好なものとは、ポリプロピレン
の融点（１７０〜１８０℃）で混練した後、その温度で
粒子分散状態を光学顕微鏡（×４００）で観察した時の
分散粒子の平均径が、通常１μｍ以下、好ましくは０．
５μｍ以下であるものをいう。 造核性を有するもの。ここに造核性とは、ポリプロピ
レンに混合して通常の結晶化条件にて結晶化を行うこと
によって、ポリプロピレンの平均球晶を２０μｍ以下と
する作用を有するものである。
製造方法としては、例えば次の如き方法が例示される。
ポリプロピレンに造核剤を添加して結晶化する方法。当
該方法において、造核剤としては次の如き特性を有する
ものが好ましい。 ポリプロピレンと相溶性の良好なもの。ここにポリプ
ロピレンとの相溶性の良好なものとは、ポリプロピレン
の融点（１７０〜１８０℃）で混練した後、その温度で
粒子分散状態を光学顕微鏡（×４００）で観察した時の
分散粒子の平均径が、通常１μｍ以下、好ましくは０．
５μｍ以下であるものをいう。 造核性を有するもの。ここに造核性とは、ポリプロピ
レンに混合して通常の結晶化条件にて結晶化を行うこと
によって、ポリプロピレンの平均球晶を２０μｍ以下と
する作用を有するものである。
【０００８】特に好適な造核剤としては、下式（１）
【０００９】
【化１】
【００１０】（式中、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ水素
原子または炭素数１０以下の有機基を示す）で表される
ベンジリデンソルビトール誘導体が例示される。式
（１）において、炭素数１０以下の有機基としては、例
えばアルキル基、アルコキシ基が例示される。アルキル
基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル等の炭素数１〜４の低級アルキル基が好まし
い。アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等の炭素数１〜４の
低級アルコキシ基が好ましい。特に好適な式（１）の化
合物としては、ジベンジリデンソルビトール、ジ（パラ
エチル）ベンジリデンソルビトール、ジ（パラメトキ
シ）ベンジリデンソルビトール等が例示される。造核剤
の配合量は、ポリプロピレン１００重量部に対して通常
０．２〜５重量部、好ましくは０．５〜３重量部であ
る。
原子または炭素数１０以下の有機基を示す）で表される
ベンジリデンソルビトール誘導体が例示される。式
（１）において、炭素数１０以下の有機基としては、例
えばアルキル基、アルコキシ基が例示される。アルキル
基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル等の炭素数１〜４の低級アルキル基が好まし
い。アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等の炭素数１〜４の
低級アルコキシ基が好ましい。特に好適な式（１）の化
合物としては、ジベンジリデンソルビトール、ジ（パラ
エチル）ベンジリデンソルビトール、ジ（パラメトキ
シ）ベンジリデンソルビトール等が例示される。造核剤
の配合量は、ポリプロピレン１００重量部に対して通常
０．２〜５重量部、好ましくは０．５〜３重量部であ
る。
【００１１】本発明において、原料ポリプロピレンのメ
ルトインデックスは３〜１１、就中５〜７であること
が、密度は０．９０５〜０．９１５、就中０．９０８〜
０．９１２であることが、且つ破断点伸びは３５０〜５
５０％、就中４５０〜５５０％であることが好ましい。
なお、メルトインデックス（ｇ／１０分）はＪＩＳ Ｋ
６７６０Ｋの方法によって測定したものである。破断
点伸びは、ＡＳＴＮ Ｄ ６３８にて測定したものであ
る。
ルトインデックスは３〜１１、就中５〜７であること
が、密度は０．９０５〜０．９１５、就中０．９０８〜
０．９１２であることが、且つ破断点伸びは３５０〜５
５０％、就中４５０〜５５０％であることが好ましい。
なお、メルトインデックス（ｇ／１０分）はＪＩＳ Ｋ
６７６０Ｋの方法によって測定したものである。破断
点伸びは、ＡＳＴＮ Ｄ ６３８にて測定したものであ
る。
【００１２】造核剤を使用する方法は、例えば次のよう
にして行われる。まず、ポリプロピレンと造核剤とを混
練する。混練は、通常ロールミル等を使用して行われ
る。その際の温度は、通常１７０〜２００℃、好ましく
は１８０〜１９０℃である。混練物は次に溶融される。
溶融はポリプロピレンの融点以上の温度、即ち、通常１
７０〜１８０℃において行われる。溶融時間は通常１０
〜２０分程度である。かくして得た溶融物は適宜の温度
および時間にて等温結晶化する。等温結晶化温度（℃）
は、通常１３０〜１４０℃、好ましくは１３２〜１３８
℃、より好ましくは１３４〜１３６℃である。
にして行われる。まず、ポリプロピレンと造核剤とを混
練する。混練は、通常ロールミル等を使用して行われ
る。その際の温度は、通常１７０〜２００℃、好ましく
は１８０〜１９０℃である。混練物は次に溶融される。
溶融はポリプロピレンの融点以上の温度、即ち、通常１
７０〜１８０℃において行われる。溶融時間は通常１０
〜２０分程度である。かくして得た溶融物は適宜の温度
および時間にて等温結晶化する。等温結晶化温度（℃）
は、通常１３０〜１４０℃、好ましくは１３２〜１３８
℃、より好ましくは１３４〜１３６℃である。
【００１３】等温結晶化時間（分）は、通常３０〜１２
０、好ましくは６０〜９０、より好ましくは７０〜８０
である。等温結晶化してから冷却工程に付される。その
際の冷却温度は、通常０〜５０℃、好ましくは１０〜４
０℃、より好ましくは２０〜３０℃であり、冷却速度は
通常１０〜３００℃／分、好ましくは６０〜２５０℃／
分、より好ましくは１２０〜２００℃／分である。
０、好ましくは６０〜９０、より好ましくは７０〜８０
である。等温結晶化してから冷却工程に付される。その
際の冷却温度は、通常０〜５０℃、好ましくは１０〜４
０℃、より好ましくは２０〜３０℃であり、冷却速度は
通常１０〜３００℃／分、好ましくは６０〜２５０℃／
分、より好ましくは１２０〜２００℃／分である。
【００１４】
【効果】本発明の電気絶縁用ポリプロピレンのインパル
ス破壊電界強度は、従来の結晶ポリプロピレンに比べて
１．６倍程度優れている。
ス破壊電界強度は、従来の結晶ポリプロピレンに比べて
１．６倍程度優れている。
【００１５】
実施例１ 密度０．９１ｇ／cm3 、メルトインデックス７．０、破
断点伸び５００％のアイソタクティクポリプロピレンを
使用した。造核剤としてベンザルソルビトール（クリア
−Ｓ：新日本理化社製）を使用し、これを前記ポリプロ
ピレンと１８０℃でロールミルを使用して混練し、圧縮
成型器中で一旦溶融（１８０℃）後、１３０℃で６０分
間等温結晶化してから０℃水で急冷してポリプロピレン
を結晶化させた。当該ポリプロピレンの平均球晶径は例
えば、クリアーＳを０．３ｐｈｒ添加した場合は約５μ
ｍであった。これを、圧縮成型して０．３ｍｍ厚のシー
トとした。
断点伸び５００％のアイソタクティクポリプロピレンを
使用した。造核剤としてベンザルソルビトール（クリア
−Ｓ：新日本理化社製）を使用し、これを前記ポリプロ
ピレンと１８０℃でロールミルを使用して混練し、圧縮
成型器中で一旦溶融（１８０℃）後、１３０℃で６０分
間等温結晶化してから０℃水で急冷してポリプロピレン
を結晶化させた。当該ポリプロピレンの平均球晶径は例
えば、クリアーＳを０．３ｐｈｒ添加した場合は約５μ
ｍであった。これを、圧縮成型して０．３ｍｍ厚のシー
トとした。
【００１６】実験例１ 上記で得た試料についてインパルス破壊試験を行った。
即ち、図２に示す改良型ＭｃＫｅｏｗｎ電極系にて、１
×４０μｓｅｃの負極性インパルス標準波を予想破壊電
圧の７０％値を初期値として、５ｋＶ／３回印加のステ
ップ昇圧方式で課電した。試料厚は０．３ｍｍである。
なお、インパルス耐圧値は１条件につき１０試料のデー
タを採取し、ワイプル解析の後、破壊確率６３．３％に
おける破壊値をもって、その試料のインパルス耐圧値と
した。このようにして測定したインパルス電界破壊強度
〔ＩｍｐＢＤＳ（ｋＶ／ｍｍ）〕の測定結果は、図１お
よび表１に示した通りである。図１において、ｐｈｒは
ポリプロピレン１００重量部に対する造核剤の重量部を
示す。
即ち、図２に示す改良型ＭｃＫｅｏｗｎ電極系にて、１
×４０μｓｅｃの負極性インパルス標準波を予想破壊電
圧の７０％値を初期値として、５ｋＶ／３回印加のステ
ップ昇圧方式で課電した。試料厚は０．３ｍｍである。
なお、インパルス耐圧値は１条件につき１０試料のデー
タを採取し、ワイプル解析の後、破壊確率６３．３％に
おける破壊値をもって、その試料のインパルス耐圧値と
した。このようにして測定したインパルス電界破壊強度
〔ＩｍｐＢＤＳ（ｋＶ／ｍｍ）〕の測定結果は、図１お
よび表１に示した通りである。図１において、ｐｈｒは
ポリプロピレン１００重量部に対する造核剤の重量部を
示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】表中の添加量はポリプロピレン１００重量
部に対する造核剤の重量部である。
部に対する造核剤の重量部である。
【００１９】なお、実施例で使用したベンザルソルビト
ールのポリプロピレンとの相溶性は、ポリプロピレンと
１７０℃で混練した後、その温度で光学顕微鏡（×４０
０）で観察した時、分散粒子が観察されない程度の小粒
子であった。
ールのポリプロピレンとの相溶性は、ポリプロピレンと
１７０℃で混練した後、その温度で光学顕微鏡（×４０
０）で観察した時、分散粒子が観察されない程度の小粒
子であった。
【００２０】比較例１ 実施例１で使用したポリプロピレンを成形加工器中で一
旦溶融（１８０℃）後、１４０℃、３時間等温結晶化
後、２５℃、２時間放置してポリプロピレンを結晶化さ
せた。このポリプロピレンの結晶の球晶径は２５μｍで
あった。当該結晶ポリプロピレンのインパルス破壊電界
強度を実験例１と同様にして測定したところ、１２０ｋ
Ｖ／mmであった。
旦溶融（１８０℃）後、１４０℃、３時間等温結晶化
後、２５℃、２時間放置してポリプロピレンを結晶化さ
せた。このポリプロピレンの結晶の球晶径は２５μｍで
あった。当該結晶ポリプロピレンのインパルス破壊電界
強度を実験例１と同様にして測定したところ、１２０ｋ
Ｖ／mmであった。
【図１】インパルス電界破壊強度の測定結果を示す図で
ある。
ある。
【図２】インパルス破壊試験を行うための改良型ＭｃＫ
ｅｏｗｎ電極系を示す図である。
ｅｏｗｎ電極系を示す図である。
１ ２５mmφ鋼球 ２ ポリエチレン胴体 ３ シリコン油 ４ エポキシ樹脂 ５ 試料
Claims (3)
- 【請求項１】 平均球晶径が２０μｍ以下の球晶よりな
ることを特徴とする電気絶縁用ポリプロピレン。 - 【請求項２】 ポリプロピレンに造核剤を添加して結晶
化してなる球晶よりなることを特徴とする請求項１記載
の電気絶縁用ポリプロピレン。 - 【請求項３】 ポリプロピレンに造核剤を添加して溶融
した後、冷却する工程を経ることを特徴とする請求項１
記載の電気絶縁用ポリプロピレンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31836591A JP3187490B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 電気絶縁用ポリプロピレンおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31836591A JP3187490B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 電気絶縁用ポリプロピレンおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128915A true JPH05128915A (ja) | 1993-05-25 |
| JP3187490B2 JP3187490B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=18098338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31836591A Expired - Fee Related JP3187490B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 電気絶縁用ポリプロピレンおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3187490B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969036A1 (en) * | 1997-11-06 | 2000-01-05 | New Japan Chemical Co.,Ltd. | Method of molding gel of oriented polyolefin resin composition and molded object obtained by the method |
| WO2014206437A1 (en) | 2013-06-24 | 2014-12-31 | Abb Technology Ltd | A new process for preparing insulation materials for high voltage power applications and new insulation materials |
| JP2015201616A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 王子ホールディングス株式会社 | コンデンサ用二軸延伸ポリプロピレンフィルム |
| WO2016043172A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 東レ株式会社 | ポリプロピレンフィルムおよびフィルムコンデンサ |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP31836591A patent/JP3187490B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969036A1 (en) * | 1997-11-06 | 2000-01-05 | New Japan Chemical Co.,Ltd. | Method of molding gel of oriented polyolefin resin composition and molded object obtained by the method |
| EP0969036A4 (en) * | 1997-11-06 | 2000-02-23 | New Japan Chem Co Ltd | METHOD FOR MOLDING A GEL FROM ORIENTED POLYOLEFIN RESIN COMPOSITION, AND MOLDED BODIES PRODUCED BY THIS METHOD |
| US6238615B1 (en) | 1997-11-06 | 2001-05-29 | New Japan Chemical Co., Ltd. | Orientated gel molding method of polyolefin based resin composition |
| US6593427B2 (en) | 1997-11-06 | 2003-07-15 | New Japan Chemical Co., Ltd. | Orientated gel molding method of polyolefin-based resin composition and molded article obtainable by the method |
| WO2014206437A1 (en) | 2013-06-24 | 2014-12-31 | Abb Technology Ltd | A new process for preparing insulation materials for high voltage power applications and new insulation materials |
| JP2015201616A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 王子ホールディングス株式会社 | コンデンサ用二軸延伸ポリプロピレンフィルム |
| WO2016043172A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 東レ株式会社 | ポリプロピレンフィルムおよびフィルムコンデンサ |
| JP6070864B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2017-02-01 | 東レ株式会社 | ポリプロピレンフィルムおよびフィルムコンデンサ |
| JPWO2016043172A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2017-04-27 | 東レ株式会社 | ポリプロピレンフィルムおよびフィルムコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3187490B2 (ja) | 2001-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |