JPH05121578A - Composite base material having high thermal conductivity and low alpha-particle emission property for electronic package - Google Patents

Composite base material having high thermal conductivity and low alpha-particle emission property for electronic package

Info

Publication number
JPH05121578A
JPH05121578A JP10678092A JP10678092A JPH05121578A JP H05121578 A JPH05121578 A JP H05121578A JP 10678092 A JP10678092 A JP 10678092A JP 10678092 A JP10678092 A JP 10678092A JP H05121578 A JPH05121578 A JP H05121578A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyfluorocarbon
polymer
filler
particles
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10678092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Darbha Suryanarayana
ダーブハ・サーヤナラヤナ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH05121578A publication Critical patent/JPH05121578A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE: To obtain a high memory density circuit package, using a MOS memory chip of high memory density by forming from a circuit card, in which a filler is first added to a dielectric containing a perfluorocarbon polymer and a synthetic inorganic filler. CONSTITUTION: This minute electronic circuit package contains an integrated circuit stacked on a circuit card and has an electric connection of a signal, a power and a ground therebetween. The circuit is formed of a filled polymer dielectric, containing a perfluorocarbon polymer and a synthetic inorganic filler which is dispersed all over in this polymer and has a low alpha particle radiation rate, a high thermal mobile coefficient and a low thermal expansion coefficient. The filled polymer is set to have a thermal expansion coefficient lower than that of a polymer and a thermal mobile coefficient high than that of a polymer. This is in particular advantageous in the use of a high memory density MOS memory chip circuit package.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、熱的に安定な有機フル
オロカーボンポリマー複合誘電構造物を有する微小電子
回路パッケージに関するものであり、特に高回路密度の
パッケージに関する。この回路パッケージは、アルファ
粒子放出に対して高い感受性を有する回路密度の高い集
積回路チップにより特徴づけられるものである。更に詳
しく述べると、本発明は、低誘電率、高熱伝導率、低ア
ルファ粒子放出性のフィラーをフルオロカーボンポリマ
ーに加えて誘電性複合物を形成することに関する。
FIELD OF THE INVENTION This invention relates to microelectronic circuit packages having thermally stable organic fluorocarbon polymer composite dielectric structures, and more particularly to high circuit density packages. This circuit package is characterized by a circuit-dense integrated circuit chip that is highly sensitive to alpha particle emission. More specifically, the present invention relates to the addition of low dielectric constant, high thermal conductivity, low alpha particle emitting fillers to fluorocarbon polymers to form dielectric composites.

【0002】特に好適な一実施態様では、フィラーは熱
的に伝導性、電気的に非伝導性であって、誘電性のフィ
ルム、被膜(coating)又は層内に封入される。本発明
のこの例では、フィラー粒子を誘電性ポリマー材料の溶
剤中のスラリー、分散体、懸濁体又はエマルジョンに接
触させ、加熱して溶剤を追い出しながらポリマー材料を
フィラー粒子上に沈着させる。この結果、伝導性のフィ
ラー粒子がポリフルオロカーボン誘電体に含有された熱
伝導性、電気非伝導性の複合物が得られのである。
In one particularly preferred embodiment, the filler is thermally conductive, electrically non-conductive and encapsulated within a dielectric film, coating or layer. In this example of the invention, the filler particles are contacted with a slurry, dispersion, suspension or emulsion of a dielectric polymeric material in a solvent and heated to drive off the solvent and deposit the polymeric material on the filler particles. As a result, a thermally conductive and electrically non-conductive composite material containing conductive filler particles in the polyfluorocarbon dielectric was obtained.

【0003】[0003]

【従来の技術】電子パッケージの一般的構造並びに製造
法は、例えば、セラフィム(Donald P.Sraphim)、ラスキ
ー(RonaldLasky)及びリー(Che-Yo Li)の電子パッケージ
ングの原理(Principles of Electronic Packaging;)
(マグローヒルブックカンパニー(McGraw-Hill Book C
ompany、米国ニュヨーク州、ニュヨーク、1988年発行)
及びトゥマラ(Rao R. Tummala)及びリマスゼウスキー
(Eugene J. Rymaszewski)の微小電子パッケージング
ハンドブック(Microelectronic Packaging Handboo
k;)(ヴァンノストランドラインホールド社(Van Nos
trand Reinhold、米国ニューヨーク州ニュヨーク、1988
年発行)に記載されており、この両刊行物を引用する。
2. Description of the Related Art The general structure and manufacturing method of electronic packaging are, for example, Principles of Electronic Packaging of Donald P. Sraphim, Ronald Lasky and Che-Yo Li. )
(McGraw-Hill Book C
ompany, New York, NY, USA, published in 1988)
And Microelectronic Packaging Handboo by Rao R. Tummala and Eugene J. Rymaszewski
k;) (Van Nos
trand Reinhold, New York, NY, 1988
Annual publication), and both publications are cited.

【0004】セラフィム等及びトゥマラ等が記載してい
るように、電子回路は個々の電子回路部品を多数含んで
いる。例えば、何千、何百万という個別の抵抗、コンデ
ンサ、誘導子、ダイオード及びトランジスタを含有して
いる。これらの個別回路部品が相互接続されて回路を形
成し、個別回路が相互接続されて機能単位を形成するの
である。これらの相互接続を介して電力や信号が配分さ
れる。個別機能単位には機械的支持と構造上の保護が必
要である。この電気回路は、機能するための電気エネル
ギーと機能を維持するために熱エネルギーの除去とを必
要とする。チップ、モジュール、回路カード及び回路ボ
ード等の微小電子パッケージは、回路部品及び回路を保
護、収納、冷却及び相互接続するために使用される。
As described by Seraphim et al. And Tumara et al., Electronic circuits include a large number of individual electronic circuit components. For example, it contains thousands and millions of individual resistors, capacitors, inductors, diodes and transistors. These individual circuit components are interconnected to form a circuit, and the individual circuits are interconnected to form a functional unit. Power and signals are distributed through these interconnections. Individual functional units require mechanical support and structural protection. This electrical circuit requires electrical energy to function and removal of thermal energy to maintain function. Microelectronic packages such as chips, modules, circuit cards and circuit boards are used to protect, house, cool and interconnect circuit components and circuits.

【0005】単一集積回路内では、集積回路チップが回
路部品間及び回路間の相互接続、熱放散並びに機械的保
護を行う。当技術分野では、このチップは「第ゼロ次」
パッケージとして特徴づけられており、モジュール内に
収められたチップは第一水準のパッケージングと称され
る。
Within a single integrated circuit, an integrated circuit chip provides interconnections between circuit components and circuits, heat dissipation and mechanical protection. In the art, this chip is a "zero order"
Characterized as a package, the chips contained in the module are referred to as first level packaging.

【0006】パッケージングには、更にそれ以上の水準
のものがある。第二水準のパッケージングは回路カード
である。回路カードは少なくとも四つの機能を有する。
第一に回路カードが使用されるのは、所望の機能を果た
すために必要な回路又はビットの総数が第一水準パッケ
ージすなわち封入されたチップのビット総数を超えるた
めである。第二に、第二水準パッケージすなわち回路カ
ードは、第一水準パッケージすなわち封入されたチップ
又はモジュール内への集積が容易でない部品の部位を与
える。これらの部品には、例えばコンデンサ、精密抵
抗、誘等子、電気機械スイッチ、光カプラー等がある。
第三に回路カードは他の回路素子との信号の相互接続を
行う。第四は第二水準パッケージが熱管理の機能を有す
ること、すなわち熱を放散することである。
There are even higher levels of packaging. The second level packaging is circuit cards. The circuit card has at least four functions.
First, circuit cards are used because the total number of circuits or bits required to perform the desired function exceeds the total number of bits in the first level package or encapsulated chip. Second, the second level package or circuit card provides a portion of the component that is not easily integrated into the first level package or encapsulated chip or module. These components include, for example, capacitors, precision resistors, inductors, electromechanical switches, optical couplers, and the like.
Third, the circuit card provides signal interconnection with other circuit elements. Fourth, the second level package has the function of heat management, that is, it dissipates heat.

【0007】大部分の用途、特にパーソナルコンピュー
タ、高性能ワークステーション、中間範囲コンピュータ
及びメインフレームコンピュータには、第三水準のパッ
ケージングがある。これはボード水準パッケージであ
る。このボードは複数のカードを受け入れるためのコネ
クタ、カード間通信のための回路化要素(circuitizati
on)、外部通信のためのI/Oデバイス及び頻々精緻な
熱管理系を包含する。
Most applications, especially personal computers, high performance workstations, mid-range computers and mainframe computers, have third level packaging. This is a board level package. This board is a connector for accepting multiple cards and circuitizing elements for inter-card communication.
on), I / O devices for external communication and often sophisticated thermal management systems.

【0008】パッケージは、セラミックパッケージやポ
リマーパッケージ等、誘電体として使用される材料を特
徴とする。ポリマーベースの複合パッケージの基本的製
造方法は、シュミット(George P. Schmitt)、アペル
ト(Bernd K. Appelt)及びゴトロ(JeffreyT. Gotro)
が前に引用したセラフィム、ラスキー及びリーの電子パ
ッケージングの原理の第334-371頁に「エレクトロニク
ス用ポリマー及びポリマーベースの複合物(Polymers a
nd Polymer Based Composites for ElectronicApplicat
ions)」なる標題で記載されており、またセラフィム
(P. Seraphim)、バー(Donald E. Barr)、チェン(W
illiam T. Chen)、シュミット(GeorgeP. Schmitt)及
びトゥマラ(Rao R. Tummala)が、同じく前に引用した
トゥマラ(Tummala)及びリマスゼウスキー(Rymaszews
ki)の微小電子パッケージングの第853-922頁に「印刷
回路板パッケージング(Printed Circuit Board Packag
ing)」なる標題で記載されている。
The package features a material used as a dielectric, such as a ceramic package or a polymer package. The basic manufacturing method of polymer-based composite packages is George P. Schmitt, Bernd K. Appelt and Jeffrey T. Gotro.
See Seraphim, Rusky, and Lee's Electronic Packaging Principles, cited above, pages 334-371, entitled "Polymers for Electronics and Polymer-Based Composites."
nd Polymer Based Composites for Electronic Applicat
ions), and also P. Seraphim, Donald E. Barr, W
illiam T. Chen, George P. Schmitt, and Rao R. Tummala, also cited earlier, by Tumala and Rymaszews.
Ki) Microelectronic Packaging, pp. 853-922, "Printed Circuit Board Packaging"
ing) ”.

【0009】ポリマーパッケージの一製造法では、繊維
や球状粒子等の粒子に樹脂を含浸させる。このステップ
は、粒子への樹脂被覆、例えばエポキシ樹脂溶液の被
覆、樹脂に含まれる溶剤の蒸発及び樹脂の部分的硬化を
包含する。部分硬化された樹脂はB段階樹脂と称され
る。粒状材料とB段階樹脂とからなるものはプレプレグ
と称される。このプレプレグは取り扱いが簡単で安定で
あり、次処理のためにシートに切断することができる。
プレプレグの形成に使用される代表的樹脂には、エポキ
シ樹脂、ジシアネート樹脂、ポリイミド及びフルオロポ
リマーがある。
In one method of manufacturing a polymer package, particles such as fibers and spherical particles are impregnated with resin. This step involves coating the particles with a resin, for example with an epoxy resin solution, evaporating the solvent contained in the resin and partially curing the resin. The partially cured resin is referred to as a B-stage resin. A material composed of a granular material and a B-stage resin is called a prepreg. This prepreg is easy to handle and stable and can be cut into sheets for subsequent processing.
Typical resins used to form prepregs include epoxy resins, dicyanate resins, polyimides and fluoropolymers.

【0010】エポキシ樹脂、ジシアネート樹脂及びポリ
イミドは或る種の加工上の利点を有するが、誘電率は比
較的高い。これとは対照的に、フルオロカーボンポリマ
ーの誘電率は低い。フルオロカーボンポリマーの誘電率
が低いことは、低信号ノイズ及び高伝播速度が重要とな
る密な間隔の回路面が関連する用途で有用である。
Epoxy resins, dicyanate resins and polyimides have certain processing advantages, but relatively high dielectric constants. In contrast, fluorocarbon polymers have a low dielectric constant. The low dielectric constant of fluorocarbon polymers is useful in applications involving closely spaced circuit surfaces where low signal noise and high propagation speed are important.

【0011】ペルフルオロカーボンポリマーは対称モノ
マーから誘導され、従って双極子効果が最小となる。そ
の結果、フルオロカーボンポリマーは低誘電率を特徴と
する。更には、安定なC−F結合を有して強い分極を起
こす官能基を含まない対称オレフィンモノマーから形成
される対称付加重合ポリマーは、熱的及び化学的に安定
なポリマーである。
Perfluorocarbon polymers are derived from symmetric monomers and therefore dipole effects are minimized. As a result, fluorocarbon polymers are characterized by a low dielectric constant. Furthermore, a symmetrical addition polymerized polymer formed from a symmetrical olefin monomer having a stable C—F bond and having no functional group causing strong polarization is a thermally and chemically stable polymer.

【0012】ポリテトラフルオロエチレン(「PTF
E」)は、特に安定な低誘電率ポリマーである。ペルフ
ルオロビニルエーテルポリマー(ペルフルオロアルコキ
シド又は「PFA」)、ポリヘキサフルオロプロピレン
並びにクロロトリフルオロプロピレンのポリマー及びコ
ポリマー等の熱可塑性フルオロカーボンポリマーは、融
点及びガラス転移温度が高い結晶性のポリマーである。
Polytetrafluoroethylene ("PTF
E ") is a particularly stable low dielectric constant polymer. Thermoplastic fluorocarbon polymers such as perfluorovinyl ether polymers (perfluoroalkoxides or "PFA"), polyhexafluoropropylene and chlorotrifluoropropylene polymers and copolymers are crystalline polymers with high melting points and glass transition temperatures.

【0013】ポリマー基材の処理にはバイア(via)及
びスルーホールのドリル削孔が含まれる。バイアやスル
ーホールは個々のコア構造物又は部分積層モジュールに
ドリルを用いて形成される。次の処理は回路化すなわち
プレプレグ上にCuの信号線パターンすなわち電力線パ
ターンを形成する処理である。回路化はアディティブ的
又はサブトラクティブ的に行われる。この結果得られる
回路化されたプレプレグはコアと称される。回路とプレ
プレグとの間には一般に接着剤が必要であり、特にポリ
イミドプレプレグの場合にそうである。
Processing of polymer substrates includes drilling vias and through holes. Vias and through holes are drilled into individual core structures or partially laminated modules. The next process is to form a circuit, that is, a Cu signal line pattern, that is, a power line pattern on the prepreg. Circuitization is performed additively or subtractively. The resulting circuitized prepreg is referred to as the core. An adhesive is generally required between the circuit and the prepreg, especially in the case of polyimide prepreg.

【0014】この複合印刷回路パッケージは、(信号コ
ア、信号/信号コア、電力コア、電力/電力コア及び信
号/電力コアを含む)コアに追加プレプレグシートと表
面回路を挿入して製造される。積層後にドリル削孔、ホ
トリソグラフ及びメッキの諸過程を繰り返すと多層複合
物が得られる。
This composite printed circuit package is manufactured by inserting additional prepreg sheets and surface circuits into the core (including signal core, signal / signal core, power core, power / power core and signal / power core). .. After lamination, the drilling, photolithography and plating processes are repeated to obtain a multilayer composite.

【0015】コアに低誘電率のフルオロカーボンポリマ
ーを使用すると、信号散逸及び信号変形の小さいコアが
得られ、これは高周波用途に理想的なものである。しか
しながら、先行技術のペルフルオロカーボンポリマー誘
電体には多数の欠点があったのである。
The use of low dielectric constant fluorocarbon polymers in the core results in cores with low signal dissipation and signal distortion, which is ideal for high frequency applications. However, the prior art perfluorocarbon polymer dielectrics suffered from a number of drawbacks.

【0016】第一は、熱伝導率が小さいガラスフィラー
とペルフルオロカーボンが相互作用して低熱伝導率にな
ることである。第二は、ガラス強化ペルフルオロカーボ
ンポリマーの熱膨張係数が大きいことであり、例えば3
2.2℃で126マイクロメートル/m℃、146.3
℃で113.4マイクロメートル/m℃程度である。更
には、ガラスフィラーは高いアルファ粒子放出特性、例
えば0.02カウント/時・平方センチメートル程度の
アルファ粒子放出特性を有する。
The first is that the glass filler having a low thermal conductivity and the perfluorocarbon interact with each other to have a low thermal conductivity. Secondly, the glass-reinforced perfluorocarbon polymer has a large coefficient of thermal expansion.
126 μm / m ° C. at 14 ° C., 146.3
The temperature is about 113.4 μm / m ° C. Furthermore, glass fillers have high alpha particle emission characteristics, for example alpha particle emission characteristics of the order of 0.02 counts / hour-square centimeter.

【0017】これらの欠点を克服せんとする試みには、
例えば、アーサー(David J. Arthur)、モスコ(John
C. Mosko)、ジャクソン(Connie S. Jackson)及びト
ラウト(G. Robinson Traut)の「電気基材(Electrica
l Substrate Materials)」なる標題の米国特許第4,84
9,284号明細書に記載されているように、ポリテトラフ
ルオロエチレン誘電体にシラン被覆したガラス繊維を含
めることがある。前記の米国特許明細書に記載されてい
るように、基材はフルオロカーボンポリマーとセラミッ
クフィラーから形成される。セラミックフィラーは全基
材の約55重量パーセント以上を占める。このセラミッ
クは非晶質溶融シリカであると開示されているが、これ
をシランで被覆している。
In an attempt to overcome these drawbacks,
For example, Arthur (David J. Arthur), Mosco (John
C. Mosko), Connie S. Jackson and G. Robinson Traut "Electrica
US Patent No. 4,84 entitled "Substrate Materials)"
Polytetrafluoroethylene dielectrics may include silane coated glass fibers as described in 9,284. The substrate is formed from a fluorocarbon polymer and a ceramic filler, as described in the aforementioned US patent specifications. Ceramic fillers make up about 55 weight percent or more of the total substrate. The ceramic is disclosed as amorphous fused silica, which is coated with silane.

【0018】伝導性組成物用には伝導性フィラーを使用
することが記載されている。例えば、富士電機製造株式
会社の特開昭61-069853号(出願1984年9月14日、特願昭
59-193102号;1986年4月10日公開)「伝導性のフィラー
及びPTFE微粒子を含む伝導性フッ素樹脂組成物」
は、(a)フィラー、(b)含フッ素ポリマー及び
(c)5乃至30重量パーセントのポリテトラフルオロ
エチレン微粒子(直径10ミクロン以下)を含む組成物
について記載している。このフィラーは炭素微粒子、炭
素繊維、Ag、Al、Cu又はニッケル粒子、Al繊
維、ステンレス鋼繊維又は伝導性金属を被覆したガラス
繊維であると記載されている。この結果得られる複合物
は、誘電体としては使用できない伝導性の構造物であ
る。
The use of conductive fillers for conductive compositions is described. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-069853 of Fuji Electric Manufacturing Co., Ltd.
No. 59-193102; published on April 10, 1986) "Conductive fluororesin composition containing conductive filler and PTFE fine particles"
Describes a composition comprising (a) a filler, (b) a fluoropolymer and (c) 5 to 30 weight percent polytetrafluoroethylene microparticles (diameter 10 microns or less). This filler is described as carbon fine particles, carbon fibers, Ag, Al, Cu or nickel particles, Al fibers, stainless steel fibers or glass fibers coated with a conductive metal. The resulting composite is a conductive structure that cannot be used as a dielectric.

【0019】もう一つの問題はフィラーからのアルファ
粒子放出である。FETデバイスはアルファ粒子放出に
対して特に敏感である。FETデバイスのチャンネルを
アルファ粒子が通過すると、電子−ホール対を形成して
偽信号となったり間違った記憶状態にすることがある。
この問題は、ゲート絶縁体の化学及び物理の分野で最も
頻繁に取り扱われているが、高密度記憶チップでは特に
この問題は深刻である。
Another issue is alpha particle emission from the filler. FET devices are particularly sensitive to alpha particle emission. When alpha particles pass through the channel of a FET device, they can form electron-hole pairs, resulting in spurious signals or erroneous memory states.
This problem is most frequently addressed in the field of gate insulator chemistry and physics, but is especially acute in high density storage chips.

【0020】前述の特許・文献は、ガラス強化ポリペル
フルオロカーボン誘電体の低熱伝導率、それからのアル
ファ粒子の放出やポリペルフルオロカーボン誘電体の高
い熱膨張係数の問題に取り組んだものではない。従っ
て、アルファ粒子の放出を少なく、熱伝導率を高く且つ
熱膨張係数を少なくして、低誘電率を含む誘電特性はそ
のままに保つようなフィラーが求められているのであ
る。
The aforementioned patents and documents do not address the problems of low thermal conductivity of glass reinforced polyperfluorocarbon dielectrics, their emission of alpha particles and the high coefficient of thermal expansion of polyperfluorocarbon dielectrics. Therefore, there is a need for a filler that reduces the emission of alpha particles, has a high thermal conductivity and a low thermal expansion coefficient, and maintains the dielectric properties including the low dielectric constant.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、高
回路密度の微小電子回路パッケージを提供することであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION One object of the present invention is to provide a microelectronic circuit package with high circuit density.

【0022】本発明の別目的は、高記憶密度のMOS記
憶チップに使用する高記憶密度回路パッケージを提供す
ることである。
Another object of the present invention is to provide a high storage density circuit package for use in high storage density MOS storage chips.

【0023】本発明の尚別なる目的は、アルファ粒子放
出が低い、例えば少なくとも約0.005キュリ/時−
平方センチメートル未満である微小電子回路パッケージ
を提供することである。
Yet another object of the present invention is low alpha particle emission, eg at least about 0.005 curie / hour.
It is to provide a microelectronic circuit package that is less than a square centimeter.

【0024】本発明の尚更なる目的は、熱膨張係数が小
さい、例えば32.2℃で約126.8マイクロメート
ル/m℃未満、146.3℃で約113.4マイクロメ
ートル/m℃未満であるポリフルオロカーボン、例えば
ポリペルフルオロカーボン誘電体を提供することであ
る。
A still further object of the present invention is to have a low coefficient of thermal expansion, for example less than about 126.8 micrometers / m ° C at 32.2 ° C and less than about 113.4 micrometers / m ° C at 146.3 ° C. It is to provide certain polyfluorocarbons, such as polyperfluorocarbon dielectrics.

【0025】本発明の尚更なる目的は、高い熱伝導率を
有するポリフルオロカーボン、例えばポリペルフルオロ
カーボン誘電体を提供することである。
A still further object of the present invention is to provide a polyfluorocarbon, such as a polyperfluorocarbon dielectric, having a high thermal conductivity.

【0026】本発明の更なる目的は、ポリフルオロカー
ボン樹脂の低誘電率を維持しながら前記の諸目的を達成
することである。
A further object of the present invention is to achieve the above objects while maintaining the low dielectric constant of the polyfluorocarbon resin.

【0027】[0027]

【課題を解決するための手段】本発明の前記並びにその
他の諸目的は、合成熱伝導体をフィラーとしてポリフル
オロカーボン樹脂に分散させて封入させたものの相乗作
用により達成される。本発明の一例として、微小電子回
路パッケージを提示する。このパッケージは、回路カー
ド上に積載された集積回路を包含する。このパッケージ
は、回路カードと集積回路チップとの間に信号、電力及
び接地の電気接続を包含する。
The above and other objects of the present invention are achieved by the synergistic effect of a synthetic heat conductor dispersed in a polyfluorocarbon resin as a filler and encapsulated. As an example of the present invention, a microelectronic circuit package is presented. This package contains an integrated circuit mounted on a circuit card. The package contains electrical connections for signal, power and ground between the circuit card and the integrated circuit chip.

【0028】この回路カードはポリマー誘電体に充填物
を加えたものから形成される。誘電体はペルフルオロカ
ーボンポリマーと合成無機フィラーを含有する。このフ
ィラーは、低いアルファ粒子放出率、高い熱移動係数及
び低い熱膨張係数を有して、ポリマー内に限なく分散さ
れている。
The circuit card is formed from a polymeric dielectric plus filler. The dielectric contains a perfluorocarbon polymer and a synthetic inorganic filler. The filler has a low alpha particle emission rate, a high coefficient of heat transfer and a low coefficient of thermal expansion and is endlessly dispersed within the polymer.

【0029】更に詳しく述べると、充填されたポリマー
は、ポリマー自身よりも低い熱膨張係数を有し、ポリマ
ー自身よりも高い熱移動係数を有する。
More specifically, the filled polymer has a lower coefficient of thermal expansion than the polymer itself and a higher coefficient of heat transfer than the polymer itself.

【0030】本発明の更なる実施態様では、合成熱導体
粒子を封入剤に封入して調製する。本発明では、この導
体粒子をポリフルオロカーボンのエマルジョン又はコロ
イド状分散体で被覆して封入する。この結果得られる熱
導体粒子とポリフルオロカーボンの分散体をポリフルオ
ロカーボンシートに塗付するか、或いはポリフルオロカ
ーボンシートの間に配置し、加熱して揮発分を追い出
す。次に、ポリテトラフルオロエチレン分野ではよく知
られているように、この材料を焼結して本発明の誘電体
を形成する。
In a further embodiment of the invention, the synthetic thermal conductor particles are prepared by encapsulating in an encapsulant. In the present invention, the conductor particles are coated and encapsulated with an emulsion or colloidal dispersion of polyfluorocarbon. The resulting dispersion of heat conductive particles and polyfluorocarbon is applied to a polyfluorocarbon sheet or placed between the polyfluorocarbon sheets and heated to drive off volatile components. This material is then sintered to form the dielectric of the present invention, as is well known in the polytetrafluoroethylene art.

【0031】すなわち、本発明の微小電子回路パッケー
ジ及びその製造方法は、低い熱膨張係数、例えば32.
2℃で約126.8マイクロメートル/m℃未満、14
6.3℃で約113.4マイクロメートル/m℃未満の
熱膨張係数、高い熱拡散係数及び低いアルファ粒子放出
率をもった誘電体を特徴とする高回路密度の微小電子回
路パッケージを提供するものである。アルファ粒子放出
率が低いこと、例えば少なくとも約0.0005キュリ
ー/時−平方センチメートル未満であることは、高記憶
密度MOS記憶チップに用いる高記憶密度回路のパッケ
ージに特に有利である。
That is, the microelectronic circuit package and the manufacturing method thereof according to the present invention have a low coefficient of thermal expansion, for example, 32.
Less than about 126.8 micrometers / m ° C at 2 ° C, 14
Provide a high circuit density microelectronic circuit package featuring a dielectric with a coefficient of thermal expansion of less than about 113.4 micrometers / m ° C at 6.3 ° C, a high coefficient of thermal diffusion and a low alpha particle emission rate. It is a thing. Low alpha particle emission rates, such as at least about 0.0005 curie / hour-less than a square centimeter, are particularly advantageous for packaging high storage density circuits for use in high storage density MOS storage chips.

【0032】[0032]

【実施例】付属図面を参照すると本発明をよく理解する
ことができる。
The invention can be better understood with reference to the accompanying drawings.

【0033】本明細書に記載する本発明に従って、回路
カード上に集積回路を積載した微小電子回路パッケージ
を提示する。このパッケージを図1に一般的に示す。パ
ッケージ1は、カード11上に集積回路チップ51を有
する。集積回路チップ51とカード11との間に信号、
電力及び接地の電気接続を行う。
In accordance with the invention described herein, a microelectronic circuit package having integrated circuits mounted on a circuit card is presented. This package is shown generally in FIG. The package 1 has an integrated circuit chip 51 on a card 11. Signals between the integrated circuit chip 51 and the card 11,
Make electrical connections for power and ground.

【0034】本発明では、回路カード11を充填された
ポリマー誘電体21から形成する。この充填された誘電
体は: a.ペルフルオロカーボンポリマー b.合成無機フィラー を有する。
In the present invention, the circuit card 11 is formed from a filled polymer dielectric 21. The filled dielectric is: a. Perfluorocarbon polymer b. It has a synthetic inorganic filler.

【0035】複合物の構造を図3及び図4に更に詳しく
示す。
The structure of the composite is shown in more detail in FIGS.

【0036】ポリペルフルオロカーボンは、テトラフル
オロエチレン CF2=CF2、ペルフルオロプロピレン
CF2=CF−CF3又はペルフルオロエーテル類、例
えばCF2=CF−O−CF3を一種以上含むポリマーで
ある。更には、非ペルフッ素化フルオロカーボン、例え
ばフッ化ビニル CF2=CHF、フッ化ビニリデンC
2=CF2又はクロロトリフルオロエチレン CClF
=CF2等を使用することもできる。ペルフルオロカー
ボンは誘電率が低いため好適なのであるが、非対称のフ
ルオロカーボンもガラス転移温度が低く、従って加工が
比較的容易であるため、部分的に置き代えて使用するこ
とができる。
Polyperfluorocarbon is a polymer containing one or more of tetrafluoroethylene CF 2 ═CF 2 , perfluoropropylene CF 2 ═CF—CF 3 or perfluoroethers such as CF 2 ═CF—O—CF 3 . Furthermore, non-perfluorinated fluorocarbons such as vinyl fluoride CF 2 ═CHF, vinylidene fluoride C
H 2 = CF 2 or chlorotrifluoroethylene CClF
= CF 2 etc. can also be used. Perfluorocarbons are preferred due to their low dielectric constants, but asymmetric fluorocarbons can also be used as a partial replacement due to their low glass transition temperature and therefore relative ease of processing.

【0037】一般にフルオロカーボンは主としてペルフ
ルオロカーボンである。一好適例では、ペルフルオロカ
ーボンはポリテトラフルオロエチレンである。
Generally fluorocarbons are predominantly perfluorocarbons. In one preferred example, the perfluorocarbon is polytetrafluoroethylene.

【0038】先行技術の代表的フィラーは、石英、非晶
質溶融シリカ又はガラス繊維等のSiO2製品である。
しかしながら、本発明におけるフィラーは合成フィラー
であり、アルファ粒子放出率が低く、熱移動係数が高
く、熱膨張係数が低い伝導性のフィラーである。
Typical prior art fillers are SiO 2 products such as quartz, amorphous fused silica or glass fibers.
However, the filler in the present invention is a synthetic filler, which is a conductive filler having a low alpha particle emission rate, a high heat transfer coefficient, and a low thermal expansion coefficient.

【0039】アルファ粒子放出数が約0.005キュリ
ー/時/平方センチメートル未満であって、熱伝導率が
約1ワット/m°Kを超える各種合成材料を使用するこ
とができる。その例は窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ア
ルミニウム及び酸化ベリリウムである。窒化アルミニウ
ム(AlN)が特に好適である。この好適な高純度合成
AlNは、約0.005キュリー/時/平方センチメー
トル未満のアルファ粒子放出数及び約200ワット/m
°Kを超える熱伝導率を有する。
Various synthetic materials having an alpha particle emission rate of less than about 0.005 curie / hour / square centimeter and a thermal conductivity greater than about 1 watt / m ° K can be used. Examples are boron nitride, silicon carbide, aluminum nitride and beryllium oxide. Aluminum nitride (AlN) is particularly suitable. This preferred high purity synthetic AlN has an alpha particle emission rate of less than about 0.005 curie / hour / square centimeter and about 200 watt / m 2.
It has a thermal conductivity of more than ° K.

【0040】この合成用の熱伝導性フィラーは球状粒子
であって、例えば約0.1乃至約40ミクロンの直径を
有する。別法として、このフィラーは長さ約0.1乃至
約40ミクロン、直径約0.1乃至40ミクロン、アス
ペクト比(直径/長さ比)約1:1乃至約0.025:
1の針状粒子であってもよい。好適なAlN材料は、長
さ約0.1乃至約10ミクロン、直径約0.1乃至10
ミクロン、アスペクト比(直径/長さ比)約1:1乃至
約0.1:1の針状物である。
The thermally conductive filler for synthesis is a spherical particle, having a diameter of, for example, about 0.1 to about 40 microns. Alternatively, the filler has a length of about 0.1 to about 40 microns, a diameter of about 0.1 to 40 microns, and an aspect ratio (diameter / length ratio) of about 1: 1 to about 0.025:
It may be one acicular particle. Suitable AlN materials are about 0.1 to about 10 microns in length and about 0.1 to 10 in diameter.
It is a needle having a micron and an aspect ratio (diameter / length ratio) of about 1: 1 to about 0.1: 1.

【0041】粒子が熱的又は電気的に或いは両者とも伝
導性である時には、それをポリフルオロカーボンのエマ
ルジョン又はコロイド状分散体で被覆して封入する。こ
のエマルジョンは、一般に約1乃至約50重量パーセン
トのポリフルオロカーボン粒子を含有する。このポリフ
ルオロカーボン粒子の直径は約0.1乃至約29ミクロ
ンである。これらの粒子を溶剤中に例えば界面活性剤や
分散剤と共に分散させる。溶剤の一例は分散剤を0.1
乃至10重量パーセント含んだ脱イオン水である。この
分散体及びフィラー粒子を例えばエマルジョンの超音波
撹拌を用いて完全に混合する。
When the particles are thermally or electrically or both conductive, they are encapsulated by coating them with an emulsion or colloidal dispersion of polyfluorocarbon. The emulsion generally contains from about 1 to about 50 weight percent polyfluorocarbon particles. The polyfluorocarbon particles have a diameter of about 0.1 to about 29 microns. These particles are dispersed in a solvent together with, for example, a surfactant and a dispersant. An example of a solvent is 0.1% dispersant.
Deionized water containing 10 to 10 weight percent. The dispersion and filler particles are thoroughly mixed using, for example, ultrasonic agitation of the emulsion.

【0042】この結果得られる熱導体粒子とポリテトラ
エチレンとの分散体は、一般に、有機フルオロカーボン
1重量部に対して約0.1乃至約60重量部、好ましく
は約0.1乃至9乃至10重量部のフィラーを含有す
る。
The resulting dispersion of heat conductor particles and polytetraethylene is generally about 0.1 to about 60 parts by weight, preferably about 0.1 to 9 to 10 parts by weight per part by weight of the organic fluorocarbon. Contains parts by weight of filler.

【0043】フィラーはポリマー内に隈なく分散され
る。この分散度及び分散されたフィラーと封入ポリマー
の相対粒径は、熱膨張係数が混ぜもののないポリマーの
それよりも小となり、熱移動係数が混ぜもののないポリ
マーのそれよりも大にするようなものである。導電性の
フィラーの場合には、個々のフィラー粒子をフルオロカ
ーボン樹脂中に封入してパーコレーションモードの導電
を回避しなければならない。
The filler is dispersed throughout the polymer. This dispersity and the relative particle size of the dispersed filler and the encapsulated polymer are such that the coefficient of thermal expansion is smaller than that of the neat polymer and the coefficient of heat transfer is greater than that of the neat polymer. Is. In the case of conductive fillers, individual filler particles must be encapsulated in fluorocarbon resin to avoid percolation mode conduction.

【0044】本発明の更なる実施態様では、合成導体粒
子を封入剤に封入して誘電体を調製する。これを図2の
フロー図に示す。図2のブロック1に示した方法に従っ
て合成導体粒子を提供する。
In a further embodiment of the invention, the synthetic conductor particles are encapsulated in an encapsulant to prepare the dielectric. This is shown in the flow chart of FIG. 2. Provide synthetic conductor particles according to the method shown in block 1 of FIG.

【0045】この粒子にポリフルオロカーボンのエマル
ジョン又はコロイド状分散体を被覆する。これを図2の
ブロック2に示す。一好適例では、このコロイド状分散
体は分散剤を含む水中に0.1乃至約2.0ミクロンの
ポリテトラフルオロエチレン粒子を約10乃至約60重
量パーセント含有する。
The particles are coated with an emulsion or colloidal dispersion of polyfluorocarbon. This is indicated by block 2 in FIG. In one preferred embodiment, the colloidal dispersion contains from about 10 to about 60 weight percent of 0.1 to about 2.0 micron polytetrafluoroethylene particles in water containing the dispersant.

【0046】図2のブロック3に示すように、この結果
得られる導体粒子とポリフルオロカーボンの分散体をポ
リフルオロカーボンシートに塗付するか、或いはポリフ
ルオロカーボンシートの間に配置する。次に、図2のブ
ロック4に示すように、被覆されたシートを加熱して揮
発分を除去する。この硬化又は乾燥ステップは、代表的
には約250℃以上の温度で行われ、ポリマーを不都合
な焼結を起さずに揮発分を追い出す。この結果得られる
封入された粒子は、図3に概念的に示すような構造を有
する。図に示すように、AlN粒子はポリテトラフルオ
ロエチレン粒子に封入される。
The resulting dispersion of conductor particles and polyfluorocarbon is either applied to the polyfluorocarbon sheet or placed between the polyfluorocarbon sheets, as shown in block 3 of FIG. The coated sheet is then heated to remove volatiles, as shown in block 4 of FIG. This curing or drying step is typically performed at temperatures above about 250 ° C. to drive off the volatiles of the polymer without inconvenient sintering. The resulting encapsulated particles have a structure as conceptually shown in FIG. As shown, the AlN particles are encapsulated in polytetrafluoroethylene particles.

【0047】次に、図2のブロック5に示すように、こ
の材料を焼結する。ポリテトラフルオロエチレン分野で
は周知のように、この焼結により本発明の誘電体が形成
される。
Next, this material is sintered, as shown in block 5 of FIG. This sintering forms the dielectric of the present invention, as is well known in the polytetrafluoroethylene art.

【0048】ポリマー誘電体は、針状の合成AlN(窒
化アルミニウム)導体粒子を封入剤中に封入して調製し
た。この粒子は長さが約0.1乃至10ミクロン、直径
が約0.1乃至約10ミクロンである。この粒子は不純
物を1.0ppm未満しか含有しない。
The polymer dielectric was prepared by encapsulating acicular synthetic AlN (aluminum nitride) conductor particles in an encapsulant. The particles are about 0.1 to 10 microns long and about 0.1 to about 10 microns in diameter. The particles contain less than 1.0 ppm of impurities.

【0049】この導体粒子にポリフルオロカーボンのエ
マルジョン又はコロイド状分散体を被覆して封入した。
このエマルジョンは、0.1乃至10重量パーセントの
分散剤を含む脱イオン水中に直径0.1乃至10ミクロ
ンのポリテトラフルオロエチレン粒子を10乃至50重
量パーセント含有した。この分散体と粒子を混合した。
エマルジョンの超音波撹拌を用いてAlN繊維に被覆を
施した。
The conductor particles were coated and encapsulated with a polyfluorocarbon emulsion or colloidal dispersion.
The emulsion contained 10 to 50 weight percent 0.1 to 10 micron diameter polytetrafluoroethylene particles in deionized water containing 0.1 to 10 weight percent dispersant. The dispersion and particles were mixed.
The coating was applied to AlN fibers using ultrasonic agitation of the emulsion.

【0050】この結果得られた導体粒子とポリテトラフ
ルオロエチレンとの分散体は、フィラー2重量部に対し
て3重量部の有機物を含有した。この分散体を厚み76
マイクロメートル(3ミル)のポリテトラフルオロエチ
レンシートに塗付した。このシートを300℃に30分
間加熱して溶剤を追い出した。その後、2層の被覆フィ
ルムを327℃で30分間積層して本発明の誘電体を形
成した。
The resulting dispersion of conductor particles and polytetrafluoroethylene contained 3 parts by weight of organic material with respect to 2 parts by weight of filler. This dispersion has a thickness of 76
It was applied to a micrometer (3 mil) polytetrafluoroethylene sheet. The sheet was heated to 300 ° C. for 30 minutes to drive off the solvent. Then, the two-layer coating film was laminated at 327 ° C. for 30 minutes to form the dielectric material of the present invention.

【0051】この誘電体の寸法変化を温度の関数として
試験し、混ぜもののない(plain)ポリテトラフルオロ
エチレンと比較した。本発明の充填された材料の寸法対
温度を図5に示し、同一寸法のポリテトラフルオロエチ
レンの寸法変化対温度を図6に示す。本発明の方法を用
いて調製された誘電体の熱膨張係数が著しく低いことが
注目される。
The dimensional change of this dielectric was tested as a function of temperature and compared to plain polytetrafluoroethylene. The dimension versus temperature of the filled material of the present invention is shown in FIG. 5, and the dimension change versus temperature of polytetrafluoroethylene of the same dimension is shown in FIG. It is noted that the dielectrics prepared using the method of the present invention have a significantly lower coefficient of thermal expansion.

【0052】[0052]

【発明の効果】すなわち、本発明の微小電子回路パッケ
ージ及びその製造方法は、高回路密度の微小電子回路パ
ッケージを提供するものである。このパッケージは、低
い誘電率、混ぜもののないポリフルオロカーボンよりも
低い熱膨張係数、混ぜもののないポリフルオロカーボン
よりも高い熱拡散係数及び低いアルファ粒子放出率を特
徴とする。本発明の複合誘電体は、低い熱膨張係数、例
えば32.2℃で約126.8マイクロメートル/m℃
未満、146.3℃で約113.4マイクロメートル/
m℃未満の熱膨張係数を有する。この複合誘電体は、熱
拡散係数が大なることを更なる特徴とする。更には、本
発明の複合誘電体は、低いアルファ粒子放出率を有す
る。この低アルファ粒子放出率、例えば少なくとも約
0.005キュリー/時−平方センチメートル未満であ
ることは、高記憶密度MOS記憶チップ用の高記憶密度
回路パッケージに特に有利である。
That is, the microelectronic circuit package and its manufacturing method of the present invention provide a microelectronic circuit package having a high circuit density. This package features a low dielectric constant, a lower coefficient of thermal expansion than the neat polyfluorocarbon, a higher coefficient of thermal diffusion than the neat polyfluorocarbon, and a low alpha particle emission rate. The composite dielectric of the present invention has a low coefficient of thermal expansion, eg, about 126.8 micrometers / m ° C. at 32.2 ° C.
Less than about 113.4 micrometers at 146.3 ° C /
It has a coefficient of thermal expansion of less than m ° C. This composite dielectric is further characterized by a high thermal diffusion coefficient. Furthermore, the composite dielectric of the present invention has a low alpha particle emission rate. This low alpha particle emission rate, eg, at least about 0.005 curie / hour-less than a square centimeter, is particularly advantageous for high storage density circuit packages for high storage density MOS storage chips.

【0053】この複合誘電体の上記並びにその他の利点
は、ポリフルオロカーボン樹脂とその中に分散される封
入された低アルファ粒子放出率の熱的及び電気的な導体
との相乗作用に基くものと考えられる。
The above and other advantages of this composite dielectric are believed to be based on the synergy of the polyfluorocarbon resin and the encapsulated low alpha particle emission rate thermal and electrical conductors dispersed therein. Be done.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の複合誘電体を具体化した電子回路パッ
ケージの一部を切開した透視図である。
FIG. 1 is a perspective view in which a part of an electronic circuit package embodying a composite dielectric of the present invention is cut out.

【図2】本発明の方法を実施する一方法のフロー図であ
る。
FIG. 2 is a flow diagram of one method of implementing the method of the present invention.

【図3】未硬化ポリペルフルオロカーボン粒子内に封入
されたフィラー粒子を表わす図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating filler particles encapsulated within uncured polyperfluorocarbon particles.

【図4】ポリペルフルオロカーボン材料の2枚のシート
間にある封入されたフィラー粒子を表わす図である。
FIG. 4 represents encapsulated filler particles between two sheets of polyperfluorocarbon material.

【図5】本発明の充填された複合材料の長さ変化を温度
の関係としてプロットしたグラフであり、熱膨張係数の
点値をグラフ上に注記する。
FIG. 5 is a graph plotting the change in length of a filled composite material of the present invention as a function of temperature, with point values for the coefficient of thermal expansion noted on the graph.

【図6】先行技術の充填されていない複合材料の長さ変
化を温度の関数としてプロットしたグラフであり、熱膨
張係数の点値をグラフに注記する。
FIG. 6 is a graph plotting the length change of an unfilled composite of the prior art as a function of temperature, the point value of the coefficient of thermal expansion being noted in the graph.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッケージ 11 カード 21 ポリマー誘電体 51 集積回路チップ 1 Package 11 Card 21 Polymer Dielectric 51 Integrated Circuit Chip

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回路カード上に積載された集積回路を包
含し、その間に信号、電力及び接地の電気接続を有する
微小電子回路パッケージであって、前記の回路が a. ペルフルオロカーボンポリマー;及び b. 前記ポリマー内に隈無く分散された低いアルファ
粒子放出率、高い熱移動係数及び低い熱膨張係数を有す
る合成無機フィラー; を含有する充填されたポリマー誘電体から形成され、前
記の充填されたポリマーが該ポリマーよりも低い熱膨張
係数及び該ポリマーよりも高い熱移動係数を有すること
が特徴とする微小電子回路パッケージ。
1. A microelectronic circuit package comprising an integrated circuit mounted on a circuit card with electrical connections for signal, power and ground therebetween, said circuit comprising: a. A perfluorocarbon polymer; and b. Formed of a filled polymer dielectric containing a synthetic inorganic filler having a low alpha particle emission rate, a high coefficient of heat transfer and a low coefficient of thermal expansion dispersed throughout the polymer; A microelectronic circuit package having a lower coefficient of thermal expansion than the polymer and a higher coefficient of heat transfer than the polymer.
【請求項2】 前記のペルフルオロカーボンがポリテト
ラフルオロエチレンを包含する請求項1の微小電子回路
パッケージ。
2. The microelectronic circuit package of claim 1, wherein the perfluorocarbon comprises polytetrafluoroethylene.
【請求項3】 前記の合成無機フィラーがAlNを包含
する請求項1の微小電子回路パッケージ。
3. The microelectronic circuit package of claim 1, wherein the synthetic inorganic filler comprises AlN.
【請求項4】 該ペルフルオロカーボンがポリテトラフ
ルオロエチレンを包含し、かつ、該合成無機フィラーが
AlNを包含する請求項1の微小電子回路パッケージ。
4. The microelectronic circuit package of claim 1, wherein the perfluorocarbon comprises polytetrafluoroethylene and the synthetic inorganic filler comprises AlN.
【請求項5】 該合成無機フィラーが粒状フィラーであ
り、かつ、個々のフィラー粒子がペルフルオロカーボン
樹脂に封入されている請求項1の微小電子回路パッケー
ジ。
5. The microelectronic circuit package according to claim 1, wherein the synthetic inorganic filler is a granular filler, and individual filler particles are enclosed in a perfluorocarbon resin.
【請求項6】熱的及び電気的に伝導性の粒子を準備する
ステップ;該粒子を溶剤中に分散されたポリフルオロカ
ーボン樹脂に接触させて、ポリフルオロカーボン樹脂で
被覆されたフィラー粒子複合物を溶剤中に形成するステ
ップ;溶剤中に含まれるポリフルオロカーボン樹脂で被
覆されたフィラー粒子の複合物を一以上のポリフルオロ
カーボンシートに塗付するステップ;該シートと該ポリ
フルオロカーボン樹脂フィラー粒子を加熱して溶剤を追
い出すステップ;及び乾燥した該シートと該ポリフルオ
ロカーボン樹脂被覆フィラー粒子とを加熱し、該粒子と
シートを融着して充填されたポリフルオロカーボン誘電
性複合物を形成するステップ;を包含する充填されたポ
リフルオロカーボン誘電性複合物を製造する方法。
6. A step of providing thermally and electrically conductive particles; contacting the particles with a polyfluorocarbon resin dispersed in a solvent to form a filler particle composite coated with the polyfluorocarbon resin in a solvent. Forming therein; applying a composite of filler particles coated with a polyfluorocarbon resin contained in a solvent to one or more polyfluorocarbon sheets; heating the sheet and the polyfluorocarbon resin filler particles to form a solvent And heating the dried sheet and the polyfluorocarbon resin coated filler particles to fuse the particles and sheet to form a filled polyfluorocarbon dielectric composite. Method for producing a polyfluorocarbon dielectric composite.
【請求項7】 フィラーが電気的及び熱的に伝導性であ
る請求項6の方法。
7. The method of claim 6, wherein the filler is electrically and thermally conductive.
【請求項8】 溶剤中に分散されたポリフルオロカーボ
ン樹脂が、テトラフルオロエチレン、ペルフルオロプロ
ピレン、ペルフルオロエーテル類、フッ化ビニル、フッ
化ビニリデン、クロロトリフルオロエチレン及びそれら
の混合物のポリマー及びコポリマーからなる群から選択
される請求項6の方法。
8. A group of polyfluorocarbon resins dispersed in a solvent consisting of polymers and copolymers of tetrafluoroethylene, perfluoropropylene, perfluoroethers, vinyl fluoride, vinylidene fluoride, chlorotrifluoroethylene and mixtures thereof. 7. The method of claim 6 selected from
【請求項9】 該ポリフルオロカーボンシートが、テト
ラフルオロエチレン、ペルフルオロプロピレン、ペルフ
ルオロエーテル類、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、
クロロトリフルオロエチレン及びそれらの混合物のポリ
マー及びコポリマーからなる群から選択される請求項6
の方法。
9. The polyfluorocarbon sheet comprises tetrafluoroethylene, perfluoropropylene, perfluoroethers, vinyl fluoride, vinylidene fluoride,
7. The selected from the group consisting of polymers and copolymers of chlorotrifluoroethylene and mixtures thereof.
the method of.
【請求項10】 フィラー対全フルオロカーボンの重量
比が約0.1乃至約9.0である請求項6の方法。
10. The method of claim 6 wherein the weight ratio of filler to total fluorocarbon is from about 0.1 to about 9.0.
【請求項11】 該複合誘電体が混ぜもののないポリフ
ルオロカーボンよりも高い熱伝導率を有する請求項6の
方法。
11. The method of claim 6 wherein the composite dielectric has a higher thermal conductivity than pure polyfluorocarbon.
【請求項12】 該複合誘電体が混ぜもののないポリフ
ルオロカーボンよりも低い熱膨張係数を有する請求項6
の方法。
12. The composite dielectric material has a lower coefficient of thermal expansion than the neat polyfluorocarbon.
the method of.
JP10678092A 1991-05-24 1992-04-24 Composite base material having high thermal conductivity and low alpha-particle emission property for electronic package Pending JPH05121578A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US70544491A 1991-05-24 1991-05-24
US705444 1991-05-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05121578A true JPH05121578A (en) 1993-05-18

Family

ID=24833475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10678092A Pending JPH05121578A (en) 1991-05-24 1992-04-24 Composite base material having high thermal conductivity and low alpha-particle emission property for electronic package

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05121578A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8815725B2 (en) * 2013-01-18 2014-08-26 International Business Machines Corporation Low alpha particle emission electrically-conductive coating

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01112792A (en) * 1987-09-30 1989-05-01 E I Du Pont De Nemours & Co Polymer cermic composite ply

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01112792A (en) * 1987-09-30 1989-05-01 E I Du Pont De Nemours & Co Polymer cermic composite ply

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8815725B2 (en) * 2013-01-18 2014-08-26 International Business Machines Corporation Low alpha particle emission electrically-conductive coating
US9181440B2 (en) 2013-01-18 2015-11-10 Globalfoundries U.S. 2 Llc Low alpha particle emission electrically-conductive coating

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7429789B2 (en) Fluoropolymer dielectric composition for use in circuitized substrates and circuitized substrate including same
Pecht et al. Electronic packaging materials and their properties
Lupinski et al. Polymeric materials for electronics packaging and interconnection: An overview
US7550097B2 (en) Thermal conductive material utilizing electrically conductive nanoparticles
US7078816B2 (en) Circuitized substrate
US8445094B2 (en) Circuitized substrate with dielectric layer having dielectric composition not including continuous or semi-continuous fibers
JP2756075B2 (en) Metal base substrate and electronic device using the same
US7470990B2 (en) Low moisture absorptive circuitized substrate with reduced thermal expansion, method of making same, electrical assembly utilizing same, and information handling system utilizing same
US8198551B2 (en) Power core for use in circuitized substrate and method of making same
JP2007266606A (en) Fluoropolymer insulating composition for circuit board, and circuit board including same
WO2000007267A1 (en) Insulated conductive through-feature in conductive core materials
US6649325B1 (en) Thermally conductive dielectric mounts for printed circuitry and semi-conductor devices and method of preparation
JPH04233258A (en) Ultrasmall electronic circuit package
US7931830B2 (en) Dielectric composition for use in circuitized substrates and circuitized substrate including same
JP2007129215A (en) Dielectric composition for use in circuit board and circuit board formed using the same
Das et al. Nanomaterials for electronic packaging: toward extreme miniaturization [Nanopackaging]
JPH05121578A (en) Composite base material having high thermal conductivity and low alpha-particle emission property for electronic package
Lall et al. An overview of multichip modules
EP0784539A1 (en) Thermal management for additive printed circuits
Balde Multichip packaging and the need for new materials
JPH0613495A (en) Core material, which can be machined with laser and has low thermal expansion rate and low permittivity, for electronic package and manufacture of core material and electronic circuit package thereof
Gallagher et al. Materials selection issues for high operating temperature (HOT) electronic packaging
TW202302338A (en) Effective polymer-metal thermal interface of use in electronic circuitry
JP2803684B2 (en) Circuit board
Brehm et al. Multilevel Packaging for Low Cost Microwave Functions