JPH05119477A - Photoresist intermediate and photoresist - Google Patents

Photoresist intermediate and photoresist

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JPH05119477A
JPH05119477A JP28462291A JP28462291A JPH05119477A JP H05119477 A JPH05119477 A JP H05119477A JP 28462291 A JP28462291 A JP 28462291A JP 28462291 A JP28462291 A JP 28462291A JP H05119477 A JPH05119477 A JP H05119477A
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JP
Japan
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water
photoresist
hydrophobic monomer
soluble polymer
formula
Prior art date
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Application number
JP28462291A
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Japanese (ja)
Inventor
Taketo Tsukamoto
健人 塚本
Keiko Natori
恵子 名取
Akira Tamura
章 田村
Katsumasa Kawashima
克正 川嶋
Masaji Yonezawa
正次 米澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To improve resolution by preparing a photoresist from a photoresist intermediate comprising a water-soluble polymer for water development and the aq. soln. of this intermediate and bichromate. CONSTITUTION:The photoresist for water development is prepared from the intermediate comprising a water-soluble polymer expressed by formula having 50000-120000 weight mean mol.wt. In formula, A is a hydrophobic monomer having a bulk functional group, x is 0.8-0.85, y is 0.1-0.15, and z is 0.01-0.05. The hydrophobic monomer is preferably t-butylacrylate, t-butylmethacrylate or isopropylacrylate. Namely, the photoresist intermediate is a water-soluble polymer comprising copolymers of vinyl alcohol, vinyl acetate, and hydrophobic monomers having bulk functional groups such as t-butylacrylate, etc. The vinyl alcohol is not crystallized and is very easily dissolved in water, so that dissolution proceeds in each single molecule. Thus, resolution can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は水現像方式のフォトレジ
スト用中間体の改良とこの中間体を直接使用してなる水
現像方式のフォトレジストの改良とに関する。特に、解
像度を向上する改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in an intermediate for a water-development type photoresist and an improvement in a water-development type photoresist obtained by directly using this intermediate. In particular, it relates to improvements that improve resolution.

【0002】[0002]

【従来の技術】リードフレーム・シャドウマスク等の厚
い金属板をエッチングするために使用するフォトレジス
トには、そのエッチャントが酸であるため、酸に対する
耐性が大きく、しかも、使用法、特に現像が簡易であ
り、現像剤の原価も低廉である水現像方式のフォトレジ
ストが使用される。
2. Description of the Related Art A photoresist used for etching a thick metal plate such as a lead frame or a shadow mask has a large resistance to an acid because its etchant is an acid. Therefore, a water-development type photoresist is used because the developer cost is low.

【0003】従来技術に係る水現像方式のフォトレジス
トの代表例は、ポリビニルアルコールと重クロム酸塩の
水溶液と、カゼインと重クロム酸塩の水溶液とである。
Typical examples of the water developing type photoresist according to the prior art are an aqueous solution of polyvinyl alcohol and dichromate, and an aqueous solution of casein and dichromate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】たゞ、従来技術に係る
水現像方式のフォトレジストは、これを使用して形成し
うるラインスペースパターンの最小スペース幅が20μ
m程度であり、解像度が十分とは云えない。しかも、カ
ゼインと重クロム酸塩との水溶液の場合、感度(単位厚
さ露光するに要する光エネルギーの量)のばらつきが大
きいと云う欠点もある。
In the conventional water-developing photoresist, the minimum space width of the line space pattern that can be formed using the photoresist is 20 μm.
Since it is about m, the resolution cannot be said to be sufficient. Moreover, in the case of an aqueous solution of casein and dichromate, there is a drawback that the sensitivity (the amount of light energy required to expose a unit thickness) varies greatly.

【0005】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、解像度がすぐれており、感度のばらつきが
小さい利益を有する水現像方式のフォトレジスト用中間
体とその中間体を直接使用する水現像方式のフォトレジ
ストとを提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate these drawbacks, and to directly use a water-development type photoresist intermediate and its intermediate, which have advantages of excellent resolution and small variation in sensitivity. A water-developing photoresist is provided.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的のうち、第1
の目的(水現像方式のフォトレジスト用中間体の提供)
は、式
Of the above objects, the first
Purpose (Provision of intermediate for photoresist of water development method)
Is the expression

【0007】[0007]

【化3】 但し、Aは嵩高い官能基を有する疎水性モノマーであ
り、xは0.8〜0.85であり、yは0.1〜0.1
5であり、zは0.01〜0.05である。をもって表
され、重量平均分子量が50,000〜120,000
である水溶性ポリマーよりなる水現像方式のフォトレジ
スト用中間体によって達成される。
[Chemical 3] However, A is a hydrophobic monomer having a bulky functional group, x is 0.8 to 0.85, and y is 0.1 to 0.1.
5, and z is 0.01 to 0.05. And has a weight average molecular weight of 50,000 to 120,000.
And a water-developing intermediate for a photoresist, which comprises a water-soluble polymer.

【0008】上記の疎水性モノマーには、t−ブチルア
クリレート、t−ブチルメタクリレート、または、イソ
プロピルアクリレートが好適である。
T-butyl acrylate, t-butyl methacrylate, or isopropyl acrylate is suitable for the above hydrophobic monomer.

【0009】上記の目的のうち、第2の目的(水現像方
式のフォトレジストの提供)は、式
Among the above-mentioned purposes, the second purpose (providing a photoresist of water development type) is

【0010】[0010]

【化4】 但し、Aは嵩高い官能基を有する疎水性モノマーであ
り、xは0.8〜0.85であり、yは0.1〜0.1
5であり、zは0.01〜0.05である。をもって表
され、重量平均分子量が50,000〜120,000
である水溶性ポリマーを10〜20%、重クロム酸塩を
0.6〜1.0%含有する水溶液よりなる水現像方式の
フォトレジストによって達成される。
[Chemical 4] However, A is a hydrophobic monomer having a bulky functional group, x is 0.8 to 0.85, and y is 0.1 to 0.1.
5, and z is 0.01 to 0.05. And has a weight average molecular weight of 50,000 to 120,000.
Is achieved by a water developing type photoresist consisting of an aqueous solution containing 10 to 20% of a water-soluble polymer and 0.6 to 1.0% of dichromate.

【0011】上記の疎水性モノマーには、t−ブチルア
クリレート、t−ブチルメタクリレート、または、イソ
プロピルアクリレートが好適である。なお、前記の疎水
性モノマーとしてAに好ましい要件は、3次元的形状が
嵩高い官能基を有するものであればよい。したがって、
これを満たすものであれば、Aは例えば、側鎖に炭素数
3〜4個からなる分枝状アルキル基を有する疎水性モノ
マーが挙げられる。
As the above-mentioned hydrophobic monomer, t-butyl acrylate, t-butyl methacrylate or isopropyl acrylate is suitable. In addition, a preferable requirement for A as the above-mentioned hydrophobic monomer is that the three-dimensional shape has a bulky functional group. Therefore,
As long as this is satisfied, examples of A include a hydrophobic monomer having a branched alkyl group having 3 to 4 carbon atoms in the side chain.

【0012】[0012]

【作用】本発明は実験の結果にもとづくものであり、そ
の作用の根拠は必ずしも明らかではないが、下記のよう
に考えられる。
The present invention is based on the results of experiments, and the basis of its action is not always clear, but it is considered as follows.

【0013】従来技術に係る水現像方式のフォトレジス
トの要旨に係るポリビニルアルコールは、その含有する
水酸基が結合して、ポリビニルアルコールが結晶化して
おり、水に溶解しにくいのに反し、本発明に係る水現像
方式のビニルアルコールは、その含有する水酸基が単独
であり、ビニルアルコールは結晶化しておらないため、
水に極めて溶解しやすく、そのため、単分子毎に溶解が
進行することゝなるので、解像度が向上し、実験の結果
によれば、このフォトレジストを使用して形成しうるラ
インスペースパターンの最小スペース幅は10μm以下
である。
In the polyvinyl alcohol according to the gist of the water-development type photoresist according to the prior art, the contained hydroxyl groups are bonded and the polyvinyl alcohol is crystallized, which is difficult to dissolve in water. The water-development type vinyl alcohol has a single hydroxyl group contained therein, and the vinyl alcohol is not crystallized,
It is extremely soluble in water, and as a result, the dissolution progresses for each single molecule, which improves the resolution. According to the experimental results, the minimum space of the line space pattern that can be formed using this photoresist. The width is 10 μm or less.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例に係るフォトレジスト
用中間体及びフォトレジストについて説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the photoresist intermediates and photoresists according to the examples of the present invention will be described.

【0015】第1実施例(Aがt−ブチルアクリレートである例) 酢酸ビニル78gと、t−ブチルアクリレート13g
と、重合開始剤として機能する2,2’−アゾビスイソ
ブチロニトリル0.03gとを、メタノール1,000
mlに溶解させ、60℃の窒素雰囲気中において、還流
と攪拌とをなしながら、15時間反応させて、酢酸ビニ
ルとt−ブチルアクリレートとの共重合体を得た。
Example 1 (A is t-butyl acrylate) 78 g of vinyl acetate and 13 g of t-butyl acrylate
And 0.03 g of 2,2′-azobisisobutyronitrile functioning as a polymerization initiator, methanol 1,000
It was dissolved in ml and reacted under reflux and stirring in a nitrogen atmosphere at 60 ° C. for 15 hours to obtain a copolymer of vinyl acetate and t-butyl acrylate.

【0016】次に、苛性ソーダ20gを添加して、30
℃において1時間攪拌して、ケン化を行い、溶媒たるメ
タノールを除去して、式
Next, 20 g of caustic soda was added to give 30
After stirring for 1 hour at ℃, saponification was performed to remove the solvent methanol,

【0017】[0017]

【化5】 但し、Aはt−ブチルアクリレートであり、構造式は下
式をもって表される。
[Chemical 5] However, A is t-butyl acrylate, and the structural formula is represented by the following formula.

【0018】[0018]

【化6】 をもって表されるポリマーを得た。[Chemical 6] A polymer represented by

【0019】得られたポリマーの重量平均分子量は約
1.2×105 であった。各構成要素であるビニルアル
コールと酢酸ビニルとt−ブチルアクリレートとの数量
比は、元素分析法と核磁気共鳴法とを使用して測定した
ところ、0.82:0.15:0.03であった。
The weight average molecular weight of the obtained polymer was about 1.2 × 10 5 . The quantitative ratio of vinyl alcohol, vinyl acetate, and t-butyl acrylate, which are the respective constituent elements, was 0.82: 0.15: 0.03 as measured by elemental analysis and nuclear magnetic resonance. there were.

【0020】このポリマー150gと重クロム酸アンモ
ニウム8gとを水1,000mlに溶解して、本実施例
に係る水現像方式のフォトレジストを製造した。このフ
ォトレジストを銅板上にスピンコート(350rpm、
30秒)し、60℃のクリーンオーブン中において30
分間乾燥して、膜厚約7μmのフォトレジスト膜を形成
した。
150 g of this polymer and 8 g of ammonium dichromate were dissolved in 1,000 ml of water to produce a water developing type photoresist according to this example. Spin coating this photoresist on a copper plate (350 rpm,
30 seconds) and then in a clean oven at 60 ° C for 30
After drying for a minute, a photoresist film having a film thickness of about 7 μm was formed.

【0021】フォトマスクを使用し、5KW超高圧水銀
灯を使用して露光をなし、露光された領域を不溶性に転
換した後、室温水を1分間スプレーして、未露光の領域
を溶解して現像を行った。乾燥後測定されたラインスペ
ースパターンの最小スペース幅は約10μmであり、パ
ターン形状も正確であり、感度のばらつきも少ないこと
が確認された。
After exposing using a 5 kW ultra-high pressure mercury lamp using a photomask to convert the exposed area to insoluble, water at room temperature is sprayed for 1 minute to dissolve and develop the unexposed area. I went. It was confirmed that the minimum space width of the line space pattern measured after drying was about 10 μm, the pattern shape was accurate, and the variation in sensitivity was small.

【0022】第2実施例(Aがt−ブチルメタクリレートである例) 酢酸ビニル78gと、t−ブチルメタクリレート14g
と、重合開始剤として機能する2,2’−アゾビスイソ
ブチロニトリル0.03gとを、メタノール1,000
mlに溶解させ、60℃の窒素雰囲気中において、還流
と攪拌とをなしながら10時間反応させて、酢酸ビニル
とt−ブチルメタクリレートとの共重合体を得た。
Second embodiment (example in which A is t-butyl methacrylate) 78 g of vinyl acetate and 14 g of t-butyl methacrylate
And 0.03 g of 2,2′-azobisisobutyronitrile functioning as a polymerization initiator, methanol 1,000
It was dissolved in ml and reacted in a nitrogen atmosphere at 60 ° C. for 10 hours under reflux and stirring to obtain a copolymer of vinyl acetate and t-butyl methacrylate.

【0023】次に、苛性ソーダ20gを添加して、30
℃において1時間攪拌して、ケン化を行い、溶媒たるメ
タノールを除去して、式
Next, 20 g of caustic soda was added to obtain 30
After stirring for 1 hour at ℃, saponification was performed to remove the solvent methanol,

【0024】[0024]

【化7】 但し、Aはt−ブチルメタクリレートであり、構造式は
下式をもって表される。
[Chemical 7] However, A is t-butyl methacrylate, and the structural formula is represented by the following formula.

【0025】[0025]

【化8】 をもって表されるポリマーを得た。[Chemical 8] A polymer represented by

【0026】得られたポリマーの重量平均分子量は約9
×104 であった。各構成要素であるビニルアルコール
と酢酸ビニルとt−ブチルメタクリレートとの数量比
は、元素分析法と核磁気共鳴法とを使用して測定したと
ころ、0.81:0.14:0.05であった。
The polymer obtained has a weight average molecular weight of about 9
It was × 10 4 . The quantitative ratio of vinyl alcohol, vinyl acetate and t-butyl methacrylate, which are the respective constituent elements, was 0.81: 0.14: 0.05 when measured using elemental analysis and nuclear magnetic resonance. there were.

【0027】このポリマー150gと重クロム酸アンモ
ニウム8gとを水1,000mlに溶解して、本実施例
に係る水現像方式のフォトレジストを製造した。このフ
ォトレジストを銅板上にスピンコート(350rpm、
30秒)し、60℃のクリーンオーブン中において30
分間乾燥して、膜厚約5μmのフォトレジスト膜を形成
した。
150 g of this polymer and 8 g of ammonium dichromate were dissolved in 1,000 ml of water to prepare a water developing type photoresist according to this example. Spin coating this photoresist on a copper plate (350 rpm,
30 seconds) and then in a clean oven at 60 ° C for 30
After drying for a minute, a photoresist film having a film thickness of about 5 μm was formed.

【0028】フォトマスクを使用し、5KW超高圧水銀
灯を使用して露光をなし、露光された領域を不溶性に転
換した後、室温水を1分間スプレーして、未露光の領域
を溶解して現像を行った。乾燥後測定されたラインスペ
ースパターンの最小スペース幅は約10μmであり、パ
ターン形状も正確であり、感度のばらつきも少ないこと
が確認された。
After exposing the exposed area to insolubility using a 5 KW ultra-high pressure mercury lamp using a photomask, water at room temperature is sprayed for 1 minute to dissolve the unexposed area for development. I went. It was confirmed that the minimum space width of the line space pattern measured after drying was about 10 μm, the pattern shape was accurate, and the variation in sensitivity was small.

【0029】第3実施例(Aがイソプロピルアクリレートである例) 酢酸ビニル78gと、イソプロピルアクリレート11g
と、重合開始剤として機能する2,2’−アゾビスイソ
ブチロニトリル0.03gとを、メタノール1,000
mlに溶解させ、60℃の窒素雰囲気中において、還流
と攪拌とをなしながら10時間反応させて、酢酸ビニル
とイソプロピルアクリレートとの共重合体を得た。
Third Example (example in which A is isopropyl acrylate) 78 g of vinyl acetate and 11 g of isopropyl acrylate
And 0.03 g of 2,2′-azobisisobutyronitrile functioning as a polymerization initiator, methanol 1,000
It was dissolved in ml and reacted in a nitrogen atmosphere at 60 ° C. for 10 hours under reflux and stirring to obtain a copolymer of vinyl acetate and isopropyl acrylate.

【0030】次に、苛性ソーダ20gを添加して、30
℃において1時間攪拌して、ケン化を行い、溶媒たるメ
タノールを除去して、式
Next, 20 g of caustic soda was added to obtain 30
After stirring for 1 hour at ℃, saponification was performed to remove the solvent methanol,

【0031】[0031]

【化9】 但し、Aはイソプロピルアクリレートであり、構造式は
下式をもって表される。
[Chemical 9] However, A is isopropyl acrylate, and the structural formula is represented by the following formula.

【0032】[0032]

【化10】 をもって表されるポリマーを得た。[Chemical 10] A polymer represented by

【0033】得られたポリマーの重量平均分子量は約
1.1×105 であった。各構成要素であるビニルアル
コールと酢酸ビニルとイソプロピルアクリレートとの数
量比は、元素分析法と核磁気共鳴法とを使用して測定し
たところ、0.84:0.14:0.02であった。
The weight average molecular weight of the obtained polymer was about 1.1 × 10 5 . The quantitative ratio of vinyl alcohol, vinyl acetate, and isopropyl acrylate, which are the respective constituent elements, was 0.84: 0.14: 0.02 when measured using an elemental analysis method and a nuclear magnetic resonance method. .

【0034】このポリマー150gと重クロム酸アンモ
ニウム8gとを水1,000mlに溶解して、本実施例
に係る水現像方式のフォトレジストを製造した。このフ
ォトレジストを銅板上にスピンコート(350rpm、
30秒)し、60℃のクリーンオーブン中において30
分間乾燥して、膜厚約6μmのフォトレジスト膜を形成
した。
150 g of this polymer and 8 g of ammonium dichromate were dissolved in 1,000 ml of water to produce a water developing type photoresist according to this example. Spin coating this photoresist on a copper plate (350 rpm,
30 seconds) and then in a clean oven at 60 ° C for 30
After drying for a minute, a photoresist film having a film thickness of about 6 μm was formed.

【0035】フォトマスクを使用し、5KW超高圧水銀
灯を使用して露光をなし、露光された領域を不溶性に転
換した後、室温水を1分間スプレーして、未露光の領域
を溶解して現像を行った。乾燥後測定されたラインスペ
ースパターンの最小スペース幅は約10μmであり、パ
ターン形状も正確であり、感度のばらつきも少ないこと
が確認された。
After exposing the exposed area to insolubility using a 5 kW ultra-high pressure mercury lamp using a photomask and spraying room temperature water for 1 minute, the unexposed area is dissolved and developed. I went. It was confirmed that the minimum space width of the line space pattern measured after drying was about 10 μm, the pattern shape was accurate, and the variation in sensitivity was small.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るフォ
トレジスト用中間体は、ビニルアルコールと酢酸ビニル
とt−ブチルアクリレート等嵩高い官能基を有する疎水
性モノマーとの共重合体である水溶性ポリマーであり、
ビニルアルコールと酢酸ビニルとはこの中間体と重クロ
ム酸塩との水溶液であり、上記の共重合体の構成要素に
含まれるビニルアルコールは結晶化しておらず、水に極
めて溶解しやすく、単分子毎に溶解が進行することゝな
るので、解像度が大幅に向上し、実験の結果によれば、
このフォトレジストを使用して形成しうるラインスペー
スパターンの最小スペース幅は10μm以下である。ま
た、カゼインと重クロム酸塩との水溶液よりなるフォト
レジストのように感度にばらつきが発生することもな
く、極めてすぐれた水現像方式のフォトレジスト用中間
体及び水現像方式のフォトレジストとして機能する。
As described above, the intermediate for photoresist according to the present invention is a water-soluble copolymer which is a copolymer of vinyl alcohol, vinyl acetate and a hydrophobic monomer having a bulky functional group such as t-butyl acrylate. Is a polymer,
Vinyl alcohol and vinyl acetate are aqueous solutions of this intermediate and dichromate, and the vinyl alcohol contained in the constituents of the above copolymer is not crystallized and is very easily soluble in water, and monomolecular Since the dissolution progresses every time, the resolution is greatly improved, and according to the result of the experiment,
The minimum space width of the line space pattern that can be formed using this photoresist is 10 μm or less. Further, it does not cause variations in sensitivity unlike a photoresist formed of an aqueous solution of casein and dichromate, and functions as an excellent intermediate for a photoresist of a water developing method and a photoresist of a water developing method. .

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/06 H 6921−4E (72)発明者 川嶋 克正 東京都台東区台東一丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 米澤 正次 東京都台東区台東一丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location H05K 3/06 H 6921-4E (72) Inventor Katsumasa Kawashima 1-5-1 Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan In Printing Co., Ltd. (72) Inventor Shoji Yonezawa 1-5-1 Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 式 【化1】 但し、 Aは嵩高い官能基を有する疎水性モノマーであり、 xは0.8〜0.85であり、 yは0.1〜0.15であり、 zは0.01〜0.05である。 をもって表され、重量平均分子量が50,000〜12
0,000である水溶性ポリマーよりなることを特徴と
する水現像方式のフォトレジスト用中間体。
1. The formula: However, A is a hydrophobic monomer having a bulky functional group, x is 0.8 to 0.85, y is 0.1 to 0.15, and z is 0.01 to 0.05. is there. And has a weight average molecular weight of 50,000 to 12
A water-developing intermediate for photoresists, which is composed of a water-soluble polymer having a molecular weight of 10,000.
【請求項2】 前記疎水性モノマーはt−ブチルアクリ
レート、t−ブチルメタクリレート、または、イソプロ
ピルアクリレートであることを特徴とする請求項1記載
の水現像方式のフォトレジスト用中間体。
2. The water-developing intermediate for a photoresist according to claim 1, wherein the hydrophobic monomer is t-butyl acrylate, t-butyl methacrylate, or isopropyl acrylate.
【請求項3】 式 【化2】 但し、 Aは嵩高い官能基を有する疎水性モノマーであり、 xは0.8〜0.85であり、 yは0.1〜0.15であり、 zは0.01〜0.05である。 をもって表され、重量平均分子量が50,000〜12
0,000である水溶性ポリマーを10〜20%、重ク
ロム酸塩を0.8〜1.0%含有する水溶液よりなるこ
とを特徴とする水現像方式のフォトレジスト。
3. The formula: However, A is a hydrophobic monomer having a bulky functional group, x is 0.8 to 0.85, y is 0.1 to 0.15, and z is 0.01 to 0.05. is there. And has a weight average molecular weight of 50,000 to 12
A water-development type photoresist, comprising an aqueous solution containing 10 to 20% of a water-soluble polymer of 20,000 and 0.8 to 1.0% of dichromate.
【請求項4】 前記疎水性モノマーはt−ブチルアクリ
レート、t−ブチルメタクリレート、または、イソプロ
ピルアクリレートであることを特徴とする請求項3記載
の水現像方式のフォトレジスト。
4. The photoresist according to claim 3, wherein the hydrophobic monomer is t-butyl acrylate, t-butyl methacrylate, or isopropyl acrylate.
JP28462291A 1991-10-30 1991-10-30 Photoresist intermediate and photoresist Pending JPH05119477A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6346070B1 (en) 1998-12-25 2002-02-12 Mitsui Chemicals Inc Catalyst for polyester production, process for producing polyester using the catalyst, polyester obtained by the process, and uses of the polyester

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US6346070B1 (en) 1998-12-25 2002-02-12 Mitsui Chemicals Inc Catalyst for polyester production, process for producing polyester using the catalyst, polyester obtained by the process, and uses of the polyester

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