JPH0511782B2 - - Google Patents

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JPH0511782B2
JPH0511782B2 JP60299563A JP29956385A JPH0511782B2 JP H0511782 B2 JPH0511782 B2 JP H0511782B2 JP 60299563 A JP60299563 A JP 60299563A JP 29956385 A JP29956385 A JP 29956385A JP H0511782 B2 JPH0511782 B2 JP H0511782B2
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JP
Japan
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detection element
state quantity
temperature
sensor
detected
Prior art date
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JP60299563A
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Japanese (ja)
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JPS62157557A (en
Inventor
Yoshihiro Shimozato
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Sumitomo Riko Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Riko Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Riko Co Ltd filed Critical Sumitomo Riko Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、温度、ガス濃度等の状態量Qを検出
するセンサに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a sensor that detects state quantities Q such as temperature and gas concentration.

本発明のセンサは、前記状態量Qの時間的変化
(dQ/dt等)を速やかに検出し得るセンサであ
り、例えば、火災防止設備、ガス漏れ警告器等に
用いられる。
The sensor of the present invention is a sensor that can quickly detect temporal changes (dQ/dt, etc.) in the state quantity Q, and is used, for example, in fire prevention equipment, gas leak alarms, etc.

[従来の技術] 従来、被検出対象の温度、ガス濃度等の状態量
Qを電気信号Eとして検出し、温度コントロール
装置、火災防止設備、ガス漏れ警告器等の制御用
データとして供するセンサが提供されている。
[Prior Art] Conventionally, sensors have been provided that detect state quantities Q such as the temperature and gas concentration of a target to be detected as electrical signals E and provide them as control data for temperature control devices, fire prevention equipment, gas leak warning devices, etc. has been done.

上記に於いて、前記状態量Qの時間的変化に関
するデータ(dQ/dt等)が要求される場合は、
前記検出した信号を、マイクロコンピユータを用
いてソフト的に、あるいは微分回路等を用いてハ
ード的に処理し、前記要求される時間的変化に関
するデータを得ている。
In the above, if data regarding temporal changes in the state quantity Q (dQ/dt, etc.) is required,
The detected signal is processed by software using a microcomputer or by hardware using a differential circuit or the like to obtain data regarding the required temporal change.

[発明が解決しようとする問題点] 上記したように、温度コントロール装置、火災
防止設備、ガス漏れ警告器等の制御用データとし
ては、前記状態量Qの時間的変化率に関するデー
タが必要とされる。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, data regarding the rate of change over time of the state quantity Q is required as control data for temperature control devices, fire prevention equipment, gas leak warning devices, etc. Ru.

例えば、火災防止設備を例にとつて考えると、
火災発生温度Tfに至つてから警報器を作動させ
ても手遅れである。このため従来は、火災発生に
至る場合の昇温速度Vf=dT/dtが通常の昇温パ
ターンよりも急激であることに着目し、検出した
温度データT(状態量Q)を、微分回路等を用い
てハード的に、あるいは、マイクロコンピユータ
を用いてソフト的に処理して、前記要求される時
間的変化率に関するデータを得ていた。
For example, if we consider fire prevention equipment as an example,
It is too late to activate the alarm once the fire temperature T f has been reached. For this reason, in the past, focusing on the fact that the temperature increase rate V f = dT/dt that leads to a fire outbreak is more rapid than the normal temperature increase pattern, the detected temperature data T (state quantity Q) was calculated using a differential circuit. The required data regarding the rate of change over time has been obtained by processing the data using hardware such as the above or software using a microcomputer.

しかし、上記マイクロコンピユータ又はハード
回路を用いる処理は高価であるばかりでなく、回
路複雑化による信頼性の低下、回路構成素子の耐
環境性の問題、装置の大型化による設置性の悪化
等の問題点をもたらす。
However, processing using the above-mentioned microcomputers or hardware circuits is not only expensive, but also has problems such as reduced reliability due to circuit complexity, environmental resistance problems of circuit components, and worsened installation ease due to larger equipment. bring points.

また、温度コントールのように、設定された上
限(及び下限)温度に至つてからエアコンデイシ
ヨナー等の作動部の制御を切替えても、安全性上
特に支障のない場合は、前記マイクロコンピユー
タ又はハード回路を用いる処理は行なわず、検出
データをそのまま用いて制御していた。
In addition, as in the case of temperature control, if switching the control of operating parts such as air conditioners after reaching the set upper limit (and lower limit) temperature does not pose a particular problem in terms of safety, the microcomputer or No processing using hardware circuits was performed, and the detection data was used as is for control.

しかしかかる方法は、一般に即応性に欠ける制
御であり、温度リツプルが大きくなる等の問題が
あつた。
However, such methods generally provide control that lacks quick response and have problems such as increased temperature ripple.

本発明は、上記欠点の除去を目的とするもので
ある。
The present invention aims to eliminate the above drawbacks.

[問題点を解決するための手段] 本発明は、センサの構造を工夫することによ
り、前記状態量Qの時間的変化に関するデータ
(dQ/dt等)を直接的に検出するものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention directly detects data related to temporal changes in the state quantity Q (dQ/dt, etc.) by devising a sensor structure.

即ち本発明は、 被検出対象に対して直接的に配置され、該対象
の時刻tにおける状態量Q(t)を、同一時刻t
において電気信号E1(t)に変換する第1検出素
子と、 前記被検出対象の状態量Qを、所定時間a遅延
させて伝達する遅延素子と、 該遅延素子に対して直接的に配置され、前記遅
延して伝達された時刻t−aにおける状態量Q
(t−a)を、時刻tにおいて電気信号E2(t)
に変換する第2検出素子と、 前記第1検出素子の出力信号E1(t)を、前記
第2検出素子の出力信号E2(t)に応じて処理す
る信号処理部と、 を有し、少なくとも前記第1検出素子、遅延素
子、及び第2検出素子が一体的に構成されている
ことを特徴とする一体型センサである。
That is, in the present invention, the state quantity Q(t) of the object at time t, which is placed directly with respect to the object to be detected, is set at the same time t.
a first detection element that converts the state quantity Q of the object to be detected into an electric signal E1(t) at a predetermined time a, a delay element that transmits the state quantity Q of the detected object with a delay of a predetermined time a; and a delay element arranged directly with respect to the delay element; The state quantity Q at the time ta that is transmitted with a delay
(t-a) as the electrical signal E2(t) at time t
a second detection element that converts the output signal E1(t) into a signal E2(t) of the second detection element; The integrated sensor is characterized in that the first detection element, the delay element, and the second detection element are integrally configured.

以下、各構成要件を説明する。 Each component will be explained below.

第1検出素子及び第2検出素子は、被検出対象
の温度若しくは熱又はガス濃度等の状態量を電気
信号に変換する素子である。素子としては、前記
状態量Qの変化に応じて、直接電圧信号Vまたは
電流信号Iを出力するタイプの素子でもよく、あ
るいは、該状態量Qの変化に応じて抵抗率ρ(抵
抗R)を変化し、該抵抗率ρの変化を電圧信号V
または電流信号Iとして検出するタイプの素子で
もよい。なお、第1検出素子と第2検出素子と
は、同一の、状態量−電気信号(Q−E)変換特
性を有することが、センサの精度上望ましい。
The first detection element and the second detection element are elements that convert a state quantity such as temperature or heat of a detection target or gas concentration into an electrical signal. The element may be of a type that directly outputs a voltage signal V or current signal I in response to a change in the state quantity Q, or may be an element that outputs a resistivity ρ (resistance R) in response to a change in the state quantity Q. The change in resistivity ρ is expressed as a voltage signal V
Alternatively, it may be a type of element that detects the current signal I. Note that it is desirable for the first detection element and the second detection element to have the same state quantity-electrical signal (QE) conversion characteristic in terms of sensor accuracy.

遅延素子は、被検出対象の状態量Qを、時間a
遅延させて第2検出素子に伝達する素子である。
換言すれば、該遅延素子の存在によつて、第2検
出素子は時刻tにおいて、常に時刻t−aの状態
を検出することとなる。
The delay element changes the state quantity Q of the object to be detected at a time a
This is an element that delays and transmits the signal to the second detection element.
In other words, due to the presence of the delay element, the second detection element always detects the state at time ta at time t.

状態量Qが温度Tである場合は、遅延素子の材
料としては、薄膜ガラス、金属、金属化合物、樹
脂等の伝熱媒体を用い、該伝熱媒体にて第2検出
素子を被覆するとよい。また、状態量がガス濃度
Gである場合は、遅延素子としては、ガラス配
管、金属オリフイス、樹脂製透過膜等のガス透過
抵抗体を用いるとよい。
When the state quantity Q is the temperature T, it is preferable to use a heat transfer medium such as thin glass, metal, metal compound, or resin as the material of the delay element, and cover the second detection element with the heat transfer medium. Further, when the state quantity is the gas concentration G, a gas permeation resistor such as a glass pipe, a metal orifice, or a resin permeation membrane may be used as the delay element.

信号処理部は、第1検出素子及び第2検出素子
の出力信号E1(t),E2(t)より、状態量Q(t)
の時間的変化に関するデータを演算する。状態量
Q(t)の時間的変化に関するデータとしては、
前記dQ/dtに限らず、 E1/E2, E1−E2, E1・E2/(E1±E2), (E1−E2)/(E1+E2), 等、種々の場合がある。尚、前記したように、時
刻tにおける第2検出素子の出力信号E2(t)は E2(t)=F{Q(t−a)} ……(1) として、時刻t−aにおける状態量Q(t−a)
の関数で与えられるが、特に、第1検出素子と第
2検出素子との、状態量−電気信号変換特性(Q
−E変換特性)が等しく、かつ、遅延素子による
減衰がない場合には、 E2(t)=E1(t−a) ……(2) が成立する。
The signal processing unit calculates the state quantity Q(t) from the output signals E1(t) and E2(t) of the first detection element and the second detection element.
Compute data regarding temporal changes in . As data regarding the temporal change of the state quantity Q(t),
Not limited to the above dQ/dt, there are various cases such as E1/E2, E1-E2, E1·E2/(E1±E2), (E1-E2)/(E1+E2), etc. As mentioned above, the output signal E2(t) of the second detection element at time t is the state quantity at time t-a as E2(t)=F{Q(t-a)}...(1) Q(t-a)
In particular, the state quantity-electrical signal conversion characteristic (Q
-E conversion characteristics) are equal and there is no attenuation due to the delay element, E2(t)=E1(t-a)...(2) holds true.

信号処理部は、第1検出素子及び/又は第2検
出素子に接続する抵抗等を用いてセンサと一体的
に構成することもできるが、必要に応じ、別個に
構成してもよい。
The signal processing section can be configured integrally with the sensor using a resistor or the like connected to the first detection element and/or the second detection element, but it may also be configured separately if necessary.

[作用] 時刻tにおける温度、ガス濃度等の状態量Q
(t)は、第1検出素子にて即時的に電気信号E1
(t)に変換される。
[Effect] State quantities Q such as temperature and gas concentration at time t
(t) is instantaneously detected as an electric signal E1 by the first detection element.
(t).

一方、時刻t−aにおける状態量Q(t−a)
は、遅延素子にて時間a遅延された後、時刻tに
おいて第2検出素子にて電気信号E2(t)に変換
される。
On the other hand, the state quantity Q(ta) at time ta
is delayed for a time a by a delay element, and then converted into an electrical signal E2(t) by a second detection element at time t.

信号処理部は、上記信号E1(t),E2(t)を処
理して状態量Q(t)の時間的変化に関するデー
タとし、作動部の制御用データとして供する。
The signal processing section processes the signals E1(t) and E2(t) to obtain data regarding temporal changes in the state quantity Q(t), and provides the data as control data for the actuating section.

[実施例] 以下、本発明を図示する具体的な実施例に即し
て説明する。
[Examples] The present invention will be described below with reference to specific examples that illustrate the invention.

第1図は、実施例センサの構成を模式的に示す
斜視図であり、第2図は、該センサの縦断面図で
ある。また第3図は、該センサの電気回路図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of an example sensor, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the sensor. FIG. 3 is an electrical circuit diagram of the sensor.

本実施例は、状態量Qとして温度Tを検出する
場合である。
In this embodiment, the temperature T is detected as the state quantity Q.

第1図及び第2図図示のように、本実施例のセ
ンサは、熱伝導性の良好な銅製の外筒体5と、該
外筒体5内に該外筒体5と接するようにして収納
された第1検出素子である第1サーミスタ1と、
前記外筒体5内に該外筒体5と離隔して収納され
た第2検出素子である第2サーミスタ2と、前記
外筒体5と前記第2サーミスタ2との間に充填さ
れ、該外筒体5外部の熱を所定時間a遅延させて
該第2サーミスタ2に伝達するエポキシ系樹脂製
の遅延素子3とから成る。
As shown in FIGS. 1 and 2, the sensor of this embodiment includes an outer cylindrical body 5 made of copper having good thermal conductivity, and a structure in which the outer cylindrical body 5 is in contact with the outer cylindrical body 5. a first thermistor 1 which is a housed first detection element;
A second thermistor 2, which is a second detection element, is housed in the outer cylinder 5 apart from the outer cylinder 5; It consists of a delay element 3 made of epoxy resin that delays heat from the outside of the outer cylinder 5 for a predetermined time a before transmitting it to the second thermistor 2.

第1サーミスタ1と第2サーミスタ2との、温
度−電気抵抗変換特性(T−R特性)は等しく、
同一温度に対して、それぞれ同一抵抗値を示すよ
うに調整されている。したがつて、 R2(t)=F{T(t−a)} =R1(t−a) ……(3) が成立する。ここにTは被検出対象の温度であ
り、また、R1及びR2はそれぞれ第1サーミスタ
1及び第2サーミスタ2の電気抵抗値である。即
ち、時刻tにおける第2サーミスタ2の電気抵抗
値は、時刻t−aにおける第1サーミスタ1の電
気抵抗値に等しい。
The temperature-electrical resistance conversion characteristics (TR characteristics) of the first thermistor 1 and the second thermistor 2 are equal;
They are adjusted so that they each exhibit the same resistance value at the same temperature. Therefore, R2(t)=F{T(t-a)}=R1(t-a)...(3) holds true. Here, T is the temperature of the object to be detected, and R1 and R2 are the electrical resistance values of the first thermistor 1 and the second thermistor 2, respectively. That is, the electrical resistance value of the second thermistor 2 at time t is equal to the electrical resistance value of the first thermistor 1 at time ta.

第4図は、比較的緩かな温度上昇パターン(電
熱器にAC30Vを印加して加熱した場合の昇温パ
ターン)を表わすグラフであり、第5図は、第4
図の昇温パターンに対応する本実施例のセンサの
第1サーミスタ1及び第2サーミスタ2の電気抵
抗値の変化を示すグラフである。また、第6図
は、比較的急激な温度上昇パターン(電熱器に
AC100Vを印加して加熱した場合の昇温パター
ン)を表わすグラフであり、第7図は、第6図の
昇温パターンに対応する本実施例のセンサの第1
サーミスタ1及び第2サーミスタ2の電気抵抗値
の変化を示すグラフである。
Figure 4 is a graph showing a relatively gradual temperature increase pattern (temperature increase pattern when applying AC30V to an electric heater)
It is a graph which shows the change of the electrical resistance value of the 1st thermistor 1 and the 2nd thermistor 2 of the sensor of a present Example corresponding to the temperature increase pattern of a figure. In addition, Figure 6 shows a relatively rapid temperature rise pattern (for electric heaters).
FIG. 7 is a graph showing the temperature rise pattern when heating is performed by applying AC100V, and FIG.
2 is a graph showing changes in electrical resistance values of thermistor 1 and second thermistor 2. FIG.

第4図において、 T=kt+To (t≧0) ……(4) が成立する。(4)式より、 t=(T−To)/k ……(5) であり、また、t≧0は T≧To ……(6) に対応する。 In Figure 4, T=kt+To (t≧0) ……(4) holds true. From equation (4), t=(T-To)/k...(5) , and t≧0 T≧To...(6) corresponds to

一方、第5図において、近似的に R1(t)=−Kt+Ro (t≧0) ……(7) 及び R2(t)=R1(t−a) =−K(t−a)+Ro (t≧a) ……(8) が成立する。なお、a≧t≧0(これは、T≧To
+akに対応する)においてR2(t)は、 R2
(t)=Ro ……(9) である。
On the other hand, in Fig. 5, approximately R1 (t) = -Kt + Ro (t≧0) ... (7) and R2 (t) = R1 (t-a) = -K (t-a) + Ro (t ≧a) ...(8) holds true. Note that a≧t≧0 (this means that T≧To
+ak), R2(t) is R2
(t)=Ro...(9).

(7)及び(8)式に(5)を代入してtを消去し、(7)及び
(8)式を温度Tの関数として表わすと、それぞれ R1(T)=−K(T−To)/k+Ro =−A(T−To)+Ro (T≧To) ……(10) 及び R2(T)=−K(T−To)/k+Ro +Ka =−A(T−To)+Ro +Ka (T≧To+ak) ……(11) となる。なお、A=K/kとした。また、第8図
は、第4図及び第5図に基づき、R1およびR2を
温度Tの関数として表わしたグラフである。
Substituting (5) into equations (7) and (8) and eliminating t, (7) and
Expressing equation (8) as a function of temperature T, R1 (T) = -K (T - To) / k + Ro = -A (T - To) + Ro (T≧To) ... (10) and R2 ( T)=-K(T-To)/k+Ro+Ka=-A(T-To)+Ro+Ka (T≧To+ak)...(11). Note that A=K/k. Further, FIG. 8 is a graph showing R1 and R2 as a function of temperature T based on FIGS. 4 and 5.

上記(10)及び(11)式より、 R2(T)−R1(T)=Ka ……(12) である。ここで、Kaを評価すると、(7)及び(8)式
より、Kは、電気抵抗値Rの時間的変化の割合、
即ち、 K=dR/dt ……(13) として表わされるから、R2(T)とR1(T)との
差Kaは、サーミスタの電気抵抗値Rの時間的変
化率が大きい場合、換言すれば、被検出対象の温
度変化率が大きい場合ほど大きいことが分る。な
お、第9図は、第6図及び第7図に基づき、R1
およびR2を温度Tの関数として表わしたグラフ
である。
From the above equations (10) and (11), R2(T)-R1(T)=Ka...(12). Here, when evaluating Ka, from equations (7) and (8), K is the rate of change over time in the electrical resistance value R,
That is, it is expressed as K=dR/dt...(13), so the difference Ka between R2(T) and R1(T) is, in other words, , it can be seen that the larger the rate of temperature change of the object to be detected is, the larger it is. In addition, Figure 9 is based on Figures 6 and 7, and R1
and R2 as a function of temperature T.

第8図及び第9図の比較より、上記結論、即
ち、本実施例のセンサでは被検出対象の温度変化
率が大きいほどR2(T)とR1(T)との差は大き
くなるという結論が裏付けられる。
From the comparison of FIG. 8 and FIG. 9, the above conclusion, that is, with the sensor of this example, the larger the rate of temperature change of the detected object, the larger the difference between R2(T) and R1(T). It is supported.

第10図は、火災が発生しない場合の昇温パタ
ーンを示すグラフであり、第11図は、火災発生
の場合の昇温パターンを示すグラフである。
FIG. 10 is a graph showing a temperature increase pattern when no fire occurs, and FIG. 11 is a graph showing a temperature increase pattern when a fire occurs.

図示のように、火災の場合の温度変化率は大き
く、一方、非火災の場合の温度変化率は小さい。
故に、本実施例のセンサを用いると、火災の場合
において、R2(T)とR1(T)との差は大きくな
る。
As shown in the figure, the rate of temperature change in the case of fire is large, while the rate of temperature change in the case of non-fire is small.
Therefore, when the sensor of this embodiment is used, the difference between R2(T) and R1(T) becomes large in the case of a fire.

したがつて、本実施例のセンサを用いて第3図
のようにブリツジ回路を構成し、 V=V1−V2<0 即ち、 R1/R2<R3/R4 の場合において比較器6がハイレベル信号を出
力して、警報器7を作動させることとすると、比
較的低温時においても昇温パターンから火災の発
生を検知でき、有用である。なお、R3およびR4
は定抵抗であり、R3およびR4の値を選ぶことに
より、警報器7の作動レベルを任意に設定でき
る。
Therefore, by using the sensor of this embodiment, a bridge circuit is constructed as shown in FIG. It is useful to output this to activate the alarm 7, since it is possible to detect the occurrence of a fire from the temperature rise pattern even when the temperature is relatively low. Furthermore, R3 and R4
is a constant resistance, and by selecting the values of R3 and R4, the activation level of the alarm 7 can be set arbitrarily.

なお、上記説明では、温度センサやガスセンサ
へ適用する例を説明したが、その他のセンサ、例
えば圧力、歪み、光センサ等への適用も容易であ
る。その場合、遅延素子は、圧力、歪みに対して
は、ゴム等の弾性部材、光に対してはすりガラス
等の不透明部材を用いることができる。
In the above description, an example of application to a temperature sensor or a gas sensor has been described, but the invention can also be easily applied to other sensors such as pressure, strain, and optical sensors. In this case, the delay element can be an elastic member such as rubber for pressure and strain, and an opaque member such as frosted glass for light.

[効果] 以上、詳述したように本発明は、センサの構造
を工夫することにより、状態量の変化に関するデ
ータを直接的に検出するセンサである。
[Effects] As described above in detail, the present invention is a sensor that directly detects data regarding changes in state quantities by devising the structure of the sensor.

実施例に述べたように本発明のセンサによる
と、温度コントロール装置、火災防止設備、ガス
漏れ警告器等の制御用データのように、状態量Q
の時間的変化率に関するデータが必要とされる場
合において、微分回路等のハード回路、あるい
は、マイクロコンピユータを用いることなく火災
等の異常を初期において検知することができる。
また、温度リツプル等の問題なく、温度コントロ
ールを行なうことができる。
As described in the embodiment, according to the sensor of the present invention, the state quantity Q is
When data regarding the rate of change over time is required, an abnormality such as a fire can be detected at an early stage without using a hard circuit such as a differential circuit or a microcomputer.
Further, temperature control can be performed without problems such as temperature ripple.

さらに、マイクロコンピユータ等が不要なため
安価であるばかりでなく、回路複雑化による信頼
性の低下、回路構成素子の耐環境性の問題、装置
の大型化による設置性の悪化等の問題点も解決さ
れる。
Furthermore, it is not only inexpensive because it does not require a microcomputer, but also solves problems such as reduced reliability due to circuit complexity, environmental resistance of circuit components, and poor installation ease due to larger equipment. be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、実施例センサの構成を模式的に示す
斜視図であり、第2図は、該センサの縦断面図で
ある。また第3図は、該センサの電気回路図であ
る。第4図は、比較的緩かな温度上昇パターン
(電熱器にAC30Vを印加して加熱した場合の昇温
パターン)を表わすグラフであり、第5図は、第
4図の昇温パターンに対応する本実施例のセンサ
の第1サーミスタ1及び第2サーミスタ2の電気
抵抗値の変化を示すグラフである。また、第6図
は、比較的急激な温度上昇パターン(電熱器に
AC100Vを印加して加熱した場合の昇温パター
ン)を表わすグラフであり、第7図は、第6図の
昇温パターンに対応する本実施例のセンサの第1
サーミスタ1及び第2サーミスタ2の電気抵抗値
の変化を示すグラフである。第8図は、第4図及
び第5図に基づき、R1およびR2を温度Tの関数
として表わしたグラフである。第9図は、第6図
及び第7図に基づき、R1およびR2を温度Tの関
数として表わしたグラフである。第10図は、火
災が発生しない場合の昇温パターンを示すグラフ
であり、第11図は、火災発生の場合の昇温パタ
ーンを示すグラフである。 1……第1検出素子、2……第2検出素子、3
……遅延素子、4……断熱部材。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of an example sensor, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the sensor. FIG. 3 is an electrical circuit diagram of the sensor. Figure 4 is a graph showing a relatively gradual temperature increase pattern (temperature increase pattern when heating by applying AC30V to an electric heater), and Figure 5 corresponds to the temperature increase pattern in Figure 4. It is a graph showing changes in the electrical resistance values of the first thermistor 1 and the second thermistor 2 of the sensor of the present example. In addition, Figure 6 shows a relatively rapid temperature rise pattern (for electric heaters).
FIG. 7 is a graph showing the temperature rise pattern when heating is performed by applying AC100V, and FIG.
2 is a graph showing changes in electrical resistance values of thermistor 1 and second thermistor 2. FIG. FIG. 8 is a graph showing R1 and R2 as a function of temperature T based on FIGS. 4 and 5. FIG. 9 is a graph showing R1 and R2 as a function of temperature T based on FIGS. 6 and 7. FIG. 10 is a graph showing a temperature increase pattern when no fire occurs, and FIG. 11 is a graph showing a temperature increase pattern when a fire occurs. 1...First detection element, 2...Second detection element, 3
... Delay element, 4... Heat insulation member.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 被検出対象に対して直接的に配置され、該対
象の状態量を電気信号に変換する第1検出素子
と、 前記被検出対象の状態量を、所定時間遅延させ
て伝達する遅延素子と、 該遅延素子に対して直接的に配置され、前記遅
延して伝達された状態量を電気信号に変換する第
2検出素子と、 前記第1検出素子の出力信号を、前記第2検出
素子の出力信号に応じて処理する信号処理部と、 を有し、少なくとも前記第1検出素子、遅延素
子、及び第2遅延素子が一体的に構成されている
ことを特徴とする一体型センサ。 2 前記特許請求の範囲第1項において、前記被
検出対象の状態量は温度であり、前記遅延素子と
して伝熱媒体を用いることを特徴とする一体型セ
ンサ。 3 前記特許請求の範囲第1項において、 前記被検出対象の状態量はガス濃度であり、前
記遅延素子としてガス透過抵抗体を用いることを
特徴とする一体型センサ。 4 前記特許請求の範囲第1項において、前記信
号処理部は、前記第1検出素子の出力信号レベル
と前記第2検出素子の出力信号レベルとの差に応
じて、駆動信号を出力する一体型センサ。 5 前記特許請求の範囲第1項において、前記第
1検出素子と第2検出素子とは、同一の変換特性
を有する一体型センサ。
[Scope of Claims] 1. A first detection element that is arranged directly with respect to an object to be detected and converts the state quantity of the object into an electrical signal; a second detection element that is arranged directly with respect to the delay element and converts the delayed and transmitted state quantity into an electrical signal; a signal processing unit that processes according to the output signal of the second detection element, and at least the first detection element, the delay element, and the second delay element are integrally configured. Body shape sensor. 2. The integrated sensor according to claim 1, wherein the state quantity of the object to be detected is temperature, and a heat transfer medium is used as the delay element. 3. The integrated sensor according to claim 1, wherein the state quantity of the object to be detected is a gas concentration, and a gas permeation resistor is used as the delay element. 4. In claim 1, the signal processing section is an integrated type that outputs a drive signal according to a difference between an output signal level of the first detection element and an output signal level of the second detection element. sensor. 5. The integrated sensor according to claim 1, wherein the first detection element and the second detection element have the same conversion characteristics.
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