JPH0511297A - Optical wavelength conversion element - Google Patents
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- JPH0511297A JPH0511297A JP16554091A JP16554091A JPH0511297A JP H0511297 A JPH0511297 A JP H0511297A JP 16554091 A JP16554091 A JP 16554091A JP 16554091 A JP16554091 A JP 16554091A JP H0511297 A JPH0511297 A JP H0511297A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第２高調波等
に波長変換する光波長変換素子、特に詳細には、半導体
レーザーと組み合みわせて使用される光導波路型の光波
長変換素子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical wavelength conversion element for converting a fundamental wave into a second harmonic or the like, and more particularly, an optical waveguide type optical wavelength used in combination with a semiconductor laser. The present invention relates to a conversion element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、非線形光学材料を利用して、
レーザー光を第２高調波等に波長変換（短波長化）する
試みが種々なされている。このようにして波長変換を行
なう光波長変換素子として具体的には、バルク結晶型の
ものや、光導波路型のもの等が知られている。またこの
種の光波長変換素子は、半導体レーザーと組み合わせて
用いられることが多い。2. Description of the Related Art Conventionally, nonlinear optical materials have been used to
Various attempts have been made to convert the wavelength of laser light into a second harmonic wave (shorter wavelength). As a light wavelength conversion element that performs wavelength conversion in this manner, specifically, a bulk crystal type, an optical waveguide type, and the like are known. Further, this type of optical wavelength conversion element is often used in combination with a semiconductor laser.
【０００３】ところで半導体レーザーの発振波長は、そ
の駆動電流や温度により変動するので、上記のような光
波長変換素子と組み合わせる場合においても、発振波長
すなわち基本波波長が変動しやすくなっている。こうし
て基本波波長が変動して、位相整合波長範囲から外れる
と、当然、波長変換効率が低下してしまう。Since the oscillation wavelength of the semiconductor laser varies depending on its driving current and temperature, the oscillation wavelength, that is, the fundamental wavelength, tends to vary even when combined with the above-mentioned optical wavelength conversion element. When the fundamental wave wavelength fluctuates in this way and deviates from the phase matching wavelength range, the wavelength conversion efficiency naturally lowers.
【０００４】上記発振波長の変動に対処するため、従来
より、半導体レーザーの光導波路部分に、波長選択性を
有する回折格子を形成することが考えられている。この
回折格子は、半導体レーザーの光導波路において前方端
面側に進行する光を後方端面側に戻るように回折させる
ものであり、レーザー共振器はこの回折格子と上記後方
端面によって構成される。そこで半導体レーザーの発振
波長は、この回折格子により選択されるようになる。ま
たこの回折格子を設ければ、半導体レーザーの発振波長
は、温度変動が有っても、直接変調時にも、極めて安定
することが知られている。In order to deal with the fluctuation of the oscillation wavelength, it has been conventionally considered to form a diffraction grating having wavelength selectivity in the optical waveguide part of the semiconductor laser. This diffraction grating diffracts the light traveling to the front end face side in the optical waveguide of the semiconductor laser so as to return to the rear end face side, and the laser resonator is composed of this diffraction grating and the rear end face. Therefore, the oscillation wavelength of the semiconductor laser is selected by this diffraction grating. Further, it is known that if this diffraction grating is provided, the oscillation wavelength of the semiconductor laser is extremely stable even when there is a temperature change or during direct modulation.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述のような構造の半
導体レーザーを光波長変換素子と組み合わせることも勿
論可能であるが、その場合は光波長変換素子に入射する
基本波の強度が低くなりがちであり、そのため、高強度
の波長変換波を得ることが困難となる。It is of course possible to combine the semiconductor laser having the above structure with the light wavelength conversion element, but in that case, the intensity of the fundamental wave incident on the light wavelength conversion element tends to be low. Therefore, it becomes difficult to obtain a high-intensity wavelength-converted wave.
【０００６】他方、基本波と波長変換波との位相不整合
を補償するため、光導波路部分に、屈折率あるいは非線
形分極（ドメイン）の異なる状態が周期的に繰り返す周
期構造を導入することが提案されている。この周期構造
は、補償すべき位相不整合量をΔｎ（Δｎ＝ｎ1 −
ｎ2 、 ただしｎ1は基本波が感じる光導波路の屈折
率、ｎ2 は波長変換波が感じる光導波路の屈折率）とし
たとき、上記屈折率あるいは非線形分極が、On the other hand, in order to compensate for the phase mismatch between the fundamental wave and the wavelength-converted wave, it is proposed to introduce a periodic structure in the optical waveguide portion in which different states of refractive index or nonlinear polarization (domain) are periodically repeated. Has been done. In this periodic structure, the amount of phase mismatch to be compensated is Δn (Δn = n 1 −
n 2 , where n 1 is the refractive index of the optical waveguide that the fundamental wave feels, and n 2 is the refractive index of the optical waveguide that the wavelength conversion wave feels, the refractive index or nonlinear polarization is
【０００７】[0007]
【数１】 [Equation 1]
【０００８】を満足する周期Λで繰り返すものである。
なお上記（数１）の式で等号が成立する場合は、導波モ
ードの基本波と同じく導波モードの波長変換波との間で
位相整合が取られる導波−導波タイプの光波長変換素子
となり、一方、不等号が成立する場合は、導波モードの
基本波と放射モードの波長変換波との間で位相整合が取
られるいわゆるチェレンコフ放射タイプの光波長変換素
子となる。このような周期構造によれば、バルク結晶型
の光波長変換素子としたのでは利用できない非線形光学
定数も有効利用可能となる。この周期構造は、前述の半
導体レーザーと組み合わされる光波長変換素子において
も勿論適用可能である。It is repeated with a period Λ that satisfies the above condition.
When the equal sign is satisfied in the equation (1), a waveguide-guided optical wavelength in which phase matching is achieved between the fundamental wave of the guided mode and the wavelength-converted wave of the guided mode. On the other hand, when the inequality sign holds, it becomes a so-called Cerenkov radiation type optical wavelength conversion element in which the fundamental wave of the guided mode and the wavelength converted wave of the radiation mode are phase-matched. With such a periodic structure, it is possible to effectively use a nonlinear optical constant that cannot be used in the bulk crystal type optical wavelength conversion element. This periodic structure can of course be applied to the optical wavelength conversion element combined with the above-mentioned semiconductor laser.
【０００９】しかし、この周期構造により基本波と波長
変換波とを位相整合させる場合は、波長許容範囲が厳し
いので、先に述べたように発振波長が変動しやすい半導
体レーザーを基本波光源とする場合は、強度の安定した
波長変換波を得ることが難しい。However, when the fundamental wave and the wavelength-converted wave are phase-matched by this periodic structure, the wavelength allowable range is strict, so that the semiconductor laser whose oscillation wavelength is apt to change is used as the fundamental wave light source. In this case, it is difficult to obtain a wavelength-converted wave with stable intensity.
【００１０】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、半導体レーザーを単一縦モード発振させること
ができ、その上、高強度の波長変換波を得ることができ
る光波長変換素子を提供することを目的とするものであ
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an optical wavelength conversion element capable of oscillating a semiconductor laser in a single longitudinal mode and obtaining a high intensity wavelength conversion wave. It is intended to be provided.
【００１１】また本発明は、周期構造を導入した上で、
半導体レーザーを単一縦モード発振させることができ、
それにより、強度の安定した波長変換波を得ることがで
きる光波長変換素子を提供することを目的とするもので
ある。Further, the present invention introduces a periodic structure,
A semiconductor laser can be oscillated in a single longitudinal mode,
Accordingly, it is an object of the present invention to provide an optical wavelength conversion element capable of obtaining a wavelength converted wave with stable intensity.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明による第１の光波
長変換素子は、前述したように非線形光学材料からなる
光導波路を有し、半導体レーザーから発せられて該光導
波路を導波する基本波としてのレーザービームを波長変
換する光波長変換素子において、上記光導波路に、基本
波を半導体レーザー側に戻る方向に回折させて、半導体
レーザーの一方の共振器を構成する回折格子が形成され
ていることを特徴とするものである。A first optical wavelength conversion element according to the present invention has an optical waveguide made of a non-linear optical material as described above, and is a basic element which is emitted from a semiconductor laser to guide the optical waveguide. In the optical wavelength conversion element that converts the wavelength of the laser beam as a wave, the optical waveguide is formed with a diffraction grating that forms one resonator of the semiconductor laser by diffracting the fundamental wave in the direction returning to the semiconductor laser side. It is characterized by being present.
【００１３】また本発明による第２の光波長変換素子
は、上述したように光導波路に回折格子が形成されて、
この回折格子が半導体レーザーの一方の共振器とされた
光波長変換素子において、この回折格子を、基本波と波
長変換波との位相不整合を補償する周期構造としたこと
を特徴とするものである。Further, in the second optical wavelength conversion element according to the present invention, the diffraction grating is formed in the optical waveguide as described above,
In an optical wavelength conversion element in which this diffraction grating is one resonator of a semiconductor laser, the diffraction grating has a periodic structure that compensates for phase mismatch between the fundamental wave and the wavelength conversion wave. is there.
【００１４】[0014]
【作用および発明の効果】上記第１の光波長変換素子に
おけるように、その光導波路に回折格子を形成して、こ
れを半導体レーザーの一方の共振器とすれば、光波長変
換素子は内部パワーの高いこの共振器内に組み込まれた
状態となる。したがって、共振器内の高強度のレーザー
ビームが基本波として光波長変換素子に入射するから、
高強度の波長変換波が得られるようになる。そして、上
記回折格子により発振波長が選択されるから、基本波波
長が安定し、よって波長変換波の強度も安定化する。As described in the first optical wavelength conversion element, if a diffraction grating is formed in the optical waveguide and this is used as one resonator of the semiconductor laser, the optical wavelength conversion element will have an internal power. It is in a state of being incorporated in this resonator having a high frequency. Therefore, since the high-intensity laser beam in the resonator enters the optical wavelength conversion element as the fundamental wave,
A high-intensity wavelength converted wave can be obtained. Then, since the oscillation wavelength is selected by the diffraction grating, the fundamental wave wavelength is stabilized, and thus the intensity of the wavelength converted wave is also stabilized.
【００１５】また、第２の光波長変換素子においても、
上述した第１の光波長変換素子におけるのと同様の作
用、効果が得られるから、周期構造に求められる厳しい
波長許容範囲を満足することができる。したがって、こ
の第２の光波長変換素子によれば、高精度の温度調節等
は不要にして、安定した高強度の波長変換波を得ること
が可能となる。Also in the second optical wavelength conversion element,
Since the same action and effect as in the above-mentioned first optical wavelength conversion element can be obtained, it is possible to satisfy the strict wavelength allowable range required for the periodic structure. Therefore, according to the second optical wavelength conversion element, it is possible to obtain a stable wavelength-converted wave of high intensity without requiring highly accurate temperature adjustment or the like.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による光
波長変換素子10を示すものである。この光波長変換素子
10は、基本波光源としての半導体レーザー20と組み合わ
せて使用される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below based on the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows an optical wavelength conversion device 10 according to a first embodiment of the present invention. This optical wavelength conversion element
10 is used in combination with a semiconductor laser 20 as a fundamental wave light source.
【００１７】光波長変換素子10は、ガラスやプラスチッ
クからなるクラッド部11内に、非線形光学材料からなる
３次元光導波路12が埋め込まれてなる。本例では上記非
線形光学材料として、特開昭６２−２１０４３２号公報
に示される３，５ージメチルー１ー（４ーニトロフェニ
ル）ピラゾール（以下、ＤＭＮＰと称する）が用いられ
ている。一方半導体レーザー20としては、基本波長が８
７０ｎｍのレーザービーム13を発するものが用いられて
いる。これらの光波長変換素子10と半導体レーザー20と
は、光波長変換素子10の後方端面10ａと半導体レーザー
20の前方端面20ａとが向き合う状態にして、図示しない
マウントに固定されている。The optical wavelength conversion element 10 comprises a three-dimensional optical waveguide 12 made of a non-linear optical material embedded in a clad portion 11 made of glass or plastic. In this example, 3,5-dimethyl-1- (4-nitrophenyl) pyrazole (hereinafter referred to as DMNP) disclosed in JP-A-62-210432 is used as the above-mentioned nonlinear optical material. On the other hand, the semiconductor laser 20 has a fundamental wavelength of 8
A device that emits a 70 nm laser beam 13 is used. The light wavelength conversion element 10 and the semiconductor laser 20 are composed of the rear end face 10a of the light wavelength conversion element 10 and the semiconductor laser.
The front end face 20a of 20 is fixed to a mount (not shown) so as to face it.
【００１８】光波長変換素子10の前方端面10ｂには、波
長８７０ｎｍの基本波としてのレーザービーム13をほぼ
100 ％反射する一方、後述する波長４３５ｎｍの第２高
調波14はほぼ100 ％透過させるコーティング15が施され
ている。また光波長変換素子10の後方端面10ａには、レ
ーザービーム13をほぼ100 ％透過させる一方、第２高調
波14をほぼ100 ％反射させるコーティング16が施されて
いる。他方半導体レーザー20の後方端面20ｂには、基本
波であるレーザービーム13をほぼ100 ％反射させるコー
ティング17が施されている。また半導体レーザー20の前
方端面20ａには、レーザービーム13をほぼ100 ％透過さ
せるコーティング18が施されている。On the front end face 10b of the optical wavelength conversion element 10, a laser beam 13 as a fundamental wave having a wavelength of 870 nm is almost formed.
A coating 15 is provided which reflects 100% of the light, but transmits almost 100% of the second harmonic wave 14 having a wavelength of 435 nm which will be described later. Further, the rear end face 10a of the light wavelength conversion element 10 is provided with a coating 16 that transmits almost 100% of the laser beam 13 while reflecting almost 100% of the second harmonic wave 14. On the other hand, the rear end face 20b of the semiconductor laser 20 is provided with a coating 17 that reflects the laser beam 13 which is the fundamental wave by almost 100%. Further, the front end face 20a of the semiconductor laser 20 is provided with a coating 18 that allows the laser beam 13 to be transmitted by almost 100%.
【００１９】半導体レーザー20の前方端面20ａから出射
したレーザービーム13は、集光レンズ21により集光され
て、光波長変換素子10の後方端面10ａ上で収束し、この
端面10ａから光導波路12内に入射し、そこを導波モード
で図中右方向に進行する。光導波路12には、このレーザ
ービーム13の進行方向に多数の格子が並べられてなる回
折格子12ａが形成されている。レーザービーム13の一部
は回折格子12ａの各々において回折して、後方側に戻
る。こうして後方側に戻ったレーザービーム13は、光波
長変換素子10の後方端面10ａから出射して再度半導体レ
ーザー20の光導波路22内に入射し、そこを導波して後方
端面20ｂにおいて反射するので、該端面20ｂと回折格子
12ａとの間で共振する。すなわち本装置においては、上
記端面20ｂと回折格子12ｂとにより半導体レーザーの共
振器が構成されている。上述のようにレーザービーム13
を回折させるためには、回折格子12ａの周期Λを、The laser beam 13 emitted from the front end face 20a of the semiconductor laser 20 is condensed by the condenser lens 21 and converges on the rear end face 10a of the light wavelength conversion element 10, and from this end face 10a into the optical waveguide 12. To the right side in the figure in the guided mode. The optical waveguide 12 has a diffraction grating 12a formed by arranging a number of gratings in the traveling direction of the laser beam 13. Part of the laser beam 13 is diffracted by each of the diffraction gratings 12a and returns to the rear side. The laser beam 13 returning to the rear side in this way is emitted from the rear end face 10a of the light wavelength conversion element 10, again enters the optical waveguide 22 of the semiconductor laser 20, is guided there, and is reflected at the rear end face 20b. , The end face 20b and the diffraction grating
Resonates with 12a. That is, in this device, the end face 20b and the diffraction grating 12b form a resonator of the semiconductor laser. Laser beam 13 as described above
In order to diffract, the period Λ of the diffraction grating 12a is
【００２０】[0020]
【数２】 [Equation 2]
【００２１】に設定すればよい。ただし、λはレーザー
ビーム13の波長（本実施例では８７０ｎｍ）、ｎ1 はレ
ーザービーム13が感じる光導波路12の屈折率、そして
ｍ’＝１、２、３…である。It may be set to. Here, λ is the wavelength of the laser beam 13 (870 nm in this embodiment), n 1 is the refractive index of the optical waveguide 12 which the laser beam 13 feels, and m ′ = 1, 2, 3, ...
【００２２】光波長変換素子10の光導波路12を導波する
レーザービーム13は、光導波路12を構成するＤＭＮＰに
より、波長が１／２（＝４３５ｎｍ）の第２高調波14に
変換される。この第２高調波14は光導波路12を導波モー
ドで伝搬し、素子10内を端面側に進行する。位相整合は
一例として、レーザービーム13の光導波路12での導波モ
ードと、第２高調波14の導波モードとの間で取られる
（いわゆる導波−導波タイプの場合）。光波長変換素子
10の前方端面10ｂからは、上記第２高調波14を含むビー
ム14’が出射する。この出射ビーム14’は図示しないフ
ィルターに通され、第２高調波14のみが取り出されて利
用される。The laser beam 13 guided through the optical waveguide 12 of the optical wavelength conversion element 10 is converted by the DMNP forming the optical waveguide 12 into a second harmonic wave 14 having a wavelength of 1/2 (= 435 nm). The second harmonic wave 14 propagates in the optical waveguide 12 in the guided mode and travels inside the element 10 toward the end face. As an example, the phase matching is performed between the guided mode of the laser beam 13 in the optical waveguide 12 and the guided mode of the second harmonic wave 14 (in the case of the so-called guided-waveguide type). Optical wavelength conversion element
From the front end face 10b of the beam 10, a beam 14 'containing the second harmonic wave 14 is emitted. This outgoing beam 14 'is passed through a filter (not shown), and only the second harmonic wave 14 is extracted and used.
【００２３】以上述べた通り本装置においては、共振器
内部パワーが大となっている状態の所に光波長変換素子
10が配置された形となっているので、光波長変換素子10
に入射する基本波としてのレーザービーム13の強度が高
く保たれ、よって高強度の第２高調波14が得られるよう
になる。そして、回折格子12ａの波長選択性によりレー
ザービーム13が単一縦モード化されるので、強度の安定
した第２高調波14が得られる。As described above, in the present device, the optical wavelength conversion element is placed in the state where the internal power of the resonator is large.
Since 10 are arranged, the optical wavelength conversion element 10
The intensity of the laser beam 13 as the fundamental wave incident on the laser beam is kept high, and thus the second harmonic wave 14 of high intensity can be obtained. Since the laser beam 13 is made into a single longitudinal mode by the wavelength selectivity of the diffraction grating 12a, the second harmonic wave 14 with stable intensity can be obtained.
【００２４】またこの光波長変換素子10において回折格
子12ａは、前述したような周期構造を構成している。つ
まり回折格子12ａが形成されている部分においては、互
いに屈折率が異なるＤＭＮＰと、クラッド11の材料とが
周期Λをもって交互に並ぶ状態となっている。この周期
構造でレーザービーム13と第２高調波14とを位相整合さ
せるためには、前述した（数１）の式を満足するように
周期Λを設定すればよい。Further, in the light wavelength conversion element 10, the diffraction grating 12a has the periodic structure as described above. That is, in the portion where the diffraction grating 12a is formed, DMNPs having different refractive indexes and the material of the cladding 11 are arranged alternately with the period Λ. In order to phase-match the laser beam 13 and the second harmonic wave 14 with this periodic structure, the period Λ may be set so as to satisfy the above-described formula (Equation 1).
【００２５】このとき、（数１）の式もまた（数２）の
式も満足するように回折格子周期Λを設定すれば、非線
形光学材料のバルク結晶では利用し得ない非線形光学定
数を利用可能となる一方、前述したように基本波として
のレーザービーム13の強度を十分に高め、また該レーザ
ービーム13を単一縦モード化することが可能となる。そ
れにより、極めて高強度の安定した第２高調波14が得ら
れるようになる。At this time, if the diffraction grating period Λ is set so as to satisfy both the equation (1) and the equation (2), the nonlinear optical constant that cannot be used in the bulk crystal of the nonlinear optical material is utilized. On the other hand, as described above, the intensity of the laser beam 13 as the fundamental wave can be sufficiently increased, and the laser beam 13 can be made into the single longitudinal mode. As a result, a stable second harmonic wave 14 having an extremely high intensity can be obtained.
【００２６】上述のように（数１）、（数２）の双方の
式を成立させるためには、例えばｍ＝０で導波−導波タ
イプの場合、
ｎ2 −ｎ1 （１＋ １／ｍ’）＝０
の条件を満足させればよい。なお本発明においては、
（数１）、（数２）の双方の式を成立させることは必ず
しも必要ではなく、（数２）式のみが成立するようにし
てもよい。そのようにする場合でも、基本波としてのレ
ーザービーム13の強度を十分に高め、そして該レーザー
ビーム13を単一縦モード化する効果は同様に得られるも
のである。As described above, in order to satisfy both equations (Equation 1) and (Equation 2), for example, in the case of the waveguide-waveguide type with m = 0, n 2 -n 1 (1 + 1/1 / It suffices to satisfy the condition of m ′) = 0. In the present invention,
It is not always necessary to satisfy both equations (Equation 1) and (Equation 2), and only Equation (2) may be established. Even in such a case, the effect of sufficiently increasing the intensity of the laser beam 13 as the fundamental wave and making the laser beam 13 into a single longitudinal mode can be similarly obtained.
【００２７】また上記実施例では、光波長変換素子10と
半導体レーザー20とが互いに別体に形成されているが、
図２に示す第２実施例におけるように、光波長変換素子
10と半導体レーザー20とを密着させて配置しても構わな
い。In the above embodiment, the light wavelength conversion element 10 and the semiconductor laser 20 are formed separately from each other.
As in the second embodiment shown in FIG. 2, an optical wavelength conversion element
The semiconductor laser 20 and the semiconductor laser 20 may be arranged in close contact with each other.
【図１】本発明の第１実施例による光波長変換素子を示
す概略側面図FIG. 1 is a schematic side view showing an optical wavelength conversion device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２実施例による光波長変換素子を示
す概略側面図FIG. 2 is a schematic side view showing an optical wavelength conversion device according to a second embodiment of the present invention.
10 光波長変換素子 11 クラッド部 12 光導波路 12ａ 回折格子 20 半導体レーザー 10 Optical wavelength conversion element 11 Cladding part 12 Optical waveguide 12a diffraction grating 20 Semiconductor laser
Claims (2)
し、半導体レーザーから発せられて該光導波路を導波す
る基本波としてのレーザービームを波長変換する光波長
変換素子において、 前記光導波路に、基本波を半導体レーザー側に戻る方向
に回折させて、半導体レーザーの一方の共振器を構成す
る回折格子が形成されていることを特徴とする光波長変
換素子。1. An optical wavelength conversion element having an optical waveguide made of a non-linear optical material, for wavelength-converting a laser beam as a fundamental wave emitted from a semiconductor laser and guided through the optical waveguide, wherein: An optical wavelength conversion element, characterized in that a diffraction grating that forms one resonator of a semiconductor laser is formed by diffracting a fundamental wave in a direction returning to the semiconductor laser side.
の位相不整合を補償する周期構造とされていることを特
徴とする請求項１記載の光波長変換素子。2. The optical wavelength conversion element according to claim 1, wherein the diffraction grating has a periodic structure that compensates for phase mismatch between the fundamental wave and the wavelength conversion wave.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16554091A JPH0511297A (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Optical wavelength conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16554091A JPH0511297A (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Optical wavelength conversion element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511297A true JPH0511297A (en) | 1993-01-19 |
Family
ID=15814327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16554091A Withdrawn JPH0511297A (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Optical wavelength conversion element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511297A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5963359A (en) * | 1995-01-31 | 1999-10-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Wavelength conversion device employing non-diffracting beam |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP16554091A patent/JPH0511297A/en not_active Withdrawn
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| US5963359A (en) * | 1995-01-31 | 1999-10-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Wavelength conversion device employing non-diffracting beam |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |