JPH0511216A - Semiconductor module - Google Patents
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- JPH0511216A JPH0511216A JP3000369A JP36991A JPH0511216A JP H0511216 A JPH0511216 A JP H0511216A JP 3000369 A JP3000369 A JP 3000369A JP 36991 A JP36991 A JP 36991A JP H0511216 A JPH0511216 A JP H0511216A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光通信および光情報処
理に使用される半導体レーザモジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser module used for optical communication and optical information processing.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体レーザモジュールは、図2
に示すように、半導体レーザ13からの出射光を収束す
るレンズ24と、レンズ24によって収束された光を入
射する光ファイバ51とを含んで構成されている。2. Description of the Related Art A conventional semiconductor laser module is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, the lens 24 is configured to include a lens 24 that converges the light emitted from the semiconductor laser 13, and an optical fiber 51 that receives the light converged by the lens 24.
【0003】光ファイバ51によって光信号を伝送する
場合、光ファイバが持つ伝送損失により光信号の強度が
伝送距離に伴って減衰する。このため現在実用に供され
ている光ファイバ通信システムでは、一定距離毎に減衰
した光信号を増幅するための中継装置が使用されてい
る。この中継装置は、光信号を一旦電気信号に変換して
信号を増幅し、再び光信号に変換して送り出す構成とな
っているため、装置が大がかりになり高価である。そこ
で、近年、希土類ドープファイバによる光直接増幅(光
信号から直接増幅された光信号を得る方式)の研究が行
われている。希土類ドープファイバによる増幅器(以下
ファイバー・アンプと略す)は、図3に示すように、希
土類ドープファイバ7とファイバ7内の希土類イオンを
励起して誘導放出を行わせるための励起用半導体レーザ
モジュール80と励起用半導体レーザモジュール80の
出射光を希土類ドープファイバ7へ導くための結合器6
とを含んで構成されるが、励起用半導体レーザモジュー
ル80に要求される光出力パワーは100mW前後と高
く、高出力の半導体レーザが必要になるという難点があ
る。When an optical signal is transmitted by the optical fiber 51, the intensity of the optical signal is attenuated with the transmission distance due to the transmission loss of the optical fiber. For this reason, the optical fiber communication systems currently put into practical use use a repeater for amplifying an optical signal attenuated at a constant distance. Since this relay device has a configuration in which an optical signal is once converted into an electric signal, the signal is amplified, and then converted into an optical signal again to be sent out, the device becomes bulky and expensive. Therefore, in recent years, studies have been conducted on optical direct amplification using a rare earth-doped fiber (a method for directly obtaining an amplified optical signal from an optical signal). As shown in FIG. 3, an amplifier using a rare earth-doped fiber (hereinafter abbreviated as fiber amplifier) is a semiconductor laser module 80 for excitation for exciting the rare earth-doped fiber 7 and rare earth ions in the fiber 7 to cause stimulated emission. And a coupler 6 for guiding the light emitted from the pumping semiconductor laser module 80 to the rare earth-doped fiber 7.
However, the optical output power required for the pumping semiconductor laser module 80 is as high as about 100 mW, and there is a drawback that a high-output semiconductor laser is required.
【0004】そこで図2に示したような半導体レーザモ
ジュールでは、所望の光出力を得るために図4に示すよ
うに光ファイバ51として偏波保持ファイバを使用した
2つの半導体レーザモジュール81および82の出力光
を偏波合成器9により1本の光ファイバに合流させ、光
パワーを加算する方法がとられることになる。一般に半
導体レーザモジュールや偏波合成器には、半導体レーザ
と光ファイバの間および光入出力用の光ファイバの間を
光学的に結合するための光学系がそれぞれ用いられてい
るが、これら光学系での光の損失はゼロではなく有限の
値を持っている。Therefore, in the semiconductor laser module as shown in FIG. 2, in order to obtain a desired optical output, as shown in FIG. 4, two semiconductor laser modules 81 and 82 using a polarization maintaining fiber as the optical fiber 51 are used. The polarization combiner 9 merges the output lights into one optical fiber, and the optical power is added. Generally, in a semiconductor laser module and a polarization combiner, an optical system for optically coupling between a semiconductor laser and an optical fiber and between an optical fiber for optical input and output is used, respectively. The light loss at has a finite value, not zero.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レーザモジュールにおいて、半導体レーザモジュール8
1および82内部の半導体レーザからの放射光は結合器
6に至るまでの間に半導体レーザモジュール内部および
偏波合成器内部でそれぞれ減衰してしまうため効率が悪
い、という欠点を有している。また、半導体レーザモジ
ュール2個と偏波合成器を用いる構成は複雑であり高価
であるという欠点も有している。In the conventional semiconductor laser module described above, the semiconductor laser module 8 is used.
The radiated light from the semiconductor lasers inside 1 and 82 is attenuated inside the semiconductor laser module and inside the polarization combiner before reaching the coupler 6, which has a drawback that the efficiency is low. In addition, the configuration using two semiconductor laser modules and a polarization beam combiner is complicated and expensive.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザモ
ジュールは、第1のレーザ光を放射する第1の半導体レ
ーザと、前記第1のレーザ光に直交する第2のレーザ光
を放射する第2の半導体レーザと、入射された前記第1
と第2のレーザ光とが合流された光ビームを出力する偏
光ビームスプリッタと、入射された前記光ビームを伝送
する光ファイバとを有する。A semiconductor laser module according to the present invention includes a first semiconductor laser emitting a first laser beam and a second laser beam emitting a second laser beam orthogonal to the first laser beam. 2 semiconductor lasers and the first laser beam incident
And a second beam of laser light combined to output a light beam, and an optical fiber that transmits the incident light beam.
【0007】[0007]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の半導体レーザモジュールの平面図で
ある。The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a semiconductor laser module of the present invention.
【0008】図1において、第1の半導体レーザ11
は、第1のレーザ光を放射する。第2の半導体レーザ1
2は、第1のレーザ光に直交する第2のレーザ光を放射
する。偏光ビームスプリッタ4は入射された第1と第2
のレーザ光とが合流された光ビームを出力する。光ファ
イバ50は、入射された光ビームを伝送する。In FIG. 1, the first semiconductor laser 11 is shown.
Emits a first laser beam. Second semiconductor laser 1
2 emits a second laser light which is orthogonal to the first laser light. The polarization beam splitter 4 receives the first and second incident beams.
And outputs a light beam merged with the laser light of. The optical fiber 50 transmits the incident light beam.
【0009】次に、本実施例の動作について説明する
と、第1および第2の半導体レーザである半導体レーザ
11および12にはそれぞれの半導体レーザからの放射
光をコリメートするためのレンズ21および22が設け
られ、互いの光軸が直交しかつ出射光の偏光方向も直交
するようにケース3に取り付けられている。ケース3内
部には、半導体レーザ11および12の出射ビームの交
点に偏光ビームスプリッタ4が固定されており、半導体
レーザ11および12のビームはこの偏光ビームスプリ
ッタ4内部で1本のビームに合流され、レンズ23を介
して光ファイバ50に結合される。Next, the operation of this embodiment will be described. The semiconductor lasers 11 and 12 which are the first and second semiconductor lasers are provided with lenses 21 and 22 for collimating the emitted light from the respective semiconductor lasers. They are provided and attached to the case 3 so that their optical axes are orthogonal to each other and the polarization directions of emitted light are also orthogonal to each other. Inside the case 3, a polarization beam splitter 4 is fixed at the intersection of the emitted beams of the semiconductor lasers 11 and 12, and the beams of the semiconductor lasers 11 and 12 are combined into one beam inside the polarization beam splitter 4. It is coupled to the optical fiber 50 via the lens 23.
【0010】このように、半導体レーザから光ファイバ
への2組のレンズ結合系の中に偏光ビームスプリッタが
挿入されているため、ビーム合流手段として従来用いて
いた偏波合成器が不要となり、系の損失を少なくするこ
とができる。As described above, since the polarization beam splitter is inserted in the two sets of lens coupling system from the semiconductor laser to the optical fiber, the polarization combiner conventionally used as the beam combining means becomes unnecessary, and the system is eliminated. Can reduce the loss.
【0011】[0011]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体レ
ーザと光ファイバとの結合光学系の中に偏光ビームスプ
リッタを有し、2つの半導体レーザからの出射光を合流
して1本の光ファイバへ導くことにより、2つの光ビー
ムの合流のために従来必要とされていた偏波合成器が不
要となり、系の光損失を少なくすることができるという
利点を有している。また、2つの半導体レーザからの出
力を効率良く希土類ドープファイバへ導くことができる
ので光ファイバアンプの構成も単純となり経済的であ
る。As described above, the present invention has the polarization beam splitter in the coupling optical system of the semiconductor laser and the optical fiber, and combines the emitted lights from the two semiconductor lasers into one light beam. The introduction to the fiber eliminates the need for a polarization combiner conventionally required for merging two light beams, and has the advantage of reducing optical loss in the system. Moreover, since the outputs from the two semiconductor lasers can be efficiently guided to the rare earth-doped fiber, the structure of the optical fiber amplifier is simple and economical.
【図1】本発明の一実施例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
【図2】従来の半導体レーザモジュールの一例の平面図
である。FIG. 2 is a plan view of an example of a conventional semiconductor laser module.
【図3】従来例による光直接増幅器のブロック図であ
る。FIG. 3 is a block diagram of an optical direct amplifier according to a conventional example.
【図4】従来例による光直接増幅器のブロック図であ
る。FIG. 4 is a block diagram of an optical direct amplifier according to a conventional example.
3 ケース 4 偏光ビームスプリッタ 6 結合器 7 希土類ドープファイバ 9 偏波合成器 11,12,13 半導体レーザ 21,22,23,24 レンズ 50,51 光ファイバ 80,81,82 半導体レーザモジュール 3 Case 4 Polarizing Beam Splitter 6 Coupler 7 Rare Earth Doped Fiber 9 Polarization Synthesizer 11, 12, 13 Semiconductor Laser 21, 22, 23, 24 Lens 50, 51 Optical Fiber 80, 81, 82 Semiconductor Laser Module
Claims (1)
レーザと、前記第1のレーザ光に直交する第2のレーザ
光を放射する第2の半導体レーザと、入射された前記第
1と第2のレーザ光とが合流された光ビームを出力する
偏光ビームスプリッタと、入射された前記光ビームを伝
送する光ファイバとを有することを特徴とする半導体レ
ーザモジュール。Claims: 1. A first semiconductor laser that emits a first laser light, and a second semiconductor laser that emits a second laser light orthogonal to the first laser light, A semiconductor laser module, comprising: a polarization beam splitter that outputs a light beam obtained by combining the incident first and second laser lights, and an optical fiber that transmits the incident light beam.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3000369A JPH0511216A (en) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | Semiconductor module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3000369A JPH0511216A (en) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | Semiconductor module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0511216A true JPH0511216A (en) | 1993-01-19 |
Family
ID=11471877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3000369A Pending JPH0511216A (en) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | Semiconductor module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0511216A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5894756A (en) * | 1996-04-02 | 1999-04-20 | Mitsuba Corporation | Governor system for engine starter mechanism |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP3000369A patent/JPH0511216A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5894756A (en) * | 1996-04-02 | 1999-04-20 | Mitsuba Corporation | Governor system for engine starter mechanism |
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