JPH05110343A - Broad band amplifier - Google Patents
Broad band amplifierInfo
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- JPH05110343A JPH05110343A JP29968691A JP29968691A JPH05110343A JP H05110343 A JPH05110343 A JP H05110343A JP 29968691 A JP29968691 A JP 29968691A JP 29968691 A JP29968691 A JP 29968691A JP H05110343 A JPH05110343 A JP H05110343A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、出力から入力への負帰
還によって増幅周波帯域を広帯域化した広帯域増幅器に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wide band amplifier whose amplification frequency band is widened by negative feedback from an output to an input.
【０００２】[0002]
【従来の技術】出力信号を広帯域に可変する信号発生器
や、入力信号を広帯域に分析する各種分析器等では、高
域側が数ＧＨｚにおよぶ広帯域増幅器が各所に用いられ
ている。2. Description of the Related Art In a signal generator for varying an output signal in a wide band, various analyzers for analyzing an input signal in a wide band, etc., a wide band amplifier whose high band side is several GHz is used everywhere.
【０００３】図７は、このような目的で用いられる従来
の広帯域増幅器１の回路を示している。FIG. 7 shows a circuit of a conventional wide band amplifier 1 used for such a purpose.
【０００４】この広帯域増幅器１は、入力端子２へ入力
された信号を入力結合コンデンサＣ１を介して増幅素子
であるＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）３のゲートＧ
へ入力する。This broadband amplifier 1 has a gate G of an FET (field effect transistor) 3 which is an amplification element for a signal input to an input terminal 2 via an input coupling capacitor C1.
To enter.
【０００５】このＦＥＴ３のソースＳはアースに接続さ
れており、ゲートＧには、所定のバイアス電源−Ｖｇ
が、チョークコイルＬ１を介して印加されている。The source S of the FET 3 is connected to the ground, and the gate G has a predetermined bias power source -Vg.
Is applied via the choke coil L1.
【０００６】ＦＥＴ３のドレインＤには、電源Ｖｄがチ
ョークコイルＬ２を介して接続されている。このドレイ
ンＤには、入力信号が反転増幅された信号が表われ、こ
の信号が出力結合コンデンサＣ２を介して出力端子４へ
出力される。A power source Vd is connected to the drain D of the FET 3 via a choke coil L2. A signal obtained by inverting and amplifying the input signal appears at the drain D, and this signal is output to the output terminal 4 via the output coupling capacitor C2.
【０００７】このドレインＤとゲートＧとの間には、負
帰還抵抗Ｒ１と負帰還結合コンデンサＣ３の直列回路で
形成される帰還回路５の両端が接続されている。Between the drain D and the gate G, both ends of a feedback circuit 5 formed of a series circuit of a negative feedback resistor R1 and a negative feedback coupling capacitor C3 are connected.
【０００８】この増幅器の裸特性、即ち、帰還回路が無
い状態の増幅帯域特性は、図８のＰに示すように高域側
遮断周波数ｆ１までほぼ増幅度Ａ１が一定な特性を示し
ている。The bare characteristic of this amplifier, that is, the amplification band characteristic without the feedback circuit, shows that the amplification factor A1 is almost constant up to the high cutoff frequency f1 as shown by P in FIG.
【０００９】これに対して、図７に示した回路では、負
帰還抵抗Ｒ１の大きさによって決まる帰還量Ｂの分だけ
増幅度が低下した特性Ｑとなり、このときの高域側遮断
周波数は、ｆ２（数ＧＨｚ）まで延び、広帯域な増幅が
可能となる。On the other hand, in the circuit shown in FIG. 7, the characteristic Q is such that the amplification degree is reduced by the amount of feedback B determined by the size of the negative feedback resistor R1, and the high cutoff frequency at this time is It extends to f2 (several GHz) and enables wideband amplification.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような従来の広帯域増幅器１で、高域側とともに低域側
の帯域を１０ＫＨｚ程度まで広げるために、入出力の結
合コンデンサＣ１、Ｃ２とともに、負帰還結合コンデン
サＣ３の容量を大きくすると、次のような問題が発生す
る。However, in the conventional wide band amplifier 1 as described above, in order to widen the band on the high frequency side and the low frequency side up to about 10 KHz, in addition to the input and output coupling capacitors C1 and C2, the Increasing the capacitance of the feedback coupling capacitor C3 causes the following problems.
【００１１】即ち、信号ラインから分岐された負帰還結
合コンデンサＣ３に形状の大きな大容量のコンデンサを
用いた場合、コンデンサ自身や配線等のインダクタンス
成分とともに高周波（数ＧＨｚ帯）での共振回路を形成
してディップ点を発生することが多く、帯域特性が図８
のＲに示すように高域側で大きくあばれてしまう。That is, when a large-capacity capacitor having a large shape is used as the negative feedback coupling capacitor C3 branched from the signal line, a resonance circuit at a high frequency (several GHz band) is formed together with the inductance component of the capacitor itself and wiring. The dip point is often generated and the band characteristic is shown in FIG.
As indicated by R in FIG.
【００１２】このため、大容量の負帰還結合コンデンサ
Ｃ３を用いた低周波用の増幅器と、小容量の負帰還結合
コンデンサＣ３を用いた高周波用の増幅器とを、入力信
号の周波数に対応させて切換えて使用しているのが現状
であった。Therefore, a low-frequency amplifier using the large-capacity negative feedback coupling capacitor C3 and a high-frequency amplifier using the small-capacity negative feedback coupling capacitor C3 are made to correspond to the frequency of the input signal. The current situation is to switch and use.
【００１３】ところが、２つの増幅器を切換えて使用す
る場合、その増幅器間のゲイン合わせが必要となり、し
かも、高周波帯でロスの少ない切換えスイッチ等を用い
なければならず、回路構成が複雑化し、高価になってし
まう。However, when two amplifiers are used by being switched, it is necessary to match the gain between the amplifiers, and moreover, it is necessary to use a changeover switch or the like with a small loss in a high frequency band, which complicates the circuit structure and is expensive. Become.
【００１４】本発明は、この課題を解決した広帯域増幅
器を提供することを目的としている。An object of the present invention is to provide a wide band amplifier which solves this problem.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の広帯域増幅器は、トランジスタで形成され
た反転増幅素子と、第１の負帰還抵抗と、所定周波数以
下の信号に対して前記第１の負帰還抵抗より大きなイン
ピーダンスを有する第１の負帰還結合コンデンサとの直
列回路で形成され、前記反転増幅素子の出力端子から入
力端子へ所定周波数以上の信号成分を帰還する第１の帰
還回路と、前記反転増幅素子の入力端子に一端側を接続
された第１の高周波チョークコイルと、前記反転増幅素
子の出力端子に一端側を接続された第２の高周波チョー
クコイルと、前記第１の負帰還抵抗とほぼ同一抵抗値の
第２の負帰還抵抗と、前記第１の負帰還結合コンデンサ
より大きな容量値の第２の負帰還結合コンデンサとの直
列回路で形成され、前記第１の高周波チョークコイルの
他端側と前記第２の高周波チョークコイルの他端側との
間に接続されて、前記所定周波数以下の信号成分を前記
反転増幅素子の出力端子から入力端子へ帰還する第２の
帰還回路とを備えている。In order to solve the above-mentioned problems, a broadband amplifier of the present invention provides an inverting amplification element formed of a transistor, a first negative feedback resistor, and a signal for a signal having a predetermined frequency or less. A first feedback which is formed of a series circuit with a first negative feedback coupling capacitor having an impedance larger than that of the first negative feedback resistor, and which feeds back a signal component of a predetermined frequency or more from the output terminal of the inverting amplification element to the input terminal. A circuit, a first high frequency choke coil whose one end side is connected to an input terminal of the inverting amplification element, a second high frequency choke coil whose one end side is connected to an output terminal of the inverting amplification element, and the first Formed of a series circuit of a second negative feedback resistor having a resistance value substantially the same as that of the negative feedback resistor and a second negative feedback coupling capacitor having a larger capacitance value than the first negative feedback coupling capacitor, It is connected between the other end side of the first high frequency choke coil and the other end side of the second high frequency choke coil, and outputs a signal component of the predetermined frequency or less from the output terminal of the inverting amplification element to the input terminal. And a second feedback circuit for returning.
【００１６】[0016]
【作用】したがって、このように構成された本発明の広
帯域増幅器では、所定周波数より高い高周波域では、第
２の帰還回路が第１、第２の高周波チョークコイルによ
って反転増幅素子から切離され、第１の帰還回路による
負帰還がかかる。また、所定周波数より低い低周波域で
は、第１の帰還回路が、第１の負帰還結合コンデンサの
インピーダンス増加によって反転増幅素子から切離さ
れ、第１、第２の高周波チョークコイルのインピーダン
ス低下によって第２の帰還回路が反転増幅素子の入出力
間に接続される。Therefore, in the wide band amplifier of the present invention configured as described above, the second feedback circuit is separated from the inverting amplification element by the first and second high frequency choke coils in a high frequency region higher than a predetermined frequency. Negative feedback is applied by the first feedback circuit. In the low frequency range lower than the predetermined frequency, the first feedback circuit is separated from the inverting amplifier element by the increase in the impedance of the first negative feedback coupling capacitor, and the impedance of the first and second high frequency choke coils decreases. The second feedback circuit is connected between the input and output of the inverting amplification element.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】図１は、一実施例の広帯域増幅器１０の回
路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a wide band amplifier 10 according to one embodiment.
【００１９】この広帯域増幅器１０は、入力端子１２に
入力される信号を入力結合コンデンサＣ１１を介して反
転増幅素子であるＦＥＴ１３の入力端子、即ち、ゲート
Ｇへ入力する。The wideband amplifier 10 inputs the signal input to the input terminal 12 to the input terminal of the FET 13, which is an inverting amplification element, that is, the gate G via the input coupling capacitor C11.
【００２０】入力結合コンデンサＣ１１は、数１０ＫＨ
ｚの信号に対して十分低いインピーダンスとなる容量
（例えば０．１μＦ）を有している。The input coupling capacitor C11 is several tens of KH.
It has a capacitance (for example, 0.1 μF) that provides a sufficiently low impedance for the z signal.
【００２１】また、ＦＥＴ１３自身の出力端子であるド
レインＤと、出力端子１４との間に接続された出力結合
コンデンサＣ１２は、Ｃ１１と同様に数１０ＫＨｚの信
号に対して十分低いインピーダンスとなる容量を有して
いる。Further, the output coupling capacitor C12 connected between the drain D, which is the output terminal of the FET 13 itself, and the output terminal 14 has a capacitance, which has a sufficiently low impedance for a signal of several tens KHz, like C11. Have
【００２２】ＦＥＴ１３のドレインＤからゲートＧの間
には、高域用の負帰還抵抗Ｒ１１と負帰還結合コンデン
サＣ１３との直列回路で形成される第１の帰還回路１５
が接続されている。Between the drain D and the gate G of the FET 13, the first feedback circuit 15 is formed by a series circuit of a negative feedback resistor R11 for high frequency band and a negative feedback coupling capacitor C13.
Are connected.
【００２３】負帰還抵抗Ｒ１１は、高域側の遮断周波数
が所望する周波数ｆ１０（数ＧＨｚ）となるための帰還
量を与える抵抗値（例えば２００Ω）に設定されてい
る。The negative feedback resistor R11 is set to a resistance value (for example, 200Ω) that gives a feedback amount so that the cutoff frequency on the high frequency side becomes a desired frequency f10 (several GHz).
【００２４】また、負帰還結合コンデンサＣ１３は、所
望する帯域の間の所定周波数ｆ１１（例えば７ＭＨｚ）
で負帰還抵抗Ｒ１１とほぼ等しいインピーダンスとなる
少ない容量値（例えば１００ｐＦ）に設定されている。The negative feedback coupling capacitor C13 has a predetermined frequency f11 (for example, 7 MHz) within a desired band.
Is set to a small capacitance value (for example, 100 pF) that provides an impedance substantially equal to that of the negative feedback resistor R11.
【００２５】ＦＥＴ１３のゲートＧおよびドレインＤに
は、第１、第２の高周波チョークコイルＬ１１、Ｌ１２
の一端がそれぞれ接続されている。The gate G and the drain D of the FET 13 are connected to the first and second high frequency choke coils L11 and L12.
One end of each is connected.
【００２６】第１、第２の高周波チョークコイルＬ１
１、Ｌ１２は、前述の周波数ｆ１１の信号に対してＲ１
１のほぼ１／２に等しいインピーダンスとなるインダク
タンス値（例えば２μＨ）を有している。First and second high frequency choke coils L1
1 and L12 are R1 with respect to the signal of the frequency f11 described above.
It has an inductance value (for example, 2 μH) that provides an impedance substantially equal to 1/2 of 1.
【００２７】第１、第２の高周波チョークコイルＬ１
１、Ｌ１２の他端には、第１、第２の低周波チョークコ
イルＬ１３、Ｌ１４の一端側がそれぞれ接続されてい
る。First and second high frequency choke coils L1
One ends of first and second low frequency choke coils L13 and L14 are connected to the other ends of 1 and L12, respectively.
【００２８】第１、第２の低周波チョークコイルＬ１
３、Ｌ１４は、所望する低域側の遮断周波数ｆ１２以上
の信号に対して十分大きなインピーダンスをもつ大きな
インダクタンス値（例えば１ｍＨ）を有している。First and second low frequency choke coils L1
3 and L14 have a large inductance value (for example, 1 mH) having a sufficiently large impedance with respect to a desired signal having a cutoff frequency f12 or higher on the low frequency side.
【００２９】第１、第２の低周波チョークコイルＬ１
３、Ｌ１４の他端側には、ＦＥＴ１３のゲートＧへバイ
アス電圧を供給するバイアス電源−Ｖｇと、ドレインＤ
へ電源を供給する電源Ｖｄとがそれぞれ接続されてい
る。First and second low frequency choke coils L1
Bias power source -Vg for supplying bias voltage to the gate G of FET 13 and drain D
To the power source Vd for supplying power to
【００３０】また、第１の高周波チョークコイルＬ１１
と第１の低周波チョークコイルＬ１３の接続点と、第２
の高周波チョークコイルＬ１２と第２の低周波チョーク
コイルＬ１４の接続点との間には、第２の帰還回路１６
が接続されている。第２の帰還回路１６は、負帰還抵抗
Ｒ１２と負帰還結合コンデンサＣ１４との直列回路で形
成されている。Further, the first high frequency choke coil L11
And a connection point between the first low frequency choke coil L13 and the second
Between the high frequency choke coil L12 and the connection point of the second low frequency choke coil L14.
Are connected. The second feedback circuit 16 is formed by a series circuit of a negative feedback resistor R12 and a negative feedback coupling capacitor C14.
【００３１】負帰還抵抗Ｒ１２は、負帰還抵抗Ｒ１１と
同一抵抗値を有しており、負帰還結合コンデンサＣ１４
は、前述の低域側の遮断周波数ｆ１２に対して、十分低
いインピーダンスとなる容量（例えば１μＦ）を有して
いる。The negative feedback resistor R12 has the same resistance value as the negative feedback resistor R11, and the negative feedback coupling capacitor C14.
Has a capacitance (for example, 1 μF) that has a sufficiently low impedance with respect to the cutoff frequency f12 on the low frequency side.
【００３２】以上のように構成された広帯域増幅器１０
では、入力信号の周波数がｆ１２からｆ１１の範囲の低
周波域にある場合、負帰還結合コンデンサＣ１３のイン
ピーダンスが負帰還抵抗Ｒ１１に対して大きく、しか
も、第１、第２の高周波チョークコイルＬ１１、Ｌ１３
のインピーダンスは、負帰還抵抗Ｒ１２に比べて小さ
い。Wideband amplifier 10 configured as described above
Then, when the frequency of the input signal is in the low frequency range of f12 to f11, the impedance of the negative feedback coupling capacitor C13 is larger than that of the negative feedback resistor R11, and the first and second high frequency choke coils L11, L13
Has a smaller impedance than the negative feedback resistor R12.
【００３３】このため、この広帯域増幅回路１０は、図
２に示すように第１の帰還回路１５が切離された状態と
等価となり、第２の帰還回路１６による負帰還のみがか
けられ、その帰還量の帯域特性は、図３のＮＦ１に示す
ように、ほぼｆ１２（数１０ＫＨｚ）からｆ１１（数Ｍ
Ｈｚ）の間で一定（Ｂ１）となる。Therefore, the wide band amplifier circuit 10 is equivalent to the state where the first feedback circuit 15 is separated as shown in FIG. 2, and only the negative feedback by the second feedback circuit 16 is applied. As shown in NF1 of FIG. 3, the bandwidth characteristic of the feedback amount is approximately f12 (several tens KHz) to f11 (several M).
It becomes constant (B1) between Hz).
【００３４】また、入力信号の周波数がｆ１１からｆ１
０の範囲の高周波域にある場合、第１、第２の高周波チ
ョークコイルＬ１１、Ｌ１２のインピーダンスは、負帰
還抵抗Ｒ１２に比べて非常に大きくなるため、図４に示
すように、第２の帰還回路１６がＦＥＴ１３側から切離
された状態となる。The frequency of the input signal is f11 to f1.
In the high frequency range of 0, the impedances of the first and second high frequency choke coils L11 and L12 are much larger than the impedance of the negative feedback resistor R12, and as shown in FIG. The circuit 16 is separated from the FET 13 side.
【００３５】このため、第１の帰還回路１５による負帰
還のみがかけられ、その帰還量の帯域特性は、図５のＮ
Ｆ２に示すように、周波数ｆ１１からｆ１０までの範囲
でほぼ一定（Ｂ２）となる。Therefore, only the negative feedback by the first feedback circuit 15 is applied, and the band characteristic of the feedback amount is N in FIG.
As indicated by F2, it is substantially constant (B2) in the frequency range from f11 to f10.
【００３６】また、第１、第２の帰還回路１５、１６の
負帰還抵抗Ｒ１１、Ｒ１２が等しいため、低周波帯域
（ｆ１２〜ｆ１１）での帰還量Ｂ１と高周波帯域（ｆ１
１〜ｆ１０）での帰還量Ｂ２は等しい。Since the negative feedback resistors R11 and R12 of the first and second feedback circuits 15 and 16 are equal, the feedback amount B1 in the low frequency band (f12 to f11) and the high frequency band (f1).
The feedback amounts B2 in 1 to f10) are equal.
【００３７】したがって、この広帯域増幅器１０の全帯
域の増幅度特性は、図６のＱ１に示すように、増幅度が
数１０ＫＨｚのｆ１２から数ＧＨｚのｆ１０までＡ３で
一定な極めて広帯域な特性となる。Therefore, as shown in Q1 of FIG. 6, the amplification characteristic of the wide band amplifier 10 in the entire band is a very wide characteristic in which the amplification degree is constant at A3 from f12 of several tens KHz to f10 of several GHz. ..
【００３８】なお、前述したように、周波数ｆ１１にお
いて、負帰還結合コンデンサＣ１３のインピーダンスは
ほぼＲ１１に等しく、また第１、第２の高周波チョーク
コイルＬ１１、Ｌ１２の直列インピーダンスはＲ１２に
等しいため、両方の帰還経路からＢ１（＝Ｂ２）のほぼ
半分ずつの量の帰還がかかり、この周波数での増幅度
も、低周波域および高周波域と等しくなる。As described above, at the frequency f11, the impedance of the negative feedback coupling capacitor C13 is approximately equal to R11, and the series impedance of the first and second high frequency choke coils L11 and L12 is equal to R12. A feedback amount of about half of B1 (= B2) is applied from the feedback path of, and the amplification degree at this frequency is also equal to the low frequency region and the high frequency region.
【００３９】また、ｆ１２より低域側の特性は、入出力
結合コンデンサＣ１１、Ｃ１２のインピーダンス増加に
よって制限され、ｆ１０より高域側の特性は、前述した
ＦＥＴ１３の裸特性によって制限されている。Further, the characteristics in the lower frequency band than f12 are limited by the increase in impedance of the input / output coupling capacitors C11 and C12, and the characteristics in the higher frequency band than f10 are limited by the bare characteristics of the FET 13 described above.
【００４０】なお、この実施例では、反転増幅素子とし
てＦＥＴ１３を用いていたが、バイポーラ型のトランジ
スタを用いてもよい。また、２つ以上のトランジスタを
カスケード接続した反転増幅素子を用いてもよい。Although the FET 13 is used as the inverting amplifier element in this embodiment, a bipolar transistor may be used. Alternatively, an inverting amplification element in which two or more transistors are connected in cascade may be used.
【００４１】また、前記実施例では、第１、第２の高周
波チョークコイルの他端側に第１、第２の低周波チョー
クコイルＬ１３、Ｌ１４を接続して、ＦＥＴ１３のゲー
トＧとドレインＤにバイアス電源−Ｖｇと電源Ｖｄとを
供給していたが、第１、第２の低周波チョークコイルＬ
１３、Ｌ１４を、ＦＥＴ１３のゲートＧとドレインＤに
直結して、電源を供給するようにしてもよい。Further, in the above embodiment, the first and second low frequency choke coils L13 and L14 are connected to the other ends of the first and second high frequency choke coils to connect the gate G and the drain D of the FET 13, respectively. Although the bias power source -Vg and the power source Vd were supplied, the first and second low frequency choke coils L
Power may be supplied by directly connecting 13 and L14 to the gate G and the drain D of the FET 13.
【００４２】[0042]
【発明の効果】本発明の広帯域増幅器は、前記説明のよ
うに、所定周波数ｆ１１より高い周波数域では、第１、
第２の高周波チョークコイルのインピーダンス増加によ
って、反転増幅素子から第２の帰還回路を切離し、所定
周波数ｆ１１より低い周波数域では、第１の負帰還結合
コンデンサのインピーダンス増加によって第１の帰還回
路１５を切離すように構成されている。As described above, the wide band amplifier of the present invention has the first and second characteristics in the frequency range higher than the predetermined frequency f11.
By increasing the impedance of the second high frequency choke coil, the second feedback circuit is separated from the inverting amplifier element, and in the frequency range lower than the predetermined frequency f11, the impedance of the first negative feedback coupling capacitor is increased and the first feedback circuit 15 is removed. It is configured to be separated.
【００４３】このため、２台の増幅器のレベル合せや切
換えスイッチが不要となり、大容量の負帰還結合コンデ
ンサの共振等による悪影響のない状態で数１０ＫＨｚか
ら数ＧＨｚまでの広帯域増幅を１台の増幅器で安定に行
なうことができる。For this reason, the level matching of the two amplifiers and the changeover switch are not required, and the wide band amplification from several tens KHz to several GHz is performed by one amplifier without adverse effects due to the resonance of the large-capacity negative feedback coupling capacitor. Can be performed stably.
【図１】本発明の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】一実施例の低周波域での等価回路である。FIG. 2 is an equivalent circuit in a low frequency range according to an embodiment.
【図３】一実施例の低周波域での帰還量特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram of a feedback amount in a low frequency range according to an embodiment.
【図４】一実施例の高周波域での等価回路である。FIG. 4 is an equivalent circuit in a high frequency range according to an embodiment.
【図５】一実施例の高周波域での帰還量特性図である。FIG. 5 is a feedback amount characteristic diagram in a high frequency range according to an embodiment.
【図６】一実施例の全帯域の増幅特性図である。FIG. 6 is an amplification characteristic diagram of an entire band according to an embodiment.
【図７】従来装置の回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of a conventional device.
【図８】従来装置の増幅特性図である。FIG. 8 is an amplification characteristic diagram of a conventional device.
１０ 広帯域増幅器 １２ 入力端子 １３ ＦＥＴ １４ 出力端子 １５ 第１の帰還回路 １６ 第２の帰還回路 Ｃ１１ 出力結合コンデンサ Ｃ１２ 出力結合コンデンサ Ｃ１３、Ｃ１４ 負帰還結合コンデンサ Ｒ１１、Ｒ１２ 負帰還抵抗 Ｌ１１ 第１の高周波チョークコイル Ｌ１２ 第２の高周波チョークコイル Ｌ１３ 第１の低周波チョークコイル Ｌ１４ 第２の低周波チョークコイル 10 Wideband Amplifier 12 Input Terminal 13 FET 14 Output Terminal 15 First Feedback Circuit 16 Second Feedback Circuit C11 Output Coupling Capacitor C12 Output Coupling Capacitor C13, C14 Negative Feedback Coupling Capacitor R11, R12 Negative Feedback Resistor L11 First High Frequency Choke Coil L12 Second high frequency choke coil L13 First low frequency choke coil L14 Second low frequency choke coil
Claims (1)
（１３）と、 第１の負帰還抵抗と、所定周波数以下の信号に対して前
記第１の負帰還抵抗より大きなインピーダンスを有する
第１の負帰還結合コンデンサとの直列回路で形成され、
前記反転増幅素子の出力端子から入力端子へ所定周波数
以上の信号成分を帰還する第１の帰還回路（１５）と、 前記反転増幅素子の入力端子に一端側を接続された第１
の高周波チョークコイル（Ｌ１１）と、 前記反転増幅素子の出力端子に一端側を接続された第２
の高周波チョークコイル（Ｌ１２）と、 前記第１の負帰還抵抗とほぼ同一抵抗値の第２の負帰還
抵抗と、前記第１の負帰還結合コンデンサより大きな容
量値の第２の負帰還結合コンデンサとの直列回路で形成
され、前記第１の高周波チョークコイルの他端側と前記
第２の高周波チョークコイルの他端側との間に接続され
て、前記所定周波数以下の信号成分を前記反転増幅素子
の出力端子から入力端子へ帰還する第２の帰還回路（１
６）とを備えた広帯域増幅器。1. An inverting amplification element (13) formed of a transistor, a first negative feedback resistor, and a first negative feedback resistor having an impedance larger than that of the first negative feedback resistor with respect to a signal having a predetermined frequency or less. Formed in a series circuit with a feedback coupling capacitor,
A first feedback circuit (15) for feeding back a signal component having a predetermined frequency or more from an output terminal of the inverting amplification element to an input terminal; and a first feedback circuit having one end connected to the input terminal of the inverting amplification element.
High frequency choke coil (L11), and a second end whose one end is connected to the output terminal of the inverting amplifier element.
High frequency choke coil (L12), a second negative feedback resistor having substantially the same resistance value as the first negative feedback resistor, and a second negative feedback coupling capacitor having a larger capacitance value than the first negative feedback coupling capacitor. Is connected in series between the other end side of the first high frequency choke coil and the other end side of the second high frequency choke coil, and a signal component of the predetermined frequency or less is inverted and amplified. A second feedback circuit (1 that feeds back from the output terminal of the element to the input terminal
6) A wide band amplifier comprising:
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