JPH049928A - Waveguide type optical switch - Google Patents
Waveguide type optical switchInfo
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〉
本発明は、光集積回路等に用いられ、導波路内を伝搬す
る光に対して切換え制御を行う導波型光スイッチ、特に
電界のエツジ効果により動作電圧の低減等を可能とした
導波型光スイッチに関するものである。Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention relates to a waveguide type optical switch used in optical integrated circuits and the like, which performs switching control on light propagating in a waveguide, particularly an electric field edge switch. This invention relates to a waveguide type optical switch that enables reduction of operating voltage due to its effects.
(従来の技術)
従来、この種の分野の技術としては、カイディッドクー
ウエイブ オプトエレクトロニクス(Guid−Wav
e 0ptoelectonics>(1988−1
>スプリンガー・パーレグ社、P、376−377に記
載されるものがあった。(Prior Art) Conventionally, as a technology in this type of field, there is a technique called Guid-Wav Optoelectronics (Guid-Wav Optoelectronics).
e 0ptoelectronics>(1988-1
>Springer Perleg Co., Ltd., P, 376-377.
第2図は、上記文献に記載された従来の導波型光スイッ
チの一構成例を示す断面斜視図である。FIG. 2 is a cross-sectional perspective view showing an example of the configuration of a conventional waveguide type optical switch described in the above-mentioned document.
この光スィッチは、底面に電極10aが形成されn+G
aAsからなる基板10を有し、その基板10上には、
n+ AlGaAsで構成される下側クラッド層11と
、n−GaAsからなる光導波層12とが、順次形成さ
れている。さらに、光導波層12上には、互いに対抗す
るようにリブ状の上部クラッド層13a、13bとキャ
ップ層14a、14bとがそれぞれ順次形成されている
。This optical switch has an electrode 10a formed on the bottom surface and an n+G
It has a substrate 10 made of aAs, and on the substrate 10,
A lower cladding layer 11 made of n+ AlGaAs and an optical waveguide layer 12 made of n-GaAs are sequentially formed. Furthermore, rib-shaped upper cladding layers 13a, 13b and cap layers 14a, 14b are formed in sequence on the optical waveguide layer 12 so as to oppose each other.
このキャップ層14a、14b上には、上部クラッド層
13a、13b及びキャップ層14a、14bと同一幅
の電極15a、15bがそれぞれ形成されている。Electrodes 15a and 15b having the same width as the upper cladding layers 13a and 13b and the cap layers 14a and 14b are formed on the cap layers 14a and 14b, respectively.
ここで、上部クラッド層13a、13bはp+AlGa
As、及びキャップ層14a、14bはp+ GaAs
でそれぞれ構成されている。また、上部クラッド層13
a、13b直下の光導波層12が入力光を伝搬させる光
導波部12a、12bを成し、これら光導波部12a、
12b、上部クラッド層13a、13b及びキャップ層
14a14bで導波路が構成されている。Here, the upper cladding layers 13a and 13b are made of p+AlGa
As, and the cap layers 14a and 14b are p+ GaAs.
Each is composed of In addition, the upper cladding layer 13
The optical waveguide layers 12 directly below a and 13b form optical waveguide sections 12a and 12b that propagate input light, and these optical waveguide sections 12a,
12b, upper cladding layers 13a and 13b, and cap layer 14a14b constitute a waveguide.
以上のように構成される光スィッチにおいて、例えば、
光導波部12aの入力ポートから光を入射させるものと
する。この時、電極15aと電極10a、及び電極15
bと電極10a間に電圧を印加しなければ、入射した光
は隣の光導波部12bに転移し、この光導波部12bの
出力ボートから出力光が出力される。In the optical switch configured as described above, for example,
It is assumed that light is input from the input port of the optical waveguide section 12a. At this time, electrode 15a, electrode 10a, and electrode 15
If no voltage is applied between the electrode 10a and the electrode 10a, the incident light is transferred to the adjacent optical waveguide 12b, and output light is output from the output port of the optical waveguide 12b.
これに対して、例えば電極15aと電極10a間に所定
の電圧を印加した場合は、光導波部12aの屈折率が変
化する。これによって、双方の光導波部12a、光導波
部12bの相似性が失われて光は光導波部12aを直進
し、光導波部12aの出力ボートから出力光が得られる
。On the other hand, when a predetermined voltage is applied between the electrode 15a and the electrode 10a, for example, the refractive index of the optical waveguide 12a changes. As a result, the similarity between the optical waveguide section 12a and the optical waveguide section 12b is lost, the light travels straight through the optical waveguide section 12a, and output light is obtained from the output port of the optical waveguide section 12a.
この様にして、光に対するスイッチングを行うことがで
きる。In this way, switching for light can be performed.
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記構成の導波型光スイッチでは、発生
した電界の強度は光導波部12a、12bに対してほぼ
一様であり、高電界部分の発生が少ないので、入力光と
高電界部分との重ね合わせが小さかった。このため、ス
イッチングに必要な動作電圧を満足いくほど低くできな
かった。(Problem to be Solved by the Invention) However, in the waveguide optical switch having the above configuration, the intensity of the generated electric field is almost uniform with respect to the optical waveguides 12a and 12b, and there are few high electric field portions. , the overlap between the input light and the high electric field region was small. For this reason, the operating voltage required for switching could not be lowered satisfactorily.
また、発生した電界は基板10表面に対して垂直方向の
成分のみを持ち、この電界の方向を垂直方向以外に変更
することができない。この結果、正常なスイッチング動
作を行うためには、入力される偏光が限定されてしまう
という聞届があった。Further, the generated electric field has only a component perpendicular to the surface of the substrate 10, and the direction of this electric field cannot be changed to a direction other than the perpendicular direction. As a result, it has been reported that the input polarized light is limited in order to perform normal switching operations.
本発明は前記従来技術の持っていた課題として、動作電
圧を低くできない点、及び入力される偏光が限定される
という点について解決した導波型光スイッチを提供する
ものである。The present invention provides a waveguide type optical switch that solves the problems of the prior art in that the operating voltage cannot be lowered and that the input polarized light is limited.
(課題を解決するための手段)
本発明は、前記課題を解決するために、基板上にクラッ
ド層を形成し、さらにそのクラッド層上に入力光伝搬用
の光導波層を形成した導波路を備え、前記導波路を伝搬
する入力光を電界によって制御する導波型光スイッチに
おいて、前記クラッド層は、所定の電気抵抗を有する第
1のクラッド部と、前記第1のクラッド部に対して前記
導波路に対応する位置で隣接して形成され、前記電気抵
抗と異なる電気抵抗の第2のクラッド部とを、備えたも
のである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a waveguide in which a cladding layer is formed on a substrate, and an optical waveguide layer for input light propagation is further formed on the cladding layer. In the waveguide optical switch that controls input light propagating through the waveguide by an electric field, the cladding layer includes a first cladding portion having a predetermined electrical resistance; The second cladding portion is formed adjacent to the waveguide at a position corresponding to the waveguide, and has a second cladding portion having an electrical resistance different from the aforementioned electrical resistance.
また、前記第1及び第2のクラッド部が互いに隣接する
位置を、前記導波路のほぼ中央に対応する位置としても
よい。Further, the position where the first and second cladding parts are adjacent to each other may be a position corresponding to approximately the center of the waveguide.
(作用)
本発明は、以上のように導波型光スイッチを構成したの
で、第1または第2のクラット部は、低抵抗であるとき
、電界のエツジ効果によりそのエツジ部に電界を集中さ
せて高電界部分を生成する。(Function) The present invention has a waveguide optical switch configured as described above, so that when the first or second crat part has a low resistance, the electric field is concentrated on the edge part due to the edge effect of the electric field. to generate a high electric field area.
これにより、電界の方向を斜め方向等に変更できる共に
、前記高電界部分に入力光が接近して伝搬するため、高
電界部分と入力光との重ね合わせが大きくなり、動作電
圧が低減する。Thereby, the direction of the electric field can be changed to an oblique direction, etc., and the input light propagates close to the high electric field portion, so the superposition of the high electric field portion and the input light increases, and the operating voltage is reduced.
したがって、前記課題を解決できるのである。Therefore, the above problem can be solved.
(実施例)
第1図は、本発明の実施例を示す導波型光スイッチの断
面斜視図である。(Example) FIG. 1 is a cross-sectional perspective view of a waveguide type optical switch showing an example of the present invention.
この光スィッチは、底面に電極50aが形成され化合物
半導体InP (n+ GaAs)からなる基板50を
有している。この基板50表面上には、電気抵抗が低く
InP (n+ AIGaAs)で構成される第1の
クラッド部51と、第1のクラッド部51より電気抵抗
が高< I nP (n+ AIGaAs)で構成され
る第2のクラッド部52とが、形成されている。さらに
、第1のクラッド部51と第2のクラッド部52との表
面上にはI nGaAsP (n−GaAs)からなる
先導波層53が形成され、この光導波層53上には、一
定間隔を隔てて、互いに対抗するようにInP(GaA
IAs>からなるリブ状のクラッド層54a、55bと
、I nP (p+ GaAIAs)からなるリブ状の
クラッド層55a、55bと、キャップ層を含む電極5
6a、56bとがそれぞれ順次形成されている。This optical switch has a substrate 50 made of a compound semiconductor InP (n+ GaAs) with an electrode 50a formed on the bottom surface. On the surface of this substrate 50, there is a first cladding part 51 made of InP (n+ AIGaAs) having a low electrical resistance, and a first cladding part 51 made of InP (n+ AIGaAs) having a higher electrical resistance than the first cladding part 51. A second cladding portion 52 is formed. Further, a waveguide layer 53 made of InGaAsP (n-GaAs) is formed on the surfaces of the first cladding part 51 and the second cladding part 52, and a waveguide layer 53 made of InGaAsP (n-GaAs) is formed on the optical waveguide layer 53 at regular intervals. InP (GaA) is separated and opposed to each other.
The electrode 5 includes rib-shaped cladding layers 54a, 55b made of IAs>, rib-shaped cladding layers 55a, 55b made of InP (p+ GaAIAs), and a cap layer.
6a and 56b are formed in sequence.
ここで、クラッド層54a、54b直下の光導波層53
が入力光である偏光を伝搬させる光導波部53a、53
bを成し、これら光導波部53a。Here, the optical waveguide layer 53 directly under the cladding layers 54a and 54b
Optical waveguide sections 53a, 53 that propagate polarized light whose input light is
b, and these optical waveguide parts 53a.
53b、クラッド層54a、54b及びクラッド層54
a、55bで、導波路60a、60bがそれぞれ構成さ
れている。53b, cladding layers 54a, 54b and cladding layer 54
a and 55b constitute waveguides 60a and 60b, respectively.
第3図は第1図の動作説明図、及び第4図は電界のエツ
ジ効果を示す図であり、これら第3図及び第4図を参照
しつつ、第1図の動作を説明する。3 is an explanatory diagram of the operation of FIG. 1, and FIG. 4 is a diagram showing the edge effect of an electric field.The operation of FIG. 1 will be explained with reference to these FIGS. 3 and 4.
第3図に示すように電極56aに電圧を印加すると、電
界のエツジ効果により電界Eが第1のクラッド部51の
右上上部であるエツジ部51aに集中し、そのエツジ部
51aに高電界部分を発生させる。ラプラス方程式の数
値計算では、このエツジ部51aの箇所の電界強度は他
の部分の2倍以上になる。この電界強度を計算した例を
第4図に示す。As shown in FIG. 3, when a voltage is applied to the electrode 56a, the electric field E is concentrated at the upper right edge portion 51a of the first cladding portion 51 due to the edge effect of the electric field, and a high electric field portion is created at the edge portion 51a. generate. In numerical calculation using Laplace's equation, the electric field strength at this edge portion 51a is more than twice that at other portions. An example of calculating this electric field strength is shown in FIG.
第4図において、第1のクラッド部51の幅を2μm、
クラッド層55a、55bと第1のクランド部51間の
間隔を2μmとし、また、電界強度を表す数値は、相対
的強さを示している。In FIG. 4, the width of the first cladding part 51 is 2 μm,
The distance between the cladding layers 55a, 55b and the first cladding portion 51 is 2 μm, and the numerical value representing the electric field strength indicates the relative strength.
この図から明らかなように、第1のクラッド部51から
1μm離れた箇所の電界強度は0.25であるが、エツ
ジ部51aに近付くほどその電界強度が0.5.0.7
5.1.0.1.5と強まっていく。さらに、第1のク
ラッド部51の幅が2μmと細い場合にも、エツジ効果
の大きいことが理解される。この様に、電界のエツジ効
果により、基板50に対して垂直方向の成分の他に、斜
め方向の成分を有する電界Eが発生する。As is clear from this figure, the electric field strength at a location 1 μm away from the first cladding portion 51 is 0.25, but the closer it gets to the edge portion 51a, the more the electric field strength increases by 0.5.0.7.
It becomes stronger as 5.1.0.1.5. Furthermore, it is understood that the edge effect is large even when the width of the first cladding part 51 is as narrow as 2 μm. In this manner, due to the edge effect of the electric field, an electric field E is generated which has a diagonal component in addition to a component perpendicular to the substrate 50.
電極56aに電圧の印加がなく電界Eの発生していない
状態で、基板50に対して垂直方向に光軸を持つ偏光P
または水平方向の光軸を持つ偏光Qか光導波部53aの
入力ポートより入力されると、偏光P′iたは偏光Qは
隣の光導波部53bに転移しての出力ポートから出力さ
れる。When no voltage is applied to the electrode 56a and no electric field E is generated, polarized light P having an optical axis perpendicular to the substrate 50 is generated.
Alternatively, when polarized light Q having a horizontal optical axis is input from the input port of the optical waveguide 53a, the polarized light P'i or polarized light Q is transferred to the adjacent optical waveguide 53b and output from the output port. .
基板50aに電圧を印加させて、上記のような斜め方向
の成分を有する電界Eが発生した状態で、基板50に対
して垂直方向に光軸を持つ偏光Pが光導波部53aに入
力されると、偏光Pが通過する際、偏光Pに対して電気
光学効果を生じ、偏光Pは同一の光導波部53aを伝搬
して光導波部53aの出力ポートより出力される。With a voltage applied to the substrate 50a and an electric field E having an oblique component as described above generated, polarized light P having an optical axis perpendicular to the substrate 50 is input to the optical waveguide 53a. When the polarized light P passes through, an electro-optic effect is generated on the polarized light P, and the polarized light P propagates through the same optical waveguide 53a and is output from the output port of the optical waveguide 53a.
また、電界Eが発生した状態で、水平方向の光軸を持つ
偏光Qが光導波部53aに入力される場合においても、
同様に光導波部53aの出力ポートより出力される。Furthermore, even when polarized light Q having a horizontal optical axis is input to the optical waveguide 53a while the electric field E is generated,
Similarly, it is output from the output port of the optical waveguide section 53a.
本実施例は、次のような利点を有している。This embodiment has the following advantages.
(1)エツジ部51aの箇所を光導波部53aに近接配
置しているので、電界のエツジ効果による高電界部分と
入力光との重ね合わせが大きくなり、動作電圧が従来に
比べて1/2程度に低減される。(1) Since the edge portion 51a is located close to the optical waveguide portion 53a, the overlap between the high electric field portion and the input light due to the edge effect of the electric field is increased, and the operating voltage is halved compared to the conventional one. reduced to a certain extent.
(2)電界Eは、場所により垂直成分の他に斜め成分を
有し、基板50の結晶軸方向として表面がH10)軸に
対して45°傾いたものを用いれば、基板50表面に対
して垂直方向または水平方向の各偏光に対して電気光学
効果による屈折率変化を生ずるので、偏光方向に依存し
ないスイッチング動作が可能となる。(2) The electric field E has an oblique component in addition to a vertical component depending on the location. Since the refractive index changes due to the electro-optic effect for each polarized light in the vertical or horizontal direction, a switching operation that does not depend on the polarization direction is possible.
第5図は、本発明の第2の実施例を示す導波型光スイッ
チの断面斜視図であり、第1図と共通の要素には共通の
符号が付されている。FIG. 5 is a cross-sectional perspective view of a waveguide type optical switch showing a second embodiment of the present invention, in which elements common to those in FIG. 1 are given the same reference numerals.
この光スィッチは、第1図の第1のクラッド部51を高
抵抗部分の第2のクラッド部52−1に、第2のクラッ
ド部52を低抵抗部分の第1のクラッド部51−1にそ
れぞれ置き換えた構成となっている。In this optical switch, the first cladding part 51 in FIG. 1 is changed to a second cladding part 52-1 which is a high resistance part, and the second cladding part 52 is connected to a first cladding part 51-1 which is a low resistance part. The configuration has been replaced with each other.
このような構成であっても、第6図の示すように、電界
のエツジ効果によりエツジ部51〜1aに集中するよう
に電界Eが発生し、第1の実施例と同様の作用効果を生
ずる。Even with such a configuration, as shown in FIG. 6, the electric field E is generated so as to be concentrated on the edge portions 51 to 1a due to the edge effect of the electric field, producing the same effect as in the first embodiment. .
第7図は、本発明の第3の実施例を示す導波型光スイッ
チの断面斜視図であり、第1図と共通の要素には共通の
符号が付されている。FIG. 7 is a cross-sectional perspective view of a waveguide type optical switch showing a third embodiment of the present invention, and common elements with those in FIG. 1 are given the same reference numerals.
この光スィッチは、第1図おけるクラッド層54a、5
4b上に形成されているクラッド層55a、55bの形
成部分を第7図に示すように1/2削除し、削除された
クラッド層55a、55bの部分にクラッド層54a、
54bをそれぞれ加えた構成であり、電界のエツジ効果
によりエツジ部51aに集中するように電界Eが発生し
、第1及び第2の実施例と同様の作用効果を生ずる。This optical switch corresponds to the cladding layers 54a and 5 in FIG.
As shown in FIG. 7, 1/2 of the forming portions of the cladding layers 55a and 55b formed on the cladding layers 55a and 55b formed on the cladding layers 54b and 4b are removed, and cladding layers 54a and 54a are formed on the removed portions of the cladding layers 55a and 55b.
54b, and the electric field E is generated so as to be concentrated at the edge portion 51a due to the edge effect of the electric field, producing the same effect as the first and second embodiments.
なお、本発明は、図示の実施例に限定されず、種々の変
形が可能である。例えば、その変形例として次のような
ものがある。Note that the present invention is not limited to the illustrated embodiment, and various modifications are possible. For example, there are the following variations.
(イ)上記実施例では、第1のクラッド部51を低抵抗
なりラッド層とし、第2のクラッド部52を高抵抗なり
ラッド層としたが、その逆の第1のクラッド部51を高
抵抗なりラッド層とし、第2のクラッド部52を低抵抗
なりラッド層としてもよい。(B) In the above embodiment, the first cladding part 51 is a low-resistance rad layer, and the second cladding part 52 is a high-resistance rad layer. The second cladding portion 52 may be a low-resistance rad layer.
(ロ)上記実施例では、第1のクラッド部51と第2の
クラッド部52との隣接する位置を光導波部53a、5
3bのほぼ中央に対応する位置としたが、光導波部53
a、53bに対応する位置であるならば、光導波部53
a、53bのほぼ中央に限定しなくともよい。(b) In the above embodiment, the adjacent positions of the first cladding part 51 and the second cladding part 52 are
Although the position corresponds to approximately the center of 3b, the optical waveguide section 53
If the position corresponds to a, 53b, the optical waveguide 53
It is not necessary to limit it to approximately the center of a and 53b.
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、基板上に
電気抵抗の高い部分と低い部分とを持つクラッド層を設
け、その電気抵抗の高い部分と低い部分とが互いに隣接
する位置を前記クラッド層上に形成された導波路に対応
する位置にするようにしたので、高電界部分と入力光と
の重ね合わせを大きくすることができ、スイッチングに
必要な動作電圧を低減することができる。(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, a cladding layer having a high electrical resistance portion and a low electrical resistance portion is provided on a substrate, and the high electrical resistance portion and the low electrical resistance portion are mutually connected to each other. Since the adjacent position corresponds to the waveguide formed on the cladding layer, it is possible to increase the overlap between the high electric field part and the input light, reducing the operating voltage required for switching. can do.
また、設計により様々な方向の電界を発生させることが
できるため、結晶軸の選定により偏光に依存しないスイ
ッチング動作が可能となる。Furthermore, since electric fields can be generated in various directions depending on the design, switching operations that do not depend on polarization can be achieved by selecting the crystal axis.
第1図は本発明の実施例の導波型光スイッチの断面斜視
図、第2図は従来の導波型光スイッチの断面斜視図、第
3図は第1図の動作説明図、第4図は電界のエツジ効果
を示す図、第5図は本発明の第2の実施例の導波型光ス
イッチの断面斜視図、第6図は第5図の動作説明図、第
7図は本発明の第3の実施例の導波型光スイッチの断面
斜視図である。
50・・・・・・基板、51.51−1・・・・・・第
1のクラッド部、52.52−1・・・・・・第2のク
ラッド部、53・・・・・・光導波層、53a、53b
・・・・・・光導波部、54a、54b、55a、 5
’5b−・−−−−クラッド層上b・・・・・・導波路
、E・・・・・・電界。
50、基瓶
0b
60゜
本発明の牙1の支施例
第1図
+5b
15゜FIG. 1 is a cross-sectional perspective view of a waveguide type optical switch according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional perspective view of a conventional waveguide type optical switch, FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation of FIG. 5 is a cross-sectional perspective view of a waveguide optical switch according to the second embodiment of the present invention, FIG. 6 is an explanatory diagram of the operation of FIG. 5, and FIG. 7 is a diagram showing the edge effect of an electric field. FIG. 7 is a cross-sectional perspective view of a waveguide optical switch according to a third embodiment of the invention. 50... Substrate, 51.51-1... First cladding part, 52.52-1... Second cladding part, 53... Optical waveguide layer, 53a, 53b
...... Optical waveguide section, 54a, 54b, 55a, 5
'5b-----On the cladding layer b... Waveguide, E... Electric field. 50, base bottle 0b 60° Fig. 1 Supporting example of fang 1 of the present invention +5b 15°
Claims (1)
層上に入力光伝搬用の光導波層を形成した導波路を備え
、 前記導波路を伝搬する入力光を電界によつて制御する導
波型光スイッチにおいて、 前記クラッド層は、 所定の電気抵抗を有する第1のクラッド部と、前記第1
のクラッド部に対して前記導波路に対応する位置で隣接
して形成され、前記電気抵抗と異なる電気抵抗の第2の
クラッド部とを、 備えたことを特徴とする導波型光スイッチ。 2、請求項1記載の導波型光スイッチにおいて、前記第
1及び第2のクラッド部が互いに隣接する位置を、 前記導波路のほぼ中央に対応する位置とした導波型光ス
イッチ。[Claims] 1. A waveguide is provided in which a cladding layer is formed on a substrate, and an optical waveguide layer for propagating input light is formed on the cladding layer, and the input light propagating through the waveguide is converted into an electric field. In the waveguide optical switch, the cladding layer includes a first cladding portion having a predetermined electrical resistance;
A waveguide optical switch comprising: a second cladding portion formed adjacent to the cladding portion at a position corresponding to the waveguide and having an electrical resistance different from the electrical resistance. 2. The waveguide optical switch according to claim 1, wherein a position where the first and second cladding parts are adjacent to each other corresponds to approximately the center of the waveguide.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11369190A JPH049928A (en) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Waveguide type optical switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11369190A JPH049928A (en) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Waveguide type optical switch |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH049928A true JPH049928A (en) | 1992-01-14 |
Family
ID=14618744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11369190A Pending JPH049928A (en) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Waveguide type optical switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH049928A (en) |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11369190A patent/JPH049928A/en active Pending
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